KR100961253B1 - Conductive film with improved transparency and touch panel using the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 터치패널, 전계발광 디스플레이, 액정디스플레이 등에 사용되는 투명성이 향상된 도전성 필름 및 그를 사용한 터치패널에 관한 것이다. The present invention relates to a conductive film having improved transparency used in a touch panel, an electroluminescent display, a liquid crystal display, and the like and a touch panel using the same.
투명 도전성 필름은 최근 스마트폰 네비게이션, PDA(Personal Digital Assistance) 등의 급격한 시장확대에 따라 그 사용량이 날로 확대되고 있으며 주로 저항막 방식의 터치패널형태로 탑재되고 있다. The transparent conductive film has recently been used in the form of a resistive touch panel due to the rapid market expansion of smartphone navigation and PDA (Personal Digital Assistance).
저항막방식의 터치패널은 투명 도전성 필름과 투명도전성 유리 또는 투명도전성 필름과 투명도전성 필름을 도트(dot)형태의 스페이서에 의해 서로 마주보게 배치한 형태로 되어 있으며 투명도전성 필름에 손이나 펜 등을 통해 압력을 가해 접촉할 때 그 접촉부분이 전기가 통함으로써 접촉부분의 위치가 파악된다.In the resistive touch panel, a transparent conductive film and a transparent conductive glass or a transparent conductive film and a transparent conductive film are disposed to face each other by a spacer in the form of dots, and a hand or a pen is placed on the transparent conductive film. When contact is applied under pressure, the contact part is energized to determine the position of the contact part.
이 저항막방식의 터치패널은 제조방식의 용이성, 가격의 적정성, 인식의 정확성 등의 장점 때문에 광학방식이나 초음파 방식에 비해 가장 많이 사용된다.This resistive touch panel is most used in comparison with the optical method or the ultrasonic method because of advantages such as ease of manufacturing method, reasonable price and accuracy of recognition.
저항막방식 터치패널에 사용되는 투명도전성 필름은 손가락이나 펜 등의 입력수단에 의해 수없이 눌려지므로 통상 수백만번의 타점시험에 견뎌야 하며, 또한 수십만번의 필기시험에도 성능을 유지해야하는 고내구성이 요구된다.Since the transparent conductive film used in the resistive touch panel is pressed many times by an input means such as a finger or a pen, it is generally required to withstand millions of RBI tests and also requires high durability to maintain performance even in hundreds of thousands of writing tests.
또한 저항막방식 터치패널에 사용되는 투명도전성 필름은 150 ℃의 고온시험 및 90%의 고습도에서의 저항치의 변화가 적어야 하는 등 고도의 내구성을 만족시켜야 한다.In addition, the transparent conductive film used for the resistive touch panel must satisfy high durability such as high temperature test at 150 ° C. and low resistance change at high humidity of 90%.
또한 저항막 방식 터치패널에 사용되는 투명도전성 필름은 무엇보다 시인성이 뛰어나야 하므로 빛의 투과율이 아주 높은 고투명의 제품이 요구된다.In addition, since the transparent conductive film used for the resistive touch panel must have excellent visibility above all, a highly transparent product having a very high light transmittance is required.
본 발명은 고온에서 저항값의 변화가 적고 내구성이 탁월하며 투명성이 향상된 도전성 필름을 제조방법에 관한 것이며 또한 이 필름의 사용에 의한 터치패널에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a conductive film having a small change in resistance value at high temperature, excellent durability, and improved transparency, and also relates to a touch panel using the film.
종래 투명 도전성 필름의 제조방식으로서, 투명한 필름 기재위에 인듐주석산화물 (indium tin oxide, ITO)을 코팅하는 방법이 알려져 있다. 하지만 이 투명도전성 필름은 필름상에 코팅된 ITO박막의 부착내구성이 열등하며, 고온에서의 표면 저항변화가 큰 문제점이 있다.As a conventional method of manufacturing a transparent conductive film, a method of coating indium tin oxide (ITO) on a transparent film substrate is known. However, this transparent conductive film is inferior in adhesion durability of the ITO thin film coated on the film, there is a big problem in the surface resistance change at high temperature.
또, 이러한 저항값의 변화를 억제하기 위해 앵커층, SiOx층, 투명도전층을 차례로 코팅한 방식의 투명도전성 필름의 제조방법이 일본공개특허공보 2002-117724에 개시되어 있다. 하지만 이 방식 역시 투명 도전성 필름의 표면저항이 열에 의해 많이 변화되어 신뢰성의 문제가 있다.In addition, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-117724 discloses a method for manufacturing a transparent conductive film having a coating method of an anchor layer, a SiOx layer, and a transparent conductive layer in order to suppress such a change in resistance value. However, this method also has a problem of reliability because the surface resistance of the transparent conductive film is changed a lot by heat.
일본공개특허공보 2006-261091에서는 투명기재의 한쪽면에 수지층, SiOx층, SiO2층, 투명도전층을 순차적으로 코팅한 투명 도전성 필름이 제시되어 있다. 이 방법에 의한 투명도전성 필름은 기존의 투명도전성 필름에 비해 내구성이 뛰어나지만 고온에서의 저항치의 변화가 만족할 만한 수준에 이르지 못하고, 필기내구성 또한 개선이 필요하다. 또한 투명 도전성 필름의 전광선 투과율(Transmittance, T%)을 보다 향상시키는 것이 필요하다.Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-261091 discloses a transparent conductive film in which a resin layer, a SiOx layer, a SiO 2 layer, and a transparent conductive layer are sequentially coated on one side of a transparent substrate. Although the transparent conductive film by this method is more durable than the conventional transparent conductive film, the change in resistance at high temperature does not reach a satisfactory level, and the writing durability is also required to be improved. In addition, it is necessary to further improve the total light transmittance (T%) of the transparent conductive film.
본 발명은 투명 도전성 필름의 전광선 투과율이 종래의 투명 도전성 필름에 비해 현저히 향상된 고투명 도전성 필름 및 이를 구비한 터치패널의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a highly transparent conductive film and a method of manufacturing a touch panel having the same, which have significantly improved total light transmittance of the transparent conductive film as compared with the conventional transparent conductive film.
또한 펜입력 내구성이 기존의 투명도전성 필름에 비해 월등하게 향상되고, 고온에서의 표면전기저항의 변화가 적으며 신뢰성이 양호한 투명 도전성 필름 및 이를 구비한 터치패널의 제조방법에 관한 것이다.In addition, the pen input durability is remarkably improved compared to the conventional transparent conductive film, the surface electrical resistance changes little at high temperature, and relates to a transparent conductive film having good reliability and a method of manufacturing a touch panel having the same.
상기의 종래의 문제점을 해결하기위해 여러 가지 투명 도전성 필름 및 그를 구비한 터치패널에 관해 검토한 결과 하기의 구성에 의해 투명성이 향상되고 내구성이 뛰어나며 고온에서의 표면저항 변화가 적은 구조를 완성하였다.In order to solve the above problems, various transparent conductive films and a touch panel having the same have been examined. As a result, a structure having improved transparency, excellent durability, and low surface resistance change at high temperatures has been completed by the following configuration.
본 발명의 투명 도전성 필름은 투명 필름 기재의 한면에 투명 필름 기재의 한면에 Nb2Ox박막(0＜x≤5), SiO2박막, SiOx박막(0＜x＜2) 및 도전성박막이 순차적으로 코팅되고, 상기 도전성박막의 두께가 5nm에서 25nm인 투명 도전성 필름을 특징으로 한다.In the transparent conductive film of the present invention, an Nb 2 Ox thin film (0 <x≤5), an SiO 2 thin film, an SiOx thin film (0 <x <2), and a conductive thin film are sequentially formed on one side of the transparent film substrate on one side of the transparent film substrate. It is coated, characterized in that the transparent conductive film having a thickness of the conductive thin film is 5nm to 25nm.
본 발명의 투명 도전성 필름은 상기 Nb2Ox박막의 두께가 0.5nm에서 150nm, 그 위의 SiO2박막의 두께가 5nm에서 200nm인 것을 특징으로 한다.The transparent conductive film of the present invention is characterized in that the thickness of the Nb 2 Ox thin film is 0.5nm to 150nm, the thickness of the SiO 2 thin film is from 5nm to 200nm.
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본 발명의 투명 도전성 필름은 상기 SiO2박막 및 도전성박막 사이의 SiOx박막의 두께가 0.5nm에서 150nm인 것을 특징으로 한다.The transparent conductive film of the present invention is characterized in that the thickness of the SiO x thin film between the SiO 2 thin film and the conductive thin film is 0.5 nm to 150 nm.
본 발명의 투명 도전성 필름의 제조방법은 투명 필름 기재의 한면에 Nb2Ox박막(0＜x≤5), SiO2박막, SiOx박막(0＜x＜2)및 도전성박막을 순차적으로 코팅시키는 단계를 포함하고, 상기 코팅시키는 단계는 건식 프로세스에 의해 코팅시키는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing a transparent conductive film of the present invention comprises the steps of sequentially coating an Nb 2 Ox thin film (0 <x ≤ 5), a SiO 2 thin film, a SiO x thin film (0 <x <2) and a conductive thin film on one surface of the transparent film substrate It includes, wherein the coating step is characterized in that the coating by a dry process.
본 발명의 투명 도전성 필름은 상기 투명 필름 기재의 한면 또는 양면에 0.1 ~ 20 ㎛ 두께의 수지층이 코팅되어 있는 것을 특징으로 한다.The transparent conductive film of the present invention is characterized in that a resin layer having a thickness of 0.1 to 20 μm is coated on one or both surfaces of the transparent film substrate.
본 발명의 투명 도전성 필름은 상기 투명 필름 기재가 투명 필름 기재 단일층; 또는 투명 필름 기재, 투명 점착제층 및 투명 필름 기재로 이루어진 적층체;인 것을 특징으로 한다.The transparent conductive film of the present invention, the transparent film substrate is a transparent film substrate single layer; Or a laminate comprising a transparent film base material, a transparent pressure-sensitive adhesive layer, and a transparent film base material.
본 발명의 투명 도전성 필름은 상기 도전성 박막이 인듐 주석 산화물(indium tin oxide)인 것을 특징으로 한다.The transparent conductive film of the present invention is characterized in that the conductive thin film is indium tin oxide.
본 발명의 터치 패널은 상측기판, 하측기판 및 상기 상측기판과 하측기판 사이의 스페이서를 포함하고, 상기 상측기판으로 상기 투명 도전성 필름을 구비한 것을 특징으로 한다.The touch panel of the present invention includes an upper substrate, a lower substrate, and a spacer between the upper substrate and the lower substrate, and the upper substrate includes the transparent conductive film.
투명 필름 기재로서는, 특별히 제한이 되지는 않지만, 투명성을 지닌 수지필름이 사용된다. 예를 들면 폴리에스테르(Polyester)계 수지, 폴리에테르설폰(Polyethersulfone)계 수지, 폴리아마이드(Polyamide)계 수지, 아세테이트(Acetate)계 수지, 폴리올레핀(Polyolefin)계 수지, 폴리카보네이 트(Polycarbonate)계 수지, PVA계 수지, 폴리스티렌(Polystyrene)계 수지, 폴리아릴레이트(Polyarylate)계 수지, 폴리이미드(Polyimide)계 수지, 폴리페닐렌 설파이드(Polyphenylene sulfide)계 수지, 폴리염화비닐리덴(Polyvinylidene chloride)계 수지 등이 있다. 이 중에서 폴리에스테르계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리올레핀계 수지가 바람직하다.Although it does not restrict | limit especially as a transparent film base material, The resin film which has transparency is used. For example, polyester-based resin, polyethersulfone-based resin, polyamide-based resin, acetate-based resin, polyolefin-based resin, polycarbonate-based resin Resin, PVA resin, polystyrene resin, polyarylate resin, polyimide resin, polyphenylene sulfide resin, polyvinylidene chloride Resins and the like. Among them, polyester resins, polyimide resins, and polyolefin resins are preferable.
상기 투명 필름 기재의 두께는 5 ㎛ 에서 250 ㎛ 범위의 것이 바람직하다. 필름 기재의 두께가 5 ㎛ 미만일 때는 필름 기재 상에 건식 프로세스에 의해 코팅을 할 때 필름이 주름지는 등 가공이 어렵게 되며, 250 ㎛를 초과하는 경우에는 필름이 너무 뻣뻣하여 터치 패널의 특성에 적합하지 않게 된다.The thickness of the transparent film substrate is preferably in the range of 5 μm to 250 μm. When the thickness of the film base material is less than 5 μm, processing is difficult such as wrinkles when the film is coated by the dry process on the film base material. When the thickness of the film base material is larger than 250 μm, the film is too stiff and not suitable for the characteristics of the touch panel. Will not.
필름 기재 상에는 수지코팅시의 밀착성을 증진시키기 위해 일반적으로 행해지는 코로나처리, 프라이머(Primer)처리가 되어 있어도 좋다.On the film base material, in order to improve the adhesiveness at the time of resin coating, the corona treatment and the primer treatment which are generally performed may be given.
상기 투명 필름 기재의 한쪽 또는 양쪽면에 두께 0.1 ㎛에서 20 ㎛ 두께의 수지층이 코팅되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that a resin layer having a thickness of 0.1 μm to 20 μm is coated on one or both surfaces of the transparent film substrate.
투명도전성 코팅막을 형성시키는 면에 처리되는 수지층은 건식 프로세스에 의해 코팅되는 면과의 접착력을 향상시키며 표면경도를 향상시킨다. 또한 수지층의 코팅막에 의해 투명필름의 내부에 있는 미반응 모노머(monomer)나 올리고머(oligomer)가 터치패널의 제조공정에서 열처리를 받을 때 필름표면으로 배어나와 투명성이 떨어지는 문제를 방지한다. 또, 이 수지층에 실리카, 아크릴 비드 등의 유기, 무기입자를 혼합함에 의해 난반사(Anti-glare, AG)효과나 뉴톤링 방지(Anti-Newtonian Ring, ANR)효과를 얻을 수 있다.The resin layer treated on the surface forming the transparent conductive coating film improves adhesion to the surface coated by the dry process and improves the surface hardness. In addition, the unreacted monomer or oligomer inside the transparent film is soaked into the surface of the film by the coating layer of the resin layer to prevent the problem of inferior transparency. In addition, by mixing organic and inorganic particles such as silica and acrylic beads in the resin layer, an anti-glare (AG) effect or an anti-Newtonian ring (ANR) effect can be obtained.
수지층의 두께가 0.1 ㎛ 미만일 경우 연속적인 막의 형성이 어렵고 그 위에 건식 프로세스에 의해 Nb2Ox박막을 형성시킬 때 Nb2Ox박막의 부착성 증진효과가 미흡하다. 수지층의 두께가 20 ㎛를 초과할 때는 수지층이 너무 두꺼워 유연성이 떨어지며 꺽임에 의해 부러지기 쉬운 문제점이 있다.To the case where the thickness of the resin layer is less than 0.1 ㎛ it is difficult to form a continuous film In the formation of the Nb 2 Ox thin film by a dry process over that promote adhesion of the Nb 2 Ox thin film effect is insufficient. When the thickness of the resin layer is more than 20 μm, the resin layer is too thick, so that flexibility is inferior, and there is a problem of being easily broken by bending.
수지층의 두께는 0.1 ㎛에서 20 ㎛ 사이가 바람직하며, 1 ㎛에서 10 ㎛가 더욱 바람직하다.The thickness of the resin layer is preferably between 0.1 μm and 20 μm, more preferably between 1 μm and 10 μm.
상기 수지층은 그라비아(Gravure)코팅법, 스프레이(Spray)코팅법, 스핀(Spin)코팅법, 바(bar)코팅법 등의 일반적인 습식코팅법에 의해 행해진다. 상기 수지로서는 아크릴(Acryl)계 수지, 우레탄(Urethane)계 수지, 에폭시(Epoxy)계 수지, 멜라민(Melamine)계 수지가 사용되며 경화방식으로는 열경화방식 또는 자외선 경화방식을 사용할 수 있다.The resin layer is performed by a general wet coating method such as a gravure coating method, a spray coating method, a spin coating method, a bar coating method, and the like. As the resin, an acrylic resin, a urethane resin, an epoxy resin, and a melamine resin may be used. The curing method may be a thermosetting method or an ultraviolet curing method.
투명도전성 코팅막의 반대면에 처리되는 수지층은 투명필름의 표면경도를 향상시키기 위한 목적으로 사용되며 또한 수지층의 코팅막에 의해 투명필름의 내부에 있는 미반응 모노머(monomer)나 올리고머(oligomer)가 터치패널의 제조공정에서 열처리를 받을 때 필름표면으로 배어나와 투명성이 떨어지는 문제를 방지한다. 또, 이 수지층에 실리카, 아크릴 비드 등의 유기, 무기입자를 혼합함에 의해 난반사(Anti-glare, AG)효과를 얻을 수 있으며 필요에 따라 그 위에 고굴절도료와 저굴절 도료를 박막코팅함에 의해서 반사 방지(Anti-reflection, AR)층을 형성시켜 반사방지효과를 얻을 수도 있다.The resin layer processed on the opposite side of the transparent conductive coating film is used for the purpose of improving the surface hardness of the transparent film, and the unreacted monomer or oligomer inside the transparent film is prevented by the coating film of the resin layer. When the heat treatment is performed in the manufacturing process of the touch panel, it prevents the problem of falling into the film surface and falling transparency. In addition, by mixing organic and inorganic particles such as silica and acrylic beads to the resin layer, an anti-glare (AG) effect can be obtained, and if necessary, a high-refractive coating and a low-refractive coating are reflected thereon by thin film coating. An anti-reflection effect can also be achieved by forming an anti-reflection (AR) layer.
수지층의 두께 0.1 ㎛ 미만일 경우 연속적인 막의 형성이 어렵고 표면경도 향상효과가 미흡하며, 수지층의 두께가 20 ㎛ 초과일 때는 수지층이 너무 두꺼워 유연성이 떨어지며 꺽임에 의해 부러지기 쉬운 문제점이 있다.When the thickness of the resin layer is less than 0.1 μm, it is difficult to form a continuous film and the effect of improving surface hardness is insufficient. When the thickness of the resin layer is more than 20 μm, the resin layer is too thick, so that the flexibility is poor and it is easy to be broken by bending.
수지층의 두께는 0.1 ㎛에서 20 ㎛ 사이가 바람직하며, 1 ㎛에서 10 ㎛가 더욱 바람직하다.The thickness of the resin layer is preferably between 0.1 μm and 20 μm, more preferably between 1 μm and 10 μm.
상기 수지층은 그라비아(Gravure)코팅법, 스프레이(Spray)코팅법, 스핀(Spin)코팅법, 바(bar)코팅법 등의 일반적인 습식코팅법에 의해 행해진다. 상기 수지로서는 아크릴(Acryl)계 수지, 우레탄(Urethane)계 수지, 에폭시(Epoxy)계 수지, 멜라민(Melamine)계 수지가 사용되며 경화방식으로는 열경화방식 또는 자외선 경화방식을 사용할 수 있다.The resin layer is performed by a general wet coating method such as a gravure coating method, a spray coating method, a spin coating method, a bar coating method, and the like. As the resin, an acrylic resin, a urethane resin, an epoxy resin, and a melamine resin may be used. The curing method may be a thermosetting method or an ultraviolet curing method.
본 발명의 투명도전성 필름의 구조는 Nb2Ox박막, SiO2박막, SiOx박막 및 투명도전성박막의 구조이며 이 순차적인 투명박막의 구조에 의해 전광선투과율이 높은 고투명성 도전성 필름이 얻어진다. 이 고투명성 도전성 필름은 내구성이 뛰어나고 고온고습한 환경에서도 표면저항의 변화가 적어 우수하다. The transparent conductive film of the present invention has a structure of an Nb 2 Ox thin film, a SiO 2 thin film, a SiO x thin film, and a transparent conductive thin film. The sequential transparent thin film yields a highly transparent conductive film having high total light transmittance. This highly transparent conductive film is excellent in durability and little change in surface resistance even in a high temperature and high humidity environment.
투명 필름 기재 또는 수지층의 위에 형성된 Nb2Ox박막은 건식프로세스에 의해 형성되며 두께 0.5nm에서 150nm가 바람직하다. x는 0보다 크고 5 이하의 임의의 수이다.The Nb 2 Ox thin film formed on the transparent film base or the resin layer is formed by a dry process, and the thickness is preferably 0.5 nm to 150 nm. x is any number greater than zero and less than or equal to five.
건식 프로세스라 함은 스퍼터링(Sputtering), 진공증착, 이온도금 등의 방법을 의미하며 이 중에서 스퍼터링 방법이 보다 바람직하다. 건식 프로세스에 의해 형성된 막은 습식 프로세스에 의해 형성된 막보다 치밀한 구조를 형성하여 본 발명의 효과를 잘 발현할 수 있다.The dry process means a method such as sputtering, vacuum deposition, or ion plating, and the sputtering method is more preferable. The membrane formed by the dry process can form a more dense structure than the membrane formed by the wet process and can express the effects of the present invention well.
두께가 0.5nm 미만일 경우 연속적인 박막의 형성이 어려우며 후술하는 수분침투의 방지효과가 미흡하고, 150nm 초과할 경우 투명도의 저하가 초래된다. 투명 필름 기재의 위에 수지층을 설치한 후, Nb2Ox박막을 코팅함에 의해 SiO2박막과 수지층과의 밀착성을 증진시켜 펜입력 내구성을 향상시킬 수 있으며, 투명 필름 기재로 침투하는 수분을 차단하여 고온 고습의 환경에서도 표면저항의 변화가 적은 투명 도전성필름을 얻을 수 있다. If the thickness is less than 0.5nm, it is difficult to form a continuous thin film, and the effect of preventing moisture permeation, which will be described later, is insufficient. After installing the resin layer on the transparent film substrate, by coating the Nb 2 Ox thin film to improve the adhesion between the SiO 2 thin film and the resin layer can improve the pen input durability, block moisture penetrating into the transparent film substrate Thus, a transparent conductive film having a small change in surface resistance can be obtained even in an environment of high temperature and high humidity.
Nb2Ox박막은 굴절율이 2.3의 고굴절 막이므로 그위에 굴절율 1.46의 저굴절 SiO2막을 형성시키면 입사된 빛이 서로 간섭 상쇄되는 반사방지구조가 된다. 이에 따라 기존에는 얻을 수 없는 투명성이 향상된 고투명의 투명 도전성 필름을 얻을 수 있게 된다. Since the Nb 2 Ox thin film is a high refractive film having a refractive index of 2.3, forming a low refractive SiO 2 film having a refractive index of 1.46 thereon results in an antireflection structure in which incident light interferes with each other. Accordingly, it is possible to obtain a high-transparent transparent conductive film having improved transparency which cannot be conventionally obtained.
Nb2Ox박막 위에 형성되는 SiO2박막은 스퍼터링 등의 건식프로세스에서 두께 5nm에서 200nm의 두께로 형성된다. 두께가 5nm보다 얇을 때는 건식공정에서 연속적인 피막을 얻기 어렵고 내마모 특성, 투명성 향상, 크랙(crack) 억제의 효과가 미흡하다. 두께가 200nm 초과할 경우는 투명성이 저하되며 크랙이 발생하기 쉬운 문제점이 있다. The SiO 2 thin film formed on the Nb 2 Ox thin film is formed with a thickness of 5 nm to 200 nm in a dry process such as sputtering. When the thickness is thinner than 5 nm, it is difficult to obtain a continuous film in the dry process, and the effects of wear resistance, transparency improvement and crack suppression are insufficient. If the thickness exceeds 200nm, there is a problem that the transparency is lowered and cracks are likely to occur.
SiO2박막은 굴절율이 1.46인 광학적으로 볼 때 저굴절 막이므로 투명필름기재, 예를 들면 굴절율 1.66인 PET 필름상에 코팅하면 투명성이 향상된다. 또한, 투명필름기재위에 코팅된 SiO2박막은 투명성 향상과 함께 크랙방지, 내마모특성의 향상을 가져온다.Since the SiO 2 thin film is an optically low refractive index film having a refractive index of 1.46, the transparency is improved by coating on a transparent film substrate, for example, a PET film having a refractive index of 1.66. In addition, the SiO 2 thin film coated on the transparent film base material brings about improvement of transparency and crack prevention and abrasion resistance.
일본공개특허공보 2006-261091에서는 투명필름기재위에 SiOx박막, SiO2박막 및 투명도전성 박막을 순차적으로 코팅한 투명도전성 필름적층체가 개시되어있다. 하지만, 이러한 박막구조에서는 터치패널의 고온내구성 시험에서 표면저항의 변화가 크고 펜입력 내구성도 원하는 수준에 이르지 못하는 미흡한 수준을 나타낸다. Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-261091 discloses a transparent conductive film laminate in which a SiOx thin film, a SiO 2 thin film and a transparent conductive thin film are sequentially coated on a transparent film substrate. However, in such a thin film structure, the surface resistance change is large in the high temperature durability test of the touch panel, and the pen input durability does not reach the desired level.
또한 투과되는 빛이 필름의 각 코팅면에서 반사되어 전광선 투과율이 낮아지므로 보다 높은 투과율을 지닌 고투과 투명 도전성필름이 요구된다.In addition, since the transmitted light is reflected from each coating surface of the film to lower the total light transmittance, a high transmittance transparent conductive film having a higher transmittance is required.
본 발명자는 이러한 문제점을 예의 검토한 결과 새로운 다층박막구조를 지닌 고온에서 표면저항의 변화가 극히 적고 펜입력 내구성이 탁월하며 투과율이 높은 고투명 도전성 필름을 얻을 수 있었다.As a result of thorough examination of these problems, the present inventors have obtained a highly transparent conductive film having a very small change in surface resistance, excellent pen input durability, and high transmittance at a high temperature having a new multilayer thin film structure.
SiO2박막과 투명도전박막 사이에는 버퍼(buffer)층으로서 SiOx박막을 두께 0.5nm에서 150nm로 형성시킨다. x는 0보다 크고 2보다 작은 임의의 수이다. 두께가 0.5 nm 미만에서는 연속적인 박막의 형성이 어렵고 150nm 초과하면 투명성의 저하가 초래된다. Between the SiO 2 thin film and the transparent conductive thin film, a SiO x thin film is formed from 0.5 nm to 150 nm in thickness as a buffer layer. x is any number greater than zero and less than two. If the thickness is less than 0.5 nm, it is difficult to form a continuous thin film. If the thickness is larger than 150 nm, transparency decreases.
버퍼층으로 SiOx박막층을 SiO2박막과 투명도전박막층 사이에 설치함에 의해 고온 열처리에서도 투명도전박의 표면저항은 더욱더 안정적으로 유지되는 결과를 얻을 수 있다. 또한, 고습도의 환경에서도 이 버퍼층은 뛰어난 효과를 발휘하여 표면 저항변화가 적었으며, 펜입력 내구성이 이전의 막구조를 지닌 투명도전성 필름에 비해 탁월함을 알 수 있었다.Since the SiO x thin film layer is disposed between the SiO 2 thin film and the transparent conductive thin film layer as a buffer layer, the surface resistance of the transparent conductive foil can be maintained even more stably even at high temperature heat treatment. In addition, even in a high humidity environment, the buffer layer exhibited an excellent effect and a small surface resistance change, and the pen input durability was superior to that of the transparent conductive film having the previous film structure.
SiO2박막, 또는 버퍼층을 포함하는 경우에는 SiOx박막 위에 두께 5nm에서 25nm의 투명 도전성 박막을 형성시킴에 의해 투명 도전성 필름을 제조할 수 있다.When the SiO 2 thin film or the buffer layer is included, a transparent conductive film may be manufactured by forming a transparent conductive thin film having a thickness of 5 nm to 25 nm on the SiO x thin film.
투명 도전성 박막으로서는 안티몬 주석 산화물(Antimony tin oxide, ATO), 알미늄 아연 산화물(Aluminum zinc oxide, AZO), 인듐 주석 산화물(Indium tin oxide, ITO) 등이 있으나 본 발명의 도전성 박막재료로서는 인듐 주석 산화물이 제일 바람직하다. Examples of the transparent conductive thin film include antimony tin oxide (ATO), aluminum zinc oxide (AZO), indium tin oxide (ITO), and the like. Most preferred.
이 투명도전성 박막은 5nm에서 25nm의 두께로 코팅되며 두께가 5nm 미만일 때는 연속적인 박막의 제조가 어려우며 또한 도전성이 안정적이지 못하다. 두께가 25nm 초과하면 투명성이 저하되어 터치 패널에 적합한 필름을 얻기 어렵다. The transparent conductive thin film is coated with a thickness of 5 nm to 25 nm and when the thickness is less than 5 nm, it is difficult to manufacture a continuous thin film and the conductivity is not stable. When the thickness is more than 25 nm, transparency is lowered and it is difficult to obtain a film suitable for a touch panel.
이러한 투명도전성 박막이 형성된 필름의 다른 한쪽에 투명한 점착제층을 사용하여 또 다른 투명필름기재를 접합함에 의해, 즉 투명 기재 필름 단일층이 아니라 투명 필름 기재, 투명 점착제층 및 투명 필름 기재로 이루어진 적층체를 이용함으로써 유연성과 탄성이 증진된 투명도전성 필름을 제조할 수 있다.By bonding another transparent film substrate to the other side of the film on which the transparent conductive thin film is formed, that is, a laminated body composed of a transparent film substrate, a transparent adhesive layer and a transparent film substrate, not a transparent substrate film single layer. By using it can be prepared a transparent conductive film with enhanced flexibility and elasticity.
점착제층으로서는, 투명성을 갖는 아크릴계중합체, 폴리에스테르계 중합체, 폴리우레탄계의 점착제가 바람직하며, 그 중에서 내후성 또는 내열성이 우수한 아크릴계 점착제가 더욱 바람직하다.As the pressure-sensitive adhesive layer, an acrylic polymer having a transparency, a polyester polymer, or a polyurethane-based pressure sensitive adhesive is preferable, and an acrylic pressure sensitive adhesive having excellent weather resistance or heat resistance is more preferable.
이 점착제층의 쿠션 효과에 의해, 필름 기재의 한쪽 면에 마련된 도전성 박막의 내찰상성 또는 터치 패널용으로서의 타점 특성, 소위 펜 입력 내구성을 향상시킬 수 있다.By the cushioning effect of this adhesive layer, the scratch resistance of the electroconductive thin film provided in the one surface of the film base material, the RBI characteristic for touch panels, and what is called pen input durability can be improved.
도면 3은 본 발명의 실시형태에 따른 투명 도전성 단층 필름을 사용한 터치 패널을 나타내는 단면 모식도이다.It is a cross-sectional schematic diagram which shows the touchscreen using the transparent conductive single layer film which concerns on embodiment of this invention.
도면 4는 본 발명의 실시형태에 따른 투명 도전성 적층 필름을 사용한 터치 패널을 나타내는 단면 모식도이다.It is a cross-sectional schematic diagram which shows the touchscreen using the transparent conductive laminated film which concerns on embodiment of this invention.
터치패널(15A, 15B)은 상기 투명 도전 단층필름(14A) 또는 투명도전 적층필름 (14B)이 하측기판(11)과 도트(dot)형태의 스페이서를 사이에 두고 마주보고 배치되어 있는 형태이다. 하측 기판은 상기의 투명도전 필름(14A, 14B)을 사용하여도 되고, 다른 투명도전 기재를 사용하여도 된다.The
스페이서(8)에 사용되는 재료는 절연성의 재료이면 되고, 특별히 한정되지는 않으며 종래 공지의 물질을 사용할 수 있다. 스페이서의 형상, 제조방법, 배치방법에 대해서는 특별히 한정되지는 않는다. 형상에 대해서는 대체로 구의 형태나 다각형의 것을 사용할 수 있다.The material used for the
이 터치패널은 손이나 펜 등의 방법에 의해 가압입력되면 두 도전성 박막이 접촉되어 전기적 신호가 가며, 가압상태를 해제하면 필름의 탄성에 의해 제자리로 돌아가서 신호가 해제상태로 된다. 따라서, 이 전기적 신호의 ON, OFF 기능에 의해 터치 패널은 스위치 기능을 하게 된다.When the touch panel is pressurized by a method such as a hand or a pen, the two conductive thin films are in contact with each other, and an electrical signal is applied. When the pressurized state is released, the touch panel is returned to its original position by the elasticity of the film, and the signal is released. Therefore, the touch panel functions as a switch by the ON and OFF functions of the electrical signal.
본 발명은 투명한 필름기재상에 Nb2Ox박막, SiO2박막, 도전성 박막을 차례로 적층코팅함에 의해 전광선 투과율이 높은 투명성이 향상된 고투명 도전성 필름이 얻어지며 펜입력 내구성이 종래의 투명 도전성 필름보다 뛰어나고 고온에서의 표면저항변화가 적은 특성을 나타내게 되었다.The present invention is obtained by laminating an Nb 2 Ox thin film, a SiO 2 thin film, and a conductive thin film on a transparent film substrate in order to obtain a high-transparent conductive film having high transparency and high penetrability. The change in surface resistance at was shown to be small.
이하, 본 발명에 대해서 실시예를 이용하여 설명한다. 하지만, 본 발명은 그 내용이 요지를 이탈하지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되지는 않는다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated using an Example. However, the present invention is not limited to the following examples unless the content departs from the gist.
(실시예 1)(Example 1)
[수지층의 형성][Formation of Resin Layer]
두께가 188 ㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, PET필름이라 함)의 양쪽 면에 아크릴계 수지를 그라비아 코팅방법에 의하여 코팅한 후 열풍건조에 의해 용매를 건조하였다. 이어서 자외선 경화방식으로 양면에 각각 건조도막 두께 5 ㎛의 수지 코팅 층을 형성하였다.The acrylic resin was coated on both sides of a polyethylene terephthalate (hereinafter referred to as PET film) having a thickness of 188 μm by the gravure coating method, and the solvent was dried by hot air drying. Subsequently, a resin coating layer having a dry coating thickness of 5 μm was formed on both surfaces by an ultraviolet curing method.
[투명도전성 필름의 제조][Production of Transparent Conductive Film]
상기의 수지가 코팅된 PET필름 상에 두께가 20nm인 Nb2Ox층을 스퍼터링방법 에 의해 형성하였다. 이어서, Nb2Ox박막 위에 SiO2박막을 스퍼터링 방법에 의해 두께 70nm의 두께로 형성하였다. 다음에 SiO2박막의 위에 두께 20nm인 SiOx막을 형성하였다. 최종적으로 SiOx 박막위에 스퍼터링 방법에 의해 두께 15nm의 ITO박막을 형성하였다.The Nb 2 Ox layer having a thickness of 20 nm was formed on the resin coated PET film by a sputtering method. Subsequently, a SiO 2 thin film was formed on the Nb 2 Ox thin film to a thickness of 70 nm by the sputtering method. Next, a SiOx film having a thickness of 20 nm was formed on the SiO 2 thin film. Finally, an ITO thin film having a thickness of 15 nm was formed on the SiOx thin film by the sputtering method.
(실시예 2)(Example 2)
Nb2Ox박막의 두께를 30nm, SiO2막의 두께를 80nm, SiOx막의 두께를 30nm, ITO막의 두께를 25nm로 한 것을 제외하고는 실시예1과 동일하게 투명도전성 필름을 제조하였다.A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the Nb 2 Ox thin film was 30 nm, the thickness of the SiO 2 film was 80 nm, the thickness of the SiO x film was 30 nm, and the thickness of the ITO film was 25 nm.
(실시예 3)(Example 3)
Nb2Ox막의 두께를 20nm, SiO2막의 두께를 60nm, SiOx막의 두께를 20nm, ITO막의 두께를 25nm로 한 것을 제외하고는 실시예1과 동일하게 투명도전성 필름을 제조하였다.A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the Nb 2 Ox film was 20 nm, the thickness of the SiO 2 film was 60 nm, the thickness of the SiO x film was 20 nm, and the thickness of the ITO film was 25 nm.
(실시예 4)(Example 4)
Nb2Ox막의 두께를 30nm, SiO2막의 두께를 70nm, SiOx막은 형성치 않았으며, ITO막의 두께를 15nm로 한 것을 제외하고는 실시예1과 동일하게 투명도전성 필름을 제조하였다.A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the Nb 2 Ox film was 30 nm, the SiO 2 film was 70 nm, and the SiO x film was not formed, and the thickness of the ITO film was 15 nm.
(실시예5)Example 5
[수지층의 형성][Formation of Resin Layer]
두께가 23 ㎛인 PET필름의 양쪽 면에 아크릴계 수지를 그라비아 코팅방법에 의하여 코팅한 후 열풍건조에 의해 용매를 건조하였다. 이어서 자외선 경화방식으로 양면에 각각 건조도막 두께 1 ㎛의 수지 코팅층을 형성하였다.After coating the acrylic resin on both sides of the PET film having a thickness of 23 μm by the gravure coating method, the solvent was dried by hot air drying. Subsequently, a resin coating layer having a dry coating thickness of 1 μm was formed on both surfaces by an ultraviolet curing method.
[투명도전성 필름의 제조][Production of Transparent Conductive Film]
상기의 수지가 코팅된 PET필름상에 두께가 30nm인 Nb2Ox층을 스퍼터링방법에 의해 형성하였다. 이어서, Nb2Ox막위에 SiO2박막을 스퍼터링 방법에 의해 두께 90nm의 두께로 형성하였다. 다음에 SiO2박막의 위에 두께 30nm인 SiOx막을 형성하였다. 최종적으로 SiOx 박막위에 스퍼터링 방법에 의해 두께 25nm의 ITO박막을 형성하였다.An Nb 2 Ox layer having a thickness of 30 nm was formed on the resin coated PET film by a sputtering method. Subsequently, a SiO 2 thin film was formed on the Nb 2 Ox film to a thickness of 90 nm by the sputtering method. Next, a SiOx film having a thickness of 30 nm was formed on the SiO 2 thin film. Finally, an ITO thin film having a thickness of 25 nm was formed on the SiOx thin film by the sputtering method.
[투명 도전성 적층필름의 제작][Production of Transparent Conductive Laminated Film]
이어서, 상기 23 ㎛의 투명도전필름의 도전막이 코팅되어있지 않은 다른 한 면에 두께 약 20 ㎛의 투명한 아크릴계의 점착제층을 형성하였다. 점착제층 조성물로서는 아크릴계 점착제(일본 Soken사, SK Dyne 2094R)를 사용하였다. Subsequently, a transparent acrylic pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of about 20 μm was formed on the other side of which the conductive film of the 23 μm transparent conductive film was not coated. As the pressure-sensitive adhesive layer composition, an acrylic pressure-sensitive adhesive (SK Dyne 2094R, Soken, Japan) was used.
전술한 방법에 의하여 5 ㎛ 두께의 하드코팅 수지층이 도포되어 있는 125 ㎛의 PET 필름을 점착체층을 매개로 접합하여 투명도전성 필름을 제작하였다. 도면 2에 이 실시예에 따른 투명도전성 적층필름의 단면 모식도가 나타나있다.By the above-described method, a 125 μm-thick PET film coated with a 5 μm-thick hard coating resin layer was bonded to each other through an adhesive layer to prepare a transparent conductive film. Figure 2 shows a schematic cross-sectional view of a transparent conductive laminated film according to this embodiment.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
Nb2Ox막, SiO2막, SiOx막을 형성치 않았으며, ITO막의 두께를 25nm로 한 것을 제외하고는 실시예1과 동일하게 투명도전성 필름을 제조하였다.A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the Nb 2 Ox film, the SiO 2 film, and the SiO x film were not formed, and the thickness of the ITO film was 25 nm.
(비교예 2)(Comparative Example 2)
Nb2Ox막과 SiOx막을 형성치 않았으며, SiO2막의 두께를 15nm, ITO막의 두께를 25nm로 한 것을 제외하고는 실시예1과 동일하게 투명도전성 필름을 제조하였다.A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the Nb 2 Ox film and the SiO x film were not formed, and the thickness of the SiO 2 film was 15 nm and the thickness of the ITO film was 25 nm.
(비교예 3)(Comparative Example 3)
Nb2Ox막 대신에 SiOx막의 두께를 2nm, SiO2막의 두께를 25nm, SiOx막의 두께를 2nm, ITO막의 두께를 25nm로 한 것을 제외하고는 실시예1과 동일하게 투명도전성 필름을 제조하였다.A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the SiOx film was 2 nm, the SiO 2 film was 25 nm, the SiOx film was 2 nm, and the ITO film was 25 nm instead of the Nb 2 Ox film.
(비교예 4)(Comparative Example 4)
Nb2Ox막 대신에 SiOx막의 두께를 5nm, SiO2막의 두께를 25nm, SiOx막의 두께를 5nm, ITO막의 두께를 25nm로 한 것을 제외하고는 실시예1과 동일하게 투명도전성 필름을 제조하였다.A transparent conductive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the SiOx film was 5 nm, the SiO 2 film was 25 nm, the SiOx film was 5 nm, and the ITO film was 25 nm instead of the Nb 2 Ox film.
(터치 패널의 제작)(Production of touch panel)
터치 패널의 제작은 일반적인 방법과 동일하게 제작하였다. 즉, 실시예 및 비교예에서 얻어진 각 투명 도전성 필름을 패널판(상측 기판)으로 하고, 다른쪽의 패널판(하측 기판)으로서, 유리판상에 두께 30 nm의 ITO 박막을 상기와 마찬가지의 방법으로 형성한 투명 도전성 유리를 이용하여, 이 양 패널판을 ITO 박막끼리 마주 보도록 한 후 스페이서를 통하여 배치하여 터치 패널을 제작하였다. Fabrication of the touch panel was made in the same manner as in the general method. That is, the transparent conductive film obtained by the Example and the comparative example is made into the panel board (upper board | substrate), and as another panel board (lower board | substrate), the ITO thin film of thickness 30nm is formed on the glass board by the method similar to the above. Using the formed transparent conductive glass, these panel plates were made to face ITO thin films, and were arrange | positioned through the spacer, and the touchscreen was produced.
(전광선 투과율)(Light transmittance)
미놀타 모델 CM-5400D의 분석장치를 통하여 전광선 투과율을 측정하였다.Total light transmittance was measured by an analyzer of the Minolta model CM-5400D.
(표면저항)(Surface resistance)
4-point probe 분석장치를 사용하여 표면저항을 측정하였다. 열처리 전의 표면저항 R0와 150 ℃에서 1시간 열처리한 후의 표면저항 R을 각각 측정하여 표면저항의 변화율 R/R0를 신뢰성으로 표시하였다.Surface resistance was measured using a 4-point probe analyzer. The surface resistance R0 before the heat treatment and the surface resistance R after the heat treatment for 1 hour at 150 ° C. were measured, respectively, and the change rate R / R0 of the surface resistance was expressed as reliability.
(Uniformity)(Uniformity)
가로 50cm, 세로 30cm의 투명도전성 필름을 시료로 하여 가로에서 6곳, 세로로 5곳의 총 30곳의 표면저항을 측정하였다. 표면저항의 최대값 Rmax와 최소값 Rmin와 평균치 Ravg를 구한 후 다음의 식에 의해 Uniformity를 구하였다.Using a transparent conductive film of 50 cm in width and 30 cm in length as a sample, the surface resistance of a total of 30 places of 6 places in the side and 5 places in the side was measured. After calculating the maximum value Rmax, minimum value Rmin, and average value Ravg of the surface resistance, uniformity was calculated by the following equation.
Uniformity(%)= [(Rmax-Rmin)/2*Ravg]Uniformity (%) = [(Rmax-Rmin) / 2 * Ravg]
(펜 입력 내구성)(Pen input durability)
도면 5와 같이 R 0.8mm인 폴리아세탈 펜을 사용하여 그림과 같이 터치 패널에 대해 왕복으로 하중을 가하면서 미끄럼 운동을 행한 후 각각의 선형성(lineality)을 측정하여 펜 입력 내구성을 평가하였다. As shown in FIG. 5, the polyacetal pen of R 0.8 mm was used to perform sliding motion while applying a reciprocating load to the touch panel as shown in the figure, and then each linearity was measured to evaluate pen input durability.
(선형성(linearity)의 측정)(Measurement of linearity)
선형성은 도면6에 나타난 것과 같은 방법으로 아래의 식에 의해 측정하였다. 미끄럼 운동 조건은 하중을 250g, 미끄럼 운동 회수를 10만회, 펜 미끄럼 운동 각도 θ를 1.0도, 터치 패널의 갭을 150 ㎛로 하였다. 각 터치 패널의 미끄럼 운동 후, 투명 도전성 적층체에 있어서, 5V의전압을 인가하여, 측정 개시 위치 a의 출력 전압을 Va라고 하고, 측정 종료 위치 b의 출력 전압을 Vb라고 하고, 측정점의 출력 전압을 Vc라고 하고, 이론 값을 Vx라고 하면, Linearity was measured by the following equation in the same way as shown in Figure 6. Sliding motion conditions made the
선형성(linearity)(%) = (Vx-Vc)/(Vb-Va) x 100Linearity (%) = (Vx-Vc) / (Vb-Va) x 100
여기서 Vx=Va+ (Vb-Va)/(b-a)이다.Where Vx = Va + (Vb-Va) / (b-a).
(결과)(result)
하기 표 1로부터 명백한 바와 같이, 실시예1 에서 실시예5를 사용한 터치 패널은 150 ℃의 열처리에서도 표면저항의 변화가 적으며, 펜 입력 내구성이 우수하 고, Uniformity도 우수하여 양호한 신뢰성을 나타내었다. 투과율은 모두 91% 정도로 투명성이 향상된 고투과 값을 나타내었다. 비교예 1에서 비교예4의 필름을 사용한 터치 패널의 경우, 고투과율, 표면 저항의 변화율, 내열안정성, 펜 입력 내구성을 동시에 만족할 만한 데이터를 얻을 수 없었다.As is apparent from Table 1 below, the touch panel using Example 5 in Example 1 showed little change in surface resistance even at 150 ° C. heat treatment, excellent pen input durability, and excellent uniformity. The transmittances all showed high transmittance values with transparency improved to 91%. In the case of the touch panel using the film of the comparative example 4 in the comparative example 1, the data which satisfies the high transmittance | permeability, the change rate of surface resistance, heat stability, and pen input durability simultaneously was not acquired.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 투명 도전성 단층 필름의 단면 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a cross-sectional schematic diagram of the transparent conductive single layer film which concerns on embodiment of this invention.
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 투명 도전성 적층 필름의 단면 모식도이다.It is a cross-sectional schematic diagram of the transparent conductive laminated film which concerns on embodiment of this invention.
도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 투명 도전성 단층 필름을 사용한 터치 패널을 나타내는 단면 모식도이다.It is a cross-sectional schematic diagram which shows the touchscreen using the transparent conductive single layer film which concerns on embodiment of this invention.
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 투명 도전성 적층 필름을 사용한 터치 패널을 나타내는 단면 모식도이다.It is a cross-sectional schematic diagram which shows the touchscreen using the transparent conductive laminated film which concerns on embodiment of this invention.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 터치 패널의 펜 입력 내구성 시험을 설명하기 위한 단면 모식도이다.5 is a schematic cross-sectional view for explaining the pen input durability test of the touch panel according to the embodiment of the present invention.
도 6은 실시예에서 얻어진 터치 패널에 있어서의 선형도(Linearity)측정 관계를 나타내는 그래프이다.FIG. 6 is a graph showing a linearity measurement relationship in the touch panel obtained in the example. FIG.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1, 12: 필름 기재 2: 수지층 1, 12: film base material 2: resin layer
3: 수지층 4: Nb2Ox박막3: resin layer 4: Nb 2 Ox thin film
5: SiO2박막 6: SiOx박막5: SiO 2 thin film 6: SiO x thin film
7: 투명도전막 8: 스페이서 7: Transparent conductive film 8: spacer
9: 투명도전막 10: 하측 투명기재 9: transparent conductive film 10: lower transparent substrate
11: 투명도전성 하측 기판 13: 점착제층11: transparent conductive lower substrate 13: adhesive layer
14A: 투명도전 단층필름 14B: 투명도전 적층필름14A: Transparent conductive
15A, 15B: 터치패널15A, 15B: Touch Panel
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080128136A KR100961253B1 (en) | 2008-12-16 | 2008-12-16 | Conductive film with improved transparency and touch panel using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080128136A KR100961253B1 (en) | 2008-12-16 | 2008-12-16 | Conductive film with improved transparency and touch panel using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR100961253B1 true KR100961253B1 (en) | 2010-06-03 |
Family
ID=42369561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080128136A KR100961253B1 (en) | 2008-12-16 | 2008-12-16 | Conductive film with improved transparency and touch panel using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100961253B1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101229303B1 (en) | 2011-12-29 | 2013-02-15 | (주)리지스 | Touch panel with both elevation of view trait and printing layer |
| WO2013103259A1 (en) * | 2012-01-06 | 2013-07-11 | (주)엘지하우시스 | Two-sided transparent electrically conductive film of outstanding discernibility and production method therefor |
| KR101385972B1 (en) | 2012-01-03 | 2014-04-17 | (주)리지스 | Touch panel with both elevation of view trait and printing layer |
-
2008
- 2008-12-16 KR KR1020080128136A patent/KR100961253B1/en active IP Right Grant
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