KR101035359B1 - Organic light emitting device and a method for preparing the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An organic light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to prevent IR drop and maximize the light extraction efficiency of each color. CONSTITUTION: A first electrode(130) is formed on a substrate(110). An organic layer(150) which is patterned according to R, G, and B pixels is formed on the first electrode. A second electrode(170) is formed on the organic layer. A first sub electrode(190R) is formed on a region corresponding to an R pixel on a second electrode. A second sub electrode(190G) is formed on a region corresponding to a G pixel on the second electrode. A third sub electrode(190B) is formed on a region corresponding to a B pixel on the second electrode.

Description

유기 발광 소자 및 이의 제조방법{Organic light emitting device and a method for preparing the same}Organic light emitting device and method for manufacturing same

유기 발광 소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.An organic light emitting device and a method of manufacturing the same.

유기 발광 소자(organic light emitting diode: OLED)는 자발광형 소자로 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라, 응답시간이 빠르며, 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.Organic light emitting diodes (OLEDs) are self-luminous devices that have a wide viewing angle, excellent contrast, fast response time, excellent luminance, driving voltage and response speed, and multi-coloring. have.

일반적인 유기 발광 소자는 기판 상부에 제 1 전극이 형성되어 있고, 이 제 1 전극 상부에 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 제 2 전극이 순차적으로 형성되어 있는 구조를 가질 수 있다. 여기에서 정공수송층, 발광층 및 전자수송층은 유기화합물로 이루어진 유기막층이다. A general organic light emitting diode may have a structure in which a first electrode is formed on a substrate, and a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a second electrode are sequentially formed on the first electrode. Here, the hole transport layer, the light emitting layer and the electron transport layer is an organic film layer made of an organic compound.

상기 유기 발광 소자의 장점 중 하나인 휘도는 OLED에 흐르는 전류에 비례한다. 그리고, 화소 내의 전류원을 활용하는 것이 보통이며, 전류원은 전원전압이 필요하다. One of the advantages of the organic light emitting device is luminance is proportional to the current flowing in the OLED. It is common to utilize a current source in the pixel, and the current source requires a power supply voltage.

그러나, 화소에 공급되는 전원전압은 배선을 통해 공급되는 바, 면적이 커질수록 IR Drop에 의한 전압강하가 화면의 위치마다 다르므로 휘도의 불균일성이 발생할 수 있어, 이의 개선이 필요하다.However, since the power supply voltage supplied to the pixel is supplied through the wiring, as the area is increased, the voltage drop due to the IR Drop varies for each position of the screen, and thus, luminance unevenness may occur, and thus an improvement thereof is required.

IR Drop을 방지하고, R(red), G(green), B(blue)의 각 색별 광추출 효율을 최대화할 수 있는 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.The present invention provides an organic light emitting device capable of preventing IR Drop and maximizing light extraction efficiency for each color of R (red), G (green), and B (blue).

본 발명의 일 구현예는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성되며 R 화소, G 화소 및 B 화소별로 패터닝된 유기층; 상기 유기층 상에 형성된 제 2 전극; 및 상기 제 2 전극 상에 형성되고, 상기 제 2 전극 상의 R 화소에 대응하는 영역에 형성된 제 1 보조전극, 상기 제 2 전극 상의 G 화소에 대응하는 영역에 형성된 제 2 보조전극, 및 상기 제 2 전극 상의 B 화소에 대응하는 영역에 형성된 제 3 보조전극을 포함한 보조전극; 상기 제 1 보조전극의 두께, 상기 제 2 보조전극의 두께, 및 상기 제 3 보조전극의 두께는 서로 상이한 유기 발광 소자를 제공하는 것이다.One embodiment of the invention, the substrate; A first electrode formed on the substrate; An organic layer formed on the first electrode and patterned for each of R, G, and B pixels; A second electrode formed on the organic layer; And a first auxiliary electrode formed on the second electrode and formed in a region corresponding to the R pixel on the second electrode, a second auxiliary electrode formed in a region corresponding to the G pixel on the second electrode, and the second An auxiliary electrode including a third auxiliary electrode formed in an area corresponding to the B pixel on the electrode; The thickness of the first auxiliary electrode, the thickness of the second auxiliary electrode, and the thickness of the third auxiliary electrode provide an organic light emitting device different from each other.

상기 제 1 보조전극의 두께는 60nm 내지 120nm일 수 있다.The thickness of the first auxiliary electrode may be 60 nm to 120 nm.

상기 제 2 보조전극의 두께는 50nm 내지 100nm일 수 있다.The thickness of the second auxiliary electrode may be 50 nm to 100 nm.

상기 제 3 보조전극의 두께는 40nm 내지 90nm일 수 있다.The thickness of the third auxiliary electrode may be 40 nm to 90 nm.

상기 제 1 보조전극, 제 2 보조전극 및 제 3 보조전극 상호 간의 두께는 제 1 보조전극의 두께 > 제 2 보조전극의 두께 > 제 3 보조전극의 두께의 관계를 가질 수 있다.The thickness between the first auxiliary electrode, the second auxiliary electrode, and the third auxiliary electrode may have a relationship of the thickness of the first auxiliary electrode> the thickness of the second auxiliary electrode> the thickness of the third auxiliary electrode.

상기 제 1 보조전극, 상기 제 2 보조전극, 및 상기 제 3 보조전극는 서로 독립적으로, 도전성 고분자를 포함할 수 있다.The first auxiliary electrode, the second auxiliary electrode, and the third auxiliary electrode may each independently include a conductive polymer.

상기 도전성 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT), 폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌설포네이트(PEDOT/PSS)혼합물, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 및 이들 중 2 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.The conductive polymer may be selected from the group consisting of polyethylenedioxythiophene (PEDOT), polyethylenedioxythiophene / polystyrenesulfonate (PEDOT / PSS) mixture, polyaniline, polythiophene, polypyrrole and combinations of two or more thereof.

상기 제 1 보조전극, 상기 제 2 보조전극, 및 상기 제 3 보조전극은 서로 독립적으로, 도전성 나노입자를 포함할 수 있다.The first auxiliary electrode, the second auxiliary electrode, and the third auxiliary electrode may independently include conductive nanoparticles.

상기 제 1 보조전극, 상기 제 2 보조전극 및 상기 제 3 보조전극은 서로 독립적으로, 도전성 고분자 또는 바인더를 더 포함할 수 있다.The first auxiliary electrode, the second auxiliary electrode, and the third auxiliary electrode may each independently include a conductive polymer or a binder.

또한, 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;Also, forming a first electrode on the substrate;

상기 제 1 전극 상에 형성되며 R 화소, G 화소 및 B 화소별로 패터닝된 유기층을 형성하는 단계;Forming an organic layer formed on the first electrode and patterned for each of the R, G, and B pixels;

상기 유기층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및 Forming a second electrode on the organic layer; And

상기 제 2 전극 상에 보조전극을 형성하는 단계;를 포함하고, Forming an auxiliary electrode on the second electrode;

상기 보조전극 형성 단계는, 제 1 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극 상의 R 화소에 대응하는 영역에 제공하는 제 1 공정, 제 2 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극 상의 G 화소에 대응하는 영역에 제공하는 제 2 공정, 및 제 3 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극 상의 B 화소에 대응하는 영역에 제공하는 제 3 공정을 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법이 제공된다.In the forming of the auxiliary electrode, the first process of providing the composition for forming the first auxiliary electrode to the region corresponding to the R pixel on the second electrode and the region corresponding to the G pixel on the second electrode is provided. There is provided a method of manufacturing an organic light-emitting device comprising a second step of providing a step and a third step of providing a composition for forming a third auxiliary electrode to a region corresponding to the B pixel on the second electrode.

상기 유기 발광 소자는 IR Drop의 방지, 캡핑층으로서 기능 및 R, G, B의 각 색별 광추출 효율을 최대화할 수 있다.The organic light emitting device may function as a capping layer to prevent IR drop and maximize light extraction efficiency for each color of R, G, and B.

도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 소자의 구조를 도시한 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating a structure of an organic light emitting diode according to an embodiment.

도 1은 본 발명의 일 구현예를 따르는 유기 발광 소자(100)를 개략적으로 도시한 도면이다. 1 is a view schematically showing an organic light emitting device 100 according to an embodiment of the present invention.

유기 발광 소자(100)는 기판(110), 제 1 전극(130), 제 1 전극(130) 상의 유기층(150), 상기 유기층(150) 상의 제 2 전극(170), 및 보조전극(190)이 차례로 적층된 구조를 갖는다. 상기 제1전극(130)의 양단에는 화소 정의막(140)이 형성되어 화소를 정의하고, 상기 유기층(150)은 R 화소(R)에 대응하는 영역에 형성된 제 1 유기층(150R), G 화소(G)에 대응하는 영역에 형성된 제 2 유기층(150G), 및 B 화소(B)에 대응하는 영역에 형성된 제 3 유기층(150B)을 포함하며, 보조전극(190)은 R 화소(R)에 대응하는 영역에 형성된 제 1 보조전극(190R), G 화소(G)에 대응하는 영역에 형성된 제 2 보조전극(190G), 및 B 화소(B)에 대응하는 영역에 형성된 제 3 보조전극(190B)를 포함한다.The organic light emitting device 100 includes a substrate 110, a first electrode 130, an organic layer 150 on the first electrode 130, a second electrode 170 on the organic layer 150, and an auxiliary electrode 190. This structure has a laminated structure. A pixel defining layer 140 is formed at both ends of the first electrode 130 to define a pixel, and the organic layer 150 includes the first organic layer 150R and the G pixel formed in a region corresponding to the R pixel R. A second organic layer 150G formed in a region corresponding to (G), and a third organic layer 150B formed in a region corresponding to the B pixel (B), and the auxiliary electrode 190 is connected to the R pixel (R). The first auxiliary electrode 190R formed in the corresponding region, the second auxiliary electrode 190G formed in the region corresponding to the G pixel G, and the third auxiliary electrode 190B formed in the region corresponding to the B pixel B. ).

상기 기판(110)으로는, 통상적인 유기 발광 소자에서 사용되는 기판을 사용할 수 있는데, 기계적 강도, 열적 안정성, 투명성, 표면 평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.As the substrate 110, a substrate used in a conventional organic light emitting device may be used, but a glass substrate or a transparent plastic substrate having excellent mechanical strength, thermal stability, transparency, surface smoothness, ease of handling, and water resistance may be used. It is not limited to this.

상기 기판(110) 상에는 제 1 전극(130)이 형성되어 있다. 상기 제 1 전극(130)은 기판(110) 상에 제 1 전극용 물질을 증착법 또는 스퍼터링법 등을 이용하여 제공함으로써 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극(130)은 애노드일 수 있으며, 상기 제 1 전극(130)이 애노드일 경우, 정공 주입이 용이하도록 제1전극용 물질은 높은 일함수를 갖는 물질 중에서 선택될 수 있다. 상기 제 1 전극(130)은 투과형 전극 또는 반투과형 전극일 수 있다. 제 1 전극용 물질로는 투명하고 전도성이 우수한 산화인듐주석(ITO), 산화인듐아연(IZO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등을 이용할 수 있다. 또는, 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 이용한 반투과형 전극으로 형성할 수도 있다.The first electrode 130 is formed on the substrate 110. The first electrode 130 may be formed by providing a material for the first electrode on the substrate 110 by using a deposition method or a sputtering method. The first electrode 130 may be an anode. When the first electrode 130 is an anode, the material for the first electrode may be selected from materials having a high work function to facilitate hole injection. The first electrode 130 may be a transmissive electrode or a semi-transmissive electrode. Indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO) and the like may be used as the first electrode material. Alternatively, a semi-transmissive electrode using magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium-silver (Mg-Ag), etc. It may be formed.

상기 제 1 전극(130)을 포함한 기판 결과물 상에 R, G, B 화소를 분리시키기 위한 화소 정의막(140)을 형성한다.A pixel defining layer 140 is formed on the substrate resultant including the first electrode 130 to separate the R, G, and B pixels.

상기 화소 정의막(140)은 아크릴계 수지, PI(polyimide)로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 증착할 수 있으며, 제 1 전극(130) 상에 개구부를 갖도록 패터닝된다.The pixel defining layer 140 may be deposited using one material selected from the group consisting of acrylic resin and polyimide (PI), and may be patterned to have an opening on the first electrode 130.

다음으로, 상기 화소정의막(140)의 개구부 내에 제 1 유기층(150R), 제 2 유기층(150G), 및 제 3 유기층(150B)를 포함하는 유기층(150)이 형성되어 있다. 이로써, 유기 발광 소자(100)은 R, G, B 각 컬러를 방출할 수 있다. Next, an organic layer 150 including the first organic layer 150R, the second organic layer 150G, and the third organic layer 150B is formed in the opening of the pixel definition layer 140. As a result, the organic light emitting diode 100 may emit R, G, and B colors.

상기 제 1 전극(130) 상부의 제 1 유기층(150R), 제 2 유기층(150G), 및 제 3 유기층(150B)은 각각, 정공 주입층(미도시), 정공 수송층(미도시), 발광층(미도시), 전자 수송층(미도시), 전자 주입층(미도시)을 포함할 수 있다.The first organic layer 150R, the second organic layer 150G, and the third organic layer 150B on the first electrode 130 are respectively a hole injection layer (not shown), a hole transport layer (not shown), and a light emitting layer ( It may include an electron transport layer (not shown), an electron injection layer (not shown).

정공 주입층은 상기 제1전극(130) 상에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett)등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다. The hole injection layer may be formed on the first electrode 130 using various methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, and LB (Langmuir-Blodgett).

진공 증착법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 정공 주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적으로 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성 등에 따라 다르지만, 예를 들면, 증착온도 100 내지 500℃, 진공도 10-8 내지 10-3torr, 증착 속도 0.01 내지 100Å/sec의 범위에서 선택할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the hole injection layer is formed by a vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used as the material of the hole injection layer, the structure and thermal properties of the hole injection layer, and the like. ℃, may be selected from the range of vacuum degree of 10 -8 to 10 -3 torr, deposition rate of 0.01 to 100 Pa / sec, but is not limited thereto.

스핀 코팅법에 의하여 정공 주입층을 형성하는 경우, 그 코팅 조건은 정공 주입층의 재료로서 사용하는 화합물, 목적하는 하는 정공 주입층의 구조 및 열적 특성에 따라 상이하지만, 예를 들면, 약 2000rpm 내지 5000rpm의 코팅 속도, 코팅 후 용매 제거를 위한 열처리 온도는 약 80℃ 내지 200℃의 온도 범위에서 선택할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.When the hole injection layer is formed by the spin coating method, the coating conditions are different depending on the compound used as the material of the hole injection layer, the structure and the thermal properties of the desired hole injection layer, but are, for example, about 2000 rpm to Coating speed of 5000rpm, the heat treatment temperature for removing the solvent after coating may be selected from a temperature range of about 80 ℃ to 200 ℃, but is not limited thereto.

정공 주입층 물질로는 공지된 정공 주입 재료를 사용할 수 있는데, 예를 들면, 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, m-MTDATA [4,4',4''-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB(N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린/도데실벤젠술폰산), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리아닐린)/폴리(4-스티렌술포네이트))등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.As the hole injection material, a well-known hole injection material may be used. For example, a phthalocyanine compound such as copper phthalocyanine, m-MTDATA [4,4 ', 4' '-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine], NPB (N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine) (N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine)), Pani / DBSA (Polyaniline / Dodecylbenzenesulfonic acid: Polyaniline / dodecylbenzenesulfonic acid), PEDOT / PSS (Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / Poly (4-styrenesulfonate): Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (4-styrenesulfonate )), Pani / CSA (Polyaniline / Camphor sulfonicacid) or PANI / PSS (Polyaniline) / Poly (4-styrenesulfonate): polyaniline) / poly (4-styrenesulfonate)) It is not limited to this.

상기 정공 주입층의 두께는 약 100Å 내지 10000Å, 예를 들면, 100Å 내지 1000Å일 수 있다. 상기 정공 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압의 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 주입 특성을 얻을 수 있다.The hole injection layer may have a thickness of about 100 kPa to 10000 kPa, for example, 100 kPa to 1000 kPa. When the thickness of the hole injection layer satisfies the above range, a satisfactory hole injection characteristic may be obtained without a substantial increase in driving voltage.

다음으로 상기 정공 주입층 상부에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 정공 수송층(HTL)을 형성할 수 있다.Next, a hole transport layer (HTL) may be formed on the hole injection layer by using various methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, and LB.

진공 증착법 및 스핀 코팅법에 의하여 정공 수송층을 형성하는 경우, 그 증착 조건 및 코팅조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다.In the case of forming the hole transport layer by vacuum deposition and spin coating, the deposition conditions and coating conditions vary depending on the compound used, and in general, the hole transport layer may be selected from a range of conditions substantially the same as the formation of the hole injection layer.

정공 수송층 물질은 공지된 정공 수송 재료를 이용하여 형성할 수 있는데, 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민(TPD), N,N'-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐 벤지딘(α-NPD) 등의 방향족 축합환을 갖는 아민 유도체, TCTA(4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)) 등과 같은 트리페닐아민계 물질과 같은 공지된 정공수송 물질을 사용할 수 있다. 이 중, 예를 들면, TCTA의 경우, 정공 수송 역할 외에도, 발광층으로부터 엑시톤이 확산되는 것을 방지하는 역할도 수행할 수 있다.The hole transport layer material can be formed using a known hole transport material, for example, carbazole derivatives such as N-phenylcarbazole, polyvinylcarbazole, N, N'-bis (3-methylphenyl) -N , N'-diphenyl- [1,1-biphenyl] -4,4'-diamine (TPD), N, N'-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl benzidine (α Amine derivatives having an aromatic condensed ring such as -NPD), TCTA (4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) triphenylamine (4,4', 4" -tris (N-carbazolyl) triphenylamine) Known hole transport materials such as triphenylamine-based materials such as Among these, for example, in the case of TCTA, in addition to the hole transport role, it may also play a role of preventing the exciton from diffusing from the light emitting layer.

상기 정공 수송층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 예를 들면, 100Å 내지 800Å일 수 있다. 상기 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다. The hole transport layer may have a thickness of about 50 kPa to 1000 kPa, for example, 100 kPa to 800 kPa. When the thickness of the hole transport layer satisfies the above-described range, a satisfactory hole transport characteristic may be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상기 정공 수송층 상부에 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 발광층(EML)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 발광층을 형성하는 경우, 그 증착 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.The emission layer EML may be formed on the hole transport layer by using a method such as vacuum deposition, spin coating, casting, and LB. When the light emitting layer is formed by vacuum deposition or spin coating, the deposition conditions vary depending on the compound used, but are generally selected from the ranges of conditions almost the same as that of forming the hole injection layer.

상기 발광층은 하나의 화합물을 포함하거나, 호스트와 도펀트의 조합을 포함할 수 있다. 호스트의 예로는 Alq3, CBP(4,4'-N,N'-디카바졸-비페닐), PVK(폴리(n-비닐카바졸)), 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센(ADN), TPBI(1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)), TBADN(3-tert-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), DSA(디스티릴아릴렌), AND, 비스(2-(2-히드록시페닐)벤조티아졸레이트)징크(Bis(2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolate)zinc : Zn(BTZ)2)을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The emission layer may include one compound or a combination of a host and a dopant. Examples of hosts include Alq 3 , CBP (4,4'-N, N'-dicarbazole-biphenyl), PVK (poly (n-vinylcarbazole)), 9,10-di (naphthalen-2-yl) Anthracene (ADN), TPBI (1,3,5-tris (N-phenylbenzimidazol-2-yl) benzene), TBADN ( 3-tert-butyl-9,10-di (naphth-2-yl) anthracene), DSA (distyrylarylene), AND, bis (2- (2-hydroxyphenyl) benzothiazolate) zinc ( Bis (2- (2-hydroxyphenyl) benzothiazolate) zinc: Zn (BTZ) 2 ) may be used, but is not limited thereto.

한편, 적색 도펀트로서 PtOEP, Ir(piq)3, Btp2Ir(acac) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. Meanwhile, PtOEP, Ir (piq) 3 , Btp 2 Ir (acac), or the like may be used as the red dopant, but is not limited thereto.

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또한, 녹색 도펀트로서, Ir(ppy)3 (ppy = 페닐피리딘), Ir(ppy)2(acac), Ir(mpyp)3 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, as the green dopant, Ir (ppy) 3 (ppy = phenylpyridine), Ir (ppy) 2 (acac), Ir (mpyp) 3, or the like may be used, but is not limited thereto.

Figure 112010004511950-pat00002
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한편, 청색 도펀트로서, F2Irpic, (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, ter-플루오렌(fluorene), 4,4'-비스(4-디페닐아미노스타릴) 비페닐 (DPAVBi), 2,5,8,11-테트라-티-부틸 페릴렌 (TBPe) 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.On the other hand, as a blue dopant, F 2 Irpic, (F 2 ppy) 2 Ir (tmd), Ir (dfppz) 3 , ter-fluorene, 4,4′-bis (4-diphenylaminostaryl) Biphenyl (DPAVBi), 2,5,8,11-tetra- ti -butyl perylene (TBPe) and the like can be used, but are not limited thereto.

Figure 112010004511950-pat00003
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Figure 112010004511950-pat00004
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DPAVBi
DPAVBi

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TBPe       TBPe

도펀트와 호스트를 함께 사용하는 경우, 도펀트의 도핑 농도는 특별히 제한 되지 않으나 통상적으로 호스트 100 중량부를 기준으로 하여 상기 도펀트의 함량은 0.01 ~ 15 중량부일 수 있다.When the dopant and the host are used together, the dopant concentration of the dopant is not particularly limited, but the content of the dopant may be 0.01 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the host.

상기 발광층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 예를 들면, 200Å 내지 600Å일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.The light emitting layer may have a thickness of about 100 kPa to 1000 kPa, for example, 200 kPa to 600 kPa. When the thickness of the light emitting layer satisfies the aforementioned range, the light emitting layer may exhibit excellent light emission characteristics without a substantial increase in driving voltage.

발광층에 인광 도펀트와 함께 사용할 경우에는 삼중항 여기자 또는 정공이 전자 수송층으로 확산되는 현상을 방지하기 위하여, 상기 발광층 상에 진공증착법, 스핀코팅법, 캐스트법, LB법 등과 같은 방법을 이용하여 정공 저지층(HBL)을 형성할 수 있다. 진공증착법 및 스핀코팅법에 의해 정공 저지층을 형성하는 경우, 그 조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공 주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택될 수 있다. 공지의 정공 저지 재료도 사용할 수 있는데, 이의 예로는, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등을 들 수 있다.When used with a phosphorescent dopant in the light emitting layer, in order to prevent the triplet excitons or holes from diffusing into the electron transporting layer, holes are blocked on the light emitting layer using a method such as vacuum deposition, spin coating, casting, or LB. The layer HBL may be formed. In the case of forming the hole blocking layer by vacuum deposition and spin coating, the conditions vary depending on the compound used, and in general, the hole blocking layer may be selected from a range of conditions substantially the same as that of forming the hole injection layer. Known hole blocking materials can also be used, and examples thereof include oxadiazole derivatives, triazole derivatives, and phenanthroline derivatives.

상기 정공 저지층의 두께는 약 50Å 내지 1000Å, 예를 들면 100Å 내지 300Å일 수 있다. 상기 정공저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다. The hole blocking layer may have a thickness of about 50 kPa to 1000 kPa, for example, 100 kPa to 300 kPa. When the thickness of the hole blocking layer satisfies the aforementioned range, excellent hole blocking characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage.

상기 발광층 상에(정공 저지층을 형성하였다면 정공 저지층 상에)는 전자 수송층이 구비되어 있다.The electron transporting layer is provided on the light emitting layer (if the hole blocking layer is formed).

전자 수송층의 물질로는 공지된 전자 수송 재료를 사용할 수 있는데, 예를 들면, 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(Alq3), TAZ, Bphen(4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)), BeBq2, BAlq 등과 같은 공지의 재료를 사용할 수도 있다:As the material of the electron transporting layer, a known electron transporting material may be used. For example, tris (8-quinolinorate) aluminum (Alq 3 ), TAZ, Bphen (4,7-diphenyl-1,10-phenan It is also possible to use known materials such as trolline (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), BeBq 2 , BAlq and the like:

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상기 전자 수송층의 두께는 약 100Å 내지 1000Å, 예를 들면, 200Å 내지 500Å일 수 있다. 상기 전자수송층의 두께가 상술한 바를 만족하면 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 수송 능력을 얻을 수 있다. 이 중, 예를 들면, BPhen은 정공 저지 특성도 동시에 갖는 물질이다.The electron transport layer may have a thickness of about 100 kPa to 1000 kPa, for example, 200 kPa to 500 kPa. When the thickness of the electron transport layer satisfies the above-mentioned, it is possible to obtain a satisfactory electron transport capability without increasing the driving voltage. Among these, for example, BPhen is a substance having both hole blocking properties.

상기 전자 수송층 상부에는, 전자 주입층이 형성되는데, 상기 전자 주입층은 발광층 또는 정공저지층 상부에 진공증착법, 또는 스핀코팅법, 캐스트법 등의 다양한 방법을 이용하여 형성되며, 이는 특별히 재료가 제한되지 않는다.An electron injection layer is formed on the electron transport layer, and the electron injection layer is formed on the light emitting layer or the hole blocking layer by various methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, etc., which are particularly limited in materials. It doesn't work.

전자 주입층으로서는 LiF, NaCl, CsF, Li2O, BaO 등과 같은 전자주입층 형성 재료로서 공지된 임의의 물질을 이용할 수 있다. 상기 전자주입층의 증착조건은 사용하는 화합물에 따라 다르지만, 일반적으로 정공주입층의 형성과 거의 동일한 조건범위 중에서 선택된다.As the electron injection layer, any material known as an electron injection layer forming material such as LiF, NaCl, CsF, Li 2 O, BaO, or the like can be used. The deposition conditions of the electron injection layer vary depending on the compound used, but are generally selected from the range of conditions almost the same as the formation of the hole injection layer.

상기 전자주입층의 두께는 약 1Å 내지 100Å, 예를 들면, 5Å 내지 50Å일 수 있다. 상기 전자주입층의 두께가 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 구동 전압의 상승 없이도 만족스러운 정도의 전자 주입 성능을 얻을 수 있다. The electron injection layer may have a thickness of about 1 kPa to 100 kPa, for example, 5 kPa to 50 kPa. When the thickness of the electron injection layer satisfies the range as described above, a satisfactory electron injection performance can be obtained without increasing the driving voltage.

상기 전자주입층 상부에 진공증착법이나 스퍼터링법 등의 방법을 이용하여 제 2 전극(170)을 형성할 수 있다. 상기 제 2 전극(170)은 캐소드(Cathode)로 사용될 수 있다. 상기 제 2 전극 형성용 금속으로는 낮은 일함수를 가지는 금속, 합금, 전기전도성 화합물 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 알루미늄-리튬(Al-Li), 칼슘(Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은(Mg-Ag)등을 들 수 있다. 또한 전면 발광 소자를 얻기 위하여 ITO, IZO를 사용한 투과형 캐소드를 사용할 수도 있다.The second electrode 170 may be formed on the electron injection layer by using a vacuum deposition method or a sputtering method. The second electrode 170 may be used as a cathode. As the metal for forming the second electrode, a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a low work function, and a mixture thereof may be used. Specific examples thereof include lithium (Li), magnesium (Mg), aluminum (Al), aluminum-lithium (Al-Li), calcium (Ca), magnesium-indium (Mg-In), magnesium- . In addition, a transmissive cathode using ITO and IZO may be used to obtain a top emitting device.

상기 제 2 전극(170) 상부에는. 보조전극(190)이 형성되는데 상기 보조전극(190)은 상기 제 2 전극 상의 R 화소에 대응하는 영역에 형성된 제 1 보조전극 (190R), 상기 제 2 전극 상의 G 화소에 대응하는 영역에 형성된 제 2 보조전극(190G), 및 상기 제 2 전극 상의 B 화소에 대응하는 영역에 형성된 제 3 보조전극(190B)을 포함한다.On the second electrode 170. An auxiliary electrode 190 is formed, wherein the auxiliary electrode 190 is formed of a first auxiliary electrode 190R formed in a region corresponding to the R pixel on the second electrode, and a second electrode formed in a region corresponding to the G pixel on the second electrode. A second auxiliary electrode 190G and a third auxiliary electrode 190B formed in a region corresponding to the B pixel on the second electrode.

상기 제 1 보조전극(190R), 제 2 보조전극(190G), 및 제 3 보조전극(190B)을 포함함으로써, R, G, B 화소 별로 패터닝된 상기 보조전극(190)은 제 2 전극(170)에 추가적인 도전성을 부여하는 역할을 하므로, IR Drop 에 의한 휘도 하락을 방지하는 역할을 할 수 있다. 또한, 상기 보조전극(190) 중 제 1 보조전극(190R)은 제 2 전극(170)의 상부에 위치하며, R 화소(R) 영역에 대응되는 영역에 형성되어 있으므로, 적색광이 취출되는 광경로 상에 위치하여 제 1 유기층(150R)에서 생성된 적색광의 외부 취출 효율(외부 발광 효율)을 증가시키는 캡핑층(capping layer)으로서 기능할 수 있다. 동일한 원리로, 제 2 보조전극(190G)은 제 2 유기층(150G)에서 생성된 녹색광의 외부 취출 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있으며, 제 3 보조전극(190B)은 제 3 유기층(150B)에서 생성된 청색광의 외부 취출 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있다.By including the first auxiliary electrode 190R, the second auxiliary electrode 190G, and the third auxiliary electrode 190B, the auxiliary electrode 190 patterned for each of the R, G, and B pixels includes the second electrode 170. ) To impart additional conductivity, which can prevent luminance drop caused by IR Drop. In addition, since the first auxiliary electrode 190R of the auxiliary electrode 190 is positioned above the second electrode 170 and is formed in an area corresponding to the R pixel R region, an optical path from which red light is extracted The liquid crystal may be positioned as a capping layer to increase an external extraction efficiency (external emission efficiency) of the red light generated in the first organic layer 150R. In the same principle, the second auxiliary electrode 190G may serve to increase the external extraction efficiency of the green light generated in the second organic layer 150G, and the third auxiliary electrode 190B may be used in the third organic layer 150B. It may serve to increase the external extraction efficiency of the generated blue light.

상기 제 1 보조전극(190R)의 두께는 적색광의 외부 취출 효율을 고려하여 조절될 수 있고, 상기 제 2 보조전극(190G)의 두께는 녹색광의 외부 취출 효율을 고려하여 조절될 수 있고, 및 상기 제 3 보조전극(190B)의 두께는 청색광의 외부 취출 효율을 고려하여 조절될 수 있으므로, 이들은 서로 상이할 수 있다. The thickness of the first auxiliary electrode 190R may be adjusted in consideration of the external extraction efficiency of red light, and the thickness of the second auxiliary electrode 190G may be adjusted in consideration of the external extraction efficiency of green light, and Since the thickness of the third auxiliary electrode 190B may be adjusted in consideration of the external extraction efficiency of the blue light, they may be different from each other.

특히, 상기 제 1 보조전극, 제 2 보조전극 및 제 3 보조전극의 두께는 각 보조전극의 광학상수 및 각 R, G, B의 파장에 따라 달라질 수 있다. In particular, the thickness of the first auxiliary electrode, the second auxiliary electrode, and the third auxiliary electrode may vary depending on the optical constant of each auxiliary electrode and the wavelength of each of R, G, and B.

예를 들어, R(적색광)의 파장은 600nm±50nm이고, G(녹색광)의 파장은 550nm±50nm 이고, B(청색광)의 파장은 450nm±50nm 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. For example, the wavelength of R (red light) may be 600 nm ± 50 nm, the wavelength of G (green light) is 550 nm ± 50 nm, and the wavelength of B (blue light) may be 450 nm ± 50 nm, but is not limited thereto.

또한, 유기 발광 소자(100) 중 유기층(150)에서 사용된 물질, 조성 등과 유기 발광 소자(100)의 동작 조건 등에 따라 적색 화소 영역(R)에서 방출되는 적색광, 녹색 화소 영역(G)에서 방출되는 녹색광, 및 청색 화소 영역(B)에서 방출되는 청색광이 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In addition, the organic light emitting device 100 emits the red light and the green pixel area G, which are emitted from the red pixel area R, depending on the material, the composition, and the operating conditions of the organic light emitting device 100. The green light and the blue light emitted from the blue pixel area B may be selected, but are not limited thereto.

상기 제 1 보조전극(190R)의 두께는 60nm 내지 120nm, 예를 들면, 80nm 내지 120nm일 수 있다. 상기 제 2 보조전극(190G)의 두께는 50nm 내지 100nm, 예를 들면, 70nm 내지 100nm일 수 있다. 상기 제 3 보조전극(190B)의 두께는 40 nm 내지 90nm, 예를 들면, 40nm 내지 80nm일 수 있다.The thickness of the first auxiliary electrode 190R may be 60 nm to 120 nm, for example, 80 nm to 120 nm. The thickness of the second auxiliary electrode 190G may be 50 nm to 100 nm, for example, 70 nm to 100 nm. The thickness of the third auxiliary electrode 190B may be 40 nm to 90 nm, for example, 40 nm to 80 nm.

상기 제 1 보조전극, 제 2 보조전극 및 제 3 보조전극 상호 간의 두께는 제 1 보조전극의 두께 > 제 2 보조전극의 두께 > 제 3 보조전극의 두께의 관계를 가질 수 있다.The thickness between the first auxiliary electrode, the second auxiliary electrode, and the third auxiliary electrode may have a relationship of the thickness of the first auxiliary electrode> the thickness of the second auxiliary electrode> the thickness of the third auxiliary electrode.

상기와 같이 각 R, G, B 화소별 제 1 보조전극(190R), 제 2 보조전극(190G), 및 제 3 보조전극(190B)의 두께를 서로 상이하게 함으로써 각 색별 광추출 효율을 최대화할 수 있다. As described above, the thickness of the first auxiliary electrode 190R, the second auxiliary electrode 190G, and the third auxiliary electrode 190B for each of the R, G, and B pixels are different from each other to maximize light extraction efficiency for each color. Can be.

상기 제 1 보조전극(190R), 상기 제 2 보조전극(190G), 및 상기 제 3 보조전극(190B)이 서로 독립적으로 도전성 고분자를 포함할 수 있다.The first auxiliary electrode 190R, the second auxiliary electrode 190G, and the third auxiliary electrode 190B may each independently include a conductive polymer.

따라서, 상기 제 1 보조전극(190R), 상기 제 2 보조전극(190G), 및 상기 제 3 보조전극(190B)은 용액공정을 이용하여 형성된 것일 수 있다.Therefore, the first auxiliary electrode 190R, the second auxiliary electrode 190G, and the third auxiliary electrode 190B may be formed using a solution process.

상기 도전성 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT), 폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌설포네이트(PEDOT/PSS)혼합물, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 및 이들 중 2 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The conductive polymer may be selected from the group consisting of polyethylene dioxythiophene (PEDOT), polyethylene dioxythiophene / polystyrenesulfonate (PEDOT / PSS) mixture, polyaniline, polythiophene, polypyrrole, and combinations of two or more thereof. It is not limited.

상기 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT)은 π공역계 전도성 고분자로 되고 억셉터로서 PSS(PolyStyreneSulfonate)를 도핑한 구조를 하고 있다. 그와 동시에 PSS는 그 음이온(anion)성이 물에 대한 분산제로서의 역할을 다하기 때문에 PEDOT/PSS 복합체로서 물속에서 안정된 분산체로 존재할 수 있다. 그 결과 박막을 형성할 때 일반적인 습식 코팅을 적용할 수 있어 균일한 막을 제조할 수 있다. 더구나 PEDOT/PSS는 내열성 및 내광성 등의 화학안정성이 뛰어난 구조로 되어 있다. 티오펜 고리의 활성 부위인 3위와 4위가 에틸렌디옥시기에 의해 보호되고 있어 박막의 전도성을 열화시키는 산화반응 등을 억제하는 구조로 되어 있기 때문이다. 이로써 내열성, 내광성 등의 화학안정성이 뛰어난 박막을 얻을 수 있다. The polyethylene dioxythiophene (PEDOT) is a π-conjugated conductive polymer and has a structure doped with PSS (PolyStyreneSulfonate) as an acceptor. At the same time, PSS can exist as a stable dispersion in water as a PEDOT / PSS complex because its anion plays a role as a dispersant for water. As a result, when forming a thin film, a general wet coating can be applied to produce a uniform film. Moreover, PEDOT / PSS has a structure with excellent chemical stability such as heat resistance and light resistance. This is because the third and fourth positions, which are the active sites of the thiophene ring, are protected by an ethylenedioxy group and have a structure of inhibiting an oxidation reaction or the like that deteriorates the conductivity of the thin film. Thereby, the thin film excellent in chemical stability, such as heat resistance and light resistance, can be obtained.

<반응식 1><Scheme 1>

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PEDOT/PSS는 <반응식 1>에서 나타내는 바와 같이 3,4-에틸렌디옥시티오펜(EDOT)을 PSS 존재 하에 물속에서 산화 중합시킴으로써 미립자의 물 분산체로서 얻을 수 있다. PEDOT/PSS 물 분산체의 물성은 술폰산에 의해 pH 약 2로 산성이고 고형분이 1.0~2.0%, 액체 외관은 농청색이다. PEDOT/PSS 자체는 장파장 측에서 흡수를 갖기 때문에 물 분산체는 청색을 드러내지만 전도성이 매우 뛰어나며 극(極)박막에서 전도성을 발현하기 위해 실용상 투명성이 높은 전도막을 형성할 수 있다. 그리고 그 전도성은 전자전도 기구에 의한 것이기 때문에 습도에 의존하지 않는 안정된 전도성을 나타낸다.PEDOT / PSS can be obtained as a water dispersion of fine particles by oxidatively polymerizing 3,4-ethylenedioxythiophene (EDOT) in water in the presence of PSS as shown in <Scheme 1>. The physical properties of the PEDOT / PSS water dispersion are acidic with a pH of about 2 with sulfonic acid, 1.0-2.0% solids, and a dark blue liquid appearance. Since PEDOT / PSS itself has absorption on the long wavelength side, the water dispersion exhibits a blue color, but is very conductive and can form a conductive film having high transparency in practical use in order to express conductivity in the ultra-thin film. Since the conductivity is caused by the electron conduction mechanism, it exhibits stable conductivity that does not depend on humidity.

폴리아닐린은 가격이 저렴하고, 합성이 용이하며 크고 긴 알킬기를 갖는 유기산으로 도핑할 경우 m-cresol, CHCl3 등의 비극성 또는 약한 극성의 유기 용매에 대한 용해도가 증가하며 전기전도도가 크게 향상되는 특성이 있고, 폴리티오펜은 폴리피롤과 마찬가지로 단량체의 3, 4번 위치에서 crosslinking이 일어날 수 있어 여기에 기능성 치환체를 도입하여 용해도를 증가시킬 수 있고, 폴리피롤은 합성용매의 pH를 조절하여 전도도의 조절이 가능한 장점이 있다.When polyaniline is inexpensive, easy to synthesize, and doped with an organic acid having a large and long alkyl group, polyaniline increases the solubility in non-polar or weak polar organic solvents such as m-cresol and CHCl 3 and greatly improves electrical conductivity. Like polypyrrole, polythiophene can crosslinking at positions 3 and 4 of the monomer, so that the solubility can be increased by introducing a functional substituent therein, and polypyrrole can control the conductivity by controlling the pH of the synthetic solvent. There is an advantage.

한편, 상기 제 1 보조전극(190R), 상기 제 2 보조전극(190G), 및 상기 제 3 보조전극(190B)이 서로 독립적으로 도전성 나노입자를 포함할 수 있다.Meanwhile, the first auxiliary electrode 190R, the second auxiliary electrode 190G, and the third auxiliary electrode 190B may independently include conductive nanoparticles.

따라서, 상기 제 1 보조전극(190R), 상기 제 2 보조전극(190G), 및 상기 제 3 보조전극(190B)은 용액공정을 이용하여 형성된 것일 수 있다.Therefore, the first auxiliary electrode 190R, the second auxiliary electrode 190G, and the third auxiliary electrode 190B may be formed using a solution process.

상기 나노 금속 입자는 전도성을 갖는 금속으로, 예를 들면, 금(Au), 구리(Cu), 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 인듐(In), 주석(Sn), 플라티늄(Pt), 철(Fe), 니켈(Ni), 납(Pb), 아연(Zn), 수은(Hg), 팔라듐(Pd) 및 이들 중 2 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The nano metal particles are conductive metals, for example, gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), platinum (Pt), aluminum (Al), indium (In), tin (Sn), It may be selected from the group consisting of platinum (Pt), iron (Fe), nickel (Ni), lead (Pb), zinc (Zn), mercury (Hg), palladium (Pd), and combinations of two or more thereof. It is not limited.

여기서, "조합"이란 상기 금속들 중 2종 이상의 혼합물, 합금 등을 모두 포함한다.As used herein, the term "combination" includes all mixtures of two or more of the above metals, alloys, and the like.

상기 도전성 나노입자의 평균 입경은 1nm 내지 100nm, 예를 들면, 10nm 내지 60nm일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 도전성 나노입자의 평균 입경이 상술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 상기 나노입자 형성과정에 있어 균일한 크기로 분산할 수 있고, 투명성이 확보될 수 있는 두께를 갖는 제 1 보조전극(190R), 제 2 보조전극(190G), 및 제 3 보조전극(190B)이 형성될 수 있다.The average particle diameter of the conductive nanoparticles may be 1 nm to 100 nm, for example, 10 nm to 60 nm, but is not limited thereto. When the average particle diameter of the conductive nanoparticles satisfies the range as described above, the first auxiliary electrode 190R having a thickness that can be dispersed in a uniform size in the process of forming the nanoparticles and can ensure transparency, The second auxiliary electrode 190G and the third auxiliary electrode 190B may be formed.

상기 제 1 보조전극(190R)이 상기 금속 나노 입자를 포함할 경우, 상기 금속 나노 입자 함량은 상기 제 1 보조전극(190R) 100 중량부 당 5 내지 90 중량부가 될 수 있으나, 상기 함량은 바인더의 전도성에 따라 결정될 수 있고, 예를 들면, 30 중량부 내지 70 중량부일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. When the first auxiliary electrode 190R includes the metal nanoparticles, the metal nanoparticle content may be 5 to 90 parts by weight per 100 parts by weight of the first auxiliary electrode 190R, but the content of the binder It may be determined according to conductivity, and may be, for example, 30 parts by weight to 70 parts by weight, but is not limited thereto.

상기 금속 나노 입자가 상술한 범위의 함량을 만족하여 보조 전극을 형성하는 경우, 전도성에서 우수하고 투명성도 확보될 수 있다. When the metal nanoparticles satisfy the above-described content of the range to form the auxiliary electrode, excellent conductivity and transparency may be ensured.

제2보조전극(190G) 및 제3보조전극(190B) 중 금속 나노 입자의 함량 범위도 상술한 바와 같은 범위 내에서 선택될 수 있으며, 보조전극을 형성하고 있는 전체 물질의 함량에 따라 결정되는 바 이에 제한되지 않는다.The content range of the metal nanoparticles in the second auxiliary electrode 190G and the third auxiliary electrode 190B may also be selected within the range as described above, and is determined according to the content of the entire material forming the auxiliary electrode. This is not restrictive.

상기 범위 내의 함량을 가진 금속 나노 입자는 투과가 가능할 정도의 두께로 균일한 박막을 만들 수 있기 때문에, 본 발명의 투명전극은 고투과도와 저저항 특성을 가질 수 있다.  Since the metal nanoparticles having a content in the above range can make a uniform thin film with a thickness that is permeable, the transparent electrode of the present invention may have high transparency and low resistance.

상기 제 1 보조전극(190R), 제 2 보조전극(190G) 및 제 3 보조전극(190B)이 서로 독립적으로 도전성 고분자, 바인더 또는 이들의 조합을 더 포함할 수 있다. The first auxiliary electrode 190R, the second auxiliary electrode 190G, and the third auxiliary electrode 190B may each independently include a conductive polymer, a binder, or a combination thereof.

상기 도전성 고분자의 예로는 상술한 바를 참조한다. 한편, 상기 바인더로는 성막시 사용되는 공지의 바인더를 사용할 수 있는데, 예를 들면, 아크릴, 폴리에스테르, 에폭시, 우레탄, 페놀, 실리콘, 글라스 프릿 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of the conductive polymer refer to the above. On the other hand, as the binder can be used a known binder used in the film formation, for example, acrylic, polyester, epoxy, urethane, phenol, silicone, glass frit and the like, but is not limited thereto.

한편, 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 R, G, B 화소별로 패터닝된 유기층을 형성하는 단계; 상기 유기층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 2 전극 상에 보조전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 보조전극 형성 단계는 제 1 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극 상의 R 화소에 대응하는 영역에 제공하는 제 1 공정, 제 2 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극 상의 G 화소에 대응하는 영역에 제공하는 제 2 공정, 및 제 3 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극 상의 B 화소에 대응하는 영역에 제공하는 제 3 공정의 유기 발광 소자의 제조방법을 포함한다.On the other hand, forming a first electrode on the substrate; Forming a patterned organic layer for each of R, G, and B pixels on the first electrode; Forming a second electrode on the organic layer; And forming an auxiliary electrode on the second electrode, wherein the forming of the auxiliary electrode comprises: a first process of providing a composition for forming a first auxiliary electrode to a region corresponding to an R pixel on the second electrode; 2nd process of providing the composition for auxiliary electrode formation to the area | region corresponding to G pixel on a 2nd electrode, and 3rd process of providing the composition for 3rd auxiliary electrode formation to the area | region corresponding to B pixel on a 2nd electrode It includes a method of manufacturing an organic light emitting device.

상기 제 1 전극 형성 단계, 유기층 형성 단계, 및 제 2 전극 형성 단계는 상술한 바를 참조한다.The first electrode forming step, the organic layer forming step, and the second electrode forming step are described above.

상기 보조전극 형성 단계를 도 1의 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.The auxiliary electrode forming step will be described below with reference to the drawings of FIG. 1.

보조전극(190) 형성 단계는 제 1 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극(170) 상의 R 화소(R)에 대응하는 영역에 제공하는 제 1 공정, 제 2 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극(170) 상의 G 화소(G)에 대응하는 영역에 제공하는 제 2 공정, 및 제 3 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극(170) 상의 B 화소(B)에 대응하는 영역에 제공하는 제 3 공정을 포함할 수 있다.In the forming of the auxiliary electrode 190, the first process of providing the composition for forming the first auxiliary electrode to the region corresponding to the R pixel R on the second electrode 170 and the composition for forming the second auxiliary electrode for the second electrode A second step of providing the region corresponding to the G pixel G on the 170 and a third providing the composition for forming the third auxiliary electrode to the region corresponding to the B pixel B on the second electrode 170. Process may be included.

즉, 상기 보조전극(190)은 용액 공정에 의해 형성될 수 있다. 따라서, 증착법에 의하여 보조전극(190)을 형성할 때 마스크 사용으로 발생할 수 있는 쉐도우 효과(shadow effect) 등이 방지될 수 있어, 정밀한 보조전극(190) 패턴을 얻을 수 있다. That is, the auxiliary electrode 190 may be formed by a solution process. Therefore, a shadow effect that may occur due to the use of a mask may be prevented when the auxiliary electrode 190 is formed by the deposition method, thereby obtaining a precise auxiliary electrode 190 pattern.

본 명세서 중 "용액 공정"이란 예를 들면, 소정의 물질을 소정의 용매와 혼합하여 수득한 혼합물을 소정의 기판 상에 제공한 후, 건조 및/또는 열처리하여 상기 기판 상에 상기 소정의 물질을 포함한 막을 형성하는 공정을 말한다.As used herein, the term "solution process" includes, for example, providing a mixture obtained by mixing a predetermined material with a predetermined solvent on a predetermined substrate, and then drying and / or heat treating the predetermined material on the substrate. The process of forming the containing film | membrane.

상기 제 1 보조전극 형성용 조성물, 상기 제 2 보조전극 형성용 조성물, 및 상기 제 3 보조전극 형성용 물질은 상술한 바와 같은 도전성 고분자, 도전성 나노입자, 및/또는 바인더와 함께 용매를 포함할 수 있다.The composition for forming the first auxiliary electrode, the composition for forming the second auxiliary electrode, and the material for forming the third auxiliary electrode may include a solvent together with the conductive polymer, the conductive nanoparticle, and / or the binder as described above. have.

상기 용매는 상기 제 1 보조전극 형성용 조성물, 제 2 보조전극 형성용 조성물, 및 제 3 보조전극 형성용 조성물에 소정의 점도를 제공하는 역할을 한다.The solvent serves to provide a predetermined viscosity to the composition for forming the first auxiliary electrode, the composition for forming the second auxiliary electrode, and the composition for forming the third auxiliary electrode.

상기 용매는 상기 제 1 보조전극 형성용 조성물, 제 2 보조전극 형성용 조성물, 및 제 3 보조전극 형성용 조성물에 포함된 이종의 물질들과 혼화성이 있는 공지의 용매 중에서 선택될 수 있다. 예를 들어, 상기 용매의 예에는 물, 알콜, 톨루엔, 크실렌, 클로로벤젠, 클로로포름, 디-클로로에탄, 디메틸포름아마이드, 디메틸술폭사이드 등이 포함되나, 이에 한정되는 것은 아니다.The solvent may be selected from known solvents that are miscible with the heterogeneous materials included in the first auxiliary electrode forming composition, the second auxiliary electrode forming composition, and the third auxiliary electrode forming composition. For example, examples of the solvent include, but are not limited to, water, alcohol, toluene, xylene, chlorobenzene, chloroform, di-chloroethane, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and the like.

상기 제 1 공정 중, 제 1 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극(170) 상의 R 화소(R)에 대응하는 영역에 제공하는 방법은 공지된 방법, 예를 들면, 스핀 코팅법, 스프레잉법, 잉크젯 프린팅법, 디핑법, 캐스팅, 그라비아 코팅, 바코팅, 롤코팅, 와이어 바 코팅, 스크린 코팅, 플렉소 코팅, 오프셋 코팅, 레이저 전사법 등을 이용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. In the first step, a method of providing the composition for forming the first auxiliary electrode to a region corresponding to the R pixel R on the second electrode 170 may be a known method, for example, a spin coating method, a spraying method, Inkjet printing, dipping, casting, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, screen coating, flexographic coating, offset coating, laser transfer method and the like can be used, but are not limited thereto.

한편, 용액공정의 종류로는 잉크젯 프린팅법 또는 레이저 전사법 등이 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.On the other hand, the kind of the solution process, such as an inkjet printing method or a laser transfer method, but is not limited thereto.

잉크젯 프린팅법이라 함은 고분자 재료를 용매에 녹인 유기물질을 노즐과 헤드를 통하여 원하는 픽셀 부위에 제공하여 인쇄하는 기술이다.The inkjet printing method is a technique of printing by providing an organic material obtained by dissolving a polymer material in a solvent to a desired pixel area through a nozzle and a head.

상기 잉크젯 프린팅법은 대면적 기판에도 적용 가능하고, FMM법(fine metal mask)으로 제조한 경우에 비해 고수율이며, 재료 손실이 적은 면에서 유리하다.The inkjet printing method is also applicable to a large area substrate, and is advantageous in terms of higher yield and less material loss than when manufactured by a FMM (fine metal mask) method.

상기 레이저 전사법은 도우너 기판 또는 전사기판 상에 증착 재료나 용액 재료를 성막한 후 하부 기판과 합착하여 광학 스테이지 위에서 레이저 스캔에 의해 패터닝이 이루어지는 방법이다.In the laser transfer method, a deposition material or a solution material is deposited on a donor substrate or a transfer substrate, and then bonded to a lower substrate by laser scanning on an optical stage. This is how patterning is done.

상기 제 1 공정, 상기 제 2 공정 및 제 3 공정을 수행한 후, 즉, 제 2 전극(170) 상의 적색 화소(R)에 대응하는 영역에 제 1 보조전극 형성용 조성물을 제공하고, 제 2 전극(170) 상의 녹색 화소(G)에 대응하는 영역에 제 2 보조전극 형성용 조성물을 제공하고, 제 2 전극(170) 상의 청색 화소(B)에 대응하는 영역에 제 3 보조전극 형성용 조성물을 제공한 후, 각 화소별로 제공된 제 1 보조전극 형성용 조성물, 제 2 보조전극 형성용 조성물, 및 제 3 보조전극 형성용 조성물을 열처리함으로써, 제 1 보조전극(190R), 제 2 보조전극(190G), 및 제 3 보조전극(190B)를 형성할 수 있다.After performing the first process, the second process and the third process, that is, to provide a composition for forming a first auxiliary electrode in the region corresponding to the red pixel (R) on the second electrode 170, the second The second auxiliary electrode forming composition is provided in a region corresponding to the green pixel G on the electrode 170, and the third auxiliary electrode forming composition is formed in a region corresponding to the blue pixel B on the second electrode 170. After providing the first auxiliary electrode forming composition, the second auxiliary electrode forming composition, and the third auxiliary electrode forming composition provided for each pixel by heat treatment, the first auxiliary electrode 190R, the second auxiliary electrode ( 190G) and the third auxiliary electrode 190B may be formed.

상기 열처리 공정은 제 1 보조전극 형성용 조성물, 제 2 보조전극 형성용 조성물, 및 제 3 보조전극 형성용 조성물에 포함된 용매를 제거하고, 막을 형성할 수 있는 온도 범위 내에서 선택되며, 예를 들면, 100℃ 이하일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The heat treatment process is selected within a temperature range in which the solvent included in the composition for forming the first auxiliary electrode, the composition for forming the second auxiliary electrode, and the composition for forming the third auxiliary electrode is removed and a film is formed. For example, the temperature may be 100 ° C. or less, but is not limited thereto.

본 명세서는 상기 유기 발광 소자의 도 1을 참조하여 설명하였으나, 이의 변형예 등을 포함할 수 있다. The present specification has been described with reference to FIG. 1 of the organic light emitting diode, but may include a modification thereof and the like.

이하 본 발명의 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명의 일 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, examples and comparative examples of the present invention are described. However, the following examples are only examples of the present invention and the present invention is not limited to the following examples.

[실시예] [Example]

실시예Example 1 One

제 1 전극, R, G, B 별로 패터닝된 유기층 및 제 2 전극이 차례로 적층된 기판을 준비하여 폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌설포네이트(PEDOT/PSS)(BATRON-P 4083, Bayer AG, 3%의 수용액임)을 상기 제 2 전극 상의 R, G, B 각각의 화소에 대응하는 영역에 잉크젯 프린팅법을 이용하여 제공하고, 100℃의 온도에서 열처리하여 용매를 제거하여 R 화소에 120nm 두께의 제 1 보조전극, G 화소에 90nm 두께의 제 2 보조전극, 및 B 화소에 70nm 두께의 제 3 보조전극을 각각 형성함으로써 유기 발광 소자를 완성하였다.
A substrate in which an organic layer patterned for each of the first electrodes, R, G, and B and a second electrode were sequentially prepared was prepared, and polyethylenedioxythiophene / polystyrenesulfonate (PEDOT / PSS) (BATRON-P 4083, Bayer AG, 3%) was prepared. An aqueous solution) is provided in a region corresponding to each of the pixels R, G, and B on the second electrode by using an inkjet printing method, and heat-treated at a temperature of 100 ° C. to remove the solvent to form a first 120 nm thick R pixel. The organic light emitting device was completed by forming an auxiliary electrode, a second auxiliary electrode having a thickness of 90 nm at the G pixel, and a third auxiliary electrode having a thickness of 70 nm at the B pixel, respectively.

실시예Example 2 2

80nm 두께의 제 2 보조 전극을 형성하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 완성하였다.
An organic light-emitting device was completed in the same manner as in Example 1, except that a second auxiliary electrode having a thickness of 80 nm was formed.

실시예Example 3 3

110nm 두께의 제 1 보조 전극을 형성하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 완성하였다.
An organic light-emitting device was completed in the same manner as in Example 1, except that a first auxiliary electrode having a thickness of 110 nm was formed.

실시예Example 4 4

110nm 두께의 제 1 보조 전극, 80nm 두께의 제 2 보조 전극 및 60nm 두께의 제3 보조 전극을 형성하였다는 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 완성하였다.
An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for forming a first auxiliary electrode having a thickness of 110 nm, a second auxiliary electrode having a thickness of 80 nm, and a third auxiliary electrode having a thickness of 60 nm.

비교예Comparative example 1 One

70nm 두께의 제 1, 2 및 3 보조전극을 제작하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 완성하였다.
An organic light-emitting device was completed in the same manner as in Example 1, except that the first, second, and third auxiliary electrodes having a thickness of 70 nm were prepared.

비교예Comparative example 2 2

110nm 두께의 제 1, 2 및 3 보조전극을 제작하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 완성하였다.
An organic light-emitting device was completed in the same manner as in Example 1, except that first, second, and third auxiliary electrodes having a thickness of 110 nm were manufactured.

비교예Comparative example 3 3

80nm 두께의 제 1, 2 및 3 보조전극을 제작하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 완성하였다.
An organic light-emitting device was completed in the same manner as in Example 1, except that the first, second, and third auxiliary electrodes having a thickness of 80 nm were prepared.

비교예Comparative example 4 4

60nm 두께의 제 1, 2 및 3 보조전극을 제작하였다는 점을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법을 이용하여 유기 발광 소자를 완성하였다.
An organic light-emitting device was completed in the same manner as in Example 1, except that first, second, and third auxiliary electrodes having a thickness of 60 nm were prepared.

평가예Evaluation example 1 One

실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4의 유기 발광 소자로부터 방출되는 적색광, 녹색광 및 청색광의 상대 휘도(a.u.)를 PR650 휘도계 Spectroscan Source Measurement Unit.(PhotoReaserch)를 이용하여 측정하여 그 결과를 표 1에 나타내었다:The relative luminance (au) of the red light, green light and blue light emitted from the organic light emitting elements of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 was measured using a PR650 luminance meter Spectroscan Source Measurement Unit. It is shown in 1:

적색광(620nm)의
상대 휘도(a.u.)Of red light (620nm)
Relative luminance (au) 녹색광(520nm)의
상대 휘도(a.u.)Of green light (520nm)
Relative luminance (au) 청색광(450nm)의
상대 휘도(a.u.)Of blue light (450 nm)
Relative luminance (au) 실시예 1Example 1 1.171.17 0.830.83 0.470.47 실시예 2Example 2 1.171.17 0.810.81 0.470.47 실시예 3Example 3 1.161.16 0.810.81 0.470.47 실시예 4Example 4 1.161.16 0.810.81 0.460.46 비교예 1Comparative Example 1 1.101.10 0.770.77 0.470.47 비교예 2Comparative Example 2 1.161.16 0.790.79 0.330.33 비교예 3Comparative Example 3 1.111.11 0.810.81 0.450.45 비교예 4Comparative Example 4 1.081.08 0.720.72 0.460.46

상기 표 1로부터, 실시예 1 내지 4의 유기 발광 소자는 적색광, 녹색광 및 청색광 모두의 상대 휘도가 비교예 1 내지 4의 유기 발광 소자에 비하여 향상됨을 확인할 수 있다.From Table 1, it can be seen that in the organic light emitting diodes of Examples 1 to 4, the relative luminance of all of the red light, the green light, and the blue light is improved compared to the organic light emitting diodes of Comparative Examples 1 to 4.

본 명세서에서는 본 발명을 한정된 실시예를 중심으로 설명하였으나, 본 발명의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능하다. 또한 설명되지는 않았으나, 균등한 수단도 또한 본 발명에 그대로 결합되는 것이라 할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.In the present specification, the present invention has been described with reference to limited embodiments, but various embodiments are possible within the scope of the present invention. In addition, although not described, equivalent means will also be referred to as incorporated in the present invention. Therefore, the true scope of the present invention will be defined by the claims below.

100: 유기 발광 디스플레이 장치
110: 기판
130: 제 1 전극
140: 화소 정의막
150: 유기층
150R: 제 1 유기층, 150G: 제 2 유기층, 150B: 제 3 유기층
170: 제 2 전극
190: 보조전극
190R: 제 1 보조전극, 190G: 제 2 보조전극, 190B: 제 3 보조전극100: organic light emitting display device
110: substrate
130: first electrode
140: pixel defining layer
150: organic layer
150R: first organic layer, 150G: second organic layer, 150B: third organic layer
170: second electrode
190: auxiliary electrode
190R: first auxiliary electrode, 190G: second auxiliary electrode, 190B: third auxiliary electrode

Claims (10)

기판;
상기 기판 상에 형성된 제 1 전극;
상기 제 1 전극 상에 형성되며 R 화소, G 화소 및 B 화소별로 패터닝된 유기층;
상기 유기층 상에 형성된 제 2 전극; 및
상기 제 2 전극 상에 형성되고, 상기 제 2 전극 상의 R 화소에 대응하는 영역에 형성된 제 1 보조전극, 상기 제 2 전극 상의 G 화소에 대응하는 영역에 형성된 제 2 보조전극, 및 상기 제 2 전극 상의 B 화소에 대응하는 영역에 형성된 제 3 보조전극을 포함한 보조전극;을 포함하는 유기 발광 소자로서,
상기 제 1 보조전극의 두께, 상기 제 2 보조전극의 두께, 및 상기 제 3 보조전극의 두께는 서로 상이한 유기 발광 소자.Board;
A first electrode formed on the substrate;
An organic layer formed on the first electrode and patterned for each of R, G, and B pixels;
A second electrode formed on the organic layer; And
A first auxiliary electrode formed on the second electrode and formed in a region corresponding to the R pixel on the second electrode, a second auxiliary electrode formed in a region corresponding to the G pixel on the second electrode, and the second electrode An organic light-emitting device comprising: an auxiliary electrode including a third auxiliary electrode formed in a region corresponding to a B pixel on the substrate;
The thickness of the first auxiliary electrode, the thickness of the second auxiliary electrode, and the thickness of the third auxiliary electrode are different from each other. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 보조전극의 두께는 60nm 내지 120nm인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method of claim 1,
The thickness of the first auxiliary electrode is an organic light emitting device, characterized in that 60nm to 120nm. 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 보조전극의 두께는 50nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method of claim 1,
The thickness of the second auxiliary electrode is an organic light emitting device, characterized in that 50nm to 100nm. 제 1 항에 있어서,
상기 제 3 보조전극의 두께는 40nm 내지 90nm인 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method of claim 1,
The thickness of the third auxiliary electrode is an organic light emitting device, characterized in that 40nm to 90nm. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 보조전극, 제 2 보조전극 및 제 3 보조전극 상호 간의 두께는 제 1 보조전극의 두께 > 제 2 보조전극의 두께 > 제 3 보조전극의 두께의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method of claim 1,
The thickness of each of the first auxiliary electrode, the second auxiliary electrode, and the third auxiliary electrode has a relationship of the thickness of the first auxiliary electrode> the thickness of the second auxiliary electrode> the thickness of the third auxiliary electrode. . 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 보조전극, 상기 제 2 보조전극, 및 상기 제 3 보조전극이 서로 독립적으로 도전성 고분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method of claim 1,
And the first auxiliary electrode, the second auxiliary electrode, and the third auxiliary electrode each independently include a conductive polymer. 제 6 항에 있어서,
상기 도전성 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜(PEDOT), 폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌설포네이트(PEDOT/PSS)혼합물, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤 및 이들 중 2 이상의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method according to claim 6,
The conductive polymer is selected from the group consisting of polyethylenedioxythiophene (PEDOT), polyethylenedioxythiophene / polystyrenesulfonate (PEDOT / PSS) mixture, polyaniline, polythiophene, polypyrrole and combinations of two or more thereof Light emitting element. 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 보조전극, 상기 제 2 보조전극, 및 상기 제 3 보조전극이 서로 독립적으로 도전성 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method of claim 1,
And the first auxiliary electrode, the second auxiliary electrode, and the third auxiliary electrode each independently include conductive nanoparticles. 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 보조전극, 제 2 보조전극 및 제 3 보조전극이 서로 독립적으로 도전성 고분자, 바인더 또는 이들의 조합을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 소자.The method of claim 8,
And the first auxiliary electrode, the second auxiliary electrode, and the third auxiliary electrode further include a conductive polymer, a binder, or a combination thereof. 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 전극 상에 형성되며 R 화소, G 화소 및 B 화소를 각각 하나 이상 포함하는 유기층을 형성하는 단계;
상기 유기층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계; 및
상기 제 2 전극 상에 보조전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 보조전극 형성 단계는, 제 1 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극 상의 R 화소에 대응하는 영역에 제공하는 제 1 공정, 제 2 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극 상의 G 화소에 대응하는 영역에 제공하는 제 2 공정, 및 제 3 보조전극 형성용 조성물을 제 2 전극 상의 B 화소에 대응하는 영역에 제공하는 제 3 공정을 포함하는 유기 발광 소자의 제조방법.Forming a first electrode on the substrate;
Forming an organic layer formed on the first electrode and including one or more R, G, and B pixels;
Forming a second electrode on the organic layer; And
Forming an auxiliary electrode on the second electrode;
The forming of the auxiliary electrode may include a first process of providing a composition for forming a first auxiliary electrode to a region corresponding to an R pixel on a second electrode, and a region corresponding to a G pixel on the second electrode. And a third step of providing the second auxiliary electrode composition to the region corresponding to the B pixel on the second electrode.
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