KR100965588B1 - Method for fabricating liquid crystal display device - Google Patents

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Abstract

단선된 데이터라인을 리페어(Repair)시켜서 화소영역에 암점이 발생하는 것을 방지할 수 있는 액정표시장치의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 일부가 데이터라인을 중첩하도록 화소영역의 보호막상에 도전막 패턴을 형성하는 단계; 상기 데이터라인의 일부가 제거되어 이 데이터라인이 일측 데이터라인과 타측 데이터라인으로 분리된 경우, 상기 일측 데이터라인을 중첩하는 도전막 패턴의 일부 및 상기 타측 데이터라인을 중첩하는 도전막 패턴의 일부에 각각 레이저 용접을 실시하여 상기 일측 데이터라인과 타측 데이터라인을 상기 도전막 패턴으로 연결하는 단계; 상기 도전막 패턴을 레이저 컷팅하여 분리함으로써 상기 화소영역에 화소전극을 형성함과 아울러, 상기 일측 데이터라인 및 타측 데이터라인을 중첩하며 상기 일측 데이터라인과 타측 데이터라인을 서로 연결하는 더미 데이터라인을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.The present invention provides a method of manufacturing a liquid crystal display device capable of repairing a disconnected data line to prevent occurrence of a dark spot in a pixel area. ; When a part of the data line is removed and the data line is separated into one data line and the other data line, a part of the conductive film pattern overlapping the one data line and a part of the conductive film pattern overlapping the other data line Connecting the one data line and the other data line with the conductive film pattern by laser welding; Forming a pixel electrode in the pixel region by laser cutting and separating the conductive film pattern, forming a dummy data line that overlaps the one data line and the other data line and connects the one data line and the other data line to each other The method comprising the steps of:

데이터라인, 단선, 레이저, 용접, 컷팅, 화소전극Data line, disconnection, laser, welding, cutting, pixel electrode

Description

액정표시장치의 제조방법{METHOD FOR FABRICATING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device,

도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 단위 화소를 나타낸 확대 평면도 1 is an enlarged plan view showing a unit pixel of a conventional liquid crystal display

도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'와 Ⅱ-Ⅱ' 선상을 자른 구조 단면도 Fig. 2 is a cross-sectional view taken along line I-I 'and II-II'

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 단위 화소를 나타낸 확대 평면도 3 is an enlarged plan view showing a unit pixel of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 Ⅲ-Ⅲ'와 Ⅳ-Ⅳ' 선상을 자른 구조 단면도 Fig. 4 is a cross-sectional view taken along the line III-III 'and IV-IV'

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정 단면도 FIGS. 5A to 5C are cross-sectional views showing a manufacturing method of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * Description of the Related Art [0002]

50 : 하부기판 51 : 게이트라인 50: lower substrate 51: gate line

51a : 게이트전극 52 : 게이트절연막 51a: gate electrode 52: gate insulating film

53 : 액티브층 54 : 데이터라인 53: active layer 54: data line

54a : 소오스전극 54b : 드레인전극 54a: source electrode 54b: drain electrode

54c : 스토리지 전극 55 : 유기절연막 54c: storage electrode 55: organic insulating film

56a : 제 1 콘택홀 56b : 제 2 콘택홀 56a: first contact hole 56b: second contact hole

57 : 투명 도전막 패턴 57a : 화소전극 57: transparent conductive film pattern 57a: pixel electrode                 

57b : 더미 데이터라인 57b: dummy data line

본 발명은 액정표시장치에 대한 것으로, 특히 데이터라인의 단선시 리페어하기에 용이한 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a method of manufacturing a liquid crystal display device which is easy to repair when a data line is broken.

정보화 사회가 발전함에 따라 표시장치에 대한 요구도 다양한 형태로 점증하고 있으며, 이에 부응하여 근래에는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display)등 여러 가지 평판 표시 장치가 연구되어 왔고, 일부는 이미 여러 장비에서 표시장치로 활용되고 있다.In recent years, there has been a demand for a display device in accordance with the development of an information society, and in recent years, a display device such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display panel (PDP), an electro luminescent display (ELD), a vacuum fluorescent display ) Have been studied, and some of them have already been used as display devices in various devices.

그 중에, 현재 화질이 우수하고 경량, 박형, 저소비 전력의 장점으로 인하여 이동형 화상 표시장치의 용도로 CRT(Cathode Ray Tube)를 대체하면서 LCD가 가장 많이 사용되고 있으며, 노트북 컴퓨터의 모니터와 같은 이동형의 용도 이외에도 방송신호를 수신하여 디스플레이하는 텔레비전, 및 컴퓨터의 모니터 등으로 다양하게 개발되고 있다.Among them, the LCD is the most widely used in place of a CRT (Cathode Ray Tube) for the purpose of a portable image display device because of its excellent image quality, light weight, thinness and low power consumption. A television for receiving and displaying a broadcast signal, and a monitor for a computer.

이와 같이 액정표시장치가 여러 분야에서 화면 표시장치로서의 역할을 하기 위해 여러 가지 기술적인 발전이 이루어졌음에도 불구하고 화면 표시장치로서 화상의 품질을 높이는 작업은 상기 장점과 배치되는 면이 많이 있다.Although various technological developments have been made in order for the liquid crystal display device to function as a screen display device in various fields, there are many aspects in which the operation of increasing the quality of the image as the screen display device is arranged with the above advantages.

따라서, 액정표시장치가 일반적인 화면 표시장치로서 다양한 부분에 사용되 기 위해서는 경량, 박형, 저소비전력의 특징을 유지하면서도 고정세, 고휘도, 대면적 등 고품위 화상을 얼마나 구현할 수 있는가에 발전의 관건이 걸려 있다고 할 수 있다.Therefore, in order for a liquid crystal display device to be used in various parts as a general screen display device, it is important to develop a high-quality image such as a fixed screen, a high brightness, and a large area while maintaining the characteristics of light weight, thinness and low power consumption .

이와 같은 액정표시장치는, 화상을 표시하는 액정 패널과 상기 액정 패널에 구동신호를 인가하기 위한 구동부로 크게 구분될 수 있으며, 상기 액정 패널은 공간을 갖고 합착된 제 1, 제 2 유리 기판과, 상기 제 1, 제 2 유리 기판 사이에 주입된 액정층으로 구성된다. The liquid crystal display device may be roughly divided into a liquid crystal panel for displaying an image and a driving part for applying a driving signal to the liquid crystal panel. The liquid crystal panel includes first and second glass substrates, And a liquid crystal layer injected between the first and second glass substrates.

여기서, 상기 제 1 유리 기판(TFT 어레이 기판)에는, 일정 간격을 갖고 일 방향으로 배열되는 복수개의 게이트 라인과, 상기 각 게이트 라인과 수직한 방향으로 일정한 간격으로 배열되는 복수개의 데이터 라인과, 상기 각 게이트 라인과 데이터 라인이 교차되어 정의된 각 서브 픽셀영역에 매트릭스 형태로 형성되는 복수개의 픽셀 전극과 상기 게이트 라인의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터 라인의 신호를 상기 각 픽셀 전극에 전달하는 복수개의 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.Here, the first glass substrate (TFT array substrate) includes a plurality of gate lines arranged at regular intervals and arranged in one direction, a plurality of data lines arranged at regular intervals in a direction perpendicular to the gate lines, A plurality of pixel electrodes formed in a matrix form in each of the sub pixel regions defined by intersecting of the gate lines and the data lines and a plurality of pixel electrodes that are switched by the signals of the gate lines to transmit the signals of the data lines to the pixel electrodes A thin film transistor is formed.

그리고 제 2 유리 기판(컬러필터 기판)에는, 상기 픽셀영역을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스층과, 컬러 색상을 표현하기 위한 R,G,B 컬러 필터층과 화상을 구현하기 위한 공통 전극이 형성되어 있다. 물론, 횡전계 방식의 액정표시장치에서는 공통전극이 제 1 유리 기판에 형성되어 있다.The second glass substrate (color filter substrate) is provided with a black matrix layer for shielding light in a portion excluding the pixel region, an R, G, and B color filter layers for expressing color hues, and a common electrode Respectively. Of course, in the transverse electric field type liquid crystal display device, the common electrode is formed on the first glass substrate.

이와 같은 상기 제 1, 제 2 유리 기판은 스페이서(spacer)에 의해 일정 공간을 갖고 씨일재에 의해 합착된다. The first and second glass substrates are bonded together by a spacer with a predetermined space therebetween.

이하, 첨부 도면을 참조하여 종래의 액정표시장치에 대하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a conventional liquid crystal display device will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 종래 기술에 따른 액정표시장치의 단위 화소를 나타낸 확대 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'와 Ⅱ-Ⅱ' 선상을 자른 구조 단면도이다. FIG. 1 is an enlarged plan view showing a unit pixel of a conventional liquid crystal display device, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line I-I 'and II-II' of FIG.

종래 기술에 따른 액정표시장치는 도 1과 도 2에 도시한 바와 같이, 하부기판(20)에 종횡으로 배열되어 화소영역(P)을 정의하는 게이트 라인(21)과 데이터 라인(24)이 있고, 상기 게이트 라인(21)과 데이터 라인(24)이 교차하는 각 화소영역(P)에는 화소전극(27)이 형성되고, 상기 각 게이트 라인(21)과 데이터 라인(24)이 교차하는 부분에 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다.1 and 2, the liquid crystal display according to the related art has a gate line 21 and a data line 24 which are vertically and horizontally arranged on a lower substrate 20 to define a pixel region P A pixel electrode 27 is formed in each pixel region P where the gate line 21 and the data line 24 cross each other and a portion where the gate line 21 and the data line 24 intersect A thin film transistor (TFT) is formed.

이때, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 라인(21)의 일측에서 돌출된 게이트 전극(21a)과, 하부기판(20) 전면에 형성된 게이트 절연막(22)과, 상기 게이트 전극(21a) 상측의 게이트절연막(22) 상에 형성된 액티브층(23)과, 상기 데이터 라인(24)의 일측에서 돌출되며 상기 액티브층(23)의 일측에 오버랩된 소오스 전극(24a)과, 상기 소오스 전극(24a)에 이격되며 상기 액티브층(23)의 타측에 오버랩된 드레인 전극(24b)을 구비하여 구성된다.The thin film transistor TFT includes a gate electrode 21a protruding from one side of the gate line 21, a gate insulating film 22 formed on the entire surface of the lower substrate 20, An active layer 23 formed on the gate insulating film 22; a source electrode 24a protruding from one side of the data line 24 and overlapped with one side of the active layer 23; And a drain electrode 24b spaced apart from the active layer 23 and overlapped with the other side of the active layer 23.

그리고 이전단의 게이트라인 상부에 스토리지 전극(24c)이 형성되어 있고, 상기 TFT를 포함한 하부기판(20) 전면에 유기절연막(25)이 형성되어 있다. A storage electrode 24c is formed on the gate line of the previous stage, and an organic insulating film 25 is formed on the entire surface of the lower substrate 20 including the TFT.

그리고 상기 드레인전극(24b)과 스토리지 전극(24c)이 드러나도록 유기절연막(25)에 각각 제 1, 제 2 콘택홀(26a, 26b)이 형성되어 있다. First and second contact holes 26a and 26b are formed in the organic insulating layer 25 so that the drain electrode 24b and the storage electrode 24c are exposed.

그리고 상기 화소전극(27)은 제 1 콘택홀(26a)을 통해 드레인전극(24b)과 콘택되고, 제 2 콘택홀(26b)을 통해 스토리지 전극(26b)과 콘택되며, 인듐-틴-옥사이 드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속으로 형성되어 있다. The pixel electrode 27 is in contact with the drain electrode 24b through the first contact hole 26a and is in contact with the storage electrode 26b through the second contact hole 26b, and is formed of a transparent conductive metal having a relatively high light transmittance such as indium-tin-oxide (ITO).

그리고 도면에는 도시되어 있지 않지만, 상기 하부기판(20)과 대향하고 있는 상부기판에는 상기 화소영역(P)을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스층과, 컬러 색상을 표현하기 위한 R,G,B 컬러 필터층과, 화상을 구현하기 위한 공통전극이 형성되어 있다.Although not shown in the figure, the upper substrate facing the lower substrate 20 is provided with a black matrix layer for blocking light in a portion excluding the pixel region P, and R, G , A B color filter layer, and a common electrode for realizing an image are formed.

전술한 바와 같이 구성되는 액정표시장치는, 데이터라인(24)으로 인가된 신호는 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 통해 상기 화소전극(27)에 전달되고, 화소전극(27)에 전달된 신호에 의해서 상기 화소전극(27) 상에 위치한 액정층이 배향되고, 상기 액정층의 배향 정도에 따라 액정층을 투과하는 빛의 양이 조절되는 방식으로 화상을 표현할 수 있다.In the liquid crystal display constructed as described above, a signal applied to the data line 24 is transmitted to the pixel electrode 27 through the thin film transistor (TFT), and the signal transmitted to the pixel electrode 27 The liquid crystal layer located on the pixel electrode 27 is oriented and the amount of light transmitted through the liquid crystal layer is controlled according to the degree of orientation of the liquid crystal layer.

그러나, 이와 같이 구동하는 액정표시장치에 있어서, 도 1에 도시된 바와 같이 데이터라인(24)이 단선된다면 화소전극(27)에 구동신호를 전달할 수 없게 되므로 단선된 데이터라인을 통해 신호를 인가 받는 화소영역들은 빛을 통과시키지 못하게 되어 암점이 발생하게 된다. However, if the data line 24 is disconnected as shown in FIG. 1, it is impossible to transmit a driving signal to the pixel electrode 27, so that a signal is received through the disconnected data line The pixel areas are not allowed to pass the light, and the dark spot is generated.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 안출한 것으로, 본 발명의 목적은 단선된 데이터라인을 리페어(Repair)시켜서 화소영역에 암점이 발생하는 것을 방지할 수 있는 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device capable of repairing a disconnected data line, .

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상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 액정표시장치의 제조방법은, 기판상에 일측에 게이트전극을 구비한 게이트라인을 형성하는 단계; 상기 게이트라인을 포함한 상기 기판상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트전극 상부에 액티브층을 형성하는 단계; 상기 게이트라인과 교차 배치되어 화소영역을 정의하도록 데이터라인을 형성하는 단계; 상기 액티브층의 일측 및 타측을 중첩하도록 소오스전극과 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 데이터라인을 포함한 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; 일부가 상기 데이터라인을 중첩하도록 상기 화소영역의 보호막상에 도전막 패턴을 형성하는 단계; 상기 데이터라인의 일부가 제거되어 이 데이터라인이 일측 데이터라인과 타측 데이터라인으로 분리된 경우, 상기 일측 데이터라인을 중첩하는 도전막 패턴의 일부 및 상기 타측 데이터라인을 중첩하는 도전막 패턴의 일부에 각각 레이저 용접을 실시하여 상기 일측 데이터라인과 타측 데이터라인을 상기 도전막 패턴으로 연결하는 단계; 상기 도전막 패턴을 레이저 컷팅하여 분리함으로써 상기 화소영역에 화소전극을 형성함과 아울러, 상기 일측 데이터라인 및 타측 데이터라인을 중첩하며 상기 일측 데이터라인과 타측 데이터라인을 서로 연결하는 더미 데이터라인을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
상기 도전막 패턴은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide:ITZO)과 같은 투명 도전막으로 형성함을 특징으로 한다.
상기 화소전극과 상기 더미 데이터라인은 일정 간격 이격되어 있으며; 상기 보호막은 포토 아크릴, 폴리 이미드, BCB(Benzo Cyclo Butene)중에서 적어도 하나를 사용하여 형성됨을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a liquid crystal display device including: forming a gate line having a gate electrode on a substrate; Forming a gate insulating film on the substrate including the gate line; Forming an active layer over the gate electrode; Forming a data line crossing the gate line to define a pixel region; Forming a source electrode and a drain electrode so as to overlap one side and the other side of the active layer; Forming a protective film on the entire surface of the substrate including the data lines; Forming a conductive film pattern on the protective film of the pixel region so that a part thereof overlaps the data line; When a part of the data line is removed and the data line is separated into one data line and the other data line, a part of the conductive film pattern overlapping the one data line and a part of the conductive film pattern overlapping the other data line Connecting the one data line and the other data line with the conductive film pattern by laser welding; Forming a pixel electrode in the pixel region by laser cutting and separating the conductive film pattern, forming a dummy data line that overlaps the one data line and the other data line and connects the one data line and the other data line to each other The method comprising the steps of:
The conductive film pattern may be formed of a metal such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO) And is formed of a transparent conductive film.
The pixel electrode and the dummy data line are spaced apart from each other by a predetermined distance; The protective film is formed using at least one of photo-acryl, polyimide, and BCB (Benzo Cyclo Butene).

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이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법에 대하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 구성에 대하여 설명하기로 한다. First, the configuration of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described.                     

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 단위 화소를 나타낸 확대 평면도이고, 도 4는 도 3의 Ⅲ-Ⅲ'와 Ⅳ-Ⅳ' 선상을 자른 구조 단면도이다. FIG. 3 is an enlarged plan view showing a unit pixel of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along lines III-III 'and IV-IV' of FIG.

본 발명은 데이터라인이 단선되었을 때 이를 리페어(repair)시키기 위한 구성에 대한 것으로, 이에 따른 액정표시장치는 도 3과 도 4에 도시한 바와 같이, 하부기판(50) 상에 일정 간격을 갖고 일방향으로 평행하게 게이트라인(51)이 배열되어 있고, 상기 게이트라인(51)의 일측에 게이트전극(51a)이 돌출 형성되어 있다. 3 and 4, the liquid crystal display device according to the present invention includes a lower substrate 50, a plurality of data lines And a gate electrode 51a is formed on one side of the gate line 51 in a protruding manner.

그리고 게이트라인(51)과 게이트전극(51a)을 포함한 하부기판(50) 전면에 게이트절연막(52)이 형성되어 있고, 상기 게이트 전극(51a) 상측의 게이트절연막(52) 상에 일정모양으로 액티브층(53)이 패턴되어 있다. A gate insulating film 52 is formed on the entire surface of the lower substrate 50 including the gate line 51 and the gate electrode 51a and is formed in a predetermined shape on the gate insulating film 52 on the gate electrode 51a. The layer 53 is patterned.

그리고 게이트절연막(52)상에 상기 게이트라인(51)과 교차되어 화소영역을 정의하는 데이터라인(54)이 있고, 상기 데이터라인(54)의 일측에서 돌출되며 상기 액티브층(53)의 일측 상부에 오버랩된 소오스전극(54a)이 있고, 상기 소오스전극(54a)과 소정 간격 이격되며 액티브층(53)의 타측 상부에 오버랩된 드레인전극(54b)이 있다. A data line 54 is formed on the gate insulating film 52 and intersects the gate line 51 to define a pixel region. The data line 54 protrudes from one side of the data line 54, A source electrode 54a overlapped with the source electrode 54a and a drain electrode 54b spaced apart from the source electrode 54a by an overlapping portion on the other side of the active layer 53. [

그리고 이전단의 게이트라인의 일영역에는 스토리지 전극(54c)이 형성되어 있다.A storage electrode 54c is formed in one region of the gate line of the previous stage.

상기에서와 같이 게이트라인(51)과 데이터라인(54)이 교차하는 영역에 박막 트랜지스터가 형성된다. As described above, a thin film transistor is formed in a region where the gate line 51 and the data line 54 cross each other.

그리고 드레인전극(54b)의 일영역에는 제 1 콘택홀(56a), 스토리지 전극(54c)상에는 제 2 콘택홀(56b)이 형성된 유기절연막(55)이 상기 박막 트랜지스 터를 포함한 하부기판(50)의 전면에 형성되어 있다. 이때 상기 유기절연막(55)은 보호막 및 평탄화막 역할을 하는 것으로, 포토 아크릴, 폴리 이미드, BCB(Benzo Cyclo Butene)중에서 적어도 하나를 사용하여 형성되어 있다. An organic insulating film 55 having a first contact hole 56a formed in one region of the drain electrode 54b and a second contact hole 56b formed on the storage electrode 54c is formed on the lower substrate 50 including the thin film transistor As shown in Fig. At this time, the organic insulating layer 55 serves as a protective layer and a planarizing layer, and is formed using at least one of photo-acryl, polyimide, and BCB (Benzo Cyclo Butene).

그리고 제 1 콘택홀(56a)을 통해 드레인전극(54b)과 콘택되고, 제 2 콘택홀(56b)을 통해서 스토리지 전극(54c)과 콘택되도록 화소영역에 화소전극(57a)이 형성되어 있다. A pixel electrode 57a is formed in the pixel region to be in contact with the drain electrode 54b through the first contact hole 56a and to be in contact with the storage electrode 54c through the second contact hole 56b.

그리고 상기 데이터라인(54)의 일영역이 단선되어 있을 경우, 단선된 데이터라인(54)의 상,하부를 연결할 수 있도록 단선된 데이터라인(54)의 상,하부 일영역에 각각 용접(Weld)점을 갖는 더미 데이터라인(57b)이 형성되어 있다. When one region of the data line 54 is disconnected, the upper and lower portions of the disconnected data line 54 are welded to the upper and lower regions of the disconnected data line 54, respectively. A dummy data line 57b having a dot is formed.

상기 더미 데이터라인(57b)은 데이터라인(54) 상부에 오버랩되어 있고, 상기 화소전극(57a)과는 일정 간격 이격되어 있다. The dummy data line 57b overlaps the data line 54 and is spaced apart from the pixel electrode 57a by a predetermined distance.

상기 더미 데이터라인(57b)과 상기 화소전극(57a)은 동일층 상에 형성되며, 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide:ITZO)과 같은 투명 도전막으로 형성되어 있다. The dummy data line 57b and the pixel electrode 57a are formed on the same layer and formed of indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (ITO) IZO) or a transparent conductive film such as indium tin zinc oxide (ITZO).

그리고, 도면에는 도시되어 있지 않지만, 상기 데이터라인(54)이 단선되지 않았을 경우에는, 상기 더미 데이터라인(57b)은 형성되지 않고, 상기 화소전극(57a)이 더미 데이터라인(57b) 형성영역까지 연장되어 상기 데이터라인(54)상에 오버랩되어 있다. Although not shown in the drawing, when the data line 54 is not disconnected, the dummy data line 57b is not formed, and the pixel electrode 57a extends to the dummy data line 57b formation region And is overlapped on the data line 54.

또한, 상기와 같이 구성된 하부기판(50)에 대응되는 상부기판에는, 상기 화 소영역(P)을 제외한 부분의 빛을 차단하기 위한 블랙 매트릭스층과, 상기 화소영역에 대응되는 부분에서 컬러 색상을 표현하기 위한 R,G,B 컬러 필터층과, 화상을 구현하기 위한 공통전극이 형성되어 있다. In addition, the upper substrate corresponding to the lower substrate 50 configured as described above is provided with a black matrix layer for blocking light in a portion excluding the pixel region P, and a black matrix layer in the portion corresponding to the pixel region An R, G, and B color filter layers for expressing an image, and a common electrode for implementing an image are formed.

그리고 상기 상/하부기판의 사이에는 액정층(미도시)이 충진되어 있다.A liquid crystal layer (not shown) is filled between the upper and lower substrates.

다음에, 상기 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다. Next, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention having the above-described structure will be described.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치의 제조방법을 나타낸 공정 단면도이다. 5A to 5C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 데이터라인이 단선되었을 때 이를 리페어 시키기 위한 것으로, 이에 따른 액정표시장치의 제조방법은 도 5a에 도시한 바와 같이, The present invention relates to a method for repairing a data line when the data line is disconnected, and a method of manufacturing the liquid crystal display device, as shown in FIG. 5A,

투명한 하부 기판(50)상에 도전성 금속을 증착하고, 포토 및 식각 공정을 이용하여 도전성 금속을 패터닝하여, 일 방향으로 배열된 게이트라인(51)과, 상기 게이트 라인(51)에서 일 방향으로 돌출 형성된 게이트 전극(51a)을 형성한다. A conductive metal is deposited on a transparent lower substrate 50, and a conductive metal is patterned using a photo and etching process to form gate lines 51 arranged in one direction and gate electrodes 51 projected in one direction Thereby forming the gate electrode 51a.

그리고 상기 게이트라인(51)을 포함한 하부기판(50)의 전면에 게이트 절연막(52)을 형성한다. A gate insulating layer 52 is formed on the entire surface of the lower substrate 50 including the gate line 51.

여기서 상기 게이트절연막(52)은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2)을 사용할 수 있다.Here, the gate insulating film 52 may be a silicon nitride film (SiNx) or a silicon oxide film (SiO 2 ).

이후에 상기 게이트 절연막(52)상에 반도체층(아몰퍼스실리콘 + 불순물 아몰퍼스실리콘)을 형성한다. Thereafter, a semiconductor layer (amorphous silicon + impurity amorphous silicon) is formed on the gate insulating film 52.                     

이어, 상기 반도체층을 포토 및 식각 공정으로 패터닝하여, 상기 게이트 전극(51a) 상부에 아일랜드(island) 형태를 갖는 액티브층(53)을 형성한다.Then, the semiconductor layer is patterned by a photolithography process and an etching process, and an active layer 53 having an island shape is formed on the gate electrode 51a.

이후에 상기 액티브층(53)이 형성된 하부기판(50)의 전면에 도전성 금속을 증착하고 포토 및 식각 공정을 통해 패터닝하여, 상기 게이트 라인(51)과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터 라인(54)을 형성하고, 상기 데이터 라인(54)의 일측에서 돌출되며 액티브층(53)의 일측 상부에 오버랩되도록 소오스전극(54a)을 형성하고, 소오스전극(54a)과 일정간격 이격되며 액티브층(53)의 타측에 오버랩되도록 드레인전극(54b)을 형성한다. A conductive metal is deposited on the entire surface of the lower substrate 50 on which the active layer 53 is formed and patterned through a photo etching process to form a data line 54 crossing the gate line 51 and defining a pixel region A source electrode 54a protruding from one side of the data line 54 and overlapped with an upper portion of one side of the active layer 53 is formed and is separated from the source electrode 54a by an active layer 53 The drain electrode 54b is formed so as to overlap with the other side of the gate electrode 54a.

상기에서 데이터 라인(54)을 형성함과 동시에 이전단의 게이트라인 상부에 일정 패턴을 갖도록 스토리지 전극(54c)을 형성한다. The data line 54 is formed and the storage electrode 54c is formed to have a predetermined pattern on the gate line of the previous stage.

이후에 도 5b에 도시한 바와 같이, 데이터라인(54)이 형성된 하부기판(50)의 전면에 유기절연막(55)을 형성한다. Then, as shown in FIG. 5B, an organic insulating film 55 is formed on the entire surface of the lower substrate 50 on which the data lines 54 are formed.

상기 유기절연막(55)은 보호막 및 평탄화막 역할을 하는 것으로, 포토 아크릴, 폴리 이미드, BCB(Benzo Cyclo Butene)중에서 적어도 하나를 사용하여 형성할 수 있다. The organic insulating layer 55 serves as a protective layer and a planarizing layer, and may be formed using at least one of photo-acryl, polyimide, and BCB (Benzo Cyclo Butene).

다음에 유기절연막(55)을 식각하여 상기 드레인전극(54b)의 일영역이 드러나도록 제 1 콘택홀(56a)을 형성하고, 동시에 스토리지 전극(54c)의 일영역이 드러나도록 제 2 콘택홀(56b)을 형성한다.(도 3 참조) A first contact hole 56a is formed so as to expose one region of the drain electrode 54b by etching the organic insulating film 55 and a second contact hole 56a is formed so that one region of the storage electrode 54c is exposed. 56b. (See Fig. 3)

이후에 상기 유기절연막(55) 전면에 투명 도전막을 증착하고, 사진 식각 공정으로 상기 투명 도전막을 식각해서 상기 제 1, 제 2 콘택홀(56a,56b)을 통해 드 레인전극(54b)과 스토리지 전극(54c)에 콘택되도록 화소영역에 투명 도전막 패턴(57)을 형성한다. Thereafter, a transparent conductive film is deposited on the entire surface of the organic insulating film 55, and the transparent conductive film is etched by a photolithography process to form the drain electrode 54b and the storage electrode 54b through the first and second contact holes 56a and 56b, A transparent conductive film pattern 57 is formed in the pixel region so as to be in contact with the contact hole 54c.

상기 투명 도전막 패턴(57)은 화소영역 뿐만아니라, 상기 데이터라인(54)의 상부에도 형성되어 있다. The transparent conductive film pattern 57 is formed not only on the pixel region but also on the data line 54.

상기 투명 도전막은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide:ITZO)로 형성한다. The transparent conductive film is formed of indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO) .

다음에 도 5a, 도 5b에 도시된 바와 같이 데이터라인(54)이 단선되었을 경우에는 도 3 및 도 5c에 도시한 바와 같이, 단선된 데이터라인(54)의 상,하부를 연결해 주기 위해서, 단선된 상,하부의 데이터라인(54)의 일영역을 각각 레이저로 용접한다. 이에 의해서 두 개의 용접점(58)이 형성된다. When the data line 54 is disconnected as shown in FIGS. 5A and 5B, as shown in FIGS. 3 and 5C, in order to connect the upper and lower portions of the disconnected data line 54, One region of the upper and lower data lines 54 is laser welded. Whereby two welding points 58 are formed.

이후에 투명 도전막 패턴(57)을 레이저 컷팅(Laser cutting)하여, 화소영역에 화소전극(57a)을 형성하고, 데이터라인(54) 상부에 오버랩되고 용접점(58)에 의해서 단선된 데이터라인(54)이 연결되도록 더미 데이터라인(57b)을 형성한다. Thereafter, the transparent conductive film pattern 57 is laser cut to form a pixel electrode 57a in the pixel region, and a data line 54 overlapping on the data line 54 and disconnected by the welding point 58, The dummy data line 57b is formed so that the dummy data line 54 is connected.

상기 레이저 컷팅 공정에 의해서, 화소전극(57a)과 더미 데이터라인(57b)은 서로 이격된다. By the laser cutting process, the pixel electrode 57a and the dummy data line 57b are separated from each other.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention.

따라서, 본 발명의 기술 범위는 상기 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라, 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Accordingly, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the above embodiments, but should be determined by the claims.

상기와 같은 본 발명의 액정표시장치의 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다. The method of manufacturing a liquid crystal display of the present invention as described above has the following effects.

단선된 데이터라인 상,하부측 각각에 용접점을 갖는 더미 데이터라인을 형성하여 단선된 데이터라인을 서로 연결시킬수 있으므로, 데이터라인의 단선으로 인해 화소영역에 암점이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해서 생산성을 향상시킬 수 있다. It is possible to connect the disconnected data lines to each other by forming a dummy data line having welding points on each of the disconnected data lines and the lower sides thereof, thereby preventing occurrence of a dark spot in the pixel region due to disconnection of the data line. As a result, the productivity can be improved.

Claims (10)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판상에 일측에 게이트전극을 구비한 게이트라인을 형성하는 단계; Forming a gate line having a gate electrode on one side of the substrate; 상기 게이트라인을 포함한 상기 기판상에 게이트절연막을 형성하는 단계;Forming a gate insulating film on the substrate including the gate line; 상기 게이트전극 상부에 액티브층을 형성하는 단계; Forming an active layer over the gate electrode; 상기 게이트라인과 교차 배치되어 화소영역을 정의하도록 데이터라인을 형성하는 단계; Forming a data line crossing the gate line to define a pixel region; 상기 액티브층의 일측 및 타측을 중첩하도록 소오스전극과 드레인전극을 형성하는 단계; Forming a source electrode and a drain electrode so as to overlap one side and the other side of the active layer; 상기 데이터라인을 포함한 상기 기판 전면에 보호막을 형성하는 단계; Forming a protective film on the entire surface of the substrate including the data lines; 일부가 상기 데이터라인을 중첩하도록 상기 화소영역의 보호막상에 도전막 패턴을 형성하는 단계; Forming a conductive film pattern on the protective film of the pixel region so that a part thereof overlaps the data line; 상기 데이터라인의 일부가 제거되어 이 데이터라인이 일측 데이터라인과 타측 데이터라인으로 분리된 경우, 상기 일측 데이터라인을 중첩하는 도전막 패턴의 일부 및 상기 타측 데이터라인을 중첩하는 도전막 패턴의 일부에 각각 레이저 용접을 실시하여 상기 일측 데이터라인과 타측 데이터라인을 상기 도전막 패턴으로 연결하는 단계; When a part of the data line is removed and the data line is separated into one data line and the other data line, a part of the conductive film pattern overlapping the one data line and a part of the conductive film pattern overlapping the other data line Connecting the one data line and the other data line with the conductive film pattern by laser welding; 상기 도전막 패턴을 레이저 컷팅하여 분리함으로써 상기 화소영역에 화소전극을 형성함과 아울러, 상기 일측 데이터라인 및 타측 데이터라인을 중첩하며 상기 일측 데이터라인과 타측 데이터라인을 서로 연결하는 더미 데이터라인을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법. Forming a pixel electrode in the pixel region by laser cutting and separating the conductive film pattern, forming a dummy data line that overlaps the one data line and the other data line and connects the one data line and the other data line to each other And forming a second electrode on the second electrode. 제 8 항에 있어서, 9. The method of claim 8, 상기 도전막 패턴은 인듐주석산화물(Indium Tin Oxide : ITO), 주석산화물(Tin Oxide : TO), 인듐아연산화물(Indium Zinc Oxide : IZO) 또는 인듐주석아연산화물(Indium Tin Zinc Oxide:ITZO)과 같은 투명 도전막으로 형성함을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.The conductive film pattern may be formed of a metal such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (TO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO) Wherein the transparent conductive film is formed of a transparent conductive film. 제 8 항에 있어서, 9. The method of claim 8, 상기 화소전극과 상기 더미 데이터라인은 일정 간격 이격되어 있으며;The pixel electrode and the dummy data line are spaced apart from each other by a predetermined distance; 상기 보호막은 포토 아크릴, 폴리 이미드, BCB(Benzo Cyclo Butene)중에서 적어도 하나를 사용하여 형성됨을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법. Wherein the protective film is formed using at least one of photoacryl, polyimide, and BCB (Benzo Cyclo Butene).
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