KR101006457B1 - Resistive touch screen which can identify multi-touch - Google Patents
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Abstract
본 발명은 다중터치인식이 가능한 저항막 방식 터치스크린에 관한 것으로서, 복수개의 줄이 나란하게 배열된 형태를 하는 제1저항성 감지패턴(200a)과 제2저항성 감지패턴(300a)을 서로 직교하도록 배열하고, 터치가 발생한 부분의 제1저항성 감지패턴(200a) 및 제2저항성 감지패턴(300a)의 줄에만 전압을 교대로 인가하여 X, Y 좌표를 판단하는 것을 특징으로 한다. 종래의 경우는 한 점의 터치만을 인식하도록 되어 있으나, 본 발명에 의하면, 종래의 저항막 터치스크린에서는 구현이 불가능한 다중 터치 인식이 가능하다. The present invention relates to a resistive touch screen capable of multi-touch recognition, wherein the first resistive sensing pattern 200a and the second resistive sensing pattern 300a each having a plurality of lines arranged side by side are arranged to be orthogonal to each other. The X and Y coordinates may be determined by alternately applying a voltage to only the lines of the first resistive detection pattern 200a and the second resistive detection pattern 300a of the portion where the touch is generated. In the conventional case, only one point of touch is recognized, but according to the present invention, multi-touch recognition that is impossible to implement in a conventional resistive touch screen is possible.
저항막 터치스크린, 다중터치, 저항성 감지패턴, 폐루프 Resistive touch screen, multi-touch, resistive detection pattern, closed loop
Description
본 발명은 저항막 방식 터치스크린에 관한 것으로서, 특히 다중터치인식이 가능한 저항막 방식 터치스크린에 관한 것이다.The present invention relates to a resistive touch screen, and more particularly to a resistive touch screen capable of multi-touch recognition.
도 1은 종래의 저항막 방식 터치스크린을 설명하기 위한 도면으로서, 절연막(10)상에 하층 투명필름(20)과 상층 투명필름(30)이 적층되며, 하층 투명필름(20)의 윗면과 상층 투명필름(30)의 아랫면에는 ITO 저항막(20a, 30a)이 형성된다. ITO 저항막(20a, 30a)의 양단에는 전압을 인가하기 위한 전극(20b, 30b)이 설치되는데, 하층 투명필름(20)에 설치되는 Y축 전극(20b)과 상층 투명필름(30)에 설치되는 X축 전극(30b)은 서로 직교하도록 배치된다.1 is a view for explaining a conventional resistive touch screen, the lower
ITO 저항막(20a, 30a)에 터치가 이루어지는 경우, X축 전극(30b)과 Y축 전극(20b)에 교대로 전압을 인가하면서 터치지점에서의 전압을 읽으면 X, Y 좌표를 알 수 있다. 그러나 이러한 종래의 방식은 한 번에 하나의 터치만을 인식할 수 있어 다중터치인식이 불가능하다는 문제점을 가지고 있다. 또한 ITO 저항막(20a, 30a)의 폭이 넓어 면저항 형태를 띠기 때문에 중앙에서 멀어질수록 오차가 커지게 되어 정확한 좌표를 구하기 위해서는 반드시 보정이 필요하게 된다. When a touch is made to the ITO
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 다중터치인식이 가능할 뿐만 아니라 저항막의 폭을 좁게 하여 선저항 형태를 띠도록 함으로써 종래와 같은 좌표보정이 필요없는 저항막 방식 터치스크린을 제공하는 데 있다.Accordingly, the technical problem to be solved by the present invention is to provide a resistive touch screen that does not require coordinate correction as in the prior art by allowing a multi-touch recognition and narrowing the width of the resistive film to have a line resistance form.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 저항막 방식 터치스크린은 절연막; 상기 절연막 상에 적층되는 하층 투명필름; 상기 하층 투명필름 상에 적층되는 상층 투명필름; 상기 하층 투명필름에 형성되며 복수개의 줄이 나란하게 배열된 형태를 하는 제1저항성 감지패턴; 상기 상층 투명필름에 형성되며 복수개의 줄이 나란하게 배열된 형태를 하며 상기 제1저항성 감지패턴과는 수직으로 교차하는 제2저항성 감지패턴; 상기 제1저항성 감지패턴의 줄 양단에 설치되는 제1전극; 상기 제2저항성 감지패턴의 줄 양단에 설치되는 제2전극; 및 상기 제1전극 및 제2전극에 전압을 인가하고 터치가 발생한 부분의 전압을 읽어 X, Y 좌표를 판단하는 좌표인식수단; 을 구비하는 것을 특징으로 한다. The resistive touch screen according to the present invention for achieving the technical problem is an insulating film; A lower transparent film stacked on the insulating film; An upper transparent film laminated on the lower transparent film; A first resistive detection pattern formed on the lower transparent film and having a plurality of lines arranged side by side; A second resistive sensing pattern formed on the upper transparent film and having a plurality of lines arranged side by side and vertically intersecting with the first resistive sensing pattern; First electrodes provided at both ends of the string of the first resistive detection pattern; Second electrodes provided at both ends of the string of the second resistive detection pattern; Coordinate recognition means for applying a voltage to the first electrode and the second electrode and reading the voltage of the portion where the touch is generated to determine X and Y coordinates; And FIG.
상기 제1저항성 감지패턴은 상기 하층 투명필름의 윗면에 설치되고, 상기 제2저항성 감지패턴은 상기 상층 투명필름의 아랫면에 설치되는 것이 바람직하다. 상기 제1저항성 감지패턴 및 제2저항성 감지패턴이 ITO와 같은 투명도전성 필름으로 이루어지는 것이 바람직하다. The first resistive detection pattern is preferably provided on the upper surface of the lower transparent film, and the second resistive detection pattern is preferably provided on the lower surface of the upper transparent film. Preferably, the first resistive sensing pattern and the second resistive sensing pattern are made of a transparent conductive film such as ITO.
상기 제1전극 및 제2전극은 은 잉크를 발라서 형성하는 것이 바람직하다. Preferably, the first electrode and the second electrode are formed by applying silver ink.
상기 좌표인식수단은 터치가 발생한 부분의 상기 제1저항성 감지패턴 및 상기 제2저항성 감지패턴의 줄에만 전압을 교대로 인가하여 X, Y 좌표를 판단하는 것을 특징으로 한다. The coordinate recognizing means may determine the X and Y coordinates by alternately applying a voltage only to the lines of the first resistive detection pattern and the second resistive detection pattern of the touched portion.
이 때, 상기 좌표인식수단은 상기 제1저항성 감지패턴과 상기 제2저항성 감지패턴이 교차하는 영역내에 있어서의 터치 위치 변화시에 deltaV의 변화량에 대한 위치 변화량도 감안하여 XY좌표를 판단하는 것이 바람직하다. In this case, it is preferable that the coordinate recognizing means determines the XY coordinates in consideration of the position change amount with respect to the change amount of the deltaV when the touch position changes in the area where the first resistive detection pattern and the second resistive detection pattern cross each other. Do.
상기 좌표인식수단은 인접한 제1저항성 감지패턴 줄이 동시에 터치되는 경우에는 동시에 터치되는 제1저항성 감지패턴 줄에 대하여 전압을 각각 읽어 이들의 평균값으로서 좌표값을 판단하는 것이 바람직하다. 인접한 제2저항성 감지패턴 줄이 동시에 터치되는 경우에도 동시에 터치되는 제2저항성 감지패턴 줄에 대하여 전압을 각각 읽어 이들의 평균값으로서 좌표값을 판단하는 것이 바람직하다. When the adjacent first resistive sensing pattern strings are touched at the same time, the coordinate recognizing means reads voltages on the first resistive sensing pattern strings which are touched at the same time, and determines coordinate values as their average values. Even when adjacent second resistive sensing pattern strings are touched at the same time, it is preferable to read the voltages of the second resistive sensing pattern strings which are touched at the same time and determine coordinate values as their average values.
상기 좌표인식수단은 다중으로 터치가 발생하고 그 터치점이 폐루프를 이루어서 제1저항성 감지패턴이 2줄 이상이 터치되는 경우에는 터치가 이루어지는 상기 제1저항성 감지패턴의 줄에 동시에 전압을 인가하여 좌표값을 읽는 것이 바람직하다. 터치점이 폐루프를 이루어서 제2저항성 감지패턴이 2줄 이상이 터치되는 경우에도 터치가 이루어지는 상기 제2저항성 감지패턴의 줄에 동시에 전압을 인가하여 좌표값을 읽는 것이 바람직하다. When the touch is generated in multiple times and the touch point forms a closed loop and the first resistive detection pattern is touched by two or more lines, the coordinate recognition means simultaneously applies a voltage to the string of the first resistive detection pattern where the touch is made. It is desirable to read the value. Even when the touch point forms a closed loop and two or more lines of the second resistive detection pattern are touched, it is preferable to read a coordinate value by simultaneously applying a voltage to the lines of the second resistive detection pattern where the touch is made.
종래의 저항막 방식 터치스크린의 경우는 한 점의 터치만을 인식하도록 되어 있으나, 본 발명에 의하면, 종래의 저항막 터치스크린에서는 구현이 불가능한 다중 터치 인식이 가능하며, ITO 저항막이 복수개의 줄 형태로 구분되어 폭이 좁기 때문에 선저항 형태를 하게 되어 종래에 있었던 면저항에 기한 좌표보정이 필요없게 된다.In the case of the conventional resistive touch screen, only one point of touch is recognized, but according to the present invention, multiple touch recognition, which cannot be realized in the conventional resistive touch screen, is possible, and the ITO resistive film is formed in a plurality of lines. Because of their narrow width, they form a line resistance, eliminating the need for coordinate correction based on conventional sheet resistance.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 아래의 실시예는 본 발명의 내용을 이해하기 위해 제시된 것일 뿐이며 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상 내에서 많은 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 권리범위가 이러한 실시예에 한정되는 것으로 해석돼서는 안 된다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The following examples are only presented to understand the content of the present invention, and those skilled in the art will be capable of many modifications within the technical spirit of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be construed as being limited to these embodiments.
도 2는 본 발명에 따른 다중터치인식이 가능한 저항막 방식 터치스크린을 설명하기 위한 도면이다. 절연막(100)상에 하층 투명필름(200)과 상층 투명필름(300)이 적층되며, 하층 투명필름(200)의 윗면에는 Y축 투명 저항성 감지패턴(200a)이 형성되고, 상층 투명필름(300)의 아랫면에는 X축 투명 저항성 감지패턴(300a)이 형성된다. 2 is a view for explaining a multi-touch resistive touch screen according to the present invention. The lower
투명 저항성 감지패턴(200a, 300a)은 종래와 같이 ITO막으로 형성시킬 수 있지만, 종래와 달리 하나의 막이 복수개의 줄(stripe)로 나누어진 형태를 하며, Y축 투명 저항성 감지패턴(200a)과 X축 투명 저항성 감지패턴(300a)은 행과 열을 이루도록 서로 수직으로 교차하게 배열된다. 투명 저항성 감지패턴(200a, 300a)의 줄 양단에는 Y축 전극(200b)과 X축 전극(300b)이 형성된다. 전극(200b, 300b)으로는 은 잉크(silver ink)를 사용할 수 있다. The transparent
도 3은 도 2를 위에서 내려다 본 경우를 도시한 것으로서, 다중터치인식이 가능한 본 발명의 특징을 설명하기 위하여 투명 저항성 감지패턴(200a, 200b)과 전극(200b, 300b)만을 도시한 것이다. FIG. 3 is a view from above of FIG. 2 and illustrates only the transparent
[A 좌표][A coordinate]
Y1+에 VDD를 인가하고 Y1-에 GND 인가하여 X2+(혹은 X2-)에서 전압을 읽으면 이 전압 값이 X좌표를 나타낸다. If VDD is applied to Y1 + and GND is applied to Y1- to read the voltage at X2 + (or X2-), this voltage value represents the X coordinate.
즉, X좌표 전압 = VDD*(1/6)+deltaV = X좌표That is, X coordinate voltage = VDD * (1/6) + deltaV = X coordinate
X2+에 VDD를 인가하고 X2-에 GND 인가하여 Y1+(혹은 Y1-)에서 전압을 읽으면 이 전압 값이 Y좌표를 나타낸다.If VDD is applied to X2 + and GND is applied to X2 +, the voltage is read from Y1 + (or Y1-) and this voltage value represents Y coordinate.
즉, Y좌표 전압 = VDD*(8/9)+deltaV = Y좌표 That is, Y coordinate voltage = VDD * (8/9) + deltaV = Y coordinate
여기서 deltaV값은 A점이 X2축과 Y1축이 교차하는 영역에서의 위치 변화시에 나타나는 전압 변화량을 나타내는 것으로, X축에서 보면 이 값은 최대 VDD*(1/6)을 넘지 않고 Y축에서 보면 이 값은 최대 VDD*(1/9)를 넘지 않는다. Here, the deltaV value indicates the amount of voltage change that occurs when the point A changes in the area where the X2 axis and the Y1 axis intersect. When viewed from the X axis, the value does not exceed the maximum VDD * (1/6) and is viewed from the Y axis. This value does not exceed the maximum VDD * (1/9).
Y축 투명 저항성 감지패턴(200a)과 X축 투명 저항성 감지패턴(300a)이 교차하는 영역내에서 터치 위치에 변화가 발생하는 경우에는 deltaV의 크기가 변하게 된다. 따라서 이러한 deltaV의 변화량을 반영하면 Y축 투명 저항성 감지패턴(200a)과 X축 투명 저항성 감지패턴(300a)이 교차하는 영역내에서도 정확한 터치 위치를 파악할 수 있게 된다. When a change occurs in the touch position in a region where the Y-axis transparent
[B 좌표][B coordinate]
Y1+에 VDD를 인가하고 Y1-에 GND를 인가하여 X4+(혹은 X4-) 및 X5+(혹은 X5-)에서 전압을 읽어 제1평균값을 얻고, Y2+에 VDD를 인가하고 Y2-에 GND를 인가하여 X4+(혹은 X4-) 및 X5+(혹은 X5-)에서 전압을 읽어 제2평균값을 얻은 후에, 제1평균값과 제2평균값의 평균값을 다시 구하면 이 전압 값이 곧 X좌표를 나타낸다.Apply VDD to Y1 + and apply GND to Y1 + to read the voltage from X4 + (or X4-) and X5 + (or X5-) to obtain the first average value, apply VDD to Y2 + and apply GND to Y2- + to X4 + After obtaining the second average value by reading the voltages (or X4-) and X5 + (or X5-), the average value of the first average value and the second average value is obtained again, and this voltage value immediately represents the X coordinate.
X4+에 VDD를 인가하고 X4-에 GND 인가하여 Y1+(혹은 Y1-) 및 Y2+(혹은 Y2-)에서 전압을 읽어 제1평균값을 얻고, X5+에 VDD를 인가하고 X5-에 GND를 인가하여 Y1+(혹은 Y1-) 및 Y2+(혹은 Y2-)에서 전압을 읽어 제2평균값을 얻은 후에, 제1평균값과 제2평균값의 평균값을 다시 구하면 이 전압 값이 곧 Y좌표를 나타낸다.Apply VDD to X4 + and apply GND to X4- to read the voltage from Y1 + (or Y1-) and Y2 + (or Y2-) to obtain the first average value, apply VDD to X5 + and apply GND to X5- to Y1 + ( Alternatively, after reading the voltage from Y1-) and Y2 + (or Y2-) to obtain the second average value, the average value of the first average value and the second average value is obtained again, and this voltage value immediately represents the Y coordinate.
이와 같은 방법을 C, D, E 점의 위치도 독립적으로 나타낼 수 있다. 특히 C점의 경우에는 일반적인 매트릭스 방법으로는 A점과 D점을 터치한 상태에서 C점을 터치하게 되면 감지가 되지 않으나 본 발명에서는 C점도 독립적으로 감지가 된다.This method can also be represented independently of the position of the C, D, E point. Particularly, in the case of point C, when the point C is touched while the point A and the point D are touched by the general matrix method, the point C is independently detected.
[C 좌표][C coordinate]
Y5+에 VDD를 인가하고 Y5-에 GND 인가하여 X2+(혹은 X2-)에서 전압을 읽으면 이 전압 값이 X좌표를 나타낸다.If VDD is applied to Y5 + and GND is applied to Y5-, the voltage is read from X2 + (or X2-) and this voltage value represents the X coordinate.
즉, X좌표 전압 = VDD*(1/6)+deltaV = X좌표That is, X coordinate voltage = VDD * (1/6) + deltaV = X coordinate
X2+에 VDD를 인가하고 X2-에 GND 인가하여 Y5+(혹은 Y5-)에서 전압을 읽으면 이 전압 값이 Y좌표를 나타낸다.If VDD is applied to X2 + and GND is applied to X2 +, the voltage is read from Y5 + (or Y5-) and this voltage value represents Y coordinate.
즉, Y좌표 전압 = VDD*(4/9)+deltaV = Y좌표That is, Y coordinate voltage = VDD * (4/9) + deltaV = Y coordinate
[D 좌표][D coordinate]
Y5+에 VDD를 인가하고 Y5-에 GND 인가하여 X6+(혹은 X6-)에서 전압을 읽으면 이 전압 값이 X좌표를 나타낸다.If VDD is applied to Y5 + and GND is applied to Y5-, the voltage is read from X6 + (or X6-) and this voltage value represents X coordinate.
즉, X좌표 전압 = VDD*(5/6)+deltaV = X좌표That is, X coordinate voltage = VDD * (5/6) + delta V = X coordinate
X6+에 VDD를 인가하고 X6-에 GND 인가하여 Y5+(혹은 Y5-)에서 전압을 읽으면 이 전압 값이 Y좌표를 나타낸다.When VDD is applied to X6 + and GND is applied to X6-, the voltage is read from Y5 + (or Y5-) and this voltage value represents Y coordinate.
즉, Y좌표 전압 = VDD*(4/9)+deltaV = Y좌표That is, Y coordinate voltage = VDD * (4/9) + deltaV = Y coordinate
[F, G 좌표][F, G coordinates]
F점과 G점은 독립적으로 인식하지 못하게 되는데 이는 F점과 G점이 X5열과 Y8행으로 구성된 투명 저항성 감지패턴(200a, 300a) 내에 동시에 존재하기 때문이다. 이러한 문제를 해결하기 위해서는 투명 저항성 감지패턴(200a, 300a)의 행과 열을 좀 더 세분화시키면 된다. 투명 저항성 감지패턴(200a, 300a)의 행과 행 사이 및 열과 열 사이의 간격은 투명도전성 박막인 ITO의 절연이 유지되는 범위 내에서 최소화하는 것이 바람직하다. The F and G points are not independently recognized because the F and G points are simultaneously present in the transparent
그러나 도 3의 경우라 하더라도 어느 특정 형태의 다중 터치인 경우에는 터치위치를 파악하는데 어려움이 있다. 도 4a 및 도 4b는 도3의 이러한 단점을 설명하기 위한 도면들이다. However, even in the case of FIG. 3, in the case of a certain type of multi-touch, it is difficult to determine the touch position. 4A and 4B are diagrams for explaining this disadvantage of FIG.
도 4a에서 H, I, J점만을 터치하여 폐루프가 형성되지 않았을 경우, H점을 읽기 위해서는 Y1+ 전극에 VDD를 인가하고, Y1- 전극에 GND를 인가 한 후 X2+(혹은 X2-)전극에서 전압 값을 읽으면 H점의 X좌표를 알 수가 있다. In FIG. 4A, when only the H, I, and J points are touched to form a closed loop, VDD is applied to the Y1 + electrode and GND is applied to the Y1-electrode to read the H point, and then at the X2 + (or X2-) electrode. If we read voltage value, we can know X coordinate of H point.
그러나, H, I, J, K점을 동시에 터치하여 이 네 개의 터치점이 폐루프를 형성하는 경우에는 도 4b에 도시된 바와 같이 실제 측정하기 위해 필요한 저항성분에 병렬로 추가 저항이 발생하게 된다. 이럴 경우 읽혀지는 값은 실제 좌표와는 다르게 된다. However, when the four touch points form a closed loop by simultaneously touching H, I, J, and K points, additional resistances are generated in parallel to the resistance components required for actual measurement as shown in FIG. 4B. In this case, the value read is different from the actual coordinates.
H점을 예로 살펴보면, Taking H as an example,
1) 정확한 좌표값으로서 읽혀져야 할 값1) Value to be read as exact coordinate value
X좌표값 = VDD*R1/(R6+R5+R1) X coordinate value = VDD * R1 / (R6 + R5 + R1)
2) 폐루프 형성으로 인해 실제 읽혀지는 값2) the actual reading due to the formation of a closed loop
X좌표값 = VDD*R1/(R6+(R5//(R2+R3+R4))+R1)X coordinate value = VDD * R1 / (R6 + (R5 // (R2 + R3 + R4)) + R1)
이 된다. 위의 계산식 1)과 2)를 비교해보면 X좌표값이 차이가 나는 것을 알 수 있다. 따라서 이렇게 폐루프가 형성되는 경우에는 아래와 같은 방법으로 좌표값을 읽을 필요가 있다. 즉, H, I, J, K점까지 터치하여 폐루프가 형성되는 경우에는 Y1+ 전극에 VDD를 인가하고, Y1- 전극에 GND를 인가하는 것 이외에, 이와 동시에 Y4+ 전극에도 VDD를 인가하고, Y4- 전극에 GND를 인가한 후 X2+ 전극에서 H점의 위치에 해당하는 전압을 읽고, X2- 전극에서는 J점의 위치에 해당하는 전압을 읽으면 된다. 도 5는 이러한 경우를 설명하기 위해 모델링된 회로도이다. Becomes Comparing Equations 1) and 2) above, we can see that the X coordinates are different. Therefore, when the closed loop is formed in this way, it is necessary to read the coordinate values as follows. That is, when a closed loop is formed by touching H, I, J, and K points, in addition to applying VDD to the Y1 + electrode and GND to the Y1-electrode, VDD is also applied to the Y4 + electrode at the same time. -After applying GND to the electrode, read the voltage corresponding to the position of H point on the X2 + electrode, and read the voltage corresponding to the position of J point on the X2- electrode. 5 is a circuit diagram modeled to explain this case.
도 5의 (a)에서와 같이 이상적인 경우에는 I점 및 K점의 X좌표값은 VI = 4.375V, VK = 4.792V 이다. 그러나 도 5의 (b)와 같이 H, I, J, K 점이 폐루프를 이룰 경우에는 VI=4.259V, VK=3.593V로서 이상적인 좌표값과 차이가 나게 된다. 특히 VK의 경우에는 1V이상 차이가 크게 나므로 좌표위치에 큰 에러를 유발한다. In the ideal case as shown in FIG. 5A, the X coordinate values of the I and K points are VI = 4.375V and VK = 4.792V. However, as shown in (b) of FIG. 5, when the H, I, J, and K points form a closed loop, VI = 4.259V and VK = 3.593V, which are different from the ideal coordinate values. Especially in case of VK, the difference is more than 1V, which causes big error in coordinate position.
도 5의 (c)는 이렇게 폐루프 형성시의 에러를 방지하기 위하여 모델링된 것이며, 폐루프가 형성되는 경우에 Y1+ 전극에 VDD를 인가하고, Y1- 전극에 GND를 인가하는 것 이외에, 이와 동시에 Y4+ 전극에도 VDD를 인가하고, Y4- 전극에 GND를 인가한 후 X6+(또는 X6-)전극에서 I점 및 K점의 위치에 해당하는 전압을 읽는다. 그러면 VI=4.440V이고 VK=4.765V로서 이상적인 좌표값과 크게 차이가 나지 않게 된다. 즉, 폐루프 형성에 따른 저항값 변화로 인한 위치 오차가 보정되게 된다. FIG. 5C is modeled in order to prevent an error in forming a closed loop. In the case where the closed loop is formed, VDD is applied to the Y1 + electrode and GND is applied to the Y1-electrode. VDD is also applied to the Y4 + electrode, and GND is applied to the Y4-electrode, and then the voltage corresponding to the positions of the points I and K of the X6 + (or X6-) electrode is read. Then VI = 4.440V and VK = 4.765V, which are not much different from the ideal coordinates. That is, the position error due to the change in the resistance value according to the closed loop is corrected.
도 4a에서 L과 M의 두 점을 동시에 눌렀을 경우에도 이를 확장해서 보면 위의 경우와 같이 폐루프를 형성하게 되며, 이때에도 Y5+와 Y6+에 VDD를, Y5-와 Y6-에 GND를 동시에 인가하고 X2(혹은 X3)에서 L의 좌표값을, X5(혹은 X6)에서 M의 좌표값을 읽으면 된다. L점과 N점이, N점과 O점이, M점과 O점이 동시에 눌렸을 경우에도 이와 동일한 방법으로 좌표값을 읽으면 된다. In FIG. 4A, even when two points of L and M are pressed at the same time, the closed loop is formed as in the above case. Also, VDD is applied to Y5 + and Y6 + and GND is applied to Y5- and Y6- simultaneously. You can read the coordinates of L in X2 (or X3) and the coordinates of M in X5 (or X6). If L and N points, N and O points, and M and O points are pressed at the same time, the coordinate values may be read in the same manner.
본 발명에 따른 터치스크린의 수직 구조는 기존의 저항막 터치스크린의 구조와 동일한 구조로 되어 있어, 손가락 뿐만 아니라 종래의 저항막 터치스크린에서 사용할 수 있는 모든 기구물, 예를 들면 스타일러스펜, 카드, 손톱 등을 사용하여 터치 할 수 있다.The vertical structure of the touch screen according to the present invention has the same structure as that of a conventional resistive touch screen, so that not only the finger but also all the instruments that can be used in the conventional resistive touch screen, for example, a stylus pen, a card, and a nail You can touch using the keyboard.
본 발명에 따른 터치스크린의 좌표값을 읽는 인식회로에서는 종래의 저항막 터치스크린에서의 좌표값을 읽는 방법과 유사하게, 터치가 발생한 부분의 행과 열에만 전압을 인가하여 좌표를 읽으므로 불필요한 시간 및 전력의 낭비를 피할 수 있다. 특히 모바일 기기에서 배터리 소모를 최소화하기 위해서는 대기 전력을 최소화해야 하는데 본 발명은 종래의 저항막 터치스크린의 장점을 모두 유지하면서도, 종래의 저항막 터치스크린에서는 구현이 불가능한 다중 터치 인식을 가능하도록 하였다. 또한 ITO 저항막의 폭이 좁아 선저항 형태를 하므로 종래에 있었던 면저항에 기한 좌표보정이 필요없게 된다.In the recognition circuit for reading coordinate values of the touch screen according to the present invention, similar to the method of reading coordinate values in a resistive touch screen, an unnecessary time is required because the coordinates are read by applying voltage only to the rows and columns of the touched portion. And waste of power can be avoided. In particular, in order to minimize battery consumption in a mobile device, the standby power should be minimized. While the present invention maintains all the advantages of the conventional resistive touch screen, it enables multi-touch recognition that cannot be implemented in the conventional resistive touch screen. In addition, since the width of the ITO resistive film is narrow, the form of linear resistance eliminates the need for coordinate correction due to the conventional sheet resistance.
도 1은 종래의 저항막 방식 터치스크린을 설명하기 위한 도면;1 is a view for explaining a conventional resistive touch screen;
도 2는 본 발명에 따른 다중터치인식이 가능한 저항막 방식 터치스크린을 설명하기 위한 도면;2 is a view for explaining a multi-touch resistive touch screen according to the present invention;
도 3은 도 2를 위에서 내려다 본 평면도; 3 is a plan view from above of FIG. 2;
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 있어서 폐루프 형성시의 문제점을 설명하기 위한 도면;4A and 4B are views for explaining problems in forming a closed loop in the present invention;
도 5는 폐루프 형성시의 문제점을 해결하는 방안을 설명하기 위한 모델링된 회로도이다. 5 is a modeled circuit diagram for explaining a method of solving a problem in forming a closed loop.
<도면의 주요부분에 대한 참조번호의 설명><Description of reference numbers for the main parts of the drawings>
10, 100: 절연막10, 100: insulating film
20, 30, 200, 300: 투명필름20, 30, 200, 300: transparent film
20a, 30a: ITO 저항막20a, 30a: ITO resistive film
20b, 30b, 200b, 300b: 전극20b, 30b, 200b, 300b: electrode
200a, 300a: ITO 투명 저항성 감지패턴200a, 300a: ITO transparent resistive sensing pattern
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