KR100934915B1 - Semiconductor manufacturing equipment and method for using ozonated water, and apparatus and method for supplying thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공정 처리를 위하여 오존수를 이용하는 반도체 제조 설비 및 그의 약액 공급 방법, 그리고 그의 약액 특성을 관리하기 위한 약액 공급 장치 및 방법에 관한 것이다. 반도체 제조 설비는 복수 개의 챔버들을 구비한다. 이러한 챔버들은 서로 다른 위치에 배치되므로, 약액을 공급하는 공급 라인의 길이가 서로 다르다. 본 발명의 반도체 제조 설비 및 약액 공급 장치는 오존수 또는 오존수와 약액을 혼합한 오존수 혼합액 등과 같이, 약액의 특성이 쉽게 변화되어 현장에서 실시간으로 공정 조건에 적합하도록 약액의 특성을 조절하여 공급하는 경우, 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도 및 농도를 실시간으로 측정하고, 공정 조건에 적합하지 않으면 공급 라인에 잔존하는 약액을 드레인한다. 따라서 공급 라인에 잔존하는 공정 조건에 부적합한 약액을 공급하지 않게 하여, 공정 성능의 저하를 방지할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility using ozone water for process treatment, a chemical liquid supply method thereof, and a chemical liquid supply apparatus and method for managing the chemical liquid properties thereof. The semiconductor manufacturing facility has a plurality of chambers. Since these chambers are arranged in different positions, the length of the supply line for supplying the chemical liquid is different. The semiconductor manufacturing equipment and the chemical liquid supplying apparatus of the present invention, such as ozone water or ozonated water mixed liquid mixed with ozone water and chemical liquid, such that the characteristics of the chemical liquid are easily changed, so that the characteristics of the chemical liquid are adjusted to be suitable for process conditions in the field in real time, The temperature and concentration of the chemical liquid remaining in the supply line are measured in real time, and if it is not suitable for the process conditions, the chemical liquid remaining in the supply line is drained. Therefore, it is possible to prevent the supply of the chemical liquids unsuitable for the remaining process conditions in the supply line, and to prevent deterioration of the process performance.

반도체 제조 설비, 오존수, 약액 공급 장치, 공급 라인, 온도, 농도 Semiconductor manufacturing equipment, ozone water, chemical liquid supply, supply line, temperature, concentration

Description

오존수를 이용하는 반도체 제조 설비 및 방법, 그리고 그의 약액 공급 장치 및 방법{SEMICONDUCTOR MANUFACTURING EQUIPMENT AND METHOD FOR USING OZONATED WATER, AND APPARATUS AND METHOD FOR SUPPLYING THEREOF}Semiconductor manufacturing equipment and method using ozone water, and apparatus and method for supplying chemical liquid thereof TECHNICAL TECHNICAL APPARATUS AND METHOD FOR SUPPLYING THEREOF TECHNICAL MANUFACTURING EQUIPMENT AND METHOD FOR USING OZONATED WATER, AND APPARATUS AND METHOD FOR SUPPLYING THEREOF

본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 오존수와 같이, 현장에서 공정 조건에 적합하도록 약액의 특성을 실시간으로 조절하여 공급하는 반도체 제조 설비 및 그의 약액 공급 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing facility, and more particularly, to a semiconductor manufacturing facility and a method for supplying a chemical liquid thereof, such as ozone water, which adjusts and supplies a characteristic of a chemical liquid in real time to be suitable for process conditions in the field.

또한, 본 발명은 오존수를 포함하는 약액을 이용하여 공정을 처리하는 반도체 제조 설비의 약액 농도 및 온도를 관리하기 위한 약액 공급 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention also relates to a chemical liquid supply system and method for managing the chemical liquid concentration and temperature of a semiconductor manufacturing facility which processes a process using a chemical liquid containing ozone water.

반도체 제조 공정 중 세정 공정은 웨이퍼 상에 잔류하는 이물질을 제거하는 공정이다. 이러한 세정 공정은 습식 세정 공정은 웨이퍼 표면에 잔류하는 파티클, 유기물 등의 이물질을 제거하기 위하여 다양한 종류의 처리액을 이용하여 웨이퍼를 세정한다. 예컨대, 습식 세정 공정 중 오존수를 이용한 세정 공정은 오존 가스(O3)와 초순수(DIW)를 혼합한 오존수 또는 오존수와 처리액(예를 들어 불산 용액 등)을 혼합한 오존수 혼합액(ozonated water mixture)을 사용하여 웨이퍼 표면에 잔류하 는 감광액 및 유기 오염 물질 등을 제거한다. The cleaning process of the semiconductor manufacturing process is a process of removing foreign matter remaining on the wafer. In the cleaning process, the wet cleaning process cleans the wafer using various kinds of treatment liquids to remove foreign substances such as particles and organic matter remaining on the wafer surface. For example, in the wet cleaning process, the ozone water cleaning process uses ozone water mixed with ozone gas (O3) and ultrapure water (DIW), or ozonated water mixture mixed with ozone water and a treatment liquid (for example, hydrofluoric acid solution). To remove photoresist and organic contaminants remaining on the wafer surface.

이러한 오존수를 이용한 세정 공정을 처리하는 반도체 제조 설비는 오존수 또는 오존수 혼합물의 특성(예를 들어, 농도, 온도 등)이 시간 경과에 따라 쉽게 변화되기 때문에 약액 공급을 위한 특성 관리가 어렵다. 즉, 오존(O3) 가스는 산소(O, O2) 가스로 쉽게 환원되므로, 오존수 및 오존수 혼합액을 공급하는 도중에 시간이 경과되어 약액의 농도가 점차 감소하게 된다. 그러므로 오존수 및 오존수 혼합액의 농도 관리가 용이하지 않다.In the semiconductor manufacturing equipment that processes the cleaning process using the ozone water, it is difficult to manage the characteristics for supplying the chemical liquid because the characteristics (for example, concentration, temperature, etc.) of the ozone water or the ozone water mixture are easily changed over time. That is, since ozone (O3) gas is easily reduced to oxygen (O, O2) gas, the concentration of the chemical liquid gradually decreases over time during the supply of the ozone water and the ozone water mixture. Therefore, it is not easy to control the concentration of ozone water and ozone water mixture.

또한, 오존수 및 오존수 혼합물은 이러한 약액의 특성으로 인하여 현장에서 실시간으로 공정 조건에 적합하도록 온도 및 농도를 조절하여 오존수 및 오존수 혼합물을 생성, 공급한다. 그러나 이러한 오존수 및 오존수 혼합액을 공급하는 약액 공급 장치는 공정을 처리하는 복수 개의 챔버들로 약액을 공급하는 공급 라인의 길이가 서로 다르게 구비되어, 오존수 및 오존수 혼합액의 특성이 공정 조건과 달라지는 문제가 발생된다. 그 결과, 챔버로 공급된 오존수 및 오존수 혼합액의 특성 변화로 인하여, 세정 효율이 저하되는 등의 문제점이 있다.In addition, the ozone water and ozone water mixture is produced and supplied by adjusting the temperature and concentration to match the process conditions in real time in the field due to the characteristics of the chemical liquid. However, the chemical liquid supply device for supplying the ozone water and the ozone water mixture is provided with different lengths of the supply line for supplying the chemical liquid to the plurality of chambers for processing the process, a problem that the characteristics of the ozone water and ozone water mixture is different from the process conditions do. As a result, there is a problem that the cleaning efficiency is lowered due to the change in the characteristics of the ozone water and the ozone water mixture supplied to the chamber.

도 1을 참조하면, 복층 구조의 반도체 제조 설비(10)는 다양한 약액들을 공급받아서 세정 공정을 처리하는 복수 개의 챔버(12 ~ 18)들이 상층 및 하층으로 배치된다. 이러한 반도체 제조 설비(10)는 약액 공급 장치(30)로부터 서로 다른 길이를 갖는 공급 라인들(20)과 챔버(12 ~ 18)들 각각이 연결되고, 이들 공급 라인들(20)을 통해 적어도 하나의 챔버로 약액을 공급한다.Referring to FIG. 1, in a multilayer structure semiconductor manufacturing facility 10, a plurality of chambers 12 to 18 that receive various chemical liquids and process a cleaning process are disposed in an upper layer and a lower layer. The semiconductor manufacturing facility 10 is connected to each of the supply lines 20 and the chambers 12 to 18 having different lengths from the chemical liquid supply device 30, and at least one through these supply lines 20. Supply chemical to the chamber.

예를 들어, 공급 라인(20)은 상층 및 하층으로 분기되어 약액을 상층 또는 하층으로 공급하는 2 개의 제 1 분배 라인(22 : 22a, 22b)들과, 제 1 분배 라인(22)으로부터 상층 또는 하층에 각각 배치되는 복수 개의 챔버들로 약액을 공급하는 적어도 2 개의 제 2 분배 라인(24, 26)들로 구비된다. 그러므로 이러한 반도체 제조 설비는 약액 공급 라인으로부터 각 챔버들로 공급되는 공급 라인의 길이가 서로 다르게 구비된다.For example, the supply line 20 is divided into two upper and lower layers and supplies two first distribution lines 22: 22a and 22b for supplying the chemical liquid to the upper or lower layer, and the upper or lower layer from the first distribution line 22. It is provided with at least two second distribution lines 24 and 26 for supplying a chemical liquid to a plurality of chambers disposed in the lower layer, respectively. Therefore, the semiconductor manufacturing equipment is provided with different lengths of supply lines supplied from the chemical supply lines to the respective chambers.

그러므로, 약액의 온도 및 농도에 따라 공정 성능에 좌우되는 약액의 경우, 예를 들어, 오존수 또는 오존수와 처리액이 혼합된 오존수 혼합액 등과 같이, 시간 경과, 이동 거리 등에 따라 약액 특성(예를 들어, 온도, 농도 등)의 변화가 심한 경우, 약액 공급이 시작되기 전에 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도, 농도 등이 공정 조건에 적합하지 않으므로, 잔존하는 약액이 챔버로 공급되어 공정을 처리하게 되면, 공정 성능이 저하되는 원인이 된다.Therefore, in the case of a chemical liquid which depends on the process performance depending on the temperature and concentration of the chemical liquid, for example, the chemical liquid properties (e.g., ozone water or ozone water mixed solution in which the ozone water and the treatment liquid are mixed), etc. If the temperature, concentration, etc. are severely changed, the temperature, concentration, etc. of the chemical liquid remaining in the supply line before the chemical liquid supply starts are not suitable for the process conditions, so that the remaining chemical liquid is supplied to the chamber to process the process. This can cause a decrease in process performance.

본 발명의 다른 목적은 오존수 또는 오존수와 처리액을 혼합한 오존수 혼합액을 이용하여 공정을 처리하는 반도체 제조 설비 및 그의 약액 공급 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing facility for treating a process using an ozone water or an ozone water mixed liquid mixed with ozone water and a treatment liquid, and a method of supplying a chemical liquid thereof.

본 발명의 다른 목적은 현장에서 공정 조건에 적합하도록 약액의 특성을 실시간으로 조절하여 공급하는 약액 공급 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a chemical liquid supply device and a method for supplying the chemical liquid by adjusting the characteristics of the chemical liquid in real time to suit the process conditions.

본 발명의 또 다른 목적은 온도 및 농도에 따른 약액의 특성이 공정 성능에 영향을 끼치는 약액을 안정적으로 공급하기 위하여, 실시간으로 약액의 농도 및 온도를 관리하는 약액 공급 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a chemical liquid supplying apparatus and a method for managing the chemical liquid concentration and temperature in real time in order to stably supply the chemical liquid whose characteristics affect the process performance according to temperature and concentration. .

상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 반도체 제조 설비는 오존수 또는 오존수와 처리액을 혼합한 오존수 혼합액을 이용하여 공정을 처리하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 반도체 제조 설비는 실시간으로 오존수를 포함하는 약액의 농도 및 온도를 조절하여 챔버로 공급 가능하다.In order to achieve the above objects, the semiconductor manufacturing equipment of the present invention is characterized by treating the process using ozone water or an ozone water mixture of ozone water and treatment liquid. As such, the semiconductor manufacturing facility can supply the chamber by adjusting the concentration and temperature of the chemical liquid including ozone water in real time.

본 발명의 오존수를 이용하는 반도체 제조 설비는, 서로 다른 위치에 배치되는 복수 개의 챔버와; 상기 챔버들로 오존수 또는 오존수와 약액을 혼합한 오존수 혼합액을 공급하는 약액 공급원과; 상기 챔버들과 상기 약액 공급원 사이에 구비되고, 서로 다른 길이를 갖는 복수 개의 공급 라인과; 상기 공급 라인의 온도를 측정하는 온도계와; 상기 공급 라인의 농도를 측정하는 농도계 및; 상기 공급 라인에 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액을 드레인하도록 제어하는 컨트롤러를 포함한다.A semiconductor manufacturing apparatus using ozone water of the present invention includes a plurality of chambers disposed at different positions; A chemical liquid supply source for supplying ozone water or an ozonated water mixture of ozone water and a chemical liquid to the chambers; A plurality of supply lines provided between the chambers and the chemical supply source and having different lengths; A thermometer measuring a temperature of the supply line; A densitometer for measuring the concentration of said supply line; And a controller for controlling to drain the remaining ozone water or ozone water mixture if the temperature and concentration of the ozone water or ozone water mixture remaining in the supply line are not suitable for the process conditions.

한 실시예에 있어서, 상기 공급 라인은; 상기 챔버로 오존수 또는 오존수 혼합액을 공급하는 노즐과 연결되고, 상기 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 노즐을 통해 드레인한다.In one embodiment, the supply line; It is connected to a nozzle for supplying ozone water or ozone water mixture to the chamber, and if the temperature and concentration of the remaining ozone water or ozone water mixture are not suitable for the process conditions, it is drained through the nozzle.

다른 실시예에 있어서, 상기 노즐은 이동 가능한 것으로 구비되며, 상기 컨트롤러는 상기 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 노즐을 오존수 또는 오존수 혼합액을 저장하는 드레인 컵으로 이동시켜서 드레인하도록 제어한다.In another embodiment, the nozzle is provided as movable, and the controller is a drain cup for storing the ozone water or ozone water mixture if the temperature and concentration of the remaining ozone water or ozone water mixture is not suitable for the process conditions Control to move and drain.

또 다른 실시예에 있어서, 상기 공급 라인은 상기 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액을 드레인하는 분기 라인이 구비되되; 상기 컨트롤러는 상기 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 분기 라인을 통해 드레인하도록 제어한다.In another embodiment, the supply line is provided with a branch line for draining the remaining ozone water or ozone water mixture; The controller controls to drain through the branch line if the temperature and concentration of the remaining ozone water or ozone water mixture are not suitable for the process conditions.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 오존수를 이용하는 반도체 제조 설비의 오존수 또는 오존수와 약액을 혼합한 오존수 혼합액을 챔버로 공급하는 방법이 제공된다. 이 방법에 의하면, 상기 챔버로 공급하기 전에 공급 라인에 잔존하는 상기 오존수 또는 상기 오존수 혼합액을 외부로 드레인시킨다.According to another feature of the present invention, there is provided a method of supplying an ozone water or an ozone water mixture of a ozone water and a chemical liquid in a semiconductor manufacturing facility using ozone water to a chamber. According to this method, the ozone water or the ozone water mixed liquid remaining in the supply line is drained to the outside before supplying to the chamber.

한 실시예에 있어서, 상기 드레인시키는 것은; 상기 공급 라인에 잔존하는 상기 오존수 또는 상기 오존수 혼합액의 온도 및 농도를 측정하고, 측정된 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면 드레인한다.In one embodiment, the draining; The temperature and concentration of the ozone water or the ozone water mixture remaining in the supply line are measured and drained if the measured temperature and concentration are not suitable for the process conditions.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 복수 개의 챔버들로 약액을 공급하는 적어도 하나의 노즐을 구비하는 반도체 제조 설비의 약액 공급 장치가 제공된다. 이와 같은 본 발명의 약액 공급 장치는, 적어도 하나의 약액 공급원과; 상기 노즐와 상기 약액 공급원 사이에 구비되어 상기 챔버로 약액을 공급하는 적어도 하나의 공급 라인과; 상기 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도를 측정하는 온도계와; 상기 공급 라인에 잔존하는 약액의 농도를 측정하는 농도계 및; 상기 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 노즐을 통해 드레인하도록 제어하는 컨트롤러를 포함한다.According to another feature of the invention, there is provided a chemical liquid supply apparatus of a semiconductor manufacturing facility having at least one nozzle for supplying the chemical liquid to a plurality of chambers. Such a chemical liquid supply device of the present invention, at least one chemical liquid supply source; At least one supply line provided between the nozzle and the chemical liquid supply source to supply the chemical liquid to the chamber; A thermometer for measuring the temperature of the chemical liquid remaining in the supply line; A densitometer for measuring the concentration of the chemical liquid remaining in the supply line; If the temperature and concentration of the chemical liquid remaining in the supply line is not suitable for the process conditions, it comprises a controller for controlling to drain through the nozzle.

한 실시예에 있어서, 상기 약액 공급 장치는 약액을 저장하는 드레인 컵을 더 포함하되; 상기 컨트롤러는 상기 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 노즐을 상기 드레인 컵으로 이동시켜서 드레인하도록 제어한다.In one embodiment, the chemical liquid supply device further comprises a drain cup for storing the chemical liquid; The controller controls to drain the nozzle by moving the nozzle to the drain cup if the temperature and concentration of the chemical liquid remaining in the supply line are not suitable for the process conditions.

다른 실시예에 있어서, 상기 컨트롤러는 상기 공급 라인들에 대응하여 내부에 설정 시간을 저장하고, 상기 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 설정 시간 동안에 드레인하도록 제어한다.In another embodiment, the controller stores the set time therein corresponding to the supply lines, and controls to drain during the set time if the temperature and concentration of the chemical liquid remaining in the supply line are not suitable for the process conditions. do.

본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 적어도 하나의 약액을 공급하는 약액 공급원과, 복수 개의 챔버들로 약액을 공급하는 적어도 하나의 노즐 및, 상기 약액 공급원과 상기 노즐을 연결하여 약액을 상기 챔버로 공급하는 적어도 하나의 공급 라인을 구비하는 반도체 제조 설비로 약액을 공급하는 약액 공급 장치의 약액 공급 방법이 제공된다. 이 방법에 따르면, 상기 챔버로 공급하기 전에 상기 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도 및 농도를 측정하고; 이어서 측정된 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 공급 라인에 잔존하는 약액을 외부로 드레인시킨다.According to another feature of the invention, the chemical liquid supply source for supplying at least one chemical liquid, at least one nozzle for supplying the chemical liquid to the plurality of chambers, and the chemical liquid supply source and the nozzle connected to supply the chemical liquid to the chamber A chemical liquid supply method of a chemical liquid supply device for supplying a chemical liquid to a semiconductor manufacturing facility having at least one supply line is provided. According to this method, measuring the temperature and concentration of the chemical liquid remaining in the supply line before feeding to the chamber; Then, if the measured temperature and concentration are not suitable for the process conditions, the chemical liquid remaining in the supply line is drained to the outside.

한 실시예에 있어서, 상기 드레인 시키는 것은; 상기 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도 및 농도가 상기 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 노즐을 약액을 저장하는 드레인 컵으로 이동시키고; 상기 상기 공급 라인에 잔존하는 약액을 상기 드레인 컵으로 배출한다.In one embodiment, the draining; If the temperature and concentration of the chemical liquid remaining in the supply line are not suitable for the process conditions, move the nozzle to a drain cup for storing the chemical liquid; The chemical liquid remaining in the supply line is discharged into the drain cup.

다른 실시예에 있어서, 상기 배출하는 것은; 상기 공급 라인에 대응하여 설정된 시간 동안 상기 공급 라인에 잔존하는 약액을 상기 드레인 컵으로 배출한다.In another embodiment, the discharge; The chemical liquid remaining in the supply line is discharged into the drain cup for a predetermined time corresponding to the supply line.

상술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 제조 설비는 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도 및 농도를 측정하여 공정 조건에 부적합하면 배출시킨다.As described above, the semiconductor manufacturing equipment of the present invention measures the temperature and concentration of the chemical liquid remaining in the supply line and discharges it if it does not meet the process conditions.

따라서 본 발명의 반도체 제조 설비는 실시간으로 약액의 온도 및 농도를 조절, 관리하여 공급 라인에 잔존하는 약액의 특성이 공정 조건에 부적합 경우에 배출시켜서 안정적인 약액의 특성을 유지하여 공급한다.Therefore, the semiconductor manufacturing equipment of the present invention adjusts and manages the temperature and concentration of the chemical liquid in real time, thereby discharging when the characteristics of the chemical liquid remaining in the supply line are not suitable for the process conditions, thereby maintaining and supplying the stable chemical characteristics.

그 결과, 오존수 또는 오존수와 약액을 혼합한 오존수 혼합액 등과 같이, 약액의 특성이 쉽게 변화되어 현장에서 실시간으로 공정 조건에 적합하도록 약액의 특성을 조절하여 공급하는 경우, 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도 및 농도를 실시간으로 측정하고, 공정 조건에 적합하지 않으면 공급 라인에 잔존하는 약액을 드레인함으로써, 공급 라인에 잔존하는 공정 조건에 부적합한 약액을 공급하지 않게 하여, 공정 성능의 저하를 방지할 수 있다.As a result, the temperature of the chemical liquid remaining in the supply line when the characteristic of the chemical liquid is changed to be suitable for process conditions in real time in the field, such as ozone water or ozone water mixture liquid mixed with ozone water and the chemical liquid, is adjusted. And by measuring the concentration in real time and draining the chemical liquid remaining in the supply line if it is not suitable for the process conditions, it is possible to prevent supply of the chemical liquid unsuitable for the process conditions remaining in the supply line, thereby preventing the deterioration of the process performance.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the components in the drawings, etc. have been exaggerated to emphasize a more clear description.

이하 첨부된 도 2 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 2 to 8.

도 2는 본 발명에 따른 실시간 약액 특성을 조절하여 공급하기 위한 반도체 제조 설비의 구성을 나타내는 도면이다.2 is a view showing the configuration of a semiconductor manufacturing facility for controlling and supplying real-time chemical liquid properties according to the present invention.

도 2를 참조하면, 반도체 제조 설비(100)는 적어도 하나의 약액 공급원(102)과, 약액 공급원(102)으로부터 적어도 하나의 챔버(미도시됨)로 약액을 공급하는 노즐(106) 및, 약액 공급원(102)과 노즐(106) 사이에 구비되어 약액을 공급하는 적어도 하나의 공급 라인(104)을 포함한다. 또 반도체 제조 설비(100)는 공급 라인(104) 또는 공급 라인(104)에서 분기된 분기 라인에 설치되어 노즐(106)로 공급되는 약액의 온도 및 농도를 실시간으로 측정하는 온도계(108) 및 농도계(110), 그리고 온도계(108)와 농도계(110)에 연결되어 공정 조건에 적합한 약액을 공급하도록 제어하는 컨트롤러(112)를 포함한다.2, the semiconductor manufacturing facility 100 includes at least one chemical liquid source 102, a nozzle 106 for supplying chemical liquids from the chemical liquid source 102 to at least one chamber (not shown), and a chemical liquid. And at least one supply line 104 provided between the supply source 102 and the nozzle 106 to supply the chemical liquid. In addition, the semiconductor manufacturing equipment 100 is installed in the supply line 104 or the branch line branched from the supply line 104, the thermometer 108 and the concentration meter for measuring in real time the temperature and concentration of the chemical liquid supplied to the nozzle 106 110, and a controller 112 connected to the thermometer 108 and the densitometer 110 to control the supply of the chemical liquid suitable for the process conditions.

약액 공급원(102)은 예를 들어, 오존수 또는 오존수와 불산 용액 등과 같은 약액을 혼합한 오존수 혼합액 등과 같이, 약액의 특성(온도, 농도 등)에 따라 공정 성능에 영향이 크게 미치는 약액을 공급한다.The chemical liquid supply source 102 supplies a chemical liquid that greatly affects the process performance according to the characteristics (temperature, concentration, etc.) of the chemical liquid, for example, ozone water or ozone water mixed liquid mixed with a chemical liquid such as ozone water and hydrofluoric acid solution.

공급 라인(104)은 약액 공급원(102)과 노즐(106)과의 길이가 서로 다르게 구비되어, 적어도 하나의 챔버로 약액을 공급하는 시간 및 이동 거리가 다르다.The supply line 104 is provided with different lengths of the chemical liquid supply source 102 and the nozzle 106, so that the time and the moving distance for supplying the chemical liquid to the at least one chamber are different.

그리고 컨트롤러(112)는 각 공급 라인(104)에 대응하여 내부에 설정 시간을 저장하고, 온도계(108) 및 농도계(110)로부터 측정된 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 설정 시간에 대응하여 각 공급 라인(104)에 잔존하는 약액들을 배출(drain)시키도록 제어한다. 예를 들어, 설정 시간은 각각의 공급 라인(104)에 잔존하는 약액의 용량, 공급 라인의 길이, 직경 등에 의한 경험치 또는 계산값을 통하여 구할 수 있다. 따라서 컨트롤러(112)는 노즐(106) 앞단에 구비되는 밸브(118)의 개방시켜서 노즐(106)을 통해 공급 라인(104)에 잔존하는 약액을 배출하거나, 또는 공급 라인(104)에 분기되는 별도의 배출 라인(114)을 구비하고, 이를 통해 공급 라인(104)에 잔존하는 약액을 배출하도록 배출 라인(114)의 밸브(116)를 개방시킨다.The controller 112 stores the set time therein corresponding to each supply line 104, and if the temperature and concentration measured from the thermometer 108 and the densitometer 110 do not correspond to the process conditions, the controller 112 corresponds to the set time. Control to drain the remaining chemical liquids in each supply line (104). For example, the set time can be obtained through an empirical value or a calculated value based on the capacity of the chemical liquid remaining in each supply line 104, the length of the supply line, the diameter, and the like. Therefore, the controller 112 discharges the chemical liquid remaining in the supply line 104 through the nozzle 106 by opening the valve 118 provided at the front end of the nozzle 106, or separates the branch from the supply line 104. And a discharge line 114 of which opens the valve 116 of the discharge line 114 to discharge the remaining chemical liquid in the supply line 104.

따라서 본 발명의 반도체 제조 설비(100)는 실시간으로 약액의 온도 및 농도를 조절, 관리하여 공급 라인(104)에 잔존하는 약액의 특성이 공정 조건에 부적합 경우에 배출시켜서 안정적인 약액의 특성을 유지하여 공급한다.Therefore, the semiconductor manufacturing equipment 100 of the present invention adjusts and manages the temperature and concentration of the chemical liquid in real time to discharge the characteristic of the chemical liquid remaining in the supply line 104 when the process conditions are not suitable to maintain the characteristics of the stable chemical liquid. Supply.

도 3은 본 발명에 따른 약액 공급 장치의 약액 온도 및 농도를 관리하기 위한 동작 수순을 나타내는 흐름도이다.3 is a flowchart showing an operation procedure for managing the chemical liquid temperature and concentration of the chemical liquid supply apparatus according to the present invention.

도 3을 참조하면, 단계 S150에서 공정 레시피에 대응하여 공정 조건에 적합 한 약액이 준비되어 공급을 시작하면, 단계 S152에서 온도계(108) 및 농도계(110)를 통해 공급 라인(104)에 잔존하는 약액의 온도 및 농도를 실시간으로 측정한다.Referring to FIG. 3, when the chemical liquid suitable for the process conditions is prepared in response to the process recipe in step S150 and the supply of the chemical liquid is started, remaining in the supply line 104 through the thermometer 108 and the densitometer 110 in step S152. Measure the temperature and concentration of the chemical solution in real time.

단계 S154에서 측정된 온도 및 농도가 공정 조건에 적합한지를 판별한다. 판별 결과, 공정 조건에 적합한 온도와 농도를 갖는 약액이면 단계 S160으로 진행하여 노즐(106)을 통해 챔버로 약액을 토출하여 공급한다. 그러나 판별 결과, 공정 조건에 적합한 온도 및 농도를 갖는 약액이 아니면, 단계 S156으로 진행하여 공급 라인(104)에 잔존하는 약액을 배출(drain)한다.It is determined whether the temperature and concentration measured in step S154 are suitable for the process conditions. As a result of the determination, if the chemical liquid has a temperature and concentration suitable for the process conditions, the process proceeds to step S160 and the chemical liquid is discharged and supplied to the chamber through the nozzle 106. However, if the determination result is not a chemical liquid having a temperature and concentration suitable for the process conditions, the flow advances to step S156 to drain the chemical liquid remaining in the supply line 104.

이어서 단계 S158에서 현재의 공급 라인(104)에 잔존하는 약액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합한지를 판별하여, 공정 조건에 적합할 때까지 약액을 배출하고, 공정 조건에 적합하면, 단계 S160으로 진행하여 노즐(106)을 통해 챔버로 약액을 토출하여 공정을 처리한다.Subsequently, in step S158, it is determined whether the temperature and concentration of the chemical liquid remaining in the current supply line 104 are suitable for the process conditions, and the chemical liquid is discharged until the process conditions are satisfied. If the process conditions are appropriate, the process proceeds to step S160. To discharge the chemical liquid into the chamber through the nozzle 106 to process the process.

계속해서 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.Subsequently, embodiments of the present invention will be described in detail.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 다양한 약액들을 공급하기 위한 약액 공급 장치의 구성을 나타내는 도면이다.4 is a view showing the configuration of a chemical liquid supply device for supplying various chemical liquids according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 이 실시예의 반도체 제조 설비(100a)는 적어도 하나의 챔버(120)와, 서로 다른 약액들을 공급하는 복수 개의 약액 공급원(102 : 102a ~ 102c)들을 구비하는 약액 공급 장치(140)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the semiconductor manufacturing facility 100a of this embodiment includes a chemical liquid supply device 140 having at least one chamber 120 and a plurality of chemical liquid sources 102 (102a to 102c) supplying different chemical liquids. ).

챔버(120)는 내부에 공정을 처리하는 공간이 형성되고, 하단부에 웨이퍼 기판(W)이 안착되는 척(122)이 구비되어 웨이퍼 기판(W)으로 적어도 하나의 약액을 공급받아서 공정을 처리한다.The chamber 120 has a space for processing a process therein, and has a chuck 122 in which a wafer substrate W is seated at a lower end thereof, and receives at least one chemical liquid from the wafer substrate W to process the process. .

약액 공급 장치(140)는 제 1 내지 제 3 약액을 각각 공급하는 제 1 내지 제 3 약액 공급원(102a ~ 102c)들과, 챔버(120)로 약액을 공급하기 위하여 회전 및 상하, 좌우 직선 이동 가능한 제 1 내지 제 3 노즐(106a ~ 106c)들과, 제 1 내지 제 3 약액 공급원(102a ~ 102c)들과 제 1 내지 제 3 노즐(106a ~ 106c)들 사이를 각각 연결하여 각각의 약액들을 공급하는 제 1 내지 제 3 공급 라인(104a ~ 104c)들을 포함한다.The chemical liquid supply device 140 is rotatable, vertically and horizontally movable to supply chemical liquids to the first to third chemical liquid sources 102a to 102c and the chamber 120 to supply the first to third chemical liquids, respectively. Supply the respective chemical liquids by connecting between the first to third nozzles 106a to 106c, the first to third chemical liquid sources 102a to 102c and the first to third nozzles 106a to 106c, respectively. First to third supply lines 104a to 104c.

제 1 내지 제 3 약액 공급원(102a ~ 102c)들 중 적어도 어느 하나는 현장에서 공정 조건에 적합하도록 약액의 특성을 실시간으로 조절하여 공급하는 약액 예를 들어, 오존수 또는 오존수 혼합액을 공급한다.At least one of the first to third chemical liquid sources 102a to 102c supplies a chemical liquid, for example, ozone water or ozone water mixed liquid, in which the characteristics of the chemical liquid are adjusted in real time so as to be suitable for the process conditions in the field.

공급 라인(104a ~ 104c)들은 하나의 온도계(108) 및 농도계(110)가 설치되고, 온도계(108) 및 농도계(110)를 통하여 각각의 공급 라인(104a ~ 104c)에 잔존하는 약액의 온도 및 농도를 실시간으로 측정한다. 또 공급 라인(104)은 각각의 노즐(106)들과 연결되는 부위에 밸브(118a ~ 118c)들이 구비되고, 이를 통해 노즐(106)로 공급되는 약액을 공급, 차단한다.Supply lines 104a to 104c are provided with one thermometer 108 and densitometer 110, and the temperature of the chemical liquid remaining in each supply line 104a to 104c through thermometer 108 and densitometer 110 and The concentration is measured in real time. In addition, the supply line 104 is provided with valves 118a to 118c at portions connected to the nozzles 106, and supplies and blocks the chemical liquid supplied to the nozzles 106 through the supply lines 104.

노즐(106)들은 노즐 구동부(128)에 의해 도 5에 도시된 바와 같이, 공정 조건에 부적합한 약액을 저장하여 배출하는 드레인 컵(124)과, 챔버(120) 상부 사이를 회전 및 직선 이동 가능하도록 구비된다.As illustrated in FIG. 5, the nozzles 106 are rotatable and linearly moved between the drain cup 124 for storing and discharging the chemical liquid unsuitable to the process conditions and the upper portion of the chamber 120 by the nozzle driver 128. It is provided.

그리고 컨트롤러(112)는 세정 공정을 처리하기 위한 복수 개의 레시피와, 각 공급 라인(104)에 대응하여 내부에 설정 시간을 저장하고, 온도계(108) 및 농도계(110)로부터 측정된 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 설정 시 간에 대응하여 각 공급 라인(104)에 잔존하는 약액들을 배출(drain)시키도록 제어한다.The controller 112 stores a plurality of recipes for processing the cleaning process and a set time therein corresponding to each supply line 104, and the temperature and concentration measured from the thermometer 108 and the densitometer 110 are adjusted. If it is not suitable for the process conditions, it is controlled to drain the chemical liquids remaining in each supply line 104 corresponding to the set time.

이를 위해 컨트롤러(112)는 온도계(108) 및 농도계(110)로부터 측정된 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 노즐(106)을 드레인 컵(124)으로 이동되도록 노즐 구동부(128)를 제어하고, 이어서 노즐(106) 앞단에 구비되는 밸브(118)의 설정 시간 동안에 개방시켜서 노즐(106)을 통해 드레인 컵(124)으로 공급 라인(104)에 잔존하는 약액을 배출시킨다. 따라서 드레인 컵(124)에 연결된 드레인 라인(126)을 통해 배출된 약액을 드레인시킨다. 또 컨트롤러(112)는 온도계(108) 및 농도계(110)로부터 측정된 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하면, 노즐 구동부(128)를 제어하여 노즐(106')을 챔버(120) 상부로 이동시키고, 밸브(118)를 개방시켜서 웨이퍼 기판(W)으로 약액을 토출하도록 제어한다.To this end, the controller 112 controls the nozzle drive 128 to move the nozzle 106 to the drain cup 124 if the temperature and concentration measured from the thermometer 108 and densitometer 110 are not suitable for the process conditions. Subsequently, the chemical liquid remaining in the supply line 104 is discharged through the nozzle 106 to the drain cup 124 through the nozzle 106 during the set time of the valve 118 provided in front of the nozzle 106. Therefore, the chemical liquid discharged through the drain line 126 connected to the drain cup 124 is drained. In addition, the controller 112 controls the nozzle driver 128 to move the nozzle 106 'above the chamber 120 when the temperature and concentration measured from the thermometer 108 and the densitometer 110 are suitable for the process conditions. The valve 118 is opened to control the chemical liquid to be discharged to the wafer substrate W. FIG.

그리고 도 6은 도 4에 도시된 약액 공급 장치의 약액의 온도 및 농도를 관리하기 위한 동작 수순을 나타내는 흐름도이다.6 is a flowchart showing an operation procedure for managing the temperature and concentration of the chemical liquid of the chemical liquid supply device shown in FIG.

도 6을 참조하면, 단계 S170에서 공정 레시피에 대응하여 약액이 공급되면, 단계 S172에서 온도계(108) 및 농도계(110)를 통해 공급 라인(104)에 잔존하는 약액의 온도 및 농도를 실시간으로 측정한다.Referring to FIG. 6, when the chemical liquid is supplied in response to the process recipe in step S170, the temperature and the concentration of the chemical liquid remaining in the supply line 104 are measured in real time through the thermometer 108 and the densitometer 110 in step S172. do.

단계 S174에서 측정된 온도 및 농도가 공정 조건에 적합한지를 판별한다. 판별 결과, 공정 조건에 적합한 온도와 농도를 갖는 약액이면 단계 S176으로 진행하여 노즐(106)을 챔버(120) 상부로 이동시키고, 단계 S178에서 노즐(106)을 통해 챔버(120)로 약액을 토출하여 공급한다.It is determined whether the temperature and concentration measured in step S174 are suitable for the process conditions. As a result of the determination, if the chemical liquid has a temperature and concentration suitable for the process conditions, the process proceeds to step S176 to move the nozzle 106 above the chamber 120, and in step S178, the chemical liquid is discharged to the chamber 120 through the nozzle 106. Supply by

그러나 판별 결과, 공정 조건에 적합한 온도 및/또는 농도를 갖는 약액이 아니면, 단계 S180으로 진행하여 도 5에 도시된 바와 같이, 노즐(106)을 드레인 컵(124)으로 이동시키고, 단계 S182에서 설정 시간 만큼 밸브(118)를 개방시켜서 공급 라인(104)에 잔존하는 약액을 배출(drain)한다. 이어서 현재의 공급 라인(104)에 잔존하는 약액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합할 때까지 단계 S172로 진행하여 약액이 배출되도록 반복 처리한다.However, if the determination result is not a chemical liquid having a temperature and / or concentration suitable for the process conditions, proceed to step S180, as shown in Figure 5, to move the nozzle 106 to the drain cup 124, set in step S182 The valve 118 is opened for a time to drain the chemical liquid remaining in the supply line 104. Subsequently, the process proceeds to step S172 until the temperature and concentration of the chemical liquid remaining in the current supply line 104 are suitable for the process conditions, and the chemical liquid is repeatedly processed to discharge the chemical liquid.

그리고 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 오존수 또는 오존수 혼합액을 공급하기 위한 약액 공급 장치의 구성을 도시한 도면이다.7 is a view showing the configuration of a chemical liquid supply apparatus for supplying ozone water or ozone water mixed solution according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 이 실시예의 반도체 제조 설비(200)는 오존수 혼합액을 공급받아서 세정 공정을 처리하는 처리 유닛(240)과, 처리 유닛(240)으로 오존수 혼합액을 공급하는 오존수 혼합액 공급 장치(250)을 포함한다.Referring to FIG. 7, the semiconductor manufacturing equipment 200 according to the present embodiment includes a processing unit 240 for receiving an ozone water mixture and processing a cleaning process, and an ozone water mixture supply device 250 for supplying the ozone water mixture to the processing unit 240. ).

처리 유닛(240)는 서로 다른 위치에 배치되는 복수 개의 챔버(210 ~ 216)들을 포함한다. 이러한 챔버(210 ~ 216)들은 도 5에 도시된 바와 같이, 척, 노즐 등을 포함하여 세정 공정을 처리한다. 그리고 오존수 혼합액 공급 장치(250)는 오존수 및 불산 용액을 실시간으로 혼합하여 처리 유닛(240)의 각 챔버(210 ~ 216)로 오존수 혼합액을 공급한다.The processing unit 240 includes a plurality of chambers 210 to 216 disposed at different positions. These chambers 210 to 216 include a chuck, a nozzle, and the like, as shown in FIG. 5, to process the cleaning process. In addition, the ozone water mixed solution supply device 250 mixes the ozone water and the hydrofluoric acid solution in real time to supply the ozone water mixed solution to each chamber 210 to 216 of the processing unit 240.

챔버(210 ~ 216)들은 각각 오존수와 불산 용액이 혼합된 오존수 혼합액을 이용하여 매엽 방식으로 기판을 세정 처리한다. 오존수 혼합액은 오존수(Ozonated Water)와 처리액의 혼합액이다. 오존수는 오존 가스를 탈이온수에 용해시킨 용액이다. 처리액은 다양한 종류의 산성 용액이나 알칼리성 용액이며, 본 실시예에서는 처리액으로 불산(HF) 용액을 사용하는 경우를 예로 들어 설명한다. 오존수 혼합액의 오존 성분은 기판 상의 유기 오염 물질과 금속 오염 물질을 제거할 수 있고, 오존수 혼합액의 불산 성분은 기판상의 자연 산화 막을 제거할 수 있다.The chambers 210 to 216 clean the substrate by a single sheet method using an ozone water mixture solution in which ozone water and hydrofluoric acid solution are mixed. The ozone water mixed liquid is a mixed liquid of ozone water and treated liquid. Ozone water is a solution in which ozone gas is dissolved in deionized water. The treatment liquid is an acid solution or an alkaline solution of various kinds, and in this embodiment, a case in which a hydrofluoric acid (HF) solution is used as the treatment liquid will be described as an example. The ozone component of the ozone water mixture can remove organic contaminants and metal contaminants on the substrate, and the hydrofluoric acid component of the ozone water mixture can remove the natural oxide film on the substrate.

오존수 혼합액 공급 장치(250)는 오존수 공급원(202)과, 불산 용액 공급원(204)과, 인라인 혼합부(206) 및, 매니폴더(208)를 포함한다. 또 오존수 혼합액 공급 장치(250)는 매니 폴더(208)와 챔버(210 ~ 216)들 사이를 각각 연결하여 오존수 혼합액을 공급하는 복수 개의 공급 라인(220 ~ 226)들을 포함한다.The ozone water mixed solution supply device 250 includes an ozone water supply source 202, a hydrofluoric acid solution supply source 204, an inline mixing unit 206, and a manifold 208. In addition, the ozone water mixed solution supply device 250 includes a plurality of supply lines 220 to 226 that connect the manifold 208 and the chambers 210 to 216 to supply the ozone water mixed solution, respectively.

인라인 혼합부(206)는 예를 들어, 혼합 밸브, 스태틱 믹서(static mixer) 등을 구비하여 실시간으로 오존수와 불산 용액을 혼합하여 매니폴더(208)로 공급한다. 예를 들어, 인라인 혼합부(206)는 실시간으로 공정 조건에 적합한 오존수 혼합액을 생성하기 위하여, 오존수 및 불산 용액의 공급이 정체될 수 있는 구성 예컨대, 오존수 및 불산 용액을 공급받아 이를 혼합하여 저장하는 믹싱 탱크 등이 구비되지 않는다.The in-line mixing unit 206 includes, for example, a mixing valve, a static mixer, and the like, and mixes the ozone water and the hydrofluoric acid solution in real time to supply the manifold 208. For example, the in-line mixing unit 206 is configured to receive and store a configuration in which the supply of ozone water and hydrofluoric acid solution may be stagnant, for example, to generate an ozone water mixture suitable for process conditions in real time. No mixing tank or the like is provided.

매니폴더(208)는 인라인 혼합부(206)로부터 실시간으로 혼합된 오존수 혼합액을 받아서 복수 개의 챔버(210 ~ 216)들로 분배하여 오존수 혼합액을 공급한다.The manifold 208 receives the mixed ozone water mixture from the in-line mixing unit 206 in real time and distributes the same to the plurality of chambers 210 to 216 to supply the ozone water mixture.

공급 라인(220 ~ 226)들은 각각 하나의 온도계(230)와 농도계(232)가 설치되고, 각각은 드레인 라인(228)들이 분기된다. 또 공급 라인(220 ~ 226)들은 각각의 챔버(210 ~ 216)들과 서로 다른 거리를 갖는다. 그리고 온도계(230)와 농도계(232)는 공정 조건에 적합한 오존수 혼합액을 공급하기 위하여, 오존수 혼합액의 온도 및 농도를 관리하는 컨트롤러(234)와 연결된다.The supply lines 220 to 226 are each provided with one thermometer 230 and a densitometer 232, and each of the drain lines 228 is branched. In addition, the supply lines 220 to 226 have different distances from the respective chambers 210 to 216. The thermometer 230 and the densitometer 232 are connected to a controller 234 that manages the temperature and concentration of the ozone water mixture in order to supply the ozone water mixture suitable for the process conditions.

따라서 컨트롤러(234)는 내부에 각각의 공급 라인(220 ~ 226)에 대응하여 설정 시간을 저장하고, 공급 라인(220 ~ 226)에 잔존하는 오존수 혼합액의 온도 및 농도를 실시간으로 온도계(230) 및 농도계(232)로부터 측정된 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 설정 시간에 대응하여 각 공급 라인(220 ~ 226)에 잔존하는 약액들을 드레인 라인(228)을 통해 배출(drain)시키도록 제어한다.Therefore, the controller 234 stores the set time corresponding to each of the supply lines 220 to 226 therein, and displays the temperature and concentration of the ozone water mixture remaining in the supply lines 220 to 226 in real time in the thermometer 230 and If the temperature and concentration measured from the densitometer 232 are not suitable for the process conditions, control is performed to drain the chemical liquid remaining in each supply line 220 to 226 through the drain line 228 in response to the set time. do.

이상에서, 본 발명에 따른 오존수를 이용하는 반도체 제조 설비 및 그의 약액 공급 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, the configuration and operation of the semiconductor manufacturing equipment using the ozone water according to the present invention and its chemical liquid supply apparatus are illustrated according to the detailed description and drawings, which are merely described by way of example, and do not depart from the spirit of the present invention. Various changes and modifications are possible within the scope.

도 1은 일반적인 복수 개의 챔버들을 구비하는 반도체 제조 설비의 개략적인 구성을 도시한 도면;1 illustrates a schematic configuration of a semiconductor manufacturing facility having a plurality of common chambers;

도 2는 본 발명에 따른 실시간 약액 특성을 조절하여 공급하기 위한 반도체 제조 설비의 구성을 나타내는 도면;2 is a view showing the configuration of a semiconductor manufacturing facility for controlling and supplying real-time chemical liquid properties according to the present invention;

도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조 설비의 약액 온도 및 농도를 관리하기 위한 동작 수순을 나타내는 흐름도;3 is a flowchart showing an operation procedure for managing the chemical liquid temperature and concentration of the semiconductor manufacturing equipment according to the present invention;

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 다양한 약액들을 공급하기 위한 약액 공급 장치의 구성을 나타내는 도면;4 is a view showing the configuration of a chemical liquid supply apparatus for supplying various chemical liquids according to an embodiment of the present invention;

도 5는 도 4에 도시된 공급 라인에 잔존하는 약액을 드레인하는 동작을 설명하기 위한 도면; 5 is a view for explaining an operation of draining a chemical liquid remaining in the supply line shown in FIG. 4;

도 6은 도 4에 도시된 약액 공급 장치의 약액의 온도 및 농도를 관리하기 위한 동작 수순을 나타내는 흐름도; 그리고6 is a flowchart showing an operation procedure for managing the temperature and concentration of the chemical liquid of the chemical liquid supply device shown in FIG. 4; And

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 오존수 또는 오존수 혼합액을 공급하기 위한 약액 공급 장치의 구성을 도시한 도면이다.7 is a diagram illustrating a configuration of a chemical liquid supply device for supplying ozone water or ozone water mixed solution according to another embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100, 100a, 200 : 반도체 제조 설비 102 : 약액 공급원100, 100a, 200: semiconductor manufacturing equipment 102: chemical liquid supply source

104 : 공급 라인 106, 106' : 노즐104: supply line 106, 106 ': nozzle

108 : 온도계 110 : 농도계108: thermometer 110: densitometer

112 : 컨트롤러 140, 250 : 약액 공급 장치112: controller 140, 250: chemical supply unit

Claims (13)

오존수를 이용하는 반도체 제조 설비에 있어서:In a semiconductor manufacturing facility using ozone water: 챔버와;A chamber; 오존수 또는 오존수와 약액을 혼합한 오존수 혼합액을 공급하는 약액 공급원과;A chemical liquid supply source for supplying ozone water or an ozonated water mixed liquid mixed with ozone water and a chemical liquid; 상기 챔버와 상기 약액 공급원 사이에 구비되는 공급 라인과;A supply line provided between the chamber and the chemical liquid supply source; 상기 챔버로 상기 오존수 또는 상기 오존수 혼합액을 공급하는 노즐과;A nozzle for supplying the ozone water or the ozone water mixture to the chamber; 상기 챔버와는 분리되어 제공된 드레인 컵과; 그리고A drain cup provided separately from the chamber; And 상기 챔버로 오존수 또는 오존수 혼합액을 공급하기 전에 설정 시간 동안, 상기 공급 라인에 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액을 상기 노즐을 통해 상기 드레인 컵으로 드레인하고, 상기 설정 시간이 경과되면 상기 챔버로 오존수 또는 오존수 혼합액을 공급하도록 상기 노즐을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 오존수를 이용한 반도체 제조 설비.Before the ozone water or the ozone water mixture is supplied to the chamber, the ozone water or the ozone water mixture remaining in the supply line is drained to the drain cup through the nozzle, and the ozone water or the ozone water mixture is passed to the chamber after the set time has elapsed. And a controller for controlling the nozzle to supply the ozone water. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 드레인 컵은 상기 챔버의 일 측에 위치되는 것을 특징으로 하는 오존수를 이용한 반도체 제조 설비.The drain cup is a semiconductor manufacturing equipment using ozone water, characterized in that located on one side of the chamber. 반도체 제조 설비에 있어서:In semiconductor manufacturing equipment: 챔버와;A chamber; 약액 공급원과;Chemical liquid source; 상기 챔버와 상기 약액 공급원 사이에 구비되는 공급 라인과;A supply line provided between the chamber and the chemical liquid supply source; 상기 챔버로 상기 약액을 공급하는 노즐과;A nozzle for supplying the chemical liquid to the chamber; 상기 챔버와는 분리되어 제공된 드레인 컵과; 그리고A drain cup provided separately from the chamber; And 상기 챔버로 약액을 공급하기 전에 설정 시간 동안 상기 공급 라인에 잔존하는 약액을 상기 노즐을 통해 상기 드레인 컵으로 드레인하고, 상기 설정 시간이 경과되면 상기 챔버로 약액을 공급하도록 상기 노즐을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비.A controller for controlling the nozzle to drain the chemical liquid remaining in the supply line through the nozzle to the drain cup through the nozzle before the chemical liquid is supplied to the chamber and to supply the chemical liquid to the chamber after the predetermined time elapses. Semiconductor manufacturing equipment comprising a. 오존수를 이용하는 반도체 제조 설비에 있어서:In a semiconductor manufacturing facility using ozone water: 서로 다른 위치에 배치되는 복수 개의 챔버와;A plurality of chambers disposed at different positions; 상기 챔버들로 오존수 또는 오존수와 약액을 혼합한 오존수 혼합액을 공급하는 약액 공급원과;A chemical liquid supply source for supplying ozone water or an ozonated water mixture of ozone water and a chemical liquid to the chambers; 상기 챔버들과 상기 약액 공급원 사이에 구비되고, 서로 다른 길이를 갖는 복수 개의 공급 라인 및;A plurality of supply lines provided between the chambers and the chemical liquid supply source and having different lengths; 상기 공급 라인들에 대응하여 설정 시간을 저장하고, 상기 챔버로 오존수 또는 오존수 혼합액을 공급하기 전에 상기 설정 시간 동안, 상기 공급 라인에 잔존하는 것을 드레인하고, 상기 설정 시간이 경과되면, 상기 챔버로 오존수 또는 오존수 혼합액을 공급하도록 제어하는 컨트롤러를 포함하고,Storing a set time corresponding to the supply lines, draining the remaining in the supply line during the set time before supplying the ozone water or the ozonated water mixture to the chamber, and when the set time has elapsed, ozone water into the chamber Or a controller for controlling the supply of ozone water mixture, 상기 공급 라인은 상기 공급 라인에 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액의 온도를 측정하는 온도계와, 상기 공급 라인에 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액의 농도를 측정하는 농도계가 설치되되;The supply line is provided with a thermometer for measuring the temperature of the ozone water or ozone water mixture remaining in the supply line, and a concentration meter for measuring the concentration of ozone water or ozone water mixture remaining in the supply line; 상기 컨트롤러는 상기 온도계 및 상기 농도계로부터 측정된 상기 공급 라인에 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액을 상기 설정 시간 동안에 드레인하도록 상기 챔버로 오존수 또는 오존수 혼합액을 공급하는 노즐을 제어하고,The controller may be configured to drain the remaining ozone water or ozone water mixture during the set time if the temperature and concentration of the ozone water or ozone water mixture remaining in the supply line measured from the thermometer and the densitometer are not suitable for the process conditions. To control the nozzle for supplying ozone water or ozone water mixture, 상기 공급 라인은 상기 노즐과 연결되고, 상기 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 노즐을 통해 드레인하되,The supply line is connected to the nozzle, if the temperature and concentration of the remaining ozone water or ozone water mixture is not suitable for the process conditions, drain through the nozzle, 상기 노즐은 이동 가능한 것으로 구비되며,The nozzle is provided to be movable, 상기 컨트롤러는 상기 잔존하는 오존수 또는 오존수 혼합액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 노즐을 오존수 또는 오존수 혼합액을 저장하는 드레인 컵으로 이동시켜서 상기 설정 시간 동안에 드레인하도록 상기 노즐을 제어하는 것을 특징으로 하는 오존수를 이용하는 반도체 제조 설비.If the temperature and concentration of the remaining ozone water or ozone water mixture is not suitable for the process conditions, the controller controls the nozzle to move the nozzle to the drain cup for storing the ozone water or ozone water mixture to drain during the set time. Semiconductor manufacturing equipment using ozone water. 삭제delete 삭제delete 오존수를 이용하는 반도체 제조 설비의 오존수 또는 오존수와 약액을 혼합한 오존수 혼합액을 챔버로 공급하는 방법에 있어서:In a method of supplying an ozone water or an ozone water mixture of a ozone water and a chemical liquid in a semiconductor manufacturing facility using ozone water to a chamber: 상기 챔버로 공급하기 전에 공급 라인에 잔존하는 상기 오존수 또는 상기 오존수 혼합액을 설정 시간 동안에 외부로 드레인시키고, 상기 설정 시간이 경과되면 상기 챔버로 오존수 또는 오존수 혼합액을 공급하되,Before the supply to the chamber, the ozone water or the ozone water mixture remaining in the supply line is drained to the outside for a set time, and when the set time has elapsed, the ozone water or ozone water mixture is supplied to the chamber, 상기 드레인 시키는 것은;Draining said; 서로 다른 위치에 복수 개가 구비되는 상기 챔버들과 연결되는 서로 다른 길이의 상기 공급 라인에 대응하여 상기 설정 시간을 저장하고, 상기 설정 시간 동안에 상기 공급 라인에 잔존하는 상기 오존수 또는 상기 오존수 혼합액을 외부로 드레인시키는 것을 특징으로 오존수를 이용하는 반도체 제조 설비의 공급 방법.The set time is stored in response to the supply lines having different lengths connected to the chambers provided with a plurality of chambers at different positions, and the ozone water or the ozone water mixed liquid remaining in the supply line during the set time is transferred to the outside. A method of supplying a semiconductor manufacturing equipment using ozone water, characterized by being drained. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 드레인 시키는 것은;Draining said; 상기 공급 라인에 잔존하는 상기 오존수 또는 상기 오존수 혼합액의 온도 및 농도를 측정하고, 측정된 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면 상기 설정 시간 동안에 드레인하는 것을 특징으로 하는 오존수를 이용하는 반도체 제조 설비의 공급 방법.Supplying a semiconductor manufacturing equipment using ozone water, characterized in that for measuring the temperature and concentration of the ozone water or the ozonated water mixture remaining in the supply line, and drained during the set time if the measured temperature and concentration is not suitable for the process conditions Way. 복수 개의 챔버들로 약액을 공급하는 적어도 하나의 노즐을 구비하는 반도체 제조 설비의 약액 공급 장치에 있어서:In a chemical liquid supply apparatus of a semiconductor manufacturing equipment having at least one nozzle for supplying a chemical liquid to a plurality of chambers: 적어도 하나의 약액 공급원과;At least one chemical liquid source; 상기 노즐와 상기 약액 공급원 사이에 구비되어 상기 챔버로 약액을 공급하는 적어도 하나의 공급 라인과;At least one supply line provided between the nozzle and the chemical liquid supply source to supply the chemical liquid to the chamber; 상기 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도를 측정하는 온도계와;A thermometer for measuring the temperature of the chemical liquid remaining in the supply line; 상기 공급 라인에 잔존하는 약액의 농도를 측정하는 농도계 및;A densitometer for measuring the concentration of the chemical liquid remaining in the supply line; 상기 공급 라인에 대응하여 설정 시간을 저장하고, 상기 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 챔버로 오존수 또는 오존수 혼합액을 공급하기 전에 상기 노즐을 통해 상기 설정 시간 동안 드레인하고, 상기 설정 시간이 경과된 후에 상기 챔버로 오존수 또는 오존수 혼합액을 공급하도록 제어하는 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 약액 공급 장치.If the set time is stored corresponding to the supply line, and the temperature and concentration of the chemical liquid remaining in the supply line are not suitable for the process conditions, the set time is supplied through the nozzle before supplying the ozone water or the ozonated water mixture to the chamber. And a controller for controlling the drainage and supplying the ozone water or the ozone water mixture to the chamber after the set time has elapsed. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 공급 라인은 복수 개가 서로 다른 길이로 구비되되;The supply line is provided with a plurality of different lengths; 상기 컨트롤러는 상기 공급 라인들에 대응하여 내부에 서로 다른 설정 시간을 저장하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 설비의 약액 공급 장치.And the controller stores different set times therein corresponding to the supply lines. 적어도 하나의 약액을 공급하는 약액 공급원과, 복수 개의 챔버들로 약액을 공급하는 적어도 하나의 노즐 및, 상기 약액 공급원과 상기 노즐을 연결하여 약액을 상기 챔버로 공급하는 적어도 하나의 공급 라인을 구비하는 반도체 제조 설비로 약액을 공급하는 약액 공급 장치의 약액 공급 방법에 있어서:A chemical liquid supply source supplying at least one chemical liquid, at least one nozzle supplying the chemical liquid to the plurality of chambers, and at least one supply line connecting the chemical liquid supply source and the nozzle to supply the chemical liquid to the chamber; In the chemical liquid supply method of the chemical liquid supply device for supplying the chemical liquid to the semiconductor manufacturing equipment: 상기 챔버로 공급하기 전에 상기 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도 및 농도를 측정하고; 이어서Measuring the temperature and concentration of the chemical liquid remaining in the supply line before feeding into the chamber; next 측정된 온도 및 농도가 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 공급 라인에 대응하여 설정 시간 동안에 상기 공급 라인에 잔존하는 약액을 외부로 드레인하고, 상기 설정 시간이 경과되면, 상기 챔버로 약액을 공급하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치의 약액 공급 방법.If the measured temperature and concentration are not suitable for the process conditions, draining the chemical liquid remaining in the supply line to the outside during the set time corresponding to the supply line, and supplying the chemical liquid to the chamber after the set time has elapsed. A chemical liquid supply method of a chemical liquid supply device. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 드레인 시키는 것은;Draining said; 상기 공급 라인에 잔존하는 약액의 온도 및 농도가 상기 공정 조건에 적합하지 않으면, 상기 노즐을 약액을 저장하는 드레인 컵으로 이동시키고;If the temperature and concentration of the chemical liquid remaining in the supply line are not suitable for the process conditions, move the nozzle to a drain cup for storing the chemical liquid; 상기 공급 라인에 잔존하는 약액을 상기 설정 시간 동안에 상기 드레인 컵으로 드레인하는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치의 약액 공급 방법.The chemical liquid supplying method of the chemical liquid supply apparatus, characterized by draining the chemical liquid remaining in the supply line to the drain cup during the set time. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,The method according to claim 11 or 12, 상기 설정 시간은 상기 공급 라인이 복수 개의 서로 다른 길이로 구비되고, 상기 공급 라인들에 대응하여 서로 다른 시간으로 설정되는 것을 특징으로 하는 약액 공급 장치의 약액 공급 방법.The setting time is a chemical liquid supply method of the chemical liquid supply device, characterized in that the supply line is provided with a plurality of different lengths, and set to different times corresponding to the supply lines.
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