KR101001603B1 - Organic Thin Film Transistor And Method Thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기 반도체 상에 다층의 보호막을 형성하여 유기 반도체로 공기중의 수분 또는 산소의 침투를 방지할 수 있는 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.The present invention relates to an organic thin film transistor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic thin film transistor capable of preventing the penetration of moisture or oxygen in the air to the organic semiconductor by forming a multi-layered protective film on the organic semiconductor. To provide a way.

유기반도체층, 제1유기보호막, 무기보호막, 제2유기보호막 Organic semiconductor layer, first organic protective film, inorganic protective film, second organic protective film

Description

유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 {Organic Thin Film Transistor And Method Thereof}Organic Thin Film Transistor And Method Thereof

본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기 반도체 상에 다층의 보호막을 형성하여 유기 반도체로 공기중의 수분 또는 산소의 침투를 방지할 수 있는 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.The present invention relates to an organic thin film transistor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic thin film transistor capable of preventing the penetration of moisture or oxygen in the air to the organic semiconductor by forming a multi-layered protective film on the organic semiconductor. To provide a way.

본 발명은 유기 반도체를 이용한 유기 박막 트랜지스터, 상기 유기 박막트랜지스터를 이용한 디스플레이 및 센서 어레이, 유기 EL, 플렉시블 디스플레이, 전자잉크, 안테나, 소재/집적 기술 등에 포괄적으로 적용될 수 있다.The present invention can be applied to an organic thin film transistor using an organic semiconductor, a display and sensor array using the organic thin film transistor, an organic EL, a flexible display, an electronic ink, an antenna, a material / integrated technology, and the like.

유기 반도체는 원래 전기적으로 절연체인 유기화합물 고체 중에서 전자의 이동 및 전하이동에 의해 반도체적 전기특성을 나타내는 물질을 의미하고, 유기 반도체 박막 트랜지스터는 제작 공정이 간단하고 비용이 저렴하며 충격에 의해 깨지지 않는 장점을 가지고 있을 뿐만 아니라, 구부리거나 접을 수 있는 플렉시블 전자 회 로 기판의 필요성에 따라 중요한 연구 분야로 대두되고 있다. An organic semiconductor refers to a material that exhibits semiconductor electrical characteristics by the movement of electrons and charges in an organic compound solid, which is an electrically insulator, and an organic semiconductor thin film transistor is simple in manufacturing process, inexpensive, and is not broken by impact. In addition to its advantages, it is emerging as an important research area according to the need for flexible electronic circuit boards that can be bent or folded.

그러나 유기 반도체는 무기 반도체와 달리 공기중에서 수분 또는 산소에 의하여 전기적 특성이 저하되는 단점을 가지고 있다.However, organic semiconductors, unlike inorganic semiconductors, have the disadvantage that their electrical properties are degraded by moisture or oxygen in the air.

따라서 유기 반도체를 공기중의 수분 또는 산소로부터 보호하면서 상기와 같은 유기반도체의 장점을 극대화할 수 있는 유기 박막 트랜지스터의 개발이 절실히 필요한 실정이다.Therefore, there is an urgent need to develop an organic thin film transistor that can maximize the advantages of the organic semiconductor while protecting the organic semiconductor from moisture or oxygen in the air.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로써 본 발명의 목적은 유기 반도체로 공기중의 수분 또는 산소의 침투를 방지할 수 있는 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems and an object of the present invention is to provide an organic thin film transistor capable of preventing the penetration of moisture or oxygen in the air into the organic semiconductor and a method of manufacturing the same.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터는 유기 박막 트랜지스터에 있어서, 기판과 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극과 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막 상에 형성된 소스 및 드레인 전극과 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 게이트 절연막 상에 형성된 유기 반도체층과 상기 유기 반도체층 상에 형성된 제 1 유기 보호막과 상기 제 1유기 보호막 상에 형성된 무기 보호막과 상기 무기 보호막 상에 형성된 제 2 유기 보호막과 상기 제 2 유기 보호막 상에 형성된 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the organic thin film transistor according to the present invention is an organic thin film transistor comprising: a substrate, a gate electrode formed on the substrate, a gate insulating film formed on the gate electrode, and a source and a drain formed on the gate insulating film. An organic semiconductor layer formed on an electrode, a gate insulating film on which the source and drain electrodes are formed, a first organic protective film formed on the organic semiconductor layer, an inorganic protective film formed on the first organic protective film, and a second organic formed on the inorganic protective film And a pixel electrode formed on the passivation layer and the second organic passivation layer.

여기서, 상기 제 1 및 2 유기 보호막은 페릴렌(Parylene) 또는 포토 아크릴(PA)로 형성된 것을 특징으로 한다.Herein, the first and second organic protective layers may be formed of parylene or photoacrylic (PA).

그리고, 상기 무기 보호막은 금속(Metal)으로 형성된 것을 특징으로 한다.The inorganic protective film is formed of metal.

또한, 상기 화소전극은 ITO, IZO 및 CNT 중 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 한다.The pixel electrode may be formed of any one selected from ITO, IZO, and CNT.

한편, 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터 제조 방법은 유기 박막 트랜지스터 제조 방법에 있어서, 기판 상에 게이트 라인을 형성하는 단계와 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와 상기 게이트 절연막 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 게이트 절연막 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계와 상기 유기 반도체층 상에 제 1 유기 보호막을 형성하는 단계와 상기 제 1유기 보호막 상에 무기 보호막을 형성하는 단계와 상기 무기 보호막 상에 제 2 유기 보호막을 형성하는 단계와 상기 제 2 유기 보호막 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, in the organic thin film transistor manufacturing method according to the present invention, forming a gate line on a substrate, forming a gate insulating film on the gate electrode and source and drain on the gate insulating film Forming an electrode, forming an organic semiconductor layer on the gate insulating layer on which the source and drain electrodes are formed, forming a first organic passivation layer on the organic semiconductor layer, and forming an inorganic passivation layer on the first organic passivation layer. And forming a second organic passivation layer on the inorganic passivation layer, and forming a pixel electrode on the second organic passivation layer.

여기서, 상기 제 1 유기 보호막 상에 형성된 유기 보호막 및 무기 보호막을 이용하여 유기 반도체층 아일런드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The method may further include forming an organic semiconductor layer island using the organic passivation layer and the inorganic passivation layer formed on the first organic passivation layer.

그리고, 상기 제 1 및 2 유기 보호막은 페릴렌(Parylene) 또는 포토 아크릴(PA)로 형성하는 것을 특징으로 한다.The first and second organic passivation layers may be formed of parylene or photoacrylic (PA).

또한, 상기 무기 보호막은 금속(Metal)으로 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the inorganic protective film is characterized in that it is formed of metal (Metal).

그리고, 상기 화소전극은 ITO 또는 IZO로 형성하는 것을 특징으로 한다.The pixel electrode may be formed of ITO or IZO.

상기에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법은 유기 반도체를 보호하는 다층의 보호막을 형성하여 유기 반도체 내로 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지하여 전기적 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있 는 탁월한 효과가 발생한다.As described above, the organic thin film transistor and the method of manufacturing the same according to the present invention may form a multilayer protective film that protects the organic semiconductor, thereby preventing moisture or oxygen from penetrating into the organic semiconductor, thereby preventing electrical characteristics from deteriorating. Excellent effect occurs.

이하, 본 발명의 구체적인 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an organic thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터는 기판(110)과 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극(120)과 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막(130)과 상기 게이트 절연막 상에 형성된 소스 및 드레인 전극(141,142)과 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 게이트 절연막 상에 형성된 유기 반도체층(150)과 상기 유기 반도체층 상에 형성된 제 1 유기 보호막(160)과 상기 제 1유기 보호막 상에 형성된 무기 보호막(170)과 상기 무기 보호막 상에 형성된 제 2 유기 보호막(180)과 상기 제 2 유기 보호막 상에 형성된 화소전극(190)을 포함하여 구성될 수 있다.Referring to FIG. 1, an organic thin film transistor according to the present invention includes a substrate 110, a gate electrode 120 formed on the substrate, a gate insulating film 130 formed on the gate electrode, and a source formed on the gate insulating film; The organic semiconductor layer 150 formed on the drain electrodes 141 and 142, the gate insulating layer on which the source and drain electrodes are formed, the first organic protective layer 160 formed on the organic semiconductor layer, and the inorganic protective layer formed on the first organic protective layer. And a pixel electrode 190 formed on the second organic passivation layer 180 and the second organic passivation layer 180 formed on the inorganic passivation layer.

이하, 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터 제조 방법에 대해 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic thin film transistor according to the present invention will be described in detail.

도 1을 참조하면, 먼저 기판(110) 상에 게이트 전극(120)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 전극은 상기 기판 상부에 직류전압 또는 라디오 주파수 스퍼터링(DC, RF sputtering) 방식으로 약 100 nm 두께의 금속을 증착시키고 사진 식각Referring to FIG. 1, first, a gate electrode 120 is formed on a substrate 110. In this case, the gate electrode deposits a metal having a thickness of about 100 nm on the substrate by direct current voltage or radio frequency sputtering (DC, RF sputtering), and etching the photo.

방법(Photolithography)으로 패터닝 하여 형성될 수 있다.It can be formed by patterning by Photolithography.

이어서, 상기 게이트 전극(120) 상에는 게이트 절연막(130)을 형성한다. 보다 구체적으로 상기 게이트 절연막(130)은 증착 또는 회전 도포(spin coating) 방식에 따라 도포되고 약 180℃에서 경화(curing) 방식으로 경화되어 400nm ~ 450nm 두께로 형성될 수 있다. Subsequently, a gate insulating layer 130 is formed on the gate electrode 120. More specifically, the gate insulating layer 130 may be coated by a deposition or spin coating method and cured by a curing method at about 180 ° C. to form a thickness of 400 nm to 450 nm.

그리고, 상기 게이트 절연막(130) 상부에는 소스 및 드레인 전극(141,142)이 형성된다. 이때, 상기 소스 및 드레인 전극(141,142)은 상기 게이트 절연막(130) 상부에 직류전압 또는 라디오 주파수 스퍼터링(DC, RF sputtering) 방식으로 약 100nm 두께의 금속을 증착시키고 사진 식각방법으로 패터닝 하여 형성될 수 있다.Source and drain electrodes 141 and 142 are formed on the gate insulating layer 130. In this case, the source and drain electrodes 141 and 142 may be formed by depositing a metal having a thickness of about 100 nm on the gate insulating layer 130 by DC voltage or radio frequency sputtering and patterning by photolithography. have.

이어서, 상기 소스 및 드레인 전극(141,142)이 형성된 게이트 절연막(130) 상에 유기 반도체 층(150)을 증착하여 형성한다.Subsequently, an organic semiconductor layer 150 is deposited on the gate insulating layer 130 on which the source and drain electrodes 141 and 142 are formed.

상기 유기 반도체층(150)은 박막 제조를 위해 펜타신(Pentacene)이 사용될 수 있으나, 이외에도 폴리(3-헥실티오펜)[Poly(3-hexylthiophene)(P3HT)], Dihexylquaterthiophene(DH4T), F8T2, FTTF, 페릴린(Perylene) 등 유기 반도체 재료이기만 하면 무엇이나 사용 가능하다. The organic semiconductor layer 150 may be used pentacin (Pentacene) for the manufacture of a thin film, in addition to poly (3-hexylthiophene) [Poly (3-hexylthiophene) (P3HT)], Dihexylquaterthiophene (DH4T), F8T2, Any organic semiconductor material such as FTTF and perylene can be used.

여기서, 상기 유기 반도체층의 구체적인 형성방법은 당업자에게 자명할 뿐만 아니라 본 발명의 핵심에서 벗어나는 부분이므로 보다 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Here, the specific method of forming the organic semiconductor layer is not only apparent to those skilled in the art but also a part that deviates from the core of the present invention, and thus a detailed description thereof will be omitted.

이어서, 상기 유기 반도체층(150) 상에 제 1 유기 보호막(160) 및 무기 보호막(170)을 형성한다. 보다 구체적으로, 유기물질[페릴렌(Parylene)]을 증착하고, 페릴린은 진공증착이 가능하기 때문에 페릴린과 금속(metal)을 진공 해제 없이 차례로 증착이 가능하다. 이후 메탈 위에 감광제(포토레지스트) 패턴을 형성하고 금속 및 페릴렌을 차례로 식각하여 제 1 유기 보호막(160) 및 무기 보호막(170)을 형성할 수 있다.Subsequently, a first organic passivation layer 160 and an inorganic passivation layer 170 are formed on the organic semiconductor layer 150. More specifically, since the organic material (Parylene) is deposited, and perylene can be vacuum deposited, parylene and metal can be sequentially deposited without releasing the vacuum. Thereafter, a photoresist (photoresist) pattern may be formed on the metal, and the metal and perylene may be sequentially etched to form the first organic passivation layer 160 and the inorganic passivation layer 170.

상기 유기물질은 페릴렌 이외에도 폴리 아미드(Polyamid), 폴리비닐페놀(PVP), 비씨비(BCB), 포토 아크릴(Photo Acrylate, PA) 등의 유기재료가 사용될 수 있다.In addition to the perylene, the organic material may be an organic material such as polyamide, polyvinylphenol (PVP), BCB, photo acryl, and the like.

여기서, 유기 반도체 위에 유기 용제가 포함된 액상 물질을 성막 할 경우 유기 용제에 의해 유기 반도체가 손상을 입어 유기 박막 트랜지스터의 특성이 감소하게 된다. In this case, when the liquid material including the organic solvent is formed on the organic semiconductor, the organic semiconductor is damaged by the organic solvent, thereby reducing the characteristics of the organic thin film transistor.

이에 반해 페릴렌은 진공 증착이 가능한 물질이기 때문에 용매에 의한 손상 없이 유기 반도체를 1차적으로 보호할 수 있다. 따라서 유기 용매를 사용해야만 하는 폴리 아미드(Polyamid),폴리비닐페놀(PVP), 비씨비(BCB), 포토 아크릴(Photo Acrylate, PA) 보다는 유기 반도체에 손상을 최소화 시킬 수 있는 폴리비닐알코올 (polyvinylalcohol) 등이 적합하다.On the other hand, since perylene is a material capable of vacuum deposition, it is possible to primarily protect the organic semiconductor without damaging the solvent. Therefore, polyvinylalcohol can minimize damage to organic semiconductors rather than polyamide, polyvinylphenol (PVP), BCB, and photo acrylate (PA), which must use organic solvents. Etc. are suitable.

이때 상기 제1유기 보호막과 제2유기 보호막 사이에 금속층(무기 보호막)이 존재하는 이유는 금속층을 형성함으로써 유기 반도체를 산화시킬 수 있는 수분 및 산소의 투과를 현저하게 감소시킬 수 있기 때문이다. The reason why the metal layer (inorganic protective film) is present between the first organic protective film and the second organic protective film is that the permeation of moisture and oxygen that can oxidize the organic semiconductor can be significantly reduced by forming the metal layer.

아래의 표는 투습률을 측정한 결과로 페릴렌에 비해 페릴렌/금속의 이중층이 현저히 낮은 투습률을 보임을 알 수 있다.In the table below, the moisture permeability of the perylene / metal bilayer was significantly lower than that of perylene.

구 조rescue 투습률 (g/m2/day)Moisture permeability (g / m 2 / day) 비고Remarks ParyleneParylene 0.03610.0361 Paryelen/금속Paryelen / metal < 0.001<0.001 측정 범위 한계치Measurement range limit

여기서, 상기 무기 보호막(170)은 Al, Cr, Pb, Mg, Zn 등 금속의 성질을 가지는 모든 금속(Metal)이 사용될 수 있다.Here, the inorganic protective layer 170 may be any metal (Metal) having the properties of the metal , such as Al, Cr, Pb, Mg, Zn .

또한, 상기 제 1 유기 보호막 상에 형성된 무기 보호막(170)을 이용하여 유기 반도체 아일런드를 형성하는 단계를 더 포함하여 구성될 수 있다 In addition, the method may further include forming an organic semiconductor island using the inorganic protective layer 170 formed on the first organic protective layer.

이어서, 상기 무기 보호막(170) 상에 제 2 유기 보호막(180)을 증착하여 형성한다. 보다 구체적으로 유기물질[포토 아크릴(Photo Arcylate, PA)]을 증착하고, 포토리소그라피 및 식각 공정을 통해 비어홀을 패터닝하여 제 2 유기 보호막을 형성한다.Subsequently, a second organic passivation layer 180 is deposited on the inorganic passivation layer 170. More specifically, an organic material (Photo Arcylate (PA)) is deposited, and via holes are patterned through photolithography and etching to form a second organic passivation layer.

여기서, 아크릴 계열은 유기 박막 가운데 상대적으로 낮은 투습률을 보여주고 있고, 하부층의 평탄화가 가능하며 별도의 식각 공정 없이 광패터닝이 가능하기 때문에 제 2 유기 보호막으로 포토 아크릴을 사용하는 것이 바람직하지만, 상기와 같은 특성을 가지는 유기 박막이라면 포토 아크릴 이외에도 다양하게 사용가능 하다.Here, the acrylic series shows a relatively low moisture permeability among the organic thin film, and since the lower layer can be planarized and light patterning is possible without a separate etching process, photoacryl is preferably used as the second organic protective layer. If it is an organic thin film having the same characteristics, it can be used variously in addition to the photo acrylic.

여기서, 상기 유기물질은 이외에도 폴리 아미드(Polyamid), 폴리비닐페놀(PVP), 비씨비(BCB), 페릴렌(Parylene) 등의 유기재료가 사용될 수 있다.Herein, organic materials such as polyamide, polyvinylphenol (PVP), BCB, and parylene may be used as the organic material.

마지막으로 상기 제 2 유기 보호막 상에 화소 전극(190)을 형성한다.Finally, the pixel electrode 190 is formed on the second organic passivation layer.

보다 구체적으로 상기 제 2 유기 보호막 상에 ITO(Induim Tin Oxide), IZO(Induim Zinc Oxide) 또는 CNT를 증착하여 화소전극(190)을 형성하게 된다.In more detail, the pixel electrode 190 is formed by depositing ITO (Induim Tin Oxide), IZO (Induim Zinc Oxide) or CNT on the second organic passivation layer.

이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 본 발명의 보호범위는 상기 실시예에 한정되는 것이 아니며, 해당 기술분야의 통상의 지식을 갖는 자라면 본 발명의 사상 및 기술영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an organic thin film transistor according to a preferred embodiment of the present invention.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

110 : 기판 120 : 게이트 전극110 substrate 120 gate electrode

130 : 게이트 절연막 141 : 소스 전극130: gate insulating film 141: source electrode

142 : 드레인 전극 150 : 유기 반도체층142: drain electrode 150: organic semiconductor layer

160 : 제 1 유기 보호막 170 : 무기 보호막160: first organic protective film 170: inorganic protective film

180 : 제 2 유기 보호막 190 : 화소 전극180: second organic protective film 190: pixel electrode

Claims (9)

유기 박막 트랜지스터에 있어서,In an organic thin film transistor, 기판과;A substrate; 상기 기판 상에 형성된 게이트 전극과;A gate electrode formed on the substrate; 상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연막과;A gate insulating film formed on the gate electrode; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 소스 및 드레인 전극과;Source and drain electrodes formed on the gate insulating film; 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 게이트 절연막 상에 형성된 유기 반도체층과;An organic semiconductor layer formed on the gate insulating film on which the source and drain electrodes are formed; 상기 유기 반도체층 상에 형성된 제 1 유기 보호막과;A first organic protective film formed on the organic semiconductor layer; 상기 제 1유기 보호막 상에 형성된 산화방지 금속층과;An anti-oxidation metal layer formed on the first organic protective film; 상기 산화방지 금속층 상에 형성된 제 2 유기 보호막과;A second organic protective film formed on the anti-oxidation metal layer; 상기 제 2 유기 보호막 상에 형성된 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.And a pixel electrode formed on the second organic passivation layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 및 2 유기 보호막은The first and second organic protective film 페릴렌(Parylene) 또는 포토 아크릴(PA)로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.An organic thin film transistor, characterized in that formed of parylene or photoacrylic (PA). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 산화방지 금속층은The anti-oxidation metal layer Al, Cr, Pb, Mg 또는 Zn 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.An organic thin film transistor comprising any one of Al, Cr, Pb, Mg or Zn. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화소전극은The pixel electrode ITO, IZO 및 CNT 중 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.An organic thin film transistor, characterized in that formed of any one selected from ITO, IZO and CNT. 유기 박막 트랜지스터 제조 방법에 있어서,In the organic thin film transistor manufacturing method, 기판 상에 게이트 라인을 형성하는 단계와;Forming a gate line on the substrate; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계와;Forming a gate insulating film on the gate electrode; 상기 게이트 절연막 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;Forming a source and a drain electrode on the gate insulating film; 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 게이트 절연막 상에 유기 반도체층을 형성하는 단계와;Forming an organic semiconductor layer on the gate insulating layer on which the source and drain electrodes are formed; 상기 유기 반도체층 상에 제 1 유기 보호막을 형성하는 단계와;Forming a first organic passivation layer on the organic semiconductor layer; 상기 제 1유기 보호막 상에 산화방지 금속층을 형성하는 단계와;Forming an anti-oxidation metal layer on the first organic protective film; 상기 산화방지 금속층 상에 제 2 유기 보호막을 형성하는 단계와;Forming a second organic protective film on the anti-oxidation metal layer; 상기 제 2 유기 보호막 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.And forming a pixel electrode on the second organic passivation layer. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제 1 유기 보호막 상에 형성된 유기 보호막 및 산화방지 금속층을 이용하여 유기 반도체층 아일런드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.And forming an organic semiconductor layer island using the organic passivation layer and the anti-oxidation metal layer formed on the first organic passivation layer. 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 제 1 및 2 유기 보호막은The first and second organic protective film 페릴렌(Parylene) 또는 포토 아크릴(PA)로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.A method for manufacturing an organic thin film transistor, which is formed of parylene or photoacrylic (PA). 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 산화방지 금속층은The anti-oxidation metal layer Al, Cr, Pb, Mg 또는 Zn 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.An organic thin film transistor manufacturing method comprising any one of Al, Cr, Pb, Mg or Zn. 제 5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 화소전극은The pixel electrode ITO, IZO 및 CNT 중 선택된 어느 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법.Forming an organic thin film transistor, characterized in that formed by any one selected from ITO, IZO and CNT.
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