KR100983356B1 - Method for preparing silica nanodot arrays derived from polystyrene-block-polycarbosilane diblock copolymers by titanium oxide catalysis and silica nanodot arrays prepared accordingly - Google Patents

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Abstract

본 발명은 자기 조립 특성을 갖는 폴리스티렌-블록-폴리카르보실란 이중블록공중합체 박막을 산화티탄 기판에 증착시킨 후, 용매 어닐링 단계 및 자외선 조사 단계를 거쳐 제조되는 실리카 나노점 어레이 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 제조방법에 따르는 경우 용이하게 다양한 형태를 가진 무기물 나노구조물을 형성할 수 있고, 이러한 나노구조물은 의료용, 전자/정보, 광학, 센서 등 나노크기의 디바이스의 제작에 활용될 수 있다.The present invention relates to a silica nanopoint array prepared by depositing a polystyrene-block-polycarbosilane biblock copolymer thin film having self-assembly on a titanium oxide substrate, and then subjected to a solvent annealing step and an ultraviolet irradiation step, and a method of manufacturing the same. As, according to the manufacturing method of the present invention can easily form inorganic nanostructures having a variety of forms, such nanostructures can be utilized in the manufacture of nano-sized devices such as medical, electronic / information, optics, sensors. .

폴리스티렌-블록-폴리카르보실란 이중블록공중합체, 나노점, 산화티탄, 아세톤, 용매 어닐링, 자외선, 촉매 활성, 자기 조립 특성 Polystyrene-block-polycarbosilane diblock copolymers, nanodots, titanium oxide, acetone, solvent annealing, ultraviolet light, catalytic activity, self-assembly

Description

산화티탄 촉매 작용에 의하여 폴리스티렌-블록-폴리카르보실란 이중블록공중합체로부터 유도된 실리카 나노점 어레이의 제조방법 및 이에 따라 제조된 실리카 나노점 어레이{Silica nanodot array using polystyrene-block-polycarbosilane diblock copolymer mediated by photocatalytic activity of titania and silica nanodot array thereby}Method for preparing silica nanodot arrays derived from polystyrene-block-polycarbosilane diblock copolymers by titanium oxide catalysis and silica nanodot arrays prepared accordingly photocatalytic activity of titania and silica nanodot array thereby}

본 발명은 자기 조립 특성을 갖는 폴리스티렌-블록-폴리카르보실란 이중블록공중합체 박막을 산화티탄 기판에 증착시킨 후, 용매 어닐링 단계 및 자외선 조사 단계를 거쳐 제조되는 실리카 나노점 어레이 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a silica nanopoint array prepared by depositing a polystyrene-block-polycarbosilane biblock copolymer thin film having self-assembly on a titanium oxide substrate, and then subjected to a solvent annealing step and an ultraviolet irradiation step, and a method of manufacturing the same. will be.

본 발명은 자기 조립 특성을 갖는 폴리스티렌-블록-폴리카르보실란 이중블록공중합체 박막을 산화티탄 기판에 증착시킨 후, 용매 어닐링 단계 및 자외선 조사 단계를 거쳐 제조되는 실리카 나노점 어레이 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a silica nanopoint array prepared by depositing a polystyrene-block-polycarbosilane biblock copolymer thin film having self-assembly on a titanium oxide substrate, and then subjected to a solvent annealing step and an ultraviolet irradiation step, and a method of manufacturing the same. will be.

표면 패턴 형성은 주로 고분자 박막을 포토레지스트(photoresist)로 이용한 포토리소그래피에 의해 이루어져 왔고, 상기 방법에 의해 나노미터 크기의 고정밀 패턴을 구현하기 위해서는 사용 가능한 빛의 파장과 그에 따른 장치 및 기술의 확보, 고분자 자체의 해상도 한계 등 해결해야할 문제들로 어려움을 겪고 있다.Surface pattern formation has been mainly performed by photolithography using a polymer thin film as a photoresist, and in order to realize a nanometer-sized high-precision pattern by the above method, it is possible to secure available wavelengths of light, and to secure devices and technologies, There are difficulties to solve such as resolution limitation of the polymer itself.

1990년 이후에는 기존의 광전사법에서 새로운 감광저항제로 이용하고자 하는 시도와 함께, 보다 단파장의 빛을 사용하여 패턴의 해상도를 증가시키려는 시도가 있었다. 또한, 완전히 새로운 개념의 패터닝 기술, 즉 소프트 전사법(soft lithography)을 이용한 표면의 나노패터닝 기술 등이 등장하기 시작했다. 상기 방법은 빠르고 값싸게 패턴을 형성할 수 있고 연쇄작업이 가능하다는 장점을 지니고는 있지만, 사실상 해상도 한계는 100 nm 수준으로 더 이상의 고집적을 위한 해상도 증가는 기대하기 어려운 실정이다.Since 1990, there have been attempts to increase the resolution of patterns using shorter wavelengths of light, along with attempts to use them as new photoresist in existing photoelectric methods. In addition, a whole new concept of patterning technology, namely nano-patterning technology using soft lithography, has begun to emerge. Although the method has the advantage of being able to form a pattern quickly and cheaply and to be chained, in fact, the resolution limit is 100 nm level, it is difficult to expect a further increase in resolution for higher integration.

표면 패턴을 형성하기 위한 광식각방식(photolithography), 자외선(ultraviolet light) 및 X-ray에 의한 식각방식 등의 하향적 구조형성(top-down methods)에 따른 100 nm 이하의 패턴 형성은 한계에 이르게 되었고, 비용효율이 낮은 문제점을 가지고 있다. 따라서 기존의 하향적 구조형성을 대신하여 상향적 구조형성(bottom-up methods)이 최근 활발히 연구되고 있다.Pattern formation below 100 nm has reached its limit due to top-down methods such as photolithography, ultraviolet light, and X-ray etching to form surface patterns. The problem is that the cost efficiency is low. Therefore, instead of the existing downward structure, bottom-up methods have been actively studied recently.

상향적 구조형성 방식은 자기 조립 기술을 활용하여 정렬된 나노패턴을 형성하는 것을 기본으로 한다. 이러한 자기 조립 기술은 최근 의료용, 전자/정보, 광 학, 센서 등 나노크기의 디바이스 제작을 위한 도구로서 각광을 받고 있다. 예를 들어, 단분산 나노입자의 2 차원 또는 3 차원적 조립체는 기능성 코팅제, 무 염료 도료 등에 활용되며, 배열된 마이크로 또는 나노 기공성 물질들의 성장을 위한 템플레이트, 광 분할, 광학필터, 광 결정 등 의광학 소재 및 소자 응용에 활용되어 왔다.The upward structure formation method is based on forming self-assembly techniques to form aligned nanopatterns. Such self-assembly technology has recently been in the spotlight as a tool for manufacturing nano-sized devices such as medical, electronic / information, optical, and sensors. For example, two-dimensional or three-dimensional assemblies of monodisperse nanoparticles are used in functional coatings, dye-free paints, and the like, and templates for the growth of arranged micro or nanoporous materials, light splitting, optical filters, photonic crystals, and the like. It has been used in medical optical material and device applications.

블록 공중합체는 두 개 또는 그 이상의 고분자 사슬이 한 쪽 끝을 매개로 공유결합으로 연결된 형태로 두 블록 간의 공유결합 연결점의 제약으로 인해 각 블록을 각각의 도메인으로 상분리시키는 경향을 띠게 된다. 상기와 같은 블록 공중합체는 자발적인 상분리에 의하여 10 nm에서 100 nm 정도의 크기를 갖는 주기적인 나노구조를 형성할 수 있고, 이러한 나노구조의 형태와 크기는 블록 공중합체의 분자량, 각 블록의 부피비, 각 블록간의 Flory-Huggins 상호작용계수 등에 의하여 결정되며, 나아가 한 블록에만 선택적인 용매에 용해시키면 자발적으로 나노미터의 크기를 갖는 구형, 원통형 등의 미셀을 형성할 수 있다.Block copolymers tend to phase-separate each block into their respective domains due to the restriction of covalent linkage points between the two blocks in the form of two or more polymer chains covalently linked through one end. Such a block copolymer can form a periodic nanostructure having a size of about 10 nm to 100 nm by spontaneous phase separation, the shape and size of the nanostructure is the molecular weight of the block copolymer, the volume ratio of each block, It is determined by the Flory-Huggins interaction coefficient between each block, and further, by dissolving in a solvent selective to one block, spontaneous and cylindrical micelles of spontaneous size can be spontaneously formed.

상기와 같은 블록 공중합체의 자기 조립 특성을 이용하면 블록 공중합체의 나노구조 내에서 입자의 크기는 별도의 처리가 없어도 나노미터 크기로 제한될 수 있으며, 그 입자의 배열 또한 나노구조에 크기와 간격에 의하여 제한되어 입자의 크기와 배열이 조절가능하다.Using the self-assembly of the block copolymer as described above, the size of the particles in the nanostructure of the block copolymer can be limited to nanometer size without any treatment, the arrangement of the particles also the size and spacing in the nanostructure Limited by the size and arrangement of the particles.

종래에는 표면에 나노패턴을 형성하기 위해 선형 블록 공중합체를 주로 사용하였고, 선형 블록과 덴드리머 블록으로 구성되는 이중 공중합체는 표면에 나노패턴을 형성하기 위한 도구로써 관심을 받지 못하였다. 덴드리머는 중심(core)에서부터 나뭇가지 모양의 일정한 단위구조가 반복적으로 뻗어 나오는 고분자로서, 중요 특성을 가지는 이들의 특정 구조로 인하여 많은 관심을 불러오고 있다. 또한, 선형 사슬을 가지는 덴드리머들을 결합하여 양친매성 선형 덴드리머 블록 공중합체를 제조할 수 있고, 이들은 수용액 상에서 초분자 집합체를 형성할 수 있다. 선형 덴드리머 하이브리드 이중블록공중합체들이 합성된 바 있고, 이들의 구체적인 예로는 폴리(에틸렌 옥사이드)-폴리(L-리신) 덴드리머(poly(ethylene oxide)-poly(L-lysine) dendrimer), PS-폴리(프로필렌이민) 덴드리머(PS-poly(propyleneimine) dendrimer), 폴리(에틸렌 옥사이드)/PS-폴리(벤질 에테르) 덴드리머(poly(ethylene oxide)/PS-poly(benzyl ether) dendrimer), 및 폴리(옥사졸린)-PAMAM 덴드리머(poly(oxazoline)-PAMAM dendrimer) 등이 있다. 상기 선형 덴드리머 하이브리드 이중블록공중합체들에 대해서는 대부분 수용액 상태에서의 용해 특성 및 거시적 형태에 관하여만 알려져 있고, 이들 덴드리머 박막 특성에 대해서는 알려진 바가 거의 없다. Conventionally, linear block copolymers are mainly used to form nanopatterns on surfaces, and the double copolymers composed of linear blocks and dendrimer blocks have not received attention as a tool for forming nanopatterns on surfaces. Dendrimers are polymers in which a certain unit structure in the shape of branches is repeatedly extended from the core, and has attracted much attention due to their specific structure having important characteristics. Amphiphilic linear dendrimer block copolymers can also be prepared by combining dendrimers with linear chains, which can form supramolecular aggregates in aqueous solutions. Linear dendrimer hybrid diblock copolymers have been synthesized, specific examples of which include poly (ethylene oxide) -poly (L-lysine) dendrimer, PS-poly (Propyleneimine) dendrimers (PS-poly (propyleneimine) dendrimers), poly (ethylene oxide) / PS-poly (benzyl ether) dendrimers (poly (ethylene oxide) / PS-poly (benzyl ether) dendrimers), and poly (oxa) Sleepy) -PAMAM dendrimers (poly (oxazoline) -PAMAM dendrimers). Most of the linear dendrimer hybrid diblock copolymers are only known for their dissolution characteristics and macroscopic morphology in aqueous solution, and little is known about these dendrimer thin film properties.

이에 본 발명자들은 선형 폴리스티렌(PS) 블록과 브러시 형태의 폴리카르보실란(PCS) 블록으로 구성되는 새로운 형태의 이중블록공중합체를 합성하였고, 자기 조립 특성을 갖는 합성된 상기 폴리스티렌-블록-폴리카르보실란 이중블록공중합체 를 포함하는 박막을 산화티탄 기판에 증착한 후, 상기 박막 표면에 대해 아세톤 용매를 사용하여 어닐링함으로써 정렬된 나노패턴을 유도하고, 자외선을 조사하는 경우, 산화티탄의 촉매 작용에 의하여 폴리카르보실란 블록이 실리카 성분으로 변환하고 동시에 폴리스티렌 블록은 제거됨으로써, 잘 정렬된 실리카 나노점이 형성된 어레이를 용이하게 제조할 수 있다는 것을 알게 되어 본 발명을 완성하였다.Therefore, the inventors synthesized a new type of biblock copolymer composed of a linear polystyrene (PS) block and a polycarbosilane (PCS) block in a brush form, and synthesized the polystyrene-block-polycarbosilane having self-assembly properties. After depositing a thin film containing a diblock copolymer on a titanium oxide substrate, the surface of the thin film is annealed using an acetone solvent to induce an aligned nanopattern, and when irradiated with ultraviolet rays, The present invention has been completed by knowing that polycarbosilane blocks are converted to silica components and at the same time the polystyrene blocks are removed, thereby making it easy to produce arrays with well aligned silica nanodots.

본 발명은 산화티탄의 촉매 작용에 의하여 자기 조립 특성을 갖는 폴리스티렌-블록-폴리카르보실란 이중블록공중합체를 사용한 실리카 나노점 어레이의 제조방법을 제공하는데 있다.The present invention provides a method for producing a silica nanopoint array using a polystyrene-block-polycarbosilane diblock copolymer having self-assembly by the catalytic action of titanium oxide.

본 발명의 다른 목적은 상기의 방법으로 제조된 실리카 나노점 어레이를 제공하는데 있다.Another object of the present invention to provide a silica nano dot array prepared by the above method.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 자기 조립 특성을 갖는 폴리스티렌-블록-폴리카르보실란 이중블록공중합체를 포함하는 박막을 산화티탄 기판에 증착시킨 후, 아세톤을 사용한 어닐링 단계 및 자외선 조사 단계를 거쳐 제조되는 실리카 나노점 어레이 및 이의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention, after depositing a thin film comprising a polystyrene-block-polycarbosilane diblock copolymer having self-assembly on a titanium oxide substrate, through an annealing step using acetone and an ultraviolet irradiation step It provides a silica nano dot array to be produced and a method of manufacturing the same.

본 발명에 따르면, 기판 상에 용이하게 다양한 형태를 가진 무기물 나노구조물을 형성할 수 있고, 이러한 나노구조물은 의료용, 전자/정보, 광학, 센서 등 나노크기의 디바이스의 제작에 활용될 수 있다.According to the present invention, inorganic nanostructures having various shapes can be easily formed on a substrate, and the nanostructures can be utilized for fabricating nano-sized devices such as medical, electronic / information, optics, and sensors.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 상기 PSx-b-PCSz 이중블록공중합체의 자기 조립 특성을 이용하여 산화티탄 기판 상에 PSx-b-PCSz 이중블록공중합체를 포함한 박막을 형성한 후, 상기 박막 표면에 대해 아세톤 용매로 어닐링하고, 이후 자외선을 조사하여 제조되는 실리카 나노점 어레이의 제조방법을 제공한다.The present invention on the thin film surface, and then forming a thin film including the PS x -b-PS copolymer PCS z x z -b-PCS diblock on the magnetic assembly by using a titanium oxide substrate characteristics of diblock copolymer The present invention provides a method for producing a silica nanodot array, which is prepared by annealing with an acetone solvent and then irradiating ultraviolet rays.

보다 구체적으로 본 발명의 실리카 나노점 어레이의 제조방법은,More specifically, the manufacturing method of the silica nanodot array of the present invention,

PSx-b-PCSz 이중블록공중합체를 톨루엔에 용해시켜 PSx-b-PCSz 톨루엔 용액을 제조하는 단계(단계 1);PS x -b-PCS z by dissolving the diblock copolymer in toluene to prepare a PS x -b-PCS z toluene solution (step 1);

산화티탄 졸-겔 전구체 용액을 실리콘 웨이퍼 상에서 스핀코팅하여 산화티탄 기판을 형성하는 단계(단계 2);Spin coating the titanium oxide sol-gel precursor solution onto a silicon wafer to form a titanium oxide substrate (step 2);

상기 단계 2에서 형성된 산화티탄 기판 상에서 상기 단계 1에서 제조한 PSx- b-PCSz 톨루엔 용액을 스핀코팅하여 나노홀 구조를 갖는 PSx-b-PCSz 박막을 형성하는 단계(단계 3);, Forming a PS x -b-PCS z thin film having a nano-hole structure by spin-coating the b-PCS z toluene solution (Step 3) - PS x prepared in Step 1, on a titanium oxide substrate formed in the above step 2,

상기 단계 3에서 형성된 PSx-b-PCSz 박막을 실온에서 아세톤 증기에 노출시켜 어닐링하는 단계(단계 4);Annealing the PS x -b-PCS z thin film formed in step 3 by exposure to acetone vapor at room temperature (step 4);

상기 단계 4에서 어닐링 과정을 거친 PSx-b-PCSz 박막을 건조하는 단계(단계 5); 및Drying the PS x -b-PCS z thin film subjected to the annealing in step 4 (step 5); And

상기 단계 5에서 건조된 PSx-b-PCSz 박막 표면에 대해 자외선을 조사하는 단계(단계 6)를 포함한다.Irradiating ultraviolet rays to the surface of the PS x -b-PCS z thin film dried in step 5 (step 6).

이하에서 본 발명의 실리카 나노점 어레이의 제조방법을 단계별로 구체적으로 설명한다.Hereinafter will be described in detail step by step the manufacturing method of the silica nanodot array of the present invention.

상기 단계 1은 PSx-b-PCSz 이중블록공중합체를 톨루엔에 용해시켜 PSx-b-PCSz 톨루엔 용액을 제조하는 단계이다.The step 1 is a step for preparing a PS x -b-PCS z toluene solution by dissolving the copolymer in toluene PS x -b-PCS z diblock.

본 발명에서 사용되는 PSx-b-PCSz 이중 공중합체는 선형의 폴리스티렌 블록(이하 PS 블록) 및 우수한 탄력성을 가지는 브러시(blush) 형태의 폴리카르보실란 블록(이하 PCS 블록)으로 구성되는 이중블록공중합체이며, 상기 PSx-b-PCSz 이중블록공중합체에서 PCS 블록은 25 내지 35 부피%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 PCS 블록이 25 내지 35 부피% 범위를 벗어나는 경우 정렬된 나노홀 구조의 패턴을 얻을 수 없다는 문제가 있다. 상기 PSx-b-PCSz 이중블록공중합체를 이용하는 경우, 이들의 자기 조립 특성으로 인하여, 나노점을 제조하는 템플레이트로 사용될 수 있고, 또한 기판 상에 나노패턴을 전사할 수 있는 레지스트로서 활용될 수 있다.The PS x -b-PCS z dipolymer used in the present invention is a double block composed of a linear polystyrene block (hereinafter referred to as PS block) and a polycarbosilane block (hereinafter referred to as PCS block) in the form of a brush having excellent elasticity. It is a copolymer, and in the PS x -b-PCS z diblock copolymer, the PCS block is preferably included in 25 to 35% by volume. If the PCS block is out of the range of 25 to 35% by volume, there is a problem in that the pattern of the aligned nanohole structure cannot be obtained. In the case of using the PS x -b-PCS z diblock copolymer, due to their self-assembly properties, it can be used as a template for producing nanodots, and also can be utilized as a resist capable of transferring nanopatterns onto a substrate. Can be.

상기 PSx-b-PCSz 이중블록공중합체는 반응식 1에 따라 제조된다.The PS x -b-PCS z diblock copolymer is prepared according to Scheme 1.

Figure 112008069299030-pat00001
Figure 112008069299030-pat00001

상기 반응식 1에 나타난 바와 같이, 화학식 1로 표시되는 PSx-b-PCSz 이중블록공중합체는 화학식 2로 표시되는 PSx-b-PBDy 이중 공중합체(폴리스티렌-블록-폴리(1,2-부타디엔) 이중 공중합체)의 폴리부타디엔 코어에 화학식 3로 표시되는 AB 타입의 디메틸(운덱-10-에닐)실란(dimethyl(undec-10-enyl)silane)을 그라프트하여 제조된다. 여기서, x, y, z는 각각 PS, PBD, PCS 블록의 중합도를 나타낸다.As shown in Scheme 1, the PS x -b-PCS z diblock copolymer represented by Chemical Formula 1 is a PS x -b-PBD y double copolymer represented by Chemical Formula 2 (polystyrene-block-poly (1,2 It is prepared by grafting AB type dimethyl (undec-10-enyl) silane represented by the formula (3) to the polybutadiene core of -butadiene) double copolymer). Here, x, y and z represent the degrees of polymerization of the PS, PBD and PCS blocks, respectively.

상기 PSx-b-PCSz 이중블록공중합체를 톨루엔 용액에 용해시키는 경우, 톨루엔에 용해되는 PSx-b-PCSz 이중블록공중합체 함량은 0.5 내지 2.0 중량%인 것이 바람직하다. 상기 용액의 농도가 0.5 내지 2.0 중량% 범위를 벗어나는 경우 생성된 박막 표면에 정렬된 나노홀 패턴을 얻을 수 없는 문제가 있다.When the PS x -b-PCS z diblock copolymer is dissolved in toluene solution, the content of PS x -b-PCS z diblock copolymer dissolved in toluene is It is preferable that it is 0.5 to 2.0 weight% . When the concentration of the solution is outside the range of 0.5 to 2.0% by weight, there is a problem in that nanohole patterns aligned on the surface of the resulting thin film cannot be obtained.

상기 단계 2는 산화티탄 졸-겔 전구체 용액을 실리콘 웨이퍼 상에서 스핀코팅하여 산화티탄 기판을 형성하는 단계이다. Step 2 is a step of forming a titanium oxide substrate by spin coating a titanium oxide sol-gel precursor solution on a silicon wafer.

상기 산화티탄 졸-겔 전구체 용액은 티타늄 테트라이소프로폭사이드(Titanium tetra-isopropoxide, TTPI)를 함유하는 이소프로판올에 농축된 염산을 첨가하여 제조된다. 이와 같이 제조된 산화티탄 졸-겔 전구체 용액을 실리콘 웨이퍼 상에서 스핀코팅하여 산화티탄 기판을 형성한다. 본 발명에서 산화티탄 기판을 사용함으로써, 상기 산화티탄의 광촉매 활성에 의해 상기 산화티탄 기판 상에 증착된 박막에 포함된 실리콘함유 유기 화합물을 실리카 나노입자로 산화시켜 실리카 나노구조물을 형성할 수 있다.The titanium oxide sol-gel precursor solution is prepared by adding concentrated hydrochloric acid to isopropanol containing titanium tetra-isopropoxide (TTPI). The titanium oxide sol-gel precursor solution thus prepared is spin coated onto a silicon wafer to form a titanium oxide substrate. By using the titanium oxide substrate in the present invention, the silica nanostructure may be formed by oxidizing the silicon-containing organic compound included in the thin film deposited on the titanium oxide substrate with silica nanoparticles by the photocatalytic activity of the titanium oxide.

상기 단계 3은 상기 단계 2에서 형성된 산화티탄 기판 상에서 상기 단계 1에서 제조한 PSx-b-PCSz 톨루엔 용액을 스핀코팅하여 나노홀 구조를 갖는 PSx-b-PCSz 박막을 형성하는 단계이다. 상기 단계 3에서 형성되는 PSx-b-PCSz 박막의 두께는 30 내지 50 nm인 것이 바람직하다. 상기 박막의 두께가 30 내지 50 nm 범위를 벗어나는 경우, 그 다음 단계에서 자외선 조사에 의하여 나노점 어레이를 얻을 수 없게 되는 문제점이 있다.Step 3 is a step of forming a PS x -b-PCS z thin film having a nano-hole structure by spin coating the PS x -b-PCS z toluene solution prepared in step 1 on the titanium oxide substrate formed in step 2 . The thickness of the PS x -b-PCS z thin film formed in step 3 is preferably 30 to 50 nm. If the thickness of the thin film is outside the range of 30 to 50 nm, there is a problem that the nano-dot array can not be obtained by ultraviolet irradiation in the next step.

상기 단계 4는 상기 단계 3에서 형성된 PSx-b-PCSz 박막을 실온에서 아세톤 증기에 노출시켜 어닐링하는 단계이다. 상기 단계 4에서 PSx-b-PCSz 박막에 아세톤 증기를 5 내지 24 시간 동안 노출시키는 것이 바람직하다. PSx-b-PCSz 박막에 아세톤 증기를 5 시간 미만으로 노출시키는 경우, 사슬이 재배치되기에는 불충분한 시간이므로 목적하는 나노형태가 발현될 수 없고, PSx-b-PCSz 박막에 아세톤 증기를 24 시간을 초과하여 노출시키는 경우, 생성되는 나노구조물의 형태에 더 이상의 변화를 주지 못한다.Step 4 is annealing by exposing the PS x -b-PCS z thin film formed in step 3 to acetone vapor at room temperature. In step 4, the acetone vapor is preferably exposed to the PS x -b-PCS z thin film for 5 to 24 hours. When the acetone vapor is exposed to the PS x -b-PCS z thin film for less than 5 hours, the desired nanoform cannot be expressed because the chain is insufficient time to rearrange, and the acetone vapor is deposited on the PS x -b-PCS z thin film. When exposed to more than 24 hours, no further changes are made to the shape of the resulting nanostructures.

상기 단계 5는 상기 단계 4에서 어닐링 과정을 거친 PSx-b-PCSz 박막을 건조하는 단계이다. 상기 단계 5에서는 상기 단계 4에서 어닐링 과정을 거친 PSx-b-PCSz 박막을 대기 조건에서 제거하여 신속하게 건조시킨다.Step 5 is a step of drying the PS x -b-PCS z thin film subjected to the annealing process in step 4. In step 5, the PS x -b-PCS z thin film subjected to the annealing process in step 4 is removed under atmospheric conditions and rapidly dried.

상기 단계 6은 상기 단계 5에서 건조된 PSx-b-PCSz 박막 표면에 자외선을 조 사하는 단계이다. 자외선은 상기 PSx-b-PCSz 박막 표면에 대해 254 nm 파장의 빛을 12 내지 24 시간 동안 조사하는 것이 바람직하다. 상기 자외선 조사의 시간이 12 시간 미만인 경우 PCS 블록의 실리카로의 전환 및 PS 블록의 제거 정도가 불충분하며, 24 시간을 초과하는 경우 생성되는 나노구조물의 형태에 더 이상의 변화를 주지 못한다. 도 1은 산화티탄 기판(2)에 증착된 PSx-b-PCSz 박막(1) 표면에 자외선을 조사하여 산화티탄 기판 상에 대하여 수직 방향으로 실린더 형태의 실리카 나노점(5)을 형성시키는 단계를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1에 나타난 바와 같이, 상기 단계 6에서는 산화티탄 기판(2)에 증착된 PSx-b-PCSz 박막(2) 표면에 자외선을 조사함으로써, 상기 박막 내 PCS 블록(4)을 실리카로 전환시킬 뿐만 아니라, PS 블록(3)을 제거할 수 있다. 보다 구체적으로, 산화티탄 기판(2)에 증착된 PSx-b-PCSz 박막(2) 표면에 자외선을 조사하는 경우, 유기물인 PS 블록이 제거되고, 산화티탄의 광촉매 활성에 의해 실리콘 원자를 함유하는 PCS 부분은 실리카 나노입자로 전환된다. 상기 단계 6을 거친 후, 상기 산화티탄 기판 상에 대하여 수직 방향으로 실린더 형태의 실리카 나노점이 형성됨으로써 실리카 나노점 어레이가 제조된다(도 4 참조). Step 6 is a step of irradiating UV light on the surface of the PS x -b-PCS z thin film dried in the step 5. Ultraviolet light is preferably irradiated with light at a wavelength of 254 nm to the surface of the PS x -b-PCS z thin film for 12 to 24 hours. When the UV irradiation time is less than 12 hours, the degree of conversion of the PCS block to silica and the removal of the PS block is insufficient, and when more than 24 hours, no change in the form of the nanostructures formed is obtained. FIG. 1 shows a surface of a PS x -b-PCS z thin film 1 deposited on a titanium oxide substrate 2 to irradiate ultraviolet rays to form cylindrical silica nanopoints 5 in a vertical direction with respect to the titanium oxide substrate. A diagram schematically illustrating the steps. As shown in FIG. 1, in step 6, ultraviolet rays are irradiated onto the surface of the PS x -b-PCS z thin film 2 deposited on the titanium oxide substrate 2 to convert the PCS block 4 in the thin film into silica. In addition to this, the PS block 3 can be removed. More specifically, when ultraviolet rays are irradiated onto the surface of the PS x -b-PCS z thin film 2 deposited on the titanium oxide substrate 2, the PS block, which is an organic material, is removed, and silicon atoms are formed by photocatalytic activity of titanium oxide. The containing PCS moiety is converted to silica nanoparticles. After the above step 6, a silica nanopoint array is manufactured by forming silica nanopoints in a cylinder shape in a vertical direction with respect to the titanium oxide substrate (see FIG. 4).

또한, 본 발명은 본 발명에 따라 제조되는 실리카 나노점 어레이를 제공한다. 본 발명의 제조방법에 따라 제조된 실리카 나노점 어레이는 의료용, 전자/정 보, 광학, 센서 등 나노크기의 디바이스의 제작에 활용될 수 있다.The present invention also provides an array of silica nanodots prepared according to the present invention. Silica nano dot array prepared according to the manufacturing method of the present invention can be utilized in the production of nano-sized devices such as medical, electronic / information, optical, sensor.

이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 상세히 설명한다. 단, 하기의 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the following examples are merely to illustrate the invention, the content of the present invention is not limited by the following examples.

실시예Example

<제조예 1> PSProduction Example 1 PS xx -b-PCS-b-PCS z z 이중블록공중합체의 제조Preparation of Diblock Copolymers

모노머 디메틸(운덱-10-에닐)실란(0.35 g, 1.6 mmol)을 펜탄(120 ml)에 용해한 후, 0.003 mmol의 Karstedt 촉매(30 μL의 Pt 용액)를 함유하는 아르곤 흐름 하에서 시스,트랜스-데카하이드로나프탈렌(10 mL) 내에서, 상기 용액을 주입 펌프를 사용하여 56,800 g/mol의 중량평균분자량(Mn)을 가진 PS520-b-PBD47 이중 공중합체(1 g, 0.8 mmol PBD)의 용액에 천천히 첨가하였다. 상기 반응 혼합물을 70 ℃에서 교반하며 상기 디메틸(운덱-10-에닐)실란 모노머를 천천히 첨가하는 동안, 펜탄이 제거되었다. 상기 첨가 반응이 종료한 후, 상기 혼합물을 실온으로 냉각하였다. 이후, 상기 반응 혼합물을 디에틸에테르로 희석시킨 후, 고분자가 침전될 때까지 메탄올을 첨가하였고, 생성된 침전물을 메탄올로 수회 세척한 후, 40 ℃ 온도 및 진공 하에서 건조하여 PS520-b-PCS104 이중블록공중합체(0.83 g, 61%)를 제조하였다. 제조된 PS520-b-PCS104 이중블록공중합체의 중량평균분자량(Mn)은 78,800 g/mol 이었고, 다분산지수(PDI)는 1.2였다. 또한, 열량을 측정하는 분석장치(DSC, differential scanning calorimeter)를 사용하여 PS520-b-PCS104 이중블록공중합체의 열적 특성을 분석한 결과, PCS 블록은 -43 ℃의 낮은 유리전이온도(Tg)를 나타내었고, PS 블록은 93 ℃의 유리전이온도(Tg)를 나타내었다. Monomer dimethyl (undec-10-enyl) silane (0.35 g, 1.6 mmol) was dissolved in pentane (120 ml) and then cis, trans-deca under argon flow containing 0.003 mmol of Karstedt catalyst (30 μL of Pt solution). In hydronaphthalene (10 mL), the solution was introduced using an infusion pump to a PS 520- b-PBD 47 double copolymer (1 g, 0.8 mmol PBD) having a weight average molecular weight (M n ) of 56,800 g / mol. It was added slowly to the solution. The pentane was removed while the reaction mixture was stirred at 70 ° C. and slowly adding the dimethyl (undec-10-enyl) silane monomer. After the addition reaction was completed, the mixture was cooled to room temperature. Thereafter, the reaction mixture was diluted with diethyl ether, and then methanol was added until the polymer precipitated. The resulting precipitate was washed several times with methanol, and then dried under a temperature of 40 ° C. and vacuum to obtain PS 520 -b-PCS. 104 diblock copolymer (0.83 g, 61%) was prepared. The weight average molecular weight (M n ) of the prepared PS 520 -b-PCS 104 diblock copolymer was 78,800 g / mol and the polydispersity index (PDI) was 1.2. In addition, the thermal characteristics of the PS 520- b-PCS 104 biblock copolymer were analyzed using a differential scanning calorimeter (DSC), which showed that the PCS block has a low glass transition temperature (T) of -43 ° C. g ), and the PS block exhibited a glass transition temperature (T g ) of 93 ° C.

1H NMR (400 MHz, CDCl3): (ppm) -0.03 (Si-CH3), 0.49 (-Si-CH2), 1.05-1.6 (polymer backbone), 1.7 (m, CH3-CH=CH-), 1.8-2.05 (m, -CH2-CH=CH-CH3 and polymer backbone), 2.2 (m, -CH2-CH=CH2), 4.9 (m, -CH=CH2, PBD, PCSi), 5.3-5.7 (m, -CH=CH-, PCSi; -CH=CH2, PBD), 5.9 (m, -CH=CH2, PCSi), 6.3-7.4 (m, C6H5); 13C NMR (100 MHz, CDCl3): (ppm) -2.97 (Si-CH3), 13.1 (CH3-CH=CH-, cis), 15.7 (Si-CH2), 18.3 (CH3-CH=CH-, trans), 24.3 (Si-CH2-CH2), 29.3, 29.5, 29.8, 29.9, 30, 34.1, 34.2, 39-47 (polymer backbone), 114.4 (CH2=CH-, PBD, PCSi), 123.9 (CH3-CH=CH-, cis), 124.8 (CH3-CH=CH-, trans), 126.0 (C6H5), 128.3 (C6H5), 131.2 (CH3-CH=CH-, cis), 132 (CH3-CH=CH-, trans), 139.5 (CH2=CH-, PCSi), 144.2 (CH2=CH-, PBD), 145.6 (C6H5, Cipso); 29Si NMR (80 MHz, CDCl3): (ppm) 2.4; IR (characteristic absorption bands): γ(cm-1) 1602 (stretching C=C mode), 1248 (stretching Si-CH3 mode), 907 (terminal PBD and PCSi C=C deformation), 832 (bending CH3-Si-CH3 mode).1 H NMR (400 MHz, CDCl 3 ): (ppm) -0.03 (Si-CH 3 ), 0.49 (-Si-CH 2 ), 1.05-1.6 (polymer backbone), 1.7 (m, CH 3 -CH = CH- ), 1.8-2.05 (m, -CH 2 -CH = CH-CH 3 and polymer backbone), 2.2 (m, -CH 2 -CH = CH 2 ), 4.9 (m, -CH = CH 2 , PBD, PCSi ), 5.3-5.7 (m, -CH = CH-, PCSi; -CH = CH 2 , PBD), 5.9 (m, -CH = CH 2 , PCSi), 6.3-7.4 (m, C 6 H 5 ); 13 C NMR (100 MHz, CDCl 3 ): (ppm) -2.97 (Si-CH 3 ), 13.1 (CH 3 -CH = CH-, cis), 15.7 (Si-CH 2 ), 18.3 (CH 3 -CH = CH-, trans), 24.3 (Si-CH 2 -CH 2 ), 29.3, 29.5, 29.8, 29.9, 30, 34.1, 34.2, 39-47 (polymer backbone), 114.4 (CH 2 = CH-, PBD, PCSi ), 123.9 (CH 3 -CH = CH-, cis), 124.8 (CH 3 -CH = CH-, trans), 126.0 (C 6 H 5 ), 128.3 (C 6 H 5 ), 131.2 (CH 3 -CH = CH-, cis), 132 (CH 3 -CH = CH-, trans), 139.5 (CH 2 = CH-, PCSi), 144.2 (CH 2 = CH-, PBD), 145.6 (C 6 H 5 , Cipso ); 29 Si NMR (80 MHz, CDCl 3 ): (ppm) 2.4; IR (characteristic absorption bands): γ (cm-1) 1602 (stretching C = C mode), 1248 (stretching Si-CH 3 mode), 907 (terminal PBD and PCSi C = C deformation), 832 (bending CH 3- Si-CH 3 mode).

<실시예 1> 실리카 나노점 어레이의 제조Example 1 Preparation of Silica Nano Dot Array

제조예 1에서 제조된 PS520-b-PCS104 이중블록공중합체를 톨루엔에 1 중량% 함량으로 용해시켜 PS520-b-PCS104 톨루엔 용액을 제조하였다. 이후, 실리콘 웨이퍼 상에서 티타늄 테트라이소프로폭사이드(Titanium tetra-isopropoxide, TTPI)(0.37 g)를 포함한 이소프로판올(2.5 mL)에 농축된 HCl(37%, 0.12 g)를 첨가하여 제조된 산화티탄 졸-겔 전구체 용액을 스핀코팅하여 산화티탄 기판을 제조하였다. 이와 같이 제조된 산화티탄 기판 상에 상기 PS520-b-PCS104 톨루엔 용액을 2000 rpm으로 60초 동안 스핀코팅하여 약 40 nm 두께의 나노홀 구조를 갖는 PS520-b-PCS104 박막을 증착시켰다. 상기 증착된 PS520-b-PCS104 박막 표면에 대해 원자간력현미경(AFM) 이미지를 측정하여 도 2에 나타내었다. 상기 PS520-b-PCS104 박막에 대해 5 시간 동안 포화된 아세톤 증기를 사용하여 어닐링 과정을 수행하였고, 상기 PS520-b-PCS104 박막에 대해 원자간력현미경(AFM) 이미지를 측정하여 도 3에 나타내었다. 이후, 상기 어닐링 과정을 거친 PS520-b-PCS104 박막에 대해 254 nm에서 24 시간 동안 자외선을 조사하여 실리카 나노점 어레이를 제조하였고, 제조된 실리카 나노점 어레이에 대해 3D AFM 이미지를 측정하여 도 4에 나타내었다. 도 2에 나타난 바와 같이, 어닐링 단계를 거치지 않은 PS520-b-PCS104 박막 표면은 사슬이 완전하게 재배치되지 않아 불규칙한 형태를 나타낸다. 반면, 도 3에 나타난 바와 같이, 5 시간 동안 포화된 아세톤 증기를 사용하여 어닐링 과정을 거친 PS520-b-PCS104 박막은 육각형 배열로 잘 정렬된 나노홀 구조를 나타낸다. 도 3의 AFM 이미지에서 어두운 부분은 PCS 나노도메인을 나타낸다. 도 4에 나타난 바와 같이, 제조된 실리카 나노점 어레이에는 산화티탄 기판에 대해 수직 방향으로 형성된 평균 높이 0.9 nm 이하 및 평균 직경 20.7 nm 이하를 나타내는 실리카 나노점이 형성되었다.The PS 520 -b-PCS 104 was dissolved in 1% by weight content of the diblock copolymer in toluene PS 520 -b-PCS 104 toluene solution prepared in Preparation Example 1 was prepared. Then, titanium oxide sol- prepared by adding concentrated HCl (37%, 0.12 g) to isopropanol (2.5 mL) containing titanium tetra-isopropoxide (TTPI) (0.37 g) on a silicon wafer. Titanium oxide substrates were prepared by spin coating the gel precursor solution. The PS 520 -b-PCS 104 toluene solution was spin-coated at 2000 rpm for 60 seconds on the titanium oxide substrate thus prepared, thereby depositing a PS 520 -b-PCS 104 thin film having a nanohole structure having a thickness of about 40 nm. . An atomic force microscope (AFM) image of the deposited PS 520 -b-PCS 104 thin film surface was measured and shown in FIG. 2. The PS 520 was performed the annealing process using a saturated acetone vapor for five hours against -b PCS-104 thin film, even when the PS 520 measuring the atomic force microscope (AFM) image for the PCS 104 -b-thin 3 is shown. Thereafter, the PS 520 -b-PCS 104 thin film subjected to the annealing process was irradiated with ultraviolet rays at 254 nm for 24 hours to prepare silica nanodot arrays, and 3D AFM images of the prepared silica nanodot arrays were measured. 4 is shown. As shown in FIG. 2, the PS 520 -b-PCS 104 thin film surface which has not undergone an annealing step shows irregular shape because chains are not completely rearranged. On the other hand, as shown in FIG. 3, the PS 520 -b-PCS 104 thin film subjected to annealing using acetone vapor saturated for 5 hours shows a well-ordered nanohole structure in a hexagonal arrangement. Dark areas in the AFM image of FIG. 3 represent PCS nanodomains. As shown in FIG. 4, silica nanopoints having an average height of 0.9 nm or less and an average diameter of 20.7 nm or less were formed in the prepared silica nanopoint array in a direction perpendicular to the titanium oxide substrate.

<실시예 2> 실리카 나노점 어레이의 제조Example 2 Preparation of Silica Nano Dot Array

PS520-b-PCS104 박막에 대해 24 시간 동안 포화된 아세톤 증기를 사용하여 어닐링 과정을 수행한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 수행하였다. PS520-b-PCS104 박막에 대해 24 시간 동안 포화된 아세톤 증기를 사용하여 어닐링 과정 거친 후의 박막 표면에 대해 전계 방출형 주사전자현미경(FESEM) 사진을 측정하여 도 5에 나타내었다. 도 5에 나타난 바와 같이, 본 발명의 제조방법에 따라 24 시간 동안 포화된 아세톤 증기를 사용하여 어닐링 과정 거친 후의 박막 표면에는 넓은 범위에 걸쳐 나노홀 구조가 형성되어 있음을 알 수 있다.The PS 520 -b-PCS 104 thin film was carried out in the same manner as in Example 1 except that the annealing process was performed using acetone vapor saturated for 24 hours. Field emission scanning electron microscopy (FESEM) images of the PS 520 -b-PCS 104 thin film surface after annealing using acetone vapor saturated for 24 hours were measured and shown in FIG. 5. As shown in FIG. 5, it can be seen that a nanohole structure is formed on the surface of the thin film after annealing using acetone vapor saturated for 24 hours according to the manufacturing method of the present invention.

도 1은 산화티탄 기판에 증착된 PSx-b-PCSz 박막 표면에 자외선을 조사하여 실린더 형태의 실리카 나노점을 형성시키는 단계를 개략적으로 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a view schematically illustrating a step of forming silica nanospots in the form of a cylinder by irradiating ultraviolet rays to a surface of a PS x -b-PCS z thin film deposited on a titanium oxide substrate.

도 2는 실시예 1에서 산화티탄 기판에 PS520-b-PCS104 박막을 증착시킨 후, 상기 박막 표면에 대해 촬영한 원자간력현미경(AFM) 이미지이다.FIG. 2 is an atomic force microscope (AFM) image taken on a surface of the thin film after depositing a PS 520 -b-PCS 104 thin film on a titanium oxide substrate in Example 1. FIG.

도 3은 실시예 1에서 산화티탄 기판에 증착된 PS520-b-PCS104 박막에 대해 5 시간 동안 어닐링 과정을 거친 후, 상기 박막 표면에 대해 촬영한 원자간력현미경(AFM) 이미지이다.FIG. 3 is an atomic force microscope (AFM) image taken on the surface of the thin film after annealing for 5 hours with respect to the PS 520 -b-PCS 104 thin film deposited on the titanium oxide substrate in Example 1. FIG.

도 4는 실시예 1에서 본 발명의 제조방법에 따라 제조된 실리카 나노점 어레이의 3D 원자간력현미경(AFM) 이미지이다.Figure 4 is a 3D atomic force microscope (AFM) image of the silica nanodot array prepared according to the method of the present invention in Example 1.

도 5는 실시예 2에서 산화티탄 기판에 증착된 PS520-b-PCS104 박막에 대해 24 시간 동안 어닐링 과정을 거친 후, 상기 박막 표면에 대해 촬영한 전계 방출형 주사전자현미경 사진이다.FIG. 5 is a field emission scanning electron micrograph of the PS 520 -b-PCS 104 thin film deposited on the titanium oxide substrate in Example 2, followed by annealing for 24 hours.

*도면 부호에 대한 간단한 설명** Short description for the drawing symbols *

1 : PSx-b-PCSz 박막 2 : 산화티탄 기판1 PS x -b-PCS z thin film 2 titanium oxide substrate

3 : PS 블록 4 : PCS 블록3: PS block 4: PCS block

5 : 실리카 나노점5: silica nano dot

Claims (9)

PSx-b-PCSz 이중블록공중합체를 톨루엔에 용해시켜 PSx-b-PCSz 톨루엔 용액을 제조하는 단계(단계 1);PS x -b-PCS z by dissolving the diblock copolymer in toluene to prepare a PS x -b-PCS z toluene solution (step 1); 산화티탄 졸-겔 전구체 용액을 실리콘 웨이퍼 상에서 스핀코팅하여 산화티탄 기판을 형성하는 단계(단계 2);Spin coating the titanium oxide sol-gel precursor solution onto a silicon wafer to form a titanium oxide substrate (step 2); 상기 단계 2에서 형성된 산화티탄 기판 상에서 상기 단계 1에서 제조한 PSx-b-PCSz 톨루엔 용액을 스핀코팅하여 나노홀 구조를 갖는 두께 30 내지 50 nm의 PSx-b-PCSz 박막을 형성하는 단계(단계 3);Spin coating the PS x -b-PCS z toluene solution prepared in Step 1 on the titanium oxide substrate formed in step 2 to form a PS x -b-PCS z thin film having a thickness of 30 to 50 nm having a nanohole structure Step (step 3); 상기 단계 3에서 형성된 PSx-b-PCSz 박막을 실온에서 아세톤 증기에 노출시켜 어닐링하는 단계(단계 4);Annealing the PS x -b-PCS z thin film formed in step 3 by exposure to acetone vapor at room temperature (step 4); 상기 단계 4에서 어닐링 과정을 거친 PSx-b-PCSz 박막을 건조하는 단계(단계 5); 및Drying the PS x -b-PCS z thin film subjected to the annealing in step 4 (step 5); And 상기 단계 5에서 건조된 PSx-b-PCSz 박막 표면에 대해 자외선을 조사하는 단계(단계 6)Irradiating ultraviolet rays to the surface of the PS x -b-PCS z thin film dried in step 5 (step 6) 을 포함하는 실리카 나노점 어레이의 제조방법.Silica nano dot array manufacturing method comprising a. 제1항에 있어서, 상기 단계 1에서 사용되는 PSx-b-PCSz 이중블록공중합체는 하기 화학식 1로 표시되는 이중블록공중합체인 것을 특징으로 하는 실리카 나노점 어레이의 제조방법:The method of claim 1, wherein the PS x -b-PCS z diblock copolymer used in step 1 is a method for producing a silica nanodot array, characterized in that the biblock copolymer represented by the following formula (1):
Figure 112008069299030-pat00002
.
Figure 112008069299030-pat00002
. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 단계 1에서의 PSx-b-PCSz 톨루엔 용액 내 PSx-b-PCSz 이중블록공중합체 함량은 0.5 내지 2.0 중량%인 것을 특징으로 하는 실리카 나노점 어레이의 제조방법.According to claim 1, wherein the production of PS x -b-PS solution in toluene PCS z x z -b-PCS diblock air silica nano dot array of polymer content is characterized in that 0.5 to 2.0% by weight in the step 1 in Way. 제1항에 있어서, 상기 단계 2에서의 산화티탄 졸-겔 전구체 용액은 티타늄 테트라이소프로폭사이드(Titanium tetra-isopropoxide, TTPI)를 함유하는 이소프로판올에 농축된 염산을 첨가하여 제조되는 것을 특징으로 하는 실리카 나노점 어레이의 제조방법.The method of claim 1, wherein the titanium oxide sol-gel precursor solution in step 2 is prepared by adding concentrated hydrochloric acid to isopropanol containing titanium tetra-isopropoxide (TTPI) Method for producing silica nanodot array. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 단계 4에서 PSx-b-PCSz 박막은 아세톤 증기에 5 내지 24 시간 동안 노출되는 것을 특징으로 하는 실리카 나노점 어레이의 제조방법.The method of claim 1, wherein in step 4, the PS x -b-PCS z thin film is exposed to acetone vapor for 5 to 24 hours. 제1항에 있어서, 상기 단계 6에서 자외선은 PSx-b-PCSz 박막 표면에 대해 254 nm에서 12 내지 24 시간 동안 조사되는 것을 특징으로 하는 실리카 나노점 어레이의 제조방법.The method of claim 1, wherein the ultraviolet rays in step 6 is irradiated on the surface of the PS x -b-PCS z thin film for 12 to 24 hours at 254 nm. 제1항의 방법에 따라 제조되는 실리카 나노점 어레이.Silica nano dot array prepared according to the method of claim 1.
KR1020080097043A 2008-10-02 2008-10-02 Method for preparing silica nanodot arrays derived from polystyrene-block-polycarbosilane diblock copolymers by titanium oxide catalysis and silica nanodot arrays prepared accordingly KR100983356B1 (en)

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