KR101016284B1 - Ｃｏｇ 방식 액정표시소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 드라이브 IC를 기판 상에 직접 실장하는 COG구조에 있어서, 패드전극의 표면을 엠보싱 처리하여 패드전극과 FPC 필름과의 접착력을 강화함으로써 패드전극과 FPC 필름 사이의 오픈 현상을 최소화하고자 하는 COG 방식 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 게이트 배선과 데이터 배선의 교차영역마다 박막트랜지스터가 형성된 단위 픽셀을 복수개 포함하는 액티브영역과, 상기 액티브영역의 외곽부에 형성된 패드전극과, 상기 패드 전극 상에 형성된 엠보싱 패턴과, 상기 엠보싱 패턴을 포함한 상기 패드 전극 상에 탑재된 접착제와, 상기 접착제에 의해서 상기 패드전극에 접속하는 외부 구동회로부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
COG, FPC, 패드오픈, 엠보싱처리

Description

ＣＯＧ 방식 액정표시소자 및 그 제조방법{Chip On Glass Type Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same}
도 1은 일반적인 COG 방식 액정표시소자의 평면도.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선상에서의 종래 기술에 의한 FPC 필름 부착 공정단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 액정표시소자의 평면도.
도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'선상에서의 액정표시소자의 단면도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 의한 FPC 필름 부착 공정단면도.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 의한 액정표시소자의 공정단면도.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 액정표시소자의 평면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명
150 : TFT 어레이 기판 152 : 액티브 영역
154 : 패드부 영역 161 : 게이트 배선
162 : 데이터 배선 170 : 게이트 드라이브 IC
180 : 데이터 드라이브 IC 182 : FPC 필름
183 : 범프 184 : ACF수지
190 : 패드전극 191 : 투명도전막
192 : 엠보싱 패턴
본 발명은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 기판의 패드전극과 FPC 필름의 접착력을 향상시키기 위한 COG 방식 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
액정표시소자는 콘트라스트(contrast) 비가 크고, 계조 표시나 동화상 표시에 적합하며 전력소비가 적다는 특징 때문에 평판 디스플레이 중에서도 그 비중이 증대되고 있다.
이러한 액정표시소자는 색상 구현을 위한 컬러필터층이 구비된 컬러필터 기판과, 상기 컬러필터 기판에 대향합착된 TFT 어레이 기판과, 상기 두 기판 사이에 봉입된 액정층과, 상기 TFT 어레이 기판을 구동하기 위한 구동회로부로 구성되어 각종 외부신호에 의해 화상을 표시한다.
여기서, 상기 TFT 어레이 기판에는 서로 수직 교차하여 정의된 각 화소에 각종 신호를 전달하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 신호를 화소전극에 선택적으로 인가하기 위한 박막트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor)와, 단위 화소영역이 차후에 어드레싱(addressing)될 때까지 충전 상태를 유지하게 하는 스토리지 커패시터(storage capacitor)가 형성되어 있다.
그리고, 상기 구동회로부에는 상기 게이트 배선들을 구동하기 위한 게이트 드라이브와, 상기 데이터 배선들을 구동하기 위한 데이터 드라이브와, 상기 게이트 드라이브 및 데이터 드라이브를 제어하기 위한 타이밍 제어부와, 액정표시소자에서 필요로 하는 공통전압(Vcom), 게이트 하이전압(Vgh), 게이트 로우전압(Vgl) 등과 같은 구동전압들을 생성하는 전원공급부가 구비되어 있다.
상기 게이트 드라이브 는 스캐닝 신호를 게이트 배선들에 순차적으로 공급하여 각 화소를 1라인분씩 순차적으로 구동하고, 상기 데이터 드라이브는 게이트 배선들 중 어느 하나에 스캐닝 신호가 공급될 때마다 데이터 배선들 각각에 화소전압 신호를 공급한다.
이에 따라, 액정표시소자는 액정셀별로 화소전압신호에 따라 화소전극과 공통전극 사이에 인가되는 전계에 의해 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다.
이 때, 상기 데이터 드라이브와 게이트 드라이브는 다수개의 IC(Integrated Circuit)들로 집적화된다.
상기와 같이, 집적화된 데이터 드라이브 IC와 게이트 드라이브 IC 각각은 액정표시소자에 실장(packaging)시키는 방법에 따라 TCP(Tape Carrier Package) 상에 실장하여 액정패널에 접속되는 TAB(Tape Automated Bonding) 방식과 TFT 어레이 기판 상에 드라이브 IC를 직접 실장하는 COG(Chip On Glass) 방식이 있다.
이중, 상기 COG 방식의 액정표시소자에는 드라이브 IC들에게 신호들을 제공하기 위한 가요성 인쇄회로 필름(Flexible Printed Circuit Film; 이하 "FPC 필름"이라 함)이 부착되게 된다. 상기 FPC 필름에는 드라이브 IC 모두에 전기신호를 공통적으로 제공할 수 있는 배선이 포함되어 각종 신호를 공급한다.
상기 COG 방식에 의한 액정표시소자에 대해 구체적으로 살펴보기로 한다.
도 1은 일반적인 COG 방식 액정표시소자의 평면도이고, 도 2a 및 도 2b는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'선상에서의 종래 기술에 의한 FPC 필름 부착 공정단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 액정표시소자의 TFT 어레이 기판(50)은 화상이 표시되는 점선 안쪽의 액티브 영역(52)과 점선 바깥쪽의 패드부 영역(54)으로 나누어진다.
액티브 영역(52) 내에는 다수의 게이트 배선(61)과 데이터 배선(62)이 형성되어 있는데, 게이트 배선(61)과 데이터 배선(62)은 교차하여 단위 화소를 정의한다.
상기 게이트 배선(61) 및 데이터 배선(62)이 교차하는 부분에는 박막트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)가 형성되고, 상기 각 화소영역에는 상기 각 박막트랜지스터의 드레인 전극에 연결되는 화소전극(10)이 형성되어, 상기 각 박막트랜지스터의 스위칭에 의해 화상이 표시된다.
다음, 패드부 영역(54)에는 게이트 배선(61) 및 데이터 배선(62)에서 연장 형성된 게이트 패드(63) 및 데이터 패드(64)가 형성되어 있으며, 상기 게이트 패드(63) 및 데이터 패드(64)는 게이트 드라이브 IC(70) 및 데이터 드라이브 IC(80)와 각각 연결되어 박막트랜지스터들(Thin Film Transistor; 이하 "TFT"라 함)을 구동하기 위한 신호들을 전달받는다.
그리고, 상기 게이트 드라이브 IC(70) 및 데이터 드라이브 IC(80) 바깥쪽에는 상기 드라이브 IC들과 접속하는 FPC 필름(82)이 연결되어 있는데, 상기 드라이 브 IC들(70,80)과 FPC 필름(82)은 패드전극(도 2a의 70) 및 투명도전막(도 2a의 71)의 적층막에 접속되어 기판(50)에 실장된다.
상기 드라이브 IC들(70,80)과 상기 FPC 필름(82)은 이방성도전필름(Anisotropic Conductive Film; 이하 "ACF수지"라 함)(도 2a의 82)과 범프들(Bumps)(도 2의 83)에 의해 패드부 영역(54)에 나란하게 접착하게 된다. 여기서, FPC 필름(82)에는 도시하지 않은 제어회로부로부터의 전기신호들(예를 들면, 비디오데이터, 타이밍제어신호들 및 전압신호들)을 드라이브 IC들(70,80)쪽으로 전송하기 위한 배선이 실장되어 있다.
상기 FPC 필름(82)의 부착 공정을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(50)의 패드부 영역에 적층된 패드 전극(90) 및 투명도전막(91)의 적층막 상에 ACF수지(84)를 형성한다. 상기 ACF수지(84)는 얇은 절연막으로 둘러싸인 도전성 구체인 도전볼이 접착성 수지에 산포된 구조로 되어 있다.
여기서, 패드 전극(90)은 액티브 영역의 게이트 배선(61) 또는 데이터 배선(62)과 동시에 형성되고, 상기 투명도전막(91)은 액티브 영역의 화소전극(10)과 동시에 형성된다. 다만, 공정의 오차 또는 공정력 부족으로 인해 패드전극(90) 및 투명도전막(91)의 두께가 균일하지 않아 단차 불균일(G)이 발생할 수 있다.
이후, ACF수지(84)가 형성된 기판(50)에 FPC 필름(82)을 가압하여 접착시키면, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 ACF수지(84)의 도전볼이 깨어지면서 FPC 필름(83)의 범프들(83)과 기판(50)의 패드전극(90)을 전기적으로 완전 접속시킨다.
그러나, 전술한 바와 같이, 패드전극(90)의 단차가 불균일하여 상대적으로 위치가 낮은 패드 부분이 오픈될 우려가 있다. 패드 부분이 오픈되면 FPC 필름(82)의 각종 전기신호들을 드라이브 IC들(70,80)에 전달할 수 없으므로 액정표시소자의 구동이 이루어지지 않게 된다. 이러한 문제점은 고온 고습의 환경 하에서 ACF수지의 접착 상태가 약해지므로 더욱 발생하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, FPC 필름을 부착하기 위한 패드전극 표면을 엠보싱 처리함으로써 패드 단차 불균일에 의한 오픈 불량을 방지하고 환경적 변화에도 접착력을 지속적으로 유지하는 COG 방식 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 COG 방식 액정표시소자는 게이트 배선과 데이터 배선의 교차영역마다 박막트랜지스터가 형성된 단위 픽셀을 복수개 포함하는 액티브영역과, 상기 액티브영역의 외곽부에 형성된 패드전극과, 상기 패드 전극 상에 형성된 엠보싱 패턴과, 상기 엠보싱 패턴을 포함한 상기 패드 전극 상에 탑재된 접착제와, 상기 접착제에 의해서 상기 패드전극에 접속하는 외부 구동회로부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 본 발명의 또다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 COG 방식 액정표시소자의 제조방법은 기판의 액티브 영역에 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하고, 그 교차 지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 액티브 영역 외곽부 에 패드전극을 형성하는 단계와, 상기 패드전극 전극 표면을 엠보싱 처리하는 단계와, 상기 패드전극 상에 접착제를 탑재시키는 단계와, 상기 접착제에 의해 패드전극과 접속하도록 외부 구동회로부를 가압부착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명에 의한 액정표시소자는 드라이브 IC와 FPC 필름을 박막 어레이 기판 상에 동시에 실장하는 칩 온 글래스 방식에 의한 것으로서, FPC 필름을 부착하기 위한 패드전극 표면을 엠보싱 처리함으로써 패드전극 단차 불균일에 의한 오픈 불량을 방지함을 특징으로 한다.
오픈 불량은 고온고습 환경에서 더욱 발생할 수 있는데, 패드전극 표면을 엠보싱처리하여 단차불균일을 보상하고 접착면적을 넓게 함으로써 어떠한 공정 환경하에서도 접착력을 지속적으로 유지할 수 있게 된다.
여기서, 엠보싱 처리는 다양한 공정을 응용하여 이용할 수 있을 것인데, 패드전극 표면이나 패드전극 상에 적층된 투명도전막 표면에 H2 플라즈마 공정 또는 He 에싱공정을 수행하여 그 표면을 러프(rough)하게 하거나 또는, 패드전극 상에 별도의 엠보싱 패턴을 형성하여 그 표면을 러프하게 표현할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명에 의한 COG 방식 액정표시소자 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 액정표시소자의 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'선상에서의 액정표시소자의 단면도이며, 도 5a 및 도 5b는 본 발명에 의한 FPC 필름 부착 공정단면도이다.
그리고, 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 액정표시소자의 평면도이다.
박막트랜지스터가 형성되는 TFT 어레이 기판(150)은, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 액티브 영역(152)과 패드부 영역(154)으로 구분되는데, 상기 액티브 영역(152)에는 스캐닝 신호를 전달하는 게이트 배선(161)과, 상기 게이트 배선(161)에 수직 교차되어 각 화소를 정의하고 영상신호를 전달하는 데이터 배선(162)과, 상기 게이트 배선(161) 및 데이터 배선(162)의 교차 지점에 형성되어 게이트 전극(161a), 게이트 절연막(113), 반도체층(114), 소스/드레인 전극(162a, 162b)으로 이루어지는 박막트랜지스터(TFT)와, 보호막(116)을 그 사이에 두고 상기 박막트랜지스터(TFT)와 연결되는 화소전극(110)을 구비하여 구성된다.
상기 게이트 배선(161) 및 데이터 배선(162)은 전기전도도가 우수하고 저항이 낮은 금속을 주로 사용하고, 상기 게이트 절연막(113)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)등의 무기절연물질을 주로 사용하며, 상기 보호막(116)은 BCB, 아크릴 수지 등의 유기절연물질을 주로 사용하여 형성된다.
그리고, 상기 패드부 영역(154)에는 게이트 배선(161) 및 데이터 배선(162)에서 각각 연장 형성된 게이트 패드 및 데이터 패드(163, 164)가 형성되어 있으며, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드(163, 164)의 한쪽 끝은 각각 게이트 드라이브 IC 및 데이터 드라이브 IC(도 1의 70,80 참고)에 접속된다. 즉, 상기 게이트 패드(163)는 상기 게이트 드라이브 IC에 연결되고, 상기 데이터 패드(164)는 상기 데이터 드라이브 IC에 연결된다.
이 때, 상기 게이트 드라이브 IC 및 데이터 드라이브 IC 바깥측에는 소정 거리를 두고 FPC 필름(182)이 실장되는데, 상기 드라이브 IC들과 FPC 필름(182)은 TFT 어레이 기판(150) 상에 직접 부착된다. 기판 상에 드라이버IC와 FPC 필름(182)을 접착시킬 때에는 이방성 도전접착제가 보호용 필름 위에 부착된 ACF수지(184)를 통상 사용한다.
구체적으로, 상기 FPC 필름(182)은 TFT 어레이 기판(150)의 패드부 영역에 형성된 패드전극(190)과 투명도전막(191)의 적층막에 부착되는데, 단차불균일을 보상하고 접착력을 높이기 위해 상기 패드전극(190) 상에 엠보싱 패턴(192)이 더 구비된다.
상기 엠보싱 패턴(192)에 의해 접촉 표면적이 넓어지고 단차 불균일(G)도 보상되므로, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, FPC 필름(182)을 가압하여 부착하였을 경우 오픈 불량이 방지된다.
상기 엠보싱 패턴(192)은 투명도전막(191) 표면에 H2 플라즈마 공정 또는 He 에싱공정을 수행하여 그 표면을 러프하게 하거나 또는 패드전극(190) 상에 엠보싱 패턴(192)을 삽입하고 그 표면을 따라 투명도전막(191)을 증착하여 형성한다.
후자의 방법에 있어서, 상기 패드전극(190) 상에 형성된 엠보싱 패턴(192)은 액티브 영역의 보호막(116)과 동시에 형성 가능한 것으로, 별도의 공정이 요구되는 것은 아니다.
참고로, 상기 패드전극(190)은 전기전도도가 우수한 저저항 재질로 형성되어 야 하므로, 액티브 영역의 게이트 배선(161) 및 데이터 배선(162)과 동시에 형성함으로써 공정을 감소시킬 수 있고, 상기 투명도전막(191)은 쉽게 산화되지 않으면서 전기전도도가 우수한 재질로 형성되어야 하므로, 액티브 영역의 화소전극(110)과 동시에 형성함으로써 공정을 감소시킬 수 있다.
이하에서는, 상기 액정표시소자의 제조방법을 살펴보기로 한다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 의한 액정표시소자의 공정단면도이다.
먼저, 도 6a에 도시된 바와 같이, 기판(150) 상에 신호지연의 방지를 위해서 낮은 비저항을 가지는 금속을 증착한 후 패터닝하여, 액티브 영역에는 복수개의 게이트 배선(161) 및 게이트 전극(161a)을 형성하고 패드부 영역에는 복수개의 패드전극(190)을 형성한다.
이 때, 상기 패드전극(190)은 게이트 드라이브 IC가 기판(150)에 접속되는 패드전극과 FPC 필름(182)이 기판(150)에 접속되는 패드전극이 있으나, 도 6a에는 FPC 필름(182)이 접속되는 패드전극(190)만 나타내었다.
다음, 상기 게이트 배선(161)을 포함한 전면에 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기 절연물질을 통상, 플라즈마 강화형 화학 증기 증착(PECVD: plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법으로 증착하여 게이트 절연막(113)을 형성하고, 상기 게이트 절연막(113)을 포함한 전면에 비정질 실리콘(a-Si:H)을 고온에서 증착한 후 패터닝하여 게이트 전극(161a) 상부에 반도체층(114)을 형성한다.
계속하여, 상기 반도체층(114)을 포함한 전면에 저저항 금속을 증착하고 패 터닝하여 복수개의 데이터 배선(162) 및 소스/드레인 전극(162a,162b)을 형성한다. 이 때, 패드전극을 형성하여도 무방할 것이다.
상기 게이트 배선용 물질 및 데이터 배선용 물질은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 저저항 금속을 사용한다.
이로써, 게이트 전극(161a)과, 게이트 절연막(113)과, 반도체층(114)과, U자형의 소스/드레인 전극(162a, 162b)으로 구성되는 박막트랜지스터(TFT)를 완성한다.
그리고, 상기 박막트랜지스터(TFT)를 포함한 전면에 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 수지(acryl resin) 등의 유기절연물질을 도포하고 패터닝하여 보호막(116) 및 엠보싱 패턴(192)을 형성한다. 상기 엠보싱 패턴(192)은 상기 패드전극(190) 상부에 형성하여 공정오차로 인해 발생하는 패드전극(190)의 단차를 보상하고 접촉표면적을 넓히는 역할을 한다.
이후, 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 보호막(116)을 포함한 전면에 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명도전물질을 증착하고 패터닝하여 화소전극(110) 및 투명도전막(191)을 형성한다. 상기 화소전극(110)은 보호막(116)을 관통하여 상기 드레인 전극(162b)에 전기적으로 연결하고, 상기 투명도전막(191)은 패드전극(190)이 커버되도록 엠보싱 패턴(192)을 따라 형성하여 그 표면에 요철이 생기게 한다.
이후, 도 6c에 도시된 바와 같이, 패드부 영역을 노출시킨 채로 TFT 어레이 기판(150) 가장자리에 씨일제(106)를 형성하고 컬러필터 어레이 기판(102)을 대향합착시킨 후 그 사이에 액정층(101)을 형성한다. 상기 컬러필터 어레이 기판(102)에는 빛의 누설을 방지하는 블랙 매트릭스(103)와, 상기 블랙 매트릭스(103) 사이에 R,G,B의 컬러 레지스트가 일정한 순서대로 형성된 컬러필터층(104), 상기 컬러필터층(104) 상부에서 상기 컬러필터층 상에 형성되어 박막 어레이 기판(150)의 화소전극(110)과 더불어 전계를 형성하는 공통전극(105)이 형성되어 있다.
계속해서, 도 6d에 도시된 바와 같이, TFT 어레이 기판(150)의 패드부 영역에 FPC 필름(182)을 부착시킨다.
먼저, 패드전극(190)에 해당하는 기판(150) 상에 도전볼이 산포된 접착성수지 ACF수지(184)를 탑재시킨다. 상기 ACF수지(184)를 기판(150)에 탑재시키기 위해서는, 부착하고자 하는 전극이나 기판의 영역에 맞는 폭을 가진 ACF수지(184)를 보호용 필름(도시하지 않음) 위에 접착시키고, 상기 ACF수지(184)가 부착된 보호용 필름을 부착하고자 하는 기판의 적절한 패드전극(190) 위에 정렬하여 위치시킨다.
이후, 범프(183)가 형성된 FPC 필름(182)을 열압착 공법으로 기판에 접착한다. 즉, 보호용필름 위에 가열막대로 압력을 가하면서 소정의 열을 인가하여 ACF수지(184)를 보호용필름으로부터 분리시킨다. 이 때, 가하는 열은 대략 100℃ 내외로 하면, 상기 보호용필름과 ACF수지 사이의 접착력보다 기판과 ACF수지 사이의 접착력이 더 강해져서 보호용필름과 ACF수지가 분리되면서 ACF수지가 기판 위에 남게 된다.
그러면, ACF수지(184)가 범프(183)와 패드전극(190)에 눌려져, ACF수지(184)에 산포되어 있는 도전볼의 절연막이 깨지면서 상기 범프(183)와 패드전극(190)이 전기적으로 접속(short)된다.
이어서, 상기 범프(183)와 접착시키는 공정으로 인해 연질화된 ACF수지(184)를 경화시키기 위해 열을 가함으로써 상기 FPC 필름(182)과 기판의 패드전극(190)이 안정적으로 접착시킨다.
이 때, 범프(183)가 접촉하는 부분에 엠보싱 패턴(192)에 의한 요철이 형성되므로 패드전극(190)의 단차 불균일이 보상되고 접착면적이 커져 접착 지속력이 향상된다.
여기서, FPC 필름(182)을 부착하기 이전 또는 동시에 드라이브 IC들도 기판 상에 실장한다. 즉, FPC 필름(182)이 부착되는 영역 안측에 소정의 거리를 두어 드라이브 IC를 부착시킨다. 상기 드라이브 IC들도 범프와 ACF수지에 의해 기판에 부착되며, 드라이브 IC가 부착되는 패드전극에 엠보싱 패턴을 형성하여 오픈을 방지할 수 있다.
이와같이, 드라이브 IC 및 FPC 필름을 유리기판에 직접 실장시키는 COG 방식은, 범프와 ACF수지만으로 접착시키는 방법으로서, TAB방식에 비해 비교적 구조가 간단하고 액정표시장치에서 액정패널이 차지하는 비율을 높일 수 있는 것이 장점이다.
한편, 상기 제 1 실시예는 노트북 또는 TV 등의 디스플레이로 사용되는 대형 또는 중형 액정패널에 한정하여 설명한 것으로, 본 발명은 휴대폰 디스플레이 등 소형 패널에 대해서도 적용이 가능하다.
소형패널의 경우에는, 도 7에 도시한 바와 같이, 패드부 영역의 크기를 최소화하기 위해 액정패널의 하측에 게이트 패드부 및 데이터 패드부를 일괄 배치한다.
복수개의 데이터 배선(162)은 데이터 링크선(164)을 통해, 이후 하나의 데이터 드라이브 IC에 연결되고, 복수개의 게이트 배선(161)은 게이트 링크선(163)을 통해 상기 데이터 드라이브 IC 양측에 각각 배치되는 게이트 드라이브 IC에 연결된다.
여기서, 상기 데이터 드라이브 IC의 좌측에 배치되는 게이트 드라이브 IC에는 홀수번째 게이트 배선이 연결되고, 우측의 게이트 드라이브 IC에는 짝수번째 게이트 배선이 연결된다.
상기 게이트 드라이브 IC 및 데이터 드라이브 IC 바깥측에는 소정 거리를 두고 FPC 필름이 실장되는데, 상기 드라이브 IC들과 FPC 필름은 ACF수지를 사용하여 TFT 어레이 기판(150)의 패드부 영역(154) 상에 직접 부착된다.
즉, 상기 FPC 필름은 TFT 어레이 기판(150)의 패드부 영역(154)에 형성된 패드전극에 직접 부착되는데, 단차불균일을 보상하고 접착력을 높이기 위해 상기 패드전극(190) 상에 엠보싱 패턴(192)이 더 구비되는 것을 특징으로 한다.
이러한 엠보싱 패턴(192)에 의해 접촉 표면적이 넓어지고 단차 불균일(G)도 보상되므로, FPC 필름을 가압하여 부착하였을 경우 오픈 불량이 방지된다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자 에게 있어 명백할 것이다.
상기와 같은 본 발명의 COG 방식 액정표시소자 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.
즉, 본 발명에 의한 액정표시소자는 드라이브 IC와 FPC 필름을 기판 상에 동시에 실장하는 칩 온 글래스 방식에 의한 것으로서, FPC 필름을 부착하기 위한 패드전극 표면을 엠보싱 처리함으로써 패드전극 단차 불균일에 의한 오픈 불량이 방지된다.
더욱이, 오픈 불량은 고온고습의 사용자 환경에서 더욱 발생할 수 있는데, 패드전극 표면을 엠보싱 처리하여 단차불균일을 보상하고 접착면적을 넓게 함으로써 어떠한 환경하에서도 접착력을 지속적으로 유지할 수 있게 된다.

Claims (10)

  1. 게이트 배선과 데이터 배선의 교차영역마다 박막트랜지스터가 형성된 단위 픽셀을 복수개 포함하는 액티브영역;
    상기 액티브영역의 외곽부에 형성된 패드전극;
    상기 패드 전극 상에 형성된 엠보싱 패턴;
    상기 엠보싱 패턴을 포함한 상기 패드 전극 상에 탑재된 접착제;
    상기 접착제에 의해서 상기 패드전극에 접속하는 외부 구동회로부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 COG방식 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 엠보싱 패턴은 상기 패드전극 상에 더 구비되는 투명도전막을 플라즈마 표면처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 COG방식 액정표시소자.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 엠보싱 패턴은 유기절연막을 패터닝하여 형성된 것을 특징으로 하는 COG방식 액정표시소자.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 엠보싱 패턴을 포함한 패드전극 상에 투명도전막이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 COG방식 액정표시소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 접착제는 ACF수지인 것을 특징으로 하는 COG방식 액정표시소자.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 외부 구동회로부는 드라이브 IC 또는 FPC 필름인 것을 특징으로 하는 COG방식 액정표시소자.
  7. 기판의 액티브 영역에 게이트 배선 및 데이터 배선을 형성하고, 그 교차 지점에 박막트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 액티브 영역 외곽부에 패드전극을 형성하는 단계;
    상기 패드전극 전극 표면을 엠보싱 처리하는 단계;
    상기 패드전극 상에 접착제를 탑재시키는 단계;
    상기 접착제에 의해 패드전극과 접속하도록 외부 구동회로부를 가압부착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 COG방식 액정표시소자의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 패드전극 전극 표면을 엠보싱 처리하는 단계는,
    상기 패드전극 상에 투명도전막을 형성하는 단계와,
    상기 투명도전막 표면에 H2 플라즈마 공정 또는 He 에싱공정을 수행하는 단 계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 COG방식 액정표시소자의 제조방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 패드전극 전극 표면을 엠보싱 처리하는 단계는,
    상기 패드전극 상에 요철패턴을 형성하는 단계와,
    상기 요철패턴 표면을 따라 상기 패드 전극 상에 투명도전막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 COG방식 액정표시소자의 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 요철패턴은 상기 박막트랜지스터를 포함한 전면에 형성되는 절연막을 패터닝하여 형성하는 것을 특징으로 하는 COG방식 액정표시소자의 제조방법.
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