KR101036428B1 - Method of manufacturing light-emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 발광소자 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 광특성 손실 감소 및 제품 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a method for manufacturing a semiconductor light emitting device that can reduce optical property loss and improve product reliability.
반도체 발광소자 제조방법은 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 발광다이오드(Light emitting diode, LED)와 같이 다이오드를 이용하여 반도체를 접합한 형태로 전자/정공 재결합에 따른 에너지를 광으로 변환하여 방출하는 소자이다. 이러한 반도체 발광소자는 현재 조명, 표시장치 및 광원으로서 널리 이용되며, 적은 전력으로 원하는 파장의 빛을 발광하고, 수은과 같은 환경유해물질 방출을 억제할 수 있어서 에너지 절약 및 환경보호 측면을 고려하여 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device is a device in which a material contained in the device emits light. The energy of electron / hole recombination is formed by bonding a semiconductor using a diode such as a light emitting diode (LED). Is a device that converts and emits Such semiconductor light emitting devices are widely used as lighting, display devices, and light sources, and emit light of a desired wavelength with little power, and can suppress the emission of environmentally harmful substances such as mercury. Development is accelerating.
특히, 최근 그 개발 및 사용이 활성화된 질화갈륨(GaN)계 발광다이오드를 이용한 휴대폰 키패드, 사이드 뷰어, 카메라 플래쉬 등의 상용화에 힘입어, 최근 발광다이오드를 이용한 일반 조명 개발이 활기를 띠고 있다. 대형 TV의 백라이트 유닛 및 자동차 전조등, 일반 조명 등 그의 응용제품이 소형 휴대제품에서 대형화, 고출력화, 고효율화, 신뢰성화된 제품으로 진행하여 해당 제품에 요구되는 특성을 나타내는 광원을 요구하게 되었다. In particular, the development of general lighting using light emitting diodes has recently been fueled by the commercialization of mobile phone keypads, side viewers, camera flashes, etc. using gallium nitride (GaN) based light emitting diodes, which have been actively developed and used. Its applications such as backlight units of large TVs, automotive headlamps, and general lighting have moved from small portable products to large size, high output, high efficiency, and reliable products, requiring light sources that exhibit the characteristics required for such products.
반도체 발광소자는 반도체층에 전압을 인가하기 위한 전극의 위치에 따라 수직형 구조 및 수평형 구조가 있고, 수평형 구조에는 성장형(epi-up) 및 플립칩형(flip-chip)이 있다. 예를 들어, 수직구조의 발광소자를 제작하는 경우, 성장기판이 사파이어 기판과 같은 부도전성 기판인 경우에는 성장기판을 제거하여야 한다. 다만, 성장기판을 제거하면 반도체층의 두께가 이후의 공정을 진행하거나 취급하기에 너무 얇기 때문에 반도체층의 성장기판이 형성된 면의 반대면에 반도체층을 지지할 수 있는 지지기판을 형성한 후에 성장기판을 제거할 수 있다. The semiconductor light emitting device has a vertical structure and a horizontal structure according to the position of the electrode for applying a voltage to the semiconductor layer, and there are growth-type (epi-up) and flip-chip (flip-chip) in the horizontal structure. For example, when manufacturing a light emitting device having a vertical structure, the growth substrate must be removed when the growth substrate is a non-conductive substrate such as a sapphire substrate. However, if the growth substrate is removed, the thickness of the semiconductor layer is too thin for further processing or handling, so that after the support substrate capable of supporting the semiconductor layer is formed on the opposite side of the surface on which the growth substrate of the semiconductor layer is formed, the growth is performed. The substrate can be removed.
성장기판을 제거하기 위하여 레이저를 이용하여 리프트 오프(lift off, LLO)공정을 이용할 수 있다. 성장기판 측으로 레이저를 조사하는 경우, 단시간에 높은 에너지가 전달된다. 이 때, 성장기판과 반도체층 및 지지기판의 열팽창계수가 서로 다르면, 반도체층은 응력을 받아 전체적으로 발광소자가 휘게 되는 현상이 나타난다. 양자간 열팽창계수의 차이가 많으면 발광소자에 균열이 생기고, 파손되는 경우에까지 이른다. In order to remove the growth substrate, a lift off (LLO) process using a laser may be used. When the laser is irradiated to the growth substrate side, high energy is delivered in a short time. At this time, if the thermal expansion coefficients of the growth substrate, the semiconductor layer, and the support substrate are different from each other, the semiconductor layer is stressed and the light emitting device is warped as a whole. If the difference in coefficient of thermal expansion between the two is large, cracks occur in the light emitting device, leading to damage.
따라서, 성장기판 제거시 발광소자의 휘는 현상을 방지하여 제품신뢰성을 확보할 수 있는 방안이 요청된다. Therefore, there is a need for a method for securing product reliability by preventing the light emitting device from bending when the growth substrate is removed.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 적층체 성장시 사용된 기판 제거시 발생하는 응력을 감소시켜 광특성 손실 감소 및 제품 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 발광소자 제조방법을 제공하는데 있다.
The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention is to reduce the stress generated during the removal of the substrate used in the semiconductor laminate growth method of manufacturing a semiconductor light emitting device that can reduce the optical characteristics loss and improve product reliability To provide.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 발광소자 제조방법은 성장기판 상에 n형 질화물 반도체층, 활성층, 및 p형 질화물 반도체층을 적층시켜 발광적층체를 형성하는 발광적층체 형성단계; p형 질화물 반도체층 상에 지지기판을 형성하는 지지기판 형성단계; 지지기판 상에 발광적층체의 열팽창계수 및 성장기판의 열팽창계수 사이의 열팽창계수를 갖는 분리보조층을 위치시키는 분리보조층 형성단계; 및 성장기판을 분리하여 제거하는 성장기판 제거단계;를 포함한다. In the semiconductor light emitting device manufacturing method according to an aspect of the present invention for achieving the above object is a light emitting laminated layer to form a light emitting laminate by laminating an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer on a growth substrate Sieve formation step; a support substrate forming step of forming a support substrate on the p-type nitride semiconductor layer; A separation auxiliary layer forming step of placing a separation auxiliary layer having a thermal expansion coefficient between the thermal expansion coefficient of the light emitting laminate and the thermal expansion coefficient of the growth substrate on the support substrate; And a growth substrate removing step of separating and removing the growth substrate.
성장기판은 사파이어 기판일 수 있다. The growth substrate may be a sapphire substrate.
지지기판은 Si 기판, Ge 기판, SiAl 기판, SiC 기판, ZnO 기판, GaAs 기판 및 GaN 기판 중 어느 하나일 수 있고, 또는 지지기판은 Au, Ni, Cu 및 W 중 하나 또는 그 이상의 금속을 포함하는 기판일 수 있다.The support substrate may be any one of a Si substrate, a Ge substrate, a SiAl substrate, a SiC substrate, a ZnO substrate, a GaAs substrate, and a GaN substrate, or the support substrate may include one or more metals of Au, Ni, Cu, and W. It may be a substrate.
분리보조층은 Fe, Co, Ni, Mo, Zr, Cr 및 Ru 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다.The separation auxiliary layer may include one or more of Fe, Co, Ni, Mo, Zr, Cr, and Ru.
성장기판 제거단계는 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 공정을 이용하여 수행될 수 있다. The growth substrate removing step may be performed using a laser lift off process.
성장기판 제거단계 후에, 분리보조층을 제거하는 분리보조층 제거단계;를 더 포함할 수 있다. 분리보조층 제거단계는 분리보조층 형성단계 전에, 지지기판상에 접합층을 형성하고, 접합층을 제거하여 분리보조층을 제거하는 단계일 수 있다.
After the growth substrate removing step, the separation step of removing the separation auxiliary layer; may further include. The separating auxiliary layer removing step may be a step of forming the bonding layer on the supporting substrate before the separating auxiliary layer forming step and removing the separating auxiliary layer by removing the bonding layer.
본 발명에 따른 반도체 발광소자 제조방법에 따르면, 반도체 적층체를 성장시키기 위하여 사용되는 기판을 반도체 적층체로부터 제거하는 과정에서 열팽창계수 불일치로 인한 응력 발생으로 발생할 수 있는 파손이나 균열 등을 방지할 수 있어서 이로 인한 발광소자의 광특성 손실을 감소시킬 수 있고, 제품 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
According to the method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present invention, in the process of removing the substrate used to grow the semiconductor laminate from the semiconductor laminate, it is possible to prevent breakage or cracking that may occur due to stress generation due to mismatch of thermal expansion coefficient. In this way, it is possible to reduce the optical characteristics of the light emitting device, thereby improving the product reliability.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 설명에 제공되는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따라 지지기판 및 분리보조층 사이에 접합층이 형성된 것을 도시한 도면이다. 1A to 1E are views provided to explain a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention.
2 is a view illustrating a bonding layer formed between a support substrate and a separation auxiliary layer according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. Embodiments of the present invention are provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. In the accompanying drawings, there may be a component having a specific pattern or having a predetermined thickness, but this is for convenience of description or distinction. It is not limited only.
도 1a 내지 도 1e는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자 제조방법의 설명에 제공되는 도면이다. 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 발광소자 제조방법에 따르면, 성장기판(110) 상에 n형 질화물 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 질화물 반도체층(140)을 순차 적층하여 발광적층체를 형성한다(도 1a참조). n형 질화물 반도체층(120) 및 p형 질화물 반도체층(140)은 질화물 반도체에 도핑되는 불순물에 따라 p형 반도체층 및 n형 반도체층으로 각각 구현될 수 있다. 1A to 1E are views provided to explain a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention. According to a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to an embodiment of the present invention, the n-type
반도체층이 GaN계 반도체인 경우, n형 질화물 반도체층(120)의 불순물로는 예를 들어, Si, Ge, 및 Sn 중 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다. 한편, p형 질화물 반도체층(140)의 불순물로는, Mg, Zn, 및 Be 중 어느 하나를 선택하여 사용할 수 있다. 반도체층의 형성은 공지의 성막방법, 예를 들면, 분자선 에피택시(Molecular beam epitaxy, MBE)방법을 이용하여 수행될 수 있다. When the semiconductor layer is a GaN-based semiconductor, for example, any one of Si, Ge, and Sn may be selected and used as an impurity of the n-type
활성층(130)은 발광을 활성화시키는 층으로서, n형 질화물 반도체층(120) 및 p형 질화물 반도체층(140)의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질을 이용하여 성막한다. 예를 들어 n형 질화물 반도체층(120) 및 p형 질화물 반도체층(140)이 GaN계 화합물 반도체인 경우, GaN계 화합물 반도체의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 InGaN계 화합물 반도체를 이용하여 활성층(130)을 형성할 수 있다. 이때, 활성층(130)의 특성상, 불순물은 도핑되지 않는 것이 바람직하며, 장벽의 높이나 우물층의 두께, 조성, 우물의 개수를 조정하여 파장이나 양자효율을 조절할 수 있다. The
질화물 반도체를 성장시키기 위하여 성장기판(110)은 질화물 반도체와 가능한한 결정격자상수가 유사한 물질로 구성되는 것이 바람직하다. 결정격자상수의 차이가 많으면, 성장된 질화물 반도체에 결정결함이 발생하고, 이는 생성된 소자의 품질을 저하시킬 수 있기 때문이다. 성장기판(110)으로는, 육방정계 구조이고, 결정격자상수가 질화물 반도체와 비교적 유사하며 비용이 저렴하면서도 고온에서도 안정한 사파이어 기판(Al2O3) 기판과 같은 부도전성 기판을 사용할 수 있다. In order to grow the nitride semiconductor, the
도 1b에서는 p형 질화물 반도체층(140) 상에 지지기판(150)을 형성한다. 지지기판(150)을 형성하는 이유는 성장기판(110)이 반도체 발광소자의 취급이나 사용 및 최종산물의 크기 등에 적합하지 않은 경우 이를 제거하기 위한 것이다. 예를 들어, 수직구조의 반도체 발광소자를 제조하는 경우에 반도체층의 성장 측면에 중점을 두어 사파이어 기판과 같이 부도전성 기판을 사용한다면 n형 질화물 반도체층(120)상에 n 전극을 형성할 수 없기 때문에 p형 질화물 반도체층(140) 상에 도전성 지지기판(150)을 형성하고 성장기판(110)은 제거한 후에 n 전극을 형성한다. 또는, 발광적층체(120, 130, 140)의 두께만으로는 이후 공정을 수행하기 충분하지 못한 경우 이를 지지하기 위하여 지지기판(150)을 형성할 수 있다.In FIG. 1B, the
지지기판(150)은 발광적층체(120, 130, 140)의 성장이 종료된 후에 형성하는 기판으로, 발광적층체(120, 130, 140)의 성장에 유리한 특성을 갖기보다는 발광적층체(120, 130, 140)와의 상용성이나 수직구조 발광소자인 경우 상면에 형성될 전극과의 상용성 등에 중점을 두어 선택할 수 있다. 지지기판(150)으로는 Si 기판, Ge 기판, SiAl 기판, SiC 기판, ZnO 기판, GaAs 기판 및 GaN 기판과 같은 반도체 기판을 사용할 수 있다. 또는, 지지기판(150)으로는 Au, Ni, Cu 및 W 중 하나 또는 그 이상의 금속을 포함하는 금속기판을 사용할 수 있다. The
지지기판(150)은 발광적층체(120, 130, 140)를 지지할 수 있는 두께로 형성될 수 있다. 지지기판(150)은 p형 질화물 반도체층(140) 상에 접합공정 또는 금속의 경우에는 특히 도금공정을 통해 형성될 수 있다. 도금공정의 경우, 원하는 두께로 지지기판(150)을 형성할 수 있다는 장점이 있으나 공정이 복잡하고 고비용이 소요되는 단점이 있다. 이에 비해 접합공정은 기 형성된 지지기판(150)을 접합하므로 지지기판(150)의 두께를 조절할 없으나 비교적 공정이 간단하고 저비용으로 수행될 수 있는 장점이 있다. The
도 1c에서는, 지지기판(150) 상에 분리보조층(160)을 형성한다. 분리보조층(160)은 성장기판(110)의 분리를 보조하기 위한 층이다. 지지기판(150)이 형성된 후, 성장기판(110)을 제거하기 전에 분리보조층(160)을 형성한다. 즉, 분리보조층(160)은 성장기판(110)을 제거하기 전에 지지기판(150) 상에 형성하여 반도체 발광소자 전체의 열팽창계수(Coefficient of Thermal Expansion, CTE) 균형을 맞추게 된다. 열팽창계수는 일반적으로 단위로서 ppm/℃를 사용하는데 20℃를 기준으로 1℃ 증가함에 따라 1m 당 몇 ppm(part per million meter)이 팽창하는지 측정하여 결정한다. In FIG. 1C, the separation
예를 들어, 성장기판(110)이 사파이어 기판인 경우, 사파이어의 열팽창계수는 약 7.5 ppm/℃이다. 또한, GaN 반도체의 열팽창계수는 약 5.2 ppm/℃이다. 따라서, 성장기판(110)을 발광적층체(120, 130, 140)로부터 분리시킬 때(도 1참조), LLO 공정이나 가열공정 등 열이 발생하는 공정에 의하면 열팽창계수의 차이에 따라 소자가 휘게 된다. For example, when the
이러한 문제를 해결하기 위하여 지지기판(150) 상에 열팽창계수의 차이를 해소시킬 수 있는 분리보조층(160)을 형성한다. 분리보조층(160)의 열팽창계수는 발광적층체(120, 130, 140)의 열팽창계수 및 성장기판(110)의 열팽창계수 사이의 값인 것이 바람직하다. 전술한 바와 같이 GaN 발광적층체(120, 130, 140)의 열팽창계수는 5.2 ppm/℃이고, 사파이어 성장기판(110)의 열팽창계수는 7.5 ppm/℃이므로 분리보조층(160)의 열팽창계수는 이 경우에 5.2 내지 7.5 ppm/℃일 것이다. In order to solve this problem, the
발광적층체(120, 130, 140) 및 성장기판(110) 전체의 열팽창계수는 5.2 내지 7.5 ppm/℃사이의 값을 갖으며, 따라서, 분리보조층(160)으로 사용될 수 있는 것은 이 범위내의 열팽창계수를 갖는 금속, 예를 들면 Fe, Co, Ni, Mo, Zr, Cr 및 Ru 중 하나 또는 그 이상일 수 있다. 분리보조층(160)은 전술한 금속의 합금을 사용할 수 있는데, 예를 들면, 분리보조층(160)은 Fe-Co-Ni 합금일 수 있다. The thermal expansion coefficients of the
그에 따라, 도 1c에서와 같이 지지기판(150)을 중심으로 하측에는 성장기판(110) 및 발광적층체(120, 130, 140)가 양측에 열팽창계수가 균형을 이루게 되어 가열시에도 열팽창계수 차이에 의한 불량을 감소시킬 수 있다. Accordingly, as shown in FIG. 1C, the
분리보조층(160)은 성장기판(110)이 제거된 후에(도 1d), 지지기판(150)으로부터 분리될 수 있다(도 1e). 즉, 분리보조층(160)은 불필요한 경우, 예를 들면 수직구조 반도체 발광소자를 제조하는 경우 분리보조층(160)이 부도전성 기판이면 전극형성이 어려우므로 분리보조층(160)은 제거되는 것이 바람직하다. 이외에, 지지기판(150)과 함께 하나의 지지기판으로서 기능하는 경우에는 성장기판(110)이 제거된 후에도 분리보조층(160)은 유지될 수 있다. After the
도면에서는 도시하고 있지 않으나, 도 1d 또는 도 1e의 반도체 발광소자에는 전극이 더 형성될 수 있다. 도 1d의 경우, p형 질화물 반도체층(140)상의 최외곽면인 분리보조층(160) 상에 p형 전극(미도시)이, n형 질화물 반도체층(120) 상에 n형 전극(미도시)이 형성될 수 있다. 도 1e의 경우, 지지기판(150) 상에 p형 전극(미도시)이, n형 질화물 반도체층(120) 상에 n형 전극(미도시)이 형성될 수 있다. Although not shown in the drawings, an electrode may be further formed in the semiconductor light emitting device of FIG. 1D or 1E. In the case of FIG. 1D, a p-type electrode (not shown) is formed on the
n형 전극 및 p형 전극은 금속으로 구성될 수 있다. 예를 들면, n형 전극으로는 Ti를, p형 전극으로는 Pd 또는 Au를 사용할 수 있다.The n-type electrode and the p-type electrode may be composed of metal. For example, Ti may be used as the n-type electrode, and Pd or Au may be used as the p-type electrode.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따라 지지기판 및 분리보조층 사이에 접합층이 형성된 것을 도시한 도면이다. 도 2에서는 성장기판(210) 상에 발광적층체(220, 230, 240)가 순차 적층되고, p형 질화물 반도체층(240) 상에 지지기판(250)이 형성된다. 2 is a view illustrating a bonding layer formed between a support substrate and a separation auxiliary layer according to an embodiment of the present invention. In FIG. 2, the
지지기판(250) 상에는 분리보조층(260)이 형성되기 전에 접합층(270)이 형성될 수 있다. 접합층(270)이 형성되면, 분리보조층(260)은 지지기판(250)측에 접합된다. 예를 들어, 접합층(270)이 접착성을 나타내는 경우, 지지기판(250) 및 분리보조층(260)의 사이에 접합층(270)을 삽입하고, 가열 및 가압하여 접착시킬 수 있다. 분리보조층(260) 접합 후, 성장기판(210)을 제거하면 접합층(270)을 제거하여 분리보조층(260)을 지지기판(250)으로부터 제거할 수 있다. The
접합층(270)은 지지기판(250) 및 분리보조층(260) 사이에 개재되어 이들을 접착시킬 수 있는 물질은 어떤 것이든 사용될 수 있다. 예를 들어, 접합층(270)이 접착물질을 포함하는 경우 공융(eutectic)합금금속을 사용할 수 있다. 공융합금금속을 사용하는 경우, 가열 및 가압으로 공융합금금속을 비교적 저온에서 융해시켜 접착성능을 발현시킨다. 공융합금금속으로는 예를 들면, AuSn을 사용할 수 있다.
The
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 해석되어야 한다. 또한, 본 발명에 대하여 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
The invention is not to be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but should be construed by the appended claims. In addition, it will be apparent to those skilled in the art that various forms of substitution, modification, and alteration are possible within the scope of the present invention without departing from the technical spirit of the present invention.
110, 210 성장기판
120, 220 n형 질화물 반도체층
130, 230 활성층
140, 240 p형 질화물 반도체층
150, 250 지지기판
160, 260 분리보조층
270 접합층110, 210 Growth Board
120, 220 n-type nitride semiconductor layer
130, 230 active layers
140, 240 p-type nitride semiconductor layer
150, 250 support substrate
160, 260 Separation Auxiliary Layer
270 bonding layer
Claims (9)
상기 p형 질화물 반도체층 상에 지지기판을 형성하는 지지기판 형성단계;
상기 지지기판 상에, 상기 발광적층체의 열팽창계수 및 상기 성장기판의 열팽창계수 사이의 열팽창계수를 갖는 분리보조층을 위치시키는 분리보조층 형성단계;
상기 성장기판을 분리하여 제거하는 성장기판 제거단계; 및
상기 분리보조층을 제거하는 분리보조층 제거단계;를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.Forming a light emitting stack by stacking an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, and a p-type nitride semiconductor layer on the growth substrate;
A support substrate forming step of forming a support substrate on the p-type nitride semiconductor layer;
A separation auxiliary layer forming step of placing a separation auxiliary layer having a thermal expansion coefficient between the thermal expansion coefficient of the light emitting laminate and the thermal expansion coefficient of the growth substrate on the support substrate;
A growth substrate removing step of separating and removing the growth substrate; And
And a separation auxiliary layer removing step of removing the separation auxiliary layer.
상기 성장기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
The growth substrate is a semiconductor light emitting device manufacturing method characterized in that the sapphire substrate.
상기 지지기판은 Ge 기판, SiAl 기판, SiC 기판, ZnO 기판, GaAs 기판 및 GaN 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
The support substrate is a semiconductor light emitting device manufacturing method, characterized in that any one of the Ge substrate, SiAl substrate, SiC substrate, ZnO substrate, GaAs substrate and GaN substrate.
상기 분리보조층은 Fe, Co, Zr 및 Ru 중 하나 또는 그 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
The separation auxiliary layer is a semiconductor light emitting device manufacturing method characterized in that it comprises one or more of Fe, Co, Zr and Ru.
상기 성장기판 제거단계는 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 공정을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.The method according to claim 1,
The growth substrate removing step is a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized in that performed using a laser lift off (Laser Lift Off) process.
상기 분리보조층 형성단계 전에, 상기 지지기판상에 접합층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법. The method according to claim 1,
And forming a bonding layer on the support substrate before the separating auxiliary layer forming step.
상기 분리보조층 제거단계는, 상기 접합층을 제거하여 상기 분리보조층을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법.The method according to claim 8,
The separating auxiliary layer removing step, the method of manufacturing a semiconductor light emitting device, characterized in that for removing the separation auxiliary layer by removing the bonding layer.
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| KR100814920B1 (en) | 2006-10-26 | 2008-03-19 | 삼성전기주식회사 | Vertically structured gan type semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| KR20100008123A (en) * | 2008-07-15 | 2010-01-25 | 고려대학교 산학협력단 | Vertical light emitting devices with the support composed of double heat-sinking layer |
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2010
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