KR100972112B1 - 배치 방식 반도체 제조 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 복수개의 반도체 기판을 일괄 처리할 수 있으며, 챔버 내에 노출되는 부분이 작고, 가스의 잔존 시간을 감소시키며 불순물 발생을 억제하는 배치 방식 반도체 제조 장치를 제공한다. 이를 위해, 본 발명의 일실시예에 따른 배치 방식 반도체 제조 장치는 복수개의 반도체 기판을 일괄 처리하는 배치 방식 반도체 제조 장치로서, 복수의 반도체 기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버 내에 가스를 공급하는 가스 공급원과, 상기 복수의 반도체 기판을 지지하는 반도체 기판 지지부와, 상기 챔버의 벽에 지지되어 상기 반도체 기판에 가스를 분사하기 위한 복수의 인젝터와, 상기 가스 공급원과 상기 복수의 인젝터를 연결하는 복수의 가스 공급 라인을 포함하고, 상기 복수의 반도체 기판의 각각에는 가스의 수에 따라 확장되는 적어도 하나의 상기 인젝터가 대응하도록 마련되고, 상기 인젝터와 인접하여 구비되는 밸브에 의해 상기 복수의 반도체 기판에 분사되는 가스가 개별 제어된다.
Description
도2는 도1과 유사한 장치로 주 공급 라인에서 분기되는 부 공급 라인에 의해 가스가 챔버로 공급되는 배치 방식 반도체 제조 장치의 챔버 일부를 절개한 사시도.
도3 및 도4는 도2에 도시된 장치에서 가스의 인입을 개폐하는 공압 밸브를 각각 주 가스 공급 라인 및 부 가스 공급 라인에 장착한 경우를 도시한 도면.
도5는 인젝터가 챔버의 상부벽에 장착된 배치 방식 반도체 제조 장치의 챔버의 단면도.
도6 내지 도9는 챔버 덮개가 각각 반구형, 원통형, 원추형 및 절두 원추형인 오목부를 포함하는 배치 방식 반도체 제조 장치의 챔버 덮개의 단면도.
도10은 챔버 내의 각 반도체 기판이 격벽에 의해 분리된 배치 방식 반도체 제조 장치의 챔버의 단면도.
도11은 챔버 내의 격벽이 상부벽에 설치된 것을 도시하는 단면도.
도12는 챔버 내의 격벽이 바닥벽에 설치된 것을 도시하는 단면도.
도13은 인젝터가 챔버의 측부벽에 장착된 배치 방식 반도체 제조 장치의 챔버의 단면도.
도14는 종래의 배치 방식 반도체 제조 장치의 샤워 헤드를 도시한 도면.
2a, 2b: 가스 공급원
3: 반도체 기판
4: 반도체 기판 지지대
5: 인젝터
6: 가스 공급 라인
8: 주 공급 라인
9: 부 공급 라인
10, 20: 공압 밸브
71, 72, 73, 74: 챔버 덮개
103: 반도체 기판
104: 기판 지지대
105: 샤워 헤드
106a, 106b: 가스 주입관
107: 주 가스 주입관
Claims (10)
- 복수개의 반도체 기판을 일괄 처리하는 반도체 제조 장치로서,
챔버와,
상기 챔버 내에 가스를 공급하는 가스 공급원과,
상기 복수의 반도체 기판을 지지하는 반도체 기판 지지부와,
상기 챔버의 벽에 지지되어 상기 반도체 기판에 가스를 분사하기 위한 복수의 인젝터와,
상기 가스 공급원과 상기 복수의 인젝터를 연결하는 복수의 가스 공급 라인을 포함하고,
상기 반도체 기판의 각각에는 상기 복수의 인젝터가 대응하도록 마련되고, 상기 가스 공급 라인은 상기 가스 공급원에 연결된 주 공급 라인과 상기 복수의 인젝터에 각각 연결된 부 공급 라인을 포함하고,
상기 부 공급 라인은 상기 복수의 반도체 기판의 수에 따라 상기 주 공급 라인에서 분기된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 주 공급 라인에 마련되어 가스의 인입을 개폐할 수 있는 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 청구항 2에 있어서,
상기 부 공급 라인의 각각에 마련되어 가스의 인입을 개폐할 수 있는 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 부 공급 라인의 각각에 마련되어 가스의 인입을 개폐할 수 있는 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 챔버의 벽에는 상기 복수의 인젝터가 장착되는 오목부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 청구항 5에 있어서,
상기 오목부는 반구, 원통형, 원추형 또는 절두 원추형인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 청구항 6에 있어서,
상기 인젝터는 상기 챔버의 상부벽에 장착된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 인젝터는 상기 반도체 기판의 측부에서 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 청구항 8에 있어서,
상기 인젝터는 상기 챔버의 측부벽에 장착된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치. - 삭제
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KR20030002776A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 박막 증착 장비 |
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