KR100931603B1 - Imprint process system and pattern formation method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 임프린트 공정 시스템 및 패턴형성방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 임프린트 공정 시스템은 진공상태에서 스탬프의 패턴 면에 감광막을 도포하는 공정이 이루어지는 진공처리실, 대기상태에서 기판에 접착막을 도포하여 상기 감광막이 도포된 상기 스탬프의 패턴 면과 합착시키고, 상기 합착된 스탬프와 상기 기판에 자외선을 조사하여 임프린트 공정이 이루어지면 상기 합착된 스탬프와 상기 기판을 이격시키는 공정이 이루어지는 대기처리실 및 상기 진공처리실과 상기 대기처리실을 연결하며 상기 기판과 상기 스탬프가 반입되는 로드락 챔버를 구비하여 진공에서 수행되는 공정의 일부를 대기에서 수행함으로써 진공형성 공간의 크기를 줄여 진공을 유지하기 위해 필요한 장치의 비용을 절감하고, 감광막을 기판이 아닌 스탬프에 도포하여 패턴을 형성함으로써 잔류 감광막이 기판에 형성되지 않아 품질이 좋은 제품을 생산할 수 있는 효과가 있다. The present invention relates to an imprint process system and a pattern forming method. The imprint process system according to the present invention is a vacuum processing chamber in which a process of applying a photoresist film on a pattern surface of a stamp is performed in a vacuum state, and an adhesive film is applied to a substrate in an atmospheric state. An air treatment chamber and a vacuum treatment chamber which are bonded to the patterned surface of the stamp to which the photoresist film is applied, and wherein the imprinting process is performed by irradiating ultraviolet rays to the bonded stamp and the substrate, and separating the bonded stamp from the substrate. A load lock chamber is connected to the air treatment chamber and the substrate and the stamp are loaded to perform a part of the process performed in the vacuum in the air, thereby reducing the cost of the apparatus required to maintain the vacuum by reducing the size of the vacuum forming space. And the photoresist on the stamp, not the substrate By forming the pattern, the residual photoresist film is not formed on the substrate, thereby producing a good quality product.

Description

임프린트 공정 시스템 및 패턴형성방법{Imprint processing system and pattern forming method}Imprint processing system and pattern forming method

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 임프린트 공정 시스템을 나타낸 간략도이다.1 is a simplified diagram illustrating an imprint processing system according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 패턴형성방법을 나타낸 순서도이다. 2 is a flowchart illustrating a pattern forming method according to an embodiment of the present invention.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 임프린트 공정 시스템을 이용하여 진공상태에서 스탬프의 패턴 면에 점착방지막을 도포하고, 감광막을 도포하여 가압하는 공정도이다. 3A to 3D are process diagrams of applying an anti-sticking film to a pattern surface of a stamp in a vacuum state using an imprint process system of the present invention, and applying and pressing a photosensitive film.

도 4a와 도 4b는 본 발명의 임프린트 공정 시스템을 이용하여 대기상태에서 스탬프 패턴 면에 도포된 감광막을 패턴 높이로 스트립하는 공정도이다. 4A and 4B are process diagrams for stripping a photoresist film applied to a stamp pattern surface at a pattern height in an atmospheric state using the imprint process system of the present invention.

도 5a와 도 5b는 본 발명의 임프린트 공정 시스템을 이용하여 대기상태에서 기판에 접착막을 도포하는 공정도이다. 5A and 5B are process diagrams for applying an adhesive film to a substrate in an atmospheric state using the imprint process system of the present invention.

도 6a 내지 도 6c는 본 발명의 임프린트 공정 시스템을 이용하여 대기상태에서 기판과 스탬프를 합착시키고, 합착된 스탬프와 기판을 노광시키며 합착된 스탬프로부터 기판을 이격시키는 공정도이다. 6A through 6C are process diagrams for bonding a substrate and a stamp in an air state using the imprint process system of the present invention, exposing the bonded stamp and the substrate, and separating the substrate from the bonded stamp.

본 발명은 임프린트 공정 시스템 및 패턴형성방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 진공에서 수행하는 공정 중 일부를 대기에서 수행하는 임프린트 공정 시스템 및 패턴형성방법에 관한 것이다. The present invention relates to an imprint process system and a pattern forming method, and more particularly, to an imprint process system and a pattern forming method for performing some of the processes carried out in a vacuum.

최근 전자제품들은 소비자의 요구에 따라 다양한 기능을 구비하며 소형화, 고집적화, 경량화되는 추세이다. 이에 따라 전자부품들도 다기능 및 소형화가 요구되면서 반도체 회로 집적도 증가에 따른 패턴 미세화 요구가 증가되고 있으며 나노 스케일의 공정기술 개발이 본격적으로 추진되고 있다. Recently, electronic products have various functions according to the demands of consumers, and are tending to be compact, highly integrated, and lightweight. Accordingly, as electronic components are required to be multifunctional and miniaturized, the demand for pattern miniaturization is increasing due to the increase in the degree of integration of semiconductor circuits, and development of nanoscale process technology is being pushed forward.

이러한 나노 스케일의 공정기술 중 임프린트 리소그래피는 구조물(structure)이 각인된 스탬프(stamp)를 기판 위에 코팅된 고분자 소재의 레지스트(resist)표면에 가압하여 나노 구조물을 반복적으로 전사하는 기술로써, 다른 기술들에 비해 공정시간이 짧고, 제작단가가 낮아 제품생산에 많이 이용되고 있다. Imprint lithography is a technique for repeatedly transferring a nanostructure by pressing a stamp having a structure stamped onto a resist surface of a polymer material coated on a substrate. Compared to this, the process time is short and the manufacturing cost is low, so it is widely used in production.

임프린트 리소그래피 기술은 고온에서 레지스트 층을 가압하여 패턴을 전사하는 열가열 방식과 자외선 경화 레지스트를 이용하여 상온 저압에서 패턴전사하는 UV 방식으로 구분된다. 이때 레지스트 층에 UV의 조사가 균일하게 이루어지지 않거나 레지스트 층에 가압하는 스탬프의 보압 오차 등과 같은 요인으로 레지스트 층에 기포가 생성되면 물성이 저하되기 때문에 대부분의 임프린트 공정은 진공에서 수행되어진다. Imprint lithography technology is divided into a thermal heating method for transferring a pattern by pressing the resist layer at a high temperature and a UV method for pattern transfer at a low temperature at room temperature using an ultraviolet curing resist. At this time, most of the imprint process is performed in a vacuum because the physical properties are deteriorated when bubbles are generated in the resist layer due to factors such as UV irradiation is not uniformly applied to the resist layer or the pressure holding error of the stamp pressed on the resist layer.

하지만 대부분의 임프린트 공정을 진공에서 수행하기 위해서는 진공처리실 내부에 공정을 위한 정렬시스템, 레지스트 도포장치, 몰딩 및 가압 시스템, UV 조사시스템 등이 설치되어야 하므로 진공처리실 내부의 구성이 복잡해지고, 진공처리실의 규모가 커지는 문제점이 있다. 또한 진공처리실이 커짐에 따라 진공상태를 유지시키기 어려워 다수의 진공장치들을 사용함으로써 제조비용이 증가하는 문제점이 있다. However, in order to perform most imprint processes in a vacuum, an alignment system, a resist coating device, a molding and pressurization system, a UV irradiation system, and the like for a process must be installed in the vacuum chamber, so that the composition of the vacuum chamber becomes complicated. There is a problem that the scale increases. In addition, as the vacuum processing chamber becomes larger, it is difficult to maintain a vacuum state, thereby increasing the manufacturing cost by using a plurality of vacuum apparatuses.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 진공에서 수행되는 공정의 일부를 대기에서 수행하고, 이에 따라 진공형성 공간의 크기를 줄이는 임프린트 공정 시스템 및 패턴형성방법을 제공하는데 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an imprint process system and a pattern forming method for performing a part of a process performed in a vacuum in the air, thereby reducing the size of the vacuum forming space. There is this.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 임프린트 공정 시스템은 진공상태에서 스탬프의 패턴 면에 감광막을 도포하는 공정이 이루어지는 진공처리실, 대기상태에서 기판에 접착막을 도포하여 상기 감광막이 도포된 상기 스탬프의 패턴 면과 합착시키고, 상기 합착된 스탬프와 상기 기판에 자외선을 조사하여 임프린트 공정이 이루어지면 상기 합착된 스탬프와 상기 기판을 이격시키는 공정이 이루어지는 대기처리실 및 상기 진공처리실과 상기 대기처리실을 연결하며 상기 기판과 상기 스탬프가 반입되는 로드락 챔버를 구비한다.The imprint process system according to the present invention for achieving the above object is a vacuum processing chamber in which a process of applying a photoresist film on a pattern surface of a stamp is performed in a vacuum state, and an adhesive film is applied to a substrate in an atmospheric state of the stamp to which the photoresist film is applied. When the imprint process is performed by irradiating the bonded stamp and the substrate with ultraviolet rays, the air treatment chamber and the vacuum treatment chamber and the air treatment chamber are connected to each other to form a space between the bonded stamp and the substrate. And a load lock chamber into which the substrate and the stamp are carried.

상기 진공처리실에서는 상기 스탬프의 패턴 면에 감광막이 도포되는 공정 이전에 점착방지막이 도포될 수 있다.In the vacuum processing chamber, an anti-stick film may be applied before the process of applying the photosensitive film to the pattern surface of the stamp.

상기 진공처리실에서는 상기 스탬프의 패턴 면에 감광막이 도포되는 공정 이후에 상기 감광막이 도포된 상기 패턴 면이 가압될 수 있다. In the vacuum processing chamber, after the photoresist film is applied to the pattern surface of the stamp, the pattern surface to which the photoresist film is applied may be pressed.

상기 대기처리실에서는 상기 스탬프와 상기 기판을 합착시키는 공정 이전에 상기 스탬프에 도포된 감광막이 상기 스탬프의 패턴 높이와 맞도록 스트립될 수 있다. In the atmospheric treatment chamber, a photosensitive film applied to the stamp may be stripped to match the pattern height of the stamp before the process of bonding the stamp and the substrate.

상기 로드락 챔버는 상기 스탬프를 상기 진공처리실로 이송시키고, 상기 기판을 상기 대기처리실로 이송시키는 이송장치가 구비될 수 있다. The load lock chamber may be provided with a transfer device for transferring the stamp to the vacuum processing chamber, and the substrate to the atmospheric processing chamber.

상기 진공처리실은 상기 스탬프의 패턴 면에 상기 점착방지막을 도포하는 공정이 이루어지는 점착방지막 공정챔버, 상기 점착방지막이 도포된 상기 패턴 면에 상기 감광막을 도포하는 공정이 이루어지는 감광막 공정챔버 및 상기 감광막이 도포된 상기 패턴 면을 가압하는 공정이 이루어지는 가압 공정챔버를 구비할 수 있다. In the vacuum chamber, an anti-adhesion process chamber in which a process of applying the anti-adhesive film to the patterned surface of the stamp is performed, a photosensitive process chamber and a process of applying the photosensitive film to the patterned surface on which the anti-adhesive film is applied are applied. And a pressurizing process chamber in which the step of pressing the patterned surface is performed.

상기 점착방지막 공정챔버, 상기 감광막 공정챔버, 상기 가압공정 챔버는 진공상태일 수 있다. The anti-stick film process chamber, the photoresist film process chamber, and the pressurization process chamber may be in a vacuum state.

상기 점착방지막은 상기 감광막에 의해 상기 스탬프 패턴 면이 오염되지 않도록 이형층 처리를 위한 자기조립막(self assembled monolayer)일 수 있다. The anti-sticking film may be a self assembled monolayer for a release layer treatment so that the stamp pattern surface is not contaminated by the photosensitive film.

상기 감광막의 도포는 스핀코팅법, 슬릿 코터(slit coater), 스프레이 중 어느 하나에 의해 이루어질 수 있다. The photosensitive film may be coated by any one of a spin coating method, a slit coater, and a spray.

상기 진공처리실 내부에는 상기 점착방지막 공정챔버, 상기 감광막 공정챔버, 상기 가압 공정챔버 중 어느 한 챔버로 상기 스탬프를 이송시키는 이송장치가 구비될 수 있다. The vacuum processing chamber may be provided with a transfer device for transferring the stamp to any one of the anti-stick film process chamber, the photosensitive film process chamber, the pressure process chamber.

상기 대기처리실은 상기 스탬프의 패턴 면에 도포된 상기 감광막이 상기 패턴의 높이와 일정하도록 스트립되는 공정이 이루어지는 스트립 공정 챔버, 상기 패턴 면과 접촉하는 상기 기판 면에 상기 접착막을 도포하는 공정이 이루어지는 접착막 공정 챔버, 상기 접착막이 도포된 상기 기판과 상기 감광막이 스트립된 상기 패턴 면이 합착되고, 상기 자외선의 조사가 이루어지는 노광 공정 챔버, 상기 합착된 기판과 상기 스탬프의 이격이 이루어지는 분리 공정 챔버를 구비할 수 있다. The air treatment chamber is a strip process chamber in which a process of stripping the photoresist film applied to the pattern surface of the stamp is made to be consistent with the height of the pattern, and a process of applying the adhesive film to the substrate surface in contact with the pattern surface. A film processing chamber, an exposure process chamber in which the substrate coated with the adhesive film and the pattern surface on which the photoresist film is stripped are joined, and the UV irradiation is performed, and a separation process chamber in which the bonded substrate is separated from the stamp. can do.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 패턴형성방법은 진공상태에서 스탬프의 패턴 면에 감광막을 도포하는 단계, 대기상태에서 기판과 상기 스탬프를 합착시키고, 자외선을 조사하여 상기 감광막을 경화시키고, 상기 합착된 스탬프와 기판을 이격하는 단계를 포함한다. In the pattern forming method according to the present invention for achieving the above object is the step of applying a photosensitive film on the pattern surface of the stamp in a vacuum state, the substrate and the stamp in the standby state, the ultraviolet light is irradiated to cure the photosensitive film, Separating the bonded stamp from the substrate.

상기 감광막을 도포하는 단계 이전에 진공상태에서 상기 스탬프의 패턴 면에 점착방지막을 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method may further include applying an anti-sticking film to the pattern surface of the stamp in a vacuum state before applying the photosensitive film.

상기 감광막을 도포하는 단계 이후에 진공상태에서 상기 스탬프의 패턴 내에 상기 감광막이 충전되도록 가압하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method may further include pressing the photosensitive film to fill the pattern of the stamp in a vacuum state after applying the photosensitive film.

상기 기판과 상기 스탬프의 합착 이전에 상기 스탬프에 도포된 상기 감광막을 상기 스탬프의 패턴 높이에 맞게 스트립하는 단계를 더 포함할 수 있다. The method may further include stripping the photoresist film applied to the stamp according to the pattern height of the stamp before bonding the substrate and the stamp.

전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 패턴형성방법은 스탬프의 패턴 면에 점착방지막을 도포하는 단계, 상기 점착방지막이 도포된 상기 패턴 면에 감광막을 도포하는 단계, 상기 감광막을 상기 패턴의 높이에 맞게 스트립하는 단계,상기 패턴의 높이에 맞게 스트립된 상기 스탬프를 접착막이 도포된 기판과 합착시키는 단계, 상기 합착된 스탬프와 상기 기판에 자외선을 조사하는 단계 및 상기 합착된 스탬프와 상기 기판을 이격하는 단계를 포함한다. The pattern forming method according to the present invention for achieving the above object is the step of applying an anti-sticking film to the pattern surface of the stamp, the step of applying a photosensitive film to the pattern surface on which the anti-sticking film is applied, the height of the pattern of the photosensitive film Stripping according to, The step of bonding the stamp stripped to the height of the pattern with a substrate coated with an adhesive film, Irradiating the bonded stamp and the substrate with ultraviolet rays and Spaced apart from the bonded stamp and the substrate It includes a step.

상기 점착방지막을 도포하는 단계와 상기 감광막을 도포하는 단계는 진공상태에서 수행될 수 있다. The coating of the anti-sticking film and the coating of the photosensitive film may be performed in a vacuum state.

상기 스트립하는 단계, 상기 스탬프를 접착막이 도포된 기판과 합착시키는 단계, 상기 자외선을 조사하는 단계, 상기 합착된 스탬프와 상기 기판을 이격하는 단계는 대기상태에서 수행될 수 있다. The stripping, bonding the stamp to the substrate to which the adhesive film is applied, irradiating the ultraviolet rays, and separating the bonded stamp from the substrate may be performed in a standby state.

상기 기판은 자외선이 투과될 수 있는 투명재질의 유리, 석영 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. The substrate may be made of any one of glass and quartz of a transparent material through which ultraviolet light can be transmitted.

상기 스탬프를 접착막이 도포된 기판과 합착시키는 단계는 상기 기판의 접착막이 도포된 표면이 상기 스탬프의 패턴 면을 향하도록 하여 합착될 수 있다. The bonding of the stamp with the substrate coated with the adhesive film may be performed by bringing the surface coated with the adhesive film toward the pattern surface of the stamp.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 임프린트 공정 시스템에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, an imprint process system according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 임프린트 공정 시스템을 도시한 간략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이 임프린트 공정 시스템은 진공에서 공정을 수행하는 진공처리실(100), 대기에서 공정을 수행하는 대기처리실(200), 진공처리실(100)과 대기처리실(200)을 연결하는 로드락 챔버(150)를 구비한다.1 is a simplified diagram illustrating an imprint process system according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the imprint process system includes a vacuum processing chamber 100 performing a process in a vacuum, an atmospheric processing chamber 200 performing a process in the atmosphere, a rod connecting the vacuum processing chamber 100 and the atmospheric processing chamber 200. The lock chamber 150 is provided.

진공처리실(100)에는 스탬프(10, 도 3a참조)의 패턴 면에 점착방지막, 감광막 층을 형성하고, 감광막이 형성된 스탬프(10)의 패턴면을 가압하기 위한 점착방지막 공정챔버(110), 감광막 공정챔버(120), 가압 공정챔버(130)가 구비된다. In the vacuum processing chamber 100, an anti-stick film and a photosensitive film layer are formed on the pattern surface of the stamp 10 (see FIG. 3A), and an anti-stick film process chamber 110 and a photosensitive film for pressing the pattern surface of the stamp 10 having the photosensitive film formed thereon are provided. The process chamber 120 and the pressurization process chamber 130 are provided.

또한 진공처리실(100)에는 공정에 따라 스탬프(10)가 이송될 수 있도록 이송통로(140)가 마련되며 이송통로(140)에는 스탬프(10)를 운반하는 진공처리실 이송장치(141)와 진공처리실 이송장치(141)를 공정에 따라 각각의 챔버로 안내하는 진공처리실 레일(142)이 설치된다. In addition, a transfer passage 140 is provided in the vacuum processing chamber 100 so that the stamp 10 may be transferred according to a process, and a vacuum processing chamber transfer apparatus 141 and a vacuum processing chamber which transfer the stamp 10 to the transfer passage 140. A vacuum chamber rail 142 for guiding the transfer device 141 to each chamber is installed according to a process.

점착방지막 공정챔버(110)는 점착방지막 공정챔버(110)와 진공처리실(100)의 이송통로(140) 사이에서 스탬프(10)의 출입이 가능하도록 선택적으로 개폐가능한 게이트(111)를 구비한다. 또한 점착방지막 공정챔버(110) 내부에는 게이트(111)를 통해 내부로 이송된 스탬프(10)의 패턴 면에 점착방지막이 도포될 수 있도록 점착방지막 도포장치가 마련된다. 점착방지막 도포장치로는 스핀코팅장치, 슬릿 코터 장치, SAM 처리장치 등이 설치될 수 있다. 점착 방지막 공정챔버(110)에서 점착 방지막이 도포된 스탬프(10)는 진공처리실 이송장치(141)에 의해 감광막 공정챔버(120)로 이송된다.The anti-stick film process chamber 110 includes a gate 111 that can be selectively opened and closed to allow entry and exit of the stamp 10 between the anti-stick film process chamber 110 and the transfer passage 140 of the vacuum processing chamber 100. In addition, the anti-stick coating device is provided in the anti-stick film process chamber 110 so that the anti-stick film may be applied to the pattern surface of the stamp 10 transferred to the inside through the gate 111. As the anti-stick coating device, a spin coating device, a slit coater device, a SAM treatment device, or the like may be installed. The stamp 10 to which the anti-sticking film is applied in the anti-sticking film process chamber 110 is transferred to the photosensitive film process chamber 120 by the vacuum processing chamber transfer device 141.

감광막 공정챔버(120)는 점착방지막 공정이 종료된 스탬프(10)가 반입될 수 있도록 게이트(121)를 구비한다. 감광막 공정챔버(120) 내부에는 점착방지막이 도포된 스탬프(10) 상에 감광막이 도포될 수 있도록 감광막 도포장치가 구비되고, 감광막 도포장치로는 스핀코터, 스프레이 코터 등이 설치될 수 있다. 감광막 공정이 종료된 스탬프(10)는 반출되어 진공처리실 이송장치(141)에 의해 가압 공정챔 버(130)로 이송된다.The photoresist process chamber 120 includes a gate 121 so that the stamp 10 having finished the anti-sticking process can be carried in. A photoresist coating device may be provided in the photoresist process chamber 120 so that the photoresist may be applied onto the stamp 10 to which the anti-sticking film is applied, and a spin coater, a spray coater, or the like may be installed as the photoresist coating device. The stamp 10 having finished the photoresist process is taken out and transferred to the pressurization process chamber 130 by the vacuum processing chamber transfer device 141.

가압 공정챔버(130)는 감광막이 도포된 스탬프(10)를 반입시킬 수 있도록 게이트(131)를 구비하고, 가압 공정챔버(130) 내부에는 스탬프(10) 패턴 면에 도포된 감광막이 스탬프(10) 패턴 내에 충전될 수 있도록 감광막이 도포된 스탬프(10) 패턴 면을 가압하는 가압판이 구비된다. The pressurization process chamber 130 has a gate 131 for carrying in the stamp 10 coated with the photoresist film, and the inside of the pressurization process chamber 130 has a photoresist film coated on the surface of the stamp 10 pattern. A pressing plate is provided to press the stamp 10 pattern surface to which the photosensitive film is applied so as to be filled in the pattern.

대기처리실(200)에는 감광막이 도포된 스탬프(10)의 패턴 면을 스트립하는 스트립 공정챔버(210), 기판(20, 도 5a 참조)에 접착막을 형성하는 접착막 공정챔버(220), 기판(20)과 스탬프(10)를 합착시키고, 자외선을 조사하는 노광 공정챔버(230), 합착된 기판(20)과 스탬프(10)를 이격시키는 분리 공정챔버(240)가 구비된다. The atmospheric processing chamber 200 has a strip process chamber 210 for stripping the pattern surface of the stamp 10 coated with the photoresist film, an adhesive film process chamber 220 for forming an adhesive film on the substrate 20 (see FIG. 5A), and a substrate ( 20 and the stamp 10 are bonded to each other, and an exposure process chamber 230 for irradiating ultraviolet rays, and a separate process chamber 240 for separating the bonded substrate 20 and the stamp 10 is provided.

또한 대기처리실(200)에는 공정에 따라 스탬프(10) 및 기판(20)이 이송될 수 있도록 이송통로(250)가 마련되며 이송통로(250)에는 기판(20) 및 스탬프(10)를 운반하는 대기처리실 이송장치(251)와 대기처리실 이송장치(251)를 공정에 따라 각각의 챔버로 안내하는 대기처리실 레일(252)이 설치된다. In addition, a transfer passage 250 is provided in the atmospheric processing chamber 200 so that the stamp 10 and the substrate 20 may be transferred according to a process, and the transfer passage 250 carries the substrate 20 and the stamp 10. An atmospheric treatment chamber rail 252 for guiding the atmospheric treatment chamber conveying apparatus 251 and the atmospheric treatment chamber conveying apparatus 251 to each chamber according to a process is installed.

스트립 공정챔버(210)는 패턴 면에 감광막이 형성된 스탬프(10)가 반입될 수 있도록 게이트(211)를 구비하고, 스트립 공정챔버(210)의 내부에는 스탬프(10) 패턴 면에 형성된 감광막을 패턴 높이와 맞도록 스트립하기 위한 스트립 장치가 구비된다. 스트립 장치로는 스퀴지, 회전 롤, 건식식각 에칭을 수행하기 위한 상압 플라즈마 장치, 진공 플라즈마 장치 등이 설치될 수 있다. The strip process chamber 210 includes a gate 211 so that the stamp 10 having the photoresist film formed on the pattern surface can be carried in, and the photoresist film formed on the surface of the stamp 10 pattern is patterned inside the strip process chamber 210. A strip device is provided for stripping to a height. As the strip device, a squeegee, a rotary roll, an atmospheric pressure plasma device for performing dry etching etching, a vacuum plasma device, or the like may be installed.

접착막 챔버(220)는 기판(20)이 반입될 수 있도록 게이트(221)를 구비하고, 접착막 챔버(220) 내부에는 기판(20)에 접착막을 도포하기 위한 접착막 도포장치가 구비된다. 접착막이 도포된 기판(20)은 대기처리실 이송장치(251)에 의해 노광 공정챔버(230)로 이송되어 스탬프(10)와 합착된다.The adhesive film chamber 220 includes a gate 221 to allow the substrate 20 to be loaded therein, and an adhesive film coating device for applying the adhesive film to the substrate 20 inside the adhesive film chamber 220. The substrate 20 coated with the adhesive film is transferred to the exposure process chamber 230 by the atmospheric treatment chamber transfer device 251 and bonded to the stamp 10.

노광 공정챔버(230)는 스트립 공정이 종료된 스탬프(10)와 접착막 공정이 종료된 기판(20)이 반입될 수 있도록 게이트(231)를 구비하고, 노광 공정챔버(230)의 내부에는 합착된 기판(20)과 스탬프(10)에 자외선을 조사하여 스탬프(10)에 도포된 감광막을 경화시키는 자외선 램프가 구비된다. 노광 공정이 종료된 스탬프(10)와 기판(20)은 노광 공정챔버(230)에서 반출되고, 대기처리실 이송장치(251)에 의해 분리 공정챔버(240)로 진행된다.The exposure process chamber 230 includes a gate 231 for carrying in the stamp 10 where the strip process is finished and the substrate 20 where the adhesive film process is completed, and is bonded to the inside of the exposure process chamber 230. Ultraviolet lamps for irradiating the substrate 20 and the stamp 10 with ultraviolet light to cure the photosensitive film applied to the stamp 10 are provided. The stamp 10 and the substrate 20 where the exposure process is completed are carried out from the exposure process chamber 230, and are advanced to the separation process chamber 240 by the atmospheric processing chamber transfer device 251.

분리 공정챔버(240)는 합착된 스탬프(10)와 기판(20)이 반입될 수 있도록 게이트(241)를 구비하고, 분리 공정챔버(240) 내부에는 합착된 스탬프(10)와 기판(20)이 이격될 수 있도록 이격장치가 마련된다.The separation process chamber 240 includes a gate 241 to allow the bonded stamp 10 and the substrate 20 to be carried in, and the stamp 10 and the substrate 20 bonded to the inside of the separation process chamber 240. Spacers are provided so that they can be spaced apart.

로드락 챔버(150)에는 로드락 챔버(150)와 진공처리실(100)의 이송통로(140) 사이에서 스탬프(10) 출입이 가능하도록 개폐가능한 제 1게이트(151)가 형성되고, 로드락 챔버(150)와 대기처리실(200)의 이송통로(250) 사이에서 기판(20) 및 스탬프(10)의 출입이 가능하도록 선택적으로 개폐가능한 제 2게이트(152)가 형성된다. 또한 공정이 이루어질 기판(20) 및 스탬프(10)가 반입되는 제 3게이트(153)가 구비되고, 스탬프(10)가 진공처리실(100)에서 반출되고, 기판(20) 및 스탬프(10)가 대기처리실(200)로 반입될 때 급격한 압력변화가 일어나지 않도록 진공압형성장치가 설치된다. The load lock chamber 150 is provided with a first gate 151 that can be opened and closed to allow the stamp 10 to enter and exit between the load lock chamber 150 and the transfer passage 140 of the vacuum processing chamber 100. A second gate 152 that is selectively openable and closed may be formed between the 150 and the transfer passage 250 of the atmospheric processing chamber 200 to allow the substrate 20 and the stamp 10 to enter and exit. In addition, a substrate 20 to be processed and a third gate 153 into which the stamp 10 is carried are provided, the stamp 10 is carried out from the vacuum processing chamber 100, and the substrate 20 and the stamp 10 are removed. The vacuum pressure forming apparatus is installed so that a sudden pressure change does not occur when brought into the atmospheric treatment chamber 200.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 패턴형성방법을 나타낸 순서도이다. 2 is a flowchart illustrating a pattern forming method according to an embodiment of the present invention.

우선 스탬프(10)를 제 3게이트(153)를 통해 로드락 챔버(150)로 반입시키면 제 3게이트(153)가 폐쇄되면서 로드락 챔버(150)의 진공압형성장치가 작동된다. 진공압형성장치에 의해 로드락 챔버(150)의 압력이 진공처리실(100)과 같아지면 제 1게이트(151)가 개방되고, 진공처리실 이송장치(141)에 의해 스탬프(10)는 점착방지막 공정챔버(110)로 이송된다. First, when the stamp 10 is loaded into the load lock chamber 150 through the third gate 153, the third gate 153 is closed and the vacuum pressure forming device of the load lock chamber 150 is operated. When the pressure in the load lock chamber 150 is equal to the vacuum processing chamber 100 by the vacuum pressure forming apparatus, the first gate 151 is opened, and the stamp 10 is subjected to the anti-sticking film process by the vacuum processing chamber transfer device 141. Transferred to chamber 110.

점착방지막 공정챔버(110)로 이송된 스탬프(10)의 패턴 면에는 점착방지막 도포장치에 의해 점착방지막(11)이 스핀코팅되어 도포된다(S100). (도 3a, 도 3b 참조) The anti-stick film 11 is spin-coated by the anti-stick film coating device on the pattern surface of the stamp 10 transferred to the anti-stick film process chamber 110 (S100). (See FIG. 3A, FIG. 3B)

스탬프(10)의 패턴 면에 도포되는 점착방지막(11)은 패턴 전사시 감광막(12)에 의해 스탬프(10)가 오염되는 것을 방지하기 위한 이형층(release layer)이다. 또한 패턴의 크기가 작아짐에 따라 스탬프(10)의 패턴 면과 감광막(12)이 접촉하는 표면적이 커져 패턴 전사가 제대로 이루어지지 않기 때문에 점착방지막(11)을 도포하면 스탬프(10) 패턴 면의 표면에너지를 낮추어 감광막(12)과의 점착을 감소시킬 수 있다. 점착방지막(11)으로는 불소를 포함하는 자기 조립단 분자막(self assembled monolayers)을 사용할 수 있다.The anti-stick film 11 applied to the pattern surface of the stamp 10 is a release layer to prevent the stamp 10 from being contaminated by the photosensitive film 12 during pattern transfer. In addition, as the size of the pattern decreases, the surface area of the pattern surface of the stamp 10 and the photoresist film 12 is in contact with each other, so that the pattern transfer is not performed properly. The energy can be lowered to reduce the adhesion with the photosensitive film 12. As the anti-sticking film 11, self assembled monolayers containing fluorine may be used.

점착방지막(11)을 도포하는 공정이 이루어지면 스탬프(10)는 점착방지막 공정챔버(110)에서 반출되어 진공처리실 이송장치(141)에 의해 감광막 공정챔버(120)로 이송된다.When the process of applying the anti-stick film 11 is made, the stamp 10 is taken out of the anti-stick film process chamber 110 and transferred to the photosensitive film process chamber 120 by the vacuum processing chamber transfer device 141.

감광막 공정챔버(120)로 이송된 점착방지막(11)이 도포된 스탬프(10)의 패턴 면 상에는 감광막(12)이 도포된다(S110). (도 3c 참조) The photosensitive film 12 is coated on the pattern surface of the stamp 10 to which the anti-sticking film 11 transferred to the photosensitive film process chamber 120 is applied (S110). (See Figure 3c)

이때 감광막(12)은 자외선에 의해 경화되는 레진(UV curable prepolymer)으로 아크릴 또는 에폭시 성분이 포함될 수 있다. In this case, the photoresist film 12 may be an acrylic curable resin (UV curable prepolymer) and an acrylic or epoxy component.

스탬프(10)의 패턴 면에 감광막(12)의 도포 공정이 이루어지면 스탬프(10)는 감광막 공정챔버(120)에서 반출되어 가압 공정챔버(130)로 이송된다.When the application process of the photoresist film 12 is performed on the pattern surface of the stamp 10, the stamp 10 is taken out of the photoresist process chamber 120 and transferred to the pressurization process chamber 130.

가압공정 챔버(130)로 이송된 스탬프(10)는 감광막(11)이 패턴 내에 충전될 수 있도록 가압판에 의해 패턴 면이 가압된다(S120). (도 3d 참조)The stamp 10 transferred to the pressing process chamber 130 is pressed by the pressure plate so that the pattern surface may be filled in the pattern (S120). (See FIG. 3D)

이후 가압공정이 이루어진 스탬프(10)는 진공처리실(100)에서 로드락 챔버(150)로 반출된다. 이때 로드락 챔버(150)는 압력차이로 인해 진공 처리실(100)에서 반출되는 스탬프(10)가 변형되지 않도록 진공처리실(100)과 같은 압력으로 조절된다. Then, the stamp 10 in which the pressing process is performed is carried out from the vacuum processing chamber 100 to the load lock chamber 150. In this case, the load lock chamber 150 is adjusted to the same pressure as the vacuum processing chamber 100 so that the stamp 10 carried out from the vacuum processing chamber 100 is not deformed due to the pressure difference.

계속해서 로드락 챔버(150)로 반출된 스탬프(10)를 대기처리실(200)로 이송시키기 위해 로드락 챔버(150)는 대기상태로 압력이 조절되고, 대기처리실(200)의 압력과 로드락 챔버(150)의 압력이 같아지면 제 2게이트(152)를 통해 스탬프(10)가 대기처리실(200)로 반입된다.Subsequently, in order to transfer the stamp 10 carried out to the load lock chamber 150 to the atmospheric treatment chamber 200, the pressure of the load lock chamber 150 is adjusted to the atmospheric state, and the pressure and load lock of the atmospheric treatment chamber 200 are maintained. When the pressure in the chamber 150 is the same, the stamp 10 is carried into the atmospheric treatment chamber 200 through the second gate 152.

이후 대기처리실(200)의 대기처리실 이송장치(251)에 의해 스탬프(10)는 스트립 공정챔버(210)로 이송되고, 스트립 장치에 의해 패턴에 도포된 감광막(12)이 균일하게 정리되면서 스탬프(10)의 패턴 높이와 맞도록 스트립된다(S130). (도 4a, 도 4b 참조)Thereafter, the stamp 10 is transferred to the strip process chamber 210 by the atmospheric treatment chamber transfer device 251 of the atmospheric treatment chamber 200, and the stamp (12) applied to the pattern by the strip apparatus is uniformly arranged. Stripped to match the pattern height of 10) (S130). (See FIG. 4A, 4B)

스트립 공정이 이루어진 스탬프(10)는 스트립 공정챔버(210)에서 반출되어 대기처리실 이송장치(251)에 의해 노광 공정챔버(230)로 반입된다. The stamp 10 having the strip process is carried out from the strip process chamber 210 and brought into the exposure process chamber 230 by the atmospheric treatment chamber transfer device 251.

한편, 기판(20)을 스트립 공정이 종료된 스탬프(10)와 합착시키기 위해 제 3게이트(153)를 통해 로드락 챔버(150)로 반입시킨다. 로드락 챔버(150)로 반입된 기판(20)은 제 2게이트(152)를 통해 대기처리실(200)로 반입되고, 대기처리실 이송장치(252)에 의해 접착막 공정챔버(220)로 이송되어 스탬프(10)와 접촉될 표면에 접착막(21)이 도포된다. (도 5a, 도 5b 참조)Meanwhile, the substrate 20 is loaded into the load lock chamber 150 through the third gate 153 to bond with the stamp 10 where the strip process is completed. The substrate 20 carried into the load lock chamber 150 is carried into the atmospheric treatment chamber 200 through the second gate 152 and is transferred to the adhesive film process chamber 220 by the atmospheric treatment chamber conveying apparatus 252. An adhesive film 21 is applied to the surface to be in contact with the stamp 10. (See FIG. 5A, FIG. 5B)

접착막(surface adhesion layer)(21)은 스탬프(10)에 점착방지막(11)인 이형층을 도포하여도 감광막(12)이 기판(20)에 붙지 않고, 스탬프(10)에 붙어서 스탬프(10)의 오염을 일으킬 수 있기 때문에 기판(20)과 감광막(12) 사이에 접착력을 증가시키기 위한 처리로 이형 고분자 및 유기물, 기능성 관능기를 가지는 SAM(self assembled monolayers)이 사용될 수 있다. The surface adhesion layer 21 does not adhere the photosensitive film 12 to the substrate 20 even when the release layer, which is the anti-sticking film 11, is applied to the stamp 10. (SAM) self-assembled monolayers having a heterogeneous polymer, an organic material, and a functional functional group may be used as a treatment for increasing adhesion between the substrate 20 and the photoresist film 12 because it may cause contamination.

접착막(21)의 도포가 이루어진 기판(20)은 대기처리실 이송장치(251)에 의해 노광 공정챔버(230)로 반입되어 스탬프(10)의 패턴 면과 합착된다(S140). (도 6a 참조)The substrate 20 on which the adhesive film 21 is applied is carried into the exposure process chamber 230 by the atmospheric treatment chamber transfer device 251 and bonded to the pattern surface of the stamp 10 (S140). (See Figure 6A)

이때 스탬프(10)의 패턴 면과 기판(20)의 접착막 처리표면이 접촉될 수 있도록 기판(20)을 뒤집어 합착시킨다. 다른 실시예로 스탬프(10)를 뒤집어 스탬프(10)의 패턴 면이 기판(20)의 접착막과 접촉되도록 합착시킬 수 있다.At this time, the substrate 20 is turned upside down so that the pattern surface of the stamp 10 and the adhesive film treatment surface of the substrate 20 are in contact with each other. In another embodiment, the stamp 10 may be turned upside down so that the patterned surface of the stamp 10 may be brought into contact with the adhesive film of the substrate 20.

기판(20)과 합착된 스탬프(10)는 이형층인 점착방지막(11)에 의해 감광막(12)과의 점착력이 약하고, 기판(20) 표면은 접착막(21)에 의해 감광막(12)과의 결합력이 강하기 때문에 이중효과로 감광막(12)은 스탬프(10)의 패턴 면을 오염시 키지 않고, 기판(20)에 더욱 강하게 접착할 수 있다. The stamp 10 bonded to the substrate 20 has a weak adhesive force with the photosensitive film 12 by the anti-sticking film 11, which is a release layer, and the surface of the substrate 20 is exposed to the photosensitive film 12 by the adhesive film 21. Because of the strong bonding force, the photosensitive film 12 can be more strongly adhered to the substrate 20 without contaminating the pattern surface of the stamp 10 due to the dual effect.

이후 노광 공정챔버(230)에 구비된 자외선 램프에 의해 합착된 기판(20)과 스탬프(10)에 자외선이 조사된다(S150). (도 6b 참조)Subsequently, ultraviolet rays are irradiated onto the substrate 20 and the stamp 10 bonded by the ultraviolet lamp provided in the exposure process chamber 230 (S150). (See Figure 6b)

조사된 자외선은 기판(20)을 투과하여 패턴과 패턴 사이에 충전되어있던 감광막(12)을 경화시키고, 감광막(12)은 경화되면서 기판(20)의 접착막(21)에 부착된다. 노광 공정이 종료되면 합착된 스탬프(10)와 기판(20)은 대기처리실 이송장치(251)에 의해 분리 공정챔버(240)로 이송되고, 합착된 스탬프(10)와 기판(20)의 이격이 이루어진다(S160). 스탬프(10)로부터 이격된 기판(20)에는 패턴과 패턴 사이에 충전되어있던 감광막(12)이 접착막(21)에 부착되어 패턴이 형성된다(S170). (도 6c 참조) The irradiated ultraviolet rays pass through the substrate 20 to cure the photosensitive film 12 that is filled between the pattern and the pattern, and the photosensitive film 12 is cured and adhered to the adhesive film 21 of the substrate 20. When the exposure process is completed, the bonded stamp 10 and the substrate 20 are transferred to the separation process chamber 240 by the atmospheric treatment chamber transfer device 251, and the spaced apart from the bonded stamp 10 and the substrate 20 is separated. It is made (S160). On the substrate 20 spaced apart from the stamp 10, the photosensitive film 12, which is filled between the pattern and the pattern, is attached to the adhesive film 21 to form a pattern (S170). (See Figure 6c)

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 임프린트 공정 시스템 및 패턴형성방법은 진공에서 수행되는 공정의 일부를 대기에서 수행함으로써 진공형성 공간의 크기를 줄여 진공을 유지하기 위해 필요한 장치의 비용을 절감하고, 감광막을 기판이 아닌 스탬프에 도포하여 패턴을 형성함으로써 잔류 감광막이 기판에 형성되지 않아 품질이 좋은 제품을 생산할 수 있는 효과가 있다. As described above, the imprint process system and the pattern forming method according to the present invention perform a part of the process performed in a vacuum in the air to reduce the size of the vacuum forming space, thereby reducing the cost of the apparatus required to maintain the vacuum, the photoresist film By applying a pattern to a stamp rather than a substrate, the residual photoresist film is not formed on the substrate has the effect of producing a good quality product.

Claims (20)

스탬프의 패턴 면에 점착방지막을 도포하는 공정이 이루어지는 점착방지막 공정챔버와, 상기 점착방지막이 도포된 상기 패턴 면에 상기 감광막을 도포하는 공정이 이루어지는 감광막 공정챔버와, 상기 감광막이 도포된 상기 패턴 면을 가압하는 공정이 이루어지는 가압 공정챔버를 구비하여 상기 각 챔버에서 진행되는 공정이 진공상태에서 진행되도록 하는 진공처리실과, An anti-stick film process chamber in which a process of applying an anti-stick film to the pattern surface of the stamp is performed, a photosensitive film process chamber in which the process of applying the photosensitive film to the pattern surface on which the anti-stick film is applied, and the pattern surface on which the photosensitive film is applied A vacuum processing chamber having a pressurizing process chamber in which a process of pressurizing is performed so that the process proceeding in each chamber proceeds in a vacuum state; 상기 스탬프의 패턴 면에 도포된 상기 감광막이 상기 패턴의 높이와 일정하도록 스트립되는 공정이 이루어지는 스트립 공정 챔버와, 상기 패턴 면과 접촉하는 기판 면에 상기 접착막을 도포하는 공정이 이루어지는 접착막 공정 챔버와, 상기 접착막이 도포된 상기 기판과 상기 감광막이 스트립된 상기 패턴 면이 합착되고, 상기 자외선의 조사가 이루어지는 노광 공정 챔버와, 상기 합착된 기판과 상기 스탬프의 이격이 이루어지는 분리 공정 챔버를 구비하며, 대기상태에서 상기 스템프와 상기 기판을 합착시켜 임프린트 공정을 수행하는 대기처리실과, An adhesive film processing chamber in which a process of stripping the photoresist film applied to the pattern surface of the stamp is made to be consistent with the height of the pattern, and a process of applying the adhesive film to the substrate surface in contact with the pattern surface; And an exposure process chamber in which the substrate coated with the adhesive film and the pattern surface on which the photoresist film is stripped are joined, and the UV irradiation is performed, and a separation process chamber in which the bonded substrate is spaced apart from the stamp. An atmospheric treatment chamber for bonding the stamp and the substrate in an atmospheric state to perform an imprint process; 상기 진공처리실과 상기 대기처리실을 연결하며 상기 기판과 상기 스탬프가 반입되는 로드락 챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정 시스템.And a load lock chamber connecting the vacuum processing chamber and the atmospheric processing chamber and into which the substrate and the stamp are carried. 제 1항에 있어서, 상기 진공처리실에서는 상기 스탬프의 패턴 면에 감광막이 도포되는 공정 이전에 점착방지막이 도포되는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정 시스템.The imprint process system according to claim 1, wherein in the vacuum processing chamber, an anti-stick film is applied before the process of applying the photoresist film on the pattern surface of the stamp. 제 1항에 있어서, 상기 진공처리실에서는 상기 스탬프의 패턴 면에 감광막이 도포되는 공정 이후에 상기 감광막이 도포된 상기 패턴 면이 가압되는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정 시스템.The imprint process system according to claim 1, wherein in the vacuum processing chamber, the pattern surface on which the photoresist film is applied is pressed after the photoresist film is applied to the pattern surface of the stamp. 제 1항에 있어서, 상기 대기처리실에서는 상기 스탬프와 상기 기판을 합착시키는 공정 이전에 상기 스탬프에 도포된 감광막이 상기 스탬프의 패턴 높이와 맞도록 스트립되는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정 시스템.The imprint process system according to claim 1, wherein in the atmospheric treatment chamber, a photosensitive film applied to the stamp is stripped to match the pattern height of the stamp before the process of bonding the stamp and the substrate. 제 1항에 있어서, 상기 로드락 챔버는 상기 스탬프를 상기 진공처리실로 이송시키고, 상기 기판을 상기 대기처리실로 이송시키는 이송장치가 구비되는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정 시스템. The imprint processing system of claim 1, wherein the load lock chamber includes a transfer device for transferring the stamp to the vacuum processing chamber and transferring the substrate to the atmospheric processing chamber. 삭제delete 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 점착방지막은 상기 감광막에 의해 상기 스탬프 패턴 면이 오염되지 않도록 이형층 처리를 위한 자기조립막(self assembled monolayer)인 것을 특징으로 하는 임프린트 공정 시스템. The imprint processing system of claim 1, wherein the anti-sticking film is a self assembled monolayer for a release layer treatment so that the stamp pattern surface is not contaminated by the photosensitive film. 제 1항에 있어서, 상기 감광막의 도포는 스핀코팅법, 슬릿 코터(slit coater), 스프레이 중 어느 하나에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정 시스템. The imprint process system according to claim 1, wherein the photosensitive film is applied by any one of a spin coating method, a slit coater, and a spray. 제 1항에 있어서, 상기 진공처리실 내부에는 상기 점착방지막 공정챔버, 상기 감광막 공정챔버, 상기 가압 공정챔버 중 어느 한 챔버로 상기 스탬프를 이송시키는 이송장치가 구비되는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정 시스템.The imprint process system of claim 1, wherein a transfer device is provided in the vacuum processing chamber to transfer the stamp to any one of the anti-stick film process chamber, the photosensitive film process chamber, and the pressurization process chamber. 삭제delete 진공상태에서 스탬프의 패턴 면에 점착방지막을 도포하는 단계;Applying an anti-stick film to the pattern side of the stamp in a vacuum state; 진공상태에서 상기 점착방지막이 도포된 상기 패턴 면에 감광막을 도포하는 단계;Applying a photosensitive film to the pattern surface on which the anti-sticking film is applied in a vacuum state; 대기 상태에서 상기 감광막을 상기 패턴의 높이에 맞게 스트립하는 단계; Stripping the photoresist to a height of the pattern in an atmospheric state; 대기 상태에서 상기 패턴의 높이에 맞게 스트립된 상기 스탬프를 접착막이 도포된 기판과 합착시키는 단계;Bonding the stamp stripped to the height of the pattern with a substrate coated with an adhesive film in an atmospheric state; 대기 상태에서 상기 합착된 스탬프와 상기 기판에 자외선을 조사하는 단계; 및Irradiating ultraviolet rays to the bonded stamp and the substrate in an atmospheric state; And 상기 합착된 스탬프와 상기 기판을 이격하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.And separating the bonded stamp from the substrate. 삭제delete 제 12항에 있어서, 상기 감광막을 도포하는 단계 이후에 진공상태에서 상기 스탬프의 패턴 내에 상기 감광막이 충전되도록 가압하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.The pattern forming method of claim 12, further comprising pressing the photosensitive film to fill the pattern of the stamp in a vacuum state after applying the photosensitive film. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101114286B1 (en) * 2010-10-08 2012-03-05 (주)메카스 Imprinting release layer coater with stamp for nano/micro optical device
CN108931884A (en) * 2017-05-27 2018-12-04 蓝思科技（长沙）有限公司 Imprint membrane and imprinting apparatus

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030040378A (en) * 2000-08-01 2003-05-22 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 Methods for high-precision gap and orientation sensing between a transparent template and substrate for imprint lithography
KR20030079909A (en) * 2000-07-16 2003-10-10 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 High-resolution overlay alignment methods and systems for imprint lithography
KR20070010319A (en) * 2005-07-18 2007-01-24 주식회사 에이디피엔지니어링 Apparatus for imprinting patern on the substrate and method for imprinting patern on the substrate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030079909A (en) * 2000-07-16 2003-10-10 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 High-resolution overlay alignment methods and systems for imprint lithography
KR20030040378A (en) * 2000-08-01 2003-05-22 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 Methods for high-precision gap and orientation sensing between a transparent template and substrate for imprint lithography
KR20070010319A (en) * 2005-07-18 2007-01-24 주식회사 에이디피엔지니어링 Apparatus for imprinting patern on the substrate and method for imprinting patern on the substrate

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210036110A (en) 2019-09-25 2021-04-02 한국기계연구원 Vacuum pad printing apparatus and method of pad printing in a vacuum using the same
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