KR100974336B1 - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents
발광 다이오드 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100974336B1 KR100974336B1 KR1020080090484A KR20080090484A KR100974336B1 KR 100974336 B1 KR100974336 B1 KR 100974336B1 KR 1020080090484 A KR1020080090484 A KR 1020080090484A KR 20080090484 A KR20080090484 A KR 20080090484A KR 100974336 B1 KR100974336 B1 KR 100974336B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- emitting diode
- light transmitting
- transmitting portion
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
본 발명은 간단하게 렌즈부의 휘도 분포를 조절함으로써 손쉽게 면발광을 구현할 수 있고, 하나의 금형으로 다양한 휘도분포를 갖는 렌즈부를 제조할 수 있도록 함으로써 다양한 모델에 유연하게 적용할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이를 위하여, 본 발명은, 표면으로부터 인입된 인입부와 상기 인입부의 주위로 반사면을 구비한 플레이트와, 상기 플레이트의 인입부에 안착된 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩을 덮고, 광 발산 물질을 포함하는 발광 매질과, 상기 발광 매질의 상부에 위치하고, 적어도 일부 표면에 곡률을 갖도록 구비되며, 상기 발광 다이오드 칩 및 발광 매질로부터 발산된 빛이 투과하는 제1광투과부 및 제2광투과부를 갖고, 상기 제1광투과부를 통해 투과되는 빛의 휘도가 상기 제2광투과부를 통해 투과되는 빛의 휘도보다 높은 렌즈부를 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
Description
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 국부적인 휘도 차이를 구현할 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light emitting diode)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 빛으로 전환시키는 소자로서, 차세대 조명원으로 다양하게 이용 및 개발되고 있다.
이러한 발광 다이오드는 최근 각종 디스플레이로 개발되고 있으며, 특히, 액정 표시장치의 백라이트 유닛으로 많이 연구 및 개발되고 있다.
점광원인 발광 다이오드를 백라이트로 사용하기 위해서는 면 상에 점광원인 발광 다이오드를 복수개 배열하고, 발광 다이오드 상에 확산시트, 프리즘시트 등을 통해 점광을 확산 및 산란시켜 면광원으로 하는 것이 일반적이다. 그런데, 이 경우 면밝기가 고른 면광원을 얻기 위해서는 발광다이오드의 발광면에서 일정한 높이에 광학시트들을 배치해야 하기 때문에 백라이트 유닛이 두꺼워지는 단점이 있다.
이를 개선하기 위해 발광 다이오드의 배열 간격을 줄이는 방법이 모색되고 있으나, 단위 면적당 발광 다이오드 개수가 증가함으로 인한 원가 상승의 문제가 있다.
또한, 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 측면 발광(side emitting) 방식의 발광 다이오드에, 측면 방출 렌즈를 적용한 기술이 제안되고 있다.
예컨대, 한국 공개특허 2006-0135207호에는 주변부에서 중심부로 갈수록 낮아지는 경사면을 상면에 구비한 렌즈부에 의해 수직축에 대해 55도 내지 80도의 범위에서 최대 휘도가 나타나도록 하는 발광 다이오드 램프가 개시되어 있다.
그런데 이러한 종래의 측면 방출 렌즈들을 적용하는 경우, 면발광을 구현하기 위해서는 각 발광 다이오드 간의 배열 간격 및 발광원으로부터 광학시트까지의 거리 등을 고려하여 다양한 형태의 렌즈를 설계해야 할 필요가 있다.
따라서, 제품에의 적용 시 백라이트 유닛 모델의 종류에 따라 다양하게 많은 렌즈 형성용 금형을 필요로 하게 되며, 모델 변경에 유연하게 대처하기 어려운 한계가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 간단하게 렌즈부의 휘도 분포를 조절함으로써 손쉽게 면발광을 구현할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데에 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 하나의 금형으로 다양한 휘도분포를 갖는 렌즈부를 제조할 수 있도록 함으로써 다양한 모델에 유연하게 적용할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 표면으로부터 인입된 인입부와 상기 인입부의 주위로 반사면을 구비한 플레이트와, 상기 플레이트의 인입부에 안착된 발광 다이오드 칩과, 상기 발광 다이오드 칩을 덮고, 광 발산 물질을 포함하는 발광 매질과, 상기 발광 매질의 상부에 위치하고, 적어도 일부 표면에 곡률을 갖도록 구비되며, 상기 발광 다이오드 칩 및 발광 매질로부터 발산된 빛이 투과하는 제1광투과부 및 제2광투과부를 갖고, 상기 제1광투과부를 통해 투과되는 빛의 휘도가 상기 제2광투과부를 통해 투과되는 빛의 휘도보다 높은 렌즈부를 포함하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
상기 제1광투과부와 제2광투과부는 서로 다른 표면 거칠기를 갖도록 구비될 수 있다.
상기 제2광투과부는 광흡수 필터를 더 포함할 수 있다.
상기 제2광투과부는 광반사부를 더 포함할 수 있다.
상기 렌즈부는 일부 표면이 편평하도록 구비된 편평부를 포함하고, 상기 제2광투과부는 적어도 상기 편평부의 일부를 포함할 수 있다.
상기 제2광투과부는 상기 발광 다이오드 칩의 직상부에 위치할 수 있다.
상기 제2광투과부는 상기 반사면의 외측 경계에 대응되는 경계로 구비될 수 있다.
상기 플레이트는 복수의 인입부 및 반사면을 구비하고, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 인입부에 각각 안착되며, 상기 발광 매질은 상기 각 발광 다이오드 칩을 덮을 수 있다.
상기 제2광투과부는 상기 발광 다이오드 칩들의 직상부에 위치할 수 있다.
상기 제2광투과부는 상기 발광 다이오드 칩들의 수에 대응되는 수로 구비될 수 있다.
상기 제2광투과부는 상기 복수의 반사면의 외측 경계에 각각 대응되는 경계로 구비될 수 있다.
상기 제2광투과부는 상기 복수의 반사면의 외측 경계를 포함하는 경계로 구비될 수 있다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명에 따르면, 발광 다이오드 칩의 상부의 소정 영역을 제2광투과부를 통해 의도적으로 휘도를 저하시킴으로써, 이러한 발광 다이오드 패키지를 복수개 배열시켰을 때에, 손쉽게 면광원을 이룰 수 있다.
또한, 해당 면광원이 적용되는 백라이트 유닛의 종류 또는 모델에 따라 렌즈부를 성형하는 금형을 가변할 필요없이, 단일의 금형으로도 다양한 모델에 대응하여 다양한 종류의 렌즈부를 성형할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해 보다 상세하게 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 1에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는 리드 프레임(20)에 발광 다이오드 칩(30)이 안착되고 렌즈부(40)가 장착된 구조를 갖는다.
리드 프레임(20)은 양극 리드와 음극 리드를 포함할 수 있으며, 발광 다이오드 칩(30)이 안착되는 다이 패드에 리드 프레임(20) 표면(22)으로부터 소정 깊이로 인입된 안착부(24)를 갖도록 구비되며, 안착부(24)의 가장자리를 따라 제1반사면(26)을 갖는다. 이 제1반사면(26)은 발광 다이오드 칩(30)이 안착되는 안착부(24)를 둘러싸도록 구비되는 것이 바람직하며, 발광 다이오드 칩(30)으로부터 측면 방향으로 출사되는 광을 상부로 반사시켜 발광 효율을 더욱 좋게 하도록 한다.
상기와 같은 제1반사면(26) 및 안착부(24)는 리드 프레임(20)을 에칭 또는 다운셋 금형을 통해 성형가공하여 다이패드부위에 컵 형태로 형성시킬 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 별도의 수지를 이용해 사출하거나 트랜 스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩을 통해 리드 프레임(20)에 형성할 수도 있다.
발광 다이오드 칩(30)은 다이 접착제로 상기 안착부(24)에 접합되고 와이어(32)에 의해 리드 프레임(20)의 표면(22)에 연결된다.
그리고, 표면으로부터 인입된 홈 형상인 안착부(24)에는 발광 다이오드 칩(30)을 덮도록 제1매질(34)이 도포된다.
상기 제1매질(34)은 형광체가 포함된 것으로, 형광체를 투명한 에폭시 또는 실리콘 수지와 일정 비율로 혼합한 것을 사용할 수 있다. 상기 형광체는 발광 다이오드 칩(30)의 발광 파장에만 여기되어 발광하는 것으로, 단일 독립 파장을 여기 발광하는 순도가 높은 실리케이트(Silicate)계 형광체 또는 나이트라이드(Nitride)계 형광체일 수 있다.
상기 제1매질(34)에는 반드시 형광체를 포함하는 것에 한정되는 것은 아니며, 형광체 및/또는 특정 색상의 색소가 혼합되어도 무방하다.
이러한 제1매질(34)은 트랜스퍼 몰딩 또는 디스펜싱 공정을 통해 발광 다이오드 칩(30)을 덮도록 도포되며 미리 설정된 두께만큼 도포된다.
상기 리드 프레임(20)의 가장자리로는 반사도가 높은 재질의 열경화성 및/또는 가소성 수지로 사출 또는 트랜스퍼 몰딩된 베이스(10)가 더 구비되며, 베이스(10)의 내측면에는 제2반사면(12)이 형성되어 있다.
상기와 같은 구조에서 발광 다이오드 칩(30) 및 제1매질(34)의 상부로 렌즈부(40)가 형성된다.
상기 렌즈부(40)는 투명한 수지재로 형성되며 별도의 렌즈 금형에 상기와 같 이 조립된 리드 프레임(20) 등을 안착시킨 후 트렌스퍼 몰딩 또는 인젝션 몰딩에 의해 형성한다. 이 렌즈부(40)는 제1매질(34)로부터 발산되는 빛을 혼합하여 투과시키는 제2매질의 역할을 수행하며, 빛을 측면방향으로 더욱 확산시키는 역할을 한다.
본 발명에 있어, 상기 렌즈부(40)는 제1매질(34)로부터 발산된 빛을 투과시키는 제1광투과부(42) 및 제2광투과부(44)를 갖는다. 이 때, 상기 제1광투과부(42)를 통해 투과되는 빛의 휘도가 상기 제2광투과부(44)를 통해 투과되는 빛의 휘도보다 높게 되도록 한다.
즉, 도 1에서 볼 때, 빛이 제1광투과부(42)를 통해 투과되어 형성되는 제1투과영역(L1)은 빛이 제2광투과부(44)를 통해 투과되어 형성되는 제2투과영역(L2)보다 더 밝게 된다.
이 때, 상기 제2광투과부(44)는 상기 발광 다이오드 칩(30)의 직상부에 위치하며, 그 외주 경계는 제1반사면(26)의 외주 경계와 대략 일치되도록 한다. 그리고, 이 제2광투과부(44)는 렌즈부(40)의 표면에 일정 정도의 요철면(46)으로 형성함으로써, 즉, 이 제2광투과부(44)에서의 표면 거칠기가 제1광투과부(42)의 표면 거칠기보다 더 거칠게 되도록 함으로써 구현할 수 있다. 이러한 제2광투과부(44)에서의 높은 표면 거칠기 정도로 인해 제1매질(34)로부터 발산된 빛이 제2광투과부(44)를 투과할 때에 제1투과영역(L1)의 방향으로의 확산이 많아지게 되고, 이에 따라 중앙 영역에 해당하는 제2투과영역(L2)이 제1투과영역(L1)보다 어두워 보이게 된다.
이렇게 발광 다이오드 칩(30)의 직상부의 소정 영역을 제2광투과부(44)를 통해 의도적으로 휘도를 저하시킴으로써, 간단하게 도 2에서 볼 수 있는 중심에서 70도 정도 이격된 부분에서 최대 휘도를 가질 수 있다. 따라서, 이러한 발광 다이오드 패키지를 복수개 배열시킴으로써 손쉽게 면광원을 이룰 수 있는 것이다.
한편, 전술한 바와 같이, 면광원을 얻는 것은 발광 다이오드의 배열 간격이나 발광 다이오드 광원과 시트 사이의 간격 등에 의해 다양하게 존재한다. 즉, 도 2의 그래프에서 중심선으로부터 몇 도에서 최대 휘도를 갖도록 렌즈부를 설계할 것인지는 해당 면광원이 적용되는 백라이트 유닛의 종류 또는 모델에 따라 다양하게 존재할 수 있다.
이 경우, 본 발명은 상기 제2광투과부(44)의 면적 또는 그 외주 경계를 조절함으로써 이렇게 백라이트 유닛의 모델이 변경되었을 때에 손쉽게 대응할 수 있다.
즉, 도 1에서 볼 때, 상기 제2광투과부(44)의 외주 경계를 제1반사면(26)의 외측 경계의 직상부로부터 소정 각도(α) 이격되는 범위까지 설정함으로써 원하는 휘도 범위를 손쉽게 얻을 수 있다.
또한, 이렇게 제2광투과부(44)의 외주 경계가 변경될 경우, 이를 제조하는 방법도 매우 간단해진다.
즉, 전술한 바와 같이 상기 렌즈부(40)는 수지재로 몰딩되는 것으로서 금형 내에 리드 프레임(20)을 안착시킨 상태에서 수지재를 금형 내로 주입해 몰딩한다. 이 때, 상기 제2광투과부(44)는 금형 내측 표면에 요철을 형성함으로써 형성되도록 할 수 있는 데, 모델이 변경되어 제2광투과부(44)의 외주 경계에 대해 재설계해야 할 필요가 있을 경우에는 기 사용한 금형의 내측 표면의 요철을 폴리싱에 의해 제거한 후 다시 샌딩처리를 하여 적용할 수 있다. 따라서, 모델 변경 시에도 단일 금형을 적용할 수 있게 된다.
또 다른 방법으로는 전술한 요철이 없는 동일한 렌즈부(40) 외형을 금형으로 형성한 후에, 그 표면에 샌딩 등의 방법으로 국부적으로 제2광투과부(44)를 형성함으로써, 모델 변경 시에도 동일한 금형을 사용할 수 있게 된다.
이처럼 본 발명은, 렌즈의 외주 곡률을 변경시킴으로써 국부적인 휘도차이를 발생시키는 것이 아니라, 렌즈 표면에 저휘도부인 제2광투과부를 설정함으로써 다양한 모델에 대해 손쉽게 면광원을 구현할 수 있게 된다.
한편, 전술한 실시예에서는 제2광투과부(44)를 제1광투과부(42)에 비해 인위적으로 저휘도부로 한 것이나, 본 발명에서는 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제2광투과부(44)를 통과한 광과 제1광투과부(42)를 통과한 광의 상대적 밝기 차이가 중요하다. 즉, 제1광투과부(42)를 통과한 광이 제2광투과부(44)를 통과한 광보다 휘도가 높으면 되는 것으로, 이를 위해 전술한 실시예와 같이 제2광투과부(44)의 광투과율을 낮출 수도 있고, 또, 제2광투과부(44)를 내부광 반사형 구조로 형성하여 제2광투과부(44)로 입사된 광이 다른 쪽으로 반사되어 결국 제1광투과부(42)로 취출될 수 있도록 함으로써 제1광투과부(42)를 통과한 광이 제2광투과부(44)를 통과한 광보다 휘도가 높게 되도록 할 수도 있는 것이다. 이러한 내광 반사형 구조는 제2광투과부(44)에 형성되는 요철의 형상을 조절하여 발광 다이오드 칩(30)으로부터 발산된 빛에 대한 전반사율을 높이거나 제1투과영역(L1)의 방향으로 굴절되는 양이 많게 되도록 설계함으로써 적용 가능하다.
도 3은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예를 도시한 것으로, 제1광투과부(42)의 표면을 요철면(46)으로 구성함으로써 제1광투과부(42)의 표면 거칠기가 제2광투과부(44)의 표면 거칠기보다 거칠게 되도록 한 것이다. 이 때, 상기 제2광투과부(44)는 중앙 부위가 발광 다이오드 칩(30)의 방향으로 인입된 구조를 취하고 있어 중앙이 함몰된 경사면(45)을 갖도록 하고 경사면(45)의 중앙에는 일부 편평한 면을 형성한다. 이러한 제2광투과부(44)의 구조에 의해 제1매질(34)을 거쳐 제2광투과부(44)를 향해 발산된 광을 다른 각도로 반사할 수 있어 역시 제1투과영역(L1) 쪽으로 빛이 유도되도록 할 수 있게 된다. 이에 따라 제1투과영역(L1)은 제2투과영역(L2)에 비해 더욱 밝게 보일 수 있게 된다. 상기 제2광투과부(44)는 빛이 더욱 잘 반사되도록 하기 위해 표면을 폴리싱처리할 수 있다. 즉, 폴리싱 처리를 통해 제2광투과부(44)를 경면(鏡面)으로 만들어줄 경우, 제2투과영역(L2)을 향하는 빛을 측면, 즉 제1투과영역(L1)으로 전환시키도록 경사면(45)의 반사도를 더욱 높일 수 있다. 반대로, 제1광투과부(42)에는 요철면(46)을 형성함으로써 제1투과영역(L1)의 빛을 외측 방향으로 더욱 확산시킬 수 있다. 이 경우에는 도 2에서 볼 수 있는 좌우 봉우리 형상이 도 2와 같이 첨예한 형상을 갖기 보다는 옆으로 퍼진 둥근 형태를 취할 수 있다.
이처럼 본 발명은 렌즈부의 표면에 국부적인 표면 거칠기의 차이가 발생되도록 함으로써 제1투과영역(L1)의 휘도가 제2투과영역(L2)의 휘도보다 높게 되도록 하되 이 때의 발광 특성을 다양하게 변경시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예를 도시한 것으로, 상기 렌즈부(40)가 일부 표면이 편평하도록 구비된 편평부를 포함하도록 한 것이다. 즉, 상기 렌즈부(40)는 외면이 하나 이상의 곡률반경을 갖는 곡률면으로 형성되도록 하는 데, 일부 영역에서 곡률을 갖지 않는 편평한 면을 갖도록 한 것이다. 이 편평부(46)는 상기 발광 다이오드 칩(30)의 직상부에 위치하도록 할 수 있다.
상기 제2광투과부(44)는 적어도 상기 편평부의 일부를 포함하도록 할 수 있는 데, 도 4에 따른 실시예에서는 제2광투과부(44)와 편평부가 일치하도록 하였다. 그러나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 제2광투과부(44)의 영역과 편평부의 영역이 반드시 일치하도록 할 필요는 없다.
상기 편평부에 따라 빛은 일정 영역에서 직진성을 갖게 되는 데, 이 부분에 제2광투과부(44)를 배치시킴으로써 직진되는 영역의 휘도를 최소화시킬 수 있게 된다.
도 5는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예를 도시한 것이다.
도 5에 따른 실시예의 경우, 상기 제2광투과부(44)를 별도의 광흡수 필터(48)를 렌즈부(40) 표면에 부착하여 구현한 것이다.
광흡수 필터(48)의 광흡수율은 설계 조건에 따라 다양하게 변경 가능한 데, 대략 20~80%의 광흡수율을 갖는 필터를 사용할 수 있다.
이처럼 제2광투과부(44)를 광흡수 필터(48)를 렌즈부(40) 표면에 부착하여 구현함으로써, 전술한 바와 같이 모델이 변경되는 경우라 하더라도 금형의 변경없이 필터의 종류 및 사이즈 변경으로 간단히 대응할 수 있다.
이러한 광흡수 필터(48)에 의한 제2광투과부(44)의 구현은 본 발명의 모든 실시예에 적용될 수 있음은 물론이다.
한편, 이러한 광흡수 필터(48) 대신에 내부광 반사 필름(미도시)을 광흡수 필터(48)와 동일한 자리에 형성함으로써, 전술한 바와 같이 발광 다이오드 칩(30)으로부터 발산된 빛이 제2광투과부(44)에서 내측으로 재반사되어 제1투과영역(L1)으로 취출되도록 할 수도 있다. 이 때의 내부광 반사 필름은 발광 다이오드 칩(30)으로부터 발산되는 빛에 대한 반사를 주로 하도록 한 것이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예를 도시한 것으로, 둘 이상의 발광 다이오드 칩으로 하나의 패키지를 구현하는 경우를 도시한 것이다.
이 경우, 리드 프레임(20)은 둘 이상의 안착부(24)(24')와, 제1반사면(26)(26')을 갖도록 형성되고, 각 안착부(24)(24')에는 발광 다이오드 칩(30)(30')이 안착되며, 이들 발광 다이오드 칩(30)(30')을 덮도록 제1매질(34)(34')을 도포한다.
각 발광 다이오드 칩(30)(30')은 청색광을 발광하는 칩이거나, 적색광을 발광하는 칩 또는 녹색광을 발광하는 칩일 수 있는 데, 이들의 조합일 수 있다. 물론 색상은 반드시 적녹청 삼원색에 한정되는 것은 아니며, 예컨대, 화이트를 구현할 수 있는 다양한 색상 조합이 적용 가능하다.
그리고, 각 제1매질(34)(34')은 각각의 발광 다이오드 칩(30)(30')의 발광 파장에만 여기되는 것들을 독립적으로 도포한다.
각 발광 다이오드 칩(30)(30')은 리드 프레임(30) 상에서 서로 독립적으로 구동되도록 독립된 단자를 구비하며 전류의 제어를 통해 각 발광 다이오드 칩(30)(30')의 광량을 가변할 수 있다.
이에 따라 형광체의 여기 발광 파장을 독립된 단일 파장 발광으로 전환하여 형광 발광 효율을 극대화시킬 수 있으며, 각기 다른 발광 파장을 갖는 다수개의 독립적인 발광 다이오드 칩(30)(30')의 전류 제어를 통해 광의 세기를 가변함으로써 원하는 색상의 조정이 가능해진다.
이러한 구조에서도 렌즈부(40)는 각 발광 다이오드 칩(30)(30')에 공통으로 형성될 수 있다. 그리고, 상기 제2광투과부(46)도 각 발광 다이오드 칩(30)(30')의 직상부에 형성되도록 하며, 그 외주 경계가 각 제1반사면(26)(26')의 외측 경계를 모두 아우르는 범위로 하여 형성된다. 따라서, 이러한 구조의 발광 다이오드 패키지를 복수개 배열함으로써 화이트 백라이트 유닛에 적용할 경우에는 면광원을 간단히 이룰 수 있다.
한편, 이와는 달리 상기 제2광투과부(46)(46')는 도 7에서 볼 수 있듯이, 각 발광 다이오드 칩들(30)(30')의 수에 대응되는 수로 구비될 수 있다. 이 때, 각 제2광투과부(46)(46')의 외주 경계는 각 제1반사면(26)(26')의 외측 경계에 대응되도록 할 수 있다. 이에 따라 원하는 휘도 분포를 간단히 얻을 수 있다.
도 8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예를 도시한 것으로, 안착부(24)에 발광 다이오드 칩(30)의 주변을 따라 홈(28)을 형성한 것이다. 상기 홈(28)에 따라 제1매질(34)은 도포 시, 상기 홈(28) 외측으로 흐르는 것이 규제되어 발광 다이오드 칩(30)을 일정한 두께로 덮을 수 있다.
이처럼 제1매질(34)이 발광 다이오드 칩(30)을 균일한 두께로 덮을 경우, 발광 다이오드 칩(30)으로부터 발산된 빛이 제1매질(34)을 지나는 거리가 동일하기 때문에 균일한 색분포를 이룰 수 있다. 상기 제1매질(34)의 흐름을 방지하는 홈(28)은 제1매질(34)의 흐름을 방지할 수 있는 한, 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 홈 외에도 돌기의 형태로도 구비될 수 있다.
도 3 내지 도 5에 따른 실시형태는 도 6 내지 도 8에 따른 실시예에 그대로 적용할 수 있음은 물론이다.
이처럼, 본 발명의 실시예들의 경우, 전술한 바와 같이 제2광투과부(44)에 의해 휘도를 인위적으로 떨어뜨림으로써 발광 다이오드 패키지가 복수개 배치되었을 때에 면광원을 효과적으로 형성할 수 있다.
이상 설명한 발광 다이오드 패키지는 리드 프레임형에 한정하여 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 플립 칩형 등 다양한 종류의 발광 다이오드 패키지에도 그대로 적용 가능하다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도,
도2는 도 1의 발광 다이오드 패키지의 광 휘도 분포를 나타내는 그래프,
도3은 본 발명의 바람직한 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도,
도4는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도,
도5는 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도,
도6은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도,
도7은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도,
도8은 본 발명의 바람직한 또 다른 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명*
10: 베이스 12: 제2반사면
20: 리드 프레임 24: 안착부
26: 제1반사면 30: 발광 다이오드 칩
34: 제1매질 40: 렌즈부
42: 제1광투과부 44: 제2광투과부
45: 경사면 46: 요철면
48: 광흡수 필터
Claims (12)
- 표면으로부터 인입된 인입부와 상기 인입부의 주위로 반사면을 구비한 플레이트;상기 플레이트의 인입부에 안착된 발광 다이오드 칩;상기 발광 다이오드 칩을 덮고, 광 발산 물질을 포함하는 발광 매질; 및상기 발광 매질의 상부에 위치하고, 적어도 일부 표면에 곡률을 갖도록 구비되며, 상기 발광 다이오드 칩 및 발광 매질로부터 발산된 빛이 투과하는 제1광투과부 및 제2광투과부를 갖고, 상기 제1광투과부를 통해 투과되는 빛의 휘도가 상기 제2광투과부를 통해 투과되는 빛의 휘도보다 높은 렌즈부;를 포함하는 발광 다이오드 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 제1광투과부와 제2광투과부는 서로 다른 표면 거칠기를 갖도록 구비된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 제2광투과부는 광흡수 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 제2광투과부는 상기 발광 다이오드 칩으로부터 발산된 광을 반사하는 내부광 반사부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 렌즈부는 일부 표면이 편평하도록 구비된 편평부를 포함하고, 상기 제2광투과부는 적어도 상기 편평부의 일부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 제2광투과부는 상기 발광 다이오드 칩의 직상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 제2광투과부는 상기 반사면의 외측 경계에 대응되는 경계로 구비된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 플레이트는 복수의 인입부 및 반사면을 구비하고, 상기 발광 다이오드 칩은 상기 인입부에 각각 안착되며, 상기 발광 매질은 상기 각 발광 다이오드 칩을 덮는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 제8항에 있어서,상기 제2광투과부는 상기 발광 다이오드 칩들의 직상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 제8항에 있어서,상기 제2광투과부는 상기 발광 다이오드 칩들의 수에 대응되는 수로 구비된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 제10항에 있어서,상기 제2광투과부는 상기 복수의 반사면의 외측 경계에 각각 대응되는 경계로 구비된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
- 제8항에 있어서,상기 제2광투과부는 상기 복수의 반사면의 외측 경계를 포함하는 경계로 구비된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080090484A KR100974336B1 (ko) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | 발광 다이오드 패키지 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080090484A KR100974336B1 (ko) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | 발광 다이오드 패키지 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100031397A KR20100031397A (ko) | 2010-03-22 |
KR100974336B1 true KR100974336B1 (ko) | 2010-08-05 |
Family
ID=42181082
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080090484A KR100974336B1 (ko) | 2008-09-12 | 2008-09-12 | 발광 다이오드 패키지 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100974336B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101161385B1 (ko) * | 2010-08-09 | 2012-07-02 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101064076B1 (ko) * | 2010-04-01 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 라이트 유닛 및 이를 구비한 표시장치 |
KR20150066846A (ko) | 2013-12-09 | 2015-06-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 광학 부재 및 이를 포함하는 발광 장치 |
KR102558280B1 (ko) * | 2016-02-05 | 2023-07-25 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 광원 유닛 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050190563A1 (en) | 2004-02-26 | 2005-09-01 | Ying Hung Li | Lighting module with dual-profiled Fresnel lens |
KR100701318B1 (ko) | 2004-12-28 | 2007-03-29 | 럭스피아(주) | 발광 유니트 및 이를 채용한 백라이트 장치 |
KR20070107261A (ko) * | 2006-05-02 | 2007-11-07 | 삼성전자주식회사 | 광출사모듈 및 이를 갖는 표시장치 |
-
2008
- 2008-09-12 KR KR1020080090484A patent/KR100974336B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050190563A1 (en) | 2004-02-26 | 2005-09-01 | Ying Hung Li | Lighting module with dual-profiled Fresnel lens |
KR100701318B1 (ko) | 2004-12-28 | 2007-03-29 | 럭스피아(주) | 발광 유니트 및 이를 채용한 백라이트 장치 |
KR20070107261A (ko) * | 2006-05-02 | 2007-11-07 | 삼성전자주식회사 | 광출사모듈 및 이를 갖는 표시장치 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101161385B1 (ko) * | 2010-08-09 | 2012-07-02 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100031397A (ko) | 2010-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI507635B (zh) | 具有模造雙向光學器件之發光二極體 | |
JP4891626B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US20090032827A1 (en) | Concave Wide Emitting Lens for LED Useful for Backlighting | |
TWI419376B (zh) | 螢光體轉化發光二極體 | |
TWI498509B (zh) | 發光二極體之低剖面側發光全內反射透鏡 | |
US8960932B2 (en) | Light emitting device | |
EP1427029A2 (en) | Light emitting device and apparatus using the same | |
US20090045416A1 (en) | Optical Element Coupled to Low Profile Side Emitting LED | |
CN105633255A (zh) | 非球面透镜 | |
TW200817781A (en) | Backlight using high-powered corner LED | |
KR102307214B1 (ko) | 균일한 인광체 조명을 갖는 led 모듈 | |
KR20130104628A (ko) | Led 조명 모듈 | |
CN105527751B (zh) | 面光源装置和液晶显示装置 | |
KR100974336B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
KR20100062232A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
JP4221649B2 (ja) | 波長変換素子並びにその製造方法 | |
KR102160775B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR101456267B1 (ko) | 조명장치 | |
JP2008258042A (ja) | 照明装置およびこの照明装置を用いた表示装置 | |
KR20070079235A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
KR101049481B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
TWI557947B (zh) | 發光二極體組合 | |
CN213634055U (zh) | 一种芯片级显示封装结构 | |
KR20130114872A (ko) | 발광소자 패키지 | |
KR101928358B1 (ko) | 발광소자 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130528 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140605 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150604 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160608 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170621 Year of fee payment: 8 |