KR100967188B1 - Method of manufacturing anti-reflective coating and cover substrate for solar cell manufactured by thereof - Google Patents
Method of manufacturing anti-reflective coating and cover substrate for solar cell manufactured by thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR100967188B1 KR100967188B1 KR1020090116951A KR20090116951A KR100967188B1 KR 100967188 B1 KR100967188 B1 KR 100967188B1 KR 1020090116951 A KR1020090116951 A KR 1020090116951A KR 20090116951 A KR20090116951 A KR 20090116951A KR 100967188 B1 KR100967188 B1 KR 100967188B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- silica
- manufacturing
- porous thin
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 title description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 71
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 54
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 38
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 4
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 18
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 abstract description 6
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 30
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 14
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 8
- -1 silane compound Chemical class 0.000 description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000000469 dry deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- UROHSXQUJQQUOO-UHFFFAOYSA-M (4-benzoylphenyl)methyl-trimethylazanium;chloride Chemical compound [Cl-].C1=CC(C[N+](C)(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 UROHSXQUJQQUOO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenyl-2-propan-2-yloxyethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC(C)C)C(=O)C1=CC=CC=C1 MSAHTMIQULFMRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 1,8-dibromooctane Chemical compound BrCCCCCCCCBr DKEGCUDAFWNSSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012956 1-hydroxycyclohexylphenyl-ketone Substances 0.000 description 1
- PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 2,2-diethoxy-1-phenylethanone Chemical compound CCOC(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 PIZHFBODNLEQBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 2,4-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(CC)=CC(CC)=C3SC2=C1 BTJPUDCSZVCXFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KMNCBSZOIQAUFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004864 4-thiomethylphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- NQSMEZJWJJVYOI-UHFFFAOYSA-N Methyl 2-benzoylbenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 NQSMEZJWJJVYOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001007 Nylon 4 Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Chemical class 0.000 description 1
- NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N Propionic aldehyde Chemical compound CCC=O NBBJYMSMWIIQGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- AJRLFVSLWSIZDM-UHFFFAOYSA-N [2,3-diphenyl-4-(2,4,6-trimethylbenzoyl)benzoyl] 2,3-diphenyl-4-(2,4,6-trimethylbenzoyl)benzoate Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(=O)C(C(=C1C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=CC=C1C(=O)OC(=O)C(C(=C1C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=CC=C1C(=O)C1=C(C)C=C(C)C=C1C AJRLFVSLWSIZDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001541 aziridines Chemical class 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N bis[2-(1-hydroxycyclohexyl)phenyl]methanone Chemical compound C=1C=CC=C(C(=O)C=2C(=CC=CC=2)C2(O)CCCCC2)C=1C1(O)CCCCC1 MQDJYUACMFCOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDVNNDYBCWZVTI-UHFFFAOYSA-N bis[4-(ethylamino)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(NCC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(NCC)C=C1 QDVNNDYBCWZVTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000012698 colloidal precursor Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000000567 combustion gas Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N desyl alcohol Natural products C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N hydrazine Substances NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- LYXOWKPVTCPORE-UHFFFAOYSA-N phenyl-(4-phenylphenyl)methanone Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 LYXOWKPVTCPORE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Chemical class 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- WAOWQLJJQBDGQC-UHFFFAOYSA-N tetraazanium;tetrafluoride Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[F-].[F-].[F-].[F-] WAOWQLJJQBDGQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
Description
본 발명은 반사방지막 제조방법 및 그로 인해 제조된 태양전지용 커버 기판에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 태양전지용 커버 글라스, 디스플레이용 기판, 일반 건축용 유리 및 플라스틱 기판에 적용되는 고투과 반사방지막을 제조하는 방법 및 그로 인해 제조된 태양전지용 커버 기판에 관한 것이다. The present invention relates to a method for manufacturing an antireflection film and a cover substrate for a solar cell manufactured thereby, and more particularly, a method for manufacturing a high permeation antireflection film applied to a solar cell cover glass, a display substrate, a general building glass, and a plastic substrate. It relates to a solar cell cover substrate thus produced.
반사방지막(anti-reflective coating)은 고투과율과 저반사 특성을 요하는 렌즈, 필터 등의 광학 소재가 적용되는 태양전지용 커버 글라스, 디스플레이용 기판, 일반 건축용 유리 및 플라스틱 기판 등 여러 분야에서 광범위하게 사용되고 있다. Anti-reflective coatings are widely used in many fields such as cover glass for solar cells, display substrates, general building glass and plastic substrates, which are applied to optical materials such as lenses and filters that require high transmittance and low reflection characteristics. have.
이처럼, 반사방지와 고투과 특성을 갖춘 반사방지막이 특히 요구되는 기술분야는 태양전지 분야이다. 태양전지는 글라스 또는 투명 고분자 수지로 이루어진 상 하 양 기판 사이에 적어도 하나의 층으로 이루어진 반도체 광전자 전이 필름이 형성되어, 외부에서 들어온 태양광에 의해 전력을 생산한다. 이러한 태양전지의 효율을 높이기 위해서는 태양전지 내의 활성층에 도달하는 광전자(photon)의 수를 극대화하고, 전지 표면의 반사에 의한 손실을 최소화하는 것이 매우 중요하다. As such, a technical field in which an antireflection film having antireflection and high transmissive properties is particularly required is the solar cell field. In the solar cell, a semiconductor optoelectronic transfer film composed of at least one layer is formed between upper and lower substrates made of glass or transparent polymer resin, and generates electric power by sunlight from outside. In order to increase the efficiency of such a solar cell, it is very important to maximize the number of photons reaching the active layer in the solar cell and to minimize the loss due to reflection of the cell surface.
일반적으로 반사에 의한 손실은 사용되는 소재와 공기 간의 굴절률 차이에서 비롯된다. 이러한 굴절률 차이가 클수록 반사에 의하여 초래되는 손실이 커진다. 일반적으로, 반사방지막은 공기와 사용되는 기초 재료의 굴절률의 중간 정도 굴절률을 가지는 재료를 이용하여 박막 형태로 제조되며, 그 두께는 목적하는 빛의 파장 영역대에서의 간섭을 최소화시킬 수 있을 정도로 최적화 설계된다. 따라서, 모든 기판에 사용될 수 있는 반사방지막이란 존재할 수 없으며, 각각의 개별 기판에 따라 반사에 의한 손실이 최소화될 수 있도록 최적의 재질/두께를 갖는 반사방지막을 사용하여야 할 것이다. In general, the loss due to reflection comes from the difference in refractive index between the material used and the air. The larger this difference in refractive index, the greater the loss caused by reflection. In general, the anti-reflection film is manufactured in the form of a thin film using a material having a refractive index about half the refractive index of the air and the base material used, and its thickness is optimized to minimize interference in the wavelength range of the desired light. Is designed. Therefore, there can be no anti-reflection film that can be used for all substrates, and it is necessary to use an anti-reflection film having an optimal material / thickness so that the loss due to reflection can be minimized according to each individual substrate.
이들 물질의 굴절률을 다양하게 변화시켜 서로 다른 소재로 이루어진 기판에 폭넓게 적용시키기 위해서, 최근에는 다양한 다공성 박막을 형성하는 기술이 제시되고 있다. 특정 물질들이 다공성으로 제조되면, 굴절률이 감소하여, 물질의 반사방지 특성이 향상되기 때문이다. In order to apply various materials to substrates made of different materials by varying the refractive indices of various materials, a technique of forming various porous thin films has recently been proposed. When certain materials are made porous, the refractive index is reduced, thereby improving the antireflective properties of the material.
이와 같은 다공성 반사반지막을 포함한 일반적인 반사방지막에 사용되는 주된 물질들은 유전체(dielectric material)로서, 예를 들어 550nm 파장에서의 굴절률은 실리카(n550=1.45), 티타니아(n550=2.3), 알루미나(n550=1.65)이다. 일반적으로 이들 물질은 기판에 예를 들어 스퍼터링, 음극 스프레이법(cathode spraying), 디핑법(dipping) 및 졸-겔법을 이용한 화학적기상증착법(CVD) 등 여러 가지 방법에 의하여 증착된다.The main materials used in general antireflection films including such porous antireflection films are dielectric materials. For example, the refractive index at a wavelength of 550 nm is silica (n 550 = 1.45), titania (n 550 = 2.3), alumina ( n 550 = 1.65). In general, these materials are deposited on the substrate by various methods such as sputtering, cathode spraying, dipping, and chemical vapor deposition (CVD) using sol-gel methods.
예를 들어, 이러한 반사방지막은 태양전지의 전면부 커버 글라스에 증착되는데, 이와 같은 태양전지용 반사방지막의 형성방법은 스퍼터링 증착법 등의 진공상태에서의 건식증착법에 의존하고 있는 것이 현실이다. 그러나, 이러한 스퍼터링 등의 건식증착법은 그 비용이 많이 들고, 공정이 복잡할 뿐만 아니라, 투과율이 저하되는 문제점이 있었다. 또한, 음극 스프레이법은 생성되는 박막의 균일성 확보 및 재료 사용에 있어서의 수율 확보 면에서 어려움이 있으며, 디핑법의 경우에는 나노 박막 형성 과정에 많은 공정 시간이 요구되며, 투자 비용이 높다. For example, such an anti-reflection film is deposited on the front cover glass of the solar cell, and the method of forming such an anti-reflection film for the solar cell is actually dependent on dry deposition in a vacuum state such as sputtering deposition. However, such a dry deposition method such as sputtering is expensive, the process is complicated, and there is a problem that the transmittance is lowered. In addition, the cathode spray method has difficulty in securing uniformity of the resulting thin film and securing a yield in using a material. In the dipping method, a large process time is required for the nano thin film formation process, and the investment cost is high.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 일본공개특허 제2008-260654호 등에서는, 고굴절율과 저굴절율으로 이루어지는 조합 박막층을 적층하는 수단에 의하여, 태양전지 셀이 유효하게 광전변환하는 파장대역의 반사를 억제하고, 광투과량을 향상시키는 기술이 제시되었으나, 이러한 구성에 의하더라도, 박막 두께의 제어나 코팅 공법의 안정화, 재료 선택의 한계점이 여전히 존재한다. In order to solve such a problem, Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-260654 and the like, by means of stacking a combination thin film layer having a high refractive index and a low refractive index, suppresses reflection of a wavelength band that a photovoltaic cell effectively photoelectrically converts, Techniques for improving the light transmittance have been proposed, but even with such a configuration, there are still limitations in controlling the thickness of the film, stabilizing the coating method, and material selection.
아울러, 반사방지막의 표면 구조에 있어서도, 저반사 특성을 향상시키기 위하여, 표면에 요철을 형성한 반사방지막이 지속적으로 연구되고 있으나, 이러한 표면요철 구조 또한, 이를 장시간 사용할 경우에는 표면에 오염이 발생하기 쉬운 문제점이 있었다. In addition, even in the surface structure of the antireflection film, in order to improve the low reflection characteristics, the antireflection film having irregularities formed on the surface is continuously studied, but such surface irregularities also cause contamination on the surface when used for a long time. There was an easy issue.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 소위 '연소가열증착법'에 의하여 글라스 또는 고분자 수지로 이루어진 기판 위에 실리카로 이루어진 다공성 박막을 증착시켜, 저반사-고투과 특성을 갖춘 태양전지용, 디스플레이 기판용 및 건축용 반사방지막을 제조하는 방법을 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above problems, an object of the present invention by depositing a porous thin film made of silica on a substrate made of glass or polymer resin by the so-called 'combustion heating evaporation method', for a solar cell having a low reflection-high permeability characteristics To provide a method for manufacturing an antireflection film for display substrates and architectural use.
또한, 본 발명의 목적은 반사방지막으로 사용되는 다공성 박막에 오염물질이 부착되지 않도록 표면 보호층을 구비한 반사방지막을 제공하는데 있다. In addition, an object of the present invention is to provide an antireflection film having a surface protective layer to prevent contaminants from adhering to the porous thin film used as the antireflection film.
상기 과제를 해결할 수 있는 본 발명의 제1실시형태에 의한 반사방지막의 제조방법은, 액상 실리카를 포함하는 실리카 전구체를 제조하는 전구체 제조단계; 및 글라스 또는 고분자 수지로 이루어진 기판의 일면에 상기 실리카 전구체를 액적 형태로 분사함과 동시에, 상기 액적에 화염을 가하여 연소시킴으로써, 상기 실리카 전구체를 상기 기판의 표면에 다공성 박막으로 증착시키는 증착단계를 포함한다.Method for producing an anti-reflection film according to a first embodiment of the present invention that can solve the above problems, precursor manufacturing step of producing a silica precursor containing liquid silica; And depositing the silica precursor on the surface of the substrate by spraying the silica precursor on one surface of the substrate made of glass or polymer resin and simultaneously burning the silica precursor with a flame. do.
또한, 본 발명의 제2실시형태에 의한 반사방지막의 제조방법은, 상기 증착단계 이후에, 상기 다공성 박막 위에 실리카 졸 및 경화성 고분자 수지 또는 실란계 중합물질로 이루어진 중합물질을 포함하는 고분자 조성물을 코팅하고, 이를 경화시켜 보호층을 형성하는 보호층 형성단계를 더 포함하여 이루어진다. In addition, the method of manufacturing an anti-reflection film according to a second embodiment of the present invention, after the deposition step, coating a polymer composition comprising a polymer material consisting of a silica sol and a curable polymer resin or a silane polymer on the porous thin film. And, it further comprises a protective layer forming step of forming a protective layer by curing it.
이러한 제조방법에 의하여 형성된 반사방지막이 적용된 태양전지용 커버 기 판은, 도 1a에 나타낸 바와 같이, 글라스 또는 고분자 수지로 이루어진 기판(100), 실리카를 주성분으로 이루어진 다공성 박막(10) 및 보호층(20) 순으로 적층되어 이루어진다. 또한, 다공성 박막(10) 및 보호층(20)으로 이루어진 반사방지막(200)은, 기판(100)의 양면에 형성될 수도 있다. 이렇게 일면 또는 양면에 다공성 박막(10) 및 보호층(20)으로 이루어진 반사방지막(200)이 형성된 기판은, 태양전지용 커버 글라스 기판, 디스플레이 소자용 기판, 건축용 유리 또는 기타 플라스틱 기판으로서 적용가능하며, 특히 바람직하게는 태양전지용 커버 (글라스) 기판으로서 사용된다. The solar cell cover substrate to which the antireflection film formed by the manufacturing method is applied is, as shown in FIG. 1A, a
이러한 태양전지용 커버 기판이 적용된 태양전지는, 도 1b에 나타낸 바와 같이, 빛의 입사측으로부터, 반사방지막(AR)(200), 상부기판(100), 투명전도성산화물(TCO) 전극층(300), 반도체를 포함하는 박막 태양전지층(400), EVA(에틸렌비닐아세테이트)층(500) 및 하부기판(600)으로 이루어진다. As shown in FIG. 1B, the solar cell to which the cover substrate for the solar cell is applied includes an antireflection film (AR) 200, an
즉, 상기 본 발명의 제1실시형태에 의한 반사방지막의 제조방법에 따르면, 액상 실리카를 포함하는 실리카 졸을 이용하며, 이를 본 발명자들이 고안한 '연소가열증착법'에 의하여 글라스 또는 고분자 수지로 이루어진 기판 위에 증착시킴으로써 나노사이즈 두께의 다공성 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 예를 들어 태양전지의 커버 글라스에 적용될 경우, 입사되는 태양광의 반사율을 극소화시킴으로써, 보다 많은 양의 태양광, 특히 가시광선이 커버 글라스를 투과하여 반도체 활성층에 도달되게 하여, 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.That is, according to the method of manufacturing the antireflection film according to the first embodiment of the present invention, a silica sol containing liquid silica is used, which is made of glass or polymer resin by the 'combustion heating deposition method' devised by the present inventors. The present invention relates to a method for producing a nano-sized porous thin film by depositing on a substrate, and when applied to a cover glass of a solar cell, for example, by minimizing the reflectance of incident sunlight, a greater amount of sunlight, in particular visible light, By passing through the cover glass to reach the semiconductor active layer, it is possible to improve the efficiency of the solar cell.
또한, 상기 본 발명의 제2실시형태에 의한 반사방지막의 제조방법에 따르면, 상기 제1실시형태에 의하여 제조된 다공성 박막 위에 보호층을 형성하여, 표면에 이물질이 부착되지 않도록 함으로써, 반사방지막 표면의 오염을 방지할 수 있다.In addition, according to the method for manufacturing an antireflection film according to the second embodiment of the present invention, by forming a protective layer on the porous thin film prepared according to the first embodiment, by preventing foreign matter from adhering to the surface, the surface of the antireflection film Contamination can be prevented.
이하에서는, 상기 본 발명의 일 실시형태에 의한 제조방법에 대하여 순차적으로 설명하기로 한다. Hereinafter, the manufacturing method by one embodiment of the present invention will be described sequentially.
전구체 제조단계는, 액상실리카를 포함하는 실리카 전구체를 제조하는 단계로서, 본 발명에서는 다양한 종래 기술을 제한 없이 사용하여 실리카 전구체를 제조할 수 있다. 예를 들어, 미국등록특허 US4,816,333, 유럽특허 EP897,888에 제시된 바와 같이, 콜로이드 전구체용액을 산 또는 염기에 안정화시키는 방법을 사용하거나, 미국등록특허 US4,271,210에 제시된 바와 같이, 금속알콕시드를 수용액 또는 알콜용액에서 산을 매개로 가수분해하여 얻어진 콜로이드 용액을 사용할 수 있다. The precursor manufacturing step is to prepare a silica precursor including liquid silica, and in the present invention, various conventional techniques may be used without limitation to prepare a silica precursor. For example, as described in US Pat. No. 4,816,333, European Patent EP897,888, a method of stabilizing colloidal precursor solutions with acids or bases, or as shown in US Pat. No. 4,271,210, metalalkoxides The colloidal solution obtained by hydrolyzing the acid through an acid in an aqueous solution or alcohol solution can be used.
또한, 이러한 전구체에 사용되는 나노입자는 액상 실리카(SiO2)를 주성분으로 하되, 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 마그네슘(Mg), 토륨(Th), 인듐(In), 세륨(Ce), 아연(Zn), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 탄탈(Ta), 아연/주석(Zn/Sn) 및 인듐/주석(In/Sn) 중에서 선택되는 단독 또는 2종 이상의 금속의 산화물을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 본 발명에서는 산화 알루미나(Al2O3), 산화아연(ZnO), 티타니아(TiO2), 지르코니아(ZrO2), 아연/주석산화물(ZTO) 및 인듐/주석산화물(ITO) 등의 금속산화물이 사용될 수 있다. 이러한 금속 산화물과 함께, 폴리에틸렌글리콜 유도체를 사용하여, 다공질 형성을 촉진시킬 수도 있으며, 알코올 등의 용매를 사용하여 나노분말을 분산시킬 수도 있다. 또한, 테트라에톡시실 란(TEOS) 용액 등의 실란화합물을 첨가하여, 상기 실리카 입자가 후술하는 연소가열증착법을 이용할 때, 기판에 증착되는 미립자의 크기를 조절할 수 있도록 유도할 수 있다. In addition, the nanoparticles used in these precursors are based on liquid silica (SiO 2 ), but include titanium (Ti), aluminum (Al), tin (Sn), magnesium (Mg), thorium (Th), and indium (In). Single or two selected from cerium (Ce), zinc (Zn), zirconium (Zr), niobium (Nb), tantalum (Ta), zinc / tin (Zn / Sn), and indium / tin (In / Sn) It may further include an oxide of the above metal. For example, in the present invention, alumina oxide (Al 2 O 3 ), zinc oxide (ZnO), titania (TiO 2 ), zirconia (ZrO 2 ), zinc / tin oxide (ZTO) and indium / tin oxide (ITO), etc. Of metal oxides may be used. Together with such metal oxides, polyethylene glycol derivatives may be used to promote porous formation, and nanopowders may be dispersed using a solvent such as alcohol. In addition, a silane compound such as a tetraethoxysilane (TEOS) solution may be added to induce the silica particles to control the size of the fine particles deposited on the substrate when the combustion heating deposition method described below is used.
증착단계는, 기판의 일면에 상기 실리카 전구체를 액적 형태로 분사함과 동시에, 상기 액적에 화염을 가하여 연소시킴으로써, 상기 실리카 전구체를 상기 기판의 표면에 다공성 박막으로 증착시키는 단계이다. 이러한 증착단계의 특징은, 진공을 조성할 필요 없이, 대기압에서 수행할 수 있다는 것이다. The deposition step is a step of depositing the silica precursor on the surface of the substrate as a porous thin film by simultaneously spraying the silica precursor on the surface of the substrate in the form of droplets, by applying flame to the droplets. The feature of this deposition step is that it can be carried out at atmospheric pressure, without the need to build a vacuum.
본 발명에 의한 증착단계에서 사용되는 증착방법은 소위 "연소가열증착법", 특히 스프레이 열분해법으로 규정될 수 있다. 즉, 실리카 전구체를 스프레이 방식에 의하여 액적 형태로 공기 중에 분사하면서, 버너 등에 의하여 제공되는 부탄 또는 프로판 연소가스와 반응하여 연소되고, 연소된 실리카 전구체는 수십 nm의 미립자 형태로 기판에 증착되어, 다공성 박막을 형성한다. 이러한 연소가열증착법을 사용함으로써, 스퍼터링 기타 공지의 증착법에 비하여 훨씬 저렴하고, 자본투입이 적게 드는 이점을 누릴 수 있다. 나아가, 다공성 박막을 형성함으로써, 굴절률이 감소하여, 물질의 반사방지 특성이 향상되는 장점이 있다.The deposition method used in the deposition step according to the present invention may be defined as so-called "combustion heating deposition", in particular spray pyrolysis. That is, the silica precursor is sprayed into the air in the form of droplets by a spray method, and is reacted with butane or propane combustion gas provided by a burner or the like to be combusted, and the burned silica precursor is deposited on the substrate in the form of tens of nm fine particles, and thus porous. Form a thin film. By using such a combustion heating deposition method, it is possible to take advantage of much lower cost and lower capital input compared to sputtering or other known deposition methods. Furthermore, by forming the porous thin film, the refractive index is reduced, there is an advantage that the antireflection properties of the material is improved.
이러한 증착단계에 의하여 의하여 형성된 다공성 박막은, 일반적으로 미반응 실리카층을 포함하게 되는데, 이처럼 미반응층이 존재하는 경우에는 광특성에 악영향을 줄 수 있다. 따라서, 증착단계를 수행한 이후에, 이러한 실리카 미반응층을 제거하기 위하여 습식 또는 건식 에칭 및 수세 등에 의한 세정공정을 수행하는 것이 바람직하다. The porous thin film formed by such a deposition step generally includes an unreacted silica layer, and when such an unreacted layer is present, it may adversely affect optical properties. Therefore, after performing the deposition step, it is preferable to perform a cleaning process by wet or dry etching and washing in order to remove the unreacted silica layer.
여기서, 본 발명에서 사용되는 기판으로서는, 글라스 또는 투명 플라스틱 기판이 사용될 수 있으며, 태양전지용 커버 기판으로 사용되기 위해서는 특히 글라스를 사용하는 것이 바람직하다. 나아가, 태양전지 모듈의 출력이 태양광의 소정 스펙트럼, 바람직하게는 가시광선에 해당하는 파장영역의 빛이 커버 글라스를 투과하여 광기전 반도체(구체적으로는 활성층)에 도달하는 광량에 의존하는 점에 있어서, 철분이 0.01 내지 0.06%, 바람직하게는 0.01 내지 0.04%, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 0.03%로 포함된 저-철분(low-iron) 내지는 무철분(iron-free) 글라스를 사용하는 것이, 일반적인 플로우트 글라스에 비하여 광 흡수율을 감소시킬 수 있어 바람직하다. 투명 고분자 수지 기판으로서는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 아크릴레이트 등 공지의 투명 고분자 수지가 제한 없이 적용될 수 있다. Here, as the substrate used in the present invention, a glass or a transparent plastic substrate may be used, and in order to be used as a cover substrate for a solar cell, it is particularly preferable to use glass. Furthermore, in that the output of the solar cell module depends on the amount of light that the light of the wavelength spectrum corresponding to the predetermined spectrum of sunlight, preferably visible light, passes through the cover glass and reaches the photovoltaic semiconductor (specifically, the active layer). It is common to use low-iron or iron-free glass containing iron in an amount of 0.01 to 0.06%, preferably 0.01 to 0.04%, and more preferably 0.01 to 0.03%. It is preferable because the light absorption can be reduced as compared with the float glass. As the transparent polymer resin substrate, a known transparent polymer resin such as polymethyl methacrylate (PMMA) or acrylate can be applied without limitation.
보호층 형성단계는, 상기 증착단계 이후에, 상기 다공성 박막 위에 실리카 졸 및 경화성 고분자 수지 또는 실란계 중합물질로 이루어진 중합물질을 포함하는 고분자 조성물을 코팅하고, 이를 경화시켜 보호층을 형성하는 단계이다. 보호층을 형성함으로써, 증착단계에 의하여 형성된 다공성 박막을 외부환경으로부터 보호하고, 특히 오염물질이 부착되지 않도록 함으로써, 오염으로부터 보호되는 반사방지막을 구성할 수 있다. The protective layer forming step is a step of forming a protective layer by coating a polymer composition including a polymer made of a silica sol and a curable polymer resin or a silane-based polymer material on the porous thin film after the deposition step. . By forming a protective layer, the porous thin film formed by the deposition step may be protected from the external environment, and in particular, to prevent adhesion of contaminants, thereby forming an antireflection film that is protected from contamination.
보호층 형성단계에서 사용되는 코팅방법으로서는 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 롤 코팅 등, 공지의 방법을 제한 없이 사용할 수 있으며, 균일한 두께의 보호층을 형성하기 위하여, 바람직하게는 스핀코팅에 의하여 조성물을 다공성 박막 위에 코팅한 후, 이를 예를 들어 100 내지 400℃ 온도에서 열경화시키거나 또는 300 내지 400℃ 온도에서 광경화 방식에 의하여 경화시키는 공정을 수행하는 방법에 따를 수 있다. 또는, 경화 공정이 마무리되는 대로, 600 내지 800℃ 온도에서 3 내지 10분간 열처리하여, 경화물을 안정화시킬 수 있다. 이러한 경화공정 또는 열처리 공정 후에는 온도를 상온으로 냉각시키면서 건조시키는 공정을 수행한다. As the coating method used in the protective layer forming step, known methods such as spin coating, spray coating and roll coating can be used without limitation. In order to form a protective layer having a uniform thickness, the composition is preferably spin coated. After coating on the porous thin film, for example, it may be followed by a method of performing a step of curing by thermal curing at a temperature of 100 to 400 ° C or by a photocuring method at a temperature of 300 to 400 ° C. Alternatively, as the curing step is finished, the cured product may be stabilized by heat treatment at 600 to 800 ° C. for 3 to 10 minutes. After the curing step or the heat treatment step is carried out a step of drying while cooling the temperature to room temperature.
이러한 보호층 형성단계에 의하여 형성된 보호층은, 하드코팅층으로서의 역할도 수행하며, 그 표면의 연필경도는 약 2H 이상, 바람직하게는 5H 이상으로 형성된다. The protective layer formed by the protective layer forming step also serves as a hard coating layer, the pencil hardness of the surface is formed to about 2H or more, preferably 5H or more.
보호층 형성단계에서 사용되는 실리카 졸은 상기 전구체 제조단계에서 제조된 실리카 전구체를 사용하는 것이 바람직하며, 중합물질 중 하나인 경화성 고분자 수지로서는 열경화성 고분자 수지 또는 광경화성 고분자 수지 중 적어도 하나를 사용한다. 열경화성 고분자 수지와 광경화성 고분자 수지는 일반적으로 알려진 공지의 수지를 사용한다. 열경화성 고분자 수지 중에서 축중합형 수지로는 페놀수지, 요소수지, 멜라민수지, 폴리피롤리돈 수지 등을 들 수 있으며, 첨가중합형 수지로는 에폭시 수지, 폴리에스테르 수지 등이 있다. 본 발명에서는 이들을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 광경화성 고분자 수지로는 일반적으로 UV경화성수지를 사용한다. 광경화성 고분자 수지로는 불포화 폴리에스테르 수지, 다관능 아크릴레이트 수지, 에폭시 아크릴 수지, 에폭시 아크릴레이트 수지 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용가능한 경화성수지는 동일한 작용 효과를 나타낸다면 그 범위가 나열된 수지에 한정되지 않음은 물론이다. 아울러, 경화성 고분자 수지를 대체하여 사용될 수 있는 실란계 중합물질은 글리콜사이클옥시프로필 트리메톡실란(glycycloxypropyltrimethoxysilane) 등의 실란화합물이 사용될 수 있다. As the silica sol used in the protective layer forming step, it is preferable to use the silica precursor prepared in the precursor manufacturing step, and at least one of a thermosetting polymer resin or a photocurable polymer resin is used as the curable polymer resin, which is one of the polymers. As the thermosetting polymer resin and the photocurable polymer resin, generally known and known resins are used. Among the thermosetting polymer resins, polycondensation-type resins include phenol resins, urea resins, melamine resins, polypyrrolidone resins, and the like, and epoxy resins, polyester resins, and the like. In this invention, these can be used individually or in mixture. UV curable resins are generally used as the photocurable polymer resin. As a photocurable polymer resin, unsaturated polyester resin, a polyfunctional acrylate resin, an epoxy acrylic resin, an epoxy acrylate resin, etc. can be used individually or in mixture. Curable resins usable in the present invention are, of course, not limited to the listed resins as long as they exhibit the same effect. In addition, as the silane-based polymer that can be used in place of the curable polymer resin, a silane compound such as glycolcycloxypropyltrimethoxysilane may be used.
이러한 중합물질 조성물에는 물 또는 알코올 등의 용매와 함께, 경화제, 광중합개시제, 레벨링제 등의 첨가제가 사용될 수 있다. 이러한 경화제는 열경화성수지, 광경화성수지, 광확산코팅조성물에 존재하는 관능기의 형태에 따라서 적절히 선택 및 혼합하여 사용할 수 있다. 경화제로서는 바람직하게는 이소시아네이트계 화합물, 에폭시계 화합물, 아지리딘계 화합물, 금속 킬레이트 화합물, 금속 알콕사이드 금속염, 아민 화합물, 히드리진 화합물 등을 단독 또는 혼합하여 사용한다. 또한, 경화성수지로 광경화성수지를 사용하고 이를 경화하기 위하여 광경화제를 사용하는 경우, 필요에 따라서 중합개시제를 첨가할 수 있다. 본 발명에서 사용하는 광중합개시제는 디에톡시아세트페논, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 벤질디메틸케탈, 1-하이드록시사이클로헥실-페닐케톤, 2-메틸-2-모르핀(4-티오메틸페닐) 프로판-1-온 등의 아세트페논류, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인에테르류, 벤조페논, o-벤조일안식향산메틸, 4-페닐벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐아황산, 4-벤조일-N, N-디메틸-N-[2-(1-옥소-2-프로페닐옥시)에틸] 벤젠메타나미늄블로미드, (4-벤조일벤질) 트리메틸암모늄클로라이드 등의 벤조페논류, 2, 4-디에틸티옥산톤, 1-클로로-4-디클로로티옥산톤 등의 티옥산톤류, 2, 4, 6-트리메틸벤조일디페닐벤조일옥사이드 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 또, 촉진제(증감제)로서, N, N-디메틸파라톨루이진, 4, 4'-디에틸아미노벤조페논 등의 아민계 화합물을 단독 또는 혼 합하여 사용할 수도 있다.In the polymer composition, additives such as a curing agent, a photopolymerization initiator, and a leveling agent may be used together with a solvent such as water or alcohol. Such a curing agent may be appropriately selected and mixed according to the form of the functional group present in the thermosetting resin, the photocurable resin, and the light diffusion coating composition. As a hardening | curing agent, Preferably, an isocyanate type compound, an epoxy type compound, an aziridine type compound, a metal chelate compound, a metal alkoxide metal salt, an amine compound, a hydrazine compound, etc. are used individually or in mixture. In addition, when the photocurable resin is used as the curable resin and a photocuring agent is used to cure it, a polymerization initiator may be added as necessary. The photoinitiator used in the present invention is diethoxyacetphenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, benzyl dimethyl ketal, 1-hydroxycyclohexyl-phenyl ketone, 2-methyl-2 Benzoin ethers such as acepine (4-thiomethylphenyl) propane-1-one, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4-phenylbenzophenone, 4-benzoyl-4'-methyldiphenylsulfite, 4-benzoyl-N, N-dimethyl-N- [2- (1-oxo-2-propenyloxy) Ethyl] Benzophenones, such as benzene methananium bromide and (4-benzoyl benzyl) trimethylammonium chloride, thioxanthones, such as 2, 4- diethyl thioxanthone and 1-chloro-4- dichloro thioxanthone, 2, 4, 6-trimethylbenzoyldiphenylbenzoyl oxide, etc. can be used individually or in mixture. Moreover, as an accelerator (sensitizer), amine compounds, such as N, N- dimethyl paratoluidin, and 4, 4'- diethylamino benzophenone, can also be used individually or in mixture.
이러한 증착단계 및 보호층 형성단계에 의하여 형성된 다공성 박막(10) 및 보호층(20)의 두께는 각각 바람직하게는 30 내지 150nm, 더욱 바람직하게는 80 내지 140nm이다. 이러한 두께는 본 발명에 의한 증착단계에 있어서의 연소가열증착법에 의하여 실리카 전구체가 나노크기로 미립자화되어 증착되었기 때문에 용이하게 달성될 수 있으며, 상기 두께는 투과되는 태양광 파장의 약 1/4 파장으로 형성되는 것이다. 이러한 두께로 다공성 박막 및 보호층을 구성함으로써, 다공성 박막(10)과 보호층(20)이 이루는 계면에서의 반사를 최소화시킬 수 있다. The thicknesses of the porous
여기서, 본 발명에 의하여 형성된 다공성 박막(10)의 굴절률은 1.4 내지 1.6, 바람직하게는 1.43 내지 1.5이고, 보호층(20)의 굴절률은 1.8 내지 2.6, 바람직하게는 2.0 내지 2.5로서, 굴절률이 상이한 2중층 구조로 구성되어, 투과율을 극대화시킬 수 있다.Here, the refractive index of the porous
본 발명에 의하면, 제조방법이 간단하고 경제적이어서, 제조비용이 획기적으로 절감될 수 있는 다공성 반사방지막의 제조방법을 제공할 수 있다. According to the present invention, the manufacturing method is simple and economical, it is possible to provide a method for producing a porous anti-reflection film that can significantly reduce the manufacturing cost.
또한, 본 발명에 의하면, 종래의 건식 증착법 대비하여 투과율이 월등히 우수한 반사방지막을 제조할 수 있는 장점이 있다. In addition, according to the present invention, there is an advantage that can be produced an antireflection film excellent in transmittance as compared to the conventional dry deposition method.
아울러, 단독으로 반사방지막을 구성할 수 있는 다공성 박막과 아울러, 다공성 박막의 표면에 보호층을 구비하여, 오염물질의 부착을 방지할 수 있는 반사방지막을 제공할 수 있다. In addition, the anti-reflection film which can prevent the adhesion of contaminants can be provided by providing a protective layer on the surface of the porous thin film as well as the porous thin film that can form the anti-reflection film alone.
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예를 통하여, 본 발명에 의한 반사방지막 제조방법 및 그로 인해 형성된 태양전지용 커버 기판의 특징에 대하여 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, the embodiment of the present invention and the comparative example, it will be described in detail with respect to the anti-reflection film manufacturing method according to the present invention and the features of the solar cell cover substrate formed thereby.
실시예Example 1 One
메틸에틸케톤(MEK)를 용매로 하여, 콜로이드 실리카를 포함하는 실리카 전구체를 철분이 0.03%로 포함된 저철분 글라스 기판 위에 액적 형태로 분사하면서 버너에서 공급되는 프로판가스를 이용하여 연소시킴으로써 글라스 기판상에 증착하여, 100nm의 다공성 박막을 형성하였다. 이후, 표면에 미반응된 실리카는 에칭/세정으로 제거하였다.Using methyl ethyl ketone (MEK) as a solvent, a silica precursor containing colloidal silica was sprayed onto the low iron glass substrate containing 0.03% of iron in the form of droplets and burned using propane gas supplied from the burner to burn the silica precursor on the glass substrate. It was deposited to form a porous thin film of 100nm. Thereafter, unreacted silica on the surface was removed by etching / cleaning.
실시예Example 2 2
실시예 1로부터 제조된 다공성 반사방지막이 형성된 기판상에, 에탄올(Ethanol)을 용매로 하는 실란(Silane)을 함유한 전구체 10중량%, 또는 n-프로판올 60중량%, 자외선 경화성 수지인 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트 및 광중합 개시제로 이루어진 고분자 조성물 30중량%를 혼합한 조성물을 스핀코팅에 의하여 코팅한 후, 이를 열 경화 및 자외선으로 경화시켜 보호층을 형성하였다. 10 wt% of a precursor containing silane (Silane) containing ethanol as a solvent or 60 wt% of n-propanol on a substrate having a porous antireflective film prepared in Example 1, a dipentaeryte, which is an ultraviolet curable resin After coating the composition mixed with 30% by weight of the polymer composition consisting of lithol hexaacrylate and a photopolymerization initiator by spin coating, it was cured with heat curing and ultraviolet rays to form a protective layer.
비교예Comparative example 1 One
빛의 간섭 효과를 이용하여 빛의 양을 조절하는 광학 박막 설계 기술을 바탕으로, 넓은 파장에서의 반사율을 절감하기 위해 공기층과 유리 기판의 굴절율을 이용하여 공기층과 굴절율 차이가 최소가 되도록 설계하여 박막을 스퍼터링 방식에 의해 글라스 기판 위에 증착시켜 반사방지막을 제조하였다. 반사방지막 재료는 은(Ag), 티타니아(TiO2) , 산화주석(SnO2), ZnO , Si3N4를 혼합한 재료를 사용하였으며, 이를 수십nm의 두께로 스파터링 증착하여 반사 방지막을 제조하였다. Based on the optical thin film design technology that controls the amount of light using the interference effect of light, the thin film is designed to minimize the difference between the air layer and the refractive index by using the refractive indexes of the air layer and the glass substrate to reduce the reflectance at a wide wavelength. Was deposited on a glass substrate by a sputtering method to prepare an antireflection film. Anti-reflective coating material was made of a mixture of silver (Ag), titania (TiO2), tin oxide (SnO 2 ), ZnO, Si 3 N 4 , and the anti-reflection coating was prepared by sputtering deposition to a thickness of several tens of nm. .
비교예Comparative example 2 2
나노 실리카 입자를 에탄올에 용해시켜 실리카 졸겔 형태의 솔류션(Solution)으로 조성하여 저압 스프레이 방식을 이용하여 나노 실리카 입자를 미립화시켜 글라스 기판 위에 균일하게 도포시킨 후 열공정을 통해 실리카 입자층을 형성하여 반사방지막을 제조하였다. After dissolving the nano silica particles in ethanol to form a solution in the form of a silica sol gel (Solution), by using a low pressure spray method to atomize the nano silica particles uniformly coated on a glass substrate, and then formed a silica particle layer through a thermal process to form an antireflection film Was prepared.
비교예Comparative example 3 3
글라스 기판을 사불화암모늄 및 불산등이 조합된 케미컬을 준비하여 소정의 압력과 온도를 이용하여 고압 노즐을 통해 케미컬을 분사하여 글라스 전면에 미세한 돌기가 형성되도록 글라스면을 에칭하여 반사 방지층을 제조하였다.The glass substrate was prepared by combining chemicals such as ammonium tetrafluoride and hydrofluoric acid, and the glass surface was etched to form fine protrusions on the entire surface of the glass by spraying the chemical through a high pressure nozzle using a predetermined pressure and temperature to prepare an anti-reflection layer. .
이렇게 제조된 각각의 반사방지막 및 반사방지막이 형성되지 않은 저철분 글라스 기판에 대하여, 파장 550nm에서의 반사율 및 투과율을 측정하였으며, 그 결과는 아래 제시된 표 1에 나타낸 바와 같다. For each of the anti-reflection film and the low-iron glass substrate on which the anti-reflection film was not formed, reflectance and transmittance at
[표 1]TABLE 1
상기 표 1에 제시된 바와 같이, 반사방지막이 형성되지 아니한 저철분 글라스 기판의 경우에는, 반사율이 4%, 투과율이 91%인 반면, 실시예 1, 2 및 비교예 1, 2에서는 이에 비하여 반사율이 줄어들고, 투과율이 증가하는 현상을 보였다. 다만, 본 발명에 의한 반사방지막에 있어서, 실시예 1에 의한 다공성 박막만으로 이루어진 반사방지막은, 반사율 저하와 투과율 향상에 있어서 상대적으로 가장 우수한 특성을 보임을 알 수 있으며, 다공성 박막 위에 보호층을 형성한 실시예 2에서도, 실시예 1에 비하여 반사율/투과율 특성이 근소하게 저하되었을 뿐, 우수한 광학적 특성을 보임을 알 수 있다.As shown in Table 1, in the case of the low iron glass substrate on which the anti-reflection film is not formed, the reflectance is 4% and the transmittance is 91%, whereas in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, It decreased and the transmittance increased. However, in the anti-reflection film according to the present invention, it can be seen that the anti-reflection film made of only the porous thin film according to Example 1 shows a relatively excellent characteristic in decreasing the reflectance and improving the transmittance, and forming a protective layer on the porous thin film. Also in Example 2, it can be seen that the reflectance / transmittance characteristic is slightly lowered compared to Example 1, and shows excellent optical characteristics.
도 2에서는, 실시예 1에 의하여 제조된 반사방지막(삼각형 점선)과, 일반 플로우트 글라스(마름모), 및 저철분 글라스(원)의 파장 영역대별 투과율 특성을 보이고 있는데, 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 의한 반사방지막이 적용된 커버 글라스에 의하면, 가시광선 전영역에 걸쳐 92 내지 94%의 우수한 투과율을 보임을 알 수 있다. In FIG. 2, the antireflection film (triangular dotted line) manufactured by Example 1, the general float glass (diamond), and the low iron glass (circle) have shown transmittance characteristics for each wavelength region, as shown in FIG. 2. According to the cover glass to which the anti-reflection film according to the present invention is applied, it can be seen that the excellent transmittance of 92 to 94% over the entire visible light region.
실시예 2에 의하여 제조된 반사방지막이 증착된 태양전지용 커버 글라스의 단면 사진은 도 3에 나타내었다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 태양전지용 커버 글라스는, 글라스 기판, 그 위에 다공성 박막과 보호층이 적층된 구조로 이루어진 것을 확인할 수 있다. A cross-sectional photograph of a cover glass for a solar cell on which an antireflective film prepared in Example 2 is deposited is shown in FIG. 3. As shown in FIG. 3, the cover glass for a solar cell can be confirmed that the glass substrate has a structure in which a porous thin film and a protective layer are laminated thereon.
도 4a 및 도 4b는, 각각 실시예1에 의하여 제조된 다공성 반사방지막의 평면사진(AFM)과 표면사진(SEM)을 나타낸 것으로서, 도 4a 및 도 4b에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 의하여 형성된 다공성 반사방지막에서의 다공질 구조를 확인할 수 있으며, 아울러, 그 표면에는 일정한 패턴의 표면 요철이 형성됨을 알 수 있다. 4A and 4B are planar photographs (AFM) and surface photographs (SEM) of the porous antireflection film prepared according to Example 1, respectively, and as shown in FIGS. 4A and 4B, the porous formed by the present invention. The porous structure in the antireflection film can be confirmed, and it can be seen that surface irregularities of a certain pattern are formed on the surface thereof.
이상, 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예들을 참조하여 상세하게 설명하였다. 그러나 본 발명의 권리범위는 상기 실시예에 한정되는 것이 아니라, 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 가능한 다양한 변형 가능 범위까지 본 발명의 청구범위의 권리범위 내에 있는 것으로 본다. It has been described in detail above with reference to preferred embodiments and comparative examples of the present invention. However, the scope of the present invention is not limited to the above embodiments, but may be embodied in various forms of embodiments within the appended claims. Without departing from the gist of the invention as claimed in the claims, any person skilled in the art to which the invention pertains is considered to be within the scope of the claims of the invention to the various possible modifications possible.
도 1a는, 본 발명에 의한 반사방지막이 적용된 태양전지용 커버 기판을 나타낸 단면도1A is a cross-sectional view showing a solar cell cover substrate to which the antireflection film according to the present invention is applied.
도 1b는, 도 1a의 태양전지용 커버 기판이 적용된 태양전지를 나타낸 단면도1B is a cross-sectional view showing a solar cell to which the cover substrate for solar cell of FIG. 1A is applied.
도 2는, 실시예 1에 의하여 제조된 반사방지막(적색)과, 일반 글라스(녹색), 및 저철분 글라스(청색)의 파장 영역대별 투과율 특성을 나타낸 그래프FIG. 2 is a graph showing transmittance characteristics for each wavelength region of the antireflection film (red), ordinary glass (green), and low iron glass (blue) prepared according to Example 1. FIG.
도 3은, 실시예 2에 의하여 제조된 반사방지막이 증착된 태양전지용 커버 글라스의 단면 사진FIG. 3 is a cross-sectional photograph of a cover glass for a solar cell on which an antireflection film prepared in Example 2 is deposited
도 4a 및 도 4b는, 각각 실시예1에 의하여 제조된 다공성 반사방지막의 평면사진(AFM)과 표면사진(SEM)4A and 4B are planar photographs (AFM) and surface photographs (SEM) of the porous antireflection film prepared according to Example 1, respectively.
Claims (8)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090116951A KR100967188B1 (en) | 2009-11-30 | 2009-11-30 | Method of manufacturing anti-reflective coating and cover substrate for solar cell manufactured by thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090116951A KR100967188B1 (en) | 2009-11-30 | 2009-11-30 | Method of manufacturing anti-reflective coating and cover substrate for solar cell manufactured by thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100967188B1 true KR100967188B1 (en) | 2010-07-05 |
Family
ID=42645069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020090116951A KR100967188B1 (en) | 2009-11-30 | 2009-11-30 | Method of manufacturing anti-reflective coating and cover substrate for solar cell manufactured by thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100967188B1 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101133953B1 (en) | 2010-07-09 | 2012-04-05 | 성균관대학교산학협력단 | Method for preparing silica anti-reflection coating and silicon solar cell using the same |
| KR101325012B1 (en) * | 2012-03-21 | 2013-11-04 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | Cover substrate for photovoltaic module and photovoltaic module having the same |
| KR101372461B1 (en) | 2012-07-26 | 2014-03-12 | 성균관대학교산학협력단 | Anti-reflection coating, method for preparing the same, and solar cell using the same |
| KR101836307B1 (en) | 2011-05-06 | 2018-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | Optical member, solar cell apparatus having the same and method of fabricating the same |
| KR20220103269A (en) * | 2021-01-15 | 2022-07-22 | 한양대학교 산학협력단 | Photonic Crystal Monolayer-based Roof Structure for Solar Cell Having Excellent Photovoltaic Performance and Self-cleaning Properties |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070113881A1 (en) | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Guardian Industries Corp. | Method of making solar cell with antireflective coating using combustion chemical vapor deposition (CCVD) and corresponding product |
| KR20090094751A (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-08 | 각고호우징 게이오기주크 | Anti-reflection coating and its production method |
| US20090233084A1 (en) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | Guardian Industries Corp. | Nano-particle loaded metal oxide matrix coatings deposited via combustion deposition |
| US7597938B2 (en) | 2004-11-29 | 2009-10-06 | Guardian Industries Corp. | Method of making coated article with color suppression coating including flame pyrolysis deposited layer(s) |
-
2009
- 2009-11-30 KR KR1020090116951A patent/KR100967188B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7597938B2 (en) | 2004-11-29 | 2009-10-06 | Guardian Industries Corp. | Method of making coated article with color suppression coating including flame pyrolysis deposited layer(s) |
| US20070113881A1 (en) | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Guardian Industries Corp. | Method of making solar cell with antireflective coating using combustion chemical vapor deposition (CCVD) and corresponding product |
| KR20090094751A (en) * | 2008-03-03 | 2009-09-08 | 각고호우징 게이오기주크 | Anti-reflection coating and its production method |
| US20090233084A1 (en) * | 2008-03-13 | 2009-09-17 | Guardian Industries Corp. | Nano-particle loaded metal oxide matrix coatings deposited via combustion deposition |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101133953B1 (en) | 2010-07-09 | 2012-04-05 | 성균관대학교산학협력단 | Method for preparing silica anti-reflection coating and silicon solar cell using the same |
| KR101836307B1 (en) | 2011-05-06 | 2018-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | Optical member, solar cell apparatus having the same and method of fabricating the same |
| KR101325012B1 (en) * | 2012-03-21 | 2013-11-04 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | Cover substrate for photovoltaic module and photovoltaic module having the same |
| KR101372461B1 (en) | 2012-07-26 | 2014-03-12 | 성균관대학교산학협력단 | Anti-reflection coating, method for preparing the same, and solar cell using the same |
| KR20220103269A (en) * | 2021-01-15 | 2022-07-22 | 한양대학교 산학협력단 | Photonic Crystal Monolayer-based Roof Structure for Solar Cell Having Excellent Photovoltaic Performance and Self-cleaning Properties |
| KR102490496B1 (en) | 2021-01-15 | 2023-01-18 | 한양대학교 산학협력단 | Photonic Crystal Monolayer-based Roof Structure for Solar Cell Having Excellent Photovoltaic Performance and Self-cleaning Properties |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7144598B2 (en) | Rapid, thermally cured, back side mar resistant and antireflective coating for ophthalmic lenses | |
| JP3635692B2 (en) | Low refractive index antireflection film | |
| CN101805135B (en) | Photovoltaic glass plated with double-layer antireflection film and preparation method thereof | |
| US8668961B2 (en) | Titania coating and method of making same | |
| KR101653031B1 (en) | Composition for antireflective film for solar cell, antireflective film for solar cell, method for manufacturing antireflective film for solar cell, and solar cell | |
| US7767287B2 (en) | Method of manufacturing optical element, and optical element | |
| EP2078706B1 (en) | Methods of making silica-titania coatings, and products containing the same | |
| KR100967188B1 (en) | Method of manufacturing anti-reflective coating and cover substrate for solar cell manufactured by thereof | |
| KR101194257B1 (en) | Transparent substrate for solar cell having a broadband anti-reflective multilayered coating thereon and method for preparing the same | |
| KR102218086B1 (en) | Color solar module for bipv and manufacturing method thereof | |
| CN102838288A (en) | Antireflection coated glass with self-cleaning effect and preparation method thereof | |
| TWI447441B (en) | Multilayered infrared light reflective structure | |
| US20090123647A1 (en) | Transparent aqua-based nano sol-gel composition and method of applying the same | |
| KR102355771B1 (en) | Multi-layer antireflective coated articles | |
| CN103757618A (en) | Preparation method of antireflection film applicable to different bases | |
| JP2014006443A (en) | Manufacturing method for substrate with anti-reflection film and photoelectric cell | |
| KR101194258B1 (en) | Transparent substrate for solar cell having a broadband anti-reflective multilayered coating thereon and method for preparing the same | |
| KR101456220B1 (en) | Transparent substrate having an anti-reflective multilayered coating thereon and method for preparing the same | |
| JPH1149532A (en) | Low reflection glass article and its production | |
| KR102307700B1 (en) | a method for manufacturing colored solar module | |
| KR101836303B1 (en) | Optical member, solar cell apparatus having the same and method of fabricating the same | |
| KR102174467B1 (en) | a coating composition for anti-reflection | |
| CN113149458B (en) | Color photovoltaic module cover plate glass and preparation method thereof | |
| JP2004053797A (en) | Antireflection film and polarizing plate using the same | |
| CN114395340A (en) | Antireflection functional film for vehicle-mounted display screen and preparation method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |