KR100938376B1 - 실리콘 중간체를 포함하는 플립 칩 본딩용 비도전성접착제 조성물 - Google Patents

실리콘 중간체를 포함하는 플립 칩 본딩용 비도전성접착제 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR100938376B1
KR100938376B1 KR1020020082729A KR20020082729A KR100938376B1 KR 100938376 B1 KR100938376 B1 KR 100938376B1 KR 1020020082729 A KR1020020082729 A KR 1020020082729A KR 20020082729 A KR20020082729 A KR 20020082729A KR 100938376 B1 KR100938376 B1 KR 100938376B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin
weight
adhesive composition
conductive
parts
Prior art date
Application number
KR1020020082729A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040056174A (ko
Inventor
김수주
김도현
정성륜
배종권
최지숙
Original Assignee
에스케이케미칼주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이케미칼주식회사 filed Critical 에스케이케미칼주식회사
Priority to KR1020020082729A priority Critical patent/KR100938376B1/ko
Publication of KR20040056174A publication Critical patent/KR20040056174A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100938376B1 publication Critical patent/KR100938376B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

비솔더 범프(bump)를 갖는 IC, LSI 등의 반도체 소자를 금속 전극이 표면에 형성된 기판에 전기적, 기계적으로 접속하는 비도전성 접착제 조성물이 개시된다. 상기 비도전성 접착제 조성물은 수분 및 휘발성 불순물을 제거하는 전처리 공정을 수행한 절연성 접착제 수지; 열팽창 계수를 낮추어 열적 안정성을 향상시키기 위한 비도전성 필러; 및 실리콘 중간체를 포함한다. 상기 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여, 상기 비도전성 필러의 함량은 1 내지 80 중량부이며, 상기 실리콘 중간체의 함량은 1 내지 20 중량부인 것이 바람직하고, 상기 실리콘 중간체는 수산화기를 갖는 저분자량의 중간체로서, 평균분자량은 1000 내지 2000이고, 수산화기(OH content)의 양이 3 내지 5%인 것이 바람직하다.
실리콘 중간체, 플립 칩, 본딩, 비도전성, 접착제, 전처리, 내습성, 내열성, 비솔더 범프

Description

실리콘 중간체를 포함하는 플립 칩 본딩용 비도전성 접착제 조성물{Non-conductive adhesive composition including silicon intermediate for flip-chip interconnection}
도 1은 비도전성 접착제를 이용하여 플립 칩 본딩하는 과정을 설명하기 위한 도면.
도 2는 플립 칩 본딩 과정에서 접착제 조성물을 개재한 반도체칩과 기판에 적용되는 압력 및 온도 조건을 예시하는 그래프.
도 3은 본 발명의 일 실시예 및 종래 기술에 따른 비도전성 접착제를 사용한 경우에 있어서, 고온 및 고습 조건에서 반도체칩과 기판 사이의 접속저항의 변화를 도시한 그래프.
도 4는 본 발명의 일 실시예 및 종래 기술에 따른 비도전성 접착제를 사용한 경우에 있어서, 열충격 조건에서 반도체칩과 기판 사이의 접속저항의 변화를 도시한 그래프.
본 발명은 플립 칩(flip chip) 본딩용 비도전성 접착제에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 비솔더 범프(bump)를 갖는 IC, LSI 등의 반도체 소자를 금속 전극이 표면에 형성된 기판에 전기적, 기계적으로 접속하는 경우, 특히 플립 칩 실장하는 경우에 적합한 비도전성 접착제 조성물에 관한 것이다.
리드프레임, 유리 또는 에폭시 기판 등 금속 전극이 표면에 형성된 회로기판에 IC, LSI 등의 반도체 소자를 전기적, 기계적으로 연결시키는 방법으로서, 플립 칩 본딩(flip-chip bonding) 기술에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 플립 칩 본딩에 있어서, 기판과 반도체 소자를 접착하는 접착제로는 도전성 접착제 또는 비도전성 접착제가 사용되고 있다. 도전성 접착제는 도전성 입자와 절연 접착제 수지를 혼합한 이방성 도전 접착제(anisotropic conductive adhesive)와 등방성 도전 접착제(isotropic conductive adhesive)로 구분된다. 한편, 비도전성 접착제는 반도체 소자와 기판을 물리적으로 접착하는 기능만을 하며, 이들의 전기적 접속은 반도체 소자에 형성된 스터드 범프와 기판 전극이 직접 연결되어 이루어진다. 이와 같은 비도전성 접착제는 고가의 도전성 입자를 포함하지 않으므로, 제조비용이 저렴한 장점이 있다.
도 1은 이와 같은 비도전성 접착제를 이용하여 플립 칩 본딩하는 과정을 설명하기 위한 도면이다. 비도전성 접착제를 이용하여 플립 칩 본딩을 수행하기 위 해서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 먼저 소정 간격으로 접속단자(10)가 형성된 기판(12)의 상부에 주사기(14)를 이용하여 페이스트상의 비도전성 접착제(16)를 도포한다. 다음으로, 반도체칩(20)의 전극(22) 상에 형성된 금(Au) 스터드 범프(24)와 기판(12)에 형성된 접속단자(10)의 간격을 조절한 다음, 반도체칩(20)과 기판(12)을 가열, 압착하면, 비도전성 수지 접착제(16)의 경화가 이루어지며, 반도체칩(20)과 기판(12)이 전기적, 물리적으로 접속된다.
이와 같이, 반도체칩과 기판을 접착하는 수지 접착제는 특히 고온에서 접착제 내부 또는 연결 부분에 포함된 수분, 휘발성 불순물 등이 급격히 기화 팽창하지 않아야 한다. 만일 수지 접착제가 고온에서 기화하면, 접착부에 크랙이 발생하고, 이는 반도체 장치의 신뢰성을 저하시키는 원인이 된다. 또한, 반도체칩과 기판을 접착하는 종래의 수지 접착제는 일반적으로 수분에 민감하기 때문에, 시간이 경과함에 따라 수분 흡수로 인하여 접속신뢰성, 내후성, 접착강도 등이 저하될 뿐 만 아니라, 열적 안정성이 나쁜 단점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 접속 신뢰성, 내후성, 내습성, 내수성, 열적안정성, 접착강도 등 물리적 특성이 양호한 플립 칩 본딩용 비도전성 접착제 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 높은 신뢰성을 가지고 반도체칩과 기판을 접착할 수 있을 뿐만 아니라, 경제적으로 제조할 수 있는 플립 칩 본딩용 비도전성 접착제 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 수분 및 휘발성 불순물을 제거하는 전처리 공정을 수행한 절연성 접착제 수지; 열팽창 계수를 낮추어 열적 안정성을 향상시키기 위한 비도전성 필러; 및 실리콘 중간체를 포함하는 비도전성 접착제 조성물을 제공한다. 여기서, 상기 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여, 상기 비도전성 필러의 함량은 1 내지 80 중량부이며, 상기 실리콘 중간체의 함량은 1 내지 20 중량부인 것이 바람직하고, 상기 실리콘 중간체는 수산화기를 갖는 저분자량의 중간체로서, 평균분자량은 1000 내지 2000이고, 수산화기(OH content)의 양이 3 내지 5%인 것이 바람직하다. 또한 상기 전처리 공정은 진공 조건 및 100 내지 150℃에서, 30분 내지 2시간 동안 절연성 접착제 수지를 가열하여 수행될 수 있다.
이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물은 절연성 접착제 수지, 비도전성 필러 및 실리콘 중간체를 포함하며, 필요에 따라 커플링제, 경화제 및/또는 경화촉진제를 더욱 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물에 사용되는 절연성 접착제 수지로는 열경화성, 열가소성, 광경화성 수지를 광범위하게 사용할 수 있으며, 바람직하게는 비스페놀-A 에폭시 수지 등의 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 스티렌 수지, 스티렌-부타디엔 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지, 아미드계 수지, 아크릴레이트계 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 에틸렌-비닐 수지, 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 실리콘 수지, 아크릴계 수지 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 이와 같은 절연성 접착제 수지는 진공 조건에서 가열 등의 방법으로 수분 및 휘발성 불순물을 제거하는 전처리 과정을 거치는 것이 바람직하다. 상기 전처리 과정은 수분 및 휘발성 불순물을 제거할 수 있는 한, 그 조건을 특히 한정하지 않지만, 저압, 바람직하게는 실질적으로 진공 조건에서, 약 100℃ 이상의 온도, 바람직하게는 100 내지 150℃에서, 30분 내지 2시간 동안 가열하여 전처리를 수행할 수 있다. 이때 상기 전처리 온도가 100℃ 미만이거나 전처리 시간이 30분 미만인 경우에는 접착제 수지로부터 수분 및 휘발성 불순물을 충분히 제거할 수 없으며, 전처리 온도가 150℃를 초과하거나 전처리 시간이 2시간을 초과하는 경우에는 더 이상의 불순물 제거 효과를 얻을 수 없고, 수지의 열화를 초래하거나 경제적으로 불리할 뿐이다. 또한 상기 절연성 접착제 수지에는 로진, 터빈 수지, 구 마로인딘 수지 등으로 대표되는 점착제, 노화 방지제, 커플링제, 경화제, 경화촉진제 등의 통상의 첨가제를 첨가하여 사용할 수도 있다.
본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물은 유기물인 접착제 수지와 유리, 금속 등과 같은 무기물간의 접착력을 증진시키기 위한 커플링제를 포함할 수 있다. 상기 커플링제로는 3-글리시독시프로필 트리메톡시실란 (3-glycidoxypropyl trimethoxysilane), 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 (2-(3,4-epoxy cyclohexyl)ethyltrimethoxysilane), 3-글리시딜옥시프로필 메틸디에톡시실란 (3-glycidyloxypropyl methyldiethoxysilane) 등의 실란 화합물 및 티탄 화합물을 사용할 수 있으며, 그 사용량은 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 3 내지 5 중량부인 것이 바람직하다. 상기 커플링제의 사용량이 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 3중량부 미만인 경우에는 접착제 수지와 무기물이 충분히 접착되지 않을 우려가 있으며, 5 중량부를 초과하는 경우 커플링제의 접착력 증진효과가 더 이상 배가되지 않는다.
상기 경화제 및/또는 경화촉진제는 상기 절연성 접착제 수지의 경화를 촉진시키기 위한 것으로서, 이미다졸계, 산무수물계, 아민계 경화제 등의 통상적인 경화제를 사용할 수 있고, 그 사용량은 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 10 내지 50 중량부인 것이 바람직하다. 상기 경화제 및/또는 경화촉진제의 사용량이 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 10 중량부 미만인 경우에는 접착제 수지의 경화가 충분히 이루어지지 않아, 접착력, 신뢰성 등의 물성이 저하되는 문제가 있으며, 50 중량부를 초과하면 보관안정성이 저하되는 문제가 있다.
본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물에 포함되는 비도전성 필러는 접착제 조성물의 열팽창계수를 낮추어 열적 안정성을 향상시키기 위한 것으로서, 상기 목적을 달성하는 한, 특별한 제한 없이 공지된 다양한 필러가 사용될 수 있다. 본 발명에 사용될 수 있는 비도전성 필러로는 질화붕소, 산화규소, 산화알루미늄, 산 화티탄, 산화마그네슘, 질화알루미늄, 탄화규소, 활석, 탄산칼슘 등을 예시할 수 있으며, 바람직하게는 이들 중 접착성이 우수하고 이온불순물이 적은 산화규소, 산화알루미늄 등을 사용한다. 비도전성 필러의 형상은 플레이크상, 구상, 부정 형상 등일 수 있고, 균일한 분산성을 고려하면, 페이스트상 접착제인 경우에는 필러의 평균 입경이 50㎛ 이하인 것이 바람직하고, 필름상 접착제인 경우에는 필러의 평균 입경이 10㎛ 이하인 것이 바람직하다. 비도전성 필러의 배합량은 접착성, 작업성 등의 측면에서, 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 ｌ내지 80중량부가 바람직하고, 상기 중량 범위 내에서 필러의 함량을 다양하게 조절하여 접착제 조성물의 열팽창 계수를 조절할 수 있다. 상기 비도전성 필러의 사용량이 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 1 중량부 미만인 경우에는 접착제 조성물의 열적 안정성이 저하될 우려가 있고, 80 중량부를 초과하는 배합의 경우 고점도이기 때문에 제조 및 취급이 곤란하다.
본 발명에 사용되는 실리콘 중간체는 수산화기를 갖는 저분자량의 중간체로서 평균분자량은 1000 내지 2000이고, 수산화기(OH content)의 양이 3 내지 5%이며, 바람직하게는 하기 화학식 1의 구조를 가진다.
Figure 112002042559450-pat00001
상기 화학식 1에서, 실리콘 중간체의 치환기 R은 30개 이하의 탄소수를 갖는 탄화수소기(hydrocarbon radical)로서, 예를 들면, 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 프로필(propyl), 이소프로필(isopropyl), 부틸(butyl) 등의 알킬(alkyl)류와 비닐(vinyl), 아릴(allyl), 헥세닐(hexenyl), 부테닐(butenyl), 3-옥테닐(3-octenyl) 등의 알케닐(alkenyl)류, 프로피닐(propynyl), 헵티닐(heptynyl), 부티닐(butynyl)등의 알키닐(alkynyl)류, 1-펜텐-3-이닐(1-penten-3-ynyl), 데시닐(decynyl) 등의 알키닐(alkynyl)류, 사이클로부틸(cyclobutyl), 사이클로펜틸(cyclopentyl), 사이클로헥실(cyclohexyl)등의 고리지방족(cycloaliphatic)류, 페닐(phenyl), 토릴(tolyl), 자이닐(xylyl) 등의 아릴(aryl)류, 헵틸(hepthyl), 벤질(benzyl)등의 아랄킬(aralkyl)류 등일 수 있다. 본 발명에 사용될 수 있는 실리콘 중간체는 상업적으로 얻을 수 있으며, 예를 들면, 다우 코닝(DOW CORNING)사의 상품명: Z-6018 (OH content 3.9%, 평균분자량=1600, 치환기 R = 페닐 또는 프로필)을 상기 실리콘 중간체로서 사용할 수 있다.
상기 실리콘 중간체는 수산화기를 가지고 있으므로, 하기 반응식 1과 같은 반응을 통하여 광범위한 종류의 유기물 수지(organic resin) 및 단량체(monomer)와 반응한다. 따라서 상기 실리콘 중간체를 접착제 조성물에 포함시키면, 접착제 조성물의 열적 안정성과 내후성이 증가하게 된다.
≡Si-OH + HO-C≡ → ≡Si-O-C≡ + H2O
상기 실리콘 중간체의 사용량은 절연성 접착제 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부인 것이 바람직하며, 만일 상기 중간체의 사용량이 1 중량부 미만이면 내습성, 내열성의 상승효과가 극히 미미하게 되고, 상기 중간체의 사용량이 20 중량부를 초과하면 수지 접착제의 물성이 저하될 우려가 있다.
본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물은 상기 성분들을 함유하는 것으로서, 필름(film) 또는 페이스트(paste)상으로 제조되어 반도체칩과 기판의 접착에 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물 페이스트를 제조하기 위해서는 먼저, 절연성 접착제 수지를 진공상태에서 가열하여, 예를 들면 약 120℃에서 1시간 동안 진공을 걸어, 수지 내에 포함되어 있는 수분 및 휘발성 불순물들을 제거한다. 수분 및 휘발성 불순물이 제거된 절연성 접착제 수지에 비도전성 필러 입자 및 실리콘 중간체를 투입하고 균일하게 혼합한다. 이때 필요에 따라 커플링제, 경화제, 경화촉진제 등을 첨가할 수 있다. 상기 혼합 과정은 고체 성분을 균일하게 분산시키고, 고점도의 조성물을 균일하게 혼합하여야 하므로, 3-롤밀(3- roll mill) 또는 유성믹서(Planetary mixer) 등을 사용하여 수행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 혼합된 비도전성 접착제 조성물을, 예를 들면, 도 1에 도시된 바와 같이 주사기(14)에 담아, Au, Cu 등의 금속 스터드 범프(stud bump), Ni, Cu, Au 범프(24) 등이 형성된 반도체칩(20)과 기판(22)의 접착에 사용한다. 이때 본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물을 기판과 반도체칩의 사이에 개재시킨 후, 예를 들면 도 2에 도시된 바와 같은 압력 및 온도 조건에서 접착제 조성물을 경화시킴으로서, 기판 상에 반도체칩을 실장할 수 있다.
이하, 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
먼저, 액상 비스페놀-A 에폭시 수지(YD-128, 국도화학)를 110℃에서 1시간 정도 진공을 걸어, 수지 내에 포함되어 있는 수분, 휘발성 불순물 등을 제거하는 전처리 공정을 수행한다. 전처리된 수지 100중량부에, 비도전성 필러로서 산화규소(실리카) 10중량부를 투입하고, 3-롤밀을 이용하여 균일하게 분산, 혼합한 다음, 첨가제로서 수산화기를 갖는 실리콘 중간체(Hydroxy-functional silicon, DOW CORNING사, Z-6018) 5중량부, 3-글리시독시프로필트리메톡시 실란((CH3O)3SiCH2CH2CH2OCH2CHOCH 3 : DOW CORNING사, Z-6040) 커플링제 0.5중량부 및 아민계 경화제(AJINOMOTO, PN-23) 20중량부를 넣고, 다시 3-롤밀을 이용하여 충분히 혼합하여 열경화성 비전도성 접착제 수지를 조액하였다. 제조된 비도전성 수지 접착제 페이스트를 주사기에 넣어 플립칩 본딩에 사용하였다.
[실시예 2]
상기 수산화기를 갖는 실리콘 중간체를 20중량부 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 비도전성 수지 접착제 페이스트를 제조하였다.
[비교예 1]
상기 비스페놀-A 액상 에폭시 수지로부터 수분 및 휘발성 불순물 제거를 위한 전처리 공정을 수행하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 실질적으로 동일한 방법으로 비도전성 수지 접착제 페이스트를 제조하였다.
[비교예 2]
상기 수산화기를 갖는 실리콘 중간체를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 실시예 1과 실질적으로 동일한 방법으로 비도전성 수지 접착제 페이스트를 제조하였다.
상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 비전도성 접착제를 FR-4기판(125㎛ 피치)에 도포하고 칩의 금(Au) 스터드 범프(범프수: 296개)와 간격을 맞춘 후, 도 2 와 같은 조건으로 가열, 압착하여, 비전도성 접착제를 경화시킴으로서, 범프를 상호 접속하였다. 이렇게 제조된 시편의 접속 저항치를 측정하여, 그 결과를 표 1에 나타내었으며, 또한 고온 고습 조건(85℃, 85% RH 에서 1000시간 방치) 및 열충격 조건(-55℃ 및 125℃ 각 30분씩, 500회 반복)에서 접속저항치의 변화를 측정하여, 신뢰성을 시험하였으며, 그 결과를 표 1, 도 3 및 4에 각각 나타내었다. 도 4에서 진한 실선은 온도를 나타내고, 흐린 실선은 압력을 나타낸다.
수지 전처리 여부 실리콘 중간체 함량 (중량부) 접속저항(Ω)
초기 고온고습 시험 후 차이(△) 열충격 시험 후 차이(△)
실시예 1 O 5 2.8 3.0 0.2 3.3 0.5
실시예 2 O 20 2.8 3.1 0.3 3.3 0.5
비교예 1 X 5 2.9 3.5 0.6 4.7 1.8
비교예 2 O X 2.8 4.1 1.3 3.6 0.8

표 1, 도 3 및 도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 초기접속 저항치의 경우 실시예와 비교예가 유사하나, 시편을 고온, 고습 환경에 방치시킨 후에는 비교예 2의 저항치가 현저히 증가함을 알 수 있다. 또한 수분 및 휘발성 불순물을 제거하지 않은 수지를 사용한 비교예 1의 경우, 열충격 시험결과 접속저항치가 크게 증가함을 알 수 있고, 또한 비교예 2의 저항치도 실시예에 비해 증가함을 알 수 있다. 따라서 본 발명의 비도전성 접착제는 절연성 접착제 수지로부터 수분 및 휘발성 불순물을 제거하는 전처리를 수행하고, 수산화기를 갖는 실리콘 중간체를 첨가함으로서, 내습성, 내후성 및 내열성이 우수할 뿐만 아니라, 열적 안정성이 뛰어난 신뢰성 있는 범프간 접속을 형성할 수 있음을 알 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따라 수분 및 휘발성 불순물이 제거된 절연성 접착제 수지를 사용하고, 수산화기를 갖는 실리콘 중간체를 혼합하여 비도전성 수지 접착제를 제조하면, 고온에서 수분 및 휘발성 불순물의 유출에 의한 크랙현상을 방지하여 열적 안정성을 높일 수 있다. 또한, 실리콘 중간체가 수지와 반응하여 수지의 열적 안정성, 내습성 및 내후성이 증가됨으로 인하여, 수분 흡수에 의한 접착 강도의 약화를 방지하여 범프간 접속신뢰성을 높여주는 한편, 내열성을 부여하여, 접촉 저항치의 편차가 극히 작다. 또한 본 발명에 따른 비도전성 접착제 조성물은 고가의 도전 입자들을 포함하지 않으므로 저 비용으로 칩을 실장할 수 있다.

Claims (5)

  1. 수분 및 휘발성 불순물을 제거하는 전처리 공정을 수행한 절연성 접착제 수지; 열팽창 계수를 낮추어 열적 안정성을 향상시키기 위한 비도전성 필러; 및 실리콘 중간체를 포함하며,
    상기 실리콘 중간체는 수산화기를 갖는 저분자량의 중간체로서 하기 화학식으로 표현되며, 평균분자량은 1000 내지 2000이고, 수산화기(OH content)의 양이 3 내지 5%인 것인 비도전성 접착제 조성물.
    Figure 112009051171301-pat00007
    상기 화학식에서, 치환기 R은 30개 이하의 탄소수를 갖는 탄화수소기이다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연성 접착제 수지 100중량부에 대하여 상기 비도전성 필러의 함량은 1 내지 80 중량부이며, 상기 실리콘 중간체의 함량은 1 내지 20 중량부인 비도전성 접착제 조성물.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 전처리 공정은 진공 조건 및 100 내지 150℃에서, 30분 내지 2시간 동안 절연성 접착제 수지를 가열하여 수행되는 것인 비도전성 접착제 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 절연성 접착제 수지는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 스티렌 수지, 스티렌-부타디엔 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지, 아미드계 수지, 아크릴레이트계 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 에틸렌-비닐 수지, 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 실리콘 수지, 아크릴계 수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 비도전성 접착제 조성물.
KR1020020082729A 2002-12-23 2002-12-23 실리콘 중간체를 포함하는 플립 칩 본딩용 비도전성접착제 조성물 KR100938376B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020082729A KR100938376B1 (ko) 2002-12-23 2002-12-23 실리콘 중간체를 포함하는 플립 칩 본딩용 비도전성접착제 조성물

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020082729A KR100938376B1 (ko) 2002-12-23 2002-12-23 실리콘 중간체를 포함하는 플립 칩 본딩용 비도전성접착제 조성물

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040056174A KR20040056174A (ko) 2004-06-30
KR100938376B1 true KR100938376B1 (ko) 2010-01-22

Family

ID=37348577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020082729A KR100938376B1 (ko) 2002-12-23 2002-12-23 실리콘 중간체를 포함하는 플립 칩 본딩용 비도전성접착제 조성물

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100938376B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI321975B (en) * 2003-06-27 2010-03-11 Ajinomoto Kk Resin composition and adhesive film for multi-layered printed wiring board
KR100601762B1 (ko) * 2004-11-09 2006-07-19 삼성전자주식회사 비전도성 접착제를 사용하는 플립 칩 본딩 제조 방법
KR102471765B1 (ko) * 2020-11-06 2022-11-28 제일 이엔에스 주식회사 고온·고압용 가스켓 절연 단열재 및 이의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4905104A (en) 1986-07-22 1990-02-27 Hitachi, Ltd. Rotary head type digital signal recording and/or reproducing apparatus for recording and/or reproducing with a variable speed
US5756221A (en) 1996-01-22 1998-05-26 Kansai Paint Co., Ltd. Coating method
US5904791A (en) * 1995-09-25 1999-05-18 Dow Corning Corporation Use of preceramic polymers as electronic adhesives

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4905104A (en) 1986-07-22 1990-02-27 Hitachi, Ltd. Rotary head type digital signal recording and/or reproducing apparatus for recording and/or reproducing with a variable speed
US5904791A (en) * 1995-09-25 1999-05-18 Dow Corning Corporation Use of preceramic polymers as electronic adhesives
US5756221A (en) 1996-01-22 1998-05-26 Kansai Paint Co., Ltd. Coating method

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040056174A (ko) 2004-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6225704B1 (en) Flip-chip type semiconductor device
KR100552877B1 (ko) 플립 칩형 반도체 장치용 봉지재 및 플립 칩형 반도체 장치
EP2258757B1 (en) Dam composition for use with multilayer semiconductor package underfill material, and fabrication of multilayer semiconductor package using the same
US20090184431A1 (en) Liquid epoxy resin composition and flip chip semiconductor device
US6376923B1 (en) Flip-chip type semiconductor device sealing material and flip-chip type semiconductor device
EP2305755B1 (en) Resin composition
US6620512B2 (en) Anhydride polymers for use as curing agents in epoxy resin-based underfill material
JP4905668B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US6323263B1 (en) Semiconductor sealing liquid epoxy resin compositions
KR20100049499A (ko) 반도체용 접착제 조성물 및 그것을 이용하여 제조한 반도체 장치
US6429238B1 (en) Flip-chip type semiconductor device sealing material and flip-chip type semiconductor device
KR101245414B1 (ko) 액상 에폭시 수지 조성물
US7169833B2 (en) Liquid epoxy resin composition and semiconductor device
US20070152311A1 (en) Chip-packaging compositions including bis-maleimides, packages made therewith, and methods of assembling same
US6372839B1 (en) Flip-chip type semiconductor device underfill
US20040014843A1 (en) Liquid epoxy resin composition and semiconductor device
JP3773022B2 (ja) フリップチップ型半導体装置
JP3911088B2 (ja) 半導体装置
KR100938376B1 (ko) 실리콘 중간체를 포함하는 플립 칩 본딩용 비도전성접착제 조성물
JP2001055487A (ja) フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置
KR100594343B1 (ko) 열경화성 접착재료
KR102544119B1 (ko) 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물 및 이를 사용하여 제조된 전자 디바이스
JP2004123796A (ja) フィルム状接着剤及びこれを用いた半導体装置
JP5105099B2 (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物、及びそれをアンダーフィル材として用いて封止したフリップチップ型半導体装置
Hodgin et al. Advanced boron nitride epoxy formulations excel in thermal management applications

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121220

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131216

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141211

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151211

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161220

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171226

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191226

Year of fee payment: 11