KR100965606B1 - Resistive frequcency mixer - Google Patents

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길준호
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Abstract

저항성 주파수 혼합기가 게시된다. 본 발명의 저항성 주파수 혼합기에서는, 증폭부와 피드백부에 의하여, 중간신호에 대하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호는 1차적으로 필터링되어 제거된다. 그리고, 본 발명의 저항성 주파수 혼합기에 의하면, 제1 및 제2 저항, 축전부는 상기 증폭부와 함께, 중간신호에 대하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호는 2차로 상당부분 필터링되어 제거된다. 이에 따라, 본 발명의 저항성 주파수 혼합기에 의하면, 중간신호에 대하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호는 매우 크게 필터링되어 제거된다.Resistive frequency mixers are published. In the resistive frequency mixer of the present invention, signals outside the range of the frequency intended by the designer with respect to the intermediate signal are first filtered out by the amplifier and the feedback unit. In addition, according to the resistive frequency mixer of the present invention, the first and second resistors and the power storage unit together with the amplification unit, the signal outside the range of the frequency intended by the designer for the intermediate signal is substantially filtered secondly and removed. Accordingly, according to the resistive frequency mixer of the present invention, the signal outside the range of the frequency intended by the designer with respect to the intermediate signal is very largely filtered out.

Description

저항성 주파수 혼합기{Resistive frequcency mixer}Resistive frequcency mixer

본 발명의 상세한 설명에서 사용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여, 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.In order to more fully understand the drawings used in the detailed description of the invention, a brief description of each drawing is provided.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 저항성 주파수 혼합기를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a resistive frequency mixer according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 비교예에 따른 저항성 주파수 혼합기를 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating a resistive frequency mixer according to a comparative example of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예 및 비교예의 저항성 주파수 혼합기에 따른 필터링 제거 효과를 비교하기 위한 시뮬레이션 도면이다. 3 is a simulation diagram for comparing the filtering removal effect according to the resistive frequency mixer of one embodiment and the comparative example of the present invention.

도 4는 본 발명의 변형예에 따른 저항성 주파수 혼합기를 나타내는 도면으로서, 차동(differential) 방식으로 구동되는 저항성 주파수 혼합기를 나타낸다.4 shows a resistive frequency mixer according to a variant of the invention, which shows a resistive frequency mixer driven in a differential manner.

본 발명은 전자회로에 관한 것으로서, 특히, 무선 시스템에 사용되는 저항성 주파수 혼합기(resistive frequency mixer)에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to electronic circuits and, more particularly, to resistive frequency mixers used in wireless systems.

일반적으로, 전파를 이용하는 무선통신 시스템에서 주파수 변환기는 안테나를 통하여 수신되는 고주파 신호인 레이디오 신호(RF)와, 시스템 내부의 국부발진기(Local Oscillator)에서 제공되는 로컬 신호(LO)를 입력받아서, 두 신호의 주파수 차이에 해당하는 주파수를 가지는 중간 신호(IF)를 생성한다.In general, in a wireless communication system using radio waves, the frequency converter receives a radio signal (RF), which is a high frequency signal received through an antenna, and a local signal (LO) provided from a local oscillator. An intermediate signal IF having a frequency corresponding to the frequency difference of the signal is generated.

이러한 주파수 혼합기 중의 한 형태가 전계 효과 트랜지스터(FET: Field Effect Transistor)를 이용하는 저항성 주파수 혼합기이다. 저항성 주파수 혼합기는 전계 효과 트랜지스터의 일접합 단자를 통하여 레이디오 신호(RF)를 입력하고, 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자를 통하여 로컬 신호(LO)를 입력하는 구조이다.One type of such frequency mixer is a resistive frequency mixer using a field effect transistor (FET). The resistive frequency mixer is configured to input the radio signal RF through one junction terminal of the field effect transistor and input the local signal LO through the gate terminal of the field effect transistor.

한편, 상기 레이디오 신호(RF)는 원하는 신호 외에 다른 통신 신호 등의 간섭신호가 함께 입력된다. 그러므로, 신호 수신시에 수신하고자 하는 신호만 남기고 의도하지 않은 나머지 신호를 제거하는 것 즉, 채널선택도(channel selectivity)를 높이는 것이 매우 중요하다. Meanwhile, the radio signal RF is input together with an interference signal such as a communication signal in addition to a desired signal. Therefore, it is very important to remove only the signal to be received at the time of signal reception and to remove the unintended signal, that is, to increase channel selectivity.

따라서, 노이즈로 작용할 수 있는 비의도적인 주파수 대역의 신호 및 간섭 신호를 효과적으로 제거하는 주파수 혼합기가 요구된다.Accordingly, there is a need for a frequency mixer that effectively removes unintentional frequency band signals and interference signals that may act as noise.

본 발명의 목적은 노이즈를 효과적으로 제거하여, 비의도적인 신호에 의한 간섭현상을 저감시키는 저항성 주파수 혼합기를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a resistive frequency mixer that effectively removes noise and reduces interference caused by unintentional signals.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 레이디오 신호와 로컬 신호를 혼합하여 중간신호를 생성하는 저항성 주파수 혼합기에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른 저항성 주파수 혼합기는 상기 레이디오 신호를 수신하는 입력단; 제1 예비 노드; 상기 제1 예비 노드에 커플되는 제2 예비 노드; 상기 중간신호를 발생하는 출력단; 일접합은 상기 입력단과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 예비 노드에 커플되도록 형성되며, 상기 로컬 신호에 게이팅되는 전계 효과 트랜지스터; 상기 제2 예비 노드의 신호를 반전 증폭하여 상기 출력단으로 제공하는 증폭부; 상기 출력단의 전압을 상기 제1 예비 노드와 상기 제2 예비 노드에 피드백하도록 구동되는 피드백부; 및 상기 제1 예비 노드의 전하를 축전하는 축전부를 구비한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to a resistive frequency mixer for generating an intermediate signal by mixing the radio signal and the local signal. In accordance with an aspect of the present invention, a resistive frequency mixer includes: an input terminal configured to receive the radio signal; A first spare node; A second spare node coupled to the first spare node; An output stage for generating the intermediate signal; A one-junction is coupled to the input terminal and the other one-junction is formed to be coupled to the first preliminary node and is gated to the local signal; An amplifier for inverting and amplifying the signal of the second preliminary node to the output terminal; A feedback unit driven to feed back the voltage at the output terminal to the first spare node and the second spare node; And a power storage unit configured to store electric charges of the first spare node.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 레이디오 신호와 로컬 신호를 혼합하여 중간신호를 생성하는 저항성 주파수 혼합기로서, 상기 레이디오 신호, 상기 로컬 신호 및 상기 중간신호 각각은 서로 상보관계를 가지는 양극성 성분 및 음극성 성분으로 이루어지는 상기 저항성 주파수 혼합기에 관한 것이다. 본 발명의 다른 일면에 따른 저항성 주파수 혼합기는 상기 레이디오 신호의 양극성 성분을 수신하는 양극 입력단; 제1 양극 예비 노드; 상기 제1 양극 예비 노드에 커플되는 제2 양극 예비 노드; 상기 중간신호의 양극성 성분을 발생하는 양극 출력단; 상기 레이디오 신호의 음극성 성분을 수신하는 음극 입력단; 제1 음극 예 비 노드; 상기 제1 음극 예비 노드에 커플되는 제2 음극 예비 노드; 상기 중간신호의 음극성 성분을 발생하는 음극 출력단; 일접합은 상기 양극 입력단과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 양극 예비 노드에 커플되도록 형성되며, 상기 로컬 신호의 양극성 성분에 게이팅되는 제1 양극 전계 효과 트랜지스터; 일접합은 상기 양극 입력단과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 음극 예비 노드에 커플되도록 형성되며, 상기 로컬 신호의 음극성 성분에 게이팅되는 제2 양극 전계 효과 트랜지스터; 일접합은 상기 음극 입력단과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 양극 예비 노드에 커플되도록 형성되며, 상기 로컬 신호의 음극성 성분에 게이팅되는 제1 음극 전계 효과 트랜지스터; 일접합은 상기 음극 입력단과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 음극 예비 노드에 커플되도록 형성되며, 상기 로컬 신호의 양극성 성분에 게이팅되는 제2 음극 전계 효과 트랜지스터; 상기 제2 양극 예비 노드의 신호와 상기 제2 음극 예비 노드의 신호를 반전 증폭하여 상기 양극 출력단과 상기 음극 출력단으로 제공하는 증폭부; 상기 양극 출력단의 전압을 상기 제1 양극 예비 노드와 상기 제2 양극 예비 노드에 피드백하도록 구동되는 양극 피드백부; 상기 음극 출력단의 전압을 상기 제1 음극 예비 노드와 상기 제2 음극 예비 노드에 피드백하도록 구동되는 음극 피드백부; 및 상기 제1 양극 예비 노드와 상기 제1 음극 예비 노드의 전하를 축전하는 축전부를 구비한다.One aspect of the present invention for achieving the above technical problem is a resistive frequency mixer for generating an intermediate signal by mixing the radio signal and the local signal, each of the radio signal, the local signal and the intermediate signal has a complementary relationship with each other The resistive frequency mixer comprising the positive component and the negative component. According to another aspect of the present invention, a resistive frequency mixer includes: a positive input terminal configured to receive a positive component of the radio signal; A first anode spare node; A second anode spare node coupled to the first anode spare node; A positive output stage for generating a bipolar component of the intermediate signal; A negative input terminal for receiving a negative component of the radio signal; A first cathode spare node; A second negative electrode spare node coupled to the first negative electrode spare node; A negative output stage for generating a negative component of the intermediate signal; A first bipolar field effect transistor coupled to the positive input terminal, and the other single junction coupled to the first positive electrode spare node, and gated to a bipolar component of the local signal; A second anode field effect transistor coupled to the anode input terminal, the other junction being coupled to the first cathode spare node, and gated to a cathode component of the local signal; A first negative electrode field effect transistor coupled to the negative input terminal, and the other positive contact coupled to the first positive electrode spare node, the first negative field effect transistor being gated to the negative component of the local signal; A second negative electrode field effect transistor coupled to the negative input terminal, and the other negative contact coupled to the first negative electrode spare node and gated to the positive component of the local signal; An amplifier for inverting and amplifying the signal of the second positive electrode spare node and the signal of the second negative electrode spare node to provide the positive output terminal and the negative output terminal; A positive feedback unit driven to feed back a voltage of the positive output terminal to the first positive electrode spare node and the second positive electrode spare node; A negative feedback unit driven to feed back a voltage of the negative output terminal to the first negative electrode spare node and the second negative electrode spare node; And a power storage unit configured to store charges of the first positive electrode spare node and the first negative electrode spare node.

본 발명과 본 발명의 동작상의 잇점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도 면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의해야 한다. 그리고, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings. In understanding each of the figures, it should be noted that like parts are denoted by the same reference numerals whenever possible. Incidentally, detailed descriptions of well-known functions and configurations that are determined to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention are omitted.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

실시예Example

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 저항성 주파수 혼합기(100)를 나타내는 도면이다. 도 1의 저항성 주파수 혼합기(100)는 레이디오 신호(RF)와 로컬 신호(LO)를 혼합하여 중간신호(IF)를 생성한다. 이때, 상기 레이디오 신호(RF)는 안테나를 통하여 수신되는 고주파 신호가 될 수 있다. 그리고, 상기 로컬 신호(LO)는 시스템 내부의 국부발진기(Local Oscillator)에서 제공되는 신호가 될 수 있다.1 is a diagram illustrating a resistive frequency mixer 100 according to an embodiment of the present invention. The resistive frequency mixer 100 of FIG. 1 generates an intermediate signal IF by mixing the radio signal RF and the local signal LO. In this case, the radio signal RF may be a high frequency signal received through an antenna. The local signal LO may be a signal provided from a local oscillator in the system.

도 1을 참조하면, 상기 저항성 주파수 혼합기(100)는 입력단(NIN), 제1 예비 노드(NPRE1), 제2 예비 노드(NPRE2), 출력단(NOUT), 전계 효과 트랜지스터(110), 증폭부(120) 및 피드백부(130)를 구비한다.Referring to FIG. 1, the resistive frequency mixer 100 includes an input terminal NIN, a first spare node NPRE1, a second spare node NPRE2, an output terminal NOUT, a field effect transistor 110, and an amplifier unit 120 and a feedback unit 130.

상기 입력단(NIN)을 통하여, 상기 레이디오 신호(RF)가 수신되며, 상기 출력단(NOUT)을 통하여 상기 중간신호(IF)가 제공된다. 그리고, 상기 제2 예비 노드(NPRE2)는 상기 제1 예비 노드(NPRE1)에 커플된다.The radio signal RF is received through the input terminal NIN, and the intermediate signal IF is provided through the output terminal NOUT. The second spare node NPRE2 is coupled to the first spare node NPRE1.

상기 전계 효과 트랜지스터(110)의 일접합은 상기 입력단(NIN)과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 예비 노드(NPRE1)에 커플된다. 그리고, 상기 전계 효과 트랜지스터(110)는 상기 로컬신호(LO)에 게이팅된다.One junction of the field effect transistor 110 is coupled to the input terminal NIN, and the other junction is coupled to the first spare node NPRE1. The field effect transistor 110 is gated to the local signal LO.

상기 증폭부(120)는 상기 제2 예비 노드(NPRE2)의 신호를 반전 증폭하여 상기 출력단(NOUT)에 제공한다. The amplifier 120 inverts and amplifies the signal of the second preliminary node NPRE2 to the output terminal NOUT.

상기 피드백부(130)는 상기 출력단(NOUT)의 전압을 상기 제1 예비 노드(NPRE1)와 상기 제2 예비 노드(NPRE2)에 피드백하도록 구동된다. The feedback unit 130 is driven to feed back the voltage of the output terminal NOUT to the first spare node NPRE1 and the second spare node NPRE2.

바람직한 실시예에 의하면, 상기 피드백부(130)는 피드백 저항(131) 및 피드백 커패시터(133)를 포함한다. 상기 피드백 저항(131)은 상기 제1 예비 노드(NPRE1)와 상기 출력단(NOUT) 사이에 형성된다. 그리고, 상기 피드백 커패시터(133)는 일단자가 상기 제2 예비 노드(NPRE2)에 커플되며, 다른 일단자가 출력단(NOUT)에 커플된다.According to a preferred embodiment, the feedback unit 130 includes a feedback resistor 131 and a feedback capacitor 133. The feedback resistor 131 is formed between the first spare node NPRE1 and the output terminal NOUT. One end of the feedback capacitor 133 is coupled to the second spare node NPRE2, and the other end of the feedback capacitor 133 is coupled to the output terminal NOUT.

계속 도 1을 참조하면, 본 발명의 저항성 주파수 혼합기(100)는 축전부(140)를 더 구비한다. 상기 축전부(140)는 상기 제1 예비 노드(NPRE1)의 전하를 축전한다. 바람직하기로는, 상기 축전부(140)는 일단자가 상기 제1 예비 노드(NPRE1)에 커플되며, 다른 일단자가 접지전압(VSS)에 커플되는 축전 캐패시터(141)를 포함하여 구현된다.Referring to FIG. 1, the resistive frequency mixer 100 of the present invention further includes a power storage unit 140. The power storage unit 140 stores the charge of the first preliminary node NPRE1. Preferably, the power storage unit 140 is implemented by including a power storage capacitor 141 whose one end is coupled to the first spare node (NPRE1), the other end is coupled to the ground voltage (VSS).

바람직한 실시예에 의한 본 발명의 저항성 주파수 혼합기(100)는 상기 제1 예비 노드(NPRE1)와 상기 제2 예비 노드(NPRE2) 사이에 형성되는 제1 저항(150)을 더 구비한다. 그리고, 더욱 바람직한 실시예에 의한 본 발명의 저항성 주파수 혼합기(100)는 상기 제1 예비 노드(NPRE1)와 상기 전계 효과 트랜지스터(110)의 다른 일접합 사이에 형성되는 제2 저항(160)을 더 구비한다.The resistive frequency mixer 100 of the present invention according to a preferred embodiment further includes a first resistor 150 formed between the first spare node NPRE1 and the second spare node NPRE2. In addition, the resistive frequency mixer 100 of the present invention further includes a second resistor 160 formed between the first preliminary node NPRE1 and the other one junction of the field effect transistor 110. Equipped.

상기와 같은 본 발명의 저항성 주파수 혼합기에 의하면, 상기 증폭부(120)와 상기 피드백부(130)에 의하여, 상기 중간신호(IF)에 대하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호는 1차적으로 필터링되어 제거될 수 있다.According to the resistive frequency mixer of the present invention as described above, by the amplifier 120 and the feedback unit 130, the signal outside the range of the frequency intended by the designer for the intermediate signal (IF) is first filtered. Can be removed.

나아가 상기와 같은 본 발명의 저항성 주파수 혼합기에 의하면, 상기 제1 및 제2 저항(150, 160), 축전부(140)는 상기 증폭부(120)와 함께, 상기 중간신호(IF)에 대하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호는 2차로 상당부분 필터링되어 제거된다.Furthermore, according to the resistive frequency mixer of the present invention as described above, the first and second resistors 150 and 160 and the power storage unit 140, together with the amplifying unit 120, are designed for the intermediate signal IF. Signals outside the intended frequency range are largely filtered out and removed second.

이에 따라, 본 발명의 저항성 주파수 혼합기에 의하면, 상기 중간신호(IF)에 대하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호는 매우 크게 필터링되어 제거될 수 있으며, 이는 본 발명의 비교예와 비교하면 더욱 명확하다.Accordingly, according to the resistive frequency mixer of the present invention, a signal outside the range of the frequency intended by the designer with respect to the intermediate signal IF may be filtered out very much, which is more clearly compared with the comparative example of the present invention. Do.

비교예Comparative example

도 2는 본 발명의 비교예에 따른 저항성 주파수 혼합기(200)를 나타내는 도면이다. 도 2의 저항성 주파수 혼합기(200)도, 도 1의 저항성 주파수 혼합기(100)와 유사하게 전계 효과 트랜지스터(210), 증폭부(220) 및 피드백부(230)를 구비한다. 그리고, 도 2의 피드백부(230)는, 도 1의 피드백부(130)의 피드백 저항(131) 및 피드백 커패시터(133)와 유사하게, 피드백 저항(231) 및 피드백 커패시터(233)를 포함한다.2 is a diagram illustrating a resistive frequency mixer 200 according to a comparative example of the present invention. The resistive frequency mixer 200 of FIG. 2 also includes a field effect transistor 210, an amplifier 220, and a feedback unit 230 similar to the resistive frequency mixer 100 of FIG. 1. The feedback unit 230 of FIG. 2 includes a feedback resistor 231 and a feedback capacitor 233 similarly to the feedback resistor 131 and the feedback capacitor 133 of the feedback unit 130 of FIG. 1. .

하지만, 도 2의 저항성 주파수 혼합기(200)에는, 도 1의 저항성 주파수 혼합 기(100)와는 달리, 예비 노드(NPRE)의 전하를 축전할 수 있는 축전 커패시터가 구비되지 않는다. 또한, 도 1의 제1 및 제2 저항(150, 160)도 구비되지 않는다.However, unlike the resistive frequency mixer 100 of FIG. 1, the resistive frequency mixer 200 of FIG. 2 is not provided with a storage capacitor capable of storing charges of the spare node NPRE. Also, the first and second resistors 150 and 160 of FIG. 1 are not provided.

이에 따라, 비교예의 저항성 주파수 혼합기(200)에서는, 상기 증폭부(220)와 상기 피드백부(230)의 결합에 의하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호를 1차적 필터링 제거는 수행되지만, 도 1의 저항성 주파수 혼합기에서의 상기 제1 및 제2 저항(150, 160) 및 축전부(240)에 의한 2차적 필터링 제거는 결여된다.Accordingly, in the resistive frequency mixer 200 of the comparative example, although the primary filtering is removed from the signal outside the range of the frequency intended by the designer by the combination of the amplifier 220 and the feedback unit 230, FIG. There is a lack of secondary filtering by the first and second resistors 150 and 160 and the capacitor 240 in the resistive frequency mixer.

실시예와Examples and 비교예에In a comparative example 따른 효과 비교 Effects according to

도 3은 본 발명의 일실시예 및 비교예의 저항성 주파수 혼합기에 따른 필터링 제거 효과를 비교하기 위한 시뮬레이션 도면으로서, 컷오프(cut-off) 주파수는 1MHz이다. 3 is a simulation diagram for comparing the filtering removal effect according to the resistive frequency mixers of one embodiment and the comparative example of the present invention, wherein the cut-off frequency is 1 MHz.

도 3을 참조하면, 도 2의 비교예의 저항성 주파수 혼합기(200)에서는, 1차적 필터링 제거에 따라 1-decade 당 20dB의 신호감쇄가 발생되는(점 p1 참조) 반면에, 도 1의 실시예의 저항성 주파수 혼합기(100)에서는, 2차적 필터링 제거에 따라 1-decade 당 40dB의 신호감쇄가 발생된다(점 p2 참조). Referring to FIG. 3, in the resistive frequency mixer 200 of the comparative example of FIG. 2, the signal attenuation of 20 dB per 1-decade occurs due to the first filtering removal (see point p1), whereas the resistivity of the embodiment of FIG. In the frequency mixer 100, attenuation of 40 dB per 1-decade occurs as a result of the secondary filtering cancellation (see point p2).

즉, 도 1의 실시예의 저항성 주파수 혼합기(100)에서는, 도 2의 비교예의 저항성 주파수 혼합기(200)에 비하여, 훨씬 더 크게 필터링 제거가 수행되므로, 출력되는 중간신호(IF)의 간섭신호가 크게 감쇄될 수 있다.That is, in the resistive frequency mixer 100 of the embodiment of FIG. 1, since the filtering removal is performed much larger than the resistive frequency mixer 200 of the comparative example of FIG. 2, the interference signal of the output intermediate signal IF is greatly increased. May be attenuated.

따라서, 본 발명의 저항성 주파수 혼합기가 직접 변환 수신기 등에 적용되는 경우, 간섭현상은 크게 약화된다.Therefore, when the resistive frequency mixer of the present invention is applied to a direct conversion receiver or the like, the interference phenomenon is greatly weakened.

변형예Variant

본 발명의 저항성 주파수 혼합기는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 도 4는 본 발명의 변형예에 따른 저항성 주파수 혼합기(400)를 나타내는 도면으로서, 차동(differential) 방식으로 구동되는 저항성 주파수 혼합기(400)를 나타낸다.The resistive frequency mixer of the present invention can be modified in various forms. 4 shows a resistive frequency mixer 400 according to a variation of the invention, which shows a resistive frequency mixer 400 driven in a differential manner.

도 4의 저항성 주파수 혼합기(400)는, 도 1의 저항성 주파수 혼합기(100)와 마찬가지로, 레이디오 신호(RF)와 로컬 신호(LO)를 혼합하여 중간신호(IF)를 생성한다. 다만, 도 4의 저항성 주파수 혼합기(400)는, 레이디오 신호(RF), 로컬 신호(LO) 및 중간신호(IF)가 양극성 및 음극성 성분의 쌍으로 작용한다는 점에서, 레이디오 신호(RF), 로컬 신호(LO) 및 중간신호(IF) 싱글(single)로 작용하는 도 1의 저항성 주파수 혼합기(100)와 차이점을 지닌다.Similar to the resistive frequency mixer 100 of FIG. 1, the resistive frequency mixer 400 of FIG. 4 mixes the radio signal RF and the local signal LO to generate an intermediate signal IF. However, in the resistive frequency mixer 400 of FIG. 4, the radio signal RF, the local signal LO, and the intermediate signal IF act as a pair of the positive and negative components. It differs from the resistive frequency mixer 100 of FIG. 1 which acts as a local signal LO and an intermediate signal IF single.

한편, 도 4의 저항성 주파수 혼합기(400)에 대한 도면 및 이에 대한 기술에서, 양극성 및 음극성은 하나의 신호에 대하여 쌍을 이루는 2개의 성분을 지칭하는 용어일 뿐이다. Meanwhile, in the drawings and descriptions of the resistive frequency mixer 400 of FIG. 4, bipolar and negative polarities are merely terms referring to two components paired with one signal.

도 4를 참조하면, 상기 저항성 주파수 혼합기(400)는 양극 입력단(NINP), 제1 양극 예비 노드(NPREP1), 제2 양극 예비 노드(NPREP2), 양극 출력단(NOUTP), 음극 입력단(NINN), 제1 음극 예비 노드(NPREN1), 제2 음극 예비 노드(NPREN2), 음극 출력단(NOUTN), 제1 양극 전계 효과 트랜지스터(410), 제2 양극 전계 효과 트랜지스터(420), 제1 음극 전계 효과 트랜지스터(430), 제2 음극 전계 효과 트랜지스터(440), 증폭부(450), 양극 피드백부(460) 및 음극 피드백부(470)를 구비한다.Referring to FIG. 4, the resistive frequency mixer 400 includes a positive electrode input terminal NINP, a first positive electrode spare node NPREP1, a second positive electrode spare node NPREP2, a positive electrode output terminal NOUTP, a negative electrode input terminal NINN, First negative electrode spare node NPREN1, second negative electrode spare node NPREN2, negative electrode output terminal NOUTN, first positive electrode field effect transistor 410, second positive electrode field effect transistor 420, first negative electrode field effect transistor 430, a second cathode field effect transistor 440, an amplifier 450, an anode feedback unit 460, and a cathode feedback unit 470.

상기 양극 입력단(NINP)을 통하여, 상기 레이디오 신호(RF)의 양극성 성분(RF+)이 수신되며, 상기 양극 출력단(NOUTP)을 통하여 상기 중간신호(IF)의 양극성 성분(IF+)가 제공된다. 그리고, 상기 제2 양극 예비 노드(NPREP2)는 상기 제1 양극 예비 노드(NPREP1)에 커플된다.The bipolar component RF + of the radio signal RF is received through the bipolar input terminal NINP, and the bipolar component IF + of the intermediate signal IF is provided through the bipolar output terminal NOUTP. The second positive spare node NPREP2 is coupled to the first positive spare node NPREP1.

상기 음극 입력단(NINN)을 통하여, 상기 레이디오 신호(RF)의 음극성 성분(RF-)이 수신되며, 상기 음극 출력단(NOUTN)을 통하여 상기 중간신호(IF)의 음극성 성분(IF-)가 제공된다. 그리고, 상기 제2 음극 예비 노드(NPREN2)는 상기 제1 음극 예비 노드(NPREN1)에 커플된다.The negative component RF- of the radio signal RF is received through the negative input terminal NINN, and the negative component IF- of the intermediate signal IF is received through the negative output terminal NOUTN. Is provided. The second negative electrode spare node NPREN2 is coupled to the first negative electrode spare node NPREN1.

상기 제1 양극 전계 효과 트랜지스터(410)의 일접합은 상기 양극 입력단(NINP)과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 양극 예비 노드(NPREP1)에 커플된다. 그리고, 상기 제1 양극 전계 효과 트랜지스터(410)는 상기 로컬신호(LO)의 양극성 성분(LO+)에 게이팅된다.One junction of the first anode field effect transistor 410 is coupled to the anode input terminal NINP, and the other junction is coupled to the first anode spare node NPREP1. The first bipolar field effect transistor 410 is gated to the bipolar component LO + of the local signal LO.

상기 제2 양극 전계 효과 트랜지스터(420)의 일접합은 상기 양극 입력단(NINP)과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 음극 예비 노드(NPREN1)에 커플된다. 그리고, 상기 제2 양극 전계 효과 트랜지스터(420)는 상기 로컬신호(LO)의 음극성 성분(LO-)에 게이팅된다.One junction of the second anode field effect transistor 420 is coupled to the anode input terminal NINP, and the other junction is coupled to the first cathode spare node NPREN1. The second positive field effect transistor 420 is gated to the negative component LO− of the local signal LO.

상기 제1 음극 전계 효과 트랜지스터(430)의 일접합은 상기 음극 입력단(NINN)과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 양극 예비 노드(NPREP1)에 커플된다. 그리고, 상기 제1 음극 전계 효과 트랜지스터(430)는 상기 로컬신호(LO)의 음극성 성분(LO-)에 게이팅된다.One junction of the first cathode field effect transistor 430 is coupled to the cathode input terminal NINN, and the other junction is coupled to the first anode spare node NPREP1. The first negative field effect transistor 430 is gated to the negative component LO− of the local signal LO.

상기 제2 음극 전계 효과 트랜지스터(440)의 일접합은 상기 음극 입력단(NINN)과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 음극 예비 노드(NPREN1)에 커플된다. 그리고, 상기 제2 음극 전계 효과 트랜지스터(440)는 상기 로컬신호(LO)의 양극성 성분(LO+)에 게이팅된다.One junction of the second cathode field effect transistor 440 is coupled to the cathode input terminal NINN, and the other junction is coupled to the first cathode spare node NPREN1. The second cathode field effect transistor 440 is gated to the bipolar component LO + of the local signal LO.

상기 증폭부(450)는 상기 제2 양극 예비 노드(NPREP2)의 신호와 상기 제2 음극 예비 노드(NPREN2)의 신호를 반전 증폭하여 상기 음극 출력단(NOUTN)에 제공한다. The amplifier 450 inverts and amplifies the signal of the second positive electrode spare node NPREP2 and the signal of the second negative electrode spare node NPREN2 and provides it to the negative output terminal NOUTN.

상기 양극 피드백부(460)는 상기 양극 출력단(NOUTP)의 전압을 상기 제1 양극 예비 노드(NPREP1)와 상기 제2 양극 예비 노드(NPREP2)에 피드백하도록 구동된다. The positive feedback unit 460 is driven to feed back the voltage of the positive output terminal NOUTP to the first positive electrode spare node NPREP1 and the second positive electrode spare node NPREP2.

바람직한 실시예에 의하면, 상기 양극 피드백부(460)는 양극 피드백 저항(461) 및 양극 피드백 커패시터(463)를 포함한다. 상기 양극 피드백 저항(461)은 상기 제1 양극 예비 노드(NPREP1)와 상기 양극 출력단(NOUTP) 사이에 형성된다. 그리고, 상기 양극 피드백 커패시터(463)는 일단자가 상기 제2 양극 예비 노드(NPREP2)에 커플되며, 다른 일단자가 양극 출력단(NOUTP)에 커플된다.According to a preferred embodiment, the positive feedback unit 460 includes a positive feedback resistor 461 and a positive feedback capacitor 463. The positive feedback resistor 461 is formed between the first positive spare node NPREP1 and the positive output terminal NOUTP. The positive feedback capacitor 463 has one end coupled to the second positive spare node NPREP2 and the other end coupled to the positive output terminal NOUTP.

그리고, 상기 음극 피드백부(470)는 상기 음극 출력단(NOUTN)의 전압을 상기 제1 음극 예비 노드(NPREN1)와 상기 제2 음극 예비 노드(NPREN2)에 피드백하도록 구동된다. In addition, the negative feedback unit 470 is driven to feed back the voltage of the negative output terminal NOUTN to the first negative electrode spare node NPREN1 and the second negative electrode spare node NPREN2.

바람직한 실시예에 의하면, 상기 음극 피드백부(470)는 음극 피드백 저항(471) 및 음극 피드백 커패시터(473)를 포함한다. 상기 음극 피드백 저항(471)은 상기 제1 음극 예비 노드(NPREN1)와 상기 음극 출력단(NOUTN) 사이에 형성된다. 그리고, 상기 음극 피드백 커패시터(473)는 일단자가 상기 제2 음극 예비 노드(NPREN2)에 커플되며, 다른 일단자가 음극 출력단(NOUTN)에 커플된다.According to a preferred embodiment, the negative feedback unit 470 includes a negative feedback resistor 471 and a negative feedback capacitor 473. The negative feedback resistor 471 is formed between the first negative electrode spare node NPREN1 and the negative output terminal NOUTN. The negative feedback capacitor 473 has one end coupled to the second negative electrode spare node NPREN2, and the other end coupled to the negative output terminal NOUTN.

계속 도 4를 참조하면, 본 발명의 저항성 주파수 혼합기(400)는 축전부(480)를 더 구비한다. 상기 축전부(480)는 상기 제1 양극 예비 노드(NPREP1)의 전하와 상기 제1 음극 예비 노드(NPREN1)의 전하를 축전한다. 바람직하기로는, 상기 축전부(480)는 일단자가 상기 제1 양극 예비 노드(NPREP1)에 커플되며, 다른 일단자가 상기 제1 음극 예비 노드(NPREN1)에 커플되는 축전 캐패시터(481)를 포함하여 구현된다.4, the resistive frequency mixer 400 of the present invention further includes a power storage unit 480. The power storage unit 480 stores the charge of the first positive electrode spare node NPREP1 and the charge of the first negative electrode spare node NPREN1. Preferably, the power storage unit 480 includes a power storage capacitor 481 whose one end is coupled to the first positive electrode spare node NPREP1, and the other end is coupled to the first negative electrode spare node NPREN1. do.

바람직한 변형예에 의한 본 발명의 저항성 주파수 혼합기(400)는 상기 제1 양극 예비 노드(NPREP1)와 상기 제2 양극 예비 노드(NPREP2) 사이에 형성되는 제1 양극 저항(510)과, 상기 제1 음극 예비 노드(NPREN1)와 상기 제2 음극 예비 노드(NPREN2) 사이에 형성되는 제1 음극 저항(520)을 더 구비한다. The resistive frequency mixer 400 according to the preferred embodiment of the present invention includes a first positive electrode resistor 510 formed between the first positive electrode spare node NPREP1 and the second positive electrode spare node NPREP2 and the first positive electrode resistor 510. A first negative electrode resistor 520 is formed between the negative electrode spare node NPREN1 and the second negative electrode spare node NPREN2.

그리고, 더욱 바람직한 실시예에 의한 본 발명의 저항성 주파수 혼합기(400)는 상기 제1 양극 예비 노드(NPREP1)와 상기 제1 양극 전계 효과 트랜지스터(410)의 다른 일접합 사이에 형성되는 제2 양극 저항(530)과, 상기 제1 음극 예비 노드(NPREN1)와 상기 제2 양극 전계 효과 트랜지스터(420)의 다른 일접합 사이에 형성되는 제3 양극 저항(540)을 더 구비한다. 또한, 상기 저항성 주파수 혼합기(400)는 상기 제1 양극 예비 노드(NPREP1)와 상기 제1 음극 전계 효과 트랜지스터(430)의 다른 일접합 사이에 형성되는 제2 음극 저항(550)과, 상기 제1 음극 예비 노 드(NPREN1)와 상기 제2 음극 전계 효과 트랜지스터(440)의 다른 일접합 사이에 형성되는 제3 음극 저항(560)을 더 구비한다.In addition, the resistive frequency mixer 400 of the present invention may further include a second anode resistor formed between the first anode spare node NPREP1 and the other one junction of the first anode field effect transistor 410. And a third positive electrode resistor 540 formed between the first negative electrode spare node NPREN1 and the other one junction of the second positive electrode field effect transistor 420. In addition, the resistive frequency mixer 400 includes a second negative electrode resistor 550 formed between the first positive electrode spare node NPREP1 and another junction of the first negative field effect transistor 430, and the first negative electrode resistor 550. And a third negative electrode resistor 560 formed between the negative electrode preliminary node NPREN1 and the other one junction of the second negative field effect transistor 440.

상기와 같은 도 4의 저항성 주파수 혼합기(400)도, 도 1의 저항성 주파수 혼합기(100)와 마찬가지로, 상기 증폭부(450)와 상기 양극 피드백부(460) 및 상기 음극 피드백부(470)에 의하여, 상기 중간신호(IF)에 대하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호는 1차적으로 필터링되어 제거될 수 있다. 그리고, 상기 제1 내지 제3 양극 저항(510, 530, 540), 상기 제1 내지 제3 음극 저항(520, 550, 560), 축전부(480)는 상기 증폭부(450)와 함께, 상기 중간신호(IF)에 대하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호는 2차로 상당부분 필터링되어 제거된다.Like the resistive frequency mixer 400 of FIG. 4, the amplification unit 450, the positive feedback unit 460, and the negative feedback unit 470 are similar to each other. The signal outside the range of the frequency intended by the designer with respect to the intermediate signal IF may be first filtered out. The first to third cathode resistors 510, 530, and 540, the first to third cathode resistors 520, 550, and 560, and the power storage unit 480, together with the amplifier 450, For the intermediate signal IF, the signal outside the range of the frequency intended by the designer is substantially filtered and removed second order.

이에 따라, 상기 저항성 주파수 혼합기(400)에 의하면, 상기 중간신호(IF)에 대하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호는 매우 크게 필터링되어 제거된다.Accordingly, according to the resistive frequency mixer 400, signals outside the range of the frequency intended by the designer with respect to the intermediate signal IF are very largely filtered out.

상기와 같은 본 발명의 저항성 주파수 혼합기에서는, 상기 증폭부와 상기 피드백부에 의하여, 상기 중간신호에 대하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호는 1차적으로 필터링되어 제거될 수 있다. 나아가 본 발명의 저항성 주파수 혼합기에 의하면, 상기 제1 및 제2 저항, 축전부는 상기 증폭부와 함께, 상기 중간신호에 대하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호는 2차로 상당부분 필터링되어 제거된다. 이에 따라, 본 발명의 저항성 주파수 혼합기에 의하면, 상기 중간신호에 대하여 설계자가 의도한 주파수의 범위 밖의 신호는 매우 크게 필터링되어 제거된다.In the resistive frequency mixer of the present invention as described above, signals outside the frequency range intended by the designer with respect to the intermediate signal may be first filtered out by the amplifying unit and the feedback unit. Further, according to the resistive frequency mixer of the present invention, the first and second resistors and the power storage unit together with the amplifying unit, the signal outside the range of the frequency intended by the designer for the intermediate signal is substantially filtered secondly and removed. Accordingly, according to the resistive frequency mixer of the present invention, the signal outside the range of the frequency intended by the designer with respect to the intermediate signal is very largely filtered out.

그 결과, 본 발명의 저항성 주파수 혼합기에 의하면, 노이즈가 효과적으로 제거되어, 비의도적인 신호에 의한 간섭현상이 저감된다.As a result, according to the resistive frequency mixer of the present invention, noise is effectively removed and interference caused by unintentional signals is reduced.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom.

예를 들면, 본 명세서에서는 전계 효과 트랜지스터와 제1 예비 노드 사이, 제1 예비 노드와 제2 예비 노드 사이에 모두 저항이 구비되는 실시예가 도시되고, 기술되었다. 그러나, 전계 효과 트랜지스터와 제1 예비 노드 사이, 제1 예비 노드와 제2 예비 노드 사이 중 어느 하나에 구비되는 다른 실시예에 의해서도 본 발명의 기술적 사상에 따른 효과가 상당히 구현될 수 있음은 당업자에게는 자명한 사실이다.For example, an embodiment in which a resistor is provided between both the field effect transistor and the first spare node, and between the first spare node and the second spare node is shown and described. However, it will be apparent to those skilled in the art that the effect of the technical concept of the present invention can be substantially realized by other embodiments provided between any one of the field effect transistor and the first spare node and between the first spare node and the second spare node. It is self-evident.

그리고, 전계 효과 트랜지스터와 제1 예비 노드 사이, 제1 예비 노드와 제2 예비 노드 사이에 의도적인 저항이 형성되지 않더라도, 연결 배선 사이에 비의도적으로 형성되는 기생 저항 성분을 가지는 또 다른 실시예에 의해서도 본 발명의 기술적 사상에 따른 효과가 구현될 수 있음 또한 당업자에게는 자명하다.Another embodiment has a parasitic resistance component formed unintentionally between connecting wirings even though no intentional resistance is formed between the field effect transistor and the first preliminary node and between the first preliminary node and the second preliminary node. It is also apparent to those skilled in the art that the effect according to the spirit of the present invention can be implemented by.

따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (10)

레이디오 신호와 로컬 신호를 혼합하여 중간신호를 생성하는 저항성 주파수 혼합기에 있어서,In the resistive frequency mixer for mixing the radio signal and the local signal to produce an intermediate signal, 상기 레이디오 신호를 수신하는 입력단;An input terminal for receiving the radio signal; 제1 예비 노드;A first spare node; 상기 제1 예비 노드에 커플되는 제2 예비 노드;A second spare node coupled to the first spare node; 상기 중간신호를 발생하는 출력단;An output stage for generating the intermediate signal; 일접합은 상기 입력단과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 예비 노드에 커플되도록 형성되며, 상기 로컬 신호에 게이팅되는 전계 효과 트랜지스터;A one-junction is coupled to the input terminal and the other one-junction is formed to be coupled to the first preliminary node and is gated to the local signal; 상기 제2 예비 노드의 신호를 반전 증폭하여 상기 출력단으로 제공하는 증폭부;An amplifier for inverting and amplifying the signal of the second preliminary node to the output terminal; 상기 출력단의 전압을 상기 제1 예비 노드와 상기 제2 예비 노드에 피드백하도록 구동되는 피드백부; 및A feedback unit driven to feed back the voltage at the output terminal to the first spare node and the second spare node; And 상기 제1 예비 노드의 전하를 축전하는 축전부를 구비하는 것을 특징으로 하는 저항성 주파수 혼합기.And a power storage unit configured to store electric charges of the first spare node. 제1 항에 있어서, 상기 피드백부는The method of claim 1, wherein the feedback unit 상기 제1 예비 노드와 상기 출력단 사이에 형성되는 피드백 저항; 및A feedback resistor formed between the first spare node and the output terminal; And 일단자가 상기 제2 예비 노드에 커플되며, 다른 일단자가 출력단에 커플되는 피드백 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 저항성 주파수 혼합기.And a feedback capacitor having one end coupled to the second spare node and the other end coupled to the output terminal. 제1 항에 있어서, 상기 저항성 주파수 혼합기는The method of claim 1, wherein the resistive frequency mixer 상기 제1 예비 노드와 상기 제2 예비 노드 사이에 형성되는 제1 저항을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저항성 주파수 혼합기.And a first resistor formed between the first spare node and the second spare node. 제3 항에 있어서, 상기 저항성 주파수 혼합기는The method of claim 3, wherein the resistive frequency mixer 상기 전계 효과 트랜지스터의 상기 다른 일접합과 상기 제1 예비 노드 사이에 형성되는 제2 저항을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저항성 주파수 혼합기.And a second resistor formed between said another single junction of said field effect transistor and said first preliminary node. 제1 항에 있어서, 상기 축전부는According to claim 1, wherein the power storage unit 일단자가 상기 제1 예비 노드에 커플되며, 다른 일단자가 접지전압에 커플되는 축전 캐패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 저항성 주파수 혼합기.And a capacitive capacitor having one end coupled to the first spare node and the other end coupled to the ground voltage. 레이디오 신호와 로컬 신호를 혼합하여 중간신호를 생성하는 저항성 주파수 혼합기로서, 상기 레이디오 신호, 상기 로컬 신호 및 상기 중간신호 각각은 서로 상보관계를 가지는 양극성 성분 및 음극성 성분으로 이루어지는 상기 저항성 주파수 혼합기에 있어서,A resistive frequency mixer which generates an intermediate signal by mixing a radio signal and a local signal, wherein each of the radio signal, the local signal, and the intermediate signal comprises a positive component and a negative component having a complementary relationship to each other. , 상기 레이디오 신호의 양극성 성분을 수신하는 양극 입력단;A positive input terminal for receiving a positive component of the radio signal; 제1 양극 예비 노드;A first anode spare node; 상기 제1 양극 예비 노드에 커플되는 제2 양극 예비 노드;A second anode spare node coupled to the first anode spare node; 상기 중간신호의 양극성 성분을 발생하는 양극 출력단;A positive output stage for generating a bipolar component of the intermediate signal; 상기 레이디오 신호의 음극성 성분을 수신하는 음극 입력단;A negative input terminal for receiving a negative component of the radio signal; 제1 음극 예비 노드;A first cathode spare node; 상기 제1 음극 예비 노드에 커플되는 제2 음극 예비 노드;A second negative electrode spare node coupled to the first negative electrode spare node; 상기 중간신호의 음극성 성분을 발생하는 음극 출력단;A negative output stage for generating a negative component of the intermediate signal; 일접합은 상기 양극 입력단과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 양극 예비 노드에 커플되도록 형성되며, 상기 로컬 신호의 양극성 성분에 게이팅되는 제1 양극 전계 효과 트랜지스터;A first bipolar field effect transistor coupled to the positive input terminal, and the other single junction coupled to the first positive electrode spare node, and gated to a bipolar component of the local signal; 일접합은 상기 양극 입력단과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 음극 예비 노드에 커플되도록 형성되며, 상기 로컬 신호의 음극성 성분에 게이팅되는 제2 양극 전계 효과 트랜지스터;A second anode field effect transistor coupled to the anode input terminal, the other junction being coupled to the first cathode spare node, and gated to a cathode component of the local signal; 일접합은 상기 음극 입력단과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 양극 예비 노드에 커플되도록 형성되며, 상기 로컬 신호의 음극성 성분에 게이팅되는 제1 음극 전계 효과 트랜지스터;A first negative electrode field effect transistor coupled to the negative input terminal, and the other positive contact coupled to the first positive electrode spare node, the first negative field effect transistor being gated to the negative component of the local signal; 일접합은 상기 음극 입력단과 커플되며, 다른 일접합은 상기 제1 음극 예비 노드에 커플되도록 형성되며, 상기 로컬 신호의 양극성 성분에 게이팅되는 제2 음극 전계 효과 트랜지스터;A second negative electrode field effect transistor coupled to the negative input terminal, and the other negative contact coupled to the first negative electrode spare node and gated to the positive component of the local signal; 상기 제2 양극 예비 노드의 신호와 상기 제2 음극 예비 노드의 신호를 반전 증폭하여 상기 양극 출력단과 상기 음극 출력단으로 제공하는 증폭부;An amplifier for inverting and amplifying the signal of the second positive electrode spare node and the signal of the second negative electrode spare node to provide the positive output terminal and the negative output terminal; 상기 양극 출력단의 전압을 상기 제1 양극 예비 노드와 상기 제2 양극 예비 노드에 피드백하도록 구동되는 양극 피드백부;A positive feedback unit driven to feed back a voltage of the positive output terminal to the first positive electrode spare node and the second positive electrode spare node; 상기 음극 출력단의 전압을 상기 제1 음극 예비 노드와 상기 제2 음극 예비 노드에 피드백하도록 구동되는 음극 피드백부; 및A negative feedback unit driven to feed back a voltage of the negative output terminal to the first negative electrode spare node and the second negative electrode spare node; And 상기 제1 양극 예비 노드와 상기 제1 음극 예비 노드의 전하를 축전하는 축전부를 구비하는 것을 특징으로 하는 저항성 주파수 혼합기.And a power storage unit configured to store charges of the first positive electrode spare node and the first negative electrode spare node. 제6 항에 있어서, 상기 양극 피드백부는The method of claim 6, wherein the anode feedback unit 상기 제1 양극 예비 노드와 상기 양극 출력단 사이에 형성되는 양극 피드백 저항; 및An anode feedback resistor formed between the first anode spare node and the anode output terminal; And 일단자가 상기 제2 양극 예비 노드에 커플되며, 다른 일단자가 양극 출력단에 커플되는 양극 피드백 커패시터를 구비하며,One end coupled to the second positive spare node, the other end coupled to a positive output stage, and having a positive feedback capacitor, 상기 음극 피드백부는The negative feedback unit 상기 제1 음극 예비 노드와 상기 음극 출력단 사이에 형성되는 음극 피드백 저항; 및A negative feedback resistor formed between the first negative electrode spare node and the negative output terminal; And 일단자가 상기 제2 음극 예비 노드에 커플되며, 다른 일단자가 음극 출력단에 커플되는 음극 피드백 커패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 저항성 주파수 혼합기.And a negative feedback capacitor having one end coupled to the second negative electrode spare node and the other end coupled to the negative output terminal. 제6 항에 있어서, 상기 저항성 주파수 혼합기는The method of claim 6, wherein the resistive frequency mixer 상기 제1 양극 예비 노드와 상기 제2 양극 예비 노드 사이에 형성되는 제1 양극 저항; 및A first anode resistor formed between the first anode spare node and the second anode spare node; And 상기 제1 음극 예비 노드와 상기 제2 음극 예비 노드 사이에 형성되는 제1 음극 저항을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저항성 주파수 혼합기.And a first negative resistance formed between the first negative electrode spare node and the second negative electrode spare node. 제8 항에 있어서, 상기 저항성 주파수 혼합기는The method of claim 8, wherein the resistive frequency mixer 상기 제1 양극 전계 효과 트랜지스터의 상기 다른 일접합과 상기 제1 양극 예비 노드 사이에 형성되는 제2 양극 저항; A second anode resistor formed between the other one junction of the first anode field effect transistor and the first anode spare node; 상기 제2 양극 전계 효과 트랜지스터의 상기 다른 일접합과 상기 제1 음극 예비 노드 사이에 형성되는 제3 양극 저항; A third anode resistor formed between the other one junction of the second cathode field effect transistor and the first cathode spare node; 상기 제1 음극 전계 효과 트랜지스터의 상기 다른 일접합과 상기 제1 양극 예비 노드 사이에 형성되는 제2 음극 저항; A second cathode resistor formed between the other one junction of the first cathode field effect transistor and the first anode spare node; 상기 제2 음극 전계 효과 트랜지스터의 상기 다른 일접합과 상기 제1 음극 예비 노드 사이에 형성되는 제3 음극 저항을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저항성 주파수 혼합기.And a third cathode resistor formed between said another one junction of said second cathode field effect transistor and said first cathode spare node. 제6 항에 있어서, 상기 축전부는According to claim 6, wherein the power storage unit 일단자가 상기 제1 양극 예비 노드에 커플되며, 다른 일단자가 상기 제1 음극 예비 노드에 커플되는 축전 캐패시터를 구비하는 것을 특징으로 하는 저항성 주파수 혼합기.And a capacitive capacitor having one end coupled to the first positive electrode spare node and the other end coupled to the first negative electrode spare node.
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US5784692A (en) 1996-06-19 1998-07-21 Neillen Technologies, Corp. Method and apparatus for generating non-linear variable impedance
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