KR100952420B1 - 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 정공 수송층과 발광층 사이에 정공의 원활한 수송 및 발광 누설 방지를 위한 보조층을 형성함으로써, 상기 보조층에 의하여 상기 정공 수송층으로부터 상기 발광층으로 정공이 보다 원활하게 수송되면서 상기 발광층 내에 엑시톤이 가두어져 발광 누수가 방지되므로, 우수한 발광 효율을 갖는 유기 전계 발광 소자를 구현할 수 있다.
정공 수송, 엑시톤, 여기자, 누설, 발광, 보조층, OLED

Description

유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법{THE ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더 자세하게는 정공의 원활한 수송과 발광 누설 방지를 위한 보조층이 구비된 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자(Organic Light Emitting Diode : OLED)는 전자 주입 전극(캐소드 전극)으로부터 주입된 전자(electron)와 정공 주입 전극(애노드 전극)으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 엑시톤(exiton)을 형성하고 그 엑시톤이 에너지를 방출하면서 발광하는 자체 발광형 소자이다.
이와 같은 유기 전계 발광 소자는 낮은 구동 전압, 높은 휘도, 넓은 시야각 및 빠른 응답속도를 가지며 풀-컬러 평판 발광 디스플레이에 적용 가능하다는 이점 때문에 차세대 광원으로서 각광을 받고 있다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 유기 전계 발광 소자를 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 종래의 유기 전계 발광 소자(100)는, 정공 수송층(130)과 발광층(150) 사이의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 에너지 준위 차이가 클 경우, 정공 수송층(130)으로부터 발광층(150)으로의 정공 수송이 어려우며, 이로 인해 정공 수송층(130)과 발광층(150) 사이의 계면에 정공의 축적이 발생되는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로, 도 1c에 도시된 바와 같이 정공 수송층(130)과 발광층(150) 사이에 장벽 완화층(140)을 형성하여 정공이 발광층(150)으로 수송될 때 장애가 되는 에너지 장벽을 최소화시켜 발광 효율을 향상시키는 방법이 개시되어 있다.
그러나, 상기 장벽 완화층(140)은 단순히 정공의 수송을 돕는 역할만을 하기 때문에, 발광층(150)의 에너지 준위가 정공 수송층(130)의 에너지 준위 보다 낮을 경우, 발광층(150)에 있던 엑시톤들이 정공 수송층(130)로 누출되어 정공 수송층(130)에서도 발광이 일어나 색안정성이 떨어지거나 발광 효율이 낮아지는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 정공의 원활한 수송 및 발광 누설 방지를 위한 보조층을 형성하여 유기 전계 발광 소자의 발광 효율을 향상시키는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는, 제1 전극 상부에 형성되며 상기 제1 전극으로부터 주입된 정공을 수송하는 정공 수송층; 상기 정공 수송층 상부에 형성되며 엑시톤의 에너지 방출에 의해 발광이 이루어지는 발광층; 상기 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 형성되며 상기 정공 수송층으로부터 상기 발광층으로 정공이 원활하게 수송되도록 하면서 상기 발광층내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 보조층; 및 상기 발광층의 상부에 순차적으로 형성되는 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하며, 상기 보조층은, 상기 정공 수송층의 상부에 형성되며 상기 정공 수송층으로부터 상기 발광층으로 정공이 원활하게 수송되도록 하는 정공 수송 보조층과, 상기 정공 수송 보조층의 상부에 형성되며 상기 발광층내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 발광 보조층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
삭제
　상기 발광 보조층의 삼중항 에너지밴드갭은 상기 발광층의 삼중항 에너지밴드갭 보다 큰 것이 바람직하다. 그리고, 상기 정공 수송 보조층 및 상기 발광 보조 층의 호스트는 상기 발광층의 호스트 물질과 동일한 물질로 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 정공 수송 보조층의 도펀트는 호스트 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조 방법은, (a) 기판 상부에 제1 전극 및 정공 수송층을 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 정공 수송층 상부에 정공의 원활한 수송과 발광 누수 방지를 위한 보조층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 보조층의 상부에 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기에서, 상기 (b) 단계에서는, 상기 정공 수송층 상부에 호스트 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 물질을 도펀트로 사용하여 상기 발광층으로의 원활한 정공 수송을 위한 정공 수송 보조층을 형성하고, 상기 정공 수송 보조층 상부에 상기 정공 수송 보조층과 동일한 호스트 물질을 사용하여 상기 발광층내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 발광 보조층을 형성하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 정공 수송 보조층의 형성시, 호스트 물질로는 mCP를 사용하고 도펀트 물질로는 상기 mCP 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 Ir(2-phq)3를 3 중량 % 이내로 첨가하여 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 정공 수송층과 발광층 사이에 형성된 보조층에 의하여 정공 수송층으로부터 발광층으로 정공이 보다 원활하게 수송되면서 엑시톤이 발광층 내에 가두어져 발광 누수가 방지되므로, 우수한 발광 효율을 갖는 유기 전계 발광 소자를 구현할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자(200)를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자(200)는, 기판(210), 제1 전극(220), 정공 수송층(230), 보조층(240), 발광층(250), 전자 수송층(260) 및 제2 전극(270)을 포함한다.
상기 보조층(240)은 정공 수송층(230)으로부터 발광층(250)으로 정공 수송이 보다 원활히 되도록 하는 정공 수송 보조층(240a)과, 발광층(250) 내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 발광 보조층(240b)으로 이루어져 있다.
즉, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자(200)는, 상기 정공 수송 보조층(240a)에 의하여 상기 정공 수송층(230)으로부터 상기 발광층(250)으로 정공이 보다 원활하게 수송되면서, 상기 발광 보조층(240b)에 의하여 엑시톤이 발광 층(250) 내에 가두어져 발광층(150)에서만 발광이 이루어지게 되므로, 우수한 발광 효율을 갖게 된다.
도 3은 도 2에 도시된 유기 전계 발광 소자(200)의 에너지밴드 다이어그램을 나타낸 도면으로, 가는 점선은 삼중항 에너지밴드를 나타내며, 굵은 점선은 도펀트의 에너지밴드를 나타낸다.
도 3에 도시된 바와 같이, 발광 보조층(240b)의 삼중항 에너지밴드갭은 발광층(250)의 삼중항 에너지밴드갭 보다 크며, 이에 따라 발광층(250)의 엑시톤이 발광 보조층(240b)으로 누출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 정공 수송 보조층(240a)의 도펀트는 호스트 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 가지며, 이러한 도펀트의 HOMO 에너지 준위에 의해 상기 정공 수송층(230)으로부터 상기 발광층(250)으로의 정공 수송이 보다 원활해진다. 여기에서, 상기 정공 수송 보조층(240a)의 에너지밴드갭은 2.0 내지 3.0 eV인 것이 바람직하다.
즉, 상기 정공 수송 보조층(240a)에 의하여 상기 정공 수송층(230)으로부터 발광층(250)으로 정공이 보다 원활하게 수송되는 한편, 상기 발광 보조층(240b)에 의하여 엑시톤이 발광층(250) 내에 가두어져 발광 누수가 방지된다. 이러한 정공의 원활한 수송 및 엑시톤의 가둠효과에 의해 유기 전계 발광 소자의 발광 효율이 향상되며, 그 결과가 도 4에 도시되어 있다.
도 4는 종래의 유기 전계 발광 소자, 장벽완화층이 형성된 종래의 유기 전계 발광 소자 및 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 발광 특성을 나타낸 그래프이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 장벽완화층이 형성된 종래의 유기 전계 발광 소자는 장벽완화층이 형성되지 않은 경우와 비교하여 전류밀도가 거의 유사한 반면, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는 정공 수송 보조층(240a)의 도펀트의 HOMO 에너지 준위에 의해 정공의 수송이 보다 원활해지기 때문에 전류 밀도가 크게 증가하며 여기에 발광 누설 방지 효과가 더해져서 발광 효율이 향상되는 것을 알 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 대하여 더 자세히 설명하면 다음과 같다.
우선, 기판(210) 상에 제1 전극(220)을 형성한다. 여기에서, 상기 기판(210)으로는 투명성을 갖는 유리, 석영 또는 플럭서블 가능한 패널(예를 들면, 플라스틱, 금속박막) 등을 사용할 수 있으며, 상기 제1 전극(220)으로는 발광 형태(전면, 배면, 양면 발광)에 따라 여러 가지 전극 물질(투명 전극, 금속 전극)을 사용할 수 있다.
이어서, 상기 제1 전극(220) 상에 제1 전극(220)으로부터 주입된 정공을 수송하는 정공 수송층(230)을 형성한다. 여기에서, 상기 정공 수송층(230)은 α-NPB(4,4' bis[N-(1-naphyl)-N-phenyl-amino] biphenyl)를 이용하여 35 nm 두께로 형성한다.
그 다음, 상기 정공 수송층(230) 상부에 정공의 원활한 수송 및 발광 누설 방지를 위한 보조층(240)을 형성하되, 먼저 정공의 원활한 수송을 위한 정공 수송 보조층(240a)을 5 nm의 두께로 형성한 후, 상기 정공 수송 보조층(240a) 상부에 발 광 누설 방지를 위한 발광 보조층(240b)을 5 nm의 두께로 형성한다.
이 때, 상기 정공 수송 보조층(240a)의 호스트로는 mCP를 사용하며, 도펀트로는 호스트로 사용된 mCP 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 물질(Ir(2-phq)3)을 소량(3 중량 % 이내) 사용한다. 그리고, 상기 발광 보조층(240b)의 호스트 물질로는 상기 정공 수송 보조층(240a)과 동일한 mCP를 사용한다.
다음으로, 상기 보조층(240)의 상부에 발광층(250)을 1 내지 100 ㎚의 두께로 형성한다. 여기에서, 상기 발광층(250)은 상기 보조층(240)에 사용된 mCP를 호스트로 하여 청색 도펀트(Firpic(iridium(III)bis(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2')picolinate))의 농도를 10%, 오렌지색 도펀트(Bt2Ir(acac)(bis(2-phenylbenxothiozolato-N,C2')iridium(III)(acetylacetonate))의 농도를 0.5 %로 하여 15 nm 두께로 형성한다.
그 다음, 발광층(250)의 상부에 Bphen(bathocuproine(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)를 이용하여 50 nm 두께의 전자 수송층(260)을 형성한 후, 전자 수송층(260)의 상부에 제 2 전극(270)을 형성한다. 여기에서, 상기 제 2 전극(280) 역시 제1 전극(220)과 마찬가지로 발광 형태에 따라 다양한 재질의 도전 물질을 이용하여 형성할 수 있다.
따라서, 이와 같은 공정을 거쳐 제조된 유기 전계 발광 소자는 정공 수송 보조층(240a)에 의하여 정공 수송층(230)으로부터 발광층(250)으로 정공이 보다 원활하게 수송되는 한편, 발광 보조층(240b)에 의하여 엑시톤이 발광층(250) 내에 가두 어져 발광 누수가 방지되므로 우수한 발광 효율을 갖게 된다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 유기 전계 발광 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자를 나타낸 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 유기 전계 발광 소자의 에너지밴드 다이어그램을 나타낸 도면이다.
도 4는 종래의 유기 전계 발광 소자, 장벽완화층이 형성된 종래의 유기 전계 발광 소자 및 본 발명의 유기 전계 발광 소자의 발광 특성을 나타낸 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110, 210 : 기판
120, 220 : 제1 전극(양극)
130, 230 : 정공 수송층
140 : 장벽 완화층
240 : 보조층
240a : 정공 수송 보조층
240b : 발광 보조층
150, 250 : 발광층
160, 260 : 전자수송층
170, 270 : 제2 전극(음극)

Claims (11)

  1. 제1 전극 상부에 형성되며 상기 제1 전극으로부터 주입된 정공을 수송하는 정공 수송층;
    상기 정공 수송층 상부에 형성되며 엑시톤의 에너지 방출에 의해 발광이 이루어지는 발광층;
    상기 정공 수송층과 상기 발광층 사이에 형성되며, 상기 정공 수송층으로부터 상기 발광층으로 정공이 원활하게 수송되도록 하면서 상기 발광층내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 보조층; 및
    상기 발광층의 상부에 순차적으로 형성되는 전자 수송층 및 제2 전극을 포함하며,
    상기 보조층은,
    상기 정공 수송층의 상부에 형성되며, 상기 정공 수송층으로부터 상기 발광층으로 정공이 원활하게 수송되도록 하는 정공 수송 보조층; 및
    상기 정공 수송 보조층의 상부에 형성되며, 상기 발광층내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 발광 보조층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
    　
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 발광 보조층의 삼중항 에너지밴드갭은 상기 발광층의 삼중항 에너지밴드갭 보다 큰 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 정공 수송 보조층 및 상기 발광 보조층의 호스트는 상기 발광층의 호스트 물질과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 정공 수송 보조층의 도펀트는 호스트 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  6. (a) 기판 상부에 제1 전극 및 정공 수송층을 순차적으로 형성하는 단계;
    (b) 상기 정공 수송층 상부에 정공의 원활한 수송과 발광 누수 방지를 위한 보조층을 형성하는 단계; 및
    (c) 상기 보조층의 상부에 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 (a) 단계에서,
    α-NPB(4,4'-bis[N-(1-naphyl)-N-phenyl-amino] biphenyl)를 이용하여 상기 정공 수송층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,
    상기 정공 수송층 상부에 호스트 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 물질을 도펀트로 사용하여 상기 발광층으로의 원활한 정공 수송을 위한 정공 수송 보조층을 형성하는 제1 단계; 및
    상기 정공 수송 보조층 상부에 상기 정공 수송 보조층과 동일한 호스트 물질을 사용하여 상기 발광층내에 엑시톤을 가두어 발광 누수를 방지하는 발광 보조층을 형성하는 제2 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 제1 단계에서,
    호스트 물질로 mCP를 사용하고, 도펀트 물질로 상기 mCP 보다 높은 HOMO 에너지 준위값을 갖는 Ir(2-phq)3를 3 중량 % 이내로 첨가하여 상기 정공 수송 보조 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 정공 수송 보조층 및 상기 발광 보조층을 5 nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
  11. 제 6항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,
    상기 보조층에 사용된 호스트 물질에 도펀트를 소정 농도로 첨가하여 상기 발광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160095319A (ko) * 2015-02-03 2016-08-11 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자 및 이를 포함하는 전자장치

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101825642B1 (ko) 2011-08-18 2018-02-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101866393B1 (ko) * 2011-12-30 2018-06-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20150124050A (ko) 2014-04-25 2015-11-05 삼성디스플레이 주식회사 카바졸계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
KR102268507B1 (ko) * 2014-11-07 2021-06-22 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102041137B1 (ko) * 2019-04-02 2019-11-07 머티어리얼사이언스 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR102673123B1 (ko) * 2019-06-27 2024-06-07 솔루스첨단소재 주식회사 유기 전계 발광 소자

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100522687B1 (ko) 2003-02-04 2005-10-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR20060084733A (ko) * 2005-01-20 2006-07-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR20070086623A (ko) * 1999-05-13 2007-08-27 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 전계인광에 기초한 고 효율의 유기 발광장치
JP2008147424A (ja) 2006-12-11 2008-06-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070086623A (ko) * 1999-05-13 2007-08-27 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 전계인광에 기초한 고 효율의 유기 발광장치
KR100522687B1 (ko) 2003-02-04 2005-10-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR20060084733A (ko) * 2005-01-20 2006-07-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP2008147424A (ja) 2006-12-11 2008-06-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160095319A (ko) * 2015-02-03 2016-08-11 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자 및 이를 포함하는 전자장치
KR102267817B1 (ko) * 2015-02-03 2021-06-22 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자 및 이를 포함하는 전자장치

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