KR101007689B1

KR101007689B1 - Liquid crystal display device

Info

Publication number: KR101007689B1
Application number: KR1020030098121A
Authority: KR
Inventors: 권극상; 유명호; 박형열; 김영식; 이선용
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2003-12-27
Filing date: 2003-12-27
Publication date: 2011-01-13
Also published as: KR20050067243A

Abstract

본 발명은 히터패턴을 갖는 액정표시장치에 관한 것으로서 화소영역과 주변회로영역을 갖는 기판과, 상기 기판 상의 상기 화소영역에 게이트배선과 데이터배선이 서로 직교하여 매트릭스 형태로 배열되는 화소영역에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 기판 상에 박막트랜지스터를 덮도록 형성되며 상기 박막트랜지스터의 드레인전극을 노출시키는 콘택홀이 형성된 보호막과, 상기 보호막 상에 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되게 형성된 화소전극과, 상기 화소영역 상에 상기 게이트배선 또는 데이터배선과 대응되어 줄 무늬 형태로 형성된 히터패턴과, 상기 주변회로영역 상에 상기 히터패턴의 양측 끝단과 전기적으로 연결되게 형성된 제 1 및 제 2 히터패드를 구비한다. 따라서, 액정표시장치를 저온 상태에서 구동하여도 액정의 응답 속도를 향상시켜 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device having a heater pattern, comprising: a substrate having a pixel region and a peripheral circuit region; A protective film having a transistor, a protective film formed on the substrate to cover the thin film transistor and exposing a drain electrode of the thin film transistor, a pixel electrode formed on the protective film to be in contact with the drain electrode through the contact hole; A heater pattern formed in a stripe pattern corresponding to the gate wiring or data wiring on the pixel area, and first and second heater pads electrically connected to both ends of the heater pattern on the peripheral circuit area; do. Therefore, even when the liquid crystal display is driven in a low temperature state, the response speed of the liquid crystal can be improved to prevent the image quality from being lowered.

Description

액정표시장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE} [0001] LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE [0002]

도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to the prior art.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 평면도. 2 is a plan view of a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 단위 셀을 절단한 단면도.3 is a cross-sectional view of a unit cell of a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 평면도.4 is a plan view of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시장치의 평면도.
5 is a plan view of a liquid crystal display according to a third exemplary embodiment of the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

11, 31 : 투명 기판 13, 33 : 게이트전극11, 31: transparent substrate 13, 33: gate electrode

15, 35 : 게이트절연막 17, 37 : 액티브층15, 35: gate insulating film 17, 37: active layer

21a, 41b : 소오스 전극 21b, 41b : 드레인전극21a, 41b: source electrode 21b, 41b: drain electrode

23, 43 : 보호막 25, 45 : 콘택홀23, 43: protective film 25, 45: contact hole

27, 47 : 화소전극 49 : 절연막27, 47: pixel electrode 49: insulating film

51, 61 : 히터패턴 53, 54 : 제 1 및 제 2 히터패드
51 and 61: heater patterns 53 and 54: first and second heater pads

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 특히 저온에서 액정의 응답 속도가 저하되는 것을 방지할 수 있도록 한 히터패턴을 갖는 액정표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a liquid crystal display device having a heater pattern capable of preventing the response speed of a liquid crystal from being lowered at a low temperature.

최근 정보화 사회로 시대가 발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시 장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었는데, 이 중 액정표시장치(liquid crystal display device)가 해상도, 컬러표시, 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터에 활발하게 적용되고 있다.Recently, with the development of the information society, the necessity of flat panel displays having excellent characteristics such as thinning, light weight, and low power consumption has emerged. Among these, liquid crystal display devices have a resolution, It is excellent in color display and image quality, and is actively applied to notebooks and desktop monitors.

일반적으로 액정표시장치는 일측에 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을, 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device is formed by arranging two substrates having electrodes formed on one side thereof so that the surfaces on which the two electrodes are formed face each other, injecting a liquid crystal material between the two substrates, and then applying voltage to the two electrodes. By moving the liquid crystal molecules by the electric field is a device that represents the image by the transmittance of light that varies accordingly.

액정표시장치의 하부 기판은 화소 전극에 신호를 인가하기 위한 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판으로 박막을 형성하고 사진 식각하는 공정을 반복함으로써 구성된다. 한편, 상부 기판은 공통 전극 및 컬러필터를 포함하는 기판으로 컬러필터는 적(R), 녹(G), 청(B)의 세 가지 색이 순차적으로 배열되어 있으며, 안료분산법이나 염색법, 전착법 등의 방법으로 제작되는데, 이 중 안료분산법이 정교 성이 뛰어나고 재현성이 좋아 널리 사용되고 있다.The lower substrate of the liquid crystal display device is configured by repeating a process of forming a thin film and photolithography an array substrate including a thin film transistor for applying a signal to a pixel electrode. On the other hand, the upper substrate is a substrate including a common electrode and a color filter, the color filter is three colors of red (R), green (G), blue (B) are sequentially arranged, pigment dispersion method, dyeing method, electrodeposition The pigment dispersion method is widely used because of excellent fineness and reproducibility.

이러한 액정표시장치는 어레이 기판과 컬러필터 기판을 각각 형성하고 하부의 화소 전극과 상부의 컬러필터가 일대일 대응되도록 배치하는 공정을 통해 형성된다.The liquid crystal display is formed by forming an array substrate and a color filter substrate, and arranging the lower pixel electrode and the upper color filter in a one-to-one correspondence.

도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to the prior art.

종래 기술에 따른 액정표시장치는 투명한 기판(11) 상에 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 게이트전극(13)을 포함한다. 그리고, 기판(11) 상에 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘산화막(SiO2) 등의 무기절연물질로 이루어진 게이트절연막(15)이 게이트전극(13)을 덮도록 형성된다.The liquid crystal display according to the related art includes a gate electrode 13 made of a conductive material such as metal on the transparent substrate 11. A gate insulating film 15 made of an inorganic insulating material such as silicon nitride film SiNx or silicon oxide film SiO2 is formed on the substrate 11 to cover the gate electrode 13.

게이트절연막(15) 상의 게이트전극(13)과 대응하는 부분에 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘 또는 다결정실리콘으로 이루어진 액티브층(17)이 형성되어 있으며, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질실리콘 또는 다결정실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(19)이 형성되어 있다.An active layer 17 made of amorphous silicon or polysilicon that is not doped with impurities is formed in a portion corresponding to the gate electrode 13 on the gate insulating film 15, and the amorphous silicon or polysilicon that is doped with impurities is formed thereon. An ohmic contact layer 19 is formed.

오믹 콘택층(19)의 상부에는 금속과 같은 도전성 물질로 이루어진 소오스 전극(21a) 및 드레인전극(21b)이 형성되는데, 소오스 전극(21a) 및 드레인 전극(21b)은 게이트전극(13)과 함께 박막트랜지스터를 구성한다.A source electrode 21a and a drain electrode 21b made of a conductive material such as a metal are formed on the ohmic contact layer 19, and the source electrode 21a and the drain electrode 21b are formed together with the gate electrode 13. Configure a thin film transistor.

한편, 도면에는 도시하지 않았지만, 게이트전극(13)은 게이트배선과 연결되어 있고, 소오스전극(21a)은 데이터배선과 연결되어 있으며, 게이트배선과 데이터배선은 서로 직교하여 화소 영역을 정의한다.Although not shown in the drawing, the gate electrode 13 is connected to the gate wiring, the source electrode 21a is connected to the data wiring, and the gate wiring and the data wiring are orthogonal to each other to define the pixel region.

소오스 전극 및 드레인전극(21a 및 21b)을 포함하는 기판(11)의 전면에는 질 화실리콘이나 산화실리콘 등의 무기절연물질, 또는 유기절연물질로 이루어져 박막트랜지스터를 보호하기 위한 보호막(23)이 형성된다.On the front surface of the substrate 11 including the source and drain electrodes 21a and 21b, a protective film 23 is formed of an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide or an organic insulating material to protect the thin film transistor. do.

그리고, 보호막(23)이 패터닝되어 드레인전극(21b)을 노출시키는 콘택홀(25)이 형성되며, 이 보호막(23) 상의 화소영역에 투명한 도전물질로 이루어지며 콘택홀(25)을 통해 드레인전극(21b)과 접촉되어 전기적으로 연결되는 화소전극(27)이 형성된다.The protective layer 23 is patterned to form a contact hole 25 exposing the drain electrode 21b. The contact layer 25 is formed of a transparent conductive material in the pixel area on the protective layer 23 and the drain electrode is formed through the contact hole 25. A pixel electrode 27 is formed in contact with 21b and electrically connected thereto.

상술한 구성을 갖는 액정표시장치의 하부기판은 별도의 상부기판과 합착되고 그 사이에 액정이 주입된다.The lower substrate of the liquid crystal display device having the above-described configuration is bonded to a separate upper substrate and liquid crystal is injected therebetween.

액정은 액체와 고체의 중간 상태로 존재하여 소정의 점도를 가지고 있으며, 점도에 따라 전기장에 대한 응답 속도가 다르게 된다. 이러한 액정의 점도는 온도에 영향을 받으므로 상온에서 최적의 응답 속도를 갖도록 하는 것이 중요하다.The liquid crystal exists in an intermediate state between the liquid and the solid and has a predetermined viscosity, and the response speed to the electric field varies depending on the viscosity. Since the viscosity of the liquid crystal is affected by temperature, it is important to have an optimal response speed at room temperature.

그러나, 계절이나 지역에 따라 온도의 편차가 심하므로 액정의 응답 속도도 이에 영향을 받는 데, 특히, 겨울철이나 추운 지역에서는 온도가 낮아 액정의 점도가 증가하여 응답 속도가 저하되어 액정 표시장치의 화질이 전반적으로 저하되는 문제점이 있었다.
However, since the temperature fluctuates depending on the season or region, the response speed of the liquid crystal is also affected. In particular, in winter or in cold regions, the temperature of the liquid crystal is low and the viscosity of the liquid crystal increases, thereby reducing the response speed. There was a problem that this overall deterioration.

따라서, 본 발명의 목적은 저온 상태에서 구동하여도 액정의 응답 속도를 향상시켜 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있는 액정표시장치를 제공함에 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which can prevent a deterioration in image quality by improving the response speed of a liquid crystal even when driving in a low temperature state.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 화소영역과 주변회로영역을 갖는 기판과, 상기 기판 상의 상기 화소영역에 게이트배선과 데이터배선이 서로 직교하여 매트릭스 형태로 배열되는 화소영역에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 기판 상에 박막트랜지스터를 덮도록 형성되며 상기 박막트랜지스터의 드레인전극을 노출시키는 콘택홀이 형성된 보호막과, 상기 보호막 상에 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되게 형성된 화소전극과, 상기 화소영역 상에 상기 게이트배선 또는 데이터배선과 대응되어 줄 무늬 형태로 형성된 히터패턴과, 상기 주변회로영역 상에 상기 히터패턴의 양측 끝단과 전기적으로 연결되게 형성된 제 1 및 제 2 히터패드를 구비하는 것을 특징으로 한다.According to an exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display device includes a substrate having a pixel region and a peripheral circuit region, and a pixel in which a gate wiring and a data wiring are arranged in a matrix form at right angles to the pixel region on the substrate. A thin film transistor formed in a region, a protective film formed to cover the thin film transistor on the substrate and having a contact hole exposing the drain electrode of the thin film transistor, and formed to be in contact with the drain electrode on the protective film through the contact hole. A pixel electrode, a heater pattern formed in a stripe pattern corresponding to the gate wiring or data wiring on the pixel region, and first and second electrodes electrically connected to both ends of the heater pattern on the peripheral circuit region. And a heater pad.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치는 화소영역과 주변회로영역을 갖는 기판과, 상기 기판 상의 상기 화소영역에 게이트배선과 데이터배선이 서로 직교하여 정의하는 매트릭스 형태로 배열되는 화소영역에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 기판 상에 박막트랜지스터를 덮도록 형성되며 상기 박막트랜지스터의 드레인전극을 노출시키는 콘택홀이 형성된 보호막과, 상기 보호막 상에 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되게 형성된 화소전극과, 상기 화소영역 상에 상기 게이트배선 및 데이터배선과 대응되어 메쉬 형태로 형성된 히터패턴과, 상기 주변회로영역 상에 상기 히터패턴의 양측 끝단과 전기적으로 연결되게 형성된 제 1 및 제 2 히터패드를 구비한다.According to another exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display device includes a substrate having a pixel region and a peripheral circuit region, and a matrix in which gate wiring and data wiring are orthogonal to each other in the pixel region on the substrate. A thin film transistor formed in the pixel region arranged, a protective film formed on the substrate to cover the thin film transistor and exposing a drain electrode of the thin film transistor; and a drain film formed on the protective film through the contact hole. A pixel electrode formed to be in contact with each other, a heater pattern formed in a mesh shape on the pixel area in correspondence with the gate wiring and a data wiring, and first and second electrical connections formed on both sides of the heater pattern on the peripheral circuit area. A second heater pad is provided.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정표시장치 는 화소영역과 주변회로영역을 갖는 기판과, 상기 기판 상의 상기 화소영역에 게이트배선과 데이터배선이 서로 직교하여 매트릭스 형태로 배열되는 화소영역에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 기판 상에 박막트랜지스터를 덮도록 형성되며 상기 박막트랜지스터의 드레인전극을 노출시키는 콘택홀이 형성된 보호막과, 상기 보호막 상에 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되게 형성된 화소전극과, 상기 화소영역 상에 상기 게이트배선 및 데이터배선과 대응되며 양 끝단이 서로 전기적으로 연결되게 메쉬 형태로 형성된 히터패턴을 구비하는 것을 특징으로 한다.According to another exemplary embodiment of the present invention, a liquid crystal display device includes a substrate having a pixel region and a peripheral circuit region, and a gate wiring and a data wiring are arranged in a matrix form at right angles to each other in the pixel region on the substrate. A thin film transistor formed in the pixel region to be formed, a protective film formed to cover the thin film transistor on the substrate and having a contact hole exposing the drain electrode of the thin film transistor, and contacting the drain electrode through the contact hole on the protective film. And a heater pattern formed in a mesh shape on the pixel region so as to correspond to the gate wiring and the data wiring, and both ends of which are electrically connected to each other.

상기 히터패턴과 상기 제 1 및 제 2 히터패드는 상기 보호막 상에 형성된다.The heater pattern and the first and second heater pads are formed on the passivation layer.

상기 히터패턴과 상기 제 1 및 제 2 히터패드는 상기 화소전극을 덮도록 형성된 절연막 상에 형성된다.The heater pattern and the first and second heater pads are formed on an insulating layer formed to cover the pixel electrode.

상기 히터패턴과 상기 제 1 및 제 2 히터패드는 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 또는 텅스텐(W)의 금속이나, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Tin Zinc Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)의 투명도전물질로 형성된다.The heater pattern and the first and second heater pads may be made of molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), or tungsten (W), but may be indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO) or IZO. (Indium Tin Zinc Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) is formed of a transparent conductive material.

상기 절연막이 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO2)으로 형성된다.The insulating film is formed of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2).

전술한 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부 도면을 참조한 실시예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and features of the present invention in addition to the above objects will become apparent from the description of the embodiments with reference to the accompanying drawings.

이하, 도 2 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 5.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 단위 셀을 절단한 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a unit cell of the liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시장치의 하부기판(30)에는 투명한 기판(31) 상에 알루미늄계 금속 또는 구리 등의 전도성이 양호한 금속으로 이루어진 게이트전극(33)이 형성된다. 그리고, 투명한 기판(31) 상에 질화실리콘(SiNx)이나 산화실리콘(SiO2) 등의 무기절연물질로 이루어진 게이트절연막(35)이 게이트전극(33)을 덮도록 형성된다. 게이트전극(33)은 게이트배선(도시되지 않음)과 연결된다.In the lower substrate 30 of the liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention, a gate electrode 33 made of a metal having good conductivity such as aluminum-based metal or copper is formed on the transparent substrate 31. A gate insulating film 35 made of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2) is formed on the transparent substrate 31 to cover the gate electrode 33. The gate electrode 33 is connected to a gate wiring (not shown).

게이트절연막(35) 상의 게이트전극(33)과 대응하는 부분에는 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘 또는 다결정실리콘으로 이루어진 액티브층(37)이 형성되어 있으며, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질실리콘 또는 다결정실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(39)이 형성되어 있다. 여기서, 액티브층(37)은 박막트랜지스터의 채널영역으로 이용된다.An active layer 37 made of amorphous silicon or polycrystalline silicon that is not doped with impurities is formed in a portion corresponding to the gate electrode 33 on the gate insulating layer 35, and the amorphous silicon or polysilicon that is doped with impurities is formed thereon. An ohmic contact layer 39 is formed. The active layer 37 is used as a channel region of the thin film transistor.

오믹 콘택층(39) 상에는 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 또는 텅스텐(W) 등의 금속으로 소오스전극(41a) 및 드레인전극(41b)이 형성된다. 상기 소오스전극(41a)과 드레인전극(41b)은 이격되게 형성되는 데, 이 소오스 전극(41a)및 드레인전극(41b)은 게이트전극(33)과 함께 박막트랜지스터를 구성한다.On the ohmic contact layer 39, the source electrode 41a and the drain electrode 41b are formed of a metal such as molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), or tungsten (W). The source electrode 41a and the drain electrode 41b are formed to be spaced apart from each other. The source electrode 41a and the drain electrode 41b together with the gate electrode 33 form a thin film transistor.

상기 소오스전극(41a)은 데이터배선(도시되지 않음)과 연결되는 데, 이 데이터배선은 게이트배선과 서로 직교하여 화소 영역을 정의한다.The source electrode 41a is connected to a data line (not shown), and the data line defines a pixel area orthogonal to the gate line.

소오스전극(41a) 및 드레인전극(41b)을 포함하는 기판(31)의 전면에는 질화실리콘이나 산화실리콘 등의 무기절연물질 또는 유전상수가 작은 아크릴(acryl)계 유기화합물, BCB 또는 PFCB 등과 같은 유기절연물질로 이루어져 박막트랜지스터를 보호하기 위한 보호막(43)이 형성된다.On the front surface of the substrate 31 including the source electrode 41a and the drain electrode 41b, an inorganic insulating material such as silicon nitride or silicon oxide, or an organic compound such as an acryl-based organic compound having a low dielectric constant, BCB, or PFCB, etc. A protective film 43 is formed of an insulating material to protect the thin film transistor.

그리고, 보호막(43)이 패터닝되어 드레인전극(41b)을 노출시키는 콘택홀(45)이 형성되며, 이 보호막(43) 상의 화소영역에는 투명도전물질로 이루어며 콘택홀(45)을 통해 드레인전극(41b)과 접촉되어 전기적으로 연결되는 화소전극(47)이 형성된다. 상기 화소전극(47)은 ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Tin Zinc Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명도전물질로 형성될 수 있다.The protective layer 43 is patterned to form a contact hole 45 exposing the drain electrode 41b. The pixel area on the protective layer 43 is formed of a transparent conductive material and is connected to the drain electrode through the contact hole 45. The pixel electrode 47 is formed in contact with the 41b and electrically connected thereto. The pixel electrode 47 may be formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium tin zinc oxide (IZO), or indium zinc oxide (IZO).

보호막(43) 상에는 화소전극(47)을 덮는 절연막(49)이 형성되며, 이 절연막(49) 상의 화소영역 내에 게이트배선 또는 데이터배선과 대응되게 줄무늬 형태의 히터패턴(51)이 형성된다. 또한, 절연막(49) 상의 주변회로영역에 히터패턴(51)의 양측 끝단과 연결되어 통전되는 제 1 히터패드(53) 및 제 2 히터패드(54)가 형성된다. 제 1 및 제 2 히터패드(53 및 54)는 외부 전원으로 부터 인가되는 전원을 히터패턴(51)에 공급하는 기능을 수행한다.An insulating film 49 covering the pixel electrode 47 is formed on the passivation layer 43, and a heater pattern 51 having a stripe shape is formed in the pixel area on the insulating layer 49 to correspond to the gate wiring or the data wiring. In addition, a first heater pad 53 and a second heater pad 54 which are connected to both ends of the heater pattern 51 and are energized in the peripheral circuit region on the insulating film 49 are formed. The first and second heater pads 53 and 54 perform a function of supplying power applied from an external power source to the heater pattern 51.

절연막(49)은 질화실리콘(SiNx)이나 산화실리콘(SiO2) 등의 무기절연물질로 이루어져 히터패턴(51)과 제 1 및 제 2 히터패드(53 및 54)가 화소전극(47)과 전기적으로 연결되는 것을 방지하는 역할을 수행한다. 그리고, 히터패턴(51)과 제 1 및 제 2 히터패드(53 및 54)는 동일한 공정에 의해 형성될 수 있는 데, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 또는 텅스텐(W) 등의 금속이나, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Tin Zinc Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전물질로 형성된다. The insulating layer 49 is made of an inorganic insulating material such as silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO 2) so that the heater pattern 51 and the first and second heater pads 53 and 54 are electrically connected to the pixel electrode 47. It prevents the connection. In addition, the heater pattern 51 and the first and second heater pads 53 and 54 may be formed by the same process. Molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), or tungsten (W) Metal, and the like, or a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium tin zinc oxide (IZO), or indium zinc oxide (IZO).

본 발명의 바람직한 실시예에서, 히터패턴(51)과 제 1 및 제 2 히터패드(53 및 54)가 절연막(49) 상에 형성되는 것으로 설명되고 예시되었지만, 이와 달리 히터패턴(51)과 제 1 및 제 2 히터패드(53 및 54)는 보호막(43) 상에서 화소전극(47)과 함께 형성될 수도 있을 것이다.In the preferred embodiment of the present invention, although the heater pattern 51 and the first and second heater pads 53 and 54 are described and illustrated as being formed on the insulating film 49, the heater pattern 51 and the The first and second heater pads 53 and 54 may be formed together with the pixel electrode 47 on the passivation layer 43.

상술한 구성은 액정표시장치의 하부기판(30)에 해당되는 것으로 이 하부기판(30)은 별개의 상부기판(도시되지 않음)과 합착되고 그 사이에는 액정이 주입된다.The above-described configuration corresponds to the lower substrate 30 of the liquid crystal display device. The lower substrate 30 is bonded to a separate upper substrate (not shown) and liquid crystal is injected therebetween.

본 발명에 따르면, 히터패턴(51)은 저온 상태일 때 동작하여 하부기판(30)을 가열하므로써 액정을 상온으로 유지시켜 점도를 낮게 해준다. 그러므로, 액정은 박막트랜지스터의 스위칭 동작에 빠른 속도로 응답하며, 이에 의해 액정표시장치의 화질이 저하되는 것이 방지된다.According to the present invention, the heater pattern 51 operates at a low temperature to keep the liquid crystal at room temperature by heating the lower substrate 30 to lower the viscosity. Therefore, the liquid crystal responds to the switching operation of the thin film transistor at a high speed, whereby the image quality of the liquid crystal display device is prevented from being lowered.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치의 평면도를 도시한다.4 is a plan view of a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시장치는 절연막(49) 상의 화소영역 내에 히터패턴(51)이 메쉬(mesh) 형태로 형성된 것을 제외하고는 제 1 실시예와 동일하다. 따라서, 제 1 실시예와 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The liquid crystal display according to the second exemplary embodiment of the present invention is the same as the first exemplary embodiment except that the heater pattern 51 is formed in a mesh shape in the pixel area on the insulating film 49. Therefore, detailed description of the same components as in the first embodiment will be omitted.

본 발명의 제 2 실시예에 있어서, 히터패턴(51)은 하부기판(30)을 구성하는 절연막(49) 상의 화소영역 내에 게이트배선 및 데이터배선과 대응되어 화소전극(47)을 에워싸도록 형성된다. 또한, 본 발명의 제 2 실시예에서는 히터패 턴(51)과 제 1 및 제 2 히터패드(53 및 54)가 절연막(49) 상에 형성된 것으로 예시되었지만, 이와 달리 히터패턴(51)과 제 1 및 제 2 히터패드(53 및 54)는 보호막(43) 상에서 화소전극(47)과 함께 형성될 수도 있을 것이다.In the second embodiment of the present invention, the heater pattern 51 is formed so as to surround the pixel electrode 47 in correspondence with the gate wiring and the data wiring in the pixel region on the insulating film 49 constituting the lower substrate 30. do. In addition, although the heater pattern 51 and the first and second heater pads 53 and 54 are illustrated as being formed on the insulating film 49 in the second embodiment of the present invention, the heater pattern 51 and the The first and second heater pads 53 and 54 may be formed together with the pixel electrode 47 on the passivation layer 43.

본 발명의 제 2 실시예에 따르면, 히터패턴(61)이 메쉬 형태로 형성되어 액정표시장치의 수평 및 수직 방향으로 열을 전달하게 된다. 따라서, 히터패턴(61)이 메쉬 형태로 형성된 히터패턴(61)을 갖는 제 2 실시예는 수직의 줄무늬 형태의 히터패턴(51)을 갖는 제 1 실시예에 비하여 열 방사 균일도가 높아 액정의 온도를 균일하게 유지시킬 수 있다.According to the second embodiment of the present invention, the heater pattern 61 is formed in a mesh shape to transfer heat in the horizontal and vertical directions of the liquid crystal display. Therefore, the second embodiment having the heater pattern 61 in which the heater pattern 61 is formed in a mesh form has a higher heat radiation uniformity than the first embodiment having the heater pattern 51 in the form of a vertical stripe. Can be kept uniform.

도 5는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시장치의 평면도를 도시한다.5 is a plan view of a liquid crystal display according to a third exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 제 3 실시예에 따른 액정표시장치는 본 발명의 제 1 실시예 및 제 2 실시예에서 구성되어 있는 제 1 및 제 2 히터패드(53 및 54)을 가지고 있지 않는 것을 제외하고는 제1 및 제 2 실시예와 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 제 1 및 제 2 실시예와 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention is made of the first and second heater pads 53 and 54 except that it does not have the first and second heater pads 53 and 54 configured in the first and second embodiments of the present invention. It has the same configuration as the first and second embodiments. Therefore, detailed description of the same configuration as in the first and second embodiments will be omitted.

이러한 본 발명의 제 3 실시예에 따르면, 외부 전원으로 인가되는 전원은 히터패턴(51)에 직접 공급된다.According to the third embodiment of the present invention, the power applied to the external power is directly supplied to the heater pattern 51.

본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에서는 제 1 및 제 2 히터패드(53 및 54)와 게이트배선 또는 데이터배선이 중첩되는 부분에서 정전기 불량이 발생되어 수율이 저하될 수도 있지만, 본 발명의 제 3 실시예에서는 제 1 및 제 2 히터패드(53 및 54)이 형성되어 있지 않으므로 정전기 발생의 근원이 제거되어 됨으로써 수율 증가를 기대할 수 있다. In the first and second embodiments of the present invention, the yield may be deteriorated due to static electricity failure in the portion where the first and second heater pads 53 and 54 overlap with the gate wiring or the data wiring. In the third embodiment, since the first and second heater pads 53 and 54 are not formed, an increase in yield can be expected as the source of static electricity is removed.

상술한 바와 같이 본 발명은 액정표시장치의 하부기판 상에 줄무늬 또는 메쉬 형태의 히터패턴이 형성되어 있기 때문에, 액정표시장치가 저온에서 구동하더라도 히터패턴에 의해 하부기판이 가열되어 액정을 상온으로 유지시킬 수 있게되므로, 액정의 점도가 상승되는 것을 방지할 수 있다.
As described above, since the heater pattern in the form of stripes or mesh is formed on the lower substrate of the liquid crystal display, the lower substrate is heated by the heater pattern to maintain the liquid crystal at room temperature even when the liquid crystal display is driven at a low temperature. Since it is possible to increase, the viscosity of the liquid crystal can be prevented from rising.

따라서, 본 발명은 액정표시장치를 저온 상태에서 구동하여도 액정의 응답 속도를 향상시켜 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다. Therefore, the present invention has an advantage of preventing the deterioration of image quality by improving the response speed of the liquid crystal even when the liquid crystal display is driven in a low temperature state.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

Claims

화소영역과 주변회로영역을 갖는 기판과,A substrate having a pixel region and a peripheral circuit region,

상기 기판 상의 상기 화소영역에 게이트배선과 데이터배선이 서로 직교하여 매트릭스 형태로 배열되는 화소영역에 형성된 박막트랜지스터와,A thin film transistor formed in a pixel region in which a gate wiring and a data wiring are arranged in a matrix form at right angles to each other in the pixel region on the substrate;

상기 기판 상에 박막트랜지스터를 덮도록 형성되며 상기 박막트랜지스터의 드레인전극을 노출시키는 콘택홀이 형성된 보호막과,A protective film formed on the substrate to cover the thin film transistor and having a contact hole exposing a drain electrode of the thin film transistor;

상기 보호막 상에 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극과 접촉되게 형성된 화소전극과,A pixel electrode formed on the passivation layer to be in contact with the drain electrode through the contact hole;

상기 화소영역 상에 상기 게이트배선 또는 데이터배선과 대응되게 줄 무늬 형태로 형성된 히터패턴과,A heater pattern formed in a stripe pattern on the pixel region to correspond to the gate wiring or data wiring;

상기 주변회로영역 상에 상기 히터패턴의 양측 끝단과 전기적으로 연결되게 형성된 제 1 및 제 2 히터패드를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And first and second heater pads electrically connected to both ends of the heater pattern on the peripheral circuit region.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 히터패턴과 상기 제 1 및 제 2 히터패드가 상기 보호막 상에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the heater pattern and the first and second heater pads are formed on the passivation layer.

제 1 항에 있어서,The method of claim 1,

상기 히터패턴과 상기 제 1 및 제 2 히터패드가 상기 화소전극을 덮도록 형 성된 절연막 상에 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the heater pattern and the first and second heater pads are formed on an insulating film formed to cover the pixel electrode.

제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 2 or 3,

상기 히터패턴과 상기 제 1 및 제 2 히터패드는 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 또는 텅스텐(W)의 금속이나, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Tin Zinc Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)의 투명도전물질로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The heater pattern and the first and second heater pads may be made of molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), or tungsten (W), but may be indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO) or IZO. (Indium Tin Zinc Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide) A liquid crystal display, characterized in that formed of a transparent conductive material.

제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein

상기 절연막이 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiO2)으로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And the insulating film is formed of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiO2).

상기 화소영역 상에 상기 게이트배선 및 데이터배선과 대응되어 메쉬 형태로 형성된 히터패턴과,A heater pattern formed in a mesh shape on the pixel region to correspond to the gate wiring and the data wiring;

상기 기판 상의 상기 화소영역에 게이트배선과 데이터배선이 서로 직교하여 정의하는 매트릭스 형태로 배열되는 화소영역에 형성된 박막트랜지스터와,A thin film transistor formed in a pixel region in which a gate wiring and a data wiring are arranged in a matrix form orthogonal to each other in the pixel region on the substrate;

상기 화소영역 상에 상기 게이트배선 및 데이터배선과 대응되며 양 끝단이 서로 전기적으로 연결되게 메쉬 형태로 형성된 히터패턴을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.And a heater pattern corresponding to the gate wiring and the data wiring on the pixel area, the heater pattern being formed in a mesh shape so that both ends thereof are electrically connected to each other.