KR100915931B1

KR100915931B1 - 반도체 장치 및 반도체 측정 장치

Info

Publication number: KR100915931B1
Application number: KR1020070063651A
Authority: KR
Inventors: 도시키 기시오카; 요이치 시야와
Original assignee: 가부시키가이샤 리코
Priority date: 2006-06-28
Filing date: 2007-06-27
Publication date: 2009-09-07
Also published as: CN101097241A; JP4746489B2; KR20080001639A; CN101097241B; JP2008008714A

Abstract

본 발명은 반도체 장치의 외부 단자의 전류 및 전압 측정에 있어서 켈빈 콘택트 프로브 및 전압 측정 수단이 불필요한 반도체 장치 및 반도체 측정 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

반도체 장치(210)는 부하를 접속하기 위한 단자(A)와, 부하에 전류를 공급하기 위한 전류 드라이브용 트랜지스터(M1)와, 단자(A)의 전압과 기준 전압(Vref)을 비교하는 비교기(211)와, 비교기(211)의 출력에 접속된 단자(B)를 구비하고, 단자(A)가 기준 전압(Vref)으로 되었을 때, 단자(B)로부터 출력되는 신호의 신호 레벨을 변화시킨다. 반도체 측정 장치(220)는 단자(B)로부터 출력되는 신호의 신호 레벨이 변화한 시점의 단자(A)의 전류값을 판독하기 때문에, 단자(A)의 전압을 직접 측정하지 않고도 단자(A)의 전압과 전류값을 측정할 수 있다.

반도체 장치, 비교기, 반도체 측정 장치, 전류 측정 회로, NMOS 트랜지스터

Description

반도체 장치 및 반도체 측정 장치{SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEASURING DEVICE}

도 1은 종래의 LED 구동 회로를 나타내는 도면.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 장치(210)와 반도체 측정 장치(220)의 회로도의 일례를 나타내는 도면.

도 3은 반도체 장치(210)의 전기 특성의 일례를 나타내는 도면.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 장치(210A)와 반도체 측정 장치(220)의 회로도의 일례를 나타내는 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

210, 210A　 반도체 장치

211　 비교기

212　 전류원

220　 반도체 측정 장치

221　 전류 측정 회로

A, B, C　 단자

M1, M2　 NMOS 트랜지스터

Vt　 가변 전압원

본 발명은 반도체 장치 및 반도체 측정 장치에 관한 것이다.

조명용 LED(Light Emitting Diode)나 표시용 LED에 전류를 공급하는 전류 드라이브용 트랜지스터를 내장한 반도체 장치에서는, 전류 드라이브용 트랜지스터의 출력이 접속되어 있는 외부 단자의 사양으로서 예컨대, 외부 단자의 전압이 소정의 전압(예컨대 0.4 V)일 때에, 부하 전류가 소정의 전류(예컨대 300 mA) 이상인 것으로 기정되어 있다.

이와 같이 LED에 전류를 공급하는 반도체 장치로서는, 예컨대 일본 특허 공개 공보 2002－319707호의 도 15에 나타낸 바와 같은 LED 구동 회로가 알려져 있다. 도 1은 상기 공보의 도 15에 나타낸 종래의 LED 구동 회로를 나타내는 도면이다.

LED 구동 회로(100)의 전원 단자(10)에는 전원 전압(VDD)이 인가된다. 정전류 발생 회로(15)에서는 기준 전압 회로(11)의 출력 전압(Vref)과 저항(13)의 전압(Va)과의 차이 전압을 오차 증폭 회로(12)가 증폭하고, 이 증폭된 차이 전압이 트랜지스터(14)의 게이트 전압을 제어하고 있다. LED 구동 회로(100)의 외부 단자(1) 및 외부 단자(2)에는 각각 LED(19)와 LED(20)가 접속된다. 여기서, 트랜지스터(14) 및 트랜지스터(16)에는 저항(13)에 흐르는 전류와 동일한 전류가 흐른다. LED 구동 회로(100)에서는 전류 미러 회로를 구성하는 트랜지스터(16, 17, 18)는 모두 동일한 특성이기 때문에, 트랜지스터(17, 18)에도 트랜지스터(16)와 동일한 전류가 흐른다. 이 트랜지스터(17, 18)에 흐르는 전류에 의해 LED(19), LED(20)가 점등된다.

이와 같은 반도체 장치에서는 반도체 장치가 실제로 기정된 대로 동작하고 있는지를 확인하기 위하여, 반도체 장치의 외부 단자의 전류 및 전압을 측정한다.

이 측정에 있어서, 외부 단자에 전류를 공급하면서 단자 전압을 측정하는 경우에는, 측정 장치로부터 반도체 장치의 외부 단자까지에 존재하는 측정 장치 내의 배선 저항, IC 소켓의 배선 저항, IC 소켓과 외부 단자의 접촉 저항 등으로 인한 전압 강하때문에 정확한 전압 측정이 어렵다.

이에, 종래에는 켈빈 콘택트 프로브로 불리는 특수한 프로브를 이용하여 반도체 장치의 외부 단자의 전류 및 전압을 측정하고 있다. 이 프로브는 전류를 공급하는 포스(force) 프로브와 전압을 검출하는 센스(sense) 프로브를 절연시킨 상태의 것이며, 이 2개의 프로브를 반도체 장치의 외부 단자에 접촉시킨다.

예컨대, 반도체 장치의 외부 단자가 리드 타입의 IC인 경우의 켈빈 콘택트 프로브에 대하여, 일본 특허 공개 공보 2004－150981호에 기재되어 있다. 상기 공보에는 리드 단자의 치수 불균일의 영향을 받지 않고 2개의 측정용 접촉자를 리드 단자에 확실히 접촉시키는 반도체 장치의 전기적 특성 측정 장치 및 전기적 특성 측정 방법이 기재되어 있다.

또, 예컨대 반도체 장치의 외부 단자가 BAG 패키지와 같은 땜납 볼인 경우에 대하여 일본 특허 공개 공보 2005－28335호나 일본 특허 공개 공보 2006－38459호 에 기재되어 있다. 상기 특허 공개 공보 2005－28335호에는 땜납 볼을 두 개의 탐침으로 지장 없이 검사할 수 있는 2 탐침 켈빈 프로브가 기재되어 있다. 또 상기 특허 공개 공보 2006－38459호에는 BAG 패키지에 수납된 소자의 전기적 특성을 정밀도 높게 측정하는 BAG 패키지용 검사 기구 및 검사 방법이 기재되어 있다.

또한, 반도체 장치의 외부 단자의 전류 및 전압 측정에 있어서 상술한 바와 같은 켈빈 콘택트 프로브를 사용하지 않는 경우, 반도체 장치 내에서 외부 단자를 2개로 나누어 전류 공급용 단자와 전압 측정용 단자를 독립적으로 마련하고 있다.

그러나, 근래의 IC 패키지의 소형화에 따라 반도체 장치의 외부 단자의 형상은 아주 작아지고 있다. 켈빈 콘택트 프로브를 이용한 측정에서는 2개의 전극을 절연한 상태에서 1개의 외부 단자에 접촉시키기 때문에, 외부 단자 소형화에 따라 접촉 신뢰성이 저하한다. 또, 켈빈 콘택트 프로브 자체의 소형화에도 한도가 있다. 또, 반도체 장치의 외부 단자를 전류 공급 단자와 전압 검출 단자의 2개로 나눈 경우에도 반도체 측정 장치에는 전류 공급 수단 외에 전압 측정 수단이 필요하여 반도체 측정 장치가 번잡하고 또 고가로 된다.

본 발명은 이와 같은 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 반도체 장치의 외부 단자의 전류 및 전압 측정에 있어서, 켈빈 콘택트 프로브 및 전압 측정 수단이 불필요한 반도체 장치 및 반도체 측정 장치를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 반도체 장치 및 반도체 측정 장치 는 다음과 같은 구성을 채용하였다.

본 발명의 반도체 장치는 부하를 접속하기 위한 외부 단자를 구비하고, 상기 부하에 전류를 공급하기 위한 전류 드라이브용 트랜지스터를 내장한 반도체 장치에 있어서, 상기 외부 단자의 전압과 기준 전압을 비교하는 비교기와, 상기 비교기의 출력에 접속된 외부 단자를 구비하는 구성으로 하였다.

이 구성에 의하면, 상기 외부 단자의 전압이 기준 전압에 도달한 시점에서 그 취지를 나타내는 신호를 출력할 수 있다.

또, 본 발명의 반도체 장치는 전원 전압을 승압하여 상기 부하에 전력을 공급하는 승압 회로를 구비하고, 상기 승압 회로는 상기 비교기의 출력에 근거하여 승압율이 변화되는 구성으로 할 수 있다.

상기 구성에 의하면, 새롭게 비교기를 추가할 필요가 없어 회로 규모의 증대를 억제할 수 있다.

본 발명의 반도체 측정 장치는 부하를 접속하기 위한 제1 외부 단자와, 상기 부하에 전류를 공급하기 위한 전류 드라이브용 트랜지스터와, 상기 제1 외부 단자의 전압과 기준 전압을 비교하는 비교기와, 상기 비교기의 출력에 접속된 제2 외부 단자를 구비하는 반도체 장치와 관련된 반도체 측정 장치로서, 상기 제1 외부 단자에 전압을 공급하는 가변 전압원과, 상기 제1 외부 단자와, 상기 가변 전압원과의 사이에 흐르는 전류를 측정하는 전류 측정 회로를 구비하고, 상기 제2 외부 단자의 전압 레벨이 변화할 때, 상기 전류 측정 회로의 전류값을 판독하는 구성으로 하였다.

이 구성에 의하면, 상기 제2 외부 단자의 전압 레벨이 변화한 시점의 상기 전류 측정 회로의 전류값을 판독하기 때문에, 켈빈 콘택트 프로브와 전압 측정 수단이 불필요하게 된다.

실시예

본 발명의 반도체 장치는 부하에 전류를 공급하기 위한 전류 드라이브용 트랜지스터를 내장하고, 부하를 접속하기 위한 제1 외부 단자와, 제1 외부 단자의 전압과 기준 전압을 비교하는 비교기와, 비교기의 출력에 접속된 제2 외부 단자를 구비한다. 그리고, 반도체 장치는 제1 외부 단자가 기준 전압에 도달하였을 때, 제2 외부 단자로부터 출력되는 신호의 신호 레벨을 변화시킨다.

또, 본 발명의 반도체 측정 장치는 제1 외부 단자에 전압을 공급하는 가변 전압원과, 제1 외부 단자와 가변 전압원 사이에 흐르는 전류를 측정하는 전류 측정 회로를 구비하고, 제2 외부 단자의 전압 레벨이 변화하였을 때, 전류 측정 회로의 전류값을 판독한다. 이것에 의해, 반도체 측정 장치는 반도체 장치의 제1 외부 단자에 있어서, 그 전압이 기준 전압에 도달하였을 때의 전류값을 측정할 수 있다.

제1 실시예

아래에 도면을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 대하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 제1 실시예의 반도체 장치(210)와 반도체 측정 장치(220)의 회로도의 일례를 나타내는 도면이다.

반도체 장치(210)는 반도체 장치(210)의 사양으로서 기정의 전기 특성을 만족시키도록 제조되어 있고, 반도체 측정 장치(220)는 반도체 장치(210)의 전기 특 성을 측정한다.

아래에 반도체 장치(210)에 대하여 설명한다.

반도체 장치(210)는 비교기(211), 전류원(212), NMOS 트랜지스터(M1, M2)를 구비한다. 또, 반도체 장치(210)는 제1 외부 단자인 단자(A), 제2 외부 단자인 단자(B)를 구비하고 있다.

비교기(211)의 반전 입력 단자에는 기준 전압(Vref)이 인가되고, 비반전 입력 단자는 단자(A)에 접속된다. 그리고, 비교기(211)의 출력 단자는 단자(B)에 접속된다.

NMOS 트랜지스터(M1, M2)는 각각의 소스가 접지되고, 게이트가 공통 접속된다. 이 공통 접속된 게이트는 NMOS 트랜지스터(M2)의 드레인에 접속된다. NMOS 트랜지스터(M2)의 드레인에는 전류원(212)이 접속되고, 이 전류원(212)에 의해 NMOS 트랜지스터(M2)의 드레인 전류가 공급된다. 또한, 본 실시예의 전류원(212)은 예컨대 배경 기술에서 설명한 도 1의 정전류 발생 회로(15)와 동일한 구성이어도 좋다. NMOS 트랜지스터(M1)의 드레인은 단자(A)에 접속된다.

여기서, NMOS 트랜지스터(M1, M2)는 전류 미러 회로를 구성한다. 따라서, NMOS 트랜지스터(M1)의 드레인 전류는 전류원(212)에 의해 공급되는 전류와 비례한 전류로 된다. 예컨대 NMOS 트랜지스터(M1)와 NMOS 트랜지스터(M2)의 소자 사이즈 비가 1000：1이 된 경우에는, NMOS 트랜지스터(M1)의 드레인 전류는 전류원(212)으로부터 공급되는 전류의 1000배가 된다.

본 실시예의 반도체 장치(210)는 예컨대 LED 구동 회로이며, 단자(A)와 반도 체 장치(210)의 외부에 마련된 도시하지 않는 전원 간에 부하로 되는 LED가 접속되어 사용되어도 좋다.

또, 반도체 장치(210)의 전기 특성이란, 예컨대 [단자(A)의 전압이 소정 전압일 때, 단자(A)에 접속된 부하에 대하여 소정의 전류를 공급하는] 것으로서, 본 실시예에서는 소정의 전압을 0.4 V, 소정의 전류원을 300 mA로 하였다.

다음에, 반도체 측정 장치에 대하여 설명한다.

반도체 측정 장치(220)는 전류 측정 회로(221)와 가변 전압원(Vt)을 구비한다. 또, 반도체 측정 장치(220)는 반도체 장치(210)의 단자(A)에 접속된 단자(a), 반도체 장치(210)의 단자(B)에 접속된 단자(b)를 구비한다. 반도체 측정 장치(220)는 반도체 장치(210)의 단자(A)의 전압이 소정의 전압에 도달하였을 때의 단자(A)에 흐르는 전류값을 판독함으로써 반도체 장치(210)의 전기 특성을 측정한다.

가변 전압원(Vt)은 그 일단이 접지되고, 타단이 전압 측정 회로(221)를 통하여 단자(a)에 접속되며, 단자(a)로부터 저항(R1)을 통하여 단자(A)에 전압을 공급한다. 여기서, 저항(R1)은 반도체 측정 장치(220)로부터 반도체 장치(210)의 단자(A)까지 존재하는 모든 배선 저항의 총 합을 나타내고 있다. 본 실시예의 저항(R1)에는 예컨대 반도체 측정 장치(220) 내의 배선 저항, IC 소켓의 배선 저항, IC 소켓과 단자(A)의 접촉 저항 등이 포함된다.

전류 측정 회로(221)는 가변 전압원(Vt)과 단자(A)의 사이에 흐르는 전류의 전류값을 측정하는 회로로서, 단자(b)와 접속된다. 전류 측정 회로(221)는 단자(b)로부터 공급되는 신호에 근거하여 가변 전압원(Vt)과 단자(A) 간의 전류값을 판독 한다.

다음에, 반도체 측정 장치(220)에 의한 반도체 장치(210)의 전기 특성 측정 순서에 대하여 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3은 반도체 장치(210)의 전기 특성의 일례를 나타내는 도면이다.

반도체 장치(210)의 기준 전압(Vref)은 사양에서 결정된 소정의 전압과 동일한 전압으로 설정되어 있다. 따라서 본 실시예에서의 소정의 전압은 0.4 V이기 때문에, 기준 전압(Vref)은 0.4 V로 설정되어 있다.

여기서 반도체 측정 장치(220)가 구비하는 가변 전압원(Vt)의 전압을 서서히 높여 가면, 도 3에 나타낸 바와 같이, NMOS 트랜지스터(M1)의 드레인 전류(Id)가 증가하는 동시에, 단자(A)의 전압이 상승한다. 이 때 단자(A)의 전압은 가변 전압원(Vt)으로부터 저항(R1)의 전압 강하를 뺀 전압이 된다.

여기서, 단자(A)의 전압이 기준 전압(Vref)(0.4 V)에 도달하면, 비교기(211)의 출력은 저레벨(이하, L레벨)로부터 고레벨(이하, H레벨)로 전환된다. 이 H레벨 신호는 단자(B)로부터 반도체 측정 장치(220)의 단자(b)를 통하여 전류 측정 회로(221)에 공급된다.

반도체 측정 장치(220)에서는 이 H레벨의 신호를 접수하면 전류 측정 회로(221)가 가변 전압원(Vt)과 단자(A)의 사이에 흐르는 전류의 전류값을 판독한다.

이와 같이 하면, 반도체 측정 장치(220)에서는 단자(A)의 전압이 소정의 전압인 0.4 V에 도달한 시점의 단자(A)에 흐르는 전류값을 측정할 수 있다. 이 때 단자(A)에 흐르는 전류가 소정의 전류인 300 mA이면, 반도체 장치(210)는 기정의 전 기 특성을 만족시킨다고 할 수 있다. 즉, 반도체 측정 장치(220)는 반도체 장치(210)가 기정의 전기 특성을 만족시키고 있는지를 측정할 수 있다. 이와 같은 측정은 예컨대 반도체 장치(210)가 출하되는 직전 등에 수행되어도 좋다.

이상으로 설명한 바와 같이, 본 발명의 반도체 장치(210) 및 반도체 측정 장치(220)에 의하면, 켈빈 콘택트 프로브를 이용하지 않고 반도체 장치(210)의 전기 특성을 측정할 수 있다. 또한 본 발명의 반도체 장치(210) 및 반도체 측정 장치(220)에 의하면, 반도체 측정 장치(220)는 반도체 장치(210)의 단자(A) 전압이 반도체 장치(210) 내부의 설정된 기준 전압에 도달하였을 때의 단자(A)의 전류값을 판독하고 있기 때문에, 단자(A)의 전압을 직접 측정하지 않고도 단자(A)의 전압과 전류를 측정할 수 있다. 따라서, 반도체 측정 장치(220)에서는 전압 측정 수단을 마련할 필요가 없어 보다 간소하고도 저비용의 반도체 측정 장치를 실현할 수 있다.

제2 실시예

아래에 도 4를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 대하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 제2 실시예의 반도체 장치(210A)와 반도체 측정 장치(220)의 회로도의 일례를 나타내는 도면이다.

제2 실시예와 제1 실시예의 다른 점은 반도체 장치(210A) 내에 챠지 펌프 회로(213)가 마련된 점과, 챠지 펌프 회로(213)의 입력 단자(IN)에 입력되는 전원 전압(Vin)과 챠지 펌프 회로(213)의 출력(OUT)이 접속되는 단자(C)가 마련된 점이다. 따라서, 도 4의 설명에서는 실시예 1과 상이한 점에 대해서만 설명하고, 실시예 1 과 동일한 구성 및 기능을 구비하는 부분은 도 2와 동일한 부호를 부여하고, 설명을 생략한다.

챠지 펌프 회로(213)는 입력 단자(IN)와 출력 단자(OUT) 및 승압율 제어 단자(CTL)를 구비하고 있다. 챠지 펌프 회로(213)는 승압 회로이며, 입력 단자(IN)에 인가되는 전원 전압(Vin)을 소정의 승압율로 승압하여 출력한다. 또, 챠지 펌프 회로(213)는 승압율 제어 단자(CTL)에 인가되는 신호에 따른 승압율로 전원 전압(Vin)을 승압시킨다. 그리고, 이 승압된 전압을 출력 단자(OUT)로부터 출력한다.

출력 단자(OUT)는 단자(C)와 접속된다. 단자(C)에 공급된 전압은 단자(C)에 접속되는 도시하지 않는 부하에 공급되는 전원으로서 사용된다. 이 경우, 도시하지 않는 부하는 예컨대 LED 등이며, 단자(C)와 단자(A)의 사이에 접속되어도 좋다.

승압율 제어 단자(CTL)는 비교기(211)의 출력 단자와 접속되고, 챠지 펌프 회로(213)의 승압율은 비교기(211)의 출력에 따라 제어된다. 본 실시예에서는 챠지 펌프 회로(213)는 단자(A)의 전압이 기준 전압(Vref) 이하인 경우, 즉 비교기(211)의 출력이 L레벨일 때 승압율을 높인다. 즉, 단자(C)의 전압은 단자(A)의 전압이 기준 전압(Vref) 이하인 경우에 전원 전압(Vin)과 비교하여 고전압이 된다. 또한, 챠지 펌프 회로(213)의 승압율 및 그 제어에 대해서는 후술한다.

이와 같이 하면, 예컨대 단자(A)와 단자(C) 간에 부하가 되는 LED 등이 접속되었을 경우에, 단자(A)의 전압을 기준 전압(Vref)까지 상승시킬 수 있으므로, 반도체 장치(210A)가 부하에 대하여 충분한 전류를 공급할 수 있는 상태로 할 수 있다. 또, 챠지 펌프 회로(213)에서는 단자(A)의 전압이 기준 전압(Vref)에 도달하였 을 때, 즉 비교기(211)의 출력이 H레벨로 되었을 때, 승압율을 낮게 하여도 좋다.

여기서 챠지 펌프 회로(213)의 승압율에 대하여 설명한다. 챠지 펌프 회로(213)에서는 예컨대 1.5배, 2배 등과 같이 승압율을 선택적으로 설정할 수 있도록 하여도 좋다. 이 경우, 챠지 펌프 회로(213)는 승압율 제어 단자(CTL)에 인가되는 신호가 L레벨일 때, 승압율을 2배로 설정하고 입력 단자(IN)에 인가된 전원 전압(Vin)을 승압하여도 좋다. 또, 챠지 펌프 회로(213)는 승압율 제어 단자(CTL)에 인가되는 신호가 H레벨일 때, 승압율을 1.5배로 설정하고 입력 단자(IN)에 인가된 전원 전압(Vin)을 승압하여도 좋다. 또한, 챠지 펌프 회로(213)는 인덕터나 콘덴서 등을 이용하여 실현하여도 좋다.

본 실시예에서의 반도체 측정 장치(220)에 의한 반도체 장치(210A)의 전기 특성 측정 순서는 실시예 1과 동일하다.

즉, 본 실시예에 의하면, 챠지 펌프 회로(213)의 승압율 설정용의 비교기(211)를 반도체 장치(210A)의 전기 특성 측정용으로서 겸용할 수 있다. 이 때문에 본 실시예의 반도체 장치(210A)에서는 회로 규모의 증대 및 고비용화를 억제할 수 있다.

이상, 각 실시예에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 반도체 장치 및 반도체 측정 장치에 의하면, 켈빈 콘택트 프로브를 이용하지 않고 반도체 장치의 전기 특성을 측정할 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 반도체 측정 장치에 전압 측정 수단을 마련할 필요가 없어 보다 간소하고도 저비용의 반도체 측정 장치를 실현할 수 있다.

또한, 본 발명에 의하면, 반도체 장치에 있어서 챠지 펌프 회로의 승압율 설정용의 기준 전압(Vref)과 비교기를 반도체 장치의 전기 특성의 측정용으로서 겸용할 수 있기 때문에, 회로 규모의 증대와 비용 상승을 억제할 수 있다.

이상, 각 실시예에 근거하여 본 발명을 설명하였지만, 상기 실시예에 예시한 형상, 기타 요소와의 조합 등과 같이 상기에 나타낸 요건에 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 이와 같은 점에 대해서는, 본 발명의 주지를 벗어나지 않는 범위에서 변경할 수 있고, 그 응용 형태에 따라 적절히 결정할 수 있다.

또한, 본 발명의 산업상의 이용 가능성에 대해서는 반도체 장치 및 반도체 측정 장치에 응용할 수 있다.

본 발명에 의하면, 반도체 장치의 외부 단자의 전류 및 전압 측정에 있어서 켈빈 콘택트 프로브가 불필요하고 또한 전압 측정 수단이 불필요한 반도체 장치 및 반도체 측정 장치를 제공할 수 있다.

Claims

가변 전압원과 전류 측정 회로를 구비하는 반도체 측정 장치에 의해 전기 특성이 측정되는 반도체 장치로서,

부하를 접속하기 위한 제1 외부 단자와,

상기 부하에 전류를 공급하기 위한 전류 드라이브용 트랜지스터와,

상기 제1 외부 단자의 전압과 기준 전압을 비교하는 비교기와,

상기 비교기의 출력에 접속된 제2 외부 단자를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제1항에 있어서,

전원 전압을 승압하여 상기 부하에 전력을 공급하는 승압 회로를 구비하고,

상기 승압 회로는 상기 비교기의 출력에 근거하여 승압율이 변화하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
부하를 접속하기 위한 제1 외부 단자와,

상기 부하에 전류를 공급하기 위한 전류 드라이브용 트랜지스터와,

상기 제1 외부 단자의 전압과 기준 전압을 비교하는 비교기와,

상기 비교기의 출력에 접속된 제2 외부 단자를 구비하는 반도체 장치와 관련되는 반도체 측정 장치로서,

상기 제1 외부 단자에 전압을 공급하는 가변 전압원과,

상기 제1 외부 단자와 상기 가변 전압원의 사이에 흐르는 전류를 측정하는 전류 측정 회로를 구비하고,

상기 제2 외부 단자의 전압 레벨이 변화하였을 때, 상기 전류 측정 회로의 전류값을 판독하는 것을 특징으로 하는 반도체 측정 장치.