KR101036451B1 - 반도체 소자의 스토리지 노드 형성 방법 - Google Patents
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- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 62
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
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- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
- H10B12/0335—Making a connection between the transistor and the capacitor, e.g. plug
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
Description
Claims (8)
- 반도체 기판 상에 형성된 제1절연막을 식각하여 스토리지 노드 콘택 홀을 형성하는 단계;상기 스토리지 노드 콘택 홀에 제1전도성 물질을 매립하여 스토리지 노드 콘택 플러그를 형성하는 단계;상기 스토리지 노드 콘택 플러그를 포함하여 제1절연막 상에 제2절연막을 형성하는 단계;상기 제2절연막 상에 보호막을 형성하는 단계;상기 스토리지 노드 콘택 플러그의 표면이 노출되도록 상기 보호막과 제2절연막을 식각하여, x의 폭을 갖는 제1홀을 형성하는 단계;상기 제1홀의 내측벽으로부터 상기 제2절연막을 α의 폭만큼 식각하여, 개구부의 폭이 x이고, 내부의 폭이 x+2α인 제2홀을 형성하는 단계;상기 제2홀의 개구부가 막히도록 상기 보호막의 상부와 상기 제2홀의 내측벽에 제2전도성 물질을 원자층증착(atomic layer deposition, ALD)법에 의해 증착하되, 상기 제2홀의 내측벽에 증착되는 제2전도성 물질의 두께가 x/2가 되도록 상기 보호막의 상부에 증착되는 제2전도성 물질의 두께를 x/2 이상으로 증착하여, 상기 제2홀의 내부에 2α의 폭을 가지며 상기 제2전도성 물질로 둘러싸인 공간부를 형성하는 단계;상기 공간부가 노출되도록, 상기 공간부의 상부에 형성되어 있는 제2전도성 물질과 상기 보호막을 제거하는 단계;상기 공간부에 스토리지 노드를 이루는 제3전도성 물질을 매립하는 단계;상기 제2절연막의 표면이 노출되도록, 상기 제2절연막의 상부에 형성되어 있는 제3전도성 물질을 제거하는 단계;상기 제2절연막을 제거하는 단계; 및상기 제3전도성 물질의 측방에 형성되어 있는 제2전도성 물질을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법.
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- 제1항에 있어서,상기 제1절연막과 제2절연막 사이에는 식각정지막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1홀 형성을 위한 상기 보호막과 제2절연막의 식각은 건식식각(dry etching)에 의한 비등방성 식각인 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제2홀 형성을 위한 제2절연막의 식각은 습식식각(wet etching)에 의한 등방성 식각인 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법.
- 제1항에 있어서,상기 공간부의 상부에 형성되어 있는 제2전도성 물질과 상기 보호막을 제거하는 단계 및 상기 제2절연막의 상부에 형성되어 있는 제3전도성 물질을 제거하는 단계는 식각(etching) 또는 화학적 기계적 연마(chmical mechanical polishing, CMP)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법.
- 제1항 또는 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제2절연막은 SiO2이고, 상기 보호막은 SiN이며, 상기 제2전도성 물질은 TiN 및 TiAlN 중 적어도 하나이고, 상기 제3전도성 물질은 Ru 및 RuO2 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 스토리지 노드 형성 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090050432A KR101036451B1 (ko) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | 반도체 소자의 스토리지 노드 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090050432A KR101036451B1 (ko) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | 반도체 소자의 스토리지 노드 형성 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100131706A KR20100131706A (ko) | 2010-12-16 |
KR101036451B1 true KR101036451B1 (ko) | 2011-05-24 |
Family
ID=43507616
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090050432A KR101036451B1 (ko) | 2009-06-08 | 2009-06-08 | 반도체 소자의 스토리지 노드 형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101036451B1 (ko) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030070701A (ko) * | 2002-02-26 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 노드 콘택플러그를 갖는 반도체 소자의 제조방법 |
KR100525088B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2005-11-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 다마신 공정을 이용한 배선 형성 방법 |
-
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KR100525088B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2005-11-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 다마신 공정을 이용한 배선 형성 방법 |
KR20030070701A (ko) * | 2002-02-26 | 2003-09-02 | 삼성전자주식회사 | 스토리지 노드 콘택플러그를 갖는 반도체 소자의 제조방법 |
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---|---|
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