KR101007137B1 - 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 - Google Patents
발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 Download PDFInfo
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 123
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 27
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 7
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005887 NiSn Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000012938 design process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- H01L33/005—Processes
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01087—Francium [Fr]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
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Abstract
Description
도 2는 도 1의 발광 소자의 상면도
도 3 내지 도 10은 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면
도 11은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도
Claims (20)
- 전도성 지지부재;
상기 전도성 지지부재 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광 구조물; 및
상기 전도성 지지부재 상에 상기 발광 구조물로부터 이격된 적어도 하나의 완충 구조물을 포함하는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
복수의 완충 구조물은 상기 전도성 지지부재 상면의 둘레 영역에 서로 이격되게 배치되는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 완충 구조물의 상면은 부채꼴, 반원 또는 다각형 중 적어도 하나의 형상을 갖는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 발광 구조물과 상기 완충 구조물 사이의 거리는 5μm 내지 50μm 인 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 완충 구조물의 폭은 5μm 내지 30μm 인 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 완충 구조물은 크랙 또는 균열을 포함하는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 완충 구조물과 상기 발광 구조물은 동일한 반도체층의 적층 구조 또는 동일한 높이를 갖는 발광 소자. - 제 7항에 있어서,
상기 완충 구조물 및 상기 발광 구조물은 화합물 반도체층을 포함하는 발광 소자. - 제 8항에 있어서,
상기 전도성 지지부재와 상기 화합물 반도체층 사이에 반사층 및 오믹층 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자. - 제 8항에 있어서,
상기 완충 구조물 및 상기 발광 구조물의 하면에는 제1 접착층이 형성되고, 상기 전도성 지지부재의 상면에는 상기 제1 접착층과 결합되는 제2 접착층이 형성되는 발광 소자. - 제 8항에 있어서,
상기 화합물 반도체층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)을 포함하는 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 발광 구조물의 측면에는 보호층이 형성된 발광 소자. - 제 1항에 있어서,
상기 발광 구조물의 상면에는 전극이 형성되며, 상기 전극은 상기 전도성 지지부재와 함께 상기 발광 구조물에 전원을 제공하는 발광 소자. - 기판 상에 복수의 화합물 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계;
상기 발광 구조물을 개별 칩 단위로 구분하는 아이솔레이션 에칭을 수행하고, 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 상기 발광 구조물로부터 이격된 완충 구조물을 형성하는 단계;
상기 발광 구조물 및 상기 완충 구조물의 상에 전도성 지지부재를 형성하는 단계; 및
상기 기판을 레이저 리프트 오프 공정을 사용하여 제거하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법. - 제 14항에 있어서,
상기 아이솔레이션 영역의 폭은 5μm 내지 100μm인 발광 소자 제조방법. - 제 14항에 있어서,
상기 완충 구조물은 상기 아이솔레이션 영역의 폭의 1/2에 해당하는 부분에 형성되는 발광 소자 제조방법. - 제 14항에 있어서,
상기 레이저 리프트 오프 공정에 의해, 상기 완충 구조물에 균열이 형성되는 발광 소자 제조방법. - 제 14항에 있어서,
상기 레이저 리프트 오프 공정 이후에, 상기 발광 구조물에 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법. - 제 14항에 있어서,
상기 레이저 리프트 오프 공정 이후에, 복수개의 발광 소자를 개별 칩 단위로 분리하는 칩 분리 공정이 실시되는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법. - 몸체부;
상기 몸체부에 설치된 제1 리드전극 및 제2 리드전극; 및
상기 몸체부에 설치되어 상기 제1 리드전극 및 제2 리드전극과 전기적으로 연결되는 발광 소자를 포함하며,
상기 발광 소자는 전도성 지지부재와, 상기 전도성 지지부재 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광 구조물과, 상기 전도성 지지부재 상에 상기 발광 구조물로부터 이격된 적어도 하나의 완충 구조물을 포함하는 발광 소자 패키지.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100020485A KR101007137B1 (ko) | 2010-03-08 | 2010-03-08 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
TW100105923A TWI440215B (zh) | 2010-03-08 | 2011-02-23 | 發光裝置及其製造方法 |
EP11156274.0A EP2365538B1 (en) | 2010-03-08 | 2011-02-28 | Light emitting diode and fabrication method thereof |
US13/036,394 US8748917B2 (en) | 2010-03-08 | 2011-02-28 | Light emitting device and method thereof |
CN201110058560.9A CN102194932B (zh) | 2010-03-08 | 2011-03-08 | 发光器件及其制造方法 |
JP2011049897A JP5458044B2 (ja) | 2010-03-08 | 2011-03-08 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020100020485A KR101007137B1 (ko) | 2010-03-08 | 2010-03-08 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR101007137B1 true KR101007137B1 (ko) | 2011-01-10 |
Family
ID=43616044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100020485A KR101007137B1 (ko) | 2010-03-08 | 2010-03-08 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8748917B2 (ko) |
EP (1) | EP2365538B1 (ko) |
JP (1) | JP5458044B2 (ko) |
KR (1) | KR101007137B1 (ko) |
CN (1) | CN102194932B (ko) |
TW (1) | TWI440215B (ko) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101932996B1 (ko) | 2011-05-24 | 2018-12-27 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 플립 칩 led를 위한 p-n 분리 금속 충진 |
TWI612653B (zh) * | 2012-08-06 | 2018-01-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體 |
TWI538184B (zh) * | 2012-08-06 | 2016-06-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體陣列 |
TWI581418B (zh) * | 2012-08-06 | 2017-05-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體 |
TWI704687B (zh) * | 2012-08-06 | 2020-09-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體 |
TWI629777B (zh) * | 2012-08-06 | 2018-07-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體 |
CN108630720B (zh) * | 2012-09-06 | 2023-01-03 | 晶元光电股份有限公司 | 发光二极管阵列 |
US9196798B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-11-24 | High Power Opto. Inc. | Semiconductor light-emitting device and fabricating method thereof |
US9257481B2 (en) * | 2012-11-26 | 2016-02-09 | Epistar Corporation | LED arrray including light-guiding structure |
TWI499077B (zh) * | 2012-12-04 | 2015-09-01 | High Power Opto Inc | 半導體發光元件 |
TWI463700B (zh) * | 2012-12-27 | 2014-12-01 | Genesis Photonics Inc | 發光元件的電極墊結構 |
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KR20160141301A (ko) | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 패키지 |
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- 2011-02-28 US US13/036,394 patent/US8748917B2/en active Active
- 2011-03-08 JP JP2011049897A patent/JP5458044B2/ja active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
EP2365538B1 (en) | 2018-04-11 |
JP5458044B2 (ja) | 2014-04-02 |
EP2365538A2 (en) | 2011-09-14 |
TWI440215B (zh) | 2014-06-01 |
EP2365538A3 (en) | 2015-07-29 |
US8748917B2 (en) | 2014-06-10 |
US20110215350A1 (en) | 2011-09-08 |
TW201145566A (en) | 2011-12-16 |
JP2011187957A (ja) | 2011-09-22 |
CN102194932A (zh) | 2011-09-21 |
CN102194932B (zh) | 2014-12-17 |
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A201 | Request for examination | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141205 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161207 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
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|
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191209 Year of fee payment: 10 |