KR101032941B1 - Thin film transistor array panel - Google Patents
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Abstract
절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 절연되어 교차하여 표시 영역을 정의하고 있는 데이터선, 게이트선에 주사 신호를 인가하는 게이트 구동부, 데이터선에 화상 신호를 인가하는 데이터 구동부, 표시 영역을 중심으로 하여 게이트 구동부의 맞은편에 형성되어 있는 더미 게이트 구동부를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판을 마련한다. A gate line formed on an insulating substrate, a data line insulated from and crossing the gate line to define a display area, a gate driver for applying a scan signal to the gate line, a data driver for applying an image signal to the data line, and a display area As a result, a thin film transistor array panel including a dummy gate driver formed on the opposite side of the gate driver is provided.
박막트랜지스터표시판, 더미게이트구동부Thin film transistor display panel, dummy gate driver
Description
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,1 is a layout view of a thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2a는 도 1의 A 부분을 확대하여 나타낸 도면이고,FIG. 2A is an enlarged view of a portion A of FIG. 1;
도 2b는 도 2a의 IIb-IIb'선에 대한 단면도이고,FIG. 2B is a cross sectional view taken along the line IIb-IIb ′ of FIG. 2A;
도 3a는 도 1의 B 부분을 확대하여 나타낸 도면이고,3A is an enlarged view of a portion B of FIG. 1,
도 3b는 도 3a의 IIIb-IIIb'선에 대한 단면도이다.FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line IIIb-IIIb 'of FIG. 3A.
121 게이트선, 121 gate line,
171 데이터선, 171 data lines,
400 게이트 구동부,400 gate driver,
410 더미 게이트 구동부,410 dummy gate driver,
401, 402, 403 더미 게이트 연결선401, 402, 403 dummy gate leads
500 데이터 구동부,500 data driver,
600 데이터 구동 IC,600 data drive ic,
610 FPC(flexible printed circuit)610 FPC (flexible printed circuit)
700 PCB(printed circuit board)700 printed circuit board
본 발명은 박막 트랜지스터 표시판에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor array panel.
박막 트랜지스터 표시판은 액정 표시 장치나 유기 이엘 표시 장치 등의 평판 표시 장치에서 각 화소를 독립적으로 구동하기 위한 스위칭 소자인 박막 트랜지스터를 소정의 배열로 형성해 놓은 기판이다.The thin film transistor array panel is a substrate in which a thin film transistor, which is a switching element for driving each pixel independently in a flat panel display such as a liquid crystal display or an organic EL display, is formed in a predetermined arrangement.
박막 트랜지스터 표시판에는 복수의 게이트선과 데이터선이 서로 교차하고 있고, 이들 두 선이 교차하여 구획하는 각 화소 영역마다 박막 트랜지스터가 형성된다. 여기서 게이트선은 주사 신호를 전달하고, 데이터선은 화상 신호를 전달한다. In the thin film transistor array panel, a plurality of gate lines and a data line cross each other, and a thin film transistor is formed in each pixel region where the two lines cross each other. The gate line transfers a scan signal and the data line transfers an image signal.
주사 신호와 화상 신호는 각각 게이트 구동 회로와 데이터 구동 회로가 각 게이트선과 데이터선에 인가한다. 이들 구동 회로는 별도의 IC(integrated circuit)칩을 실장하여 구성하기도 하고, 표시판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 과정에서 함께 형성하기도 한다. 후자의 경우는 주로 박막 트랜지스터의 성능이 우수한 다결정 규소 박막 트랜지스터 표시판에 적용하는 기술이다.In the scan signal and the image signal, a gate driving circuit and a data driving circuit are applied to each gate line and data line, respectively. These driving circuits may be configured by mounting separate integrated chip (IC) chips, or may be formed together in the process of forming a thin film transistor on a display panel. The latter case is mainly applied to a polysilicon thin film transistor array panel having excellent performance of a thin film transistor.
그런데 박막 트랜지스터 표시판에 형성되는 게이트선과 데이터선은 매우 미세한 금속 패턴으로 그 형성 과정에서 단선될 가능성이 상존한다. 이러한 배선의 단선에 대비하여 추후 수리할 수 있는 구조를 형성해 놓거나 또는 단선을 예방할 수 있는 구조를 형성해 둔다. 게이트선의 경우에는 게이트선을 이중으로 형성하여 단선을 예방하는 방식을 취하는 것이 보통이나 이러한 방식의 경우 게이트선이 차지하는 면적이 넓어 개구율이 낮은 단점이 있다. 또, 표시 영역 둘레로 수리선을 형성해 두고 게이트선이 단선된 경우에는 수리선을 경유하여 주사 신호가 전달될 수 있도록 수리선과 단선된 게이트선을 연결한다. 그러나 이러한 방식의 경우에는 게이트선의 부하가 증가하여 주사 신호가 왜곡되는 문제가 발생한다.However, the gate line and the data line formed on the thin film transistor array panel are very fine metal patterns, and there is a possibility that the gate lines and the data lines may be disconnected during the formation process. In preparation for the disconnection of such wiring, a structure that can be repaired later is formed or a structure that prevents disconnection is formed. In the case of the gate line, it is common to take a method of preventing the disconnection by forming the gate line in double, but in this case, the gate line has a large area and thus has a low opening ratio. If a repair line is formed around the display area and the gate line is disconnected, the repair line and the disconnected gate line are connected to each other so that the scan signal can be transmitted via the repair line. However, in this case, the load of the gate line increases, causing a problem that the scan signal is distorted.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 개구율 저하나 게이트선 부하 증가의 문제점이 없는 게이트선 단선 대비 구조를 마련하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a structure compared to the gate line disconnection without the problem of lowering the aperture ratio or increasing the gate line load.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 더미 게이트 구동부를 형성한다.In order to solve this problem, the present invention forms a dummy gate driver.
구체적으로는, 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선과 절연되어 교차하여 표시 영역을 정의하고 있는 데이터선, 상기 게이트선에 주사 신호를 인가하는 게이트 구동부, 상기 데이터선에 화상 신호를 인가하는 데이터 구동부, 상기 표시 영역을 중심으로 하여 상기 게이트 구동부의 맞은편에 형성되어 있는 더미 게이트 구동부를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판을 마련한다.Specifically, an insulating substrate, a gate line formed on the insulating substrate, a data line insulated from and intersecting the gate line to define a display area, a gate driver for applying a scan signal to the gate line, and an image on the data line. A thin film transistor array panel including a data driver configured to apply a signal and a dummy gate driver disposed opposite the gate driver based on the display area is provided.
이 때, 상기 게이트 구동부와 상기 더미 게이트 구동부 사이를 연결하기 위한 더미 게이트 연결선을 더 포함할 수 있고, 상기 더미 게이트 연결선은 상기 더미 게이트 구동부의 입력 단자와 연결되어 있고, 상기 게이트 구동부의 인출선과 절연막을 사이에 두고 중첩할 수 있다. 상기 더미 게이트 구동부의 인출선 및 게이트선과 절연막을 사이에 두고 중첩하는 연결편을 더 포함할 수 있다. The dummy gate connection line may further include a dummy gate connection line for connecting between the gate driver and the dummy gate driver. The dummy gate connection line is connected to an input terminal of the dummy gate driver. You can nest them with. The dummy gate driver may further include a connection line overlapping the lead line and the gate line and the insulating layer therebetween.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.
이하에서는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터를 예로 들어 본 발명을 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described using a thin film transistor for a liquid crystal display as an example.
그러면 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대하여 설명한다.Next, a structure of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 2a는 도 1의 A 부분을 확대하여 나타낸 도면이고, 도 2b는 도 2a의 IIb-IIb'선에 대한 단면도이고, 도 3a는 도 1의 B 부분을 확대하여 나타낸 도면이고, 도 3b는 도 3a의 IIIb-IIIb'선에 대한 단면도이다.1 is a layout view of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 2A is an enlarged view of a portion A of FIG. 1, and FIG. 2B is a line IIb-IIb ′ of FIG. 2A. 3A is an enlarged view of a portion B of FIG. 1, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line IIIb-IIIb ′ of FIG. 3A.
액정 표시 장치는 하부 표시판과 이와 마주보고 있는 상부 표시판 및 하부 표시판과 상부 표시판 사이에 주입되어 있는 액정 분자를 포함하는 액정층으로 이 루어진다. The liquid crystal display device includes a liquid crystal layer including a lower panel, an upper panel facing the lower panel, and liquid crystal molecules injected between the lower panel and the upper panel.
이중, 하부 표시판에 게이트선(121), 데이터선(171)을 비롯한 박막 트랜지스터 어레이와 게이트 구동부(400), 데이터 구동부(500) 등이 형성되어 있고, 데이터 구동부(500)는 FPC(flexible printed circuit: 610)에 실장되어 있는 데이터 구동 IC(600)와 연결되어 있다. 데이터 구동 IC(600)는 PCB(printed circuit board: 700)에 실장되어 있는 계조 전압 생성 회로나 신호 제어 회로 등과 연결되어 있다. 게이트 구동부(400)도 FPC(610) 또는 데이터 구동 IC(600)의 핀을 경유하여 PCB(700)의 구동 전압 생성 회로 등과 연결되어 있다.A thin film transistor array including a
또, 점선으로 표시되어 있는 표시 영역을 사이에 두고 게이트 구동부(400)와 마주하도록 더미 게이트 구동부(410)가 형성되어 있다. 더미 게이트 구동부(410)는 게이트 구동부(400)와 동일한 구조를 가지며, 필요할 경우 게이트 구동부(400)와 연결할 수 있도록 더미 게이트 연결선(401, 402, 403)을 구비하고 있다. 도면에는 더미 게이트 연결선(401, 402, 403)은 3개로 예시되어 있으나 이는 예시일 뿐이고 더 많이 또는 더 적은 수로 형성할 수도 있다. 또한, 더미 게이트 구동부(410)는 필요할 경우 각 게이트선(121)과도 연결할 수 있도록 연결 구조를 가지고 있다.In addition, the
그러면, 더미 게이트 연결선(401, 402, 403)과 게이트 구동부(400)의 연결 구조와 더미 게이트 구동부(410)와 게이트선(121)의 연결 구조를 도 2a, 2b 및 도 3a, 3b를 참고로 하여 설명한다.Then, the connection structure between the dummy
먼저, 도 2a 및 도 2b에 나타낸 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 차단막(111)이 형성되어 있고, 차단막(111) 위에 게이트 절연막(130)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(130) 위에 게이트 구동부 인출선(122)이 형성되어 있다. 여기서, 차단막(111)은 표시 영역에 형성되는 박막 트랜지스터의 다결정 규소층에 유리 등으로 이루어지는 절연 기판(110)으로부터 이물질이 침투하는 것을 방지하기 위하여 형성하는 것이다. 게이트 구동부 인출선(122)은 게이트선(121)과 동일한 물질로 형성되어 있으며 게이트 구동부(400)로부터 인출된 신호선으로서 게이트 구동부(400)에 입력된 것과 동일한 신호를 출력한다. First, as shown in FIGS. 2A and 2B, a blocking
게이트 구동부 인출선(122) 위에는 제1 층간 절연막(801)이 형성되어 있고, 제1 층간 절연막(801) 위에는 더미 게이트 연결선(172)이 형성되어 있으며, 더미 게이트 연결선(172) 위에는 제2 층간 절연막(801)이 형성되어 있다. 여기서 더미 게이트 연결선(172)은 게이트 구동부 인출선(122)과 일부가 중첩하고 있고, 데이터선(171)과 동일한 물질로 형성되어 있다. A first
이상과 같이, 게이트 구동부 인출선(122)과 더미 게이트 연결선(172)은 제1 층간 절연막(801)을 사이에 두고 중첩하고 있다. 따라서 필요할 경우 레이저를 조사함으로써 이들 두 배선(122, 172)을 단락할 수 있다. As described above, the gate
본 실시예에서는 게이트 구동부 인출선(122)을 게이트선(121)과 동일한 층에 형성하고 더미 게이트 연결선(172)을 데이터선(171)과 동일한 층에 형성하고 있으나 이와 반대로 게이트 구동부 인출선(122)을 데이터선(171)과 동일한 층에 형성하고 더미 게이트 연결선(172)을 게이트선(121)과 동일한 층에 형성할 수도 있다.In the present exemplary embodiment, the gate
다음, 도 3a 및 도 3b에 나타낸 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 차단막 (111)이 형성되어 있고, 차단막(111) 위에 게이트 절연막(130)이 형성되어 있으며, 게이트 절연막(130) 위에 게이트선(121)과 더미 게이트 구동부 인출선(123)이 형성되어 있다. 게이트선(121)과 더미 게이트 구동부 인출선(123) 위에는 제1 층간 절연막(801)이 형성되어 있고, 제1 층간 절연막(801) 위에는 연결편(174)이 형성되어 있으며, 연결편(174) 위에는 제2 층간 절연막(802)이 형성되어 있다. 여기서 연결편(174)은 제1 층간 절연막(801)을 사이에 두고 게이트선(121) 및 더미 게이트 구동부 인출선(123)과 각각 중첩하고 있다. 따라서 필요할 경우 레이저를 조사함으로써 이들 연결편(174)과 게이트선(121) 사이 및 연결편(174) 및 더미 게이트 구동부 인출선(123) 사이를 단락할 수 있다. 3A and 3B, the blocking
본 실시예에서는 더미 게이트 구동부 인출선(123)을 게이트선(121)과 동일한 층에 형성하고 연결편(174)을 따로 형성하여 연결하고 있으나 더미 게이트 구동부 인출선(123)을 게이트선(121)과는 다른 층에 형성하고 더미 게이트 구동부 인출선(123)을 직접 게이트선(121)과 중첩하도록 형성할 수도 있다.In the present exemplary embodiment, the dummy gate
이상과 같은 구조에서 어떤 게이트선(121)이 단선될 경우 게이트 구동부 인출선(122)과 더미 게이트 연결선(401, 402, 403)을 연결하고, 더미 게이트 구동부 인출선(123)과 단선된 게이트선(121)을 연결한다. 이렇게 하면, 더미 게이트 구동부(410)가 게이트 구동부(400)와 동일하게 주사 신호를 출력하여 단선된 게이트선(121)에도 주사 신호가 인가될 수 있다.In the above structure, when a
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. 특히, 화소 전극과 공통 전극에 형성하는 절개부의 배치는 여러 다양한 변형이 있을 수 있다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights. In particular, the arrangement of the cutouts formed in the pixel electrode and the common electrode may be variously modified.
이상과 같은 구성으로 게이트선 수리 구조를 형성하면 표시 영역에는 게이트선 수리를 위하여 추가되는 배선이 없으므로 개구율 저하를 초래하지 않고, 더미 게이트 구동부가 출력하는 주사 신호가 직접 게이트선에 전달되므로 부하 증가로 인한 신호 왜곡도 발생하지 않는다.If the gate line repair structure is formed in the above configuration, since there is no additional wiring to repair the gate line in the display area, the opening ratio is not reduced and the scan signal output from the dummy gate driver is directly transmitted to the gate line, thereby increasing the load. No signal distortion occurs.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030093252A KR101032941B1 (en) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | Thin film transistor array panel |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030093252A KR101032941B1 (en) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | Thin film transistor array panel |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050061132A KR20050061132A (en) | 2005-06-22 |
KR101032941B1 true KR101032941B1 (en) | 2011-05-06 |
Family
ID=37253747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030093252A KR101032941B1 (en) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | Thin film transistor array panel |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101032941B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108646486A (en) * | 2018-05-04 | 2018-10-12 | 昆山国显光电有限公司 | Display panel and display device |
CN108646485A (en) * | 2018-05-04 | 2018-10-12 | 昆山国显光电有限公司 | Display panel and display device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5365284A (en) | 1989-02-10 | 1994-11-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and driving method thereof |
KR19990052420A (en) * | 1997-12-22 | 1999-07-05 | 김영환 | LCD |
KR20030043672A (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-02 | 샤프 가부시키가이샤 | Liquid crystal display device |
-
2003
- 2003-12-18 KR KR1020030093252A patent/KR101032941B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5365284A (en) | 1989-02-10 | 1994-11-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and driving method thereof |
KR19990052420A (en) * | 1997-12-22 | 1999-07-05 | 김영환 | LCD |
KR20030043672A (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-02 | 샤프 가부시키가이샤 | Liquid crystal display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050061132A (en) | 2005-06-22 |
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A201 | Request for examination | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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