KR100986470B1 - Ceramic Package - Google Patents
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Abstract
본 발명은 칩과 그라운드 패턴, 신호 패턴이 형성되어 적층된 복수개의 유전체를 포함하는 세라믹 패키지에 있어서, 제1 그라운드 패턴이 형성된 유전체층과 제2 그라운드 패턴이 형성된 유전체층, 상기 제1 그라운드 패턴과 제2 그라운드 패턴 사이에 형성된 신호 패턴, 상기 세라믹 패키지의 맨위층 그라운드 패턴과 맨아래층에 형성된 복수개의 단자 사이에 형성된 연결수단, 상기 연결수단과 상기 신호 패턴 사이에 적어도 1개 이상의 비어가 형성된 것으로서, 송신 신호와 수신 신호간의 아이솔레이션(Isolation) 특성이 향상되고, 위상 천이기의 트레이스와 송신 신호가 지나는 캐스틸레이션 사이의 이격 거리를 좁힐 수 있어 듀플렉서의 소형화를 이룰수 있다.
According to an aspect of the present invention, there is provided a ceramic package including a plurality of dielectrics having a chip, a ground pattern, and a signal pattern formed thereon, the dielectric layer having a first ground pattern and a dielectric layer having a second ground pattern, the first ground pattern, and the second ground pattern. A signal pattern formed between the ground patterns, connection means formed between the top layer ground pattern of the ceramic package and a plurality of terminals formed on the bottom layer, at least one via is formed between the connection means and the signal pattern, and a transmission signal The isolation characteristic between the signal and the received signal is improved, and the separation distance between the trace of the phase shifter and the cast signal through which the transmitted signal passes can be narrowed, thereby miniaturizing the duplexer.
세라믹 패키지Ceramic package
Description
도 1은 종래의 SAW 듀플렉서 패키지의 단면도를 나타낸 도면.1 is a cross-sectional view of a conventional SAW duplexer package.
도 2는 일반적인 듀플렉서의 구성을 개략적으로 나타낸 블럭도.Figure 2 is a block diagram schematically showing the configuration of a general duplexer.
도 3은 종래의 듀플렉서 패키지의 상면도를 나타낸 도면.3 is a top view of a conventional duplexer package.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 쏘 듀플렉서 패키지의 단면도.4 is a cross-sectional view of a saw duplexer package according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 듀플렉서 패키지의 상면도.
5 is a top view of a duplexer package according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100, 400 : 칩 110, 410 : 세라믹층부100, 400:
120, 420 : 와이어 130, 430 : 리드120, 420:
111, 411 : 풋패드 112, 412 : 제1유전체111, 411:
113, 413 : 제2 유전체 114, 414 : 제3 유전체113, 413:
115, 415 : 제4 유전체 116, 416 : 캐스틸레이션(castillation)115, 415:
117, 417 : 트래이스(신호패턴) 118, 418 : 본딩패드117, 417: trace (signal pattern) 118, 418: bonding pad
200 : 송신부 필터 210 : 수신부 필터 200: transmitter filter 210: receiver filter
220 : 위상 천이기 440 : 비어
220: phase shifter 440: empty
본 발명은 쏘 듀플렉서에 적용되는 세라믹 패키지에 관한 것으로, 특히 위상 천이기의 트레이스(trace)와 송신 신호가 지나는 캐스틸레이션사이에 비어를 형성하여 듀플렉서의 소형화를 이루는 세라믹 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ceramic package applied to a saw duplexer. More particularly, the present invention relates to a ceramic package in which a duplexer is miniaturized by forming a via between a trace of a phase shifter and a castellation through which a transmission signal passes.
최근 이동통신 시스템의 발전에 따라 휴대전화, 휴대형 정보 단말기 등의 이동 통신 기기가 급속히 보급되어, 이들 기기의 소형화 및 고성능화의 요구로부터 이들에 사용되는 부품의 소형화 및 고성능화가 요구되고 있다. 또한, 휴대전화에 있어서는 아날로그 방식과 디지털 방식의 무선 통신 시스템에 이용되고 있고, 무선 통신에 사용되는 주파수도 800MHz-1GHz, 1.5GHz-2.0GHz대로 다방면에 걸쳐 있다. Recently, with the development of mobile communication systems, mobile communication devices such as mobile phones and portable information terminals are rapidly spreading, and the demand for miniaturization and high performance of these devices has been required to reduce the size and performance of components used therein. In addition, mobile phones are used in analog and digital wireless communication systems, and the frequencies used for wireless communication are also broadly in the 800 MHz-1 GHz and 1.5 GHz-2.0 GHz bands.
특히 통신 장치 및 다른 전자 장치에서 대역 통과 필터로서 SAW필터가 널리 사용되고 있다. 쏘 필터로는 압전 기판상에 소정 거리로 배열된 두개의 인터디지털 트랜스듀서(IDT)를 가지는 횡형 쏘 필터와 압전 기판상에 공진자를 구성하는 쏘 공진자 필터가 있다.In particular, SAW filters are widely used as band pass filters in communication devices and other electronic devices. A saw filter includes a horizontal saw filter having two interdigital transducers (IDTs) arranged at a predetermined distance on a piezoelectric substrate and a saw resonator filter constituting a resonator on the piezoelectric substrate.
최근에는 통신 기기에서 신호를 송수신할 때 신호의 일정 대역 주파수만 필터하여 송신하거나 일정한 주파수 대역의 신호만을 수신할때 사용될수 있도록 듀플렉서를 칩으로 제조하여 사용하고 있다. Recently, a duplexer is manufactured and used as a chip so that when a signal is transmitted or received by a communication device, only a predetermined band frequency of the signal may be filtered or transmitted.
이하 도면을 참조하여 쏘 듀플렉서 패키지에 대하여 설명하기로 한다. Hereinafter, a saw duplexer package will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 SAW 듀플렉서 패키지의 단면도를 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view of a conventional SAW duplexer package.
도 1을 참조하면, SAW 듀플렉서(FBAR 듀플렉서) 패키지는 필터 역할을 하는 칩(100), 세라믹층부(110), 칩(100)과 세라믹층부(110)를 연결하는 와이어(120), 리드(Lid)(130)로 구성된다.Referring to FIG. 1, a SAW duplexer package includes a
상기 세라믹층부(110)는 하측, 즉 풋패드(111)에 그라운드 단자와 신호 단자 및 하부 그라운드 패턴이 형성되고, 상측에는 신호 패턴을 형성하여 적층하는 제1 유전체(112), 상기 신호 패턴이 형성된 제1 유전체(112)위에 상부 그라운드 패턴을 상층에 형성하여 적층하는 제2 유전체(113), 상기 제2 유전체(113)위에 적층되고, 상기 칩(100)과 와이어(120)를 통해 연결되는 본딩패드(118)을 포함하는 제3 유전체(114), 상기 제3 유전체(114)위에 적층되고 상측에 그라운드 패턴이 형성된 제4 유전체(115), 상기 유전체들의 외측에 형성되고 상기 제4 유전체(115)의 그라운드 패턴과 상기 풋패드(111)의 그라운드 및 신호 단자 사이에 각각 형성된 캐스틸레이션(116)을 포함한다. The
여기서, 상기 신호 패턴은 스트립라인으로 구현되고, 위상 천이기는 상기 상부·하부 그라운드 패턴과 상기 신호패턴, 즉, 트레이스(117)를 포함하여 구성된다. Here, the signal pattern is implemented as a strip line, and the phase shifter includes the upper and lower ground patterns and the signal pattern, that is, the
상기 상부·하부 그라운드 패턴은 상기 트레이스(117)범위를 포함할 수 있게 넓게 구성함으로써 신호 손실을 방지한다. The upper and lower ground patterns are wider to cover the
상기 캐스틸레이션(116)은 세라믹층부(110)의 맨위층 그라운드 패턴과 하부 풋패드(111)의 단자 사이에 형성되어 그라운드 패턴내 전극 패턴과 다수의 단자(그 라운드/신호)를 필요에 따라 전기적으로 연결하는 역할을 한다. The
상기 리드(130)는 세라믹층부(110)의 cavity에 있는 칩을 외부 환경으로부터 보호해 주는 기능을 하는 한편, 와이어(120)간의 기생 결합을 그라운드로 뽑아 제거해주는 기능을 한다.The
따라서, 상기 리드(130)는 세라믹층부(110)의 맨 위층 그라운드 패턴에 전기적으로 연결되어 있고, 이 맨 위층 그라운드 패턴과 풋패드(111)의 그라운드 패턴 사이의 연결은 캐스틸레이션(116)을 통해 이루어진다.Accordingly, the
즉, 세라믹층부(110)의 맨위층 그라운드 전극과 풋패드(111)의 그라운드 전극을 연결하기 위한 수단으로서 캐스틸레이션(116)이 사용된다. That is, the
도 2는 일반적인 듀플렉서의 구성을 개략적으로 나타낸 블럭도, 도 3은 종래의 듀플렉서 패키지의 상면도를 나타낸 도면이다.Figure 2 is a block diagram schematically showing the configuration of a general duplexer, Figure 3 is a view showing a top view of a conventional duplexer package.
도 2를 참조하면, 듀플렉서는 송신부 필터(200), 수신부 필터(210), 위상 천이기(220)로 구성된다. Referring to FIG. 2, the duplexer includes a
상기 송신부 필터(200)와 수신부 필터(210)에 대한 상세한 설명은 도 1을 참조한다. The
상기 위상 천이기(220)는 세라믹 패키지내에 스트립라인 형태로 구성된다. 즉, 상기 위상 천이기(220)는 세라믹 패키지의 상부·하부 그라운드 패턴과 신호패턴 즉, 트레이스를 포함하여 구성된다.The
상기 위상 천이기(220)는 송신부 필터(200)에서 수신부 필터(210)로 송신 신호가 넘어가는 것을 방지하기 위하여 도 3과 같이 송신 신호가 지나는 부위와 어느 정도 이격되어 설계된다.The
도 3을 참조하면, 위상 천이기는 아이솔레이션(isolation) 특성을 확보하기 위해 송신 신호가 지나가는 캐스틸레이션(116)과 일정 간격 이격되어 있다.Referring to FIG. 3, the phase shifter is spaced apart from the
그러나 상기와 같은 종래에는 듀플렉서가 소형화될수록 세라믹 패키지가 작아져 위상 천이기의 트레이스(trace)를 형성할 영역이 작아져 소형화를 이루는데 어려움이 있다. However, in the conventional art as described above, as the duplexer becomes smaller, the ceramic package becomes smaller, so that the area for forming a trace of the phase shifter becomes smaller, which makes it difficult to achieve miniaturization.
또한, 위상천이기는 송신 신호가 지나는 캐스틸레이션과 일정 간격을 유지하여 설계되므로, 소형화하는데 더욱 어려운 문제점이 있다.
In addition, since the phase shifter is designed to maintain a constant distance from the castillation through which the transmission signal passes, it is more difficult to miniaturize.
따라서, 본 발명의 목적은 위상 천이기의 트레이스와 송신 신호가 지나는 캐스틸레이션간에 비어를 형성하여 듀플렉서의 아이솔레이션(isolation) 특성을 개선하고 듀플렉서의 크기를 소형화할 수 있는 세라믹 패키지를 제공하는데 있다.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a ceramic package that can form an via between a trace of a phase shifter and a castillation through which a transmission signal passes, thereby improving isolation characteristics of the duplexer and miniaturizing the size of the duplexer.
상기 목적들을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따르면, 칩과 그라운드 패턴, 신호 패턴이 형성되어 적층된 복수개의 유전체를 포함하는 세라믹 패키지에 있어서, 제1 그라운드 패턴이 형성된 유전체층과 제2 그라운드 패턴이 형성된 유전체층, 상기 제1 그라운드 패턴과 제2 그라운드 패턴 사이에 형성된 신호 패턴, 상기 세라믹 패키지의 맨위층 그라운드 패턴과 맨아래층에 형성된 복수개의 단자 사 이에 형성된 연결수단, 상기 연결수단과 상기 신호 패턴 사이에 적어도 1개 이상의 비어가 형성된 것을 특징으로 하는 세라믹 패키지가 제공된다.According to an aspect of the present invention in order to achieve the above object, in the ceramic package including a plurality of dielectrics formed by stacking a chip, a ground pattern, a signal pattern is formed, the dielectric layer and the second ground pattern is formed A dielectric layer formed, a signal pattern formed between the first ground pattern and the second ground pattern, connecting means formed between a top layer ground pattern of the ceramic package and a plurality of terminals formed on a bottom layer, between the connecting means and the signal pattern A ceramic package is provided, characterized in that at least one via is formed.
상기 비어는 상기 제1 그라운드 패턴과 제2 그라운드 패턴이 전기적으로 연결된다. The via is electrically connected to the first ground pattern and the second ground pattern.
상기 연결수단은 세라믹 패키지의 외측에 형성된 캐스틸레이션이고, 상기 비어는 상기 신호 패턴과 소정의 간격만큼 이격된다.
The connecting means is a casting formed outside the ceramic package, and the via is spaced apart from the signal pattern by a predetermined distance.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 쏘 듀플렉서 패키지의 단면도이고, 도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 듀플렉서 패키지의 상면도이다. 4 is a cross-sectional view of a saw duplexer package according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 5 is a top view of a duplexer package according to a preferred embodiment of the present invention.
도 4를 참조하면, SAW 듀플렉서(FBAR 듀플렉서) 패키지는 필터 역할을 하는 칩(400), 세라믹층부(410), 칩(400)과 세라믹층부(410)를 연결하는 와이어(420), 리드(Lid)(430)로 구성된다.Referring to FIG. 4, the SAW duplexer package includes a
상기 세라믹층부(410)는 하측, 즉 풋패드(411)에 그라운드 단자와 신호 단자 및 하부 그라운드 패턴이 형성되고, 상측에는 신호 패턴을 형성하여 적층하는 제1 유전체(412), 상기 신호 패턴이 형성된 제1 유전체(412)위에 상부 그라운드 패턴을 상층에 형성하여 적층하는 제2 유전체(413), 상기 제2 유전체(413)위에 적층되고, 상기 칩(400)과 와이어(420)를 통해 연결되는 본딩패드(418)을 포함하는 제3 유전 체(414), 상기 제3 유전체(414)위에 적층되고 상측에 그라운드 패턴이 형성된 제4 유전체(415), 상기 유전체들의 외측에 형성되고 상기 제4 유전체(415)의 그라운드 패턴과 상기 풋패드(411)의 그라운드 및 신호 단자 사이에 각각 형성된 캐스틸레이션(416), 상기 신호 패턴 즉, 트레이스(417)와 송신 신호가 지나는 캐스틸레이션(416) 사이에 형성된 비어(via)(440)를 포함한다.The
여기서, 상기 신호 패턴은 스트립라인으로 구현되고, 위상 천이기는 상기 상부/하부 그라운드 패턴(419a, 419b)과 상기 신호 패턴, 즉 트레이스(417)를 포함하여 구성된다.Here, the signal pattern is implemented by a stripline, and the phase shifter includes the upper /
상기 위상 천이기는 송신부 필터에서 수신부필터로 신호가 넘어가는 것을 방지하는 위하여 도 5와 같이 위상 천이기의 트레이스(417)와 송신신호가 지나는 캐스틸레이션(416) 사이에 비어(440)를 형성한다.The phase shifter forms a
상기 비어(440)는 위상 천이기의 트레이스(417)와 송신 신호가 지나는 캐스틸레이션(416) 사이에 형성된 것으로서, 그라운드와 연결되고 도체로 채워져 있다.The
즉, 상기 비어(440)는 위상 천이기의 상부 그라운드(419a)와 하부 그라운드(419b)를 전기적으로 연결시킨다.That is, the
따라서, 상기 비어(418)를 형성할 경우, 송신 신호와 수신 신호간의 아이솔레이션(isolation) 특성이 향상되고, 위상 천이기의 트레이스(417)와 송신 신호가 지나는 캐스틸레이션(416) 사이의 이격 거리를 좁일 수 있다.Therefore, when the
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명의 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 가능함은 물론이다.
The present invention is not limited to the above embodiments, and many variations are possible by those skilled in the art within the spirit of the present invention.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 송신 신호와 수신 신호간의 아이솔레이션(isolation) 특성이 향상되고, 위상 천이기의 트레이스와 송신 신호가 지나는 캐스틸레이션 사이의 이격 거리를 좁힐 수 있어 듀플렉서의 소형화를 이룰수 있는 세라믹 패키지를 제공할 수 있다.
As described above, according to the present invention, the isolation characteristic between the transmitted signal and the received signal is improved, and the separation distance between the trace of the phase shifter and the castillation through which the transmitted signal passes can be reduced, resulting in miniaturization of the duplexer. Can provide a ceramic package.
Claims (3)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030042803A KR100986470B1 (en) | 2003-06-27 | 2003-06-27 | Ceramic Package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030042803A KR100986470B1 (en) | 2003-06-27 | 2003-06-27 | Ceramic Package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050001227A KR20050001227A (en) | 2005-01-06 |
KR100986470B1 true KR100986470B1 (en) | 2010-10-08 |
Family
ID=37217064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030042803A KR100986470B1 (en) | 2003-06-27 | 2003-06-27 | Ceramic Package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100986470B1 (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2003-06-27 KR KR1020030042803A patent/KR100986470B1/en not_active IP Right Cessation
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---|---|
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