KR101027377B1 - Zno double layer transparent conductive electrode, manufacturing methode thereof and solar cell using the same - Google Patents
Zno double layer transparent conductive electrode, manufacturing methode thereof and solar cell using the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101027377B1 KR101027377B1 KR1020100094893A KR20100094893A KR101027377B1 KR 101027377 B1 KR101027377 B1 KR 101027377B1 KR 1020100094893 A KR1020100094893 A KR 1020100094893A KR 20100094893 A KR20100094893 A KR 20100094893A KR 101027377 B1 KR101027377 B1 KR 101027377B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- zno
- zno layer
- layer
- solar cell
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- -1 3 Cl and O 2 Chemical class 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 ZnO 투명전극에 관한 것이며, 좀 더 상세하게는 전기전도성과 광 흡수율을 높일 수 있도록 ZnO를 이중구조로 구성한 투명전극, 그 제조방법 및 그를 이용한 태양전지에 관한 것이다.The present invention relates to a ZnO transparent electrode, and more particularly to a transparent electrode comprising a dual structure of ZnO in order to increase the electrical conductivity and light absorption, a manufacturing method and a solar cell using the same.
투명전극은 최근 환경문제와 에너지 문제 모두를 조화롭게 해결할 수 있는 태양전지, 별도의 키패드를 필요로 하지 않는 터치 패널, 전자종이 디스플레이 등에 채용되는 필수 아이템이다. Transparent electrodes are an essential item to be employed in solar cells, a touch panel that does not require a separate keypad, and an electronic paper display.
투명전극의 재료로는 현재 ITO가 흔히 사용되고 있으나 비용 및 공정의 용이성 면에서 ZnO 또한 대체재로 떠오르고 있다. ITO is commonly used as a material for transparent electrodes, but ZnO is emerging as a substitute for cost and ease of processing.
특히, 실리콘(Si)을 광 흡수층으로 하는 태양전지는 광 흡수율을 높이는 것이 중요 문제가 된다. 실리콘 박막의 두께를 두껍게 할수록 광 흡수량은 높아지나 소자의 소형화 추세와 생산단가를 고려하면 실리콘 박막의 두께는 현재 0.6 μm 정도로 하는 것이 바람직한 상황이다. In particular, in solar cells using silicon (Si) as a light absorption layer, it is important to increase the light absorption rate. As the thickness of the silicon thin film becomes thicker, the amount of light absorption increases. However, considering the trend of miniaturization of the device and the production cost, the thickness of the silicon thin film is preferably about 0.6 μm.
또한, 태양전지에서 흡수된 광 에너지에 의해 생성된 전자·정공 쌍에 의해 흐르는 전류의 전도성도 고려해야 할 요소이다. In addition, the conductivity of the current flowing through the electron-hole pair generated by the light energy absorbed by the solar cell is also a factor to be considered.
이러한 상황 하에서, 태양전지의 광 흡수율을 높이기 위한 방법으로 투명 전극을 이용하여 광 산란 및 포획 기술이 시도되고 있다. Under these circumstances, light scattering and trapping techniques have been attempted using transparent electrodes as a method for increasing the light absorption rate of solar cells.
대한민국 공개특허 제10-2010-0004739호는 태양전지에 채용되는 투명 전극을 두 개의 구조로 하고, 전도성 향상을 위해 제1 전극은 ITO 또는 IZO에 비저항을 낮추는 물질을 혼합하여 구성하고, 그 위에 형성하는 제2 전극은 ZnO 물질로 구성하고 ZnO층을 에칭하여 크고 작은 직경을 갖는 텍스처 구조를 만들어 빛을 산란시키고자 하였다. Republic of Korea Patent Publication No. 10-2010-0004739 has two structures of a transparent electrode employed in a solar cell, the first electrode is composed of a mixture of a material that lowers the specific resistance to ITO or IZO to improve conductivity, formed on it The second electrode is made of a ZnO material and to etch the ZnO layer to create a texture structure having a large and small diameter to scatter the light.
또한, 대한민국 공개특허 제10-2009-0110048호는 기판 위에 ATO 등을 스핀 코팅으로 나노구조물을 형성하고 그 위에 AZO 등을 스퍼터링으로 증착하여 텍스처 구조를 형성하는 태양전지 제조방법을 개시한다. In addition, Korean Patent Laid-Open No. 10-2009-0110048 discloses a solar cell manufacturing method for forming a nanostructure by spin coating ATO or the like on a substrate and depositing AZO or the like on the substrate by sputtering.
상기 공보에 개시된 방법들은 모두 투명 전극의 광 흡수율을 높이기 위한 텍스처 구조를 형성하기 위해 투명 전극 층을 형성한 다음 에칭 공정을 추가하거나 나노 구조물을 스핀 코팅으로 형성하는 등 생산공정의 복잡성을 더하고 있다. 광 흡수에 따라 생성된 전자·정공 쌍의 흐름인 전도성을 높이는 것도 물질의 조성을 조정하는 식으로 하여 역시 공정을 단순화하지 못 할 뿐만 아니라 복잡한 공정에 비해 태양전지의 광 흡수율과 투명 전극의 전도성 향상 효과 또한 만족스럽지 못하다고 볼 수 있다.The methods disclosed in the above publication all add complexity to the production process, such as forming a transparent electrode layer and then adding an etching process or forming a nanostructure by spin coating to form a texture structure for increasing light absorption of the transparent electrode. Increasing the conductivity, which is the flow of electron-hole pairs generated by light absorption, does not simplify the process by adjusting the composition of the material, and also improves the light absorption rate of the solar cell and the conductivity of the transparent electrode compared to the complicated process. It is also not satisfactory.
따라서 본 발명의 목적은 태양전지의 광 흡수율과 전기전도성을 모두 향상시킬 수 있는 투명 전극의 구조를 좀 더 단순한 공정에 의해 제조할 수 있는 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of manufacturing a structure of a transparent electrode which can improve both light absorption and electrical conductivity of a solar cell by a simpler process.
본 발명은, 투명 전극으로서,
텍스처 구조를 형성하는 ZnO 층;및
ZnO층의 결정계면이 전기전도 방향과 나란한 방향으로 형성되는 ZnO 층;을 포함하고,
텍스처 구조를 형성하는 ZnO 층은 {110} 구조의 우선 배향을 가지는 것을 특징으로 하는 ZnO 이중구조 투명전극을 제공할 수 있다. The present invention is a transparent electrode,
A ZnO layer forming a textured structure; and
And a ZnO layer in which the crystal interface of the ZnO layer is formed in a direction parallel to the direction of electrical conduction.
The ZnO layer forming the texture structure may provide a ZnO double structure transparent electrode characterized in that it has a preferred orientation of the {110} structure.
삭제delete
삭제delete
삭제delete
또한, 본 발명은, In addition, the present invention,
결정계면이 전기전도 방향과 나란한 방향으로 형성되는 ZnO 층은 {100} 또는 {101} 구조의 우선 배향을 가지는 것을 특징으로 하는 ZnO 이중구조 투명전극을 제공할 수 있다.The ZnO layer in which the crystal interface is formed in a direction parallel to the electric conduction direction may provide a ZnO double structure transparent electrode, wherein the ZnO layer has a preferred orientation of {100} or {101} structure.
또한, 본 발명은, 서브스트레이트(Substrate)형 태양전지에서는,In addition, the present invention, in the substrate (Substrate) type solar cell,
불투명 금속기판 위에 형성된 광흡수층 위에 결정계면이 전기전도 방향과 나란한 방향으로 형성되는 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층을 형성하고, 상기 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층 위에 텍스쳐 구조의 {110}면 우선배향의 ZnO 층을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 이중구조 투명 전극을 제공할 수 있다. On the light absorbing layer formed on the opaque metal substrate, a ZnO layer having a {100} or {101} preferred orientation in which a crystal interface is formed in a direction parallel to the electrical conductivity direction is formed, and on the {100} or {101} preferred orientation ZnO layer It is possible to provide a ZnO double structure transparent electrode, which is formed by forming a ZnO layer of a {110} plane preferential orientation of a texture structure.
또한, 본 발명은, 서브스트레이트(Substrate)형 태양전지로서,
기판은 금속 박판, 내열성 또는 내화학성을 가진 플라스틱의 표면이 절연처리된 유연 기판 또는 내열성 및 내화학성을 가진 플라스틱의 표면이 절연처리된 유연 기판을 사용하고,
상기 서브스트레이트(Substrate)형 태양전지에 적용되는 투명 전극은,
텍스처 구조를 형성하는 ZnO 층;및
ZnO층의 결정계면이 전기전도 방향과 나란한 방향으로 형성되는 ZnO 층;을 포함하고,
텍스처 구조를 형성하는 ZnO 층은 {110} 구조의 우선 배향을 가지는 ZnO 이중구조 투명 전극인 것을 특징으로 하는 서브스트레이트(Substrate)형 태양전지를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은, 수퍼스트레이트(Superstrate)형 태양전지에서는,
유리기판 위에 텍스쳐 구조의 {110}면 우선배향의 ZnO 층을 형성하고,
상기 텍스쳐 ZnO 층 위에 전기전도특성이 우수한 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층을 형성하며,
상기 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층은 광흡수층과 접합하는 ZnO 이중구조 투명 전극을 제공할 수 있다. In addition, the present invention is a substrate (Substrate) type solar cell,
The substrate may be a metal thin plate, a flexible substrate having an insulating surface of a plastic having heat resistance or chemical resistance or a flexible substrate having an insulating surface of a plastic having heat resistance and chemical resistance,
Transparent electrode applied to the substrate (Substrate) type solar cell,
A ZnO layer forming a textured structure; and
And a ZnO layer in which the crystal interface of the ZnO layer is formed in a direction parallel to the direction of electrical conduction.
The ZnO layer forming the texture structure may provide a substrate-type solar cell, wherein the ZnO layer has a preferred orientation of {110} structure.
In addition, the present invention, in a superstrate type solar cell,
On the glass substrate, a ZnO layer with a preferential orientation of {110} plane of texture structure is formed,
On the texture ZnO layer to form a ZnO layer of {100} or {101} preferred orientation with excellent electrical conductivity,
The ZnO layer having the {100} or {101} preferred orientation may provide a ZnO double structure transparent electrode bonded to the light absorbing layer.
삭제delete
삭제delete
삭제delete
또한, 본 발명은, 결정계면이 전기전도 방향과 나란한 방향으로 형성되는 ZnO 층은 {100} 우선배향 층 및 {101} 우선배향 층을 모두 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 이중구조 투명전극을 제공할 수 있다.In addition, the present invention provides a ZnO double-structured transparent electrode, characterized in that the ZnO layer in which the crystal interface is formed in a direction parallel to the electrical conductivity direction includes both a {100} preferred alignment layer and a {101} preferred alignment layer. Can be.
또한, 본 발명은, In addition, the present invention,
{110} 우선배향면의 ZnO 층과 {100} 또는 {101} 우선배향면의 ZnO 층은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnO 이중구조 투명 전극의 제조방법을 제공할 수 있다.The ZnO layer of the {110} preferentially oriented surface and the ZnO layer of the {100} or {101} preferentially oriented surface may be formed by a chemical vapor deposition (CVD) method. have.
또한, 본 발명은, In addition, the present invention,
{110} 우선배향면의 ZnO 층과 {100} 또는 {101} 우선배향면의 ZnO 층은 플라즈마 또는 광을 에너지원으로 사용하는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnO 이중구조 투명 전극의 제조방법을 제공할 수 있다.ZnO layer of {110} preferred orientation and ZnO layer of {100} or {101} preferred orientation are formed by CVD (Chemical Vapor Deposition) method using plasma or light as energy source It is possible to provide a method for producing a transparent electrode.
또한, 본 발명은, In addition, the present invention,
서브스트레이트(Substrate)형 태양전지로서,As a substrate type solar cell,
불투명 금속기판 위에 형성된 광흡수층 위에 결정계면이 전기전도 방향과 나란한 방향으로 형성되는 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층을 형성하고, 상기 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층 위에 텍스쳐 구조의 {110}면 우선배향의 ZnO 층을 형성하고, 상기 {110} 면의 ZnO층 위에 SiO2xN4y/3,(x+y≒1)로 이루어진 확산 및 반사방지막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제공할 수 있다. On the light absorbing layer formed on the opaque metal substrate, a ZnO layer having a {100} or {101} preferred orientation in which a crystal interface is formed in a direction parallel to the electrical conductivity direction is formed, and on the {100} or {101} preferred orientation ZnO layer A ZnO layer having a preferential orientation of the {110} plane of the texture structure is formed, and SiO 2x N 4y / 3 , (x + y ≒ 1) is formed on the ZnO layer of the {110} plane. It is possible to provide a solar cell characterized in that it further forms a diffusion and anti-reflection film made.
또한, 본 발명은, In addition, the present invention,
수퍼스트레이트(Superstrate)형 태양전지로서, As a superstrate type solar cell,
유리기판 위에 텍스쳐 구조의 {110}면 우선배향의 ZnO 층을 형성하고, On the glass substrate, a ZnO layer with a preferential orientation of {110} plane of texture structure is formed,
상기 텍스쳐 ZnO 층 위에 전기전도특성이 우수한 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층을 형성하고, 상기 유리기판과 ZnO 기반 이중구조의 투명전극 사이에 SiO2xN4y/3,(x+y≒1)로 이루어진 확산 및 반사방지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지를 제공할 수 있다.A ZnO layer having a preferred orientation of {100} or {101} is formed on the texture ZnO layer, and SiO 2x N 4y / 3 , (x + y) is formed between the glass substrate and the transparent electrode of ZnO-based double structure. 1) It is possible to provide a solar cell characterized in that the diffusion and anti-reflection film formed.
본 발명에 따르면 투명전극의 이중 구조로 인하여 광 흡수율과 전기전도성을 모두 향상시킬 수 있으며, 동시에 그 제조공정 또한 단순하고 저비용으로 할 수 있어, 궁극적으로 태양전지의 성능향상 및 출력 당 비용(cost/WP)을 향상시킬 수 있다. According to the present invention, due to the dual structure of the transparent electrode, both light absorption and electrical conductivity can be improved, and at the same time, the manufacturing process can be simplified and at low cost, thereby ultimately improving the performance of the solar cell and cost per output. W P ) can be improved.
도 1은 기판 위에 ZnO 물질을 {110} 방향으로 성장시킨 것을 나타내는 모식도이다.
도 2는 기판 위에 ZnO 물질을 {100} 또는 {101} 방향으로 성장시킨 것을 나타내는 모식도이다.
도 3은 기판 위에 ZnO 물질을 {002} 방향으로 성장시킨 것을 나타내는 모식도이다.
도 4는 기판 위에 ZnO 물질을 {110} 방향으로 성장시킨 후 그 위에 {100} 또는 {101} 방향으로 성장시킨 것을 나타내는 모식도 이다.
도 5는 본 발명에 따라 수퍼스트레이트 방식의 태양전지에 있어서 투명전극을 ZnO 이중구조로 형성한 것을 나타내는 단면 구조도 이다.
도 6은 본 발명에 따라 서브스트레이트 방식의 태양전지에 있어서 투명전극을 ZnO 이중구조로 형성한 것을 나타내는 단면 구조도 이다. 1 is a schematic diagram showing the growth of a ZnO material in the {110} direction on a substrate.
2 is a schematic diagram showing growth of a ZnO material in a {100} or {101} direction on a substrate.
3 is a schematic diagram showing a growth of a ZnO material in a {002} direction on a substrate.
4 is a schematic diagram showing that a ZnO material is grown in a {110} direction on a substrate and then grown in a {100} or {101} direction thereon.
5 is a cross-sectional structural view showing a transparent electrode formed of a ZnO double structure in a superstrate solar cell according to the present invention.
6 is a cross-sectional structural view showing a transparent electrode formed of a ZnO double structure in a substrate solar cell according to the present invention.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대해 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 기판(500) 상에 ZnO 물질을 {110} 방향으로 성장시킨 것을 나타낸다. ZnO 물질을 바닥면에 대해 45°경사가 지도록 성장시키면 그 상면에서는 텍스처(texture) 구조를 갖게 된다. 이러한 텍스처 구조는 빛이 입사했을 때 투과되는 빛 중의 일부를 산란시키게 된다. 따라서 텍스처 구조를 지닌 층 위에 광 흡수층인 실리콘층을 형성하게 되면 산란 된 빛의 입사각도가 다양하여 그중에는 실리콘층 입사 후 전반사를 일으킬 수 있는 경우가 다수 발생한다. 전반사를 일으킨 빛은 실리콘층을 쉽게 빠져나오지 못하고 오랫동안 실리콘층에 머물면서 광 경로를 매우 신장시킬 수 있어 실리콘층의 두께를 두껍게 하지 않고도 광 트랩(trap) 효율을 높일 수 있어 광전변환 효율을 증가시킬 수 있는 장점이 있다.1 illustrates a growth of a ZnO material in a {110} direction on a
한편, ZnO 물질을 기판(500) 면과 나란한 방향을 갖는 {100} 또는 {101} 방향이나 수직으로 직립한 형태의 {002} 방향으로 성장시킬 수도 있다(도 2 및 도 3 참조). Meanwhile, the ZnO material may be grown in the {100} or {101} direction having a direction parallel to the surface of the
도 3과 같이 {002} 방향으로 성장된 ZnO 물질로 투명전극을 구성하게 되면 실리콘층(이른바, P-I-N층)에서 빛에너지로 인해 생성된 전자·정공 쌍에 의해 생성된 전자의 분리 시, 전자의 흐름은 계면전위와 계면 불연속에 의하여 이동도 특성이 원활하지 못하게 된다. 즉, 전기 전도성이 낮아지게 된다. As shown in FIG. 3, when the transparent electrode is made of a ZnO material grown in the {002} direction, the electrons are separated when the electrons are generated by the electron / hole pairs generated by the light energy in the silicon layer (so-called PIN layer). The flow is not smooth due to interfacial potential and interfacial discontinuity. That is, the electrical conductivity becomes low.
이에 반해 도 2와 같이 기판(500) 면에 나란한 방향인 {100} 또는 {101} 방향으로 형성된 ZnO 물질로 투명전극을 구성하면 전류의 흐름이 원활하여 전기 전도성이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.On the contrary, as shown in FIG. 2, when the transparent electrode is made of ZnO material formed in the {100} or {101} direction, which is parallel to the surface of the
따라서, 본 발명의 바람직한 실시 예는 태양전지용 투명전극을 만들 때, 도 4와 같이 {110} 방향의 ZnO층과 {100} 또는 {101}방향의 ZnO층으로 구성된 이중층 구조로 형성할 경우, 텍스처 구조를 통한 광 트랩 효과와 전류 진행에 장애가 되는 경계벽이 최소화되도록 평행구조의 전극을 이중층으로 제작하여 전기 전도성 향상효과를 모두 얻을 수 있다. Therefore, when a transparent electrode for a solar cell is formed, a preferred embodiment of the present invention has a double layer structure composed of a ZnO layer in the {110} direction and a ZnO layer in the {100} or {101} direction as shown in FIG. 4. In order to minimize the effect of light trapping through the structure and the boundary wall that impedes the progress of current, the parallel structure of the electrode may be manufactured in a double layer to obtain both electrical conductivity enhancement effects.
또한, 상기 ZnO 투명전극은 전기전도성 향상을 위해 B, Al, Ga등의 3족 원소를 도핑하는 것이 바람직하다. In addition, the ZnO transparent electrode is preferably doped with Group 3 elements such as B, Al, Ga to improve the electrical conductivity.
도 5는 수퍼스트레이트 방식의 태양전지에 본 발명의 투명전극을 형성한 것이고, 도 6은 서브스트레이트 방식의 태양전지에 본 발명의 투명전극을 형성한 것이다.FIG. 5 is a transparent electrode of the present invention formed on a superstrate solar cell, and FIG. 6 is a transparent electrode of the present invention formed on a substrate solar cell.
수퍼스트레이트 방식은 유리 기판(500)/투명전극(600)/실리콘층(700)/금속 전극(800)으로 구성되는 방식이다. 여기에 들어가는 투명전극(600)은 유리 기판(500) 위에 ZnO 물질을 {110} 방향으로 성장시키고 그 위에 ZnO 물질을 {100} 또는 {101}방향으로 성장시켜 형성한다. {110} 방향의 ZnO 층은 입사한 빛을 산란빔의 형태로 광흡수층인 실리콘층(700)내로 투과시켜서 가능한 많은 빛이 실리콘 막 내에서 전반사를 일으킬 수 있게 한다. 또한, {100} 또는 {101} 방향의 ZnO층은 실리콘층(700)에서 생성된 전자의 이동도 특성 향상과 비저항 특성을 모두 향상시키는 우수한 전극경로를 제공한다. 상기 실리콘층(700)은 CIGS 태양전지에서는 화합물 반도체로 구성된다. The superstrate method includes a
또한, 수퍼스트레이트 방식의 태양전지를 제작함에 있어서는, 유리 기판(500)과 이중구조의 ZnO 투명전극(600) 사이에 SiO2xN4y /3,(x+y≒1)로 이루어진 확산 및 반사 방지막(570)을 포함할 수 있고, 금속 전극(800)과 실리콘층(700) 사이에도 광흡수율을 낮추는 무기소재의 버퍼층(750)을 더 포함할 수 있다. 버퍼층(750)은 본 실시예의 경우 진성(intrinsic) ZnO를 사용하였다. 상기 SiO2xN4y/3,(x+y≒1)층은 SiO2를 형성한 후에 N 성분이 O를 일부 치환하는 공정을 추가하여 형성할 수 있으며, 또는 SiH4, Si2H6, SiH3Cl, 등의 Si성분의 화합물에 O2, O3, N2O, NO2, CO 또는 CO2 등의 O 성분의 화합물과 NH3, N2, 등의 N 성분의 화합물을 동시에 공급하면서 공급가스 유량비를 조절하여 SiO2xN4y/3,(x+y≒1)의 막조성을 제어하여 제조할 수 있다. 이렇게 제조된 막은 산화에 취약한 ZnO층에 수분이나 산소와 같은 산화성분이 확산되는 것을 막아주며 굴절률을 조절하여 반사방지막의 기능을 가지도록 할 수 있다. In manufacturing a superstrate solar cell, SiO 2 x N 4y / 3 , (x + y ≒ 1) is formed between the
상기 금속 전극(800)은 가시광 반사성능과 전도성능이 우수한 Ag와 저가이면서 양질의 도체특성을 나타내는 Al 의 적층소재로 구성할 수 있다. The
서브스트레이트 방식은 유연성기판 또는 유리 기판 등의 다양한 기판(400) 상에 전도특성 및 가시광에서의 반사특성이 우수한 불투명 금속 전극(800)조합과 그 상부에 흡수율을 낮추는 무기소재의 버퍼층(750)/실리콘층(700)/투명전극(650)으로 구성된다. 상기 실리콘층(700)은 PIN 구조 또는 PN 구조를 이루며, 화합물 반도체층으로 구성될 수 있다. 즉, 기판(400)은 유리 기판 또는 표면 절연처리 된 금속 박판이거나 내열과 내 화학특성을 갖춘 플라스틱 소재의 유연기판을 사용할 수 있다. The substrate method is a combination of an
서브스트레이트 방식에 들어가는 투명전극(650)은 실리콘층(700) 위에 {100} 또는 {101}방향의 ZnO 층을 형성하고 그 위에 {110} 방향의 ZnO 층을 형성하여 완성한다. The
이 경우도 수퍼스트레이트 방식의 경우와 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.Also in this case, the same effects as in the case of the superstrate system can be obtained.
상기와 같은 투명전극 구조로 인해 광 흡수율은 0.6 μm 두께로 형성된 광 흡수층인 실리콘층(700)의 두께가 수∼수십 μm로 된 것과 같은 정도로 높아질 수 있고 동시에 전기전도도 역시 매우 높아질 수 있다. Due to the transparent electrode structure as described above, the light absorption may be as high as the thickness of the
상기 서브스트레이트 방식의 태양전지에서도 이중구조의 ZnO 투명전극(650) 위에 SiO2xN4y /3,(x+y≒1)로 이루어진 확산 및 반사 방지막(570)을 형성한다. 또한, 상기 확산 및 반사 방지막(570)을 확산방지기능의 막(x≤y)과 반사방지 기능의 막(580)(x≥y)으로 기능을 분리하여 제조할 수도 있다. 상기 SiO2xN4y /3,(x+y≒1)막의 굴절률은 1.46 내지 2.0이고 혼합물의 조성비에 따라 가시광반사율과 확산방지 기능의 강도를 조절하여 상황에 따라 최적화시킬 수 있다. 질소(N) 함량이 높아질수록 확산방지 기능이 강화되나, 반사방지 기능이 다소 낮아지므로 트레이드오프(Trade Off) 관계를 이룰 수 있다. Even in the substrate type solar cell, SiO 2 x N 4y / 3 , (x + y ≒ 1) is formed on the dual structure ZnO
또한 반사방지막(580)은 SiO2xN4y/3,(x+y≒1)막의 두께를 흡광도가 높은 대역의 파장에 대해 λn/4으로 조절하여 구성할 수도 있다.In addition, the
본 발명의 투명전극은 생산성이 높고 공정 수행이 용이한 CVD 또는 광을 이용하는 CVD 또는 플라즈마를 이용하는 CVD(PECVD:Plasma Enhanced CVD)방법으로 만들 수 있다. 광을 이용하는 경우, 에너지 밀도가 높은 레이저 또는 고에너지 빔인 UV(Ultra-violet)를 조사하여 화학반응을 활성화시킨다.The transparent electrode of the present invention can be made by CVD (Plasma Enhanced CVD) method using plasma or CVD using light, or CVD using high productivity and easy process. In the case of using light, UV (ultra-violet), a high energy density laser or a high energy beam, is irradiated to activate a chemical reaction.
CVD를 이용하여 우선배향 결정면을 가지는 ZnO 박막을 제조하는 방법은 기판의 온도를 제어하는 방법과 반응기체의 조성비를 제어하는 방법이 가장 영향력이 크며, 이 외에도 기판의 종류, 반응기 압력 및 유량과 플라즈마의 파워 등을 제어하여 우선배향 구조를 조절할 수 있다. 본 실시 예에서는 기판온도는 100∼250 ℃의 온도범위, DEZn(Diethylzinc): H2O 유량비는 1:1∼1:5 의 범위 및 반응기 압력은 200∼500 mTorr 범위에서 플라즈마 파워를 100∼250 Watt로 하여 H2O 또는 H2/O2 플라즈마를 반응 챔버 내에 원격방식으로 공급하고, DEZn은 플라즈마로 활성화 시키지 않은 채로 샤워헤드(shower-head)로 분리공급한 후에 반응기내에서 기판과 반응이 진행되도록 할 경우에, 결정성이 우수하고, 우선배향 특성이 양호하며, 광학적·전기적 특성이 우수한 ZnO 박막을 얻을 수 있었다. 특히 기판 온도가 150∼200℃ 사이의 영역, DEZn : H2O 유량비가 1: 2.5∼1:5 이며, 반응기 압력이 300mTorr 이상의 영역에서 {110} 우선배향 구조의 ZnO 박막의 성장이 유리하다. 그러나, 다른 공정변수의 조합을 사용할 경우에도 {110} 우선 배향의 ZnO 성장이 가능하며, 이는 사용하는 반응기 구조와 가스 환경에 따라 달라질 수 있다. {101} 또는 {100} 면의 우선배향은 기판온도 100∼150℃ 사이와 DEZn : H2O 유량비가 1: 1∼1:2.5 사이의 영역과 반응기 압력이 200∼400 mTorr 의 영역에서 우수한 박막을 얻을 수 있다. 따라서, {110} 우선 배향의 박막과 {101} 또는 {100} 우선 배향의 박막을 연속적으로 증착하기 가장 좋은 공정은 기판온도 150℃ 부근, 반응기 압력 300 mTorr의 영역에서 DEZn : H2O의 유량비를 1: 1∼1:2.5로 고정한 후에 {101} 또는 {100} 우선 배향 박막을 증착하고, 반응기내의 반응가스 성분을 퍼지가스를 통하여 제거한 후에 같은 온도 압력 조건에서 DEZn : H2O의 유량비를 1: 2.5∼1: 5로 변화시키면 계속해서 {110} 구조의 박막을 증착할 수 있다. {110} 우선배향의 박막의 두께는 0.5∼3 μm 가량이 수광효과의 확보를 위하여 바람직하며, 전기전도도 특성을 확보하기 위한 {101} 또는 {100} 우선배향의 박막의 두께는 0.2∼1.0 μm 가 바람직하나, 바람직한 두께의 조합은 응용에 따라 달라질 수 있다.
The method of manufacturing a ZnO thin film having a preferential orientation crystal surface using CVD has the most influence on the method of controlling the temperature of the substrate and the method of controlling the composition ratio of the reactant. In addition, the type of substrate, reactor pressure and flow rate, and plasma The preferred alignment structure can be adjusted by controlling the power and so on. In this embodiment, the substrate temperature is in the range of 100 to 250 ° C., DEZn (Diethylzinc): H 2 O flow rate ratio is 1: 1 to 1: 5, and the reactor pressure is 200 to 500 mTorr. Watt is used to remotely supply H 2 O or H 2 / O 2 plasma into the reaction chamber, and DEZn is separated and supplied to the showerhead without being activated by the plasma, and then reacts with the substrate in the reactor. In the case of advancing, a ZnO thin film excellent in crystallinity, preferred orientation properties, and excellent optical and electrical properties could be obtained. In particular, the growth of the ZnO thin film having the {110} preferred orientation structure is advantageous in the region where the substrate temperature is 150 to 200 ° C, the DEZn: H2O flow ratio is 1: 2.5 to 1: 5, and the reactor pressure is 300 mTorr or more. However, ZnO growth of {110} preferred orientation is also possible when using a combination of other process variables, which may depend on the reactor structure and gas environment used. Preferred orientation of the {101} or {100} plane yields excellent thin films in the region between the substrate temperature of 100-150 ° C and the DEZn: H2O flow ratio of 1: 1 to 1: 2.5 and in the region of the reactor pressure of 200-400 mTorr. Can be. Therefore, the best process for continuously depositing {110} preferentially oriented thin films and {101} or {100} preferentially oriented thin films is a flow rate ratio of DEZn: H2O at a substrate temperature of 150 ° C and a reactor pressure of 300 mTorr. : {101} or {100} preferentially deposit the thin film after fixing to 1 to 1: 2.5, remove the reaction gas component in the reactor through the purge gas, and then flow rate ratio of DEZn: H 2 O at 1: 2.5 to the same temperature and pressure conditions. Changing to 1: 5 allows the deposition of thin films of {110} structure. The thickness of the thin film of the {110} preferred orientation is preferably about 0.5 to 3 μm to secure the light-receiving effect, and the thickness of the thin film of the {101} or {100} preferred orientation to secure electrical conductivity is 0.2 to 1.0 μm. Is preferred, but the preferred combination of thicknesses may vary depending on the application.
본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.
The rights of the present invention are not limited to the embodiments described above, but are defined by the claims, and those skilled in the art can make various modifications and adaptations within the scope of the claims. It is self-evident.
400: 기판
500: 유리 기판
570: 확산 및 반사 방지막
580: 반사방지막 600, 650: 투명전극
700: 실리콘층 750: 버퍼층
800: 금속 전극400: substrate
500: glass substrate
570: diffused and antireflective coating
580:
700: silicon layer 750: buffer layer
800: metal electrode
Claims (11)
텍스처 구조를 형성하는 ZnO 층;및
ZnO층의 결정계면이 전기전도 방향과 나란한 방향으로 형성되는 ZnO 층;을 포함하고,
텍스처 구조를 형성하는 ZnO 층은 {110} 구조의 우선 배향을 가지는 것을 특징으로 하는 ZnO 이중구조 투명전극.As a transparent electrode,
A ZnO layer forming a textured structure; and
And a ZnO layer in which the crystal interface of the ZnO layer is formed in a direction parallel to the direction of electrical conduction.
A ZnO double structure transparent electrode, wherein the ZnO layer forming the texture structure has a preferred orientation of the {110} structure.
결정계면이 전기전도 방향과 나란한 방향으로 형성되는 ZnO 층은 {100} 또는 {101} 구조의 우선 배향을 가지는 것을 특징으로 하는 ZnO 이중구조 투명전극.The method of claim 1,
A ZnO double structure transparent electrode, wherein a ZnO layer whose crystal interface is formed in a direction parallel to an electric conduction direction has a preferred orientation of {100} or {101} structure.
불투명 금속기판 위에 형성된 광흡수층 위에 결정계면이 전기전도 방향과 나란한 방향으로 형성되는 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층을 형성하고, 상기 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층 위에 텍스쳐 구조의 {110}면 우선배향의 ZnO 층을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 이중구조 투명 전극. The solar cell of claim 1, wherein in the substrate type solar cell,
On the light absorbing layer formed on the opaque metal substrate, a ZnO layer having a {100} or {101} preferred orientation in which a crystal interface is formed in a direction parallel to the electrical conductivity direction is formed, and on the {100} or {101} preferred orientation ZnO layer A ZnO double structure transparent electrode formed by forming a ZnO layer with a {110} plane preferential orientation of a texture structure.
기판은 금속 박판, 내열성 또는 내화학성을 가진 플라스틱의 표면이 절연처리된 유연 기판 또는 내열성 및 내화학성을 가진 플라스틱의 표면이 절연처리된 유연 기판을 사용하고,
상기 서브스트레이트(Substrate)형 태양전지에 적용되는 투명 전극은,
텍스처 구조를 형성하는 ZnO 층;및
ZnO층의 결정계면이 전기전도 방향과 나란한 방향으로 형성되는 ZnO 층;을 포함하고,
텍스처 구조를 형성하는 ZnO 층은 {110} 구조의 우선 배향을 가지는 ZnO 이중구조 투명 전극인 것을 특징으로 하는 서브스트레이트(Substrate)형 태양전지. As a substrate type solar cell,
The substrate may be a metal thin plate, a flexible substrate having an insulating surface of a plastic having heat resistance or chemical resistance or a flexible substrate having an insulating surface of a plastic having heat resistance and chemical resistance,
Transparent electrode applied to the substrate (Substrate) type solar cell,
A ZnO layer forming a textured structure; and
And a ZnO layer in which the crystal interface of the ZnO layer is formed in a direction parallel to the direction of electrical conduction.
A substrate-type solar cell, wherein the ZnO layer forming the texture structure is a ZnO double structure transparent electrode having a preferred orientation of the {110} structure.
유리기판 위에 텍스쳐 구조의 {110}면 우선배향의 ZnO 층을 형성하고,
상기 텍스쳐 ZnO 층 위에 전기전도특성이 우수한 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층을 형성하며,
상기 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층은 광흡수층과 접합하는 ZnO 이중구조 투명 전극. The method of claim 1, wherein in a superstrate solar cell,
On the glass substrate, a ZnO layer with a preferential orientation of {110} plane of texture structure is formed,
On the texture ZnO layer to form a ZnO layer of {100} or {101} preferred orientation with excellent electrical conductivity,
The ZnO double structure transparent electrode of which the ZnO layer of the {100} or {101} preferred alignment is bonded to the light absorbing layer.
불투명 금속기판 위에 형성된 광흡수층 위에 결정계면이 전기전도 방향과 나란한 방향으로 형성되는 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층을 형성하고, 상기 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층 위에 텍스쳐 구조의 {110}면 우선배향의 ZnO 층을 형성하고, 상기 {110} 면의 ZnO층 위에 SiO2xN4y/3,(x+y≒1)로 이루어진 확산 및 반사방지막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지. As a substrate type solar cell,
On the light absorbing layer formed on the opaque metal substrate, a ZnO layer having a {100} or {101} preferred orientation in which a crystal interface is formed in a direction parallel to the electrical conductivity direction is formed, and on the {100} or {101} preferred orientation ZnO layer A ZnO layer having a preferential orientation of the {110} plane of the texture structure is formed, and SiO 2x N 4y / 3 , (x + y ≒ 1) is formed on the ZnO layer of the {110} plane. Solar cell characterized in that it further comprises a diffusion and anti-reflection film made.
유리기판 위에 텍스쳐 구조의 {110}면 우선배향의 ZnO 층을 형성하고,
상기 텍스쳐 ZnO 층 위에 전기전도특성이 우수한 {100} 또는 {101} 우선배향의 ZnO 층을 형성하고, 상기 유리기판과 ZnO 기반 이중구조의 투명전극 사이에 SiO2xN4y/3,(x+y≒1)로 이루어진 확산 및 반사방지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지.As a superstrate type solar cell,
On the glass substrate, a ZnO layer with a preferential orientation of {110} plane of texture structure is formed,
A ZnO layer having a preferred orientation of {100} or {101} is formed on the texture ZnO layer, and SiO 2x N 4y / 3 , (x + y) is formed between the glass substrate and the transparent electrode of ZnO-based double structure. 1) A solar cell, characterized in that to form a diffusion and anti-reflection film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100094893A KR101027377B1 (en) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | Zno double layer transparent conductive electrode, manufacturing methode thereof and solar cell using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100094893A KR101027377B1 (en) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | Zno double layer transparent conductive electrode, manufacturing methode thereof and solar cell using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101027377B1 true KR101027377B1 (en) | 2011-04-11 |
Family
ID=44049686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100094893A KR101027377B1 (en) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | Zno double layer transparent conductive electrode, manufacturing methode thereof and solar cell using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101027377B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101265656B1 (en) | 2011-04-18 | 2013-05-22 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | Light extraction layer for oled and manufacturing method thereof |
| KR101299534B1 (en) * | 2011-04-18 | 2013-08-23 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | Light extraction layer for oled and manufacturing method thereof |
| CN110164986A (en) * | 2019-05-23 | 2019-08-23 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | The preparation method of cell piece and its cell piece obtained |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217428A (en) | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Photoelectric conversion device and its manufacturing method |
| JP2003264307A (en) | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Sharp Corp | Thin film solar cell and its manufacturing method |
| JP2008177625A (en) | 2008-05-07 | 2008-07-31 | Masayoshi Murata | Substrate for thin-film solar cell, manufacturing method therefor, and the thin-film solar cell using the same |
| KR20090084539A (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-05 | 주식회사 엘지화학 | Surface-textured zinc oxide based transparent conductive thin film having double layer structure and method for preparting the same |
-
2010
- 2010-09-30 KR KR1020100094893A patent/KR101027377B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217428A (en) | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Sanyo Electric Co Ltd | Photoelectric conversion device and its manufacturing method |
| JP2003264307A (en) | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Sharp Corp | Thin film solar cell and its manufacturing method |
| KR20090084539A (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-05 | 주식회사 엘지화학 | Surface-textured zinc oxide based transparent conductive thin film having double layer structure and method for preparting the same |
| JP2008177625A (en) | 2008-05-07 | 2008-07-31 | Masayoshi Murata | Substrate for thin-film solar cell, manufacturing method therefor, and the thin-film solar cell using the same |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101265656B1 (en) | 2011-04-18 | 2013-05-22 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | Light extraction layer for oled and manufacturing method thereof |
| KR101299534B1 (en) * | 2011-04-18 | 2013-08-23 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | Light extraction layer for oled and manufacturing method thereof |
| CN110164986A (en) * | 2019-05-23 | 2019-08-23 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | The preparation method of cell piece and its cell piece obtained |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI438904B (en) | Method for obtaining high performance thin film devices deposited on highly textured substrates | |
| EP2110859B1 (en) | Laminate type photoelectric converter and method for fabricating the same | |
| CN102903764A (en) | Three-layered silicon nitride antireflective film of crystalline silicon solar cell and preparation method thereof | |
| US20120237670A1 (en) | Fabricating method of solar cell | |
| KR101262871B1 (en) | Photovoltaic device including flexible or inflexible substrate and method for manufacturing the same | |
| Kim et al. | Development of a‐SiOx: H solar cells with very high Voc× FF product | |
| Shin et al. | Optimization of intrinsic hydrogenated amorphous silicon deposited by very high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using the relationship between Urbach energy and silane depletion fraction for solar cell application | |
| JP4939058B2 (en) | Method for producing transparent conductive film and method for producing tandem-type thin film photoelectric conversion device | |
| US20120325284A1 (en) | Thin-film silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same | |
| KR101027377B1 (en) | Zno double layer transparent conductive electrode, manufacturing methode thereof and solar cell using the same | |
| CN110444634B (en) | P-type single crystal PERC double-sided battery and manufacturing method thereof | |
| KR101018319B1 (en) | Method for manufacturing a organic-inorganic hybrid tandem solar cell | |
| JP4945686B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
| JP4789131B2 (en) | Solar cell and method for manufacturing solar cell | |
| WO2009131212A1 (en) | Solar cell | |
| Salabaş et al. | Record amorphous silicon single‐junction photovoltaic module with 9.1% stabilized conversion efficiency on 1.43 m2 | |
| KR20120055132A (en) | Thin film solar cell | |
| KR101833941B1 (en) | Thin flim solar cell | |
| JP4443274B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
| US20110259398A1 (en) | Thin film solar cell and method for manufacturing the same | |
| US20110088766A1 (en) | Thin-Film Photovoltaic Device and Method for Manufacturing the Same | |
| JP2006216624A (en) | Solar cell and its production process | |
| KR102071481B1 (en) | Transparent bifacial solar cells with improved transparency employing silver oxide embedded transparent electrodes and manufacturing method of the same | |
| WO2013051519A1 (en) | Thin film solar cell module and method for manufacturing thin film solar cell module | |
| JP2014241311A (en) | Thin film solar cell module |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150303 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160226 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170308 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180104 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181219 Year of fee payment: 9 |