KR100959110B1 - Mask Pattern using deposition - Google Patents

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Abstract

본 발명은 증착용 마스크 패턴에 관한 것으로, 증착용 마스크 패턴에 형성되는 홀의 단면 경사각 또는 홀 사이의 간격을 제어하여 증착 공정 시 증착 방법에 의해 방향에 따른 섀도우(shadow) 현상의 편차를 방지할 수 있는 증착용 마스크 패턴에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition mask pattern, by controlling the cross-sectional inclination angle of the holes formed in the deposition mask pattern or the interval between the holes to prevent the deviation of the shadow (shadow) phenomenon in the direction by the deposition method during the deposition process. The present invention relates to a deposition mask pattern.

본 발명은 다수의 홀을 포함하는 증착용 마스크 패턴에 있어서, 상기 홀의 단면은 상기 증착용 마스크 패턴의 일측 표면을 기준으로 단면 경사각을 가지며, 상기 홀의 제 1 방향의 단면 경사각과 상기 제 1 방향과 수직하는 제 2 방향의 단면 경사각이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴에 관한 것이다.According to the present invention, in the deposition mask pattern including a plurality of holes, the cross section of the hole has a cross-sectional inclination angle with respect to one surface of the deposition mask pattern, the cross-sectional inclination angle of the first direction of the hole and the first direction and The deposition mask pattern is characterized in that the cross-sectional inclination angles of the second direction perpendicular to each other are different from each other.

또한, 본 발명은 다수의 홀을 포함하는 증착용 마스크 패턴에 있어서, 상기 홀 사이의 간격은 제 1 방향 간격과 상기 제 1 방향과 수직하는 제 2 방향 간격이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴에 관한 것이다.The present invention also provides a deposition mask pattern including a plurality of holes, wherein the intervals between the holes are different from each other in the first direction and the second direction perpendicular to the first direction, the deposition mask for deposition It's about patterns.

증착용 마스크 패턴 Deposition Mask Pattern

Description

증착용 마스크 패턴{Mask Pattern using deposition}Mask Pattern using deposition

본 발명은 증착용 마스크 패턴에 관한 것으로, 증착용 마스크 패턴에 형성되는 홀의 단면 경사각 또는 홀 사이의 간격을 제어하여 증착 공정 시 증착 방법에 의해 방향에 따른 섀도우(shadow) 현상의 편차를 방지할 수 있는 증착용 마스크 패턴에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition mask pattern, by controlling the cross-sectional inclination angle of the holes formed in the deposition mask pattern or the interval between the holes to prevent the deviation of the shadow (shadow) phenomenon in the direction by the deposition method during the deposition process. The present invention relates to a deposition mask pattern.

평판표시장치(Flat panel display device)는 경량 및 박형 등의 특성으로 인해, 음극선관 표시장치(Cathode-ray tube display device)를 대체하는 표시장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판표시장치의 대표적인 예로서 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device; LCD)와 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Diode; OLED)가 있다. 이 중, 유기전계발광표시장치는 액정표시장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트(Back light)를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있는 장점이 있다.Flat panel display devices are being used as display devices replacing cathode ray-ray tube display devices due to their light weight and thinness. Representative examples of such a flat panel display include a liquid crystal display (LCD) and an organic light emitting diode (OLED). Among these, the organic light emitting display device has superior luminance and viewing angle characteristics as compared to the liquid crystal display device and does not require a back light.

상기 유기전계발광표시장치는 구동 방법에 따라 수동 구동(Passive matrix) 방식과 능동 구동(Active matrix) 방식으로 나뉘는데, 능동 구동 방식은 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 사용하는 회로를 가진다. 상기 수동 구동 방 식은 그 표시 영역이 양극과 음극에 의하여 단순히 매트릭스 형태의 소자로 구성되어 있어 제조가 용이하다는 장점이 있다. 그러나, 해상도, 구동 전압의 상승, 재료 수명의 저하 등의 문제로 인하여 저해상도 및 소형 디스플레이의 응용분야로 제한된다. 상기 능동 구동 방식은 표시 영역이 각 화소마다 박막트랜지스터를 장착함으로써, 각 화소마다 일정한 전류를 공급함에 따라 안정적인 휘도를 나타낼 수 있다. 또한 전력소모가 적어, 고해상도 및 대형디스플레이를 구현할 수 있는 중요한 역할을 한다.The organic light emitting display device is classified into a passive matrix method and an active matrix method according to a driving method, and an active driving method has a circuit using a thin film transistor (TFT). The passive driving method has an advantage in that the display area is simply composed of a matrix-type device by an anode and a cathode, thereby facilitating manufacture. However, problems such as resolution, an increase in driving voltage and a decrease in material life are limited to applications of low resolution and small displays. In the active driving method, a thin film transistor is mounted in each pixel to display a stable luminance as a constant current is supplied to each pixel. Its low power consumption also plays an important role in enabling high resolution and large displays.

이와 같은 유기전계발광표시장치는 유기박막에 음극(Cathode)과 양극(Anode)을 통하여 주입된 전자(Electron)와 정공(Hole)이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한 표시장치이다.Such an organic light emitting display device combines electrons and holes injected through a cathode and an anode to an organic thin film to recombine to form excitons, and a specific wavelength is determined by energy from the excitons formed. The display device using the phenomenon that light is generated.

상기와 같은 유기전계발광표시장치는 풀-컬러(full-color)를 디스플레이하기 위하여 R, G, B 유기 발광층을 포함하는 유기전계발광소자를 형성하고 있으며, 다수의 홀이 형성된 증착용 마스크 패턴을 증착 대상물 즉, 상기 유기전계발광소자가 형성될 기판 상에 정렬시키고, 상기 증착용 마스크 패턴의 홀을 통해 상기 R, G, B 유기 발광층 등의 증착물을 상기 기판에 제공하여 원하는 형태의 패턴을 기판 상에 증착함으로써, 기판 상의 일정 영역에 상기 R, G, B 유기 발광층을 포함하는 유기전계발광소자를 각각 형성하고 있다.The organic light emitting display device as described above forms an organic light emitting display device including R, G, and B organic light emitting layers in order to display full-color, and forms a mask pattern for deposition in which a plurality of holes are formed. Arrange the deposition target, that is, the substrate on which the organic light emitting device is to be formed, and provide a substrate having a desired shape by depositing the R, G, B organic light emitting layer and the like on the substrate through the hole of the deposition mask pattern. By vapor deposition on the substrate, organic electroluminescent elements including the R, G, and B organic light emitting layers are formed in a predetermined region on the substrate.

상기와 같은 증착용 마스크 패턴은 증착 공정 시 발생되는 섀도우 현상을 방지하기 위하여, 상기 증착용 마스크 패턴의 일측 표면과 타측 표면의 홀의 크기를 상이하게 함으로써, 상기 증착용 마스크 패턴에 형성되는 홀의 단면이 일정 단면 경사각을 가지도록 하고 있으나, 증착 공정 시 사용되는 증발원이 일 방향으로 움직이는 무빙 증발원인 경우, 섀도우 현상의 정도가 방향마다 상이하게 나타나는 문제점이 있다.In order to prevent a shadow phenomenon generated during the deposition process, the deposition mask pattern as described above may have different sizes of holes on one surface and the other surface of the deposition mask pattern, so that the end surface of the hole formed in the deposition mask pattern is different. Although it has a predetermined cross-sectional inclination angle, when the evaporation source used in the deposition process is a moving evaporation source moving in one direction, there is a problem that the degree of the shadow phenomenon is different for each direction.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 증착 공정 시 사용되는 증발원에 의해 발생되는 방향에 따른 섀도우 현상의 편차를 최소화할 수 있는 증착용 마스크 패턴을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, an object of the present invention to provide a mask pattern for deposition that can minimize the deviation of the shadow phenomenon according to the direction generated by the evaporation source used during the deposition process have.

본 발명의 상기 목적은 다수의 홀을 포함하는 증착용 마스크 패턴에 있어서, 상기 홀의 단면은 상기 증착용 마스크 패턴의 일측 표면을 기준으로 단면 경사각을 가지며, 상기 홀의 제 1 방향의 단면 경사각과 상기 제 1 방향과 수직하는 제 2 방향의 단면 경사각이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴에 의해 달성된다.The above object of the present invention is a deposition mask pattern including a plurality of holes, the cross section of the hole has a cross-sectional inclination angle with respect to one surface of the deposition mask pattern, the cross-sectional inclination angle in the first direction of the hole and the first A cross-sectional inclination angle in the second direction perpendicular to the first direction is achieved by the deposition mask pattern characterized in that they are different from each other.

또한, 본 발명의 상기 목적은 다수의 홀을 포함하는 증착용 마스크 패턴에 있어서, 상기 홀 사이의 간격은 제 1 방향 간격과 상기 제 1 방향과 수직하는 제 2 방향 간격이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴에 의해 달성된 다.In addition, the above object of the present invention is a deposition mask pattern including a plurality of holes, the interval between the holes is characterized in that the first direction interval and the second direction interval perpendicular to the first direction is different from each other It is achieved by a mask pattern for deposition.

따라서, 본 발명에 따른 증착용 마스크 패턴은 상기 증착용 마스크 패턴에 형성되는 홀의 제 1 방향의 단면 경사각과 상기 제 1 방향과 수직하는 제 2 방향의 단면 경사각을 서로 상이하게 하거나 상기 증착용 마스크 패턴에 형성되는 홀 사이의 거리를 방향에 따라 제어함으로써, 증착 공정 시 사용되는 증발원의 종류에 의해 발생되는 방향에 따른 섀도우 현상의 편차를 억제하는 효과가 있다.Accordingly, the deposition mask pattern according to the present invention may have a cross-sectional inclination angle in a first direction of a hole formed in the deposition mask pattern and a cross-sectional inclination angle in a second direction perpendicular to the first direction or may be different from each other. By controlling the distance between the holes formed in accordance with the direction, there is an effect of suppressing the deviation of the shadow phenomenon according to the direction generated by the type of evaporation source used in the deposition process.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용 효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 더욱 명확하게 이해될 것이다. 또한, 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성 요소들을 나타내는 것이며, 도면에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다.Details of the above objects and technical configurations and effects according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention. In addition, the same reference numerals throughout the specification represent the same components, in the drawings, the length, thickness, etc. of the layers and regions may be exaggerated for convenience.

(제 1 실시 예)(First embodiment)

도 1a는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 증착용 마스크 패턴을 나타낸 평면도이며, 도 1b는 도 1a의 A-A'으로 절단한 단면도이고, 도 1c는 도 1a의 B-B'으로 절단한 단면도이다.1A is a plan view illustrating a deposition mask pattern according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1A, and FIG. 1C is a view taken along line B-B ′ of FIG. 1A. It is a cross section.

도 1a 내지 도 1c를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 증착용 마스크 패턴(100)은 다수의 홀(200)이 형성되며, 상기 증착용 마스크 패턴(100)의 상측 표면과 하측 표면에서의 홀(200)의 면적이 상이하도록 형성함으로써, 상기 증착용 마스크 패턴(100)의 홀(200)은 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)으로 일정한 단면 경사각을 가진다. 여기서, 상기 홀(200)은 스트립 형태 또는 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.1A to 1C, in the deposition mask pattern 100 according to the first embodiment of the present invention, a plurality of holes 200 are formed, and upper and lower surfaces of the deposition mask pattern 100 are formed. The holes 200 in the deposition mask pattern 100 have a constant cross-sectional inclination angle in the first direction X and the second direction Y by forming the holes 200 in different areas. Here, the holes 200 may be arranged in a strip form or a matrix form.

상기 홀(200)의 제 1 방향(X) 단면 경사각(θ1)은 상기 홀(200)의 제 2 방향(Y) 단면 경사각(θ2)와 서로 상이한 각을 가지며, 상기 제 1 방향(X) 단면 경사각(θ1)과 제 2 방향(Y) 단면 경사각(θ2) 사이의 크기는 증착 공정 시 사용되는 증발원의 이동 방향에 따라 결정된다. 여기서, 상기 홀(200)의 제 1 방향(X) 단면 경사각(θ1) 및 제 2 방향(Y) 단면 경사각(θ2)은 섀도우 현상을 방지하기 위한 것이므로, 상기 증착용 마스크 패턴(100)의 두께에 따라 제어될 수 있으나, 통상적으로 상기 증착용 마스크 패턴(100)의 두께가 100㎛ 정도인 것을 감안하면, 상기 증착용 마스크 패턴(100)의 표면을 기준으로 30° 내지 85°인 것이 바람직하다.The cross-sectional inclination angle θ 1 of the first direction X of the hole 200 has an angle different from the cross-sectional inclination angle θ 2 of the second direction Y of the hole 200, and the first direction X ) The size between the cross sectional tilt angle θ 1 and the second direction Y cross sectional tilt angle θ 2 is determined according to the moving direction of the evaporation source used in the deposition process. Here, since the inclination angle θ 1 of the first direction X in the hole 200 and the inclination angle θ 2 of the second direction Y are for preventing a shadow phenomenon, the deposition mask pattern 100 may be used. The thickness of the deposition mask pattern 100 may be controlled, but considering that the thickness of the deposition mask pattern 100 is about 100 μm, it is 30 ° to 85 ° based on the surface of the deposition mask pattern 100. desirable.

증착 공정 시 사용되는 증발원이 제 1 방향(X)으로 이동하는 경우, 증착용 마스크 패턴에 의한 섀도우 현상에 의한 섀도우 량은 상기 증발원의 이동 방향에 수직인 제 2 방향(Y)에 비하여 상기 제 1 방향(X)으로 증가하게 된다. When the evaporation source used in the deposition process moves in the first direction X, the shadow amount caused by the shadow phenomenon by the deposition mask pattern is greater than the second direction Y perpendicular to the moving direction of the evaporation source. It increases in the direction X.

따라서, 증착 공정 시 사용되는 증발원의 이동 방향과 동일 방향인 상기 홀(200)의 제 1 방향(X) 단면 경사각(θ1)을 상기 증발원의 이동 방향에 수직 방향인 홀(200)의 제 2 방향(Y) 단면 경사각(θ2)보다 크게 함으로써, 증착 공정 시 상기 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)으로 발생되는 섀도우 현상의 편차를 방지할 수 있다.Therefore, the first direction X cross-sectional inclination angle θ 1 of the hole 200 which is the same direction as the moving direction of the evaporation source used in the deposition process is the second of the hole 200 perpendicular to the moving direction of the evaporation source. By increasing the cross-sectional inclination angle θ 2 in the direction Y, it is possible to prevent the deviation of the shadow phenomenon occurring in the first direction X and the second direction Y during the deposition process.

결과적으로 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 증착용 마스크 패턴은 상기 증착용 마스크 패턴에 형성되는 홀의 제 1 방향 단면 경사각과 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향 단면 경사각을 서로 상이하게 하고, 증착 공정 시 증발원의 이동 방향에 따라 상기 홀의 제 1 방향 단면 경사각과 제 2 방향 단면 경사각을 제어함으로써, 증착 공정 시 사용되는 증발원의 종류에 의해 발생되는 섀도우 현상의 편차를 방지할 수 있다.As a result, the deposition mask pattern according to the first embodiment of the present invention makes the first direction cross-sectional inclination angle of the hole formed in the deposition mask pattern and the second direction cross-sectional inclination angle perpendicular to the first direction different from each other, and the deposition is performed. By controlling the inclination angle of the first direction cross section and the inclination angle of the second direction of the hole according to the moving direction of the evaporation source in the process, it is possible to prevent the deviation of the shadow phenomenon caused by the type of evaporation source used in the deposition process.

(제 2 실시 예)(Second embodiment)

도 2는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 증착용 마스크 패턴을 나타낸 평면도이다.2 is a plan view illustrating a deposition mask pattern according to a second embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 증착용 마스크 패턴(300)은 다수의 홀(400)이 형성되며, 상기 홀(400)은 제 1 방향(X) 간격(x1)과 제 2 방향(Y) 간격(y1)이 서로 상이하도록 형성된다. 여기서, 상기 홀(200)의 제 1 방향(X) 간격(x1)과 상기 홀(200)의 제 2 방향(Y) 간격(y1)의 차이는 증착 공정 시 사용되는 증발원의 이동 방향에 따라 결정된다. 여기서, 상기 홀(200)은 스트립 형태 또는 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.Referring to FIG. 2, a plurality of holes 400 are formed in the deposition mask pattern 300 according to the second embodiment of the present invention, and the holes 400 may have a distance x1 in the first direction (X). The intervals y1 in the second direction Y are formed to be different from each other. Here, the difference between the interval x1 of the first direction X of the hole 200 and the interval y1 of the second direction Y of the hole 200 is determined according to the moving direction of the evaporation source used in the deposition process. do. Here, the holes 200 may be arranged in a strip form or a matrix form.

앞서 설명한 바와 같이, 증착 공정 시 사용되는 증발원이 제 1 방향(X)으로 이동하는 경우, 증착용 마스크 패턴에 의한 섀도우 현상에 의한 섀도우 량은 상기 증발원의 이동 방향에 수직인 제 2 방향(Y)에 비하여 상기 제 1 방향(X)으로 증가하므로, 증착 공정 시 사용되는 증발원의 이동 방향과 동일 방향인 상기 홀(200)의 제 1 방향(X) 간격(x1)을 상기 증발원의 이동 방향에 수직 방향인 제 2 방향(Y) 간격(y1)보다 작게 함으로써, 증착 공정 시 상기 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)으로 발생되는 섀도우 현상의 편차를 방지할 수 있다. As described above, when the evaporation source used in the deposition process moves in the first direction X, the shadow amount due to the shadow phenomenon by the deposition mask pattern is perpendicular to the moving direction of the evaporation source (Y). Compared to the first direction X, the interval x1 of the first direction X of the hole 200, which is the same direction as the moving direction of the evaporation source used in the deposition process, is perpendicular to the moving direction of the evaporation source. By making the direction smaller than the distance y1 in the second direction Y, it is possible to prevent the deviation of the shadow phenomenon occurring in the first direction X and the second direction Y during the deposition process.

본 발명의 제 2 실시 예에 따른 증착용 마스크 패턴(300)에 형성되는 다수의 홀(400)은 상기 증착용 마스크 패턴(300)의 상측 표면과 하측 표면에서의 홀(400)의 면적이 상이하도록 형성하여, 상기 증착용 마스크 패턴(300)의 홀(400)이 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)으로 일정한 단면 경사각을 가지도록 할 수 있다.The plurality of holes 400 formed in the deposition mask pattern 300 according to the second embodiment of the present invention have different areas of the holes 400 on the upper surface and the lower surface of the deposition mask pattern 300. The hole 400 of the deposition mask pattern 300 may have a predetermined cross-sectional inclination angle in the first direction X and the second direction Y.

또한, 앞서 설명한 본원 발명의 제 1 실시 예의 증착용 마스크 패턴(100)에 형성된 다수의 홀(200)과 같이, 상기 홀(400)의 제 1 방향(X) 단면 경사각(미도시)은 상기 홀(400)의 제 2 방향(Y) 단면 경사각(미도시)와 서로 상이한 각을 가지며, 상기 제 1 방향(X) 단면 경사각과 제 2 방향(Y) 단면 경사각 사이의 크기는 증착 공정 시 사용되는 증발원의 이동 방향에 따라 결정된다. 여기서, 상기 홀(400)의 제 1 방향(X) 단면 경사각 및 제 2 방향(Y) 단면 경사각은 섀도우 현상을 방지하기 위한 것이므로, 상기 마스크 패턴(100)의 표면을 기준으로 30° 내지 85°인 것이 바람직하다.In addition, as in the plurality of holes 200 formed in the deposition mask pattern 100 of the first embodiment of the present invention described above, the inclination angle (not shown) of the first direction X of the hole 400 is the hole. The second direction (Y) cross-sectional inclination angle (not shown) of the 400 has a different angle from each other, the size between the first direction (X) cross-sectional inclination angle and the second direction (Y) cross-section inclination angle is used during the deposition process It depends on the direction of movement of the evaporation source. Here, the cross-sectional inclination angle of the first direction (X) and the cross-sectional inclination of the second direction (Y) of the hole 400 are for preventing a shadow phenomenon, and thus 30 ° to 85 ° based on the surface of the mask pattern 100. Is preferably.

결과적으로 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 증착용 마스크 패턴은 상기 증착용 마스크 패턴에 형성되는 홀의 제 1 방향 간격과 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향 간격을 서로 상이하게 하고, 증착 공정 시 증발원의 이동 방향에 따라 상기 홀의 제 1 방향 간격과 제 2 방향 간격을 제어함으로써, 증착 공정 시 사용되는 증발원의 종류에 의해 발생되는 섀도우 현상의 편차를 방지할 수 있다.As a result, in the deposition mask pattern according to the second embodiment of the present invention, the first direction intervals of the holes formed in the deposition mask pattern and the second direction perpendicular to the first direction are different from each other. By controlling the interval between the first direction and the second direction of the hole according to the moving direction of the evaporation source, it is possible to prevent the deviation of the shadow phenomenon caused by the type of evaporation source used in the deposition process.

또한, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 증착용 마스크 패턴은 증착 공정 시 증발원의 이동 방향에 따라 상기 홀의 제 1 방향 간격과 제 2 방향 간격을 제어하며, 상기 증착용 마스크 패턴에 형성되는 홀의 제 1 방향 단면 경사각과 상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향 단면 경사각을 서로 상이하게 하고, 상기 증착 공정 시 증발원의 이동 방향에 따라 상기 홀의 제 1 방향 단면 경사각과 제 2 방향 단면 경사각을 제어함으로써, 증착 공정 시 사용되는 증발원의 종류에 의해 발생되는 섀도우 현상의 편차를 더욱 방지할 수 있다.In addition, the deposition mask pattern according to the second embodiment of the present invention controls the interval between the first direction and the second direction of the hole in accordance with the movement direction of the evaporation source during the deposition process, By making the first direction cross-sectional inclination angle and the second direction cross-sectional inclination angle perpendicular to the first direction different from each other, and controlling the first direction cross-sectional inclination angle and the second direction cross-sectional inclination angle of the hole according to the moving direction of the evaporation source in the deposition process, It is possible to further prevent the variation of the shadow phenomenon caused by the type of evaporation source used in the deposition process.

도 1a는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 증착용 마스크 패턴을 나타낸 평면도이다.1A is a plan view illustrating a deposition mask pattern according to a first embodiment of the present invention.

도 1b는 도 1a의 A-A'선으로 절단한 단면도이다.FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1A.

도 1c는 도 1a의 B-B'선으로 절단한 단면도이다.FIG. 1C is a cross-sectional view taken along line BB ′ of FIG. 1A.

도 2는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 증착용 마스크 패턴을 나타낸 평면도이다.2 is a plan view illustrating a deposition mask pattern according to a second embodiment of the present invention.

Claims (13)

다수의 홀을 포함하는 증착용 마스크 패턴에 있어서,In the deposition mask pattern including a plurality of holes, 상기 홀의 단면은 상기 증착용 마스크 패턴의 일측 표면을 기준으로 단면 경사각을 가지며,The cross section of the hole has a cross-sectional inclination angle based on one surface of the deposition mask pattern, 상기 홀의 제 1 방향의 단면 경사각과 상기 제 1 방향과 수직하는 제 2 방향의 단면 경사각이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴.And the cross-sectional inclination angle of the hole in the first direction and the cross-sectional inclination angle of the second direction perpendicular to the first direction are different from each other. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 방향 또는 제 2 방향은 증착 공정 시 증발원의 진행 방향인 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴.The first direction or the second direction is a deposition mask pattern, characterized in that the evaporation source advance direction during the deposition process. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제 1 방향은 상기 증발원의 진행 방향이며, 상기 제 1 방향의 단면 경사각은 상기 제 2 방향의 단면 경사각보다 큰 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴.And the first direction is a traveling direction of the evaporation source, and the cross-sectional inclination angle in the first direction is larger than the cross-sectional inclination angle in the second direction. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 방향 및 제 2 방향의 단면 경사각은 30° 내지 85°인 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴.The mask pattern for deposition according to claim 1, wherein the inclination angles of the cross sections in the first and second directions are 30 ° to 85 °. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 홀은 매트릭스 형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴.The hole mask pattern for deposition, characterized in that arranged in the form of a matrix. 다수의 홀을 포함하는 증착용 마스크 패턴에 있어서,In the deposition mask pattern including a plurality of holes, 상기 홀 사이의 간격은 제 1 방향 간격과 상기 제 1 방향과 수직하는 제 2 방향 간격이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴.The spacing between the holes is different from each other in the first direction and the second direction perpendicular to the first direction, the deposition mask pattern for deposition. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제 1 방향 또는 제 2 방향은 증착 공정 시 증발원의 진행 방향인 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴.The first direction or the second direction is a deposition mask pattern, characterized in that the evaporation source advance direction during the deposition process. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제 1 방향은 상기 증발원의 진행 방향이며, 상기 홀의 제 1 방향 간격은 제 2 방향 간격보다 작은 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴. The first direction is a direction in which the evaporation source travels, and the first direction intervals of the holes are smaller than the second direction intervals. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 홀은 상기 증착용 마스크 패턴의 일측 표면을 기준으로 일정한 단면 경사각을 가지는 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴.The hole has a mask pattern for deposition, characterized in that having a constant cross-sectional inclination angle with respect to one surface of the deposition mask pattern. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 제 1 방향의 단면 경사각과 상기 제 1 방향과 수직하는 제 2 방향의 단면 경사각이 서로 상이한 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴. And the cross-sectional inclination angle in the first direction and the cross-sectional inclination angle in the second direction perpendicular to the first direction are different from each other. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제 1 방향의 단면 경사각은 상기 제 2 방향의 단면 경사각보다 큰 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴.The inclination angle of the cross section in the first direction is greater than the inclination angle of the cross section in the second direction. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 홀의 단면 경사각은 30° 내지 85°인 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴.Deposition angle of the cross-section of the hole is a mask pattern for deposition, characterized in that 30 ° to 85 °. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 홀은 매트릭스 형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 증착용 마스크 패턴.The hole mask pattern for deposition, characterized in that arranged in the form of a matrix.
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