KR100974090B1 - 이미지 센서 패키지 - Google Patents
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Abstract
이미지 센서 패키지가 제공된다. 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상면에 적층된 이미지 센서와, 상기 반도체 기판의 하면에 형성되며, 상기 이미지 센서와 전기적으로 연결되는 패드와, 상기 반도체 기판의 하면에 박막공정으로 형성되며, 상기 패드와 전기적으로 연결된 수동 소자를 포함하는 이미지 센서 패키지가 제공된다.
이미지 센서, 반도체 기판, 패드
Description
본 발명은 반도체 기판에 수동 소자를 내장한 이미지 센서 페키지에 관한 것이다.
최근의 휴대용 전자기기를 포함한 전자제품에 있어서 소비자의 다양한 욕구가 증대하고 있다. 특히 다기능화, 소형 경량화, 고속화, 저가화, 이동 편의성이 증가, 무선을 이용한 인터넷과의 실시간 접촉, 소비자의 세련된 디자인의 욕구 등은 개발자, 디자이너, 제조업체들에게 우수한 제품을 만드는데 큰 부담을 갖게 하고 있다. 이렇게 심화된 경쟁은 하루가 다르게 경쟁사들의 신모델 출시로 이어지고 그것은 다시 관련자들에게 부담을 가중시키고 있다. 특히 휴대폰, PDA, 디지털 카메라, 노트북과 같이 모바일 제품에 대한 요구는 그 어느 때보다 커져 가고 있으며, 그 전자 부품 또한 서로 통합되고 모듈화 되면서 다기능화, 소형 경량화, 저가화 등을 구현해 가고 있다.
종래의 이미지 센서 패키지와 전기적으로 연결된 수동 소자는 도 1과 같이, 인쇄회로기판(100)에 수동 소자(101)가 결합되어 있어, 이미지 센서 패키지(10)와 는 어느 정도 이격된 거리를 유지하였다. 이와 같이, 수동 소자(101)와 이미지 센서 패키지(10)가 이격된 거리에 있음으로써, 노이즈와 기생성분이 생성되었고, 이는 제품의 성능을 감소시켰다.
본 발명은 수동 소자를 반도체 기판에 배치함으로써, 기생 성분을 감소시킬 수 있으며, 수동소자를 반도체 기판에 내장함으로써 소형화가 가능한 이미지 센서 패키지를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 상면에 적층된 이미지 센서와, 상기 반도체 기판의 하면에 형성되며, 상기 이미지 센서와 전기적으로 연결되는 패드와, 상기 반도체 기판의 하면에 박막공정으로 형성되며, 상기 패드와 전기적으로 연결된 수동 소자를 포함하는 이미지 센서 패키지가 제공된다.
상기 수동 소자는 저항이나 캐패시터일 수 있다.
웨이퍼 레벨로 점점 사이즈가 작아지는 이미지 센서 패캐지에서, 수동 소자를 반도체 기판의 후면에 박막으로 형성함으로써, 반도체 기판의 공간을 효율적으 로 사용할 수 있다. 또한, 수동 소자를 패키지에 포함시킴으로써 노이즈나 기생성분을 최소화로 할 수 있다. 따라서, 이미지 센서 패키지의 신뢰성이 증가한다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 이미지 센서 패키지의 실시예에 대하여 보다 상세하게 설명하도록 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 패키지가 결합된 인쇄회로기판의 단면도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 패키지의 단면도이며, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 패키지의 저면도이다. 도 2내지 도 4를 참조하면, 이미지 센서 패키지(20), 렌즈 어셈블리(21), 글래스(glass, 22), 이미지 센서(23), 반도체 기판(24), 비아(via, 25), 패드(26), 캐패시터(27), 하부전극(271), 유전층(272), 상부전극(273), 솔더볼(28), 인쇄회로기판(200)이 도시되어 있다.
도 2와 같이, 이미지 센서 패키지(20)는 솔더볼(28)을 이용하여, 인쇄회로기판(200)에 결합한다.
이미지 센서 패키지(20)의 구조를 도 3을 참조로 상세히 설명하면, 반도체 기판(24)의 상면에 이미지 센서(23)가 형성되어 있고, 이미지 센서(23)를 보호하기 위하여, 글래스(22)가 이미지 센서(23)의 상부에 결합된다. 또한, 외부의 상을 축소하기 위하여 렌즈 어셈블리(21)가 글래스(22)의 상면에 위치한다.
반도체 기판(24)의 하면에는 패드(26)가 결합되어 있다. 도 4와 같이 패드(26)는 이미지 센서(23)와 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 패드(26)는 수동 소자(27)와 전기적으로 연결되어 있다. 모든 패드(26)가 캐패시터(27)와 전기적으로 연결된 것은 아니고, 선택적으로 캐패시터(27)와 연결되어 있다. 패드(26)는 솔더볼(28)과 결합할 수 있도록 충분히 넓은 면적을 가지고 있으며, 또한, 표면처리가 되어 있는 것이 좋다.
한편, 패드(26)와 이미지 센서(23)를 전기적으로 연결하기 위하여 비아(25)가 반도체 기판(24)을 관통하여 형성되어 있다.
이와 같이, 반도체 기판(24)을 사이에 두고, 일면의 이미지 센서(23)와 타면에 캐패시터(27)를 위치시키는 이유는, 반도체 기판(24)의 제한된 면적을 효율적으로 활용하기 위함이다. 이미지 센서 패키지(20)에 사용되는 반도체 기판(24)는 웨이퍼 레벨(level) 정도까지 작아지는 추세이다. 즉, 반도체 기판(24)의 상면에는 이미지 센서(23)가 차지하는 영역 이외에는 더 이상의 영역이 확보되지 않는다. 따라서, 캐패시터(27)는 반도체 기판(24)의 하면에 위치하는 것이 좋다.
이와 같이, 캐패시터(27)를 반도체 기판(24)의 하면에 위치함으로써, 이미지 센서(23)와 캐패시터(27)로 이르는 전기적 패스(path)가 짧아진다. 따라서, 노이즈나 기생성분은 상당히 감소되게 된다.
이상에서는 캐패시터(27)를 예를 들어 설명하였으나, 저항이나 코일과 같은 다른 수동 소자를 반도체 기판(24)의 후면에 박막으로 형성할 수 있다.
도 4의 저면도와 같이, 캐패시터(27)는 박막 증착 공정으로 형성한다. 패드(26)의 경우 500nm정도의 두께이고, 캐패시터의 경우 400nm정도이기 때문에, 캐패시터(27)로 인하여 반도체 기판(24)의 후면이 과도하게 돌출되는 경우는 거의 없다. 따라서, 패드(26)에 솔더볼(28)을 부착하여, 이미지 센서 패키지(20)를 인쇄회로기판(200)에 결합하더라도 캐패시터(27)가 결합을 방해하지 않는다.
도 4와 같이, 회로패턴(28)이 패드(26)와 비아(25)를 연결하며, 비아(25)는 도 3의 이미지 센서(23)과 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 일부의 패드(26)는 캐패시터(27)와 전기적으로 연결되어 있다. 도 4와 같이, 유전층(272)을 중심으로, 상부전극(273)과 하부전극(271)로 이루어진 캐패시터(27)에서, 상부전극(273)과 하부전극(271)은 각각 패드(262, 261)에 결합되어 있다. 또한, 상부전극(273)과 전기적으로 연결된 패드(262)는 그라운드와 전기적으로 연결될 수 있으며, 하부전극(271)과 전기적으로 연결된 패드(261)는 전압단자와 전기적으로 연결될 수 있다.
이상의 실시예에서는 캐패시터를 예시하였으나, 저항과 같은 수동 소자도 반도체 기판의 후면에 박막으로 증착시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하였지만, 해당기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 이미지 센서 패키지가 결합된 인쇄회로기판의 단면도.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 패키지가 결합된 인쇄회로기판의 단면도.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 패키지의 단면도.
도 4은 본 발명의 일 실시예에 따른 이미지 센서 패키지의 저면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
이미지 센서 패키지(20) 렌즈 어셈블리(21)
글래스(glass, 22) 이미지 센서(23)
반도체 기판(24) 비아(25)
패드(26) 캐패시터(27)
하부전극(271) 유전층(272)
상부전극(273) 솔더볼(28)
인쇄회로기판(200)
Claims (3)
- 반도체 기판과;상기 반도체 기판의 상면에 적층된 이미지 센서와;상기 반도체 기판의 하면에 형성되며, 상기 이미지 센서와 전기적으로 연결되는 패드와;상기 반도체 기판의 하면에 박막증착공정으로 형성되며, 상기 패드와 전기적으로 연결된 수동 소자를 포함하는 이미지 센서 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 수동 소자는 캐패시터인 것을 특징으로 하는 이미지 센서 패키지.
- 제1항에 있어서,상기 수동 소자는 저항인 것을 특징으로 하는 이미지 센서 패키지.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060003436A (ko) * | 2004-07-06 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 수동 소자를 포함하는 이미지 센서 모듈 구조물 및 그제조방법 |
KR20060007848A (ko) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 모듈 |
KR20060019680A (ko) * | 2004-08-28 | 2006-03-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 이미지 센서 모듈 및 이를 구비한 카메라 모듈 |
KR20060022192A (ko) * | 2004-09-06 | 2006-03-09 | 이즈텍코리아 주식회사 | 휴대기기용 카메라 모듈 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100539234B1 (ko) * | 2003-06-11 | 2005-12-27 | 삼성전자주식회사 | 투명 고분자 소재를 적용한 씨모스형 이미지 센서 모듈 및그 제조방법 |
US7417293B2 (en) * | 2004-04-27 | 2008-08-26 | Industrial Technology Research Institute | Image sensor packaging structure |
US7297916B1 (en) * | 2005-02-22 | 2007-11-20 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Optically improved CMOS imaging sensor structure to lower imaging lens requirements |
CN100546026C (zh) * | 2007-04-29 | 2009-09-30 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 影像摄取装置 |
-
2007
- 2007-09-18 KR KR1020070094913A patent/KR100974090B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-09-16 US US12/232,384 patent/US20090072335A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060003436A (ko) * | 2004-07-06 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 수동 소자를 포함하는 이미지 센서 모듈 구조물 및 그제조방법 |
KR20060007848A (ko) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 모듈 |
KR20060019680A (ko) * | 2004-08-28 | 2006-03-06 | 삼성테크윈 주식회사 | 이미지 센서 모듈 및 이를 구비한 카메라 모듈 |
KR20060022192A (ko) * | 2004-09-06 | 2006-03-09 | 이즈텍코리아 주식회사 | 휴대기기용 카메라 모듈 |
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