KR100974845B1 - 플라즈마 처리 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (24)
- 한정된 플라즈마를 생성하기 위해 기체를 수용하도록 구성된 플라즈마 처리 챔버로서,가공물을 수용하도록 구성되며, 제 1 전극 면적을 갖는 제 1 전력공급된 전극(powered electrode);상기 제 1 전력공급된 전극에 동작 가능하게 결합하고, 상기 제 1 전력공급된 전극에 전력을 전달하도록 구성된 발전기;상기 제 1 전력공급된 전극의 상방으로 이격되어 배치되고 제 2 전극 면적을 갖는 제 2 전극으로서, 상기 제 1 전력공급된 전극 및 상기 제 2 전극은 상기 기체를 플라즈마로 변환시키도록 구성되는, 상기 제 2 전극;상기 제 1 전력공급된 전극을 둘러싼 접지 연장부; 및상기 한정된 플라즈마가 실질적으로 내부에 배치된 체적을 둘러싸는 복수의 한정링으로서, 상기 복수의 한정링은, 상기 접지 연장부의 일부, 상기 제 1 전력공급된 전극 및 상기 제 2 전극과 평행하게 매달려 있고, 상기 접지 연장부의 일부, 상기 제 1 전력공급된 전극 및 상기 제 2 전극을 둘러싸며, 상기 접지 연장부는 상기 체적 내에 있는, 상기 복수의 한정링을 포함하는, 플라즈마 처리 챔버.
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- 제 1 항에 있어서,상기 접지 연장부는 돌출부를 더 포함하는, 플라즈마 처리 챔버.
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- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극 면적을 상기 제 1 전극 면적으로 나눔으로써 규정된 전극 면적 비가 1.0 보다 커서, 상기 제 2 전극 면적이 상기 제 1 전극 면적보다 큰, 플라즈마 처리 챔버.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 노치를 더 포함하고, 상기 노치는 상기 제 2 전극 면적을 증가시키도록 구성되는, 플라즈마 처리 챔버.
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- 제 1 항, 제 3 항, 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 접지 연장부는 상기 플라즈마로부터 전하를 배출하도록 구성되는, 플라즈마 처리 챔버.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 2 전극 표면적을 상기 제 1 전극 면적으로 나눔으로써 규정된 면적 비가 1.0 보다 커서, 상기 제 2 전극 면적이 상기 제 1 전극 면적보다 큰, 플라즈마 처리 챔버.
- 한정된 플라즈마를 생성하기 위해 기체를 수용하도록 구성된 플라즈마 처리 챔버로서,가공물을 수용하도록 구성되며, 제 1 전극 면적을 갖는 제 1 전력공급된 전극;상기 제 1 전력공급된 전극에 동작 가능하게 결합하고, 상기 제 1 전력공급된 전극에 전력을 전달하도록 구성된 발전기;상기 제 1 전력공급된 전극 상방으로 이격되어 배치된 제 2 전극으로서, 상기 제 1 전력공급된 전극 및 상기 제 2 전극은 상기 기체를 플라즈마로 변환시키도록 구성되며, 제 2 전극 면적을 갖는, 상기 제 2 전극;상기 제 1 전력공급된 전극 및 제 2 전극을 둘러싸는 복수의 한정링으로서, 상기 복수의 한정링은 상기 한정된 플라즈마가 실질적으로 내부에 배치되는 체적을 정의하며, 상기 처리 챔버 내에서, 상기 복수의 한정링은 상기 제 1 전력공급된 전극 및 상기 제 2 전극과 평행하게 매달려 있는, 상기 복수의 한정링; 및상기 복수의 한정링에 의해 한정되는 체적 내에서 상기 제 1 전력공급된 전극을 둘러싸는 접지 연장부를 포함하는, 플라즈마 처리 챔버.
- 제 13 항에 있어서,상기 접지 연장부는 상기 플라즈마로부터 전하를 배출하도록 구성되는, 플라즈마 처리 챔버.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 2 전극 표면적 대 상기 제 1 전극 면적으로 규정된 면적 비가 1.0 보다 커서, 상기 제 2 전극 표면적이 상기 제 1 전극 면적보다 큰, 플라즈마 처리 챔버.
- 제 15 항에 있어서,상기 접지 연장부는 돌출부를 포함하는, 플라즈마 처리 챔버.
- 제 14 항에 있어서,상기 제 2 전극은 노치를 더 포함하고, 상기 노치는 상기 제 2 전극 면적을 증가시키도록 구성되는, 플라즈마 처리 챔버.
- 한정된 플라즈마가 실질적으로 내부에 배치되는 체적을 둘러싸는 복수의 한정링을 포함하는 플라즈마 처리 챔버에서 상기 한정된 플라즈마를 생성하는 방법으로서, 상기 방법은,상기 플라즈마 처리 챔버 내에 기체를 수용하는 단계;전원에 동작 가능하게 접속된 제 1 전극이 가공물을 수용하도록 하는 단계;상기 제 1 전극 상방으로 이격되어 배치되는 제 2 전극이 상기 제 1 전극으로부터 RF 전력을 수신하도록 하는 단계로서, 상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극 면적보다 큰 제 2 전극 면적을 갖는, 상기 RF 전력을 수신하도록 하는 단계;RF 전력을 상기 제 1 전극에 전달함으로써 플라즈마를 생성하도록 전원을 사용하는 단계; 및상기 플라즈마로부터 복수의 전하를 배출하도록, 상기 복수의 한정링에 의해 한정되는 체적 내에서 상기 제 1 전극을 둘러싸는 접지 연장부를 위치시키는 단계로서, 상기 복수의 한정링은, 상기 전극 연장부의 일부, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극의 상방으로 위치되고 상기 전극 연장부의 일부, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극을 둘러싸는, 상기 접지 연장부를 위치시키는 단계를 포함하는, 플라즈마 생성 방법.
- 제 18 항에 있어서,적어도 하나의 한정링에 의해 정의된 플라즈마 경계에서 상기 복수의 전하를 배출하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 생성 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 기체를 수용하는 단계는 1500sccm까지의 유량으로 이송되는, 플라즈마 생성 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 전원을 사용하는 단계는 플라즈마 체적 cm3 당 2W 까지의 RF 전력을 전달하는 단계를 더 포함하는, 플라즈마 생성 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 접지 연장부는 유전체에 의해 상기 제 1 전력공급된 전극으로부터 분리되는, 플라즈마 처리 챔버.
- 제 13 항에 있어서,상기 접지 연장부는 유전체에 의해 상기 제 1 전력공급된 전극으로부터 분리되는, 플라즈마 처리 챔버.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 2 전극 표면적 대 상기 제 1 전극 면적으로 규정된 면적 비가 1.0 보다 커서, 상기 제 2 전극 표면적이 상기 제 1 전극 면적보다 큰, 플라즈마 처리 챔버.
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