KR101029557B1 - Plasma generation apparatus and plasma treatment apparatus - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 발생 장치를 제공한다. 이 장치는 제1 방향 및 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn), 절연판들이 배치되고 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 포함하는 사각형 금속 상판, 및 각각의 절연판들 상에 배치된 안테나 구조체들(Tmn)을 포함한다. 안테나 구조체들은 금속 상판의 모서리에 인접하여 배치되는 제1 형 안테나 구조체들, 금속 상판의 변에 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체들을 포함하고, 제1 형 안테나 구조체는 제2 형 안테나 구조체보다 더 많은 전력을 소모하여 균일한 플라즈마를 형성할 수 있다.The present invention provides a plasma generating apparatus. The apparatus comprises: insulating plates Smn arranged in a matrix form along a first direction and a second direction crossing the first direction, a rectangular metal top plate on which the insulating plates are disposed and comprising rectangular through holes Hmn, and Antenna structures Tmn disposed on the insulating plates of the substrate. The antenna structures include first type antenna structures disposed adjacent to a corner of the metal top plate, second type antenna structures disposed adjacent to the side of the metal top plate, and the first type antenna structure is more than a second type antenna structure. It can consume a lot of power to form a uniform plasma.

유도 결합 플라즈마, 복수 유전체 창문, 파워 분배, 복수 안테나 구조 Inductively Coupled Plasma, Multiple Dielectric Windows, Power Distribution, Multiple Antenna Structure

Description

플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 처리 장치{PLASMA GENERATION APPARATUS AND PLASMA TREATMENT APPARATUS}Plasma Generator and Plasma Processing Apparatus {PLASMA GENERATION APPARATUS AND PLASMA TREATMENT APPARATUS}

본 발명은 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로 유도 결합 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma generating apparatus. More specifically, the present invention relates to an inductively coupled plasma generator.

반도체 기판, 평판 표시 기판, 태양 전지 기판 등이 대면적화됨에 따라 이들을 처리하는 제조 장치가 대면적화되고 있다. 플라즈마 처리 장치는 식각, 증착, 이온 주입, 물질 표면 처리 등의 다양한 공정에 이용되고 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION As semiconductor substrates, flat panel display substrates, solar cell substrates, and the like become larger in area, manufacturing apparatuses for processing these are becoming larger in area. Plasma processing apparatuses are used in various processes such as etching, deposition, ion implantation, and material surface treatment.

플라즈마 처리 장치는 대면적화됨에 따라 공정 균일성 및 공정 속도가 문제되고 있다. 공정 균일성은 플라즈마의 밀도의 균일성에 의존할 수 있다.As the plasma processing apparatus becomes larger, process uniformity and process speed are problematic. Process uniformity may depend on the uniformity of the density of the plasma.

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 균일한 플라즈마를 형성할 수 있는 플라즈마 발생 장치를 제공하는 것이다.One technical problem to be solved by the present invention is to provide a plasma generating apparatus capable of forming a uniform plasma.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn), 상기 절연판들이 배치되고 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 포함하는 사각형 금속 상판, 및 각각의 상기 절연판들 상에 배치된 안테나 구조체들(Tmn)을 포함한다. 상기 안테나 구조체들은 상기 금속 상판의 모서리에 인접하여 배치되는 제1 형 안테나 구조체들, 상기 금속 상판의 변에 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체들을 포함하고, 상기 제1 형 안테나 구조체는 상기 제2 형 안테나 구조체보다 더 많은 전력을 소모하여 균일한 플라즈마를 형성할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the plasma generating apparatus includes insulating plates Smn arranged in a matrix form along a first direction and a second direction crossing the first direction, and the insulating plates are disposed and rectangular through holes ( A rectangular metal top plate (Hmn), and antenna structures (Tmn) disposed on each of the insulating plates. The antenna structures may include first type antenna structures disposed adjacent to a corner of the metal upper plate, second type antenna structures disposed adjacent to a side of the metal upper plate, and the first type antenna structure may include the second type antenna structures. It can consume more power than the type antenna structure to form a uniform plasma.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들은 상기 제2 형 안테나 구조체들 및 상기 제1 형 안테나 구조체들로 둘러싸인 제3 형 안테나 구조체들을 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the antenna structures may further include third type antenna structures surrounded by the second type antenna structures and the first type antenna structures.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 형 안테나 구조체는 상기 제3 형 안테나 구조체보다 더 많은 전력을 소모할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the second type antenna structure may consume more power than the third type antenna structure.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 방향으로 배열된 절연판의 수(m)은 3 이상이고, 상기 제2 방향으로 배열된 절연판의 수(n)은 3 이상일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the number m of insulating plates arranged in the first direction may be 3 or more, and the number n of insulating plates arranged in the second direction may be 3 or more.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결되고, 상기 제2 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first type antenna structures may be electrically connected in parallel with each other, and the second type antenna structures may be electrically connected in parallel with each other.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제3 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the third type antenna structures may be electrically connected in parallel with each other.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들은 인쇄 회로 기판에 형성되거나 도선을 절곡하여 형성될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the antenna structures may be formed on a printed circuit board or bent the conductive line.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 인쇄 회로 기판은 양면 기판이고, 상기 안테나 구조체들은 금, 은, 구리, 니켈, 주석 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the printed circuit board is a double-sided substrate, the antenna structures may include at least one of gold, silver, copper, nickel, tin.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들은 동일한 형상을 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the antenna structures may have the same shape.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제1 리액턴스 소자부, 및 상기 제2 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제2 리액턴스 소자부 중에서 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, at least one of a first reactance element portion electrically connected in series with the first type antenna structures, and a second reactance element portion electrically connected in series with the second type antenna structures. It may further include.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제1 리액턴스 소자부, 상기 제2 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제2 리액턴스 소자부, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제3 리액턴스 소자부를 중에서 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, a first reactance element portion electrically connected in series with the first type antenna structures, a second reactance element portion electrically connected in series with the second type antenna structures, and the first It may further include at least one of the third reactance element portion electrically connected in series to the type 3 antenna structures.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 리액턴스 소자부, 제2 리액턴스 소자부, 및 제3 리액턴스 소자부는 가변 리액턴스 소자를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first reactance element portion, the second reactance element portion, and the third reactance element portion may include a variable reactance element.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제1 전류는 상기 제2 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류보다 크고, 상기 제2 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조 체에 흐르는 제2 전류는 상기 제3 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제3 전류보다 클 수 있다.In one embodiment of the present invention, a first current flowing in each antenna structure of the first type antenna structure is greater than a second current flowing in each antenna structure of the second type antenna structures, and the second type antenna The second current flowing in each antenna structure of the structures may be greater than the third current flowing in each antenna structure of the third type antenna structures.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급하는 전원부를 더 포함하되, 상기 전원부는 상기 제1 형 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, further comprising a power supply for supplying power to the antenna structures (Tmn), wherein the power supply is the first type antenna structures, the second type antenna structures, and the third It may be electrically connected in parallel to the type antenna structures.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급하는 복수의 전원부를 더 포함하되, 제1 전원부는 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전력을 공급하고, 제2 전원부는 상기 제2 형안테나 구조체들에 전력을 공급하고, 제3 전원부는 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전력을 공급할 수 있다.In one embodiment of the present invention, further comprising a plurality of power supply unit for supplying power to the antenna structures (Tmn), the first power supply unit supplies power to the first type antenna structures, the second power supply unit The second type antenna structures may supply power, and the third power supply may supply power to the third type antenna structures.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전원부의 제1 구동 주파수, 상기 제2 전원부의 제2 구동 주파수, 및 상기 제3 전원부의 제3 구동 주파수 중에서 적어도 하나는 서로 다를 수 있다.In at least one of the first driving frequency of the first power supply unit, the second driving frequency of the second power supply unit, and the third driving frequency of the third power supply unit may be different from each other.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들 중에서 적어도 하나는 다른 구조를 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, at least one of the first type antenna structures, the second type antenna structures, and the third type antenna structures may have a different structure.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들, 및 상기 제2 형 안테나 구조체들 중에서 적어도 하나는 다른 구조를 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, at least one of the first type antenna structures and the second type antenna structures may have a different structure.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들(Tmn) 각각은 사각형 형상을 가지고 복층 구조를 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, each of the antenna structures Tmn may have a quadrangular shape and a multilayer structure.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들(Tmn) 각각은 복수의 보조 안테나들로 구성되고, 같은 평면에서 폐루프(closed loop)를 형성하도록 배치될 수 있다.In one embodiment of the present invention, each of the antenna structures Tmn is composed of a plurality of auxiliary antennas, and may be arranged to form a closed loop in the same plane.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치는 기판을 플라즈마 처리하는 진공 용기, 상기 진공 용기 내부에 배치된 기판 홀더, 상기 진공용기의 상부면에 배치되고 복수의 관통홀들을 포함하는 금속 상판, 및 상기 금속 상판 상에 배치되고 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 매트릭스 형태로 배열되어 사각형을 이루는 안테나 구조체들(Tmn)들을 포함한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)들은 상기 사각형의 모서리에 배치되는 제1 형 안테나 구조체들, 상기 사각형의 변에 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제2 형 안테나 구조체들 및 제1 형 안테나 구조체들로 둘러싸여 배치되는 제3 형 안테나 구조체들을 포함하고, 제1 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력은 상기 제2 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력보다 크고, 상기 제2 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력은 상기 제3 안테나 구조체들 각각의 소모 전력보다 클 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a plasma processing apparatus includes a vacuum container for plasma processing a substrate, a substrate holder disposed inside the vacuum container, a metal upper plate disposed on an upper surface of the vacuum container, and including a plurality of through holes; Antenna structures Tmns are disposed on the metal upper plate and arranged in a matrix in a first direction and in a second direction crossing the first direction to form a quadrangle. The antenna structures Tmns may include first type antenna structures disposed at corners of the quadrangle, second type antenna structures disposed adjacent to the sides of the quadrangle, and the second type antenna structures and first type. And third type antenna structures surrounded by the antenna structures, wherein power consumption of each of the first type antenna structures is greater than power consumption of each of the second type antenna structures, and each of the second type antenna structures Power consumption may be greater than power consumption of each of the third antenna structures.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 방향으로 배열된 절연판의 수(m)은 3 이상이고, 상기 제2 방향으로 배열된 절연판의 수(n)은 3 이상일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the number m of insulating plates arranged in the first direction may be 3 or more, and the number n of insulating plates arranged in the second direction may be 3 or more.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결되고, 상기 제2 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결되고, 상기 제3 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first type antenna structures may be electrically connected in parallel with each other, the second type antenna structures may be electrically connected in parallel with each other, and the third type antenna structures may be electrically connected with each other in parallel. have.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제1 리액턴스 소자부, 상기 제2 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제2 리액턴스 소자부, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제3 리액턴스 소자부를 중에서 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, a first reactance element portion electrically connected in series with the first type antenna structures, a second reactance element portion electrically connected in series with the second type antenna structures, and the first It may further include at least one of the third reactance element portion electrically connected in series to the type 3 antenna structures.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제1 전류는 상기 제2 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류보다 크고, 상기 제2 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류는 상기 제3 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제3 전류보다 클 수 있다.In one embodiment of the present invention, a first current flowing in each antenna structure of the first type antenna structure is greater than a second current flowing in each antenna structure of the second type antenna structures, and the second type antenna The second current flowing in each antenna structure of the structures may be greater than the third current flowing in each antenna structure of the third type antenna structures.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급하는 전원부를 더 포함하되, 상기 전원부는 상기 제1 형 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전기적으로 병렬 연결될 수 있다.In one embodiment of the present invention, further comprising a power supply for supplying power to the antenna structures (Tmn), wherein the power supply is the first type antenna structures, the second type antenna structures, and the third It may be electrically connected in parallel to the type antenna structures.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급하는 복수의 전원부를 더 포함하되, 제1 전원부는 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전력을 공급하고, 제2 전원부는 상기 제2 형안테나 구조체들에 전력을 공급하고, 제3 전원부는 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전력을 공급할 수 있다.In one embodiment of the present invention, further comprising a plurality of power supply unit for supplying power to the antenna structures (Tmn), the first power supply unit supplies power to the first type antenna structures, the second power supply unit The second type antenna structures may supply power, and the third power supply may supply power to the third type antenna structures.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 전원부의 제1 구동 주파수, 상기 제2 전원부의 제2 구동 주파수, 및 상기 제3 전원부의 제3 구동 주파수 중에서 적어도 하나는 서로 다를 수 있다.In at least one of the first driving frequency of the first power supply unit, the second driving frequency of the second power supply unit, and the third driving frequency of the third power supply unit may be different from each other.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 형 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들 중에서 적어도 하나는 다른 구조를 가질 수 있다.In one embodiment of the present invention, at least one of the first type antenna structures, the second type antenna structures, and the third type antenna structures may have a different structure.

　본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치는 안테나 구조체들을 기하학적 위치에 따라 분류하여, 위치에 따라 다른 전력을 공급할 수 있다. 이에 따라, 상기 플라즈마 발생 장치는 균일한 대면적 플라즈마를 형성할 수 있다.The plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention may classify the antenna structures according to geometric positions and supply different powers according to the positions. Accordingly, the plasma generating device can form a uniform large area plasma.

첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층(또는 막) 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 층(또는 막)이 다른 층(또는 막) 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층(또는 막) 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층(또는 막)이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosure may be made thorough and complete, and to fully convey the spirit of the invention to those skilled in the art. In the drawings, the thicknesses of layers (or films) and regions are exaggerated for clarity. Also, if it is mentioned that a layer (or film) is on "on" another layer (or film) or substrate, it may be formed directly on the other layer (or film) or substrate or a third layer between them. (Or membrane) may be interposed. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면이 다.1 is a view for explaining a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 상기 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn,130), 상기 절연판들(130)이 배치되는 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 갖는 금속 상판(110), 및 각각의 상기 절연판들(130) 상에 배치되는 안테나 구조체들(Tmn,140)을 포함한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn,140)은 상기 금속 상판(110)의 하부에 플라즈마를 형성한다. 상기 m, n은 양의 정수일 수 있다. 상기 m은 상기 제1 방향의 홀(hole)의 수 있다. 상기 n은 상기 제2 방향의 홀(hole)의 수일 수 있다.Referring to FIG. 1, the plasma generating apparatus includes insulating plates Smn and 130 arranged in a matrix form along a first direction and a second direction crossing the first direction, and a quadrangle in which the insulating plates 130 are disposed. A metal upper plate 110 having through-holes Hmn having a shape, and antenna structures Tmn and 140 disposed on the insulating plates 130, respectively. The antenna structures Tmn and 140 form a plasma under the metal upper plate 110. M and n may be positive integers. M may be a hole in the first direction. N may be the number of holes in the second direction.

진공 용기(100)는 사각형의 챔버일 수 있다. 상기 진공 용기(100)는 배기부(미도시), 가스 공급부(미도시), 기판(미도시), 및 기판 홀더(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 진공 용기(100)는 플라즈마 처리 공정을 수행할 수 있다. 상기 플라즈마 처리 공정은 식각, 증착, 이온 주입, 및 표면처리 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 기판 및 상기 기판 홀더는 사각형일 수 있다. 상기 기판은 유기 발광 소자 기판, 태양 전지 기판, 액정 표시 기판, 또는 반도체 기판일 수 있다.The vacuum vessel 100 may be a rectangular chamber. The vacuum container 100 may include an exhaust unit (not shown), a gas supply unit (not shown), a substrate (not shown), and a substrate holder (not shown). The vacuum container 100 may perform a plasma treatment process. The plasma treatment process may include at least one of etching, deposition, ion implantation, and surface treatment. The substrate and the substrate holder may be rectangular. The substrate may be an organic light emitting device substrate, a solar cell substrate, a liquid crystal display substrate, or a semiconductor substrate.

상기 금속 상판(110)은 평판일 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 상기 진공 용기(100)의 뚜겅일 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 사각형 모양일 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 알루미늄, 철, 니켈 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 표면에 표면 절연막으로 코딩될 수 있다. 상기 표면 절연막은 알루미늄 산화막을 포함할 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 복수의 관통 홀들(Hmn)을 포함할 수 있다. 상기 복수의 관통 홀들(Hmn)은 사각형일 수 있다. 상기 관통 홀 들(Hmn)은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 상기 제1 방향의 홀의 수(m)는 3일 수 있다. 상기 제2 방향의 홀의 수(n)는 3일 수 있다. 상기 관통 홀은 홀 턱(122)을 가질 수 있다. 상기 홀 턱(122)은 상기 절연판과 실링을 위하여 실링부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 실링부는 오링(O-ring) 홈을 포함할 수 있다.The metal upper plate 110 may be a flat plate. The metal upper plate 110 may be a cover of the vacuum container 100. The metal upper plate 110 may have a rectangular shape. The metal upper plate 110 may include at least one of aluminum, iron, and nickel. The metal upper plate 110 may be coded as a surface insulating film on a surface thereof. The surface insulating film may include an aluminum oxide film. The metal upper plate 110 may include a plurality of through holes Hmn. The plurality of through holes Hmn may be rectangular. The through holes Hmn may be arranged in a matrix form in the first direction and the second direction. The number m of holes in the first direction may be three. The number n of holes in the second direction may be three. The through hole may have a hole jaw 122. The hole tuck 122 may include a sealing part (not shown) for sealing with the insulating plate. The sealing part may include an O-ring groove.

상기 절연판들(Smn,130)은 상기 관통 홀들(Hmn)에 삽입되어 배치될 수 있다. 상기 절연판(130)은 상기 홀 턱(122) 상에 배치될 수 있다. 상기 절연판들(130)은 석영(quartz), 알루미늄산화물, 및 세라믹 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도면의 편의상, 상기 절연판들(Smn, 130) 중에서 S31만을 도시되었다. 상기 절연판들(Smn,130)은 위치에 따라 균일한 두께를 가질 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 절연판들(Smn,130)은 위치에 따라 다른 두께를 가질 수 있다.The insulating plates Smn and 130 may be inserted into the through holes Hmn. The insulating plate 130 may be disposed on the hole tuck 122. The insulating plates 130 may include at least one of quartz, aluminum oxide, and ceramic. For convenience of drawing, only S31 of the insulating plates Smn 130 is shown. The insulating plates Smn 130 may have a uniform thickness according to a position. According to a modified embodiment of the present invention, the insulating plates (Smn, 130) may have a different thickness depending on the position.

상기 플라즈마 발생 장치가 대면적화됨에 따라, 상기 절연판들(130)의 가공 또는 제작이 어려울 수 있다. 이에 따라, 상기 절연판들(130)은 적절한 크기로 가공 또는 제작되는 것이 바람직하다. 상기 진공 용기(100)를 포함하는 대면적 플라즈마 발생 장치에서, 상기 진공 용기(100)의 상판으로 유전체 상판(미도시)을 형성하면, 상기 유전체 상판은 압력 및 상기 유전체 상판 상에 배치된 안테나에 의한 열적 충격 등에 취약할 수 있다. 따라서, 상기 유전체 상판은 상기 압력 및 열적 충격을 극복할 수 있도록, 상기 유전체 상판의 두께가 증가할 필요가 있다. 그러나, 상기 유전체 상판의 두께의 증가는 유도 결합 플라즈마 발생 효율을 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 유전체 상판은 적절한 두께 및 크기로 분리됨이 바람직하다. As the plasma generating apparatus becomes larger in size, it may be difficult to process or manufacture the insulating plates 130. Accordingly, the insulating plates 130 are preferably processed or manufactured to an appropriate size. In the large-area plasma generating apparatus including the vacuum container 100, when a dielectric top plate (not shown) is formed as the top plate of the vacuum container 100, the dielectric top plate is connected to an antenna disposed on the pressure and the dielectric top plate. It may be vulnerable to thermal shock due to. Thus, the dielectric top plate needs to be increased in thickness so that the dielectric top plate can overcome the pressure and thermal shock. However, increasing the thickness of the dielectric top plate can reduce the efficiency of inductively coupled plasma generation. Therefore, the dielectric top plate is preferably separated into an appropriate thickness and size.

상기 안테나 구조체들(Tmn,140)은 상기 절연판들(Smn,130) 상에 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향으로 매트릭스 형태로 배열될 수 있다. 상기 안테나 구조체들(Tmn, 140)은 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma)를 상기 절연판들(Smn, 130)의 하부에 생성할 수 있다. 도면의 편의상, 상기 안테나 구조체들(Tmn, 140) 중에서 T31만을 도시하였다. 상기 안테나 구조체들(140)은 동일한 물리적 형상 또는 구조를 가질 수 있다. 상기 안테나 구조체들(Tmn,140)은 인쇄회로 기판에 형성될 수 있다. 상기 인쇄회로 기판은 복층 구조를 가질 수 있다. 상기 인쇄회로 기판에 형성된 안테나 구조체들은 동일한 구조를 유지할 수 있다. 상기 안테나 구조체들은 제작 및 설계가 용이하여 생산성이 향상될 수 있다. 상기 인쇄회로 기판은 내열성을 가질 수 있다. The antenna structures Tmn and 140 may be arranged in a matrix form on the insulating plates Smn and 130 in the first direction and the second direction. The antenna structures Tmn and 140 may generate an inductively coupled plasma under the insulating plates Smn 130. For convenience of illustration, only T31 of the antenna structures Tmn and 140 is shown. The antenna structures 140 may have the same physical shape or structure. The antenna structures Tmn and 140 may be formed on a printed circuit board. The printed circuit board may have a multilayer structure. Antenna structures formed on the printed circuit board may maintain the same structure. The antenna structures can be easily manufactured and designed to increase productivity. The printed circuit board may have heat resistance.

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 안테나 구조체들(Tmn,140)은 도선 또는 파이프를 절곡하여 형성할 수 있다.According to a modified embodiment of the present invention, the antenna structures Tmn and 140 may be formed by bending a wire or a pipe.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 평면도이다. 도 2는 도 1의 평면도이다.2 is a plan view illustrating a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a plan view of Fig.

도 2 및 도 1을 참조하면, 상기 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn), 상기 절연판들이 배치되고 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 포함하는 금속 상판(110), 및 각각의 상기 절연판들(Smn) 상에 배치되는 안테나 구조체들(Tmn)을 포 함한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 상기 상판 하부(110)에 플라즈마를 형성할 수 있다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 3 * 3 매트릭스를 형성할 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따르면, m 및/또는 n은 3 이상일 수 있다.2 and 1, the plasma generating apparatus includes insulating plates Smn arranged in a matrix form along a first direction and a second direction crossing the first direction, and the insulating plates are arranged and penetrated in a rectangular shape. A metal top plate 110 including holes Hmn, and antenna structures Tmn disposed on each of the insulating plates Smn are included. The antenna structures Tmn may form a plasma on the lower plate 110. The antenna structures Tmn may form a 3 * 3 matrix. According to a modified embodiment of the present invention, m and / or n may be 3 or more.

상기 안테나 구조체들(Tmn)들은 상기 금속 상판(110)의 모서리에 인접하여 배치되는 제1 형 안테나 구조체(A), 상기 금속 상판(110)의 변에 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체(B), 및 상기 제2 형 안테나 구조체(B) 및 제1 형 안테나 구조체(A)로 둘러싸인 제3 안테나 구조체(C)를 포함할 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)는 T31,T33,T13,T11를 포함할 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)는 T32,T23,T12,T21를 포함할 수 있다. 상기 제3 안테나 구조체(C)는 T22를 포함할 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)의 각각의 안테나 구조체들은 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 각각의 안테나 구조체들은 보다 더 많은 전력을 소모할 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 각각의 안테나 구조체들은 상기 제3 형 안테나 구조체(C)보다 더 많은 전력을 소모할 수 있다. The antenna structures Tmn are first type antenna structures A disposed adjacent to the edges of the metal upper plate 110, and second type antenna structures B disposed adjacent to the sides of the metal upper plate 110. And a third antenna structure C surrounded by the second type antenna structure B and the first type antenna structure A. FIG. The first type antenna structure A may include T31, T33, T13, and T11. The second type antenna structure B may include T32, T23, T12, and T21. The third antenna structure C may include T22. Each antenna structure of the first type antenna structure A may consume more power than each antenna structure of the second type antenna structure B. Each antenna structure of the second type antenna structure B may consume more power than the third type antenna structure C.

상기 제1 형 안테나 구조체(A)의 각각의 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 각각의 안테나 구조체들, 및 상기 제 3 형 안테나 구조체의 각각의 안테나 구조체들은 동일한 구조를 가질 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)에 의하여 형성된 플라즈마는 상기 제2 형 안테나 구조체(B)에 의하여 형성된 플라즈마보다 진공 용기의 벽으로 더 많이 손실될 수 있다. 따라서, 상기 금속 상판(110) 하부의 플라즈마 밀도를 균일하게 하기 위하여, 상기 제1 형 안테나 구조체(A)의 소모 전력은 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 소모전력보다 클 수 있다. 또한, 상기 제2 형 안테나 구조체(B)에 의하여 형성된 플라즈마는 상기 제3 형 안테나 구조체(C)에 의하여 형성된 플라즈마보다 진공 용기의 벽으로 더 많이 손실될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 소모 전력은 상기 제3 형 안테나 구조체(C)의 소모전력보다 클 수 있다. 이에 따라, 공간적으로 불균일한 파워를 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 공급하여, 균일한 플라즈마를 형성할 수 있다.Each of the antenna structures of the first type antenna structure A, each of the antenna structures of the second type antenna structure B, and each of the antenna structures of the third type antenna structure may have the same structure. have. The plasma formed by the first type antenna structure A may be lost more to the walls of the vacuum vessel than the plasma formed by the second type antenna structure B. Therefore, in order to make the plasma density under the metal upper plate 110 uniform, power consumption of the first type antenna structure A may be greater than power consumption of the second type antenna structure B. Also, the plasma formed by the second type antenna structure B may be lost more to the walls of the vacuum vessel than the plasma formed by the third type antenna structure C. The power consumption of the second type antenna structure B may be greater than the power consumption of the third type antenna structure C. Accordingly, spatially nonuniform power may be supplied to the antenna structures Tmn to form a uniform plasma.

도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 단면도이다. 도 3은 도 1의 I-I' 선을 따라 절단된 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention. 3 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 제1 형 안테나 구조체(T31,T33,T13, T11;A)에 의하여 형성된 제1 형 플라즈마(PA)는 상기 진공 용기(100)의 두 변의 방향에서 다른 방향들보다 많이 손실될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(T32,T23,T12, T21;B)에 형성된 제2 형 플라즈마(PB)는 상기 진공 용기의 한 변의 방향에서 다른 방향들보다 많이 손실될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체(T22;C)에 형성된 제3 형 플라즈마(PC)는 사방으로 균일하게 손실될 수 있다.  1 to 3, the first type plasma PA formed by the first type antenna structures T31, T33, T13, and T11; A is different from the two sides of the vacuum container 100 in a different direction. More than they can be lost. The second type plasma PB formed in the second type antenna structures T32, T23, T12, and T21; B may be lost more than other directions in one direction of the vacuum container. The third type plasma PC formed in the third type antenna structures T22 and C may be uniformly lost in all directions.

상기 제1 형 플라즈마(PA)는 P31,P33,P13, 및 P11을 포함할 수 있다. 상기 P31, P33, P13, 및 P11은 각각 T31,T33, T13, 및 T11의 하부에 배치되고, 각각 상기 T31,T33, T13, 및 T11에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제2 형 플라즈마(PB)는 P32, P23,P12, 및 P21을 포함할 수 있다. 상기 P32, P23,P12, 및 P21은 각각 T32, T23,T12, 및 T21의 하부에 형성될 수 있다. 상기 P32, P23,P12, 및 P21은 각각 상기 T32, T23, T12, 및 T21에 의하여 형성될 수 있다. 상기 제3 형 플라즈마(PC)는 P22를 포함할 수 있다. 상기 P22는 T22에 의하여 형성될 수 있다.The first type plasma PA may include P31, P33, P13, and P11. The P31, P33, P13, and P11 are disposed below the T31, T33, T13, and T11, respectively, and may be formed by the T31, T33, T13, and T11, respectively. The second type plasma PB may include P32, P23, P12, and P21. The P32, P23, P12, and P21 may be formed under the T32, T23, T12, and T21, respectively. The P32, P23, P12, and P21 may be formed by the T32, T23, T12, and T21, respectively. The third type plasma PC may include P22. The P22 may be formed by T22.

플라즈마는 상기 진공 용기(100)의 벽에서 재결합하여 소멸할 수 있다. 상기 진공 용기(100)의 벽에 접근할수록 플라즈마 밀도 차이에 의한 확산 손실(diffusion loss)이 많이 발생할 할 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A), 제2 형 안테나 구조체(B), 및 상기 제3 형 안테나 구조체(C)의 안테나 구조체들은 동일한 물리적 형상을 가질 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)의 안테나 구조체들 각각의 소모 전력이 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 안테나 구조체들의 소모 전력과 동일한 경우, 상기 제1 형 플라즈마(PA)의 평균 플라즈마 밀도는 상기 제2 형 플라즈마(PB)의 평균 플라즈마 밀도보다 낮을 수 있다. 또한, 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 안테나 구조체들 각각의 소모 전력과 상기 제3 형 안테나 구조체(C)의 안테나들 각각의 소모 전력이 동일한 경우, 상기 제2 형 플라즈마(PB)의 평균 플라즈마 밀도는 상기 제3 형 플라즈마(PA)의 평균 플라즈마 밀도보다 낮을 수 있다. 이러한, 플라즈마 밀도의 공간적 불균형은 플라즈마 처리에 악영향을 미칠 수 있다. 따라서, 플라즈마 밀도의 공간적 불균형을 해소하기 위하여, 상기 제1 내지 3 형 플라즈마(PA,PB,PC)의 플라즈마 밀도는 균일하게 유지될 필요가 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)의 안테나 구조체들의 소모 전력, 제2 형 안테나 구조체(B)의 안테나 구조체들의 소모 전력, 및 상기 제3 형 안테나 구조체(C)의 안테나 구조체들의 소모 전력은 서로 다를 필요가 있다.The plasma may be recombined and extinguished in the wall of the vacuum vessel 100. As the wall of the vacuum chamber 100 approaches, a diffusion loss due to a difference in plasma density may occur. The antenna structures of the first type antenna structure A, the second type antenna structure B, and the third type antenna structure C may have the same physical shape. When the power consumption of each of the antenna structures of the first type antenna structure A is equal to the power consumption of the antenna structures of the second type antenna structure B, the average plasma density of the first type plasma PA is It may be lower than the average plasma density of the second type plasma (PB). In addition, when the power consumption of each of the antenna structures of the second type antenna structure B and the power consumption of each of the antennas of the third type antenna structure C are the same, the average of the second type plasma PB is equal. The plasma density may be lower than the average plasma density of the third type plasma PA. Such spatial imbalances in plasma density may adversely affect plasma processing. Therefore, in order to solve the spatial imbalance of the plasma density, the plasma density of the first to third plasma (PA, PB, PC) needs to be kept uniform. Power consumption of the antenna structures of the first type antenna structure A, power consumption of the antenna structures of the type 2 antenna structure B, and power consumption of the antenna structures of the type 3 antenna structure C are different from each other. There is a need.

도 4 내지 도 5는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 평면도들이다.4 to 5 are plan views illustrating a plasma generating apparatus according to other embodiments of the present invention.

도 4를 참조하면, 상기 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn), 상기 절연판들이 배치되고 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 포함하는 금속 상판(110), 및 각각의 상기 절연판들 상에 배치되는 안테나 구조체들(Tmn)을 포함한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 상기 금속 상판(110) 하부에 플라즈마를 형성한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 4 * 4 메트릭스를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 4, the plasma generating apparatus includes insulating plates Smn arranged in a matrix form along a first direction and a second direction crossing the first direction, and the insulating plates are arranged and rectangular through holes Hmn. A metal upper plate 110 including the antenna plate, and antenna structures Tmn disposed on each of the insulating plates. The antenna structures Tmn form a plasma under the metal upper plate 110. The antenna structures Tmn may form a 4 * 4 matrix.

상기 안테나 구조체들(Tmn)들은 상기 금속 상판(110)의 두 측면과 인접하여 배치되는 제1 형 안테나 구조체(A), 상기 상판의 일 측면과 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체(B), 및 상기 제2 형 안테나 구조체 사이에 배치되는 제3 형 안테나 구조체(C)로 분리될 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 사각형 형태일 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)는 상기 금속 상판(110)의 모서리에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)는 상기 금속 상판(110)의 변에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체(C)은 상기 금속 상판(110)의 중심 상에 배치될 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)은 T11,T41,T44,T14를 포함할 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)은 T21,T31,T42,T43,T34,T24,T13,T12를 포함할 수 있다. 상기 제3 안테나 구조체(C)은 T22,T32,T33,T23을 포함할 수 있다.The antenna structures Tmns may include a first type antenna structure A disposed adjacent to two side surfaces of the metal upper plate 110, a second type antenna structure B disposed adjacent to one side of the upper plate, And a third type antenna structure C disposed between the second type antenna structures. The metal upper plate 110 may have a rectangular shape. The first antenna structure A may be disposed adjacent to an edge of the metal upper plate 110. The second antenna structure B may be disposed adjacent to the side of the metal upper plate 110. The third type antenna structure C may be disposed on the center of the metal upper plate 110. The first type antenna structure A may include T11, T41, T44, and T14. The second type antenna structure B may include T21, T31, T42, T43, T34, T24, T13, and T12. The third antenna structure C may include T22, T32, T33, and T23.

도 5를 참조하면, 상기 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn), 상기 절연판들이 배치되고 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 포함하는 금속 상판, 및 각각의 상기 절연판들 상에 배치되는 안테나 구조체들(Tmn)을 포함한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 상기 상판 하부에 플라즈마를 형성한다. 상기 안테나 구조체들은 2 * 3 매트릭스를 형성할 수 있다.Referring to FIG. 5, the plasma generating apparatus includes insulating plates Smn arranged in a matrix form along a first direction and a second direction crossing the first direction, and the insulating plates are arranged and rectangular through holes Hmn. A metal top plate), and antenna structures Tmn disposed on each of the insulating plates. The antenna structures Tmn form a plasma under the upper plate. The antenna structures may form a 2 * 3 matrix.

상기 안테나 구조체들(Tmn)들은 상기 금속 상판(110)의 두 측면과 인접하여 배치되는 제1 형 안테나 구조체(A), 및 상기 상판의 일 측면과 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체(B)로 분리될 수 있다. 상기 금속 상판(110)은 사각형 형태일 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)는 상기 금속 상판(110)의 모서리에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)는 상기 금속 상판(110)의 변에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(A)은 T11,T31,T32,T12를 포함할 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)은 T21,T12를 포함할 수 있다.The antenna structures Tmn are first type antenna structures A disposed adjacent to two side surfaces of the metal upper plate 110, and second type antenna structures B disposed adjacent to one side of the upper plate. Can be separated. The metal upper plate 110 may have a rectangular shape. The first antenna structure A may be disposed adjacent to an edge of the metal upper plate 110. The second antenna structure B may be disposed adjacent to the side of the metal upper plate 110. The first type antenna structure A may include T11, T31, T32, and T12. The second type antenna structure B may include T21 and T12.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 회로도이다.6 is a circuit diagram illustrating a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치의 영역에 따른 특성을 설명하는 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating characteristics according to regions of a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6, 도 7 및 도 2를 참조하면, 전원부(170)는 안테나 구조체들(Tmn)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전원부(170)와 상기 안테나 구조체들(Tmn) 사이에 임피던스를 정합(matching)시키는 정합회로부(160)가 배치될 수 있다.6, 7 and 2, the power supply unit 170 may be electrically connected to the antenna structures Tmn. A matching circuit unit 160 for matching impedance may be disposed between the power supply unit 170 and the antenna structures Tmn.

상기 전원부(170)는 AC, RF 전원일 수 있다. 상기 전원부(170)의 출력 임피던스는 50 오옴(Ohm)일 수 있다. 상기 전원부(170)는 연속 모드 또는 펄드 모드로 동작할 수 있다. 상기 정합회로부(160)는 상기 안테나 구조체들(Tmn)을 포함하는 부하(Load)에 상기 전원부(170)의 전력을 최대로 전달하는 수단일 수 있다.The power supply unit 170 may be an AC or RF power supply. The output impedance of the power supply unit 170 may be 50 ohms. The power supply unit 170 may operate in a continuous mode or a pulse mode. The matching circuit unit 160 may be a means for maximally transferring power of the power source unit 170 to a load including the antenna structures Tmn.

상기 전원부(170)는 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급할 수 있다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 제1 형 안테나 구조체(240a), 제2 형 안테나 구조체(240b), 및 제3 형 안테나 구조체(240c)를 포함할 수 있다. 상기 전원부(170)는 상기 제1 형 안테나 구조체(240a), 상기 제2 형 안테나 구조체(240b), 및 상기 제3 형 안테나 구조체(240c)에 병렬 연결될 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(240a)는 A영역에 배치될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)는 B 영역에 배치될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체(240c)는 C 영역에 배치될 수 있다.The power supply unit 170 may supply power to the antenna structures Tmn. The antenna structures Tmn may include a first type antenna structure 240a, a second type antenna structure 240b, and a third type antenna structure 240c. The power supply unit 170 may be connected in parallel to the first type antenna structure 240a, the second type antenna structure 240b, and the third type antenna structure 240c. The first type antenna structure 240a may be disposed in region A. The second type antenna structure 240b may be disposed in the B region. The third type antenna structure 240c may be disposed in the C region.

상기 제1 형 안테나 구조체(240a)는 제1 리액턴스 소자부(150a)와 전기적으로 직렬 연결될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)는 제2 리액턴스 소자부(150b)와 전기적으로 직렬 연결될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체(240c)는 제3 리액턴스 소자부(150c)와 전기적으로 직렬 연결될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 리액턴스 소자부(150a,150b,150c)는 상기 제1 형 내지 제3 형 안테나 구조체에 따라, 서로 다른 전력을 분배하는 수단일 수 있다. 상기 리액턴스 소자부들(150a,150b,150c)은 가변 리액턴스 소자를 포함할 수 있다. 상기 가변 리액턴스 소자는 가변 축전기 또는 가변 인덕터일 수 있다.The first type antenna structure 240a may be electrically connected to the first reactance element unit 150a in series. The second type antenna structure 240b may be electrically connected to the second reactance element unit 150b in series. The third type antenna structure 240c may be electrically connected to the third reactance element unit 150c in series. The first to third reactance element units 150a, 150b and 150c may be means for distributing different powers according to the first to third antenna structures. The reactance element units 150a, 150b, and 150c may include a variable reactance element. The variable reactance element may be a variable capacitor or a variable inductor.

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 제2 및 제3 가변 소자부(150b,150c)만을 이용하여, 상기 제1 내지 제3 안테나 구조체에 서로 다른 전력을 공급할 수 있다.According to a modified embodiment of the present invention, only the second and third variable element units 150b and 150c may be used to supply different power to the first to third antenna structures.

상기 제1 형 안테나 구조체(240a)는 4 개의 안테나 구조체(T31, T33, T13, T11)를 포함할 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(240a)의 안테나 구조체들(T31, T33, T13, T11)은 서로 전기적으로 병렬 연결될 수 있다. Z(T31), Z(T33), Z(T13), 및 Z(T11)는 각각 T31, T33, T13, 및 T11을 포함하는 등가 임피던스들이다. The first type antenna structure 240a may include four antenna structures T31, T33, T13, and T11. The antenna structures T31, T33, T13, and T11 of the first type antenna structure 240a may be electrically connected in parallel to each other. Z (T31), Z (T33), Z (T13), and Z (T11) are equivalent impedances including T31, T33, T13, and T11, respectively.

상기 제2 형 안테나 구조체(240b)는 4 개의 안테나 구조체(T32, T23, T12, T21)를 포함할 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)의 안테나 구조체들(T32, T23, T12, 및 T21)은 서로 전기적으로 병렬 연결될 수 있다. Z(T32), Z(T23), Z(T12), Z(T21)는 T32, T23,T12, 및 T21을 포함하는 등가 임피던스들이다. The second type antenna structure 240b may include four antenna structures T32, T23, T12, and T21. The antenna structures T32, T23, T12, and T21 of the second type antenna structure 240b may be electrically connected in parallel with each other. Z (T32), Z (T23), Z (T12), Z (T21) are equivalent impedances including T32, T23, T12, and T21.

상기 제3 형 안테나 구조체(240c)는 하나의 안테나 구조체(T22)를 포함할 수 있다. Z(T22)는 상기 제3 형 안테나 구조체(C, 240c)를 포함하는 등가 임피던스일 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(240a)의 총 임피던스는 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)의 총 임피던스와 같을 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(240a)의 안테나 구조체들에 더 많은 전력을 공급하기 위하여, 상기 제1 리액턴스 소자부(150a)의 임피던스는 상기 제2 리액턴스 소자부(150b)의 임피던스보다 작을 수 있다. 또한, 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)의 총 임피던스는 상기 제3 형 안테나 구조체(240c)의 총 임피던스보다 작을 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)에 더 많은 전력을 공급하기 위하여, 상기 제2 리액턴스 소자부(150b)의 임피던스는 상기 제3 리액턴스 소자부(150c)의 임피던스 보다 작을 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 밀도의 균일성을 확보할 수 있다.The third type antenna structure 240c may include one antenna structure T22. Z (T22) may be an equivalent impedance including the third type antenna structures C and 240c. The total impedance of the first type antenna structure 240a may be equal to the total impedance of the second type antenna structure 240b. In order to supply more power to the antenna structures of the first type antenna structure 240a, the impedance of the first reactance element unit 150a may be smaller than the impedance of the second reactance element unit 150b. In addition, the total impedance of the second type antenna structure 240b may be smaller than the total impedance of the third type antenna structure 240c. In order to supply more power to the second type antenna structure 240b, the impedance of the second reactance element unit 150b may be smaller than the impedance of the third reactance element unit 150c. Thereby, the uniformity of plasma density can be ensured.

상기 제1 안테나 구조체(240a)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력(P(A))은 상기 제2 안테나 구조체(240b)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력(P(B))보다 클 수 있다. 상기 제2 안테나 구조체(240b)의 각각의 안테나 구조 체에서 소모되는 전력(P(B))은 상기 제3 안테나 구조체(240c)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력(P(C))보다 클 수 있다. 이에 따라, 상기 제1 안테나 구조체(A) 하부의 플라즈마 밀도(Np(A)), 상기 제2 안테나 구조체(B) 하부의 플라즈마 밀도(Np(B)), 및 상기 제3 안테나 구조체(C) 하부의 플라즈마 밀도(Np(C))의 균일성을 확보할 수 있다.Power P (A) consumed by each antenna structure of the first antenna structure 240a may be greater than power P (B) consumed by each antenna structure of the second antenna structure 240b. have. Power P (B) consumed by each antenna structure of the second antenna structure 240b is greater than power P (C) consumed by each antenna structure of the third antenna structure 240c. Can be. Accordingly, the plasma density Np (A) under the first antenna structure A, the plasma density Np (B) under the second antenna structure B, and the third antenna structure C Uniformity of the lower plasma density Np (C) can be ensured.

상기 제1 형 안테나 구조체(A)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제1 전류(I(A))는 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류(I(B))보다 클 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(B)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류(I(B))는 상기 제3 형 안테나 구조체(C)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제3 전류(I(C))보다 클 수 있다. 이에 따라, 이에 따라, 상기 제1 안테나 구조체(A) 하부의 플라즈마 밀도(Np(A)), 상기 제2 안테나 구조체(B) 하부의 플라즈마 밀도(Np(B)), 및 상기 제3 안테나 구조체(C) 하부의 플라즈마 밀도(Np(C))의 균일성을 확보할 수 있다.The first current I (A) flowing in each antenna structure of the first type antenna structure A is the second current I (B) flowing in each antenna structure of the second type antenna structure B. May be greater than). The second current I (B) flowing in each antenna structure of the second type antenna structure B is the third current I (C) flowing in each antenna structure of the third type antenna structure C. May be greater than). Accordingly, accordingly, the plasma density Np (A) under the first antenna structure A and the lower portion of the second antenna structure B Uniformity of the plasma density Np (B) and the plasma density Np (C) under the third antenna structure C may be ensured.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 회로도이다.8 is a circuit diagram illustrating a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 2 및 도 8을 참조하면, 전원부(170)는 안테나 구조체들(Tmn)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 전원부(170)는 복수 개일 수 있다. 상기 전원부(170)는 제1 전원부(170a), 제2 전원부(170b), 및 제3 전원부(170c)를 포함할 수 있다. 상기 제1 전원부(170a), 제2 전원부(170b), 및 제3 전원부(170c)의 구동 주파수는 동일할 수 있다.2 and 8, the power supply unit 170 may be electrically connected to the antenna structures Tmn. The power supply unit 170 may be a plurality. The power supply unit 170 may include a first power supply unit 170a, a second power supply unit 170b, and a third power supply unit 170c. The driving frequencies of the first power supply unit 170a, the second power supply unit 170b, and the third power supply unit 170c may be the same.

상기 전원부(170)는 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급할 수 있다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 상기 제1 형 안테나 구조체(A), 상기 제2 형 안테나 구조체(B), 및 상기 제3 형 안테나 구조체(B)로 분리될 수 있다.The power supply unit 170 may supply power to the antenna structures Tmn. The antenna structures Tmn may be separated into the first type antenna structure A, the second type antenna structure B, and the third type antenna structure B.

상기 제1 전원부(170a)와 상기 제1 형 안테나 구조체(240a) 사이에 임피던스를 정합(matching)시키는 제1 정합회로부(160a)가 배치될 수 있다. 상기 제2 전원부(170b)와 상기 제2 형 안테나 구조체(240b) 사이에 임피던스를 정합(matching)시키는 제2 정합회로부(160b)가 배치될 수 있다. 상기 제3 전원부(170c)와 상기 제3 형 안테나 구조체(240c) 사이에 임피던스를 정합(matching)시키는 제3 정합회로부(160c)가 배치될 수 있다. 상기 전원부들(170a,170b,170c)은 AC, RF 전원일 수 있다. 상기 전원부들(170a,170b,170c)의 출력 임피던스는 50 오옴(Ohm)일 수 있다.A first matching circuit unit 160a may be disposed between the first power supply unit 170a and the first type antenna structure 240a to match an impedance. A second matching circuit unit 160b may be disposed between the second power supply unit 170b and the second type antenna structure 240b to match impedance. A third matching circuit unit 160c may be disposed between the third power supply unit 170c and the third type antenna structure 240c to match an impedance. The power supplies 170a, 170b, and 170c may be AC or RF power. Output impedances of the power supply units 170a, 170b, and 170c may be 50 ohms.

상기 제1 전원부(170a)는 제1 형 안테나 구조체(240a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체(240a)는 4 개의 안테나 구조체(T31, T33, T13, T11)를 포함할 수 있다. Z(T31), Z(T33), Z(T13), 및 Z(T11)는 각각 T31, T33, T13, 및 T11을 포함하는 등가 임피던스들일 수 있다. T31, T33, T13, 및 T11는 병렬 연결될 수 있다.The first power supply unit 170a may be electrically connected to the first type antenna structure 240a. The first type antenna structure 240a may include four antenna structures T31, T33, T13, and T11. Z (T31), Z (T33), Z (T13), and Z (T11) may be equivalent impedances including T31, T33, T13, and T11, respectively. T31, T33, T13, and T11 may be connected in parallel.

상기 제2 전원부(170b)는 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)는 4 개의 안테나 구조체(T32, T23, T12, 및 T21)를 포함할 수 있다. Z(T32), Z(T23), Z(T12), 및 Z(T21)는 각각 T32, T23,T12, 및 T21을 포함하는 등가 임피던스들이다. 32, T23,T12, 및 T21는 병렬 연결될 수 있다.The second power supply unit 170b may be electrically connected to the second type antenna structure 240b. The second type antenna structure 240b may include four antenna structures T32, T23, T12, and T21. Z (T32), Z (T23), Z (T12), and Z (T21) are equivalent impedances including T32, T23, T12, and T21, respectively. 32, T23, T12, and T21 may be connected in parallel.

상기 제3 전원부(170c)는 상기 제3 형 안테나 구조체(240c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체(C)는 하나의 안테나 구조체(T22)를 포함할 수 있다. Z(T22)는 T33을 포함하는 등가 임피던스이다.The third power supply unit 170c may be electrically connected to the third type antenna structure 240c. The third type antenna structure C may include one antenna structure T22. Z (T22) is the equivalent impedance including T33.

상기 제1 안테나 구조체(240a)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력은 상기 제2 안테나 구조체(240b)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력보다 클 수 있다. 상기 제2 안테나 구조체(240b)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력은 상기 제3 안테나 구조체(240c)의 각각의 안테나 구조체에서 소모되는 전력보다 클 수 있다.Power consumed by each antenna structure of the first antenna structure 240a may be greater than power consumed by each antenna structure of the second antenna structure 240b. Power consumed by each antenna structure of the second antenna structure 240b may be greater than power consumed by each antenna structure of the third antenna structure 240c.

상기 제1 형 안테나 구조체(240a)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제1 전류(I(A))는 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류(I(B))보다 클 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체(240b)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류(I(B))는 상기 제3 형 안테나 구조체(240c)의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제3 전류(I(C))보다 클 수 있다.The first current I (A) flowing in each antenna structure of the first type antenna structure 240a is the second current I (B) flowing in each antenna structure of the second type antenna structure 240b. May be greater than). The second current I (B) flowing through each antenna structure of the second type antenna structure 240b is the third current I (C) flowing through each antenna structure of the third type antenna structure 240c. May be greater than).

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 제1 전원부(170a), 제2 전원부(170b), 및 제3 전원부(170c)의 구동 주파수는 서로 다를 수 있다. According to a modified embodiment of the present invention, the driving frequencies of the first power source 170a, the second power source 170b, and the third power source 170c may be different from each other.

도 9은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면이다. 도 9은 도 1의 II-II' 선을 따른 단면도이다.9 is a view for explaining a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention. 9 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 1.

도 1, 도 3 및 도 9을 참조하면, 상기 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn,130), 상기 절연판들(130)이 배치되는 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn, 120) 을 갖는 금속 상판(110), 및 각각의 상기 절연판들(Smn,130) 상에 배치되는 안테나 구조체들(Tmn,140)을 포함한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn,140)은 상기 절연체 판들 하부에 플라즈마를 형성한다.1, 3, and 9, the plasma generating apparatus includes insulating plates Smn and 130 arranged in a matrix along a first direction and a second direction crossing the first direction, and the insulating plates ( The metal upper plate 110 having the through-holes Hmn 120 having a rectangular shape in which the 130 is disposed, and the antenna structures Tmn 140 are disposed on the respective insulating plates Smn 130. The antenna structures Tmn and 140 form a plasma under the insulator plates.

진공 용기(100)는 사각형의 챔버일 수 있다. 상기 진공 용기(100)는 배기부(미도시), 가스 공급부(미도시), 기판(202), 및 기판 홀더(204) 등을 포함할 수 있다. 상기 진공 용기(100)는 플라즈마 처리 공정을 수행할 수 있다. 상기 플라즈마 처리 공정은 식각, 증착, 이온 주입, 및 표면처리 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 기판(202) 및 상기 기판 홀더(204)는 사각형일 수 있다. 상기 기판(202)은 유기 발광 소자 기판, 태양 전지 기판, 액정 표시 기판, 또는 반도체 기판일 수 있다. 상기 기판 홀더는 온도 조절부(미도시), 정전척부(electrostatic chuck), 전원 인가부 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 온도 조절부는 상기 기판의 온도를 조절할 수 있다. 상기 정전척부는 상기 기판을 탈착하는 수단일 수 있다. 상기 전원 인가부는 상기 기판에 RF bias 전압을 인가하는 수단일 수 있다.The vacuum vessel 100 may be a rectangular chamber. The vacuum container 100 may include an exhaust part (not shown), a gas supply part (not shown), a substrate 202, a substrate holder 204, and the like. The vacuum container 100 may perform a plasma treatment process. The plasma treatment process may include at least one of etching, deposition, ion implantation, and surface treatment. The substrate 202 and the substrate holder 204 may be rectangular. The substrate 202 may be an organic light emitting device substrate, a solar cell substrate, a liquid crystal display substrate, or a semiconductor substrate. The substrate holder may include at least one of a temperature controller (not shown), an electrostatic chuck, and a power applying unit. The temperature controller may adjust the temperature of the substrate. The electrostatic chuck may be a means for detaching the substrate. The power applying unit may be a means for applying an RF bias voltage to the substrate.

상기 안테나 구조체들(Tmn,140)은 상기 제1 형 안테나 구조체들(A), 상기 제2 형 안테나 구조체들(B), 및 상기 제3 형 안테나 구조체들(B)로 분리될 수 있다. T21은 절연판(S21) 하부에 플라즈마(P21)을 형성할 수 있다. T23은 절연판(T23) 하부에 플라즈마(P23)를 형성할 수 있다. T22는 절연판(S22) 하부에 플라즈마(P22)를 형성할 수 있다.The antenna structures Tmn and 140 may be separated into the first type antenna structures A, the second type antenna structures B, and the third type antenna structures B. FIG. T21 may form the plasma P21 under the insulating plate S21. T23 may form a plasma P23 under the insulating plate T23. T22 may form the plasma P22 under the insulating plate S22.

상기 제1 형 안테나 구조체들(A)은 서로 병렬 연결되어, 제1 리액티브 소자 부(미도시)에 직렬 연결될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체들(B)는 서로 병렬 연결되어, 제2 리액티브 소자부(150b)에 직렬 연결될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체들(C)는 제3 리액티브 소자부(150c)에 직렬 연결될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 리액티브 소자부는 정합회로부(160)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 정합회로부(160)는 전원부(170)에 전기적으로 연결될 수 있다.The first type antenna structures A may be connected in parallel to each other and connected in series to a first reactive element unit (not shown). The second type antenna structures B may be connected in parallel to each other, and may be serially connected to the second reactive element unit 150b. The third type antenna structures C may be connected in series to the third reactive element unit 150c. The first to third reactive element units may be electrically connected to the matching circuit unit 160. The matching circuit unit 160 may be electrically connected to the power supply unit 170.

도 10 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예들에 따른 안테나 구조체를 설명하는 사시도들이다.10 to 12 are perspective views illustrating an antenna structure according to one embodiment of the present invention.

도 10를 참조하면, 안테나 구조체(540)는 제1 내지 제4 보조 안테나들(540a, 540b,540c,540d)를 포함할 수 있다. 상기 안테나 구조체(540)는 사각형 형상일 수 있다. 상기 안테나 구조체(540)는 상층 및 하층의 복층 구조를 포함할 수 있다. 상기 안테나 구조체(540)는 인쇄회로 기판(559)에 형성될 수 있다. 상기 안테나 구조체의 두께는 수 밀리미터 내지 수 센치 미터일 수 있다. 상기 안테나 구조체(540)는 평면도 상에 사각형 형상일 수 있다. 제1 방향의 따른 상기 안테나 구조체의 길이는 수십 센치 미터 내지 수 미터일 수 있다. 상기 제1 방향을 가로지르는 제 2 방향에 따른 상기 안테나 구조체의 길이는 수십 센치 미터 내지 수 미터일 수 있다. 상기 보조 안테나들은 연결 배선(미도시)을 통하여 서로 병렬 연결되어 하나의 안테나 구조체를 형성할 수 있다. 파워단(P1,P2,P3,P4)은 상기 연결 배선을 통하여 전원부에 연결될 수 있다. 또한, 접지단(G1,G2,G3,G4)는 상기 연결 배선을 통하여 접지될 수 있다. 상기 연결 배선은 인쇄회로 기판에 형성될 수 있다. 상기 제1 내지 제4 보조 안테나들(540a, 540b,540c,540d) 각각에 흐르는 전류는 상 면 및/또는 하면에 실질적으로 폐루프(closed loop)를 형성하도록 형성될 수 있다. Referring to FIG. 10, the antenna structure 540 may include first to fourth auxiliary antennas 540a, 540b, 540c, and 540d. The antenna structure 540 may have a rectangular shape. The antenna structure 540 may include a multilayer structure of an upper layer and a lower layer. The antenna structure 540 may be formed on the printed circuit board 559. The antenna structure may have a thickness of several millimeters to several centimeters. The antenna structure 540 may be rectangular in plan view. The length of the antenna structure along the first direction may be several tens of centimeters to several meters. The length of the antenna structure in the second direction crossing the first direction may be several tens of centimeters to several meters. The auxiliary antennas may be connected in parallel to each other through a connection line (not shown) to form one antenna structure. The power terminals P1, P2, P3, and P4 may be connected to the power supply unit through the connection wires. In addition, the ground terminals G1, G2, G3, and G4 may be grounded through the connection line. The connection wiring may be formed on a printed circuit board. Current flowing through each of the first to fourth auxiliary antennas 540a, 540b, 540c, and 540d may be formed to form a substantially closed loop on an upper surface and / or a lower surface.

상기 제1 보조 안테나(540a)는 제1 파워부(541), 제1 연장부(543), 평면 이동부(547), 제2 연장부(545), 및 제1 접지부(549)를 포함할 수 있다. 상기 제1 파워부(541), 제1 연장부(543), 평면 이동부(547), 제2 연장부(546), 및 제1 접지부(549)는 서로 연속적으로 전기적으로 연결될 수 있다.  The first auxiliary antenna 540a includes a first power unit 541, a first extension part 543, a planar moving part 547, a second extension part 545, and a first ground part 549. can do. The first power part 541, the first extension part 543, the planar moving part 547, the second extension part 546, and the first ground part 549 may be electrically connected to each other continuously.

상기 제1 파워부(541)는 상층에서 평행하게 진행하는 내부 라인(541a) 및 외부 라인(541b)을 포함할 수 있다. 상기 내부 라인(541a)의 양단은 상기 외부 라인(541b)과 접속하도록 직각으로 절곡될 수 있다. 상기 제1 파워부(541)의 일단(P1)은 파워가 공급되고, 상기 제1 파워부(541)의 타단은 상기 외부 라인(541b)의 연장된 부분일 수 있다. The first power unit 541 may include an inner line 541a and an outer line 541b that run in parallel in the upper layer. Both ends of the inner line 541a may be bent at right angles to contact the outer line 541b. One end P1 of the first power unit 541 may be supplied with power, and the other end of the first power unit 541 may be an extended portion of the external line 541b.

상기 제1 연장부(543)는 상층에서 평행하게 진행하는 내부 라인(543a) 및 외부 라인(543b)을 포함할 수 있다. 상기 내부 라인(543a)의 일단은 상기 외부 라인(543b)과 접촉하도록 절곡될 수 있다. 상기 외부라인(543b)의 일단은 연장될 수 있다. 상기 제1 파워부(541)의 상기 외부 라인(541b)의 타단과 상기 제1 연장부(543)의 상기 외부라인(543b)의 일단은 서로 직각으로 교차하면서 접촉할 수 있다. 상기 제1 연장부(543)와 상기 제1 파워부(541)의 접촉 부위는 사각형의 모서리에 배치될 수 있다.The first extension 543 may include an inner line 543a and an outer line 543b running in parallel in the upper layer. One end of the inner line 543a may be bent to contact the outer line 543b. One end of the outer line 543b may extend. The other end of the outer line 541b of the first power unit 541 and one end of the outer line 543b of the first extension part 543 may be in contact with each other at right angles. The contact portion of the first extension part 543 and the first power part 541 may be disposed at a corner of a quadrangle.

상기 제2 연장부(545)는 상기 제1 연장부와 동일한 형태일 수 있다. The second extension part 545 may have the same shape as the first extension part.

상기 제 1 접지부(549)는 상기 파워부와 동일한 형태일 수 있다. 상기 제2 연장부(545)와 상기 제1 접지부(549)는 시계방향으로 90도 회전한 다른 모서리에서 배치될 수 있다. 상기 제1 파워부(541)와 상기 제1 연장부(543)는 상층에 배치될 수 있고, 상기 제2 연장부(545) 및 상기 제1 접지부(549)는 하층에 배치될 수 있다. The first ground part 549 may have the same shape as the power part. The second extension part 545 and the first ground part 549 may be disposed at another corner rotated 90 degrees clockwise. The first power part 541 and the first extension part 543 may be disposed in an upper layer, and the second extension part 545 and the first ground part 549 may be disposed in a lower layer.

상기 제1 연장부(543)의 상기 내부 라인(543a)의 타단과 상기 외부 라인(543b)의 타단은 각각 상기 제2 연장부(545)의 내부라인(545a)의 타단과 외부 라인(545b)의 타단을 연결될 수 있다. 상기 평면 이동부는 상기 인쇄 회로 기판을 관통하는 관통홀에 도전성 물질을 채워서 형성할 수 있다.The other end of the inner line 543a of the first extension 543 and the other end of the outer line 543b are respectively the other end and the outer line 545b of the inner line 545a of the second extension 545. The other end of can be connected. The planar moving part may be formed by filling a conductive material in a through hole penetrating the printed circuit board.

상기 제2 내지 제4 보조 안테나들(540b,540c,540c,540d)은 상기 제1 보조 안테나와 동일한 형태로 시계방향으로 회전하면서 대칭적으로 배치될 수 있다. The second to fourth auxiliary antennas 540b, 540c, 540c, and 540d may be symmetrically disposed while rotating clockwise in the same form as the first auxiliary antenna.

도 11를 참조하면, 안테나 구조체(1140)는 제1 및 제2 보조 안테나들(1140a,1140b)을 포함할 수 있다. 상기 안테나 구조체(1140)은 인쇄회로 기판(1149)에 형성될 수 있다. 파워단(P1,P2)는 전원부에 연결될 수 있다. 또한, 접지단(G1,G2)는 접지될 수 있다. 상기 안테나 구조체(1140)는 상층 및 하층의 복층으로 구성될 수 있다. 상기 안테나 구조체(1140)는 사각형 형상일 수 있다. 상기 제1 보조 안테나(1140a)는 제1 파워부(1141), 제1 연장부(1142), 제2 연장부(1143), 평면이동부(1144), 제3 연장부(1145), 제4 연장부(1146), 및 제1 접지부(1147)를 포함할 수 있다. 제1 파워부(1141), 제1 연장부(1142), 제2 연장부(1143), 평면이동부(1144), 제3 연장부(1145), 제4 연장부(1146), 및 제1 접지부(1147)는 서로 연속적으로 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 11, the antenna structure 1140 may include first and second auxiliary antennas 1140a and 1140b. The antenna structure 1140 may be formed on the printed circuit board 1149. Power stages P1 and P2 may be connected to a power supply unit. In addition, the ground terminals G1 and G2 may be grounded. The antenna structure 1140 may be composed of an upper layer and a lower layer. The antenna structure 1140 may have a rectangular shape. The first auxiliary antenna 1140a includes a first power part 1141, a first extension part 1142, a second extension part 1143, a plane moving part 1144, a third extension part 1145, and a fourth It may include an extension 1146 and a first ground portion 1147. The first power part 1141, the first extension part 1142, the second extension part 1143, the planar moving part 1144, the third extension part 1145, the fourth extension part 1146, and the first extension part 1146. The ground portions 1147 may be electrically connected to each other continuously.

상기 제1 파워부(1141)는 상면의 제1 변에 배치될 수 있다. 상기 제1 연장부(1142)는 상면의 제2 변에 배치될 수 있다. 상기 제2 연장부(1143)는 상면의 제3 변에 배치될 수 있다. 상기 제3 연장부(1145)는 하면의 제3 변에 배치될 수 있다. 상기 제 4 연장부(1146)는 하면의 제4 변에 배치될 수 있다. 상기 제1 접지부(1147)는 하면의 제1 변에 배치될 수 있다. 제1 파워부(1141), 제2 연장부(1143), 제3 연장부(1145),및 제1 접지부(1147)는 같은 길이 일 수 있다. 상기 제1 연장부(1142) 및 상기 제4 연장부(1146)의 길이는 같은 길이일 수 있다. 상기 제1 연장부(1142)의 길이는 상기 제1 파워부의 길이의 두 배일 수 있다. 상기 제1 파워부(1141)는 상기 제1 접지부(1147)와 동일한 형상일 수 있다. 상기 제2 연장부(1143)와 상기 제3 연장부(1145)는 동일한 형상일 수 있다. 상기 제1 연장부(1142)와 상기 제4 연장부(1146)는 동일한 형상일 수 있다. The first power unit 1141 may be disposed on a first side of an upper surface. The first extension part 1142 may be disposed on a second side of the upper surface. The second extension part 1143 may be disposed on a third side of the upper surface. The third extension part 1145 may be disposed on a third side of the lower surface. The fourth extension part 1146 may be disposed on a fourth side of the lower surface. The first ground portion 1147 may be disposed on a first side of the bottom surface. The first power part 1141, the second extension part 1143, the third extension part 1145, and the first ground part 1147 may have the same length. The first extension part 1142 and the fourth extension part 1146 may have the same length. The length of the first extension part 1142 may be twice the length of the first power part. The first power unit 1141 may have the same shape as the first ground unit 1147. The second extension part 1143 and the third extension part 1145 may have the same shape. The first extension part 1142 and the fourth extension part 1146 may have the same shape.

상기 제1 파워부(1141)는 상층에서 평행하게 진행하는 내부 라인(1141a) 및 외부 라인(1141b)을 포함하고, 상기 내부 라인(1141a)의 양단은 상기 외부 라인(1141b)과 접속하도록 직각으로 절곡될 수 있다. 상기 제1 파워부(1141)의 일단(P1)은 파워가 공급되고, 상기 제1 파워부(1141)의 타단은 상기 외부 라인(1141)의 연장된 부분일 수 있다. The first power unit 1141 includes an inner line 1141a and an outer line 1141b that run in parallel in the upper layer, and both ends of the inner line 1141a are perpendicular to the outer line 1141b. Can be bent. One end P1 of the first power unit 1141 may be supplied with power, and the other end of the first power unit 1141 may be an extended portion of the external line 1141.

상기 제1 연장부(1142)는 상층에서 평행하게 진행하는 내부 라인(1142a) 및 외부 라인(1142b)을 포함할 수 있다. 상기 내부 라인의 양단은 외부 라인과 접촉하도록 절곡될 수 있다. 상기 내부라인(1142a)의 양단은 직각으로 절곡되어 상기 외부라인(1142b)에 접속할 수 있다. 상기 제1 연장부(1142)의 상기 외부라인(1142b) 의 양단은 연장될 수 있다. 상기 제1 파워부(1141)의 상기 외부 라인(1141b)의 타단과 상기 제1 연장부(1142)의 상기 외부라인(1142b)의 일단은 서로 직각으로 교차하면서 접촉할 수 있다. The first extension 1142 may include an inner line 1142a and an outer line 1142b that run in parallel in the upper layer. Both ends of the inner line may be bent to contact the outer line. Both ends of the inner line 1142a may be bent at a right angle to connect to the outer line 1142b. Both ends of the outer line 1142b of the first extension part 1142 may extend. The other end of the outer line 1141b of the first power unit 1141 and one end of the outer line 1142b of the first extension part 1142 may be in contact with each other at right angles.

상기 제2 연장부(1143)는 상층에서 평행하게 진행하는 내부 라인(1143a) 및 외부 라인(1143b)을 포함할 수 있다. 상기 내부 라인(1143a)의 일단은 상기 외부 라인(1143b)과 접촉하도록 절곡될 수 있다. 상기 제2 연장부(1143)의 상기 외부라인(1143b)의 양단은 연장될 수 있다. 상기 제1 연장부(1142)의 상기 외부 라인(1142b)의 타단과 상기 제2 연장부(1143)의 상기 외부라인(1143b)의 일단은 서로 직각으로 교차하면서 접촉할 수 있다. The second extension part 1143 may include an inner line 1143a and an outer line 1143b that run in parallel in the upper layer. One end of the inner line 1143a may be bent to contact the outer line 1143b. Both ends of the outer line 1143b of the second extension part 1143 may extend. The other end of the outer line 1142b of the first extension part 1142 and one end of the outer line 1143b of the second extension part 1143 may be in contact with each other at right angles.

상기 제3 연장부(1145)는 상기 제2 연장부(1143)와 동일한 형태일 수 있다. The third extension part 1145 may have the same shape as the second extension part 1143.

상기 평면이동부(1144)는 상기 제2 연장부(1143)와 상기 제3 연장부(1145)를 서로 연결하면서 상층에서 하층으로 연장될 수 있다. The planar moving part 1144 may extend from an upper layer to a lower layer while connecting the second extension part 1143 and the third extension part 1145 to each other.

상기 제4 연장부는 상기 제1 연장부와 동일한 형태일 수 있다. 상기 제3 연장부(1145)는 상기 제4 연장부(1146)와 직각으로 절속될 수 있다. The fourth extension part may have the same shape as the first extension part. The third extension part 1145 may be locked at right angles to the fourth extension part 1146.

상지 제1 접지부(1147)는 상기 제1 파워부(1141)와 동일한 형태일 수 있다. 상기 제4 연장부(1146)는 상기 제1 접지부(1141)와 직각으로 절속될 수 있다.The upper limb first ground portion 1147 may have the same shape as the first power portion 1141. The fourth extension part 1146 may be locked at right angles to the first ground part 1141.

상기 제2 보조 안테나(1140b)는 상기 제1 보조 안테나(1140a)와 동일한 형상으로 시계방향으로 180도 회전하면서 대칭적으로 배치될 수 있다.The second auxiliary antenna 1140b may be symmetrically disposed while rotating 180 degrees clockwise in the same shape as the first auxiliary antenna 1140a.

도 12를 참조하면, 안테나 구조체(2140)는 제1 및 제2 보조 안테나 들(2140a,2140b)을 포함할 수 있다. 상기 안테나 구조체(2140)는 인쇄회로 기판(2249)에 형성될 수 있다. 파워단(P1,P2)은 전원부에 연결될 수 있다. 또한, 접지단(G1,G2)은 접지될 수 있다. 상기 안테나 구조체(2140)는 복층 구조일 수 있다.Referring to FIG. 12, the antenna structure 2140 may include first and second auxiliary antennas 2140a and 2140b. The antenna structure 2140 may be formed on the printed circuit board 2249. Power stages P1 and P2 may be connected to a power supply unit. In addition, the ground terminals G1 and G2 may be grounded. The antenna structure 2140 may have a multilayer structure.

상기 제1 보조 안테나(2140a)는 제1 파워부(2141), 제1 연장부(2142), 제2 연장부(2143), 평면이동부(2144), 제3 연장부(2145), 제4 연장부(2146), 및 제1 접지부(2147)를 포함할 수 있다. 상기 제1 파워부(2141), 제1 연장부(2142), 제2 연장부(2143), 평면이동부(2144), 제3 연장부(2145), 제4 연장부(2146), 및 제1 접지부(2147)는 서로 연속적으로 전기적으로 연결될 수 있다. The first auxiliary antenna 2140a includes a first power unit 2141, a first extension unit 2142, a second extension unit 2143, a plane moving unit 2144, a third extension unit 2145, and a fourth It may include an extension portion 2146 and a first ground portion 2147. The first power part 2141, the first extension part 2142, the second extension part 2143, the planar moving part 2144, the third extension part 2145, the fourth extension part 2146, and The first ground portion 2147 may be electrically connected to each other continuously.

상기 제1 파워부(2141)는 상층의 제1 변에 배치될 수 있다. 상기 제1 연장부(2142)는 상면의 제2 변에 배치될 수 있다. 상기 제2 연장부(2143)는 상면의 제3 변에 배치될 수 있다. 상기 제3 연장부(2145)는 하면의 제3 변에 배치될 수 있다. 상기 제 4 연장부(2146)는 하면의 제4 변에 배치될 수 있다. 상기 제1 접지부(2147)는 하면의 제1 변에 배치될 수 있다. 상기 파워부(2141), 제2 연장부(2143), 제3 연장부(2145), 및 제1 접지부(2147)의 길이는 같을 수 있다. 상기 제1 연장부(2142) 및 제4 연장부(2146)의 길이는 같을 수 있다.The first power unit 2141 may be disposed on the first side of the upper layer. The first extension part 2142 may be disposed on a second side of the upper surface. The second extension part 2143 may be disposed on a third side of the upper surface. The third extension part 2145 may be disposed on a third side of the lower surface. The fourth extension part 2146 may be disposed on a fourth side of the lower surface. The first ground portion 2147 may be disposed on a first side of the bottom surface. The power part 2141, the second extension part 2143, the third extension part 2145, and the first ground part 2147 may have the same length. The first extension part 2142 and the fourth extension part 2146 may have the same length.

상기 제1 파워부(2141), 제2 연장부(2143), 제3 연장부(2145), 및 제1 접지부(2147)는 동일한 형상일 수 있다. 상기 제1 연장부(2142) 및 제4 연장부(2146)는 동일한 형상일 수 있다. 상기 평면이동부(2144)는 상면의 제2 연장부(2143)와 하면 제 3 연장부(2145)를 연결할 수 있다. The first power part 2141, the second extension part 2143, the third extension part 2145, and the first ground part 2147 may have the same shape. The first extension part 2142 and the fourth extension part 2146 may have the same shape. The plane moving part 2144 may connect the second extension part 2143 on the upper surface and the third extension part 2145 on the lower surface.

상기 제2 보조 안테나(2140b)는 상기 제1 보조 안테나와 동일한 형상을 가 질 수 있고, 시계방향으로 180도 회전하여 대칭적으로 배치될 수 있다.The second auxiliary antenna 2140b may have the same shape as the first auxiliary antenna and may be disposed symmetrically by rotating 180 degrees clockwise.

상기 안테나 구조체(2140)는 양면의 인쇄회로기판(2249)에 형성될 수 있다. 상기 안테나 구조체(2140)는 상기 인쇄회로기판(2249)을 패터닝하여 형성될 수 있다. 상기 안테나 구조체는 구리, 금, 은, 알루미늄, 주석 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.The antenna structure 2140 may be formed on both sides of the printed circuit board 2249. The antenna structure 2140 may be formed by patterning the printed circuit board 2249. The antenna structure may include at least one of copper, gold, silver, aluminum, and tin.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면이다.13 is a view for explaining a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 13 을 참조하면, 상기 플라즈마 발생 장치는 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 매트릭스 형태를 배열되어 사각형을 이루는 안테나 구조체들(3140a,3140b,3140c;Tmn)을 포함한다. 상기 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn,130)은 상기 안테나 구조체 아래에 배치된다. 금속 상판(110)은 상기 절연판들(130)이 배치되는 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn, 120)을 갖는다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 상기 금속 상판(110)의 하부에 플라즈마를 형성한다. 상기 안테나 구조체들(Tmn)은 상기 사각형의 모서리에 배치되는 제1 형 안테나 구조체들(3140a), 상기 사각형의 변에 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체들(3140b), 및 상기 제2 형 안테나 구조체들(3140b) 및 제1 형 안테나 구조체들(3140a)로 둘러싸여 배치되는 제3 형 안테나 구조체(3140c)를 포함할 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a)은 A 영역에 배치되고, 상기 제2 안테나 구조체들(3140b)는 B 영역에 배치될 수 있다. 상기 제3 안테나 구조체(3140c)는 C 영역에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 13, the plasma generating apparatus includes antenna structures 3140a, 3140b, 3140c (Tmn) arranged in a matrix in a first direction and a second direction crossing the first direction to form a quadrangle. Insulating plates Smn 130 arranged in a matrix form along the first direction and a second direction crossing the first direction are disposed under the antenna structure. The metal upper plate 110 has through holes Hmn 120 having a rectangular shape in which the insulating plates 130 are disposed. The antenna structures Tmn form a plasma under the metal upper plate 110. The antenna structures Tmn may include first type antenna structures 3140a disposed at corners of the quadrangle, second type antenna structures 3140b disposed adjacent to the sides of the quadrangle, and the second type antennas. It may include a third type antenna structure 3140c disposed surrounded by the structures 3140b and the first type antenna structures 3140a. The first type antenna structures 3140a may be disposed in an area A, and the second antenna structures 3140b may be disposed in an area B. FIG. The third antenna structure 3140c may be disposed in the C region.

상기 금속 상판(110)은 사각형 형태일 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a)는 상기 금속 상판(110)의 모서리에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체들(3140b)는 상기 금속 상판(110)의 변에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 제3 형 안테나 구조체(3140c)은 상기 금속 상판(110)의 중심 상에 배치될 수 있다.The metal upper plate 110 may have a rectangular shape. The first antenna structures 3140a may be disposed to be adjacent to corners of the metal upper plate 110. The second type antenna structures 3140b may be disposed adjacent to the sides of the metal upper plate 110. The third type antenna structure 3140c may be disposed on the center of the metal upper plate 110.

도 10 내지 도 12를 참조하면, 상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a), 상기 제2 형 안테나 구조체들(3140b), 및 상기 제3 형 안테나 구조체(3140c)는 물리적으로 다른 구조를 가질 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a), 상기 제2 형 안테나 구조체들(3140b), 및 상기 제3 형 안테나 구조체(3140c)는 서로 다른 임피던스를 가질 수 있다.10 to 12, the first type antenna structures 3140a, the second type antenna structures 3140b, and the third type antenna structures 3140c may have physically different structures. . The first type antenna structures 3140a, the second type antenna structures 3140b, and the third type antenna structures 3140c may have different impedances.

상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a), 상기 제2 형 안테나 구조체들(3140b), 및 상기 제3 형 안테나 구조체(3140c)에 의하여 상기 금속 상판(110) 하부에 형성된 플라즈마는 균일성을 가질 수 있다. 상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a)은 서로 병렬 연결될 수 있다. 상기 제2 형 안테나 구조체들(3140b)은 서로 병렬 연결될 수 있다. 전원부(미도시)는 상기 제1 형 안테나 구조체들(3140a), 제2 형 안테나 구조체들(3140b), 및 상기 제3 형 안테나(3140c)에 전기적으로 병렬 연결될 수 있다. The plasma formed under the metal upper plate 110 by the first type antenna structures 3140a, the second type antenna structures 3140b, and the third type antenna structures 3140c may have uniformity. have. The first type antenna structures 3140a may be connected in parallel with each other. The second type antenna structures 3140b may be connected in parallel with each other. A power supply unit (not shown) may be electrically connected to the first type antenna structures 3140a, the second type antenna structures 3140b, and the third type antenna 3140c in parallel.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면이다.1 is a view for explaining a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 평면도이다. 2 is a plan view illustrating a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4 내지 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 평면도들이다.4 to 5 are plan views illustrating a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 회로도이다.6 is a circuit diagram illustrating a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치의 영역에 따른 특성을 설명하는 도면이다.FIG. 7 is a diagram illustrating characteristics according to regions of a plasma generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 회로도이다.8 is a circuit diagram illustrating a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 9은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면이다.9 is a view for explaining a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 10 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나 구조체를 설명하는 사시도들이다.10 to 12 are perspective views illustrating an antenna structure according to an embodiment of the present invention.

도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 발생 장치를 설명하는 도면이다.13 is a view for explaining a plasma generating apparatus according to another embodiment of the present invention.

Claims (29)

제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향에 따라 매트릭스 형태로 배열된 절연판들(Smn);Insulating plates Smn arranged in a matrix along a first direction and a second direction crossing the first direction; 상기 절연판들이 배치되고 사각형 형상의 관통 홀들(Hmn)을 포함하는 사각형 금속 상판; 및A rectangular metal upper plate on which the insulating plates are disposed and including through holes Hmn having a rectangular shape; And 각각의 상기 절연판들 상에 배치된 안테나 구조체들(Tmn)을 포함하되,Antenna structures Tmn disposed on each of the insulating plates, 상기 안테나 구조체들은 상기 금속 상판의 모서리에 인접하여 배치되는 제1 형 안테나 구조체들, 상기 금속 상판의 변에 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체들을 포함하고, The antenna structures include first type antenna structures disposed adjacent to an edge of the metal upper plate, second type antenna structures disposed adjacent to a side of the metal upper plate, 상기 제1 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력은 상기 제2 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력보다 더 크고,The power consumption of each of the first type antenna structures is greater than the power consumption of each of the second type antenna structures, 상기 안테나 구조체들은 인쇄 회로 기판에 형성되거나 도선을 절곡하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And the antenna structures are formed on a printed circuit board or bent by conducting wires. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 안테나 구조체들은 상기 제2 형 안테나 구조체들 및 상기 제1 형 안테나 구조체들로 둘러싸인 제3 형 안테나 구조체들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And said antenna structures further comprise third type antenna structures surrounded by said second type antenna structures and said first type antenna structures. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제2 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력은 상기 제3 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력보다 더 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And the power consumption of each of the second type antenna structures is greater than the power consumption of each of the third type antenna structures. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 제1 방향으로 배열된 절연판의 수(m)은 3 이상이고, 상기 제2 방향으로 배열된 절연판의 수(n)은 3 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.The number (m) of the insulating plates arranged in the first direction is three or more, and the number n of the insulating plates arranged in the second direction is three or more. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결되고,The first type antenna structures are electrically connected in parallel with each other, 상기 제2 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And the second type antenna structures are electrically connected in parallel with each other. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 제3 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And the third type antenna structures are electrically connected in parallel with each other. 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 인쇄 회로 기판은 양면 기판이고, 상기 안테나 구조체들은 금, 은, 구리, 니켈, 주석 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.The printed circuit board is a double-sided substrate, wherein the antenna structures include at least one of gold, silver, copper, nickel, tin. 제 1 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 안테나 구조체들은 동일한 형상을 가진 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And the antenna structures have the same shape. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제1 리액턴스 소자부, 및 상기 제2 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제2 리액턴스 소자부 중에서 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And at least one of a first reactance element portion electrically connected in series with the first type antenna structures, and a second reactance element portion electrically connected in series with the second type antenna structures. Generating device. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제1 리액턴스 소자부, 상기 제2 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제2 리액턴스 소자부, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제3 리액턴스 소자부를 중에서 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.A first reactance element portion electrically connected in series with the first type antenna structures, a second reactance element portion electrically connected in series with the second type antenna structures, and an electrical series in series with the third type antenna structures Plasma generator further comprises at least one of the third reactance element to be connected. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제1 리액턴스 소자부, 제2 리액턴스 소자부, 및 제3 리액턴스 소자부는 가변 리액턴스 소자를 포함하는 것은 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And the first reactance element portion, the second reactance element portion, and the third reactance element portion include a variable reactance element. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제1 형 안테나 구조체의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제1 전류는 상기 제2 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류보다 크고, 상기 제2 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류는 상기 제3 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제3 전류보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.The first current flowing through each antenna structure of the first type antenna structure is greater than the second current flowing through each antenna structure of the second type antenna structures, and the first current flowing through each antenna structure of the second type antenna structures. And a second current is greater than a third current flowing in each antenna structure of the third type antenna structures. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급하는 전원부를 더 포함하되,Further comprising a power supply for supplying power to the antenna structures (Tmn), 상기 전원부는 상기 제1 형 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전기적으로 병렬 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And the power supply unit is electrically connected in parallel to the first type antenna structures, the second type antenna structures, and the third type antenna structures. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급하는 복수의 전원부를 더 포함하 되,Further comprising a plurality of power supply for supplying power to the antenna structures (Tmn), 제1 전원부는 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전력을 공급하고,A first power supply unit supplies power to the first type antenna structures, 제2 전원부는 상기 제2 형안테나 구조체들에 전력을 공급하고,A second power supply unit supplies power to the second type antenna structures, 제3 전원부는 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전력을 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And a third power supply unit supplies power to the third type antenna structures. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 제1 전원부의 제1 구동 주파수, 상기 제2 전원부의 제2 구동 주파수, 및 상기 제3 전원부의 제3 구동 주파수 중에서 적어도 하나는 서로 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.At least one of a first driving frequency of the first power supply unit, a second driving frequency of the second power supply unit, and a third driving frequency of the third power supply unit is different from each other. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 제1 형 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들 중에서 적어도 하나는 다른 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.At least one of the first type antenna structures, the second type antenna structures, and the third type antenna structures has a different structure. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 형 안테나 구조체들, 및 상기 제2 형 안테나 구조체들 중에서 적어도 하나는 다른 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.And at least one of the first type antenna structures and the second type antenna structures has a different structure. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 안테나 구조체들(Tmn) 각각은 사각형 형상을 가지고 복층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치. Each of the antenna structures Tmn has a rectangular shape and has a multilayer structure. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 안테나 구조체들(Tmn) 각각은 복수의 보조 안테나들로 구성되고, 같은 평면에서 폐루프(closed loop)를 형성하도록 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치.Each of the antenna structures (Tmn) is composed of a plurality of auxiliary antennas, characterized in that arranged to form a closed loop (closed loop) in the same plane. 기판을 플라즈마 처리하는 진공 용기;A vacuum vessel for plasma treating the substrate; 상기 진공 용기 내부에 배치된 기판 홀더;A substrate holder disposed inside the vacuum container; 상기 진공용기의 상부면에 배치되고 복수의 관통홀들을 포함하는 금속 상판; 및A metal upper plate disposed on an upper surface of the vacuum container and including a plurality of through holes; And 상기 금속 상판 상에 배치되고 제1 방향 및 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 매트릭스 형태로 배열되어 사각형을 이루는 안테나 구조체들(Tmn)들을 포함하되,Antenna structures Tmns disposed on the metal upper plate and arranged in a matrix in a first direction and in a second direction crossing the first direction to form a quadrangle, 상기 안테나 구조체들(Tmn)들은 상기 사각형의 모서리에 배치되는 제1 형 안테나 구조체들, 상기 사각형의 변에 인접하여 배치되는 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제2 형 안테나 구조체들 및 제1 형 안테나 구조체들로 둘러싸여 배치되는 제3 형 안테나 구조체들을 포함하고, 제1 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력은 상기 제2 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력보다 크고, 상기 제2 형 안테나 구조체들 각각의 소모 전력은 상기 제3 안테나 구조체들 각각의 소모 전력보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The antenna structures Tmns may include first type antenna structures disposed at corners of the quadrangle, second type antenna structures disposed adjacent to the sides of the quadrangle, and the second type antenna structures and first type. And third type antenna structures surrounded by the antenna structures, wherein power consumption of each of the first type antenna structures is greater than power consumption of each of the second type antenna structures, and each of the second type antenna structures And the power consumption is greater than the power consumption of each of the third antenna structures. 제 21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제1 방향으로 배열된 절연판의 수(m)은 3 이상이고, 상기 제2 방향으로 배열된 절연판의 수(n)은 3 이상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The number (m) of the insulating plates arranged in the first direction is three or more, and the number n of the insulating plates arranged in the second direction is three or more. 제 21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제1 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결되고,The first type antenna structures are electrically connected in parallel with each other, 상기 제2 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결되고,The second type antenna structures are electrically connected in parallel with each other, 상기 제3 형 안테나 구조체들은 서로 전기적으로 병렬 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.And the third type antenna structures are electrically connected in parallel with each other. 제 21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제1 리액턴스 소자부, 상기 제2 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제2 리액턴스 소자부, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전기적으로 직렬 연결되는 제3 리액턴스 소자부를 중에서 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.A first reactance element portion electrically connected in series with the first type antenna structures, a second reactance element portion electrically connected in series with the second type antenna structures, and an electrical series in series with the third type antenna structures Plasma processing apparatus further comprises at least one of the third reactance element to be connected. 제 24항에 있어서,The method of claim 24, 상기 제1 형 안테나 구조체의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제1 전류는 상기 제2 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류보다 크고, 상기 제2 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제2 전류는 상기 제3 형 안테나 구조체들의 각각의 안테나 구조체에 흐르는 제3 전류보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.The first current flowing through each antenna structure of the first type antenna structure is greater than the second current flowing through each antenna structure of the second type antenna structures, and the first current flowing through each antenna structure of the second type antenna structures. And a second current is greater than a third current flowing in each antenna structure of the third type antenna structures. 제 21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급하는 전원부를 더 포함하되,Further comprising a power supply for supplying power to the antenna structures (Tmn), 상기 전원부는 상기 제1 형 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전기적으로 병렬 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.And the power supply unit is electrically connected in parallel to the first type antenna structures, the second type antenna structures, and the third type antenna structures. 제 21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 안테나 구조체들(Tmn)에 전력을 공급하는 복수의 전원부를 더 포함하되,Further comprising a plurality of power supply for supplying power to the antenna structures (Tmn), 제1 전원부는 상기 제1 형 안테나 구조체들에 전력을 공급하고,A first power supply unit supplies power to the first type antenna structures, 제2 전원부는 상기 제2 형안테나 구조체들에 전력을 공급하고,A second power supply unit supplies power to the second type antenna structures, 제3 전원부는 상기 제3 형 안테나 구조체들에 전력을 공급하는 것을 특징으 로 하는 플라즈마 처리 장치.And a third power supply unit supplies power to the third type antenna structures. 제 21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제1 전원부의 제1 구동 주파수, 상기 제2 전원부의 제2 구동 주파수, 및 상기 제3 전원부의 제3 구동 주파수 중에서 적어도 하나는 서로 다른 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.And at least one of a first driving frequency of the first power supply unit, a second driving frequency of the second power supply unit, and a third driving frequency of the third power supply unit is different from each other. 제 21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 제1 형 안테나 구조체들, 상기 제2 형 안테나 구조체들, 및 상기 제3 형 안테나 구조체들 중에서 적어도 하나는 다른 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.At least one of the first type antenna structures, the second type antenna structures, and the third type antenna structures has a different structure.

Images