KR101031420B1 - Rfid device - Google Patents

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KR101031420B1
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강희복
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Abstract

PURPOSE: An RFID(Radio Frequency ID) apparatus is provided to secure stable sensing margin and to increase reliability by including a ReRAM(Resistive Random Access Memory). CONSTITUTION: A memory unit(400) includes an RSD(Resistive Switch Device) and reads/writes data. If a test mode is activated in a wafer level, the RSD performs an electroforming operation by electroforming voltage that is applied to the memory unit. A write driver applies electroforming voltage to a bit line of the memory unit. A plate line driver applies the electroforming voltage to a plate line of the memory unit.

Description

ＲＦＩＤ 장치{RFID device}RFID device {RFID device}

본 발명은 RFID 장치에 관한 것으로서, 저항 스위치 소자(RSD;Resistive Switch Device)를 이용한 저항변화 기억소자(ReRAM; Resistive random access memory device)의 셀 어레이에 관한 기술이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an RFID device, and more particularly, to a cell array of a resistive random access memory device (ReRAM) using a resistive switch device (RSD).

RFID(Radio Frequency IDentification Tag Chip)란 무선 신호를 이용하여 사물을 자동으로 식별하기 위해 식별 대상이 되는 사물에는 RFID 태그를 부착하고 무선 신호를 이용한 송수신을 통해 RFID 리더와 통신을 수행하는 비접촉식 자동 식별 방식을 제공하는 기술이다. 이러한 RFID가 사용되면서 종래의 자동 식별 기술인 바코드 및 광학 문자 인식 기술의 단점을 보완할 수 있게 되었다. RFID (Radio Frequency IDentification Tag Chip) is a contactless automatic identification method that communicates with an RFID reader by attaching an RFID tag to an object to be identified and automatically transmitting and receiving it by using a wireless signal. To provide technology. As RFID is used, it is possible to compensate for the disadvantages of the conventional automatic identification technology, barcode and optical character recognition technology.

최근에 들어, RFID 태그는 물류 관리 시스템, 사용자 인증 시스템, 전자 화폐 시스템, 교통 시스템 등의 여러 가지 경우에 이용되고 있다.Recently, RFID tags have been used in various cases, such as logistics management systems, user authentication systems, electronic money systems, transportation systems.

예를 들어, 물류 관리 시스템에서는 배달 전표 또는 태그(Tag) 대신에 데이터가 기록된 IC(Integrated Circuit) 태그를 이용하여 화물의 분류 또는 재고 관리 등이 행해지고 있다. 또한, 사용자 인증 시스템에서는 개인 정보 등을 기록한 IC 카드를 이용하여 입실 관리 등을 행하고 있다.For example, in the logistics management system, cargo classification or inventory management is performed using an integrated circuit (IC) tag in which data is recorded instead of a delivery slip or a tag. In the user authentication system, admission management and the like are performed using an IC card that records personal information and the like.

한편, RFID 태그에 사용되는 메모리로 불휘발성 강유전체 메모리가 사용될 수 있다.Meanwhile, a nonvolatile ferroelectric memory may be used as a memory used for an RFID tag.

일반적으로 불휘발성 강유전체 메모리 즉, FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)은 디램(DRAM;Dynamic Random Access Memory) 정도의 데이터 처리 속도를 갖고, 전원의 오프시에도 데이터가 보존되는 특성 때문에 차세대 기억 소자로 주목받고 있다. In general, nonvolatile ferroelectric memory, or ferroelectric random access memory (FeRAM), has a data processing speed of about dynamic random access memory (DRAM) and is attracting attention as a next-generation memory device because of its characteristic that data is preserved even when the power is turned off. have.

이러한 FeRAM은 디램과 거의 유사한 구조를 갖는 소자로서, 기억 소자로 강유전체 커패시터를 사용한다. 강유전체는 높은 잔류 분극 특성을 가지는데, 그 결과 전계를 제거하더라도 데이터가 지워지지 않는다. The FeRAM is a device having a structure almost similar to that of a DRAM, and uses a ferroelectric capacitor as a memory device. Ferroelectrics have a high residual polarization characteristic, and as a result, the data is not erased even when the electric field is removed.

도 1은 일반적인 RFID 장치의 전체 구성도이다.1 is an overall configuration diagram of a general RFID device.

종래 기술에 따른 RFID 장치는 크게 안테나부(1), 아날로그부(4), 디지털부(5) 및 메모리부(6)를 포함한다.The RFID device according to the prior art largely includes an antenna unit 1, an analog unit 4, a digital unit 5 and a memory unit 6.

여기서, 안테나부(1)는 외부의 RFID 리더로부터 송신된 무선 신호를 수신하는 역할을 한다. 안테나부(1)를 통해 수신된 무선 신호는 안테나 패드(2,3)를 통해 아날로그부(4)로 입력된다. Here, the antenna unit 1 serves to receive a radio signal transmitted from an external RFID reader. The wireless signal received through the antenna unit 1 is input to the analog unit 4 through the antenna pads 2 and 3.

아날로그부(4)는 입력된 무선 신호를 증폭하여, RFID 태그의 구동전압인 전원전압 VDD을 생성한다. 그리고, 입력된 무선 신호에서 동작 명령 신호를 검출하여 명령 신호 CMD를 디지털부(5)에 출력한다. 그 외에, 아날로그부(4)는 출력 전압 VDD을 감지하여 리셋 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋신호 POR와 클록신호 CLK를 디지털부(5)로 출력한다.The analog unit 4 amplifies the input radio signal to generate a power supply voltage VDD which is a driving voltage of the RFID tag. Then, the operation command signal is detected from the input radio signal, and the command signal CMD is output to the digital unit 5. In addition, the analog unit 4 senses the output voltage VDD and outputs a power-on reset signal POR and a clock signal CLK to the digital unit 5 for controlling the reset operation.

디지털부(5)는 아날로그부(4)로부터 전원전압 VDD, 파워 온 리셋신호 POR, 클록신호 CLK 및 명령 신호 CMD를 입력받아, 아날로그부(4)에 응답신호 RP를 출력한다. 또한, 디지털부(5)는 어드레스 ADD, 입/출력 데이터 I/O, 제어 신호 CTR 및 클록 신호 CLK을 메모리부(6)에 출력한다.The digital unit 5 receives the power supply voltage VDD, the power-on reset signal POR, the clock signal CLK, and the command signal CMD from the analog unit 4, and outputs a response signal RP to the analog unit 4. The digital unit 5 also outputs the address ADD, input / output data I / O, control signal CTR, and clock signal CLK to the memory unit 6.

또한, 메모리부(6)는 메모리 소자를 이용하여 데이터를 리드/라이트하고, 데이터를 저장한다.In addition, the memory unit 6 reads / writes data using a memory element and stores the data.

여기서, RFID 장치는 여러 대역의 주파수를 사용하는데, 주파수 대역에 따라 그 특성이 달라진다. 일반적으로 RFID 장치는 주파수 대역이 낮을수록 인식 속도가 느리고 짧은 거리에서 동작하며, 환경의 영향을 적게 받는다. 반대로, 주파수 대역이 높을수록 인식 속도가 빠르고 긴 거리에서 동작하며, 환경의 영향을 많이 받는다.Here, the RFID device uses a frequency of several bands, the characteristics of which vary depending on the frequency band. In general, the lower the frequency band, the slower the recognition speed, the RFID device operates in a short distance, and is less affected by the environment. On the contrary, the higher the frequency band, the faster the recognition speed and the longer the distance is affected by the environment.

이러한 RFID 태그가 정상적으로 동작하는지 여부를 테스트하는 가장 바람직한 방법은 다음과 같다. 개별적인 RFID 태그의 안테나 패드(2,3)를 통해 무선 신호를 인가하고, RFID 태그 내부의 디지털부(5)에 의해 무선 신호가 처리되어 생성된 응답 신호 RP를 변조하여 RFID 리더로 송신하고, RFID 리더에서 수신된 신호가 원하는 신호인지 여부를 확인하는 것이다. The most preferable method for testing whether the RFID tag is operating normally is as follows. Apply a radio signal through the antenna pad (2, 3) of the individual RFID tag, modulate the response signal RP generated by processing the radio signal by the digital unit 5 inside the RFID tag, and transmits to the RFID reader, RFID It is to check whether the signal received from the reader is the desired signal.

하지만, 웨이퍼당 수천 개 이상의 RFID 태그에 개별적으로 무선 신호를 인가하여 테스트하는 것은 비용이 많이 들고, 비효율적이라는 문제점이 있다.However, it is expensive and inefficient to test by individually applying radio signals to thousands or more RFID tags per wafer.

더욱이, RFID 장치가 웨이퍼 레벨인 상태에서는 안테나가 형성되지 않기 때문에 외부에서의 무선신호를 인가받을 수 없다. 이에 따라, RFID 장치가 웨이퍼 레벨인 상태에서는 RFID 리더에서부터 인가되는 무선 신호에 따라 RFID 태그가 정상적으로 동작하는지의 여부를 테스트할 수 있는 방법이 없다. Moreover, since the antenna is not formed in the state where the RFID device is at the wafer level, the radio signal from the outside cannot be applied. Accordingly, when the RFID device is at the wafer level, there is no method for testing whether the RFID tag operates normally according to a radio signal applied from the RFID reader.

한편, 저항변화 기억소자(ReRAM; Resistive random access memory device)는 외부 전압을 박막에 인가함으로써 물질의 전기 저항을 변화시켜 그 저항 차이를 온/오프로 이용하는 비휘발성 기억소자이다. On the other hand, a resistive random access memory device (ReRAM) is a nonvolatile memory device that changes an electrical resistance of a material by applying an external voltage to a thin film and uses the resistance difference on or off.

도 2 및 도 3은 종래의 ReRAM에서 저항 스위치 소자(RSD;Resistive Switch Device) 관한 단면 구조 및 동작 원리를 설명하기 위한 도면이다. 2 and 3 illustrate a cross-sectional structure and a principle of operation of a resistive switch device (RSD) in a conventional ReRAM.

RSD는 탑 전극(10)과 버텀 전극(12) 사이에 저항 스위치(11) 물질이 위치하는 구조를 갖는다. 여기서, 탑 전극(10)과 버텀 전극(12)은 금속(Pt) 물질로 형성되고, 저항 스위치(11) 물질은 TiOx 등의 저항 절연층으로 형성된다. The RSD has a structure in which a material of the resistance switch 11 is positioned between the top electrode 10 and the bottom electrode 12. Here, the top electrode 10 and the bottom electrode 12 are formed of a metal (Pt) material, and the resistance switch 11 material is formed of a resistive insulating layer such as TiOx.

이러한 구성을 갖는 ReRAM은 1960 년대부터 연구되어 왔다. 일반적으로 ReRAM(MEMRISTOR)은 전이금속산화물을 이용한 MIM(Metal Insulator Metal) 구조로 이루어진다. 이에 따라, 적당한 전기적 신호를 가하면 저항이 크며 전도가 되지 않는 상태(오프 상태)에서 저항이 작으며 전도가 가능한 상태(온 상태)로 바뀌는 메모리 특성이 나타난다. ReRAM having such a configuration has been studied since the 1960s. In general, ReRAM (MEMRISTOR) is composed of a metal insulator metal (MIM) structure using a transition metal oxide. Accordingly, the application of a suitable electrical signal results in a memory characteristic that changes from a large resistance and non-conduction state (off state) to a small resistance and conduction state (on state).

ReRAM은 온/오프 특성을 구현하는 전기적 방법에 따라 전류 제어 네가티브 차동 저항(Current Controlled Negative Differential Resistance) 또는 전압 제어 네가티브 차동 저항(Voltage Controlled Negative Differential Resistance)으로 구분될 수 있다. ReRAM may be classified into a current controlled negative differential resistance or a voltage controlled negative differential resistance according to an electrical method for implementing on / off characteristics.

그리고, ReRAM(MEMRISTOR) 특성을 나타내는 재료들은 몇 가지 종류로 분류될 수 있다. In addition, materials exhibiting ReRAM (MEMRISTOR) characteristics may be classified into several types.

첫 번째, 초거대 자기저항 물질(CMR; Colossal Magneto-Resistance), Pr1-xCaMnO3(PCMO) 등의 물질을 전극 사이에 삽입하여 전기장에 의한 저항 변화를 이용하는 경우이다. First, a case where a change in resistance due to an electric field is used by inserting a material such as a Colossal Magneto-Resistance (CMR) and Pr1-xCaMnO3 (PCMO) between the electrodes.

두 번째, Nb2O5, TiO2, Nio, Al2O3 등과 같은 이성분계 산화물을 비화학양론 조성을 갖게 제조하여 저항 변화 물질로 이용할 수 있다. Second, bicomponent oxides such as Nb 2 O 5, TiO 2, Nio, and Al 2 O 3 may be manufactured to have a nonstoichiometric composition and used as resistance change materials.

세 번째, 화합물(chalcogenide) 물질로 PRAM처럼 높은 전류를 흘려 상변화를 시키지 않고 비정질 구조를 유지하면서 오보닉 스위치(Ovonic Switch)의 문턱 전압의 변화로 인한 저항 차이를 이용할 수 있다. Third, the difference in resistance due to the change in the threshold voltage of the Ovonic Switch can be used while maintaining an amorphous structure without flowing a high current like a PRAM as a chalcogenide material.

네 번째, SrTiO3, SrZrO3 등의 물질에 크롬(Cr) 이나 니오비움(Nb) 등을 도핑하여 저항 상태를 바꾸는 방법이다. Fourth, a method of changing the resistance state by doping chromium (Cr) or niobium (Nb) to a material such as SrTiO3, SrZrO3.

마지막으로, GeSe 같은 고체 전해질에 이온 이동도가 큰 은(Ag) 등을 도핑하여 전기화학적 반응에 의한 매질 내 전도성 채널의 형성 유무에 따라 두 저항 상태를 만드는 PMC(Programmable Metallization Cell)이 있다. Finally, there is a Programmable Metallization Cell (PMC) that dopes a solid electrolyte such as GeSe with a large amount of ion mobility (Ag) to form two resistance states depending on whether conductive channels are formed in a medium by an electrochemical reaction.

그 외에 안정한 두 저항 상태 구현을 통한 메모리 특성이 있는 물질이나 공정 방법이 보고되어 지고 있다. In addition, materials and process methods with memory characteristics through the implementation of two stable resistance states have been reported.

본 발명은 다음과 같은 목적을 갖는다. The present invention has the following object.

첫째, RFID 장치에 있어서 저항 스위치 소자(RSD;Resistive Switch Device)를 이용한 저항변화 기억소자(ReRAM; Resistive random access memory device)를 포함하여 안정된 센싱 마진을 확보하고 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 하는데 그 목적이 있다. First, in order to secure stable sensing margin and improve reliability including a resistive random access memory device (ReRAM) using a resistive switch device (RSD) in an RFID device. have.

둘째, 웨이퍼 레벨에서 안테나로부터 인가되는 무선 신호를 이용하지 않고 테스트 패드를 통해 측정 신호를 직접 인가하여 RFID 태그 칩의 성능을 테스트할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다. Second, the purpose of the present invention is to test the performance of an RFID tag chip by directly applying a measurement signal through a test pad without using a wireless signal applied from an antenna at a wafer level.

셋째, RFID 장치의 웨이퍼 레벨에서 셀 어레이에 전기 초기화(Electroforming) 모드를 별도로 설정하여 전기 초기화 동작을 빠르고 효율적으로 수행할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다. Third, an object of the present invention is to set the electroforming mode separately in the cell array at the wafer level of the RFID device so that the electric initialization operation can be performed quickly and efficiently.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 RFID 장치는, 멤리스터 특성을 갖는 저항 스위치 소자를 포함하여 데이터의 리드 또는 라이트 동작이 이루어지는 메모리부를 포함하고, 웨이퍼 레벨에서 테스트 모드가 활성화되면 메모리부에 인가되는 전기 초기화 전압에 의해 저항 스위치 소자에 전기 초기화 동작이 수행되는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, an RFID device includes a memory unit configured to read or write data, including a resistance switch element having memristor characteristics, and is applied to the memory unit when the test mode is activated at the wafer level. An electrical initialization operation is performed on the resistance switch device by the electrical initialization voltage.

또한, 본 발명의 RFID 장치는, 외부로부터 인가되는 테스트 입력신호에 따라 테스트가 수행되고, 테스트 결과에 대응하는 테스트 출력 신호를 외부로 출력하는 태그 칩; 및 테스트 모드시 테스트 패드를 통해 외부로부터 인가되는 어드레스 및 데이터에 따라 태그 칩을 테스트하는 테스트 칩을 포함하고, 태그 칩은 멤리스터 특성을 갖는 저항 스위치 소자를 포함하여 데이터의 리드 또는 라이트 동작이 이루어지는 메모리부를 포함하여, 웨이퍼 레벨에서 테스트 모드가 활성화되면 메모리부에 인가되는 전기 초기화 전압에 의해 저항 스위치 소자에 전기 초기화 동작이 수행되는 것을 특징으로 한다. In addition, the RFID device of the present invention, the test is performed according to the test input signal applied from the outside, the tag chip for outputting a test output signal corresponding to the test result to the outside; And a test chip for testing the tag chip according to an address and data applied from the outside through the test pad in the test mode, wherein the tag chip includes a resistance switch element having memristor characteristics to perform read or write operation of data. Including the memory unit, when the test mode is activated at the wafer level, an electrical initialization operation is performed on the resistance switch element by an electrical initialization voltage applied to the memory unit.

본 발명은 다음과 같은 효과를 갖는다. The present invention has the following effects.

첫째, RFID 장치에 있어서 저항 스위치 소자(RSD;Resistive Switch Device)를 이용한 저항변화 기억소자(ReRAM; Resistive random access memory device)를 포함하여 안정된 센싱 마진을 확보하고 신뢰성을 향상시킬 수 있도록 한다. First, the RFID device includes a resistive random access memory device (ReRAM) using a resistive switch device (RSD) to secure stable sensing margin and improve reliability.

둘째, 웨이퍼 레벨에서 안테나로부터 인가되는 무선 신호를 이용하지 않고 테스트 패드를 통해 측정 신호를 직접 인가하여 RFID 태그 칩의 성능을 테스트함으로써 테스트 비용 및 패키지 관련 비용을 줄일 수 있도록 한다. Second, the test signal and package-related costs can be reduced by testing the performance of the RFID tag chip by directly applying the measurement signal through the test pad without using the radio signal applied from the antenna at the wafer level.

셋째, 본 발명은 RFID 장치의 웨이퍼 레벨에서 셀 어레이에 전기 초기화(Electroforming) 모드를 별도로 설정하여 전기 초기화 동작을 빠르고 효율적으로 수행할 수 있도록 하는 효과를 제공한다. Third, the present invention provides an effect of quickly and efficiently performing an electrical initialization operation by separately setting an electrical initialization mode in a cell array at the wafer level of an RFID device.

아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다. In addition, a preferred embodiment of the present invention is for the purpose of illustration, those skilled in the art will be able to various modifications, changes, substitutions and additions through the spirit and scope of the appended claims, such modifications and changes are the following claims It should be seen as belonging to a range.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따른 RFID 장치의 전체 구성도이다. 4 is an overall configuration diagram of an RFID device according to the present invention.

본 발명은 상술된 종래의 RFID 장치와 같이 안테나(1)로부터 인가되는 무선 신호를 입력받는 것이 아니라, 웨이퍼 레벨에서 테스트 패드를 통해 측정 신호를 직접 인가받아 RFID 태그 칩(Radio Frequency Identification Tag Chip)의 성능을 테스트할 수 있도록 한다. The present invention does not receive a radio signal applied from the antenna 1 like the conventional RFID device described above, but receives a measurement signal directly through a test pad at a wafer level, so that the RFID tag chip Allows you to test performance.

본 발명의 RFID 장치는 크게 아날로그부(100)와, 디지털부(200)와, 테스트 인터페이스부(300)와, 메모리부(400) 및 테스트 제어부(500)를 포함한다.The RFID device of the present invention largely includes an analog unit 100, a digital unit 200, a test interface unit 300, a memory unit 400, and a test control unit 500.

먼저, 아날로그부(100)는 전압 증폭부(110)와, 변조부(120)와, 복조부(130)와, 파워 온 리셋부(140)와, 클록 발생부(150)와, 테스트 입력 버퍼(160) 및 테스트 출력 구동부(170)를 포함한다. 여기서, 아날로그부(100)는 외부의 리더기와 무선신호(RF)를 송수신하기 위한 무선신호 송수신 수단에 해당한다. First, the analog unit 100 includes a voltage amplifier 110, a modulator 120, a demodulator 130, a power-on reset unit 140, a clock generator 150, and a test input buffer. 160 and a test output driver 170. Here, the analog unit 100 corresponds to a wireless signal transmission and reception means for transmitting and receiving a radio signal (RF) with an external reader.

여기서, 전압 증폭부(110)는 전원전압 인가 패드 P2로부터 인가되는 전원전압 VDD에 따라 RFID의 구동 전압을 생성한다.Here, the voltage amplifier 110 generates a driving voltage of the RFID according to the power supply voltage VDD applied from the power supply voltage applying pad P2.

그리고, 변조부(120)는 디지털부(200)로부터 입력되는 응답 신호 RP를 변조한다. 복조부(130)는 전원전압 인가패드 P2의 출력전압에 따라 동작 명령 신호 DEMOD를 생성하고, 생성된 동작 명령 신호 DEMOD를 테스트 입력 버퍼(160)로 출력한다.The modulator 120 modulates the response signal RP input from the digital unit 200. The demodulator 130 generates an operation command signal DEMOD according to the output voltage of the power supply voltage application pad P2, and outputs the generated operation command signal DEMOD to the test input buffer 160.

파워 온 리셋부(140)는 전원전압 인가 패드 P2로부터 인가되는 전압을 감지하여 리셋 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋 신호 POR를 디지털부(200)에 출력한다. 클록 발생부(150)는 전원전압 인가 패드 P2의 출력 전압에 따라 디지털부(200)의 동작을 제어하기 위한 클록 CLK을 디지털부(200)에 공급한다. The power on reset unit 140 detects a voltage applied from the power supply voltage applying pad P2 and outputs a power on reset signal POR for controlling the reset operation to the digital unit 200. The clock generator 150 supplies the clock CLK for controlling the operation of the digital unit 200 according to the output voltage of the power supply voltage application pad P2 to the digital unit 200.

여기서, 파워 온 리셋 신호 POR는 전원 전압이 로우 레벨에서 하이 레벨로 천이하는 동안 전원 전압과 같이 상승하다가, 전원이 전원 전압 레벨 VDD로 공급되는 순간 하이 레벨에서 로우 레벨로 천이하여 RFID 태그 내부의 회로를 리셋시키는 신호를 의미한다. Here, the power-on reset signal POR rises together with the power supply voltage while the power supply voltage transitions from the low level to the high level, and then transitions from the high level to the low level at the moment the power supply is supplied to the power supply voltage level VDD, thereby causing a circuit inside the RFID tag. Means a signal to reset.

테스트 입력 버퍼(160)는 테스트 신호 입력 패드 P4를 통해 입력되는 테스트 입력 신호 RXI와, 복조부(130)로부터 입력되는 동작 명령 신호 DEMOD 및 테스트 제어부(500)로부터 인가되는 테스트 활성화 신호 TSTEN에 따라 명령 신호 CMD를 디지털부(200)에 출력한다. The test input buffer 160 commands a command according to a test input signal RXI input through the test signal input pad P4, an operation command signal DEMOD input from the demodulator 130, and a test activation signal TSTEN applied from the test control unit 500. The signal CMD is output to the digital unit 200.

즉, 테스트 입력 버퍼(160)는 노말 동작 모드시 테스트 활성화 신호 TSTEN가 비활성화되면 복조부(130)로부터 인가되는 동작 명령신호 DEMOD에 따라 명령신호 CMD를 디지털부(200)에 공급한다. That is, the test input buffer 160 supplies the command signal CMD to the digital unit 200 according to the operation command signal DEMOD applied from the demodulator 130 when the test activation signal TSTEN is deactivated in the normal operation mode.

반면에, 테스트 입력 버퍼(160)는 테스트 동작 모드시 테스트 활성화 신호 TSTEN가 활성화되면 테스트 신호 입력 패드 P4로부터 인가되는 테스트 입력 신호 RXI에 따라 RFID를 테스트하기 위한 명령신호 CMD를 디지털부(200)에 공급한다. On the other hand, when the test activation signal TSTEN is activated in the test operation mode, the test input buffer 160 transmits a command signal CMD for testing RFID according to the test input signal RXI applied from the test signal input pad P4 to the digital unit 200. Supply.

또한, 테스트 출력 구동부(170)는 디지털부(200)로부터 입력되는 응답 신호 RP에 따라 테스트 출력 신호 TXO를 구동하여 RFID의 명령 처리 결과를 테스트 신호 출력 패드 P1를 통해 출력한다.In addition, the test output driver 170 drives the test output signal TXO according to the response signal RP input from the digital unit 200 to output the command processing result of the RFID through the test signal output pad P1.

여기서, 전압 증폭부(110), 변조부(120), 복조부(130), 파워 온 리셋부(140), 클록 발생부(150), 테스트 입력 버퍼(160) 및 테스트 출력 구동부(170)는 RFID의 성능을 테스트하기 위한 테스트 동작 모드시 외부의 전원전압 인가 패드 P2로부터 인가되는 전원전압 VDD 및 외부의 그라운드 전압 인가 패드 P3로부터 인가되는 그라운드 전압 GND에 의해 구동된다. Here, the voltage amplifier 110, the modulator 120, the demodulator 130, the power-on reset unit 140, the clock generator 150, the test input buffer 160 and the test output driver 170 are In the test operation mode for testing the performance of the RFID, it is driven by the power supply voltage VDD applied from the external power supply voltage application pad P2 and the ground voltage GND applied from the external ground voltage application pad P3.

즉, 전원전압 인가 패드 P2는 RFID 태그가 활성화되어 웨이퍼 상에서 복수 개의 RFID 태그를 테스트할 때 전원 전압 VDD이 인가되는 패드를 나타낸다. 그리고, 그라운드 전압 인가 패드 P3는 웨이퍼 상에서 복수 개의 RFID 태그를 테스트할 때 그라운드 전압 GND이 인가되는 패드를 나타낸다. That is, the power supply voltage applying pad P2 indicates a pad to which the power supply voltage VDD is applied when the RFID tag is activated to test a plurality of RFID tags on the wafer. The ground voltage applying pad P3 represents a pad to which the ground voltage GND is applied when the plurality of RFID tags are tested on the wafer.

RFID 태그가 RFID 리더와 통신을 하여 무선 신호를 수신하는 경우에는 전압 증폭부(110)가 전원 전압 VDD을 공급하지만, 본 발명에서는 웨이퍼 상에서 테스트를 수행하기 때문에 별도의 전원전압 인가 패드 P2 및 그라운드 전압 인가 패드 P3를 통해 전원전압 VDD 및 그라운드 전압 GND이 공급된다.When the RFID tag communicates with the RFID reader to receive a wireless signal, the voltage amplifier 110 supplies the power supply voltage VDD. However, in the present invention, since the test is performed on the wafer, a separate power supply voltage pad P2 and ground voltage are performed. The supply voltage VDD and the ground voltage GND are supplied through the application pad P3.

디지털부(200)는 아날로그부(100)로부터 전원 전압 VDD, 파워 온 리셋 신호 POR, 클록 CLK 및 명령 신호 CMD를 입력받아, 명령 신호 CMD를 해석하고 제어 신호 및 처리신호들을 생성한다. 그리고, 디지털부(200)는 제어 신호 및 처리신호들에 대응하는 응답 신호 RP를 아날로그부(100)로 출력한다.The digital unit 200 receives the power supply voltage VDD, the power-on reset signal POR, the clock CLK, and the command signal CMD from the analog unit 100 to interpret the command signal CMD and generate control signals and processing signals. The digital unit 200 outputs the response signal RP corresponding to the control signal and the processing signals to the analog unit 100.

또한, 디지털부(200)는 어드레스 DADD, 입력 데이터 DI, 칩 인에이블 신호 DCE, 라이트 인에이블 신호 DWE 및 출력 인에이블 신호 DOE를 테스트 인터페이스부(300)에 출력한다. 그리고, 디지털부(200)는 테스트 인터페이스부(300)로부터 출력 데이터 DO가 인가된다. In addition, the digital unit 200 outputs the address DADD, the input data DI, the chip enable signal DCE, the write enable signal DWE, and the output enable signal DOE to the test interface unit 300. The digital unit 200 receives the output data DO from the test interface unit 300.

또한, 테스트 인터페이스부(300)는 테스트 제어부(500)로부터 인가되는 테스트 활성화 신호 TSTEN에 따라 활성화된다. 테스트 인터페이스부(300)가 활성화되면, 외부로부터 입력되는 어드레스 XADD, 입력 데이터 XDI[0:1] 및 제어 신호 XCE,XWE,XOE,TACT에 따라 메모리부(400)를 테스트한다. In addition, the test interface unit 300 is activated according to the test activation signal TSTEN applied from the test control unit 500. When the test interface unit 300 is activated, the memory unit 400 is tested according to an address XADD, input data XDI [0: 1] and control signals XCE, XWE, XOE, and TACT input from the outside.

상술된 제어신호들 중 XCE는 칩 인에이블 신호를 나타낸다. 그리고, 제어신호들 중 XWE는 라이트 인에이블 신호를 나타내고, XOE는 출력 인에이블 신호를 나타내며, TACT는 테스트 동작 신호를 나타낸다. Among the control signals described above, XCE represents a chip enable signal. Among the control signals, XWE represents a write enable signal, XOE represents an output enable signal, and TACT represents a test operation signal.

여기서, 테스트 인터페이스부(300)는 테스트 패드 P5를 통해 입력된 어드레스 XADD, 데이터 입력 패드 P6에 의해 입력된 입력 데이터 XDI[0:1], 및 제어 신호 입력 패드 P8~P11를 통해 입력된 제어 신호 XCE,XWE,XOE,TACT에 따라 어드레스 ADD, 및 제어 신호 I,CE,WE,OE를 생성하여 메모리부(400)를 테스트한다. Here, the test interface unit 300 includes the address XADD input through the test pad P5, the input data XDI [0: 1] input by the data input pad P6, and the control signal input through the control signal input pads P8 to P11. The memory unit 400 is tested by generating an address ADD and control signals I, CE, WE, and OE according to XCE, XWE, XOE, and TACT.

그리고, 테스트 인터페이스부(300)는 제어 결과 신호 O를 입력받아 출력 데이터 XDO를 데이터 출력 패드 P7를 통해 외부로 출력한다. The test interface 300 receives the control result signal O and outputs the output data XDO to the outside through the data output pad P7.

한편, 테스트 인터페이스부(300)가 활성화되면, 디지털부(200)로부터 입력되는 어드레스 DADD 및 제어신호 DI,DCE,DWE,DOE에 따라 RFID 태그에 포함된 내부 회로, 즉 아날로그부(100), 디지털부(200) 및 메모리부(400)를 테스트한다. On the other hand, when the test interface 300 is activated, the internal circuit included in the RFID tag, that is, analog unit 100, digital according to the address DADD and control signals DI, DCE, DWE, DOE input from the digital unit 200. The unit 200 and the memory unit 400 are tested.

RFID 태그의 전체 동작을 테스트하기 위해 디지털부(200)는 테스트 입력 신호 RXI에 따라 생성된 명령 신호 CMD에 의해 어드레스 DADD 및 제어 신호 DI,DCE,DWE,DOE를 생성한다. To test the entire operation of the RFID tag, the digital unit 200 generates the address DADD and the control signals DI, DCE, DWE, and DOE by the command signal CMD generated according to the test input signal RXI.

테스트 인터페이스부(300)는 어드레스 DADD, 및 제어 신호 DI,DCE,DWE,DOE에 따라 어드레스 ADD, 및 제어 신호 I,CE,WE,OE를 생성하여 RFID 태그의 전체 동작을 테스트한다. 그리고, 테스트 인터페이스부(300)는 메모리부(400)로부터 테스트 결과인 제어 결과 신호 O를 입력받고 제어 결과 신호 DO를 생성한다. The test interface 300 generates the address ADD and the control signals I, CE, WE, and OE according to the address DADD and the control signals DI, DCE, DWE, and DOE to test the entire operation of the RFID tag. The test interface 300 receives a control result signal O, which is a test result, from the memory unit 400 and generates a control result signal DO.

그리고, 디지털부(200)는 제어 결과 신호 DO에 따라 응답신호 RP를 생성한다. 또한, 테스트 출력 구동부(170)는 응답신호 RP를 구동하여 테스트 신호 출력 패드 P1를 통해 출력한다. The digital unit 200 generates a response signal RP according to the control result signal DO. In addition, the test output driver 170 drives the response signal RP and outputs it through the test signal output pad P1.

메모리부(400)는 복수 개의 메모리 셀을 포함하고, 각각의 메모리 셀은 데이터를 저장 소자에 라이트하고, 저장 소자에 저장된 데이터를 리드하는 역할을 한다.The memory unit 400 includes a plurality of memory cells, each memory cell writes data to a storage element, and serves to read data stored in the storage element.

여기서, 메모리부(400)는 저항 스위치 소자(RSD;Resistive Switch Device)를 이용한 저항변화 기억소자(ReRAM; Resistive random access memory device)를 포함하여 멤리스터(MEMRISTOR) 특성을 갖는다. 저항변화 기억소자(ReRAM)는 외부 전압을 박막에 인가함으로써 물질의 전기 저항을 변화시켜 그 저항 차이를 온/오프로 이용하는 비휘발성 기억소자이다. Here, the memory unit 400 includes a resistive random access memory device (ReRAM) using a resistive switch device (RSD) and has a memristor characteristic. The resistance change memory device (ReRAM) is a nonvolatile memory device that changes an electrical resistance of a material by applying an external voltage to a thin film and uses the resistance difference on or off.

테스트 제어부(500)는 테스트 모드시 RFID 태그를 활성화시키기 위한 역할을 한다. 테스트 제어부(500)는 테스트 제어신호 TSTEP와, 테스트 클록 입력 패드 P12로부터 인가되는 테스트 클록 TCLK을 입력받는다. 그리고, 테스트 제어부(500)는 RFID 태그의 활성화 여부를 제어하는 테스트 활성화 신호 TSTEN를 테스트 입력 버퍼(160)와 테스트 인터페이스부(300)에 출력한다. The test control unit 500 serves to activate the RFID tag in the test mode. The test control unit 500 receives a test control signal TSTEP and a test clock TCLK applied from the test clock input pad P12. The test controller 500 outputs a test activation signal TSTEN for controlling whether the RFID tag is activated to the test input buffer 160 and the test interface unit 300.

이상에서와 같이, 본 발명은 테스트 모드시 테스트 활성화 신호 TSTEN가 활성화되면, RFID 장치의 테스트 결과를 테스트 신호 출력 패드 P1를 통해 출력하거나, 데이터 출력 패드 P7를 통해 외부로 출력한다. As described above, when the test activation signal TSTEN is activated in the test mode, the present invention outputs a test result of the RFID device through the test signal output pad P1 or externally through the data output pad P7.

즉, RFID 장치의 전체 동작을 테스트할 경우, 테스트 신호 입력 패드 P4를 통해 입력되는 테스트 입력 신호 RXI가 디지털부(200), 테스트 인터페이스부(300) 및 메모리부(400)에 전달되고, 다시 테스트 인터페이스부(300), 디지털부(200) 테스트 출력 구동부(170)를 거쳐 테스트 출력 패드 P1를 통해 출력된다. 그러면, 외부 테스트 장비는 테스트 신호 출력 패드 P1의 출력을 측정하여 RFID 장치의 전체 동작을 테스트하게 된다. That is, when testing the entire operation of the RFID device, the test input signal RXI input through the test signal input pad P4 is transmitted to the digital unit 200, the test interface unit 300, and the memory unit 400, and the test is performed again. The interface unit 300 and the digital unit 200 are output through the test output pad P1 via the test output driver 170. Then, the external test equipment measures the output of the test signal output pad P1 to test the entire operation of the RFID device.

반면에, RFID 장치의 메모리부(400) 만 테스트할 경우, 테스트 패드 P5를 통해 입력되는 어드레스 XADD가 테스트 인터페이스부(300)를 거쳐 메모리부(400)에 전달되고, 다시 테스트 인터페이스부(300)를 거쳐 데이터 출력 패드 P7를 통해 출력된다. 그러면, 외부 테스트 장비는 데이터 출력 패드 P7의 출력을 측정하여 메모리부(400)의 동작을 테스트하게 된다. On the other hand, when only testing the memory unit 400 of the RFID device, the address XADD input through the test pad P5 is transferred to the memory unit 400 via the test interface unit 300, and again the test interface unit 300. Is output via the data output pad P7. Then, the external test equipment measures the output of the data output pad P7 to test the operation of the memory unit 400.

이상에서와 같이, 본 발명에 따른 RFID 장치에 있어서, 태그 칩을 테스트하는 방법은 테스트 입력 신호 RXI와 테스트 출력 신호 TXO를 이용하는 방법과, 테스트 인터페이스부(300)를 이용하는 방법이 있다. As described above, in the RFID device according to the present invention, a method of testing a tag chip includes a method using a test input signal RXI and a test output signal TXO, and a method using a test interface unit 300.

도 5는 본 발명에 따른 RFID 장치의 웨이퍼 상에서 테스트 칩 및 태그 칩의 배치 형태를 나타낸 도면이다. 5 is a view showing the arrangement of the test chip and the tag chip on the wafer of the RFID device according to the present invention.

본 발명은 하나의 웨이퍼 상에 로오(ROW)와 컬럼(Column) 방향으로 복수개의 태그 칩이 형성되어 태그 칩 어레이를 이룬다. 각각의 태그 칩 어레이는 복수 개의 태그 칩을 포함한다. 즉, 태그 칩 어레이는 복수 개의 태그 칩을 스크라이브 라인(Scribe lane)을 이용하여 서로 연결한 RFID 태그 칩들의 집합을 의미한다.The present invention forms a tag chip array by forming a plurality of tag chips in a row and column direction on one wafer. Each tag chip array includes a plurality of tag chips. That is, the tag chip array refers to a set of RFID tag chips in which a plurality of tag chips are connected to each other using a scribe line.

그리고, 하나의 태그 칩 어레이는 하나의 테스트 칩과, 복수개의 태그 칩을 포함한다. 여기서, 태그 칩 어레이 상의 중심 위치에 한 개의 테스트 칩을 배치하게 된다. 이러한 한 개의 테스트 칩이, 해당 태그 칩 어레이 상에 배치된 모든 태그 칩들을 테스트하게 된다. 상술된 도 4에서 각각의 패드 P1~P12 들은 테스트 칩에 포함된다. One tag chip array includes one test chip and a plurality of tag chips. Here, one test chip is placed at a center position on the tag chip array. One such test chip will test all tag chips placed on the tag chip array. In FIG. 4 described above, each of the pads P1 to P12 is included in the test chip.

본 발명의 명칭에서 정의된 "RFID 장치"는 웨이퍼 레벨에서 테스트 칩과 복수개의 태그 칩을 모두 포함하는 개념이다. The "RFID device" defined in the name of the present invention is a concept including both a test chip and a plurality of tag chips at the wafer level.

본 발명에 따른 태그 칩 어레이는 하나의 테스트 칩과 복수 개의 태그 칩을 포함한다.The tag chip array according to the present invention includes one test chip and a plurality of tag chips.

본 발명의 태그 칩들과 테스트 칩은 테스트 명령 및 테스트 결과를 나타내는 입/출력 신호를 태그 칩 사이에 형성된 스크라이브 라인 영역을 통해 상호 교환하도록 한다. 즉, 테스트 칩과 복수개의 태그 칩들은 X 및 Y 축 방향으로 배열된 복수개의 스크라이브 라인에 의해 서로 연결된다. The tag chips and the test chip of the present invention allow input / output signals representing test commands and test results to be interchanged through scribe line regions formed between the tag chips. That is, the test chip and the plurality of tag chips are connected to each other by a plurality of scribe lines arranged in the X and Y axis directions.

이에 따라, 외부로부터 공급된 전원 전압 VDD, 그라운드 전압 GND, 제어신 호, 어드레스 및 데이터는 X 및 Y축 방향으로 배열된 복수 개의 스크라이브 라인을 거쳐, 태그 칩의 입/출력 패드를 통해 태그 칩 내부 회로로 공급된다. Accordingly, the power supply voltage VDD, the ground voltage GND, the control signal, the address, and the data supplied from the outside pass through a plurality of scribe lines arranged in the X and Y-axis directions, and the inside of the tag chip through the input / output pad of the tag chip. Supplied to the circuit.

그리고, 태그 칩에서 생성된 테스트 출력 신호 TXO, 제어 결과 신호 등은 태그 칩 내부 회로로부터 입/출력 패드를 통해 X 및 Y축 방향으로 배열된 복수 개의 스크라이브 라인을 거쳐 외부로 출력된다.The test output signal TXO and the control result signal generated by the tag chip are output to the outside from the tag chip internal circuit through a plurality of scribe lines arranged in the X and Y axis directions through input / output pads.

여기서, 태그 칩 어레이를 테스트하기 위해서는 먼저 테스트 칩을 초기화한다. 테스트 칩을 초기화하는 방법은 여러 가지 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 입/출력 패드를 통해 전원 전압 VDD이 공급되기 시작하면 테스트 칩이 초기화되도록 설정할 수 있다.Here, in order to test the tag chip array, the test chip is initialized first. Various methods may be used to initialize the test chip. For example, the test chip can be set to initialize when the supply voltage VDD begins to supply through the input / output pads.

도 6은 멤리스터(MEMRISTOR)의 특성을 설명하기 위한 도면이다. 6 is a view for explaining the characteristics of the memristor (MEMRISTOR).

레지스터(resistor), 커패시터 (capacitor), 인덕터 (inductor)에 이어 4번째 전자회로 구성요소라 불리는 멤리스터(MEMRISTOR)는 메모리 저항(Memory resistor) 또는 저항성 메모리를 줄여서 붙인 이름이다. The fourth electronic circuit component, followed by resistors, capacitors, and inductors, is called MEMRISTOR, short for memory resistor or resistive memory.

이러한 멤리스터(MEMRISTOR)가 다른 회로 요소와 가장 큰 차이점은 이전의 정보에 대한 자료를 비휘발성으로 저장할 수 있다는 것이다. 즉, 멤리스터(MEMRISTOR)는 전류의 흐름에 따라 저항값이 변하는데, 변화된 저항값이 그대로 유지되는 특성을 갖는다. The main difference between these memristors and other circuit elements is that they can store non-volatile data about previous information. That is, the memristor (MEMRISTOR), the resistance value changes with the flow of current, it has the characteristic that the changed resistance value is maintained as it is.

저항변화 기억소자(ReRAM)는 제 1전극, 전이금속산화막 및 제 2전극이 차례로 적층 된 구조를 갖는다. The resistance change memory device (ReRAM) has a structure in which a first electrode, a transition metal oxide film, and a second electrode are sequentially stacked.

이에 따라, (D)에서와 같이, 전압(Voltage)이 양의 방향으로 증가하면 전류 가 일정 기울기로 상승하게 된다. 그리고, 전압이 임계 전압 이상이 되면, 전류(Current)가 급격히 상승하는 특성을 나타낸다. Accordingly, as in (D), when the voltage (Voltage) increases in the positive direction, the current rises with a constant slope. When the voltage becomes higher than or equal to the threshold voltage, the current is rapidly increased.

이후에, 전압이 감소하면 전류가 일정한 기울기로 하강하게 된다. 그리고, 전압이 음의 방향으로 감소하면 전류가 일정 기울기로 감소하게 된다. 그리고, 전압이 임계 전압 이하가 되면, 전류가 급격히 상승하는 특성을 나타낸다. 이후에, 전압이 다시 증가하면 전류가 일정한 기울기로 상승하게 된다. Subsequently, as the voltage decreases, the current drops to a constant slope. If the voltage decreases in the negative direction, the current decreases with a constant slope. And when the voltage becomes below the threshold voltage, the current will rise rapidly. Thereafter, as the voltage increases again, the current rises with a constant slope.

즉, 저항변화 기억소자(ReRAM)는 전이금속산화막에 의해 멤리스터(MEMRISTOR) 특성을 갖게 되는데, 전압에 따라 전류가 급격히 증가하고 감소하게 되는 특성을 반복하게 된다. That is, the resistance change memory device (ReRAM) has a memristor characteristic by the transition metal oxide film, and the characteristic that the current rapidly increases and decreases with voltage is repeated.

도 7은 본 발명에 따른 RFID 장치의 웨이퍼 레벨에서 메모리부(ReRAM;400)에 전기 초기화(Electroforming) 동작을 수행하기 위한 방법을 설명하기 위한 도면이다. FIG. 7 is a diagram for describing a method for performing an electroforming operation on a memory unit (ReRAM) 400 at a wafer level of an RFID device according to the present invention.

메모리부(ReRAM;400)의 셀에 전기 초기화 동작을 수행하기 위해서는 높은 전압과 큰 전류 및 긴 동작시간을 필요로 한다. 따라서, RFID 장치가 태그(Tag) 인 상태에서는 무선 주파수 전원(RF Power)의 공급 한계(Limit)에 의해 빠르고 효율적으로 전기 초기화 동작을 수행하기가 어렵다. In order to perform an electrical initialization operation on a cell of the memory unit RERAM 400, a high voltage, a large current, and a long operation time are required. Therefore, when the RFID device is in a tag, it is difficult to perform an electrical initialization operation quickly and efficiently due to a supply limit of RF power.

이에 따라, 본 발명에서는 웨이퍼 레벨(Wafer level)에서 테스트 모드의 활성화시에 전기 초기화 모드를 별도로 형성하여 전기 초기화 동작을 수행하게 된다. 그러면, 높은 전압, 큰 전류 및 동작시간의 제한 없이 빠르고 효율적으로 전기 초기화 동작을 수행할 수 있게 된다. Accordingly, in the present invention, when the test mode is activated at the wafer level, an electrical initialization mode is separately formed to perform the electrical initialization operation. Then, the electrical initialization operation can be performed quickly and efficiently without limiting the high voltage, the large current and the operation time.

여기서, 전기 초기화 동작은 저항 스위치 소자(RSD)에 전기(고전압)를 인가하여 물질의 성질을 변경함으로써 초기의 세트(Set) 상태로 변경하기 위한 동작을 의미한다. Here, the electrical initialization operation refers to an operation for changing to an initial set state by applying electricity (high voltage) to the resistance switch element RSD and changing a property of a material.

즉, RFID 장치의 초기 조건에서 저항 스위치 소자(RSD)를 포함하는 메모리부(ReRAM;400)을 사용하기 위해서는 전기 초기화 동작이 필요하게 된다. 이에 따라, 본원발명은 RFID 장치의 웨이퍼 레벨에서 전기적 조건을 변경하여 저항 스위치 소자(RSD)의 재료 구조가 바뀌도록 하는 전기 초기화 동작을 수행하게 된다. That is, in order to use the memory unit ReRAM 400 including the resistance switch element RSD under an initial condition of the RFID device, an electrical initialization operation is required. Accordingly, the present invention performs an electrical initialization operation to change the material structure of the resistance switch element (RSD) by changing the electrical conditions at the wafer level of the RFID device.

먼저, 웨이퍼 레벨에서 테스트 모드가 활성화된다.(단계 S1) 그러면, 메모리부(400)의 셀에 전기 초기화(Electroforming) 모드가 활성화되어, 전기 초기화 동작을 수행하기 위한 칩이 선택된다.(단계 S2)First, the test mode is activated at the wafer level. (Step S1) Then, the electroforming mode is activated in the cell of the memory unit 400, and the chip for performing the electric initialization operation is selected. )

이후에, 메모리부(400)에서 전기 초기화 모드를 수행하게 될 셀 그룹(Group)을 선택하게 된다.(단계 S3) 여기서, 전기 초기화 모드가 수행되는 셀 그룹은 동일한 워드라인(WL)과 연결된 복수개의 셀로 설정되는 것이 바람직하다. 하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니며, 동시에 처리할 수 있는 전원의 양을 고려하여 셀 그룹이 정해질 수도 있고, 한번에 구동할 수 있는 드라이버의 구동 능력에 따라 셀 그룹을 구분할 수도 있다. Thereafter, the memory unit 400 selects a cell group to perform the electrical initialization mode (step S3). Here, a plurality of cell groups in which the electrical initialization mode is performed are connected to the same word line WL. It is preferable to set the number of cells. However, the present invention is not limited thereto, and the cell group may be determined in consideration of the amount of power that can be processed simultaneously, or the cell group may be divided according to the driving capability of the driver that can be driven at one time.

이어서, 선택된 셀 그룹에 대해 전기 초기화 동작을 수행하게 된다.(단계 S4) 이후에, 모든 셀 그룹에 대해 전기 초기화 동작을 수행하였는지의 여부를 판단한다.(단계 S5) Subsequently, an electrical initialization operation is performed on the selected cell group. (Step S4) After that, it is determined whether the electrical initialization operation has been performed on all cell groups. (Step S5).

만약, 모든 셀 그룹에 대해 전기 초기화 동작을 수행하였을 경우 동작을 종 료하게 된다. 반면에, 모든 셀 그룹에 대해 전기 초기화 동작이 수행되지 않고 아직 수행해야 할 셀 그룹이 남아있는 경우, 전기 초기화 모드를 수행하기 위한 다음 셀 그룹을 선택하여 전기 초기화 전압을 공급함으로써 전기 초기화 동작을 수행하게 된다.(단계 S6)If the electrical initialization operation is performed for all cell groups, the operation ends. On the other hand, if the electric initialization operation is not performed for all cell groups and there is still a cell group to be performed, the electric initialization operation is performed by supplying an electric initialization voltage by selecting the next cell group to perform the electric initialization mode. (Step S6)

도 8은 도 4의 메모리부(400)에서 멤리스터(MEMRISTOR) 특성을 갖는 저항변화 기억소자(ReRAM)에 관한 상세 회로도이다. FIG. 8 is a detailed circuit diagram illustrating a resistance change memory device (RERAM) having memristor characteristics in the memory unit 400 of FIG. 4.

도 8에서는 저항 변화 기억소자(ReRAM)의 단위 셀이 1T(Transistor)1R(Resistor) 구조의 셀 C로 이루어진 경우를 그 실시예로 설명하고자 한다. In FIG. 8, a case in which a unit cell of a resistance change memory device (ReRAM) is formed of a cell C having a 1T (Transistor) 1R (Resistor) structure will be described as an example.

본 발명은 복수개의 워드라인 WL0,WL1과 복수개의 플레이트 라인 PL0,PL1이 로오 방향으로 배열된다. 여기서, 복수개의 워드라인 WL0,WL1과, 복수개의 플레이트 라인 PL0,PL1은 별도의 어드레스를 입력받아 하나의 워드라인 WL, 하나의 플레이트 라인 PL이 선택된다. 그리고, 복수개의 비트라인 BL0~BL3은 컬럼 방향으로 배열된다. In the present invention, a plurality of word lines WL0, WL1 and a plurality of plate lines PL0, PL1 are arranged in the row direction. Here, a plurality of word lines WL0 and WL1 and a plurality of plate lines PL0 and PL1 receive different addresses to select one word line WL and one plate line PL. The plurality of bit lines BL0 to BL3 are arranged in the column direction.

또한, 복수개의 워드라인 WL0,WL1, 복수개의 플레이트 라인 PL0,PL1 및 복수개의 비트라인 BL0~BL3이 교차하는 영역에 셀 C이 형성된다. 여기서, 셀 C은 1T1R 구조를 갖는 저항변화 기억소자(ReRAM; Resistive random access memory device)를 포함한다. Further, the cell C is formed in an area where the plurality of word lines WL0 and WL1, the plurality of plate lines PL0 and PL1 and the plurality of bit lines BL0 to BL3 cross each other. Here, the cell C includes a resistive random access memory device (ReRAM) having a 1T1R structure.

셀 C은 스위칭 소자 T와 저항 스위치 소자 RSD를 포함한다. 스위칭 소자 T는 비트라인 BL0과 저항 스위치 소자 RSD 사이에 연결되어 게이트 단자가 워드라인 WL0과 연결된다. 여기서, 스위칭 소자 T는 NMOS트랜지스터로 이루어지는 것이 바람직하다. 그리고, 저항 스위치 소자 RSD는 스위칭 소자 T와 플레이트 라인 PL 사이에 연결된다. The cell C includes a switching element T and a resistance switch element RSD. The switching element T is connected between the bit line BL0 and the resistance switch element RSD so that the gate terminal is connected to the word line WL0. Here, it is preferable that the switching element T consists of an NMOS transistor. Then, the resistive switch element RSD is connected between the switching element T and the plate line PL.

그리고, 각각의 비트라인 BL0~BL3은 라이트 구동부 WD 및 센스앰프 SA와 연결된다. 이에 따라, 센스앰프 SA는 리드 동작 모드시 비트라인 BL0~BL3을 통해 인가되는 센싱 전압을 센싱 및 증폭하게 된다. 그리고, 라이트 구동부 WD는 전기 초기화 모드가 활성화되면 비트라인 BL0~BL3에 전기 초기화 전압(Vform)을 공급하게 된다.Each of the bit lines BL0 to BL3 is connected to the write driver WD and the sense amplifier SA. Accordingly, the sense amplifier SA senses and amplifies a sensing voltage applied through the bit lines BL0 to BL3 in the read operation mode. When the electrical initialization mode is activated, the write driver WD supplies the electrical initialization voltage Vform to the bit lines BL0 to BL3.

그리고, 각각의 플레이트 라인 PL0~PL1은 플레이트 라인 구동부 PD와 연결된다. 이에 따라, 플레이트 라인 구동부 PD는 전기 초기화 모드가 활성화되면 플레이트 라인 PL0~PL1에 전기 초기화 전압(Vform)을 공급하게 된다. Each plate line PL0 to PL1 is connected to the plate line driver PD. Accordingly, the plate line driver PD supplies the electrical initialization voltage Vform to the plate lines PL0 to PL1 when the electrical initialization mode is activated.

도 9는 이러한 구성을 갖는 메모리부(400)의 셀 C에 전기 초기화 동작을 수행하기 위한 파형도를 나타낸다. 9 shows a waveform diagram for performing an electrical initialization operation on cell C of the memory unit 400 having such a configuration.

먼저, 워드라인 WL이 그라운드 전압 GND 레벨에서 하이 전압 레벨로 천이하게 된다. 그러면, 셀 C의 스위칭 소자 T가 턴 온 되어 비트라인 BL과 저항 스위치 소자 RSD가 연결된다. First, the word line WL transitions from the ground voltage GND level to the high voltage level. Then, the switching element T of the cell C is turned on to connect the bit line BL and the resistance switch element RSD.

그리고, 비트라인 BL이 그라운드 전압 GND 레벨에서 전기 초기화 전압 Vform 레벨로 천이하게 된다. 여기서, 비트라인 BL에 인가되는 전기 초기화 전압 Vform은 라이트 구동부 WD에서 공급되는 것이 바람직하다. Then, the bit line BL transitions from the ground voltage GND level to the electrical initialization voltage Vform level. Here, the electrical initialization voltage Vform applied to the bit line BL is preferably supplied from the write driver WD.

그러면, 저항 스위치 소자 RSD에 전기 초기화 모드가 설정된다. 이때, 플레 이트 라인 PL은 그라운드 전압 GND 레벨을 그대로 유지하게 되어 멤리스터(MEMRISTOR) 특성이 형성되도록 한다. 즉, 비트라인 BL으로부터 플레이트 라인 PL 쪽으로 전류가 흐르게 되어 저항 스위치 소자 RSD의 데이터가 초기화 된다. Then, the electrical initialization mode is set in the resistance switch element RSD. At this time, the plate line PL maintains the ground voltage GND level as it is so that the memristor characteristic is formed. In other words, current flows from the bit line BL toward the plate line PL to initialize the data of the resistance switch element RSD.

도 10은 메모리부(400)의 셀 C에 전기 초기화 동작을 수행하기 위한 다른 실시예이다. 10 is another embodiment for performing an electrical initialization operation on cell C of the memory unit 400.

먼저, 워드라인 WL이 그라운드 전압 GND 레벨에서 하이 전압 레벨로 천이하게 된다. 그러면, 셀 C의 스위칭 소자 T가 턴 온 되어 비트라인 BL과 저항 스위치 소자 RSD가 연결된다. First, the word line WL transitions from the ground voltage GND level to the high voltage level. Then, the switching element T of the cell C is turned on to connect the bit line BL and the resistance switch element RSD.

그리고, 플레이트 라인 PL이 그라운드 전압 GND 레벨에서 전기 초기화 전압 Vform 레벨로 천이하게 된다. 여기서, 플레이트 라인 PL에 인가되는 전기 초기화 전압 Vform은 플레이트 라인 구동부 PD에서 공급되는 것이 바람직하다. Then, the plate line PL transitions from the ground voltage GND level to the electrical initialization voltage Vform level. Here, the electrical initialization voltage Vform applied to the plate line PL is preferably supplied from the plate line driver PD.

그러면, 저항 스위치 소자 RSD에 전기 초기화 모드가 설정된다. 이때, 비트라인 BL은 그라운드 전압 GND 레벨을 그대로 유지하게 되어 멤리스터(MEMRISTOR) 특성이 형성되도록 한다. 즉, 플레이트 라인 PL으로부터 비트라인 BL 쪽으로 전류가 흐르게 되어 저항 스위치 소자 RSD의 데이터가 초기화된다. Then, the electrical initialization mode is set in the resistance switch element RSD. At this time, the bit line BL maintains the ground voltage GND level so that a memristor characteristic is formed. In other words, current flows from the plate line PL toward the bit line BL to initialize the data of the resistance switch element RSD.

도 1은 종래의 RFID 장치에 관한 구성도. 1 is a block diagram of a conventional RFID device.

도 2 및 도 3은 종래의 저항 스위치 소자를 설명하기 위한 도면. 2 and 3 are diagrams for explaining a conventional resistance switch element.

도 4는 본 발명에 따른 RFID 장치의 구성도. 4 is a block diagram of an RFID device according to the present invention.

도 5는 본 발명의 구성을 설명하기 위한 도면. 5 is a view for explaining the configuration of the present invention.

도 6은 멤리스터(MEMRISTOR)의 특성을 설명하기 위한 도면. 6 is a view for explaining the characteristics of the memristor (MEMRISTOR).

도 7은 본 발명의 동작을 설명하기 위한 플로우 챠트. 7 is a flow chart for explaining the operation of the present invention.

도 8은 도 5의 메모리부에 관한 상세 회로도. FIG. 8 is a detailed circuit diagram of the memory unit of FIG. 5. FIG.

도 9 및 도 10은 본 발명에서 전기 초기화 동작을 설명하기 위한 파형도. 9 and 10 are waveform diagrams for explaining the electrical initialization operation in the present invention.

Claims (19)

멤리스터 특성을 갖는 저항 스위치 소자를 포함하여 데이터의 리드 또는 라이트 동작이 이루어지는 메모리부를 포함하고, A memory unit including a resistance switch element having memristor characteristics to perform a read or write operation of data; 웨이퍼 레벨에서 테스트 모드가 활성화되면 상기 메모리부에 인가되는 전기 초기화 전압에 의해 상기 저항 스위치 소자에 전기 초기화(Electroforming) 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. And when the test mode is activated at the wafer level, an electroforming operation is performed on the resistor switch element by an electric initialization voltage applied to the memory unit. 제 1항에 있어서, 상기 메모리부의 비트라인에 상기 전기 초기화 전압을 인가하는 라이트 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. The RFID device of claim 1, further comprising a write driver configured to apply the electrical initialization voltage to the bit line of the memory unit. 제 1항에 있어서, 상기 메모리부의 플레이트 라인에 상기 전기 초기화 전압을 인가하는 플레이트 라인 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. The RFID device of claim 1, further comprising a plate line driver configured to apply the electrical initialization voltage to the plate line of the memory unit. 제 1항에 있어서, 상기 메모리부는 The method of claim 1, wherein the memory unit 상기 저항 스위치 소자를 포함하는 한 개의 셀이 비트라인과 연결되어 하나의 단위 셀을 이루는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. An RFID device comprising one cell including the resistance switch element connected to a bit line to form one unit cell. 제 4항에 있어서, 상기 단위 셀은 The method of claim 4, wherein the unit cell 상기 비트라인과, 워드라인 및 플레이트 라인이 교차하는 영역에 형성된 것 을 특징으로 하는 RFID 장치. And a bit line, a word line, and a plate line intersecting each other. 제 5항에 있어서, 상기 단위 셀은 The method of claim 5, wherein the unit cell 상기 비트라인과 연결되어 상기 워드라인에 의해 제어되는 스위칭 소자; 및 A switching element connected to the bit line and controlled by the word line; And 상기 스위칭 소자와 상기 플레이트 라인 사이에 연결된 상기 저항 스위치 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. And the resistance switch element connected between the switching element and the plate line. 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 메모리부는 The memory unit of claim 1 or 4, wherein the memory unit 상기 테스트 모드시 워드라인이 활성화된 상태에서 비트라인에 상기 전기 초기화 전압이 인가되고 플레이트 라인에 그라운드 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. And the electrical initialization voltage is applied to the bit line and the ground voltage is applied to the plate line while the word line is activated in the test mode. 제 1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 메모리부는 The memory unit of claim 1 or 4, wherein the memory unit 상기 테스트 모드시 워드라인이 활성화된 상태에서 플레이트 라인에 상기 전기 초기화 전압이 인가되고 비트라인에 그라운드 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. And the electrical initialization voltage is applied to the plate line and the ground voltage is applied to the bit line while the word line is activated in the test mode. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 외부의 리더기와 무선신호를 송수신하는 무선신호 송수신 수단; Wireless signal transmission and reception means for transmitting and receiving wireless signals with an external reader; 외부로부터 인가되는 테스트 입력신호에 따라 명령신호에 대응하는 제어신호 를 출력하는 디지털부; 및 A digital unit for outputting a control signal corresponding to the command signal according to a test input signal applied from the outside; And 상기 테스트 모드시 상기 제어신호 또는 외부로부터 인가되는 내부 제어신호들에 따라 상기 메모리부의 테스트 동작을 제어하는 테스트 인터페이스부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치.And a test interface unit configured to control a test operation of the memory unit according to the control signal or internal control signals applied from the outside in the test mode. 제 9항에 있어서, 외부로부터 인가되는 테스트 동작 신호와 테스트 클록에 따라 상기 테스트 모드를 활성화시키는 테스트 활성화 신호를 생성하는 테스트 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. The RFID device of claim 9, further comprising a test controller configured to generate a test activation signal for activating the test mode according to a test operation signal and a test clock applied from the outside. 외부로부터 인가되는 테스트 입력신호에 따라 테스트가 수행되고, 테스트 결과에 대응하는 테스트 출력 신호를 외부로 출력하는 태그 칩; 및 A tag chip configured to perform a test according to a test input signal applied from the outside and output a test output signal corresponding to the test result to the outside; And 테스트 모드시 테스트 패드를 통해 외부로부터 인가되는 어드레스 및 데이터에 따라 상기 태그 칩을 테스트하는 테스트 칩을 포함하고, A test chip for testing the tag chip in accordance with the address and data applied from the outside through a test pad in a test mode, 상기 태그 칩은 멤리스터 특성을 갖는 저항 스위치 소자를 포함하여 데이터의 리드 또는 라이트 동작이 이루어지는 메모리부를 포함하여, 웨이퍼 레벨에서 테스트 모드가 활성화되면 상기 메모리부에 인가되는 전기 초기화 전압에 의해 상기 저항 스위치 소자에 전기 초기화 동작이 수행되는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. The tag chip includes a memory unit in which a read or write operation of data is performed by including a resistor switch element having memristor characteristics. When the test mode is activated at a wafer level, the tag chip is electrically resistive by an electrical initialization voltage applied to the memory unit. RFID device, characterized in that the electrical initialization operation is performed on the device. 제 11항에 있어서, 상기 태그 칩은 컬럼 및 로오 방향으로 복수개 배열되어 태그 칩 어레이를 이루며, 상기 태그 칩 어레이는 상기 테스트 칩에 의해 테스트 동작이 제어되는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. 12. The RFID device of claim 11, wherein the tag chips are arranged in a plurality of column and row directions to form a tag chip array, and the tag chip array is controlled by the test chip. 제 11항에 있어서, 상기 메모리부의 비트라인에 상기 전기 초기화 전압을 인가하는 라이트 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. The RFID device of claim 11, further comprising a write driver configured to apply the electrical initialization voltage to the bit line of the memory unit. 제 11항에 있어서, 상기 메모리부의 플레이트 라인에 상기 전기 초기화 전압을 인가하는 플레이트 라인 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. The RFID apparatus of claim 11, further comprising a plate line driver configured to apply the electrical initialization voltage to the plate line of the memory unit. 제 11항에 있어서, 상기 메모리부는 The method of claim 11, wherein the memory unit 상기 저항 스위치 소자를 포함하는 한 개의 셀이 비트라인과 연결되어 하나의 단위 셀을 이루는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. An RFID device comprising one cell including the resistance switch element connected to a bit line to form one unit cell. 제 15항에 있어서, 상기 단위 셀은 The method of claim 15, wherein the unit cell 상기 비트라인과, 워드라인 및 플레이트 라인이 교차하는 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 RFID 장치. And a bit line, a word line, and a plate line intersect each other. 제 16항에 있어서, 상기 단위 셀은 The method of claim 16, wherein the unit cell 상기 비트라인과 연결되어 상기 워드라인에 의해 제어되는 스위칭 소자; 및 A switching element connected to the bit line and controlled by the word line; And 상기 스위칭 소자와 상기 플레이트 라인 사이에 연결된 상기 저항 스위치 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. And the resistance switch element connected between the switching element and the plate line. 제 11항 또는 제 15항에 있어서, 상기 메모리부는 The memory of claim 11 or 15, wherein the memory unit 상기 테스트 모드시 워드라인이 활성화된 상태에서 비트라인에 상기 전기 초기화 전압이 인가되고 플레이트 라인에 그라운드 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. And the electrical initialization voltage is applied to the bit line and the ground voltage is applied to the plate line while the word line is activated in the test mode. 제 11항 또는 제 15항에 있어서, 상기 메모리부는 The memory of claim 11 or 15, wherein the memory unit 상기 테스트 모드시 워드라인이 활성화된 상태에서 플레이트 라인에 상기 전기 초기화 전압이 인가되고 비트라인에 그라운드 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 RFID 장치. And the electrical initialization voltage is applied to the plate line and the ground voltage is applied to the bit line while the word line is activated in the test mode.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9263218B2 (en) 2014-05-23 2016-02-16 Nuvoton Technology Corporation Variable resistance memory cell based electrically resettable fuse device
US9472278B2 (en) 2014-01-08 2016-10-18 Nuvoton Technology Corporation Voltage generator, oscillation device and operation method
US9575535B2 (en) 2013-10-09 2017-02-21 Nuvoton Technology Corporation Integrated circuit and operation method thereof
US9811473B2 (en) 2014-04-22 2017-11-07 Nuvoton Technology Corporation Storage unit controller and control method thereof, and storage device
US9818494B2 (en) 2014-01-29 2017-11-14 Nuvoton Technology Corporation Operation recording circuit and operation method thereof
US10094689B2 (en) 2014-02-21 2018-10-09 Nuvoton Technology Corporation Fluid flow metering device and method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10229171A (en) 1996-06-03 1998-08-25 Toshiba Microelectron Corp Non-volatile ferroelectric memory, and drive method thereof, and id card
KR20030037789A (en) * 2001-11-05 2003-05-16 주식회사 하이닉스반도체 nonvolatile ferroelectric memory device and method for operation the same
JP2004006579A (en) 2002-04-18 2004-01-08 Sony Corp Storage device and method of manufacturing and using the same, semiconductor device and its manufacturing method
WO2008058264A2 (en) 2006-11-08 2008-05-15 Symetrix Corporation Correlated electron memory

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10229171A (en) 1996-06-03 1998-08-25 Toshiba Microelectron Corp Non-volatile ferroelectric memory, and drive method thereof, and id card
KR20030037789A (en) * 2001-11-05 2003-05-16 주식회사 하이닉스반도체 nonvolatile ferroelectric memory device and method for operation the same
JP2004006579A (en) 2002-04-18 2004-01-08 Sony Corp Storage device and method of manufacturing and using the same, semiconductor device and its manufacturing method
WO2008058264A2 (en) 2006-11-08 2008-05-15 Symetrix Corporation Correlated electron memory

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9575535B2 (en) 2013-10-09 2017-02-21 Nuvoton Technology Corporation Integrated circuit and operation method thereof
US9472278B2 (en) 2014-01-08 2016-10-18 Nuvoton Technology Corporation Voltage generator, oscillation device and operation method
US9818494B2 (en) 2014-01-29 2017-11-14 Nuvoton Technology Corporation Operation recording circuit and operation method thereof
US10094689B2 (en) 2014-02-21 2018-10-09 Nuvoton Technology Corporation Fluid flow metering device and method thereof
US9811473B2 (en) 2014-04-22 2017-11-07 Nuvoton Technology Corporation Storage unit controller and control method thereof, and storage device
US9263218B2 (en) 2014-05-23 2016-02-16 Nuvoton Technology Corporation Variable resistance memory cell based electrically resettable fuse device

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