KR100929167B1 - Organic light emitting display device and fabricating method thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An organic light emitting display device and a fabricating method thereof are provided to supply a current flowing into a second electrode uniformly by arranging an auxiliary electrode contacting a second electrode around a driving TFT. CONSTITUTION: In a organic light emitting display device and a fabricating method thereof, a substrate is made of one selected from glass, metal, and plastic. A thin film transistor for the organic electroluminescent panel drive is formed on the substrate. A first electrode(112) for the organic electroluminescent panel is formed on the thin film transistor. An auxiliary electrode(105) for the organic electroluminescent panel is formed on the substrate, and an auxiliary electrode opening is formed by exposes one part of the auxiliary electrode to the outside. The organic luminescence layer(110) is formed on the first electrode, and the second electrode(104) for the organic electroluminescent panel is formed on the organic light-emitting layer.

Description

유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법 {Organic Light Emitting Display Device and Fabricating Method Thereof}Organic Light Emitting Display Device and Manufacturing Method Thereof {Organic Light Emitting Display Device and Fabricating Method Thereof}

본 발명은 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 대면적 유기전계발광 표시소자의 휘도 균일도를 향상시키기 위한 유기 전계발광 표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same for improving luminance uniformity of a large area organic light emitting display device.

최근, 음극선관의 큰 중량 및 부피를 줄일 수 있는 평판 표시소자에 대한 관심이 커지고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 전계발광(Electroluminescence : 이하, "EL") 표시소자 등이 있다. 이들 중 EL 표시소자는 발광층의 재료에 따라 무기 EL 표시소자와 유기 EL 표시소자로 대별되는데 스스로 발광하는 자발광소자로서 응답속도가 빠르고 발광 효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다. 무기 EL 표시소자는 유기전계발광 표시소자 또는 OLED(Organic Light Emitting Diode or Display)라고 불리는 유 기 EL 표시소자에 비하여 전력 소모가 크고 고휘도를 얻을 수 없으며 R(Red), G(Green), B(Blue)의 다양한 색을 발광시킬 수 없다. 반면에, 유기전계발광 표시소자는 10V 내외의 낮은 전압에서 구동됨과 동시에 빠른 응답속도를 가지고 있고 고휘도를 얻을 수 있으며 R, G, B 등의 다양한 색을 발광시킬 수 있어 차세대 평판표시소자에 가장 적합하다.Recently, there is a growing interest in flat panel display devices capable of reducing the large weight and volume of cathode ray tubes. Such flat panel displays include liquid crystal displays, plasma display panels, field emission displays, and electroluminescence (EL) displays. Among them, the EL display device is classified into an inorganic EL display device and an organic EL display device according to the material of the light emitting layer. The EL display device is a self-light emitting device which emits light by itself, and has an advantage of fast response speed and high luminous efficiency, luminance, and viewing angle. Inorganic EL display devices have higher power consumption and higher luminance than organic EL display devices called organic light emitting diodes (OLEDs) or organic light emitting diode (OLED) displays. It is not possible to emit various colors of Blue). On the other hand, an organic light emitting display device is driven at a low voltage of about 10V, has a fast response speed, high brightness, and can emit various colors such as R, G, and B, which is most suitable for next-generation flat panel display devices. Do.

유기전계발광 표시소자와 박막 트랜지스터의 여러가지 구성 중 한가지인 OELD 상부발광형(top emission type)에 대해 도 1을 예로 들어 설명한다. 도 1에 도시된 바와 같이 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 교차로 정의된 영역에 각각 배열된 단위화소(60)를 구비한다. 단위화소(60)는 게이트 라인(GL)에 게이트 펄스가 공급될 때 데이터 라인(DL)으로부터의 데이터 신호를 공급받아 그 데이터 신호에 상응하여 유기전계발광 표시소자가 발광함으로써 화상을 표시한다. 그리고 단위화소가 모여 표시소자 영역을 구성한다.An OELD top emission type, which is one of various configurations of an organic light emitting display device and a thin film transistor, will be described with reference to FIG. 1 as an example. As shown in FIG. 1, unit pixels 60 are arranged in regions defined by intersections of the gate line GL and the data line DL. The unit pixel 60 receives the data signal from the data line DL when the gate pulse is supplied to the gate line GL, and displays the image by emitting light from the organic light emitting display device according to the data signal. The unit pixels gather to form a display element region.

단위화소(60)는 구동 전압원(VDD)에 제2전극이 접속된 OLED 셀, 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 기저 전압원(GND)에 접속되고 OLED 셀의 제1 전극에 접속된 셀 구동부(62)를 구비한다. 셀 구동부(62)는 스위칭용 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, "TFT")(T1)와, 구동용 TFT(T2) 및 커패시터(C)를 구비한다.The unit pixel 60 is connected to the OLED cell, the gate line GL, and the data line DL and the base voltage source GND, to which the second electrode is connected to the driving voltage source VDD, and to the first electrode of the OLED cell. The cell driver 62 is provided. The cell driver 62 includes a switching thin film transistor (“TFT”) T1, a driving TFT (T2), and a capacitor (C).

스위칭용 TFT(T1)는 게이트 라인(GL)에 게이트 펄스가 공급되면 턴-온(Turn-On)되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 노드(N, node)에 공급한다. 노드(N)에 공급된 데이터 신호는 커패시터(C)에 충전됨과 아울러 구동용 TFT(T2)의 게이트 전극으로 공급된다. 구동용 TFT(T2)는 게이트 전극으로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 구동 전압원(VDD)으로부터 OLED 셀에 공급되는 전류량(I)을 제어함으로써 OLED 셀의 발광량을 조절한다. 그리고, 스위칭용 TFT(T1)가 턴-오프(Turn-Off)되더라도 커패시터(C)에 의해 데이터 신호가 유지되는데 구동용 TFT(T2)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 구동 전압원(VDD)으로부터 전류(I)를 OLED 셀에 공급함으로써 OLED 셀의 발광을 유지한다.The switching TFT T1 is turned on when the gate pulse is supplied to the gate line GL, and supplies the data signal supplied to the data line DL to the node N. The data signal supplied to the node N is charged to the capacitor C and supplied to the gate electrode of the driving TFT T2. The driving TFT T2 controls the amount of light emitted by the OLED cell by controlling the amount of current I supplied from the driving voltage source VDD to the OLED cell in response to the data signal supplied to the gate electrode. The data signal is maintained by the capacitor C even when the switching TFT T1 is turned off. However, the driving TFT T2 maintains the driving voltage source VDD until the data signal of the next frame is supplied. The light emission of the OLED cell is maintained by supplying the current I to the OLED cell.

도 2는 도 1에 도시된 단위화소의 일부 영역을 자세히 나타낸 단면도이다.FIG. 2 is a detailed cross-sectional view of a portion of the unit pixel illustrated in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 종래의 유기전계발광 표시소자는 스위칭용 TFT(T1, 도 1 참조)와, 스위칭용 TFT의 드레인 전극에 게이트 전극(24)이 접속되는 구동용 TFT(T2)와, 구동용 TFT(T2)의 드레인 전극(28)에 OLED 전극(12)이 접속되는 OLED 셀을 구비한다.Referring to FIG. 2, a conventional organic light emitting display device includes a switching TFT (T1, see FIG. 1), a driving TFT (T2) having a gate electrode 24 connected to a drain electrode of the switching TFT, and a driving. An OLED cell to which the OLED electrode 12 is connected to the drain electrode 28 of the TFT (T2) for semiconductor is provided.

상기 스위칭용 TFT는 게이트 라인(GL, 도 1 참조)에 접속되는 게이트 전극과, 데이터 라인(DL, 도 1 참조)에 접속되는 소스 전극과, 구동용 TFT(T2)의 게이트 전극(24)과 접속되는 드레인 전극을 구비한다. The switching TFT includes a gate electrode connected to the gate line GL (see FIG. 1), a source electrode connected to the data line DL (see FIG. 1), a gate electrode 24 of the driving TFT (T2), A drain electrode connected is provided.

상기 구동용 TFT(T2)는 스위칭용 TFT의 드레인 전극과 접속되는 게이트 전극(24)과, 기저 전압원(GND)에 접속되는 소스 전극(26)과, OLED 셀의 제1 전극(12)과 접속되는 드레인 전극(28)과, 소스 전극(26) 및 드레인 전극 사이에 채널을 형성하는 활성층(38)을 구비한다. 이러한 구동용 TFT(T2)를 상세히 설명하면, 게이트 라인과 함께 형성되는 게이트 전극(24)과, 데이터 라인과 함께 형성되는 소스 및 드레인 전극(26, 28)과, 게이트 전극(24)과 게이트 절연막(36)을 사이에 두고 중첩되어 소스 전극(26)과 드레인 전극(28) 사이에 채널을 형성하는 활성층(38)과, 활성층(38)과 소스 전극(26) 및 드레인 전극(28)과의 콘택 저항을 줄이기 위한 오믹 접촉층(40)을 포함한다. 그리고, OLED 셀의 제1전극(12)과 드레인 전극(28)과의 접촉을 위하여 보호막(30)을 관통하여 드레인 전극(28)을 노출시키는 드레인 접촉홀(34)을 포함한다.The driving TFT T2 is connected to a gate electrode 24 connected to the drain electrode of the switching TFT, a source electrode 26 connected to the ground voltage source GND, and a first electrode 12 of the OLED cell. A drain electrode 28 and an active layer 38 forming a channel between the source electrode 26 and the drain electrode. The driving TFT T2 will be described in detail. The gate electrode 24 formed together with the gate line, the source and drain electrodes 26 and 28 formed together with the data line, the gate electrode 24 and the gate insulating film are described. The active layer 38 overlapping with the gap 36 and forming a channel between the source electrode 26 and the drain electrode 28, and the active layer 38 and the source electrode 26 and the drain electrode 28. Ohmic contact layer 40 for reducing contact resistance. And a drain contact hole 34 that exposes the drain electrode 28 through the passivation layer 30 so as to contact the first electrode 12 and the drain electrode 28 of the OLED cell.

상기 OLED 셀은 유기 발광층(10)과, 절연막(6)에 의하여 절연되며 유기 발광층(10)의 하부 및 상부에 형성되는 제1전극(12) 및 제2전극(4)을 구비한다.The OLED cell has an organic light emitting layer 10 and a first electrode 12 and a second electrode 4 which are insulated by the insulating layer 6 and formed under and over the organic light emitting layer 10.

상기 제2전극(4)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 전도성 물질, 또는 Al, AlLi, Mg, Ca, Ag, MgAg 등의 반투명 물질이 단일층 또는 하나 이상의 층으로 구성된다. 이 제2전극(4)에는 구동 전압원(VDD, 도 1 참조)으로부터 정공을 방출시키기 위한 구동 신호가 공급된다.The second electrode 4 is a single layer or one or more layers of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), or a translucent material such as Al, AlLi, Mg, Ca, Ag, MgAg, or the like. It consists of. The second electrode 4 is supplied with a driving signal for releasing holes from the driving voltage source VDD (see FIG. 1).

상기 제1전극(12)은 드레인 접촉홀(34)을 통하여 구동용 TFT(T2)의 드레인 전극(28)과 접속되며, OLED 셀 영역마다 형성된다. 이 제1전극(12)에는 구동용 TFT(T2)의 드레인 전극(28)으로부터 전자를 방출시키기 위한 구동 신호가 공급된다.The first electrode 12 is connected to the drain electrode 28 of the driving TFT (T2) through the drain contact hole 34, and is formed for each OLED cell region. The first electrode 12 is supplied with a drive signal for emitting electrons from the drain electrode 28 of the driving TFT (T2).

상기 유기 발광층(10)은 전자 주입층(10a), 전자 수송층(10b), 발광층(10c), 전공 수송층(10d) 및 정공 주입층(10e)이 적층되어 형성된다. 이 유기 발광층(10)에는 제1전극(12)과 제2전극(4)으로부터 전하가 공급된다. 그러면 도 3과 같이 제2 전극(4)에서는 정공이 방출되며, 방출된 정공은 정공 주입층(10e) 및 정공 수송층(10d)을 거쳐 발광층(10c)으로 이동하고, 제1전극(12)에서는 전자가 방출되며, 방출된 전자는 전자 주입층(10a) 및 전자 수송층(10b)을 거쳐 발광층(10c)으로 이동하여 정공과 전자가 발광층(10c) 내에서 재결합함으로써 유기발광층(10)이 가시광을 발생한다. 이때, 발생된 가시광이 투명 전극인 제2 전극(4)을 통하여 외부로 나오게 됨으로써 유기전계발광 표시소자에 화상이 표시된다.The organic emission layer 10 is formed by stacking an electron injection layer 10a, an electron transport layer 10b, a light emission layer 10c, a hole transport layer 10d, and a hole injection layer 10e. The organic light emitting layer 10 is supplied with electric charges from the first electrode 12 and the second electrode 4. Then, as shown in FIG. 3, holes are emitted from the second electrode 4, and the released holes move to the light emitting layer 10c through the hole injection layer 10e and the hole transport layer 10d, and the first electrode 12. Electrons are emitted, and the emitted electrons move through the electron injection layer 10a and the electron transport layer 10b to the light emitting layer 10c, and holes and electrons recombine in the light emitting layer 10c, whereby the organic light emitting layer 10 emits visible light. Occurs. At this time, the generated visible light comes out through the second electrode 4 which is a transparent electrode, thereby displaying an image on the organic light emitting display device.

한편, 유기전계발광 표시소자의 제2전극(4)으로 방출되는 가사광을 증가시키기 위하여 제1전극(12)은 반사 특성이 우수한 알루미늄(Al), 알루미늄네오듐(AlNd) 등을 포함하는 알루미늄계 금속, Cr 또는 Cr 합금 등을 한가지 이상 사용하여 형성하기도 한다. On the other hand, in order to increase the housekeeping light emitted to the second electrode 4 of the organic light emitting display device, the first electrode 12 includes aluminum (Al), aluminum neodium (AlNd), or the like having excellent reflection characteristics. It may be formed by using one or more of a metal, Cr or Cr alloy.

그러나, 종래의 소면적 유기전계발광 표시소자에서는 상기의 구조로도 문제가 되지 않았으나, 근래에 개발되는 대면적 유기전계발광 표시소자 경우, 도 4에 도시된 바와 같이 제2전극(4)으로부터 외곽 영역 및 중심 영역간에 전류(EF)가 흐르는 경우 전류가 유입되는 곳으로부터 거리가 먼 곳까지 도달시 제2전극의 저항에 의해 전압 강하가 일어나 외곽 부분과 중심 부분의 휘도차가 크게 발생하는 문제점이 있었다. 즉, 대면적 유기전계발광 표시소자는 제2전극의 저항에 의한 외곽, 중심부의 휘도 차이로 휘도 균일도가 급격히 나빠지므로 휘도 차이를 보완할 수 있는 패널구조나 구동수단을 필요로 한다..However, in the conventional small area organic light emitting display device, the above structure is not a problem. However, in the case of a large area organic light emitting display device developed in recent years, an outer edge of the second electrode 4 is shown in FIG. When the current EF flows between the region and the center region, when the distance reaches a far distance from where the current flows, a voltage drop occurs due to the resistance of the second electrode, causing a large difference in luminance between the outer portion and the center portion. . That is, the large-area organic light emitting display device requires a panel structure or driving means that can compensate for the luminance difference because the luminance uniformity deteriorates sharply due to the luminance difference between the outer edge and the center portion due to the resistance of the second electrode.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명의 목적은 대면적 유기전계발광 표시소자의 휘도 균일도를 향상시키기 위해 기판과 유기전계발광 소자의 제2전극 사이에 보조전극을 형성한 후 유기전계발광 표시소자의 전극과 보조전극을 연결시키는 유기전계발광 표시소자의 구조 및 그 제조방법을 제공함에 있다.The present invention is devised to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an auxiliary electrode between a substrate and a second electrode of an organic light emitting display device to improve luminance uniformity of a large area organic light emitting display device. A structure and a method of manufacturing the organic light emitting display device connecting the electrode and the auxiliary electrode of the organic light emitting display device.

본 발명은 앞서 본 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 구성을 가진다.The present invention has the following configuration to achieve the above object.

본 발명의 유기전계발광 표시소자는, 유리, 금속 또는 플리스틱 중 선택된 어느 하나로 이루어지는 표시소자용 기판; 상기 기판 위에 형성된 유기전계발광 표시소자 구동용 박막 트랜지스터; 상기 기판 위에서 박막 트랜지스터의 데이터 라인과 게이트 라인의 교차로 정의되는 단위화소 및 단위화소의 모임으로 이루어진 표시소자 영역; 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되는 유기전계발광 표시소자용 제1전극; 상기 기판 위에 형성된 유기전계발광 표시소자용 보조전극; 상기 보조전극의 일부분을 노출시켜 만드는 보조전극 개구부; 상기 보조전극 개구부 위에 형성된 격막; 상기 제1전극 위에 형성된 유기 발광층; 및 상기 유기 발광층 위에 형성된 유기전계발광 표시소자용 제2전극; 을 포함하며, 상기 제2전극 위에 제2전극의 일부분이 되도록 형성하는 도전층을 가지는 유기전계발광 표시소자에서, 상기 격막을 이용하여 상기 제2전극 또는 상기 도전층이 보조전극과 연결되어 상기 제2전극의 저항을 줄이게 한다.The organic light emitting display device of the present invention, the display device substrate made of any one selected from glass, metal or plastic; A thin film transistor for driving an organic light emitting display element formed on the substrate; A display element region formed on the substrate, the unit pixel and a collection of unit pixels defined by intersections of data lines and gate lines of the thin film transistor; A first electrode for an organic light emitting display device formed on the thin film transistor; An auxiliary electrode for an organic light emitting display device formed on the substrate; An auxiliary electrode opening formed by exposing a part of the auxiliary electrode; A diaphragm formed on the auxiliary electrode opening; An organic emission layer formed on the first electrode; And a second electrode for an organic light emitting display device formed on the organic light emitting layer. In the organic light emitting display device having a conductive layer formed on the second electrode to be a part of the second electrode, the second electrode or the conductive layer is connected to the auxiliary electrode by using the diaphragm and the first electrode Reduce the resistance of the two electrodes.

또한 상기 보조전극은 기판과 유기전계발광 표시소자의 제2전극 사이에, 구동용 트랜지스터 일부로 형성하거나 독립적인 배선으로 형성된 것이 바람직하다.In addition, the auxiliary electrode is preferably formed as part of a driving transistor or formed by independent wiring between the substrate and the second electrode of the organic light emitting display device.

그리고 상기 개구부는 표시소자 영역의 단위화소 중 일부 화소 또는 전체 화소에 걸쳐서 형성되게 한다.The opening may be formed over some pixels or all pixels of the unit pixels of the display device region.

또한 상기 격막은 격막 주위의 적어도 일부분 하단으로부터 상단으로 갈수록 점차 넓어지게 형성되게 한다.The diaphragm is also formed to gradually widen from the bottom to the top of at least a portion around the diaphragm.

그리고 상기 격막은 각 보조전극 개구부에 적어도 하나 이상이 형성한다.At least one separator is formed in each of the auxiliary electrode openings.

또한 상기 제2전극은 스퍼터링(Sputtering) 또는 화학기상증착(CVD)을 이용해 도전층 없이 보조전극과 연결한다.In addition, the second electrode is connected to the auxiliary electrode without the conductive layer by sputtering or chemical vapor deposition (CVD).

그리고 상기 제2전극이 열증착에 의해 형성되는 경우 스퍼터링(Sputtering) 또는 화학기상증착(CVD)에 의해 도전층을 형성시켜 보조전극과 연결한다.When the second electrode is formed by thermal evaporation, a conductive layer is formed by sputtering or chemical vapor deposition (CVD) to connect with the auxiliary electrode.

또한 상기 제2전극이 열증착에 의해 형성되는 경우 기판을 기울여 제2전극을 증착시켜 격막의 빈공간으로 제2전극이 성막되어 보조전극과 연결한다.In addition, when the second electrode is formed by thermal evaporation, the substrate is inclined to deposit the second electrode, and the second electrode is formed into an empty space of the diaphragm to connect with the auxiliary electrode.

한편, 본 발명의 유기전계발광 표시소자의 제조방법는 1) 유리, 금속 또는 플리스틱 중 선택된 어느 하나로 이루어지는 표시소자용 기판과 상기 기판 위에 형성된 유기전계발광 표시소자 구동용 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 2) 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되는 유기전계발광 표시소자용 제1전극을 형성하는 단계; 3) 상기 기판 위에 유기전계발광 표시소자용 보조전극을 형성하고, 보조전극의 일부분을 노출시켜 개구부를 만드는 단계; 4) 상기 보조전극의 개구부 위에 격막을 형성하는 단계; 5) 상기 제1전극 위에 유기 발광층을 형성하는 단계; 6) 상기 유기 발광층 위에 유기전계발광 표시소자용 제2전극을 형성하는 단계; 및 7) 상기 제2전극 위에 제2전극의 일부분이 되도록 도전층을 형성하는 단계; 를 포함한다.On the other hand, the method of manufacturing an organic light emitting display device of the present invention comprises the steps of: 1) forming a substrate for a display device made of any one selected from glass, metal or plastic and a thin film transistor for driving an organic light emitting display device formed on the substrate; 2) forming a first electrode for an organic light emitting display device formed on the thin film transistor; 3) forming an auxiliary electrode for an organic light emitting display device on the substrate, and exposing a portion of the auxiliary electrode to form an opening; 4) forming a diaphragm over the opening of the auxiliary electrode; 5) forming an organic emission layer on the first electrode; 6) forming a second electrode for an organic light emitting display device on the organic light emitting layer; And 7) forming a conductive layer on the second electrode to be part of the second electrode; It includes.

본 발명에 따르면, 대면적 유기전계발광 표시소자의 휘도를 균일하게 형성시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the luminance of the large area organic light emitting display device can be uniformly formed.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예들을 첨부된 도면을 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예들은 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described below. These embodiments are provided to explain in detail the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of each element shown in the drawings may be exaggerated to emphasize a more clear description.

도 5는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자를 나타내는 단면도이고, 도 6은 본 발 명의 유기전계발광 표시소자 제조방법을 나타내는 블록도이고, 도 7a 내 지 도 7f는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자의 제조방법을 나타내는 공정도이다.5 is a cross-sectional view showing an organic light emitting display device according to the present invention, Figure 6 is a block diagram showing a method for manufacturing an organic light emitting display device of the present invention, Figures 7a to 7f is an organic light emitting display according to the present invention It is a process chart which shows the manufacturing method of a display element.

도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시소자는 스위칭용 TFT(T1, 도 1 참조)와, 스위칭용 TFT의 드레인 전극에 게이트 전극(124)이 접속되는 구동용 TFT(T2)와, 구동용 TFT(T2)의 드레인 전극(128)에 OLED 제1전극(112)이 접속되는 OLED 셀을 구비한다.Referring to FIG. 5, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a switching TFT (T1, see FIG. 1) and a driving TFT having a gate electrode 124 connected to a drain electrode of the switching TFT. And an OLED cell to which the OLED first electrode 112 is connected to the drain electrode 128 of the driving TFT (T2).

유기 발광층(110)은 전자 주입층(110a), 전자 수송층(110b), 발광층(110c), 전공 수송층(110d) 및 정공 주입층(110e)이 적층되어 형성된다. 이 유기 발광층(110)에는 제1전극(112)과 제2전극(104)으로부터 전하가 공급된다. 그러면 제2전 극(104)에서는 정공이 방출되며, 방출된 정공은 정공 주입층(110e) 및 정공 수송층(110d)을 거쳐 발광층(110c)으로 이동하고, 제1전극(112)에서는 전자가 방출되며, 방출된 전자는 전자 주입층(110a) 및 전자 수송층(110b)을 거쳐 발광층(110c)으로 이동하여 정공과 전자가 발광층(110c) 내에서 재결합함으로써 유기 발광층(110)이 가시광을 발생한다. 이때, 발생된 가시광이 투명 전극인 제2 전극(104)을 통하여 외부로 나오게 됨으로써 유기전계발광 표시소자에 화상이 표시된다.The organic emission layer 110 is formed by stacking the electron injection layer 110a, the electron transport layer 110b, the emission layer 110c, the hole transport layer 110d, and the hole injection layer 110e. Charge is supplied to the organic light emitting layer 110 from the first electrode 112 and the second electrode 104. Then, holes are emitted from the second electrode 104, and the released holes move to the emission layer 110c through the hole injection layer 110e and the hole transport layer 110d, and electrons are emitted from the first electrode 112. The emitted electrons move through the electron injection layer 110a and the electron transport layer 110b to the light emitting layer 110c, and holes and electrons recombine in the light emitting layer 110c to generate the visible light. At this time, the generated visible light comes out through the second electrode 104 which is a transparent electrode, thereby displaying an image on the organic light emitting display device.

상기 스위칭용 TFT는 게이트 라인(GL, 도 1 참조)에 접속되는 게이트 전극과, 데이터 라인(DL, 도 1 참조)에 접속되는 소스 전극과, 구동용 TFT(T2)의 게이트 전극(124)과 접속되는 드레인 전극을 구비한다.The switching TFT includes a gate electrode connected to the gate line GL (see FIG. 1), a source electrode connected to the data line DL (see FIG. 1), a gate electrode 124 of the driving TFT (T2), A drain electrode connected is provided.

상기 구동용 TFT(T2)는 스위칭용 TFT의 드레인 전극과 접속되는 게이트 전 극(124)과, 기저 전압원(GND, 도 1 참조)에 접속되는 소스 전극(126)과, OLED 셀의 제1전극(112)과 접속되는 드레인 전극(128)과, 소스 전극(126) 및 드레인 전극(128) 사이에 채널을 형성하는 활성층(138)을 구비한다. The driving TFT T2 includes a gate electrode 124 connected to the drain electrode of the switching TFT, a source electrode 126 connected to the ground voltage source GND (see FIG. 1), and a first electrode of the OLED cell. A drain electrode 128 connected to the 112 and an active layer 138 for forming a channel between the source electrode 126 and the drain electrode 128 are provided.

이러한 구동용 TFT(T2)를 상세히 설명하면, 게이트 라인과 함께 형성되는 게이트 전극(124)과, 데이터 라인과 함께 형성되는 소스 전극(126) 및 드레인 전극(128)과, 상기 게이트 전극(124)과 게이트 절연막(136)을 사이에 두고 중첩되어 소스 전극(126)과 드레인 전극(128) 사이에 채널을 형성하는 활성층(138)과, 상기 활성층(138)과 소스 전극(126) 및 드레인 전극(128)과의 컨택 저항을 줄이기 위한 오믹 접촉층(140)을 포함한다. The driving TFT T2 will be described in detail. The gate electrode 124 is formed together with the gate line, the source electrode 126 and the drain electrode 128 are formed together with the data line, and the gate electrode 124 is formed. And an active layer 138 overlapping with the gate insulating layer 136 therebetween to form a channel between the source electrode 126 and the drain electrode 128, and the active layer 138, the source electrode 126, and the drain electrode ( And ohmic contact layer 140 to reduce contact resistance with 128.

그리고 상기 OLED 셀의 제1전극(112)과 드레인 전극(128)과의 접촉을 위하여 보호막(130)을 관통하고 상기 드레인 전극(128)을 노출시키는 드레인 접촉홀(134)을 포함한다.And a drain contact hole 134 penetrating the passivation layer 130 and exposing the drain electrode 128 to contact the first electrode 112 and the drain electrode 128 of the OLED cell.

또한 상기 구동용 TFT(T2) 위에는 보조전극(105)을 형성하는데, 후술하는 도전층(108)에 의해 제2전극(104)과 접점되고 구동 신호를 공급받게 된다.In addition, an auxiliary electrode 105 is formed on the driving TFT (T2). The auxiliary electrode 105 is contacted with the second electrode 104 by a conductive layer 108 to be described later and receives a driving signal.

그리고 상기 보조전극(105) 위에는 격막(107)이 더 형성되게 된다. 상기 격막(107)을 올리기 전 상기 보조전극(105) 위를 일부를 노출시켜 개구부(105a)를 형성하고, 상기 개구부(105a) 측에 격막(107)이 형성되게 하는 것이다. 이때 상기 보조전극의 개구부(105a)는 표시소자 영역의 단위화소 중 일부 화소 또는 전체 화소에 걸쳐서 형성되게 할 수 있다. 상기 격막(107)은 상기 보조전극(105)과 접점되는 하단으로부터 상단으로 갈수록 면적이 점차 넓게 형성되며 경사지게 형성되어 유기 발광층(110) 적층시 격막과의 사이에 빈 공간을 형성하게 한다. 이는 증착시의 재료 비산이 직진성을 갖는 유기 발광층의 성막단계에서 유기발광층으로 피복되지 않는 빈 공간을 확보함으로써 유기발광층 성막에 의해 보조전극까지 완전히 피복되는 것을 방지하기 위한 구성이다.The diaphragm 107 is further formed on the auxiliary electrode 105. Before opening the diaphragm 107, a portion of the auxiliary electrode 105 is exposed to form an opening 105a, and the diaphragm 107 is formed on the opening 105a side. In this case, the opening 105a of the auxiliary electrode may be formed over some pixels or all pixels of the unit pixels of the display device region. The diaphragm 107 is gradually formed in an area from the lower end contacting the auxiliary electrode 105 to the upper end thereof and is formed to be inclined to form an empty space between the diaphragm and the diaphragm when the organic light emitting layer 110 is stacked. This is to prevent the material scattering during deposition from being completely covered with the organic light emitting layer in the film forming step of the organic light emitting layer having straightness, thereby preventing the organic light emitting layer film from being completely covered by the auxiliary electrode.

상기 보조전극(105)과 제2전극(104) 상부에는 도전층(108)이 형성된다. 상기 도전층(108)은 보조전극(105)과 제2전극(104)이 상호 통전되게 하는 구성으로 앞서 설명한 격막에 의해 형성된 빈 공간에 충진되어 통전된다. 상기 도전층(108)은 박막의 단차 피복성(step coverage)이 우수한 스퍼터링(Sputtering)이나 화학기상증착 (CVD)을 사용하거나, 경사증착법을 사용하여 빈 공간에 충진된다. A conductive layer 108 is formed on the auxiliary electrode 105 and the second electrode 104. The conductive layer 108 is configured to allow the auxiliary electrode 105 and the second electrode 104 to be energized with each other. The conductive layer 108 is filled and energized in the empty space formed by the aforementioned diaphragm. The conductive layer 108 is filled in the empty space using sputtering, chemical vapor deposition (CVD), or gradient deposition, which has excellent step coverage of the thin film.

상기 OLED 셀은 유기 발광층(110)과, 절연막(106)에 의하여 절연되며, 상기 유기 발광층(110)의 상하부에는 제1전극(112) 및 제2전극(104)을 구비한다.The OLED cell is insulated from the organic light emitting layer 110 and the insulating layer 106, and includes a first electrode 112 and a second electrode 104 above and below the organic light emitting layer 110.

상기 제2전극(104)은 투명 도전성 물질로 형성된다. 이 제2전극(104)에는 구동 전압원(VDD, 도 1 참조)으로부터 정공을 방출시키기 위한 구동 신호가 공급된다.The second electrode 104 is formed of a transparent conductive material. The second electrode 104 is supplied with a driving signal for releasing holes from the driving voltage source VDD (see FIG. 1).

상기 제1전극(112)은 드레인 접촉홀(134)을 통하여 구동용 TFT(T2)의 드레인 전극(128)과 접속되며, 상기 OLED 셀 영역마다 형성된다. 또한 상기 제1전극(112)에는 구동용 TFT(T2)의 드레인 전극(128)으로부터 전자를 방출시키기 위한 구동 신호가 공급된다.The first electrode 112 is connected to the drain electrode 128 of the driving TFT (T2) through the drain contact hole 134 and is formed in each of the OLED cell regions. In addition, the first electrode 112 is supplied with a driving signal for emitting electrons from the drain electrode 128 of the driving TFT (T2).

유기 발광층(110)은 전자 주입층(110a), 전자 수송층(110b), 발광층(110c), 전공 수송층(110d) 및 정공 주입층(110e)이 적층되어 형성된다. 또한 상기 유기 발 광층(110)에는 제1전극(112)과 제2전극(104)으로부터 구동 신호가 공급되면 제2전극(104) 전극에서 방출된 정공과 제1전극(112)에서 방출된 전자가 발광층(110c) 내에서 재결합함으로써 가시광을 발생한다. 이때, 발생된 가시광이 투명 전극인 제2전극(104)을 통하여 외부로 나오게 됨으로써 유기전계발광 표시소자의 화상을 표시한다.The organic emission layer 110 is formed by stacking the electron injection layer 110a, the electron transport layer 110b, the emission layer 110c, the hole transport layer 110d, and the hole injection layer 110e. In addition, when a driving signal is supplied from the first electrode 112 and the second electrode 104 to the organic light emitting layer 110, holes emitted from the electrode of the second electrode 104 and electrons emitted from the first electrode 112 are provided. Visible light is generated by recombination in the light emitting layer 110c. At this time, the generated visible light is emitted to the outside through the second electrode 104 which is a transparent electrode, thereby displaying an image of the organic light emitting display device.

위와 같이 도전층에 의해 보조전극과 OLED 제2전극을 연결함으로써 보조전극에 의해 제2전극의 저항이 작아지고 전압강하가 감소하므로 표시소자 영역 전체에 걸쳐 균일하게 전류를 전달될 수 있게 함으로써 휘도 균일도를 향상시킬 수 있다.By connecting the auxiliary electrode and the OLED second electrode by the conductive layer as described above, the resistance of the second electrode is reduced by the auxiliary electrode and the voltage drop is reduced, so that the current can be uniformly transmitted throughout the display element region. Can improve.

한편 상기 격막(107)은 상기 보조전극(105) 위에 유기 발광층(110)이 증착되는 것을 방지하기 위한 수단으로 사용하고 있는데, 상기 제1전극(112) 위에 유기 발광층(110)을 증착할 때 격막을 만들지 않고 보조전극 위까지 유기 발광층을 도포되게 한 후 식각 등을 통해 보조전극 위에 도포된 유기 발광층만을 제거한 후 보조전극 위 일부분 공간이 노출되게 한다. 즉, 상기 격막(107)은 앞서 설명한 바와 같이 유기 발광층이 보조전극을 완전히 피복하는 것을 방지하기 위한 수단으로 사용한 것으로 상기 유기 발광층이 보조전극에 접촉되지 않게 하기 위해서는 laser나 chemical 등을 사용한 식각 등의 방법을 사용해 해당 부분의 유기막을 제거함으로써 격막 공정을 대체하는 것이 가능하지만 식각 공정 중 유기막이 열화 또는 손실을 입거나 공정 후 오염물이 박막 내에 잔류할 가능성이 커서 OLED 신뢰성에 매우 나쁨 영향을 준다.Meanwhile, the diaphragm 107 is used as a means for preventing the organic light emitting layer 110 from being deposited on the auxiliary electrode 105. The diaphragm is deposited when the organic light emitting layer 110 is deposited on the first electrode 112. After the organic light emitting layer is applied up to the auxiliary electrode without making a etch, only the organic light emitting layer applied on the auxiliary electrode is removed by etching, and then a portion of the space above the auxiliary electrode is exposed. That is, the diaphragm 107 is used as a means for preventing the organic light emitting layer from completely covering the auxiliary electrode as described above. In order to prevent the organic light emitting layer from contacting the auxiliary electrode, etching is performed using a laser or chemical. It is possible to replace the diaphragm process by removing the organic layer of the part using the method, but the organic film is likely to deteriorate or lose during the etching process or contaminants remain in the thin film after the process, which greatly affects OLED reliability.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 실시예의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a manufacturing method of the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 6을 참조하면, 본 발명의 유기전계발광 표시소자 제조 방법은 1) 데이터 라인과 게이트 라인의 교차로 정의되는 전계발광 셀 영역을 가지는 기판 위에 보조전극을 형성하는 단계(S10); 2) 상기 셀 영역에 제1전극을 형성하는 단계(S20); 3) 보조전극 위에 격막을 형성하는 단계(S30) 4) 상기 제1전극 위에 유기 발광층을 형성하는 단계(S40); 5) 상기 유기 발광층 위에 제2전극을 형성하는 단계(S50); 및 6) 상기 제2전극 위에 도전층을 형성하여 보조전극과 제2전극을 연결하는 단계(S60); 를 포함한다. 단, S10 단계의 보조전극은 공정 또는 기판구조에 따라 기판 상부와 제2전극 사이의 특정한 위치에 형성한다.Referring to FIG. 6, the method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention includes: 1) forming an auxiliary electrode on a substrate having an electroluminescent cell region defined as an intersection of a data line and a gate line (S10); 2) forming a first electrode in the cell region (S20); 3) forming a diaphragm on the auxiliary electrode (S30) 4) forming an organic light emitting layer on the first electrode (S40); 5) forming a second electrode on the organic light emitting layer (S50); 6) forming a conductive layer on the second electrode to connect the auxiliary electrode and the second electrode (S60); It includes. However, the auxiliary electrode of step S10 is formed at a specific position between the upper substrate and the second electrode according to the process or substrate structure.

이때 3) 단계(S30) 격막 형성 단계에는 격막이 하단으로부터 상단으로 갈수록 면적이 점차 넓어지게 형성되도록하며, 격막 아래에 유기 발광층이 성막되지 않는 빈 공간이 형성된다. 상기 5) 단계(S50) 및 6) 단계(S60)에서 제2전극 및 도전층은 스퍼터링(Sputtering) 또는 화학기상증착(CVD), 경사증착법 또는 일반증착법 등의 여러가지 성막 방법 중 어느 하나에 의해 형성되게 한다. 본 실시예에서는 보조전극(105)을 TFT 이후 공정단계에서 TFT 상부에 형성하였지만 TFT 제작전 또는 TFT층 내부의 임의 위치에 형성할 수도 있는데 보조전극 형성 후 적절한 수단에 의해 최종적으로 제2전극 또는 도전층에 연결시키면 된다.At this time, step 3) in step S30 of forming the diaphragm, the diaphragm is formed to gradually increase in area from the lower end to the upper end, and an empty space in which the organic light emitting layer is not formed is formed below the diaphragm. In the step 5) S50 and the step S60, the second electrode and the conductive layer are formed by any one of various deposition methods such as sputtering or chemical vapor deposition (CVD), gradient deposition or general deposition. To be. In the present embodiment, the auxiliary electrode 105 is formed on the TFT in the process step after the TFT, but may be formed before manufacturing the TFT or at an arbitrary position inside the TFT layer. Just connect to the floor.

위 제작방법을 첨부된 도면을 통해 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.Looking at the above manufacturing method in detail through the accompanying drawings as follows.

도 7a를 참조하면, 게이트 전극(124), 게이트 절연막(136), 활성층(138), 소 스 전극(126), 드레인 전극(128), 접촉층(140)이 포함되는 스위칭용 TFT와 구동용 TFT(T2)가 형성된 기판(122) 위에 알루미늄(Al) 및 알루미늄네오듐(AlNd) 등을 포함하는 알루미늄계 금속을 전면 증착한 후 패터닝함으로써 드레인 접촉홀(134)을 통하여 구동용 TFT(T2)의 드레인 전극(128)과 접속되는 제1전극(112)을 형성한다. Referring to FIG. 7A, a switching TFT including a gate electrode 124, a gate insulating layer 136, an active layer 138, a source electrode 126, a drain electrode 128, and a contact layer 140 may be used. The driving TFT (T2) through the drain contact hole 134 by depositing and patterning an aluminum-based metal including aluminum (Al), aluminum neodium (AlNd), etc. on the substrate 122 on which the TFT (T2) is formed. The first electrode 112 is connected to the drain electrode 128 of.

다음으로 상기 구동용 TFT(T2) 위에 보조전극(105)을 증착시킨다. 여기서 상기 보조전극(105)은 상기 제1전극(112)과 동일한 소재를 이용하는 것이 바람직하다. 이때 상기 보조전극(105)은 구동용 TFT(T2)에 일정한 간격을 갖고 형성된다.Next, an auxiliary electrode 105 is deposited on the driving TFT T2. In this case, the auxiliary electrode 105 preferably uses the same material as the first electrode 112. At this time, the auxiliary electrode 105 is formed at regular intervals in the driving TFT (T2).

다음으로, 도 7b를 참조하면, 상기 보조전극(105)을 증착한 후 패터닝함으로써 보조전극(105)과 제1전극(112) 위에 유기 발광층(110)이 형성될 제1전극(112)의 일부와, 격막(107)이 형성될 보조전극(105) 위의 일부를 노출시켜 개구부(105a)를 형성한 상태로 절연막(106)을 형성한다. 이때 상기 보조전극의 개구부(105a)는 표시소자 영역의 단위화소 중 일부 화소 또는 전체 화소에 걸쳐서 형성되게 할 수 있다.Next, referring to FIG. 7B, a portion of the first electrode 112 on which the organic light emitting layer 110 is to be formed on the auxiliary electrode 105 and the first electrode 112 by depositing and patterning the auxiliary electrode 105. The insulating film 106 is formed in a state where the opening 105a is formed by exposing a portion of the auxiliary electrode 105 on which the diaphragm 107 is to be formed. In this case, the opening 105a of the auxiliary electrode may be formed over some pixels or all pixels of the unit pixels of the display device region.

다음으로, 도 7c를 참조하면, 노출된 보조전극(105) 위에 격막(107)을 형성한다. 상기 격막(107)은 보조전극(105)과 접촉되는 하단면에서 상부로 갈수록 점차 면적이 넓어지는 경사진 형태가 되게 형성시킨다.Next, referring to FIG. 7C, a diaphragm 107 is formed on the exposed auxiliary electrode 105. The diaphragm 107 is formed to be in an inclined form in which the area gradually increases from the bottom surface in contact with the auxiliary electrode 105 to the top.

다음으로, 도 7d를 참조하면, 상기 기판(122) 위에 유기 발광 물질을 증착하여 유기 발광층(110)을 형성하며, 연이어, 도 7e에 도시된 바와 같이 제2전극(104)을 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 전도성 물질, 또는 Al, AlLi, Mg, Ca, Ag, MgAg 등의 반투명 물질을 하나 이상의 층으로 형성한다. 이 때 상기 유기 발광층(110)이 보조전극(105) 위를 완전히 피복하는 것을 방지하기 위해 상기 격막(107)이 이용된다. 즉, 상기 유기 발광층(110)은 증착시 직진성이 강해 격막 아래에는 증착될 수 없기 때문에 상기 격막의 하단면과 상단면의 경사진 형태를 통해 보조전극과 유기 발광층 사이에 빈 공간을 형성하게 되는 것이다.Next, referring to FIG. 7D, an organic light emitting layer 110 is formed by depositing an organic light emitting material on the substrate 122. Subsequently, as shown in FIG. 7E, the second electrode 104 is indium tin (ITO). Oxide), a transparent conductive material such as Indium Zinc Oxide (IZO), or a translucent material such as Al, AlLi, Mg, Ca, Ag, MgAg, etc. are formed in one or more layers. In this case, the diaphragm 107 is used to prevent the organic light emitting layer 110 from completely covering the auxiliary electrode 105. That is, since the organic light emitting layer 110 has a strong straightness during deposition and cannot be deposited under the diaphragm, an empty space is formed between the auxiliary electrode and the organic light emitting layer through the inclined shape of the bottom and top surfaces of the diaphragm. .

상기 격막(107)은 상기 보조전극(105) 위에 유기 발광층(110)이 증착되는 것을 방지하기 위한 수단으로 사용하고 있는데, 상기 제1전극(112) 위에 유기 발광층(110) 증착시 격막을 이용하지 않은 상태로 보조전극 위까지 유기 발광층을 도포되게 한 후 식각 공정을 통해 보조전극 위에 도포된 유기 발광층만을 일부 제거한 후 보조전극 위 일부분 공간이 노출되게 하여 다음 공정인 제2전극(104)에 의해 연결시키는 것이 가능하다. 즉 상기 격막(107)은 앞서 설명한 바와 같이 유기 발광층이 보조전극을 완전히 피복하는 것을 방지하기 위한 수단으로 상기 유기 발광층이 보조전극에 접촉되지 않게 하기 위한 식각 공정을 격막으로 대체하는 것이 가능하다. The diaphragm 107 is used as a means for preventing the organic light emitting layer 110 from being deposited on the auxiliary electrode 105. When the organic light emitting layer 110 is deposited on the first electrode 112, the diaphragm is not used. After the organic light emitting layer is applied to the auxiliary electrode in an undesired state, only a portion of the organic light emitting layer coated on the auxiliary electrode is removed through an etching process, and then a portion of the space is exposed on the auxiliary electrode and connected by the second electrode 104. It is possible to let. That is, the diaphragm 107 is a means for preventing the organic light emitting layer from completely covering the auxiliary electrode as described above, and it is possible to replace the etching process for preventing the organic light emitting layer from contacting the auxiliary electrode with the diaphragm.

다음으로, 도 7f를 참조하면, 제2전극(104)이 형성된 위에 스퍼터링(Sputtering) 또는 화학기상증착(CVD) 중 선택된 어느 하나를 이용해 도전층(108)을 성막하여 증착된 도전층(108)이 격막에 의해 형성된 빈 공간에 침투하여 보조전극(105)까지 도포되게 함으로써 제2전극과 보조전극이 연결되게 한다.Next, referring to FIG. 7F, the conductive layer 108 is formed by depositing the conductive layer 108 using any one selected from sputtering or chemical vapor deposition (CVD) on the second electrode 104. The second electrode and the auxiliary electrode are connected by penetrating into the empty space formed by the diaphragm to be applied to the auxiliary electrode 105.

도 7f에서는 도전층(108)을 이용하여 보조전극과 제2전극을 연결하였지만 도 7e의 제2전극(104)으로 사용할 수 있는 ITO, IZO 등의 성막 방법인 sputtering을 사용하면 격막이 있어도 제2전극 성막 단계에서 보조전극과 제2전극이 연결되므로 이후 공정인 도전층 형성 공정을 생략할 수도 있다. 즉, 제2전극의 성막방법이 직진성이 우수한 열증착(thermal evaporation) 같은 방법을 사용하는 경우에만 피복성이 우수한 CVD나 sputtering 등을 이용한 도전층을 제2전극 위에 형성한다. In FIG. 7F, the auxiliary electrode and the second electrode are connected using the conductive layer 108, but sputtering, which is a deposition method such as ITO or IZO, which can be used as the second electrode 104 of FIG. Since the auxiliary electrode and the second electrode are connected in the electrode film forming step, a subsequent conductive layer forming process may be omitted. That is, a conductive layer using CVD, sputtering, or the like having excellent coating property is formed on the second electrode only when the method of forming the second electrode uses a method such as thermal evaporation with excellent straightness.

이와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법은 제2전극(104)과 접촉되는 보조전극(105)을 구동용 TFT 주위에 배치되게 함으로써 제2전극(104) 및 제1전극(112)에 흐르는 전류가 OLED 전체면적에 대해 균일하게 전류 공급을 할 수 있어 전체면적에 균일한 휘도를 얻을 수 있게 된다.As described above, the organic light emitting display device and the method of manufacturing the same according to the embodiment of the present invention include the second electrode 104 and the auxiliary electrode 105 in contact with the second electrode 104 by being disposed around the driving TFT. The current flowing through the first electrode 112 can supply the current uniformly to the entire area of the OLED, thereby obtaining a uniform luminance over the entire area.

본 발명은 상기에 기술된 실시 예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications and changes can be made by those skilled in the art, which are included in the spirit and scope of the present invention as defined in the appended claims.

도 1은 종래의 유기전계발광 표시소자를 등가적으로 나타내는 회로도.1 is an equivalent circuit diagram of a conventional organic light emitting display device.

도 2는 도 1에 도시된 유기전계발광 표시소자의 일부 영역을 나타내는 단면도.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a partial region of the organic light emitting display device illustrated in FIG. 1. FIG.

도 3은 유기전계발광 표시소자의 발광원리를 설명하기 위한 도면.3 is a view for explaining the light emission principle of the organic light emitting display device.

도 4는 일반적인 유기전계발광 표시소자로 만든 패널을 나타내는 평면도.4 is a plan view showing a panel made of a general organic light emitting display device.

도 5는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자를 나타내는 단면도. 5 is a cross-sectional view of an organic light emitting display device according to the present invention;

도 6은 본 발명의 유기전계발광 표시소자 제조방법을 나타내는 블록도.6 is a block diagram illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention.

도 7a 내지 도 7f는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시소자의 제조방법을 나타내는 공정도.7A to 7F are flowcharts illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to the present invention.

<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

104 : 제2전극 105 : 보조전극104: second electrode 105: auxiliary electrode

106 : 절연막 107 : 격막106: insulating film 107: diaphragm

108 : 도전층 110 : 유기 발광층108: conductive layer 110: organic light emitting layer

112 : 제1전극112: first electrode

Claims (9)

유리, 금속 또는 플리스틱 중 선택된 어느 하나로 이루어지는 표시소자용 기판;A display element substrate made of any one selected from glass, metal, and plastic; 상기 기판 위에 형성된 유기전계발광 표시소자 구동용 박막 트랜지스터;A thin film transistor for driving an organic light emitting display element formed on the substrate; 상기 기판 위에서 박막 트랜지스터의 데이터 라인과 게이트 라인의 교차로 정의되는 단위화소 및 단위화소의 모임으로 이루어진 표시소자 영역;A display element region formed on the substrate, the unit pixel and a collection of unit pixels defined by intersections of data lines and gate lines of the thin film transistor; 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되는 유기전계발광 표시소자용 제1전극;A first electrode for an organic light emitting display device formed on the thin film transistor; 상기 기판 위에 형성된 유기전계발광 표시소자용 보조전극;An auxiliary electrode for an organic light emitting display device formed on the substrate; 상기 보조전극의 일부분을 노출시켜 만드는 보조전극 개구부;      An auxiliary electrode opening formed by exposing a part of the auxiliary electrode; 상기 보조전극 개구부 위에 형성된 격막;A diaphragm formed on the auxiliary electrode opening; 상기 제1전극 위에 형성된 유기 발광층; 및An organic emission layer formed on the first electrode; And 상기 유기 발광층 위에 형성된 유기전계발광 표시소자용 제2전극; 을 포함하며,A second electrode for an organic light emitting display device formed on the organic light emitting layer; Including; 상기 제2전극 위에 제2전극의 일부분이 되도록 형성하는 도전층을 가지는 유기전계발광 표시소자에서, 상기 격막을 이용하여 상기 제2전극 또는 상기 도전층이 보조전극과 연결되어 상기 제2전극의 저항을 줄이는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.In an organic light emitting display device having a conductive layer formed on the second electrode so as to be a part of the second electrode, the second electrode or the conductive layer is connected to an auxiliary electrode by using the diaphragm so that the resistance of the second electrode is increased. An organic light emitting display device, characterized in that to reduce. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 보조전극은 기판과 유기전계발광 표시소자의 제2전극 사이에, 구동용 트랜지스터 일부로 형성하거나 독립적인 배선으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자. And the auxiliary electrode is formed as part of a driving transistor or is formed by independent wiring between the substrate and the second electrode of the organic light emitting display device. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 개구부는 표시소자 영역의 단위화소 중 일부 화소 또는 전체 화소에 걸쳐서 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.And the opening is formed over some pixels or all pixels of the unit pixels of the display device region. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 격막은 격막 주위의 적어도 일부분 하단으로부터 상단으로 갈수록 점차 넓어지게 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.And the diaphragm is gradually widened from the lower end to the upper end of at least a portion around the diaphragm. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,The method according to claim 1 or 4, 상기 격막은 각 보조전극 개구부에 적어도 하나 이상이 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.At least one separator is formed in each of the auxiliary electrode openings. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2전극은 스퍼터링(Sputtering) 또는 화학기상증착(CVD)을 이용해 도전층 없이 보조전극과 연결하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.And the second electrode is connected to an auxiliary electrode without a conductive layer by sputtering or chemical vapor deposition (CVD). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2전극이 열증착에 의해 형성되는 경우 스퍼터링(Sputtering) 또는 화학기상증착(CVD)에 의해 도전층을 형성시켜 보조전극과 연결하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.When the second electrode is formed by thermal evaporation, an organic light emitting display device, characterized in that a conductive layer is formed by sputtering or chemical vapor deposition (CVD) and connected to an auxiliary electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2전극이 열증착에 의해 형성되는 경우 기판을 기울여 제2전극을 증착시켜 격막의 빈공간으로 제2전극이 성막되어 보조전극과 연결하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자.And when the second electrode is formed by thermal evaporation, the substrate is inclined to deposit the second electrode, and the second electrode is formed into an empty space of the diaphragm to be connected to the auxiliary electrode. 1) 유리, 금속 또는 플리스틱 중 선택된 어느 하나로 이루어지는 표시소자용 기판과 상기 기판 위에 형성된 유기전계발광 표시소자 구동용 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;1) forming a substrate for a display device made of any one selected from glass, metal or plastic and a thin film transistor for driving an organic light emitting display device formed on the substrate; 2) 상기 박막 트랜지스터 상부에 형성되는 유기전계발광 표시소자용 제1전극을 형성하는 단계;2) forming a first electrode for an organic light emitting display device formed on the thin film transistor; 3) 상기 기판 위에 유기전계발광 표시소자용 보조전극을 형성하고, 보조전극의 일부분을 노출시켜 개구부를 만드는 단계;3) forming an auxiliary electrode for an organic light emitting display device on the substrate, and exposing a portion of the auxiliary electrode to form an opening; 4) 상기 보조전극의 개구부 위에 격막을 형성하는 단계;4) forming a diaphragm over the opening of the auxiliary electrode; 5) 상기 제1전극 위에 유기 발광층을 형성하는 단계;5) forming an organic emission layer on the first electrode; 6) 상기 유기 발광층 위에 유기전계발광 표시소자용 제2전극을 형성하는 단계; 및6) forming a second electrode for an organic light emitting display device on the organic light emitting layer; And 7) 상기 제2전극 위에 제2전극의 일부분이 되도록 도전층을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시소자의 제조방법.7) forming a conductive layer on the second electrode to be part of the second electrode; Method for manufacturing an organic light emitting display device comprising a.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101084190B1 (en) * 2010-02-16 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display and manufacturing method thereof
CN102916030A (en) * 2011-08-03 2013-02-06 尹根千 Organic electroluminescence display element and manufacturing method thereof
CN103066212A (en) * 2011-09-02 2013-04-24 乐金显示有限公司 Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
WO2014104774A1 (en) * 2012-12-27 2014-07-03 LG Display Co.,Ltd. Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US8963137B2 (en) 2011-09-02 2015-02-24 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
WO2015163719A1 (en) * 2014-04-25 2015-10-29 주식회사 엘지화학 Organic light emitting device
KR101622563B1 (en) * 2009-12-18 2016-05-19 엘지디스플레이 주식회사 Top emission type organic Electroluminescent Device
KR20210099542A (en) * 2014-10-22 2021-08-12 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus and the fabrication method thereof

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006343A (en) 2002-05-03 2004-01-08 Lg Phillips Lcd Co Ltd Organic electroluminescent element and its of manufacturing process

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006343A (en) 2002-05-03 2004-01-08 Lg Phillips Lcd Co Ltd Organic electroluminescent element and its of manufacturing process

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101622563B1 (en) * 2009-12-18 2016-05-19 엘지디스플레이 주식회사 Top emission type organic Electroluminescent Device
KR101084190B1 (en) * 2010-02-16 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display and manufacturing method thereof
CN102916030A (en) * 2011-08-03 2013-02-06 尹根千 Organic electroluminescence display element and manufacturing method thereof
CN103066212A (en) * 2011-09-02 2013-04-24 乐金显示有限公司 Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
US8963137B2 (en) 2011-09-02 2015-02-24 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of fabricating the same
CN103066212B (en) * 2011-09-02 2016-08-24 乐金显示有限公司 Organic light-emitting display device and manufacture method thereof
WO2014104774A1 (en) * 2012-12-27 2014-07-03 LG Display Co.,Ltd. Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
US9076993B2 (en) 2012-12-27 2015-07-07 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
CN104885252A (en) * 2012-12-27 2015-09-02 乐金显示有限公司 Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
WO2015163719A1 (en) * 2014-04-25 2015-10-29 주식회사 엘지화학 Organic light emitting device
KR20210099542A (en) * 2014-10-22 2021-08-12 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus and the fabrication method thereof
KR102410523B1 (en) * 2014-10-22 2022-06-23 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus and the fabrication method thereof

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