KR100910182B1 - Chemical Vapor Deposition Apparatus For Flat Panel Display - Google Patents

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Abstract

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치가 개시된다. 본 발명의 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 평면디스플레이용 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버; 및 챔버 내에 마련되며, 챔버 내에 형성되는 증착공간으로 증착 공정을 위한 공정 가스를 분배하는 복수 개의 가스통과공이 그 두께방향을 따라 형성되어 있는 가스분배판을 포함하며, 복수 개의 가스통과공은, 가스분배판의 두께에 대해 가로방향으로 형성되는 가스분배판의 중심축선을 기준으로 상호 대칭되게 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 가스분배판의 활용도 및 수명을 종래보다 증대시킬 수 있으며, 가스분배판의 제작 공정을 종래보다 단순하게 할 수 있다.A chemical vapor deposition apparatus for planar displays is disclosed. Chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display of the present invention, the chamber in which the deposition process for the glass substrate for a flat panel display proceeds; And a gas distribution plate provided in the chamber and having a plurality of gas passing holes formed along the thickness direction of the plurality of gas passing holes for distributing the process gas for the deposition process to the deposition space formed in the chamber. Characterized in that the symmetry is formed on the basis of the central axis of the gas distribution plate formed in the transverse direction with respect to the thickness of the distribution plate. According to the present invention, the utilization and lifespan of the gas distribution plate can be increased than before, and the manufacturing process of the gas distribution plate can be made simpler than before.

화학 기상 증착장치, LCD, 가스분배판, 가스통과공, 상호 대칭형 Chemical Vapor Deposition System, LCD, Gas Distribution Plate, Gas Passing Hole, Mutual Symmetry

Description

평면디스플레이용 화학 기상 증착장치{Chemical Vapor Deposition Apparatus For Flat Panel Display}Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Displays {Chemical Vapor Deposition Apparatus For Flat Panel Display}

도 1은 종래의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 가스분배판의 주요부 절개 사시도이다.1 is a perspective view of an essential part of a gas distribution plate of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to an exemplary embodiment.

도 2는 도 1의 가스분배판의 저면 사시도이다.FIG. 2 is a bottom perspective view of the gas distribution plate of FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이다.3 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 가스분배판의 주요부 절개 사시도이다.Figure 4 is a perspective view of the main portion of the gas distribution plate of the chemical vapor deposition apparatus for a flat display according to an embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 도시된 가스분배판의 수직 단면도이다.5 is a vertical cross-sectional view of the gas distribution plate shown in FIG.

도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 가스분배판의 주요부 절개 사시도이다.6 is a perspective view of an essential part of the gas distribution plate of the chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to another embodiment of the present invention.

도 7은 도 6에 도시된 가스분배판의 수직 단면도이다.7 is a vertical cross-sectional view of the gas distribution plate shown in FIG.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 가스분배판의 주요부 절개 사시도이다.8 is a perspective view of an essential part of the gas distribution plate of the chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to another embodiment of the present invention.

도 9는 도 8의 A-A선의 단면도이다.9 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

gas : 공정 가스 G : 유리기판(glass)   gas: process gas G: glass substrate

10 : 상부 챔버 20: 하부 챔버   10: upper chamber 20: lower chamber

32 : 가스통과공 32a : 상부 가스통과공   32: gas passage hole 32a: upper gas passage hole

32b : 하부 가스통과공 32c : 오리피스부   32b: lower gas passage hole 32c: orifice portion

40 : 서셉터 43 : 서셉터 지지대    40: susceptor 43: susceptor support

50 : 하부 챔버 56 : 전극   50: lower chamber 56: electrode

본 발명은, 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 챔버 내에 증착 공정을 위한 공정 가스를 분배하는 가스분배판의 구조를 개선한 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for planar displays, and more particularly, to a chemical vapor deposition apparatus for planar displays in which the structure of a gas distribution plate for distributing a process gas for a deposition process in a chamber is improved.

최근 들어 반도체 산업 중 전자 디스플레이 산업이 급속도로 발전하면서 평면디스플레이(Flat Panel Display, FPD)가 등장하기 시작하였다.Recently, the flat panel display (FPD) has begun to emerge as the electronic display industry is rapidly developing among the semiconductor industry.

평면디스플레이(FPD)는, TV나 컴퓨터 모니터 등에 디스플레이(Display)로 주로 사용된 음극선관(CRT, Cathode Ray Tube)보다 두께가 얇고 가벼운 영상표시장치인데, 종류로는 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP, Plasma Display Panel) 및 유기EL(OLED, Organic Light Emitting Diodes) 등이 있다.A flat panel display (FPD) is an image display device that is thinner and lighter than a cathode ray tube (CRT), which is mainly used as a display for a TV or a computer monitor, and is a liquid crystal display device (LCD, Liquid Crystal). Display, Plasma Display Panel (PDP) and Organic Light Emitting Diodes (OLED).

평면디스플레이 중 대표격인 액정표시장치(LCD)는, 2장의 얇은 상하 유리기 판 사이에 고체와 액체의 중간물질인 액정을 주입하고, 상하 유리기판의 전극 전압 차로 액정분자의 배열을 변화시킴으로써 명암을 발생시켜 숫자나 영상을 표시하는 일종의 광스위치 현상을 이용한 소자이다.Among the flat panel displays, a liquid crystal display (LCD) generates a contrast by injecting a liquid crystal, which is an intermediate material between a solid and a liquid, between two thin upper and lower glass substrates, and changing the arrangement of liquid crystal molecules by an electrode voltage difference between the upper and lower glass substrates. It is a device using a kind of optical switch phenomenon that displays numbers or images.

이러한 액정표시장치(LCD)는 박형화, 경량화, 저소비전력화를 기술적으로 구현함으로써 종래의 음극선관(CRT)이 적용될 수 없었던 노트북 PC, 전자계산기, 각종 전자제품 등의 디스플레이로 사용되고 있으며, 기존의 음극선관을 빠른 속도로 대체하고 있다. 이들 중에 LCD TV는 종래에는 20 인치 내지 30 인치 정도의 크기를 가지며, 컴퓨터 모니터는 17 인치 이하의 크기를 갖는 것이 주류였다. 그러나, 최근에는 40 인치 이상의 대형 TV와 20 인치 이상의 대형 모니터에 대한 선호도가 높아지고 있다.The liquid crystal display (LCD) is being used as a display for laptop PCs, electronic calculators, and various electronic products, in which a conventional cathode ray tube (CRT) could not be applied by technically implementing thinner, lighter, and lower power consumption. Is rapidly replacing. Among them, LCD TVs conventionally have a size of about 20 inches to about 30 inches, and computer monitors have a mainstream size of 17 inches or less. Recently, however, preference for large TVs of 40 inches or larger and large monitors of 20 inches or larger has increased.

따라서 액정표시장치(LCD)를 구성하는 유리기판의 경우, 보다 넓은 크기로 제작하기에 이르렀다. 현재에는 가로/세로의 폭이 1870 ㅧ 2200 ㎜이거나 1870 ㅧ 2250 ㎜인 7세대가 사용되며, 2160 ㅧ 2460 ㎜ 이상인 8세대까지 유리기판의 크기를 증가시키는 연구가 진행되고 있으며, 8세대 유리기판의 생산을 목전에 두고 있다.Therefore, the glass substrate constituting the liquid crystal display (LCD) has been produced in a wider size. Currently, seven generations with widths of 1870 ㅧ 2200 mm or 1870 ㅧ 2250 mm are used, and research is being conducted to increase the size of glass substrates to 8 generations of 2160 ㅧ 2460 mm or more. Production is in sight.

한편, 액정표시장치(LCD)는 증착(Deposition), 사진 공정(Photo lithography), 식각(Etching), 플라즈마 강화 화학 기상 증착(Plazma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 이하 화학 기상 증착이라 한다) 등의 공정이 반복적으로 수행되는 TFT 공정, 상하 유리기판을 합작하는 Cell 공정, 그리고 기구물을 완성하는 Module 공정을 통해 제품으로 출시된다.On the other hand, a liquid crystal display (LCD) is repeatedly a process such as deposition, photo lithography, etching, plasma enhanced chemical vapor deposition (hereinafter referred to as chemical vapor deposition) It is released as a product through the TFT process, the Cell process of jointing the upper and lower glass substrates, and the Module process of completing the instrument.

이들 공정 중의 하나인 화학 기상 증착 공정(Chemical Vapor Deposition Process)은, 외부의 고주파 전원에 의해 플라즈마(Plasma)화 되어 높은 에너지를 갖는 실리콘계 화합물 이온(ion) 가스가 전극을 통해 가스분배판으로부터 분출되어 유리기판 상에 증착되는 공정이다. 이러한 공정은, 화학 기상 증착 공정을 수행하는 챔버 내에서 이루어진다. One of these processes, the chemical vapor deposition process, is plasma-formed by an external high frequency power source, and silicon-based compound ion gas having high energy is ejected from the gas distribution plate through the electrode. It is a process deposited on a glass substrate. This process takes place in a chamber that performs a chemical vapor deposition process.

도 1은 종래의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 가스분배판의 주요부 절개 사시도이며, 도 2는 도 1의 가스분배판의 저면 사시도이다.1 is a perspective view illustrating a main part of a gas distribution plate of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to an exemplary embodiment, and FIG. 2 is a bottom perspective view of the gas distribution plate of FIG. 1.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 화학 기상 증착장치는, 공정 챔버 내에서 플라즈마(Plasma)화 된 이온 가스(gas) 즉, 공정 가스(gas)를 유리기판(G)에 증착하기 위한 가스분배판(130)을 구비한다. 가스분배판(130)에는 가스분배판의 상부와 하부를 관통하는 복수 개의 가스통과공(132)이 마련되는데, 이 가스통과공(132)을 통해 공정 가스(gas)가 유리기판(G) 상에 증착된다.As shown in these drawings, the chemical vapor deposition apparatus includes a gas distribution plate for depositing a plasma-ized ion gas, that is, a process gas, on a glass substrate G in a process chamber. 130). The gas distribution plate 130 is provided with a plurality of gas passage holes 132 penetrating the upper and lower portions of the gas distribution plate, through which the process gas is formed on the glass substrate G. Is deposited on.

복수 개의 가스통과공(132)은, 두께방향을 따라 형성된 가스통과공(132)의 상부 가스통과공(132a) 및 하부 가스통과공(132b)과, 가스통과공(132)의 상부 가스통과공(132a) 및 하부 가스통과공(132b) 사이에 마련되는 오리피스부(132c)를 구비한다. 여기서 상부 가스통과공(132a)은 두께방향을 따라 직경이 일정하게 마련되며, 하부 가스통과공(132b)은 상부로 갈수록 그 직경이 감소되는 테이퍼진 형상으로 마련되어 증착 공정시 공정 가스(gas)가 유리기판(G) 상에 원활하게 증착되게 형성된다.The plurality of gas through holes 132 include upper gas through holes 132 a and lower gas through holes 132 b of the gas through holes 132 formed along the thickness direction, and upper gas through holes of the gas through holes 132. An orifice portion 132c is provided between the 132a and the lower gas passage hole 132b. Here, the upper gas passing hole 132a is provided with a constant diameter along the thickness direction, and the lower gas passing hole 132b is provided in a tapered shape in which the diameter thereof decreases toward the upper part, so that the process gas during the deposition process It is formed to be deposited on the glass substrate (G) smoothly.

즉, 가스분배판(130)의 상부 가스통과공(132a)에서 가스분배판(130)의 하부 가스통과공(132b)을 통과하여 공정 가스(gas)가 유리기판(G) 상으로 증착된다. 그리고 가스분배판(130)에 복수 개의 가스통과공(132)이 세밀하게 상호 인접하여 형성됨으로써 공정 가스(gas)가 유리기판(G) 상의 전 영역으로 고르게 분배될 수 있게 된다. 따라서 가스분배판(130)의 기능이 제대로 수행될 때 종국적으로 공정 가스(gas)의 증착이 균일하게 된다.That is, a process gas is deposited onto the glass substrate G by passing from the upper gas passage hole 132a of the gas distribution plate 130 to the lower gas passage hole 132b of the gas distribution plate 130. In addition, the plurality of gas passing holes 132 are formed to be closely adjacent to each other in the gas distribution plate 130, thereby allowing the process gas to be evenly distributed to all regions on the glass substrate G. FIG. Therefore, when the function of the gas distribution plate 130 is properly performed, the deposition of the process gas eventually becomes uniform.

그런데, 공정 챔버(미도시) 내에서 균일한 전기장이 생성되지 못할 경우 가스분배판(130)의 하부에는 아크가 발생할 수 있는데 어느 한계를 넘는 경우 가스분배판(130)이나 서셉터(미도시)의 손상을 야기시켜 더 이상의 공정을 진행할 수 없게 된다.However, if a uniform electric field is not generated in the process chamber (not shown), an arc may occur at the lower portion of the gas distribution plate 130. However, if a certain limit is exceeded, the gas distribution plate 130 or the susceptor (not shown) may be used. This can cause damage to the product and prevent further processing.

따라서 종래의 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 있어서는, 가스분배판(130)의 하부가 균일한 전기장을 생성하지 못하여 아크 발생을 어느 한도 이상으로 발생시키는 경우 가스분배판(130) 전체를 교체해야 하는 문제점이 있다.Therefore, in the conventional chemical vapor deposition apparatus for planar display, when the lower portion of the gas distribution plate 130 does not generate a uniform electric field and generates arc generation above a certain limit, the entire gas distribution plate 130 needs to be replaced. There is a problem.

또한, 종래 가스분배판(130)의 복수 개의 가스통과공(132)은, 상부 가스통과공(132a)과 하부 가스통과공(132b)이 서로 상이한 직경, 깊이 등을 가지기 때문에 가공이 어렵게 되고 제작 시간도 오래 걸려 그로 인한 가스분배판(130)의 제조 비용도 상승하는 문제점이 있었다. In addition, the plurality of gas through holes 132 of the conventional gas distribution plate 130 is difficult to manufacture because the upper gas through holes 132a and the lower gas through holes 132b have different diameters, depths, and the like. It takes a long time there was also a problem in that the manufacturing cost of the gas distribution plate 130 rises.

따라서, 본 발명의 목적은, 가스분배판의 활용도 및 수명을 종래보다 증대시킬 수 있으며, 가스분배판의 제작 공정을 종래보다 단순하게 할 수 있는 평면디스 플레이용 화학 기상 증착장치를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a chemical vapor deposition apparatus for planar display, which can increase the utilization and lifespan of a gas distribution plate and can simplify the manufacturing process of the gas distribution plate.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 평면디스플레이용 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버; 및 상기 챔버 내에 마련되며, 상기 챔버 내에 형성되는 증착공간으로 상기 증착 공정을 위한 공정 가스를 분배하는 복수 개의 가스통과공이 그 두께방향을 따라 형성되어 있는 가스분배판을 포함하며, 상기 복수 개의 가스통과공은, 상기 가스분배판의 두께에 대해 가로방향으로 형성되는 상기 가스분배판의 중심축선을 기준으로 상호 대칭되게 형성되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에 의해 달성된다.The object is, according to the present invention, a chamber in which the deposition process for the glass substrate for a flat panel display proceeds; And a gas distribution plate provided in the chamber and having a plurality of gas passage holes formed along the thickness direction of the plurality of gas passage holes for distributing the process gas for the deposition process to the deposition space formed in the chamber. The ball is achieved by a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, characterized in that the ball is formed symmetrically with respect to the center axis of the gas distribution plate formed transverse to the thickness of the gas distribution plate.

상기 복수 개의 가스통과공 각각은, 상기 가스분배판의 상하 양 단부에서 상기 가스분배판의 중심축선을 기준으로 상호 대칭되게 형성되는 상부 가스통과공과 하부 가스통과공; 및 상기 상부 가스통과공과 상기 하부 가스통과공 사이에 마련되어 상기 상부 가스통과공과 상기 하부 가스통과공을 상호 연통시키는 오리피스부를 포함할 수 있다.Each of the plurality of gas passage holes may include: an upper gas passage hole and a lower gas passage hole formed at both upper and lower ends of the gas distribution plate symmetrically with respect to the center axis of the gas distribution plate; And an orifice portion provided between the upper gas passage hole and the lower gas passage hole to communicate the upper gas passage hole and the lower gas passage hole with each other.

상기 상부 가스통과공과 상기 하부 가스통과공은, 상기 가스분배판의 상하 양 단부면으로부터 상기 가스분배판의 중심축선으로 갈수록 그 단면적이 점차 감소되도록 테이퍼지게 형성될 수 있다.The upper gas passage hole and the lower gas passage hole may be tapered so that their cross-sectional area gradually decreases from the upper and lower end surfaces of the gas distribution plate toward the center axis of the gas distribution plate.

상기 오리피스부의 직경은 전체구간에서 일정하게 유지되되 상기 상부 가스통과공과 상기 하부 가스통과공의 최소 직경과 실질적으로 동일할 수 있다.The diameter of the orifice portion may be maintained constant throughout the entire section but may be substantially the same as the minimum diameter of the upper gas passage hole and the lower gas passage hole.

상기 가스분배판의 양 단부면은, 상기 가스분배판의 중심축선을 기준으로 상 호 대칭되게 형성되되 곡선 형상을 갖는 곡률면이 형성될 수 있다.Both end surfaces of the gas distribution plate may be formed to be symmetrical with respect to the central axis of the gas distribution plate, but a curved surface having a curved shape may be formed.

상기 곡률면은 상기 가스분배판의 중앙 영역에서 단부 영역으로 갈수록 그 두께가 점진적으로 증가되도록 오목한 형상의 오목면(Concave)일 수 있다.The curvature surface may be a concave surface of a concave shape so that its thickness gradually increases from the central region of the gas distribution plate to the end region.

상기 가스분배판은, 상기 유리기판과 나란하게 배치되는 상부 가스분배판과 하부 가스분배판; 및 상기 상부 가스 분배판과 상기 하부 가스분배판이 상호간 이격 가능하도록 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판에 결합되어 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판이 처지는 것을 저지하는 보강결합부를 포함할 수 있다.The gas distribution plate may include an upper gas distribution plate and a lower gas distribution plate disposed in parallel with the glass substrate; And a reinforcing coupling portion coupled to the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate so that the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate are spaced apart from each other, thereby preventing the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate from sagging. Can be.

상기 보강결합부는, 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판 사이에 배치되고 양단이 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판에 각각 결합되어 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판을 상호 이격시키는 복수의 이격 결합부재; 및 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판의 측면에 형성되는 개구부를 차단하면서 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판의 측면에 결합되는 복수의 단부 결합부재를 포함할 수 있다.The reinforcing coupling part is disposed between the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate, and both ends thereof are respectively coupled to the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate to mutually cross the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate. A plurality of spaced apart coupling members spaced apart; And a plurality of end coupling members coupled to side surfaces of the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate while blocking the openings formed on the side surfaces of the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate.

상기 복수의 이격 결합부재는, 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판에서 상기 복수의 가스통과공이 형성되지 않는 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판의 나머지 면에 그 양단부가 각각 결합될 수 있다.The plurality of spaced apart coupling members may be coupled to both ends of the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate, respectively, on the remaining surfaces of the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate on which the plurality of gas through holes are not formed. Can be.

상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판에 각각 형성되는 상기 복수의 가스통과공은 각각, 상기 이격결합부 측에서 반대측으로의 일 구간까지는 실질적으로 동일한 직경을 갖도록 관통 형성된 내측통과공; 상기 내측통과공과 연통되며, 상기 보강결합부의 반대 측으로 갈수록 직경이 점진적으로 증가하도록 관통 형성된 외측통과공; 및 상기 내측통과공 및 상기 외측통과공의 최소 직경과 동일하되 전체 구간에서 직경이 일정하게 유지되는 오리피스부를 포함할 수 있다.The plurality of gas through holes formed in the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate, respectively, the inner through hole formed to have a substantially the same diameter from one side to the opposite side of the separation coupling portion; An outer through hole communicating with the inner through hole and formed to gradually increase in diameter toward the opposite side of the reinforcing coupling part; And an orifice that is the same as the minimum diameter of the inner through hole and the outer through hole, but has a constant diameter in the entire section.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings which illustrate preferred embodiments of the present invention and the contents described in the accompanying drawings.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 개략적인 구조도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 가스분배판의 주요부 절개 사시도이고, 도 5는 도 4에 도시된 가스분배판의 수직 단면도이다.3 is a schematic structural diagram of a chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to an embodiment of the present invention, Figure 4 is a perspective view of the main portion of the gas distribution plate of the chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to an embodiment of the present invention 5 is a vertical cross-sectional view of the gas distribution plate illustrated in FIG. 4.

설명에 앞서, 평면디스플레이(G)란, 전술한 바와 같이 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 및 OLED(Organic Light Emitting Diodes) 중 어떠한 것이 적용되어도 좋다.As described above, the flat display G may be any of liquid crystal display (LCD), plasma display panel (PDP), and organic light emitting diodes (OLED) as described above.

다만, 본 실시 예에서는 LCD(Liquid Crystal Display)용 대형 유리기판(G)을 평면디스플레이(G)라 간주하기로 한다. 그리고 대형이란, 앞서도 기술한 바와 같이, 8세대에 적용되는 수준의 크기를 가리킨다. 이하, 평면디스플레이(G)를 유리기판(G)이라 하여 설명하도록 한다.However, in the present exemplary embodiment, a large glass substrate G for a liquid crystal display (LCD) will be regarded as a flat display (G). In addition, as mentioned above, large size refers to the magnitude | size of the level applied to 8 generations. Hereinafter, the flat display G will be described as a glass substrate G.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치는, 상부 및 하부 챔버(10, 20)와, 상부 챔버 내에 마련되어 상부 전극의 역할을 하는 전극(60)과, 하부 챔버(20) 내에 마련되어 유리기판(G)이 로딩(Loading)되는 서셉터(40)와, 서셉터(40)의 하부에서 서셉터(40)를 지지하는 서셉터지지대(43)를 구비한다. As shown in FIG. 3, the chemical vapor deposition apparatus for planar display according to the present embodiment includes upper and lower chambers 10 and 20, an electrode 60 provided in the upper chamber and serving as an upper electrode, and a lower portion. It is provided with a susceptor 40 provided in the chamber 20, in which the glass substrate G is loaded, and a susceptor support 43 supporting the susceptor 40 under the susceptor 40.

이처럼 상부 및 하부 챔버(10, 20)가 한 몸체를 이루어 그 내부의 증착공간(S)에서 증착 공정이 진행될 때는 증착공간(S)이 진공 분위기로 유지될 수 있도록 증착공간(S)은 외부와 차폐된다.As described above, the upper and lower chambers 10 and 20 form a body, and when the deposition process is performed in the deposition space S therein, the deposition space S is maintained in the vacuum atmosphere. Shielded.

도 3에 자세히 도시된 바와 같이, 상부 챔버(10)의 내부에는 횡 방향을 따라 전극(60)이 마련되어 있다. 전극(60)은, 하부 챔버(20)를 향한 전면에 배치되는 가스분배판(30)과, 가스분배판(30)과의 버퍼공간(B)을 사이에 두고 가스분배판(30)의 배후에 배치되는 후방플레이트(61)를 구비한다. As shown in detail in FIG. 3, an electrode 60 is provided in the upper chamber 10 along the transverse direction. The electrode 60 includes a gas distribution plate 30 disposed on the front surface of the lower chamber 20, The rear plate 61 is provided behind the gas distribution plate 30 with the buffer space B between the gas distribution plate 30 interposed therebetween.

가스분배판(30)에는, 챔버(10, 20) 내에 형성되는 증착공간(S)으로 증착 공정을 위한 공정 가스(gas)를 분배하는 복수 개의 가스통과공(32)이 그 두께방향을 따라 형성되어 있으며, 복수 개의 가스통과공(32)은, 가스분배판(30)의 두께(t)에 대해 가로방향으로 형성되는 가스분배판(30)의 중심축선(c)을 기준으로 상호 대칭되게 형성된다. 이러한 가스분배판(30)에 대해서는 자세히 후술하기로 한다.In the gas distribution plate 30, a plurality of gas passing holes 32 are formed along the thickness direction of the gas distribution plates for distributing the process gas for the deposition process into the deposition spaces S formed in the chambers 10 and 20. The plurality of gas passing holes 32 are formed symmetrically with respect to the central axis c of the gas distribution plate 30 formed in the transverse direction with respect to the thickness t of the gas distribution plate 30. do. The gas distribution plate 30 will be described later in detail.

가스분배판(30)과 후방플레이트(61) 사이에는 현가지지부재(62)가 마련되어 있다. 현가지지부재(62)는 버퍼공간(B) 내의 증착물질이 외부로 누출되지 않도록 버퍼공간(B)을 차폐할 뿐만 아니라 대략 400kg 정도의 무거운 중량을 갖는 가스분 배판(30)을 후방플레이트(61)에 대해 현가 지지한다. 뿐만 아니라 현가지지부재(62)는 증착 공정 시 대략 200℃ 정도로 가열된 가스분배판(30)이 X축, Y축 및 Z축 방향 중 적어도 어느 한 방향으로 열팽창하는 것을 보상하는 역할도 겸한다.A suspension support member 62 is provided between the gas distribution plate 30 and the rear plate 61. The suspension supporting member 62 not only shields the buffer space B so that the deposition material in the buffer space B does not leak to the outside, but also provides a rear plate 61 with a gas distribution plate 30 having a heavy weight of about 400 kg. I support the present value). In addition, the suspension supporting member 62 also serves to compensate for the thermal expansion of the gas distribution plate 30 heated at about 200 ° C. in at least one of X, Y, and Z axis directions during the deposition process.

후방플레이트(61)와 상부 챔버(10) 사이에는 후방플레이트(61)가 상부 챔버(10)의 외벽에 직접 접촉되어 통전되지 않도록 절연체(63)가 마련되어 있다. 절연체(63)는 테프론 등으로 제작될 수 있다. 후방플레이트(61)의 주변에는 상부 챔버(10)에 대해 후방플레이트(61)를 지지하는 플레이트지지부(미도시)가 더 구비되어 있다.An insulator 63 is provided between the rear plate 61 and the upper chamber 10 so that the rear plate 61 is not in direct contact with the outer wall of the upper chamber 10 and is energized. The insulator 63 may be made of Teflon or the like. In the periphery of the rear plate 61 is further provided a plate support (not shown) for supporting the rear plate 61 with respect to the upper chamber (10).

상부 챔버(10)의 상단에는 상판부(11)가 마련되어 있는데, 상판부(11)는 상부 챔버(10)의 상부를 덮는 역할을 할 뿐만 아니라 지지 플레이트(미도시)가 지지 및 결합되는 부분이 된다. 그리고 상부 챔버(10)의 외벽 일측에는 하부 챔버(20)의 측벽 두께와 상부 챔버(10)의 측벽 두께 차이를 보강하는 보강벽부(19)가 더 마련되어 있다.An upper plate portion 11 is provided at an upper end of the upper chamber 10, and the upper plate portion 11 not only serves to cover the upper portion of the upper chamber 10 but also becomes a portion to which a support plate (not shown) is supported and coupled. In addition, one side of the outer wall of the upper chamber 10 is further provided with a reinforcing wall portion 19 for reinforcing the difference between the side wall thickness of the lower chamber 20 and the side wall thickness of the upper chamber 10.

지지 플레이트(미도시)에는, 그 상부에 플라즈마화된 공정 가스(gas)를 공급시키기 위한 가스공급부(13)와, 상부 챔버(10) 내에 결합되어 있는 후방플레이트(61)와 연결라인(14)에 의해 전기적으로 연결되어 있는 고주파 전원부(15)와, 가스공급부(13)와 가스유입관(미도시)이 연결되도록 가스공급부(13) 및 고주파 전원부(15) 사이에 마련되어 가스공급부(13)로부터 유입되는 공정 가스(gas)의 이동 경로가 되는 가스이동관(미도시)과, 가스이동관(미도시) 및 그 주변 영역을 차폐하는 차폐박스(미도시) 등이 장착되어 있다.The support plate (not shown) includes a gas supply unit 13 for supplying a plasma-processed process gas thereon, a rear plate 61 and a connection line 14 coupled to the upper chamber 10. A high frequency power supply unit 15 electrically connected by the gas supply unit 13 and the high frequency power supply unit 15 so as to connect the gas supply unit 13 and a gas inlet pipe (not shown) from the gas supply unit 13. A gas moving tube (not shown) serving as a moving path of the incoming process gas (gas), a gas moving tube (not shown), and a shielding box (not shown) for shielding the surrounding area are mounted.

이러한 구성에 의해 가스공급부(13)로부터 공급되는 공정 가스(gas)가 가스유입관(미도시)을 통해 버퍼공간(B)으로 공급될 수 있고, 후방플레이트(61)가 고주파 전원부(15)에 의해 공급되는 고주파 전력에 의해 전극을 띠게 됨으로써 버퍼공간(B)으로 유입된 공정 가스(gas)를 플라즈마화할 수 있다.With this configuration, process gas supplied from the gas supply unit 13 can be supplied to the buffer space B through a gas inlet pipe (not shown), and the rear plate 61 is supplied to the high frequency power supply unit 15. By applying the electrode by the high frequency power supplied by the process gas (gas) introduced into the buffer space (B) can be plasma.

하부 챔버(20)에 대해서 살펴보면, 하부 챔버(20)는, 실질적으로 유리기판(G)에 대한 증착 공정이 진행되는 부분으로서, 전술한 증착공간(S)이 하부 챔버(20) 내에 형성된다. 이러한 하부 챔버(20)의 외벽에는 소정의 작업 로봇(미도시)에 의해 유리기판(G)이 증착공간(S) 내외로 출입할 수 있도록 기판출입부(21)가 형성되어 있다. 이러한 기판출입부(21)는 그 주변에 결합된 도어(24)에 의해 선택적으로 개폐된다. Referring to the lower chamber 20, the lower chamber 20 is a portion in which the deposition process on the glass substrate G is substantially performed, and the above-described deposition space S is formed in the lower chamber 20. The substrate entry part 21 is formed on the outer wall of the lower chamber 20 so that the glass substrate G can enter and exit the deposition space S by a predetermined working robot (not shown). The substrate access portion 21 is selectively opened and closed by a door 24 coupled to the periphery thereof.

도시하지는 않았지만, 하부 챔버(20) 내의 바닥면 영역에는 증착공간(S)에 존재하는 공정 가스(gas)를 다시 증착공간(S)으로 확산시키는 가스확산판(미도시)이 마련되어 있다.Although not shown, a gas diffusion plate (not shown) is provided in the bottom region of the lower chamber 20 to diffuse the process gas present in the deposition space S back into the deposition space S.

서셉터(40, Susceptor)는 하부 챔버(20) 내의 증착공간(S)에서 횡 방향으로 배치되어 로딩(loading)되는 유리기판(G)을 지지한다. 보통은 증착 대상물인 유리기판(G)의 면적보다 큰 구조물로 형성되며, 서셉터(40)의 상면은 유리기판(G)이 정밀하게 수평 상태로 로딩될 수 있도록 거의 정반(Surface plate)으로 제조된다.The susceptor 40 supports the glass substrate G, which is disposed in the transverse direction and loaded in the deposition space S in the lower chamber 20. It is usually formed of a structure larger than the area of the glass substrate G, which is a deposition target, and the upper surface of the susceptor 40 is made of almost a surface plate so that the glass substrate G can be loaded in a precise horizontal state. do.

서셉터(40)의 상면으로 유리기판(G)이 얹혀지면서 로딩되거나 취출되기 위해 서셉터(40)에는 로딩되거나 취출되는 유리기판(G)의 하면을 안정적으로 지지하는 복수의 리프트 핀(41, Lift Pin)이 더 구비되어 있다. 리프트 핀(41)들은 서셉 터(40)를 관통하도록 서셉터(40)에 설치되어 있다.The plurality of lift pins 41 stably supporting the lower surface of the glass substrate G loaded or taken out on the susceptor 40 to be loaded or taken out while the glass substrate G is placed on the upper surface of the susceptor 40. Lift Pin) is further provided. Lift pins 41 are installed in the susceptor 40 to penetrate the susceptor 40.

이러한 리프트 핀(41)들은 서셉터(40)가 하강할 때, 그 하단이 하부 챔버(20)의 바닥면에 가압되어 상단이 서셉터(40)의 상단으로 돌출된다. 리프트 핀(41)의 돌출된 상단은 유리기판(G)을 상부로 들어올리게 되고 따라서 유리기판(G)은 서셉터(40)로부터 이격되게 된다. 반대로, 서셉터(40)가 부상하면, 리프트 핀(41)이 서셉터(40)의 상면에 대해 하방으로 이동하여 유리기판(G)이 서셉터(40)의 상면에 밀착된다. 즉, 리프트 핀(41)들은 로봇아암(미도시)이 서셉터(40)에 로딩된 유리기판(G)을 파지할 수 있도록 유리기판(G)과 서셉터(40) 사이의 공간을 형성하는 역할을 겸한다. When the susceptor 40 descends, the lift pins 41 are pressed to the bottom of the lower chamber 20 so that the upper end protrudes to the upper end of the susceptor 40. The protruding upper end of the lift pin 41 lifts the glass substrate G upwards, and thus the glass substrate G is spaced apart from the susceptor 40. On the contrary, when the susceptor 40 rises, the lift pin 41 moves downward with respect to the upper surface of the susceptor 40 so that the glass substrate G is in close contact with the upper surface of the susceptor 40. That is, the lift pins 41 form a space between the glass substrate G and the susceptor 40 so that the robot arm (not shown) can grip the glass substrate G loaded on the susceptor 40. It also serves as a role.

이러한 서셉터(40)에는, 그 상단이 배면 중앙 영역에 고정되고 하단이 하부 챔버(20)를 통해 하방으로 노출되어 서셉터(40)를 승강 가능하게 지지하는 컬럼(42)이 더 결합되어 있다. The susceptor 40 further includes a column 42 having an upper end fixed to the rear center area and a lower end exposed downward through the lower chamber 20 to support the susceptor 40 in a liftable manner. .

전술한 바와 같이, 8세대 하에서의 서셉터(40)는 무겁고 사이즈 또한 크기 때문에 처짐 등이 발생될 수 있는데, 이는 서셉터(40)의 상면에 로딩되는 유리기판(G)의 처짐 등으로 연계될 수 있다. 이에, 도 3에 도시된 바와 같이, 컬럼(42)의 상부 영역에는 서셉터 지지부(43)가 마련되어 서셉터(40)를 안정적으로 떠받치고 있다.As described above, the susceptor 40 under the eighth generation may be caused by sagging because of its weight and size, which may be linked to the sagging of the glass substrate G loaded on the upper surface of the susceptor 40. have. Thus, as shown in FIG. 3, a susceptor support 43 is provided in the upper region of the column 42 to stably support the susceptor 40.

서셉터(40)는 하부 챔버(20) 내의 증착공간(S)에서 상하로 승강한다. 즉, 유리기판(G)이 로딩될 때는 하부 챔버(20) 내의 바닥면 영역에 배치되어 있다가 유리기판(G)이 서셉터(30)의 상면에 밀착되고 증착 공정이 진행될 때에는 유리기판(G) 이 가스분배판(30)에 인접할 수 있도록 부상한다. 이를 위해, 서셉터(40)에 결합된 컬럼(42)에는 서셉터(40)를 승강시키는 승강 모듈(50)이 더 마련되어 있다.The susceptor 40 is moved up and down in the deposition space S in the lower chamber 20. That is, when the glass substrate G is loaded, the glass substrate G is disposed in the bottom region of the lower chamber 20, and the glass substrate G adheres to the upper surface of the susceptor 30, and when the deposition process is performed, the glass substrate G is disposed. ) Is floated so as to be adjacent to the gas distribution plate 30. To this end, the elevating module 50 for elevating the susceptor 40 is further provided in the column 42 coupled to the susceptor 40.

승강 모듈(50)에 의해 서셉터(40)가 승강하는 과정에서 컬럼(42)과 하부 챔버(20) 사이에 공간이 발생되면 안 된다. 따라서 컬럼(42)이 통과하는 하부 챔버(20)의 해당 영역에는 컬럼(42)의 외부를 감싸도록 벨로우즈관(51)이 마련되어 있다. 벨로우즈관(51)은 서셉터(40)가 하강할 때 팽창되고, 서셉터(40)가 부상할 때 압착된다.In the process of elevating the susceptor 40 by the elevating module 50, a space should not be generated between the column 42 and the lower chamber 20. Therefore, a bellows pipe 51 is provided in the region of the lower chamber 20 through which the column 42 passes to surround the outside of the column 42. The bellows pipe 51 is expanded when the susceptor 40 descends and is compressed when the susceptor 40 rises.

한편, 가스분배판(30)은 상부 챔버(10) 내에 결합된 후방플레이트(61)에 지지 결합되어 버퍼공간(B) 내의 플라즈마화된 공정 가스(gas)를 챔버(10, 20) 내의 증착공간(S)으로 고르게 분배시키는 역할을 담당하는 부분으로서, 일반적으로 유리기판(G)의 형상에 대응하여 제작된다. 종래의 가스분배판에 대해서는 도 1 및 도 2에 도시되어 있다.On the other hand, the gas distribution plate 30 is supported by the back plate 61 coupled in the upper chamber 10 to deposit the plasma-processed process gas in the buffer space (B) deposition space in the chamber (10, 20) The part which plays the role of evenly distributing to (S), and is produced corresponding to the shape of glass substrate G generally. Conventional gas distribution plates are shown in FIGS. 1 and 2.

그런데, 종래의 가스분배판(30)은, 전술한 바와 같이, 증착 공정에서 공정 챔버(10, 20) 내에 균일한 전기장이 생성되지 못할 경우 가스분배판(30)의 하부에는 아크가 발생할 수 있으며, 이로 인해 가스분배판(30)이나 서셉터(40)의 손상을 야기시켜 더 이상의 증착 공정을 진행할 수 없게 될 수 있다. 따라서 이러한 경우 종래에는 전체 가스분배판(30)을 교체해야 하고 이를 위해 전체 공정을 중단시켜야 한다.However, in the conventional gas distribution plate 30, as described above, when a uniform electric field is not generated in the process chambers 10 and 20 in the deposition process, an arc may occur in the lower portion of the gas distribution plate 30. As a result, damage to the gas distribution plate 30 or the susceptor 40 may result in no further deposition process. Therefore, in this case, the entire gas distribution plate 30 must be replaced in the related art and the entire process must be stopped for this purpose.

그러나 본 발명의 일 실시 예에서는, 가스분배판(30)에 형성되는 복수 개의 가스통과공(32)이 가스분배판(30)의 두께(t)에 대해 가로방향으로 형성되는 가스분 배판(30)의 중심축선(c)을 기준으로 상호 대칭되도록 함으로써 가스분배판(30)의 일측 하부에만 손상이 발생된 경우 가스분배판(30) 전체의 교환을 하지 않고 가스분배판(30)을 회전시켜 사용할 수 있도록 하는 데, 이하 설명하기로 한다.However, in one embodiment of the present invention, the gas distribution plate 30 in which the plurality of gas through holes 32 formed in the gas distribution plate 30 are formed in the transverse direction with respect to the thickness t of the gas distribution plate 30. When the damage occurs only on one side lower portion of the gas distribution plate 30 by symmetry with respect to the center axis line c of the c), the gas distribution plate 30 is rotated without replacing the entire gas distribution plate 30. This will be described below.

전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에서의 유리기판(G)은, 2160 ㅧ 2460 ㎜ 이상인 8세대의 평면디스플레이용 유리기판(G)이므로, 그 형상에 대응하는 가스분배판(30)이 제작되어야 하고 이는 크기와 무게의 증가를 수반한다. 본 발명의 일 실시 예에서의 가스분배판(30)의 무게는 대략 400 kg 정도이고, 공정상의 최대온도는 대략 200 ℃ 까지 올라가게 된다. 또한 가스분배판(30)은 공정 중에 챔버(10, 20) 내에 마련되므로 챔버(10, 20) 내에서 발생하는 기계적, 화학적, 열적 극한 상황에 가스분배판(30)이 그대로 노출되게 된다. As described above, the glass substrate G in one embodiment of the present invention is an 8th generation flat display glass substrate G of 2160 mm 2460 mm or more, so that the gas distribution plate 30 corresponding to the shape is It must be manufactured, which entails an increase in size and weight. The weight of the gas distribution plate 30 in one embodiment of the present invention is about 400 kg, the maximum temperature in the process is raised to about 200 ℃. In addition, since the gas distribution plate 30 is provided in the chambers 10 and 20 during the process, the gas distribution plate 30 is exposed as it is in the mechanical, chemical and thermal extremes occurring in the chambers 10 and 20.

가스분배판(30)의 대형화로 인해 가스분배판(30) 자체의 변형을 초래할 가능성과 가스분배판(30)의 열적 팽창, 수축 등과, 그 자체 하중으로 인한 끝단에서의 처짐, 비틀림 등의 기계적, 화학적 물성치의 예기치 못한 변형은 직접적으로 유리기판(G)의 증착 균일도에 심대한 악영향을 미칠 수 있다.The possibility of deformation of the gas distribution plate 30 itself due to the enlargement of the gas distribution plate 30 and the thermal expansion, contraction, etc. of the gas distribution plate 30, and mechanical effects such as sag at the end due to its own load, and torsion Unexpected deformation of chemical properties can directly affect the deposition uniformity of glass substrate (G).

이와 같은 가스분배판(30)의 생산에 있어서, 그 소재 및 그 가공 방법에 드는 비용이 막대하다. 일반적으로 가스분배판(30)은 강도, 내열성, 열팽창율 등을 고려하여 내열성이 우수한 스테인레스강, 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 기타 RF 도전체 등의 소재로 제작될 수 있다. 그리고 제작 방법 또한 상술한 요구조건에 충족할 수 있게끔, 주조, 단조, 고온 균일 압축 또는 소결 등과 그 전후 처리과정(열처리, 머시닝 등)을 요구할 수 있다.In the production of such a gas distribution plate 30, the cost for the material and the processing method thereof is enormous. In general, the gas distribution plate 30 may be made of materials such as stainless steel, aluminum (Al), nickel (Ni), and other RF conductors having excellent heat resistance in consideration of strength, heat resistance, thermal expansion rate, and the like. In addition, the fabrication method may require casting, forging, high temperature uniform compression, or sintering and the like before and after processing (heat treatment, machining, etc.) so as to meet the above requirements.

이와 같이 가스분배판(30)의 설계 및 가공상의 어려움으로 인해 가스분배판(30)의 생산에는 비용 증가가 필연적이므로 비용 절감, 재활용, 재사용 측면에서 가스분배판(30)을 효율적으로 사용할 필요성이 요구된다.As a result of the difficulty in designing and processing the gas distribution plate 30, an increase in cost is inevitable in the production of the gas distribution plate 30. Therefore, it is necessary to use the gas distribution plate 30 efficiently in terms of cost reduction, recycling, and reuse. Required.

한편, 일반적으로 가스분배판(30)의 상부 가스통과공(32a)의 형상은 유리기판(G) 상의 증착도에는 큰 영향이 없다. 유리기판(G) 상의 증착시 막응력, 막두께 등과 같은 막특성 및 증착률은 가스분배판(30)의 하부 가스통과공(32b)의 체적 및 표면적에 비례하는 것으로 실험적으로 알려진 바 있다. On the other hand, in general, the shape of the upper gas through hole (32a) of the gas distribution plate 30 does not have a significant effect on the degree of deposition on the glass substrate (G). It is known experimentally that the film properties and deposition rate such as film stress, film thickness, etc. during deposition on the glass substrate G are proportional to the volume and surface area of the lower gas passage hole 32b of the gas distribution plate 30.

다시 말해, 평면디스플레이용 유리기판(G)의 증착도는 가스분배판(30)의 상부 가스통과공(32a)의 형상과는 큰 영향이 없으므로, 상부 가스통과공(32a)의 형상을 하부 가스통과공(32b)의 형상과 일치시켜도 증착도에 큰 영향이 없을 것이다. In other words, since the degree of deposition of the glass substrate G for the flat panel display does not have a significant influence on the shape of the upper gas through hole 32a of the gas distribution plate 30, the shape of the upper gas through hole 32a is determined by the lower gas cylinder. Matching the shape of the pore 32b will not significantly affect the degree of deposition.

상세히 설명하면, 전술한 바와 같이, 전기장이 균일하게 생성되지 못하여 아크가 발생하는 등으로 인해 가스분배판(30)의 손상이 발생하는 경우에는 하부 가스통과공(32b)의 손상이 발생하는데 이는 증착 균일도에 직접적으로 작용한다. 이런 경우에 종래에는 가스분배판(30) 자체의 교체가 요구되고 손상된 가스분배판(30)은 수리 및 재가공의 공정을 필요로 한다. 이에 반해 본 발명의 일 실시 예에 따라 상호 대칭형으로 형성된 가스분배판(30)은 가스분배판(30)의 효율적 사용을 유도하게 한다. 증착 공정 중에 가스분배판(30)의 하부에 손상이 발생할 때 가스분배판(30)을 상하 역전시켜 재사용함으로써 실질적으로 수명을 증대시켜 가스분배판(30) 교체 비용을 절감하는 장점이 있다.In detail, as described above, when the gas distribution plate 30 is damaged due to the arc not being generated uniformly in the electric field, damage of the lower gas passage hole 32b occurs, which is caused by deposition. It acts directly on uniformity. In this case, conventional replacement of the gas distribution plate 30 itself is required and damaged gas distribution plate 30 requires a process of repair and rework. On the contrary, the gas distribution plates 30 formed in mutual symmetry according to an embodiment of the present invention induce efficient use of the gas distribution plates 30. When damage occurs in the lower portion of the gas distribution plate 30 during the deposition process, the gas distribution plate 30 is reversed and reused to substantially increase the service life, thereby reducing the cost of replacing the gas distribution plate 30.

이와 같이 가스분배판(30)에 있어서, 유리기판(G)의 증착도에 큰 영향이 없 는 인자(factor)인 가스분배판(30)의 상부 가스통과공(32a)의 체적 및 표면적을 하부 가스통과공(32b)의 체적 및 표면적과 일치시켜 상하 역전시켜 사용할 수 있게 함으로써, 가스분배판(30)의 재사용을 유도할 수 있다. 또한 이로 인해 가스분배판(30)의 수명을 증대시키고 가공 및 제작의 비용을 절감할 수 있게 된다. As described above, in the gas distribution plate 30, the volume and surface area of the upper gas passage hole 32a of the gas distribution plate 30, which is a factor that does not significantly affect the degree of deposition of the glass substrate G, are lowered. By allowing the gas distribution plate 30 to be inverted up and down in accordance with the volume and surface area of the gas passage hole 32b, reuse of the gas distribution plate 30 can be induced. In addition, it is possible to increase the life of the gas distribution plate 30 and to reduce the cost of processing and manufacturing.

가스분배판(30)의 상부 가스통과공(32a) 및 하부 가스통과공(32b)의 구조를 가스분배판(30)의 중심축선(c)을 기준으로 상호 대칭형으로 마련된 가스분배판(30)의 구조에 대해서 이하 보다 상세히 설명한다.The gas distribution plate 30 provided with the structure of the upper gas passage hole 32a and the lower gas passage hole 32b of the gas distribution plate 30 symmetrical with respect to the center axis c of the gas distribution plate 30. The structure of will be described in more detail below.

가스분배판(30)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 일체형으로 제작되며 가스분배판(30)의 상류에 배치되는 상부 가스통과공(32a)과, 하류에 배치는 하부 가스통과공(32b)과, 상부 가스통과공(32a)과 하부 가스통과공(32b) 사이에 마련되며 상부 가스통과공(32a)과 하부 가스통과공(32b)를 연결하는 오리피스부(32c)를 포함한다.As shown in FIG. 4, the gas distribution plate 30 is formed integrally with the upper gas passing hole 32a disposed upstream of the gas distribution plate 30, and the lower gas passing hole 32b disposed downstream. And an orifice portion 32c provided between the upper gas passing hole 32a and the lower gas passing hole 32b and connecting the upper gas passing hole 32a and the lower gas passing hole 32b.

여기서 상부 가스통과공(32a)과 하부 가스통과공(32b)은 실질적으로 동일한 형상을 가지고 가스통과공(32)은 가스분배판(30)의 두께(t)에 대해 가로방향으로 형성되는 가스분배판(30)의 중심축선(c)을 기준으로 상호 대칭되게 형성된다.Here, the upper gas passage hole 32a and the lower gas passage hole 32b have substantially the same shape, and the gas passage hole 32 is formed in a transverse direction with respect to the thickness t of the gas distribution plate 30. It is formed symmetrically with respect to the central axis c of the plate (30).

이와 같은 구조로 인하여, 하부 가스통과공(32b)이 손상되더라도 뒤집어서 상부 가스통과공(32a)를 공정 가스(gas)가 실질적으로 유리기판(G)으로 분사되는 부분인 하부 가스통과공(32b)으로 사용할 수 있다.Due to this structure, even if the lower gas passage hole 32b is damaged, the upper gas passage hole 32a is turned upside down, and the lower gas passage hole 32b is a portion in which the process gas is sprayed onto the glass substrate G. Can be used as

또한, 상부 가스통과공(32a)및 하부 가스통과공(32b)의 위치, 직경이 일치하므로 가공 공정에서 요구되는 툴이 단순화될 수 있고, 가공이 용이하며, 가스분배판(30)의 제작 시간도 단축될 수 있으므로 제조 비용이 절감될 수도 있다.In addition, since the position and diameter of the upper gas passage hole 32a and the lower gas passage hole 32b coincide with each other, a tool required in the machining process may be simplified, and the machining may be easy, and the manufacturing time of the gas distribution plate 30 may be reduced. Also, the manufacturing cost may be reduced since it may be shortened.

그리고 가스분배판(30)에 마련되는 복수 개의 가스통과공(32)은 가스분배판(30)에서 상호간 등간격으로 배열되어 있는데, 이로써 유리기판(G)의 전 영역에 가스(gas)가 균일하게 분사 증착될 수 있게 된다. In addition, the plurality of gas passing holes 32 provided in the gas distribution plate 30 are arranged at equal intervals in the gas distribution plate 30, whereby the gas is uniform in all regions of the glass substrate G. Can be spray deposited.

한편, 본 실시 예에서 하부 가스통과공(32b)은, 상류에 인접배치된 오리피스부(32c)로 갈수록 점진적으로 직경이 작아지는 테이퍼(taper)진 형상을 도시하였으나, 좀 더 완만한 곡선을 갖는 나팔관 형상, 곡면 형상 등으로 제작될 수 있으며 가스(gas)의 점성 등을 고려하여 그 경사각이나 완만한 정도는 달리 할 수 있을 것이다.Meanwhile, in the present embodiment, the lower gas passage hole 32b shows a tapered shape in which the diameter gradually decreases toward the orifice portion 32c disposed adjacent upstream, but has a more gentle curve. It may be produced in the shape of a fallopian tube, a curved shape and the like, in consideration of the viscosity of the gas (gas), the inclination angle or the degree of gradation may be different.

오리피스부(32c)는, 상부 가스통과공(32a)의 하단에 연결되고 하부 가스통과공(32b)의 상단에 연결되는 작은 모세관 형상의 관으로서, 상부 가스통과공(32a) 및 하부 가스통과공(32b) 사이에 마련되며 상부 가스통과공(32a)을 통과한 가스가 유입되어 통과하는 곳이다. 오리피스부(32c)는 상부 가스통과공(32a) 및 하부 가스통과공(32b)에 비해 상대적으로 작은 직경을 가지며 그 길이 또한 짧다.The orifice portion 32c is a small capillary tube connected to the lower end of the upper gas passage hole 32a and connected to the upper end of the lower gas passage hole 32b. The orifice portion 32c and the lower gas passage hole It is provided between the (32b) and the gas passing through the upper gas passage hole (32a) is the place to pass through. The orifice portion 32c has a relatively small diameter and shorter length than the upper gas passage hole 32a and the lower gas passage hole 32b.

오리피스부(32c)의 이러한 형상은, 상부 가스통과공(32a)에서 유입된 가스(gas)의 압력을 낮게 하여 유속을 빠르게 한다. 그리고 오리피스부(32c)의 두께와 길이를 조절함으로써 유입된 가스(gas)가 원하는 유속으로 상부 가스통과공(32a)으로 유입되게 할 수 있다. 즉, 오리피스부(32c)의 형상을 조절함으로써, 가스(gas)의 유속을 조절할 수 있어 가스(gas)가 유리기판(G)에 증착되는 증착 속도 및 효율을 높일 수 있다.This shape of the orifice portion 32c lowers the pressure of the gas introduced into the upper gas through hole 32a to speed up the flow rate. In addition, by adjusting the thickness and length of the orifice portion 32c, the introduced gas may be introduced into the upper gas passing hole 32a at a desired flow rate. That is, by adjusting the shape of the orifice portion 32c, the flow velocity of the gas can be adjusted, so that the deposition rate and the efficiency at which the gas is deposited on the glass substrate G can be increased.

이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 작동 과정에 대하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation of the chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to an embodiment of the present invention will be described.

도 3에 도시된 바와 같이, 승강 모듈(50)에 의해 서셉터(40)와 서셉터지지대(43)가 챔버(10, 20)의 하부 영역으로 하강된 상태에서 로봇 아암(미도시)에 의해 이송된 증착 대상의 유리기판(G)이 개구부(미도시)를 통해 반입되어 서셉터(40)의 서셉터(40) 상류부에 배치된다.As shown in FIG. 3, by the robot arm (not shown) in the state where the susceptor 40 and the susceptor support 43 are lowered to the lower regions of the chambers 10 and 20 by the elevating module 50. The transferred glass substrate G is loaded through an opening (not shown) and disposed at an upstream portion of the susceptor 40 of the susceptor 40.

이 때, 리프트 핀(41)의 상단은 서셉터(40)의 상면으로 소정 높이 돌출된 상태이므로, 로봇아암(미도시)은 리프트 핀(41)들에 유리기판(G)을 올려둔 후, 취출된다. 이후, 기판출입부(미도시)는 닫히고, 상부 챔버(10) 및 하부 챔버(20)의 내부는 진공 분위기로 유지됨과 동시에 증착에 필요한 공정 가스(gas)가 충전된다.At this time, since the upper end of the lift pin 41 is protruded a predetermined height to the upper surface of the susceptor 40, the robot arm (not shown) put the glass substrate (G) on the lift pins 41, It is taken out. Subsequently, the substrate access unit (not shown) is closed, and inside the upper chamber 10 and the lower chamber 20 are maintained in a vacuum atmosphere, and at the same time, a process gas required for deposition is filled.

다음, 증착 공정의 진행을 위해, 승강 모듈(50)이 동작하여 서셉터(40)와 서셉터지지대(43)를 함께 부상시킨다. 그러면 리프트 핀(41)이 하강되며, 이를 통해 유리기판(G)은 서셉터(40)의 상면으로 밀착하면서 로딩된다. 서셉터(40)가 부상하면 승강 모듈(50)의 동작이 정지되고 유리기판(G)은 전극(60)의 직하방에 위치하게 된다. 이 때, 서셉터(40)는 대략 400 ℃ 정도로 가열된다.Next, in order to proceed with the deposition process, the elevating module 50 is operated to float the susceptor 40 and the susceptor support 43 together. The lift pin 41 is then lowered, and the glass substrate G is loaded while being in close contact with the upper surface of the susceptor 40. When the susceptor 40 rises, the operation of the elevating module 50 is stopped, and the glass substrate G is positioned directly below the electrode 60. At this time, the susceptor 40 is heated to about 400 ° C.

그런 다음, 절연체(63)로 인해 절연된 전극(60)을 통해 전원이 인가된다. 이어 복수의 가스통과공(32)이 형성된 가스분배판(30)을 통해 공정 가스(gas)가 분배되어 유리기판(G) 상으로 도달함으로써 유리기판(G) 상에 증착이 이루어진다.Then, power is applied through the electrode 60 insulated by the insulator 63. Subsequently, a process gas is distributed through the gas distribution plate 30 in which the plurality of gas passage holes 32 are formed and reaches the glass substrate G, thereby depositing the glass substrate G on the glass substrate G.

즉, 가스분배판(30)을 통과하는 공정 가스(gas)는, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 가스분배판(30)의 상부 가스통과공(32a)에 유입된다.That is, the process gas passing through the gas distribution plate 30 flows into the upper gas passage hole 32a of the gas distribution plate 30, as shown in FIGS. 4 and 5.

상부 가스통과공(32a)에 유입되어 통과한 가스(gas)는, 도 4 및 도 5에 도시 된 바와 같이, 상부 가스통과공(32a)과 연통된 오리피스부(32c) 및 하부 가스통과공(32b)으로 이동한다. 이때, 전술한 바와 같이, 압력 강하에 의한 가스(gas) 유속의 손실이 없게 되므로 보다 빠른 속도로 하부 가스통과공(32b)으로 유입될 수 있다.Gases flowing into the upper gas passage hole 32a and passing therethrough are orifice portions 32c and lower gas passage holes communicating with the upper gas passage hole 32a as shown in FIGS. 4 and 5. Go to 32b). At this time, as described above, since there is no loss of gas flow rate due to the pressure drop, the gas may flow into the lower gas passage hole 32b at a higher speed.

즉, 하부 가스통과공(32b)이 오리피스부(32c)로 갈수록 점진적으로 직경이 줄어들어 공정 가스(gas)에 와류(Vortex)가 형성되지 않게 된다. 또한 오리피스부(32c)에서는 가스통과공(32)에 비해 단면적이 작으므로 압력이 낮아지게 되고 유속이 증가하게 된다. 이는 공정 가스(gas)의 하부 가스통과공(32b)으로의 유입을 원활하게 한다.That is, the diameter of the lower gas passing hole 32b gradually decreases toward the orifice portion 32c so that no vortex is formed in the process gas. In addition, in the orifice portion 32c, the cross-sectional area is smaller than that of the gas passage hole 32, so that the pressure is lowered and the flow velocity is increased. This facilitates the inflow of process gas into the lower gas through hole 32b.

이후, 도 4에 도시된 바와 같이, 오리피스부(32c)를 통과한 가스(gas)는 하부 가스통과공(32b)에서 최종적으로 유리기판(G)으로 분사되어 유리기판(G)에 증착되게 된다. 증가된 공정 가스(gas)의 유속은 최종적으로 상부 가스통과공(32a)에 유입될 때의 유속으로 저감된다.Thereafter, as shown in FIG. 4, the gas passing through the orifice portion 32c is finally injected from the lower gas passing hole 32b to the glass substrate G to be deposited on the glass substrate G. . The increased flow rate of process gas is reduced to the flow rate as it finally enters the upper gas through hole 32a.

그런데 증착 공정 중에 균일한 전기장이 생성되지 못하여 아크가 발생하는 등으로 가스분배판(30)의 하부가 손상되어 더 이상의 공정을 진행할 수 없게 되는 경우에는 가스분배판(30) 전체를 교체할 필요없이 상하를 역전시켜 재사용할 수 있다.However, when the lower part of the gas distribution plate 30 is damaged due to the occurrence of an arc due to the failure of generating a uniform electric field during the deposition process, the entire gas distribution plate 30 need not be replaced. Can be reused by reversing the top and bottom.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치를 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명의 일 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치에서 설명한 바와 동일한 것 에 대하여는 중복된 설명을 생략하기로 한다.Hereinafter, a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the same descriptions as those described in the chemical vapor deposition apparatus for the planar display according to the exemplary embodiment will be omitted.

도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 가스분배판의 주요부 절개 사시도이고, 도 7은 도 6에 도시된 가스분배판의 수직 단면도이다.FIG. 6 is a perspective view illustrating an essential part of a gas distribution plate of the chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to another exemplary embodiment. FIG. 7 is a vertical cross-sectional view of the gas distribution plate illustrated in FIG. 6.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치(1)의 가스분배판(30a)은, 복수 개의 가스통과공(32)이 그 두께방향을 따라 형성되되, 복수 개의 가스통과공(32)은, 가스분배판(30a)의 두께(t)에 대해 가로방향으로 형성되는 가스분배판(30a)의 중심축선(c)을 기준으로 상호 대칭되게 형성되되, 가스분배판(30a)의 중심축선(c)을 기준으로 상호 대칭되게 형성되되 곡선 형상을 갖는 곡률면이 형성된다. 여기서 곡률면은 가스분배판(30a)의 중앙 영역에서 단부 영역으로 갈수록 그 두께(t)가 점진적으로 증가하도록 오목한 형상의 오목면(Concave)으로 마련된다.As shown in these figures, Gas distribution plate 30a of the chemical vapor deposition apparatus 1 for a flat panel display according to another embodiment of the present invention, A plurality of gas passing holes 32 are formed along the thickness direction thereof, and the plurality of gas passing holes 32 are formed in the transverse direction with respect to the thickness t of the gas distribution plate 30a. It is formed to be symmetrical with respect to the center axis line (c) of), is formed to be symmetrical with respect to the center axis line (c) of the gas distribution plate 30a is formed with a curved surface having a curved shape. Here, the curvature surface is provided as a concave surface concave so that the thickness t gradually increases from the central region of the gas distribution plate 30a to the end region.

실험적으로 알려진 바에 의하면, 유리기판(G)상의 증착도는, 증착되는 유리기판(G)이 대형화 됨에 따라, 유리기판(G)의 에지 영역에 비해 중앙 영역에서 두꺼운"돔 형태"를 가진다. 즉, 증착도의 주 인자(factor)인 하부 가스통과공(32b)의 표면적 및 체적 크기가 전 영역에 걸쳐 동일하더라도 실제 유리기판(G) 상의 증착도는 중앙 영역이 더 크다. 이와 같이 유리기판(G)에 증착되는 막 두께의 비균일성 문제는 증착 처리 방법을 변형시킴으로써 제거될 수 없고 가스분배판(30) 자체의 구조를 변경시킴으로써 가능하다. Experimentally known, the deposition degree on the glass substrate (G) has a "dome shape" thicker in the center region than the edge region of the glass substrate (G) as the glass substrate (G) to be deposited is enlarged. That is, even if the surface area and volume size of the lower gas passage hole 32b, which is the main factor of the deposition degree, are the same throughout the entire area, the deposition degree on the actual glass substrate G is larger in the central area. The problem of non-uniformity of the film thickness deposited on the glass substrate G can not be eliminated by modifying the deposition processing method, but by changing the structure of the gas distribution plate 30 itself.

전술한 바와 같이 유리기판(G) 증착도와 하부 가스통과공(32b)의 체적 및 표 면적은 직접적인 비례관계가 있는 것으로 알려져 있다. 따라서 이를 잘 조절하면 중앙 대 에지 비균일성 문제를 해결할 수 있다.As described above, the glass substrate G deposition rate and the volume and surface area of the lower gas passage hole 32b are known to have a direct proportional relationship. Therefore, a good adjustment can solve the center-to-edge nonuniformity problem.

이러한 단점을 극복하기 위한 방안들로, 굴곡시킨 다음 머시닝하는 방법, 하부 가스통과공(32b)의 원뿔 직경 및 벌어짐 각도를 변화시키는 방법, 하부 가스통과공(32b)의 확산홀 밀도를 변화시키는 방법 등이 고려될 수 있다.In order to overcome these disadvantages, a method of bending and machining, a method of changing the conical diameter and the flaring angle of the lower gas through hole (32b), a method of changing the diffusion hole density of the lower gas through hole (32b) And the like can be considered.

그러나 전술한 방법들은, 가스분배판(30)의 연화 등의 열처리 공정 그리고 기계적 머시닝, 또는 각 가스통과공(32)마다 개별적인 가공 방법 및 가공 조건의 가공 등의 추가적인 공정이 요구되어, 공정이 복잡할 뿐만 아니라 가공 비용이 증가하는 문제점이 있다. However, the above-described methods require a further heat treatment process such as softening of the gas distribution plate 30 and additional processing such as mechanical machining or processing of individual processing methods and processing conditions for each gas passing hole 32, which is complicated. In addition, there is a problem that the processing cost increases.

따라서 본 실시 예에서는, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 바로 머시닝 하는 방법을 택하는 한편, 머시닝을 곡률면 즉 오목면(Concave)으로 가공함으로써 단 1회의 제작 공정만으로 판면을 오목한 형상으로 가공되게 마련할 수 있다.Therefore, in the present embodiment, as shown in Figs. 6 and 7, the method of machining is selected immediately, while machining the machining into a curvature plane, that is, a concave surface, so that the plate surface is concave in only one manufacturing process. It can be provided to be processed.

그러므로, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 가스분배판(30a)의 두께(t)에 대해 가로방향으로 형성되는 가스분배판(30a)의 중심축선(c)을 기준으로 상호 대칭되게 형성하고 또한 오목하게 머시닝 함으로써 가공 공정을 보다 단순화하고 비용 절감의 효과를 얻을 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 6 and FIG. 7, they are formed symmetrically with respect to the central axis c of the gas distribution plate 30a which is formed in the transverse direction with respect to the thickness t of the gas distribution plate 30a. Machining with concave and concave can simplify the machining process and reduce costs.

또한 가스분배판(30a)을 중앙 영역을 오목하게 머시닝하여, 중앙 영역에서의 하부 가스통과공(32b)의 표면적 및 체적을 감소시킴으로써, 유리기판(G)상의 증착률이 전 영역에서 고르게 분포될 수 있다.In addition, the gas distribution plate 30a is recessed in the center region to reduce the surface area and volume of the lower gas through hole 32b in the center region, so that the deposition rate on the glass substrate G can be evenly distributed in all regions. Can be.

한편, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 평면디스 플레이용 화학 기상 증착장치를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, the chemical vapor deposition apparatus for planar display according to another embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings as follows.

도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 가스분배판의 주요부 절개 사시도이고, 도 9는 도 8의 A-A선의 단면도이다.8 is a perspective view illustrating an essential part of a gas distribution plate of the chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 8.

이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 가스분배판(30b)은, 전술한 실시 예에서 일체형으로 제작한 가스분배판(30)과는 달리, 가스분배판(30)의 상부 가스분배판(36)과 하부 가스분배판(37)을 각각 별도로 가공하여 상호 결합시켜 마련된다.As shown in these figures, The gas distribution plate 30b of the chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to another embodiment of the present invention, unlike the gas distribution plate 30 manufactured integrally in the above-described embodiment, the gas distribution plate 30 The upper gas distribution plate 36 and the lower gas distribution plate 37 of the processing is provided separately to each other.

여기서, 상부 가스분배판(36) 및 하부 가스분배판(37)은 후술할 보강결합부(39)의 이격부재(39a)의 두께 방향 중심축을 기준으로 상호 대칭되는 형상을 가지도록 마련되며, 보강결합부(39)는 상부 가스분배판(36) 및 하부 가스분배판(37)를 결합시킨다. Here, the upper gas distribution plate 36 and the lower gas distribution plate 37 are provided to have a symmetrical shape with respect to the central axis in the thickness direction of the spacer member 39a of the reinforcing coupling portion 39 to be described later, reinforcement The coupling part 39 couples the upper gas distribution plate 36 and the lower gas distribution plate 37.

한편, 이러한 보강결합부(39)는, 상부 가스분배판(36)과 하부 가스분배판(37)을 나란하게 이격시키면서도, 상호간을 결합시키는 복수의 이격 결합부재(39a)와, 상부 가스분배판(36) 및 하부 가스분배판(37)의 측면을 결합시킴으로써 상호 간의 결합력을 증강시키는 단부 결합부재(39b)를 구비한다. 이를 통해 상부 가스분배판(36) 및 하부 가스분배판(37) 사이에는 이격공간(P)이 마련된다. 그리고 상부 가스분배판(36) 및 하부 가스분배판(37)은 볼트에 의해 체결된다.On the other hand, the reinforcing coupling portion 39, while separating the upper gas distribution plate 36 and the lower gas distribution plate 37 side by side, a plurality of spaced apart coupling member (39a) and the upper gas distribution plate for coupling to each other. An end coupling member 39b is formed to engage the side surfaces of the 36 and the lower gas distribution plate 37 to enhance the mutual bonding force. As a result, a space P is provided between the upper gas distribution plate 36 and the lower gas distribution plate 37. The upper gas distribution plate 36 and the lower gas distribution plate 37 are fastened by bolts.

이러한 구조로 인하여 가스분배판(30b)의 무게 대비 강성을 향상시켜 가스분배판(30b)이 처지는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.Due to this structure, the rigidity of the gas distribution plate 30b may be improved, thereby preventing the gas distribution plate 30b from sagging.

여기서 상부 가스분배판(36) 및 하부 가스분배판(37)은 실질적으로 동일한 구조를 가지므로 하부 가스분배판(37)에 대해서 설명하기로 하고 상부 가스분배판(36)에 대한 설명은 생략하기로 한다.Here, since the upper gas distribution plate 36 and the lower gas distribution plate 37 have substantially the same structure, the lower gas distribution plate 37 will be described, and the description of the upper gas distribution plate 36 will be omitted. Shall be.

하부 가스분배판(37)에는, 복수 개의 가스통과공(38)이 두께방향을 따라 관통 형성되어 있고, 복수 개의 가스통과공(38)은 하부 가스분배판(37)의 상단부로부터 두께방향으로의 일 구간까지 형성되는 내측 통과공(37a)과, 하부 가스분배판(37)의 하단부로부터 두께방향으로 일 구간까지 형성되는 외측 통과공(37b)과, 내측 통과공(37a) 및 외측 통과공(37b) 간을 연통시키는 오리피스부(37c)를 포함한다.A plurality of gas through holes 38 are formed in the lower gas distribution plate 37 along the thickness direction, and the plurality of gas through holes 38 extend from the upper end of the lower gas distribution plate 37 in the thickness direction. Inner through hole 37a formed up to one section, Outer through hole 37b formed up to one section in the thickness direction from the lower end of lower gas distribution plate 37, Inner through hole 37a and Outer through hole ( 37b) orifice portion 37c for communicating the liver.

이들 중, 외측 통과공(37b)은 하단로부터 두께 방향으로 갈수록 직경이 점진적으로 감소하는 테이퍼진 형상으로 제작된다. 이러한 형상을 가짐으로써 오리피스부(37c) 및 외측 통과공(37b)을 통과한 공정 가스(gas)가 유리기판(G)의 전 영역으로 보다 효율적으로 분사될 수 있게 된다. Among them, the outer passage hole 37b is manufactured in a tapered shape in which the diameter gradually decreases from the lower end toward the thickness direction. By having such a shape, the process gas that has passed through the orifice portion 37c and the outer passage hole 37b can be more efficiently injected to the entire region of the glass substrate G.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시 예의 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치는 상하 대칭되는 가스분배판(30b)을 구비함으로써 가스분배판(30b)의 사용 기간을 연장할 수 있을 뿐만 아니라 생산 비용을 줄일 수 있는 효과가 있다. 즉, 일정 기간의 증착 공정 이후, 그 상태를 역전시켜 상부 챔버(10)에 결합시켜 사용할 수 있어 전술한 실시 예들과 마찬가지로 가스분배판(30b)의 재사용을 유도할 수 있는 장점이 있다.As described above, the chemical vapor deposition apparatus for a planar display according to another embodiment of the present invention includes a gas distribution plate 30b that is vertically symmetrical, thereby prolonging the service period of the gas distribution plate 30b and producing costs. There is an effect to reduce. That is, after the deposition process for a period of time, the state can be reversed to be used in combination with the upper chamber 10 has the advantage of inducing reuse of the gas distribution plate 30b as in the above-described embodiments.

또한, 본 실시 예의 경우 보강결합부(39)를 통해 상부 가스분배판(36) 및 하부 가스분배판(37)이 상호 이격된 채 결합됨으로써, 가스분배판(30b) 자체의 무게 를 줄일 수 있는 한편 강성을 향상시킬 수 있어, 가스분배판(30b)이 하방으로 처지는 것을 저지할 수 있으며, 이로 인해 유리기판(G)에 대한 균일한 증착 공정을 실행할 수 있다. In addition, in the present embodiment, the upper gas distribution plate 36 and the lower gas distribution plate 37 are coupled to be spaced apart from each other through the reinforcing coupling portion 39, thereby reducing the weight of the gas distribution plate 30b itself. On the other hand, the rigidity can be improved, and the gas distribution plate 30b can be prevented from sagging downward, thereby performing a uniform deposition process on the glass substrate G.

전술한 실시 예들에서는, 가스분배판의 상부 가스통과공 및 하부 가스통과공에서 오리피스부 방향으로 갈수록 직경이 점진적으로 줄어드는 테이퍼진 형상에 대해 상술하였으나, 공정 가스의 밀도 및 점도 등을 고려하여 가스통과공의 형상은 다르게 제조할 수도 있을 것이다.In the above-described embodiments, the tapered shape in which the diameter gradually decreases toward the orifice portion in the upper gas passage hole and the lower gas passage hole of the gas distribution plate is described in detail, but the gas passage is considered in consideration of the density and viscosity of the process gas. The shape of the ball may be made differently.

이와 같이 본 발명은 기재된 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서, 그러한 수정 예 또는 변형 예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.As described above, the present invention is not limited to the described embodiments, and various modifications and changes can be made without departing from the spirit and scope of the present invention, which will be apparent to those skilled in the art. Therefore, such modifications or variations will have to be belong to the claims of the present invention.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 가스분배판의 활용도 및 수명을 종래보다 증대시킬 수 있으며, 가스분배판의 제작 공정을 종래보다 단순하게 할 수 있다.As described above, according to the present invention, the utilization and lifespan of the gas distribution plate can be increased than before, and the manufacturing process of the gas distribution plate can be made simpler than before.

Claims (10)

평면디스플레이용 유리기판에 대한 증착 공정이 진행되는 챔버; 및A chamber in which a deposition process is performed on the glass substrate for a flat panel display; And 상기 챔버 내에 마련되며, 상기 챔버 내에 형성되는 증착공간으로 상기 증착 공정을 위한 공정 가스를 분배하는 복수 개의 가스통과공이 그 두께방향을 따라 형성되어 있는 가스분배판을 포함하며,A gas distribution plate provided in the chamber and having a plurality of gas passage holes formed along the thickness direction of the plurality of gas passing holes for distributing the process gas for the deposition process to a deposition space formed in the chamber; 상기 복수 개의 가스통과공은, 상기 가스분배판의 두께에 대해 가로방향으로 형성되는 상기 가스분배판의 중심축선을 기준으로 상호 대칭되게 형성되며,The plurality of gas passing holes are formed symmetrically with respect to the central axis of the gas distribution plate formed in the transverse direction with respect to the thickness of the gas distribution plate, 상기 가스분배판은,The gas distribution plate, 상기 유리기판과 나란하게 배치되는 상부 가스분배판과 하부 가스분배판; 및An upper gas distribution plate and a lower gas distribution plate disposed in parallel with the glass substrate; And 상기 상부 가스 분배판과 상기 하부 가스분배판이 상호간 이격 가능하도록 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판에 결합되어 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판이 처지는 것을 저지하는 보강결합부를 포함하며,And a reinforcing coupling part coupled to the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate to prevent the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate from being spaced apart from each other, thereby preventing the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate from sagging. 상기 보강결합부는,The reinforcing coupling portion, 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판 사이에 배치되고 양단이 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판에 각각 결합되어 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판을 상호 이격시키는 복수의 이격 결합부재; 및A plurality of separations disposed between the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate, and both ends of which are coupled to the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate to space the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate; Coupling member; And 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판의 측면에 형성되는 개구부를 차단하면서 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판의 측면에 결합되는 복수의 단부 결합부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.Planar display, characterized in that it comprises a plurality of end coupling members coupled to the side of the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate while blocking the opening formed on the side of the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate. Chemical vapor deposition apparatus. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 복수의 이격 결합부재는, 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판에서 상기 복수 개의 가스통과공이 형성되지 않는 상기 상부 가스분배판과 상기 하부 가스분배판의 나머지 면에 그 양단부가 각각 결합되는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.The plurality of spaced apart coupling members may be coupled to both ends of the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate, respectively, on the remaining surfaces of the upper gas distribution plate and the lower gas distribution plate on which the plurality of gas through holes are not formed. Chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, characterized in that. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부 가스분배판에 형성되는 상기 복수 개의 가스통과공은,The plurality of gas passing holes formed in the upper gas distribution plate, 상기 상부 가스분배판의 하단으로부터 두께방향으로의 일 구간까지는 동일한 직경을 갖도록 관통 형성된 내측통과공;An inner through hole formed to have the same diameter from a lower end of the upper gas distribution plate to one section in a thickness direction; 상기 내측통과공과 연통되며, 상기 상부 가스분배판의 상단으로부터 두께방향으로 갈수록 직경이 점진적으로 감소하도록 관통 형성된 외측통과공; 및An outer through hole communicating with the inner through hole and formed to gradually decrease in diameter from an upper end of the upper gas distribution plate in a thickness direction; And 상기 내측통과공과 상기 외측통과공 사이에 마련되어 상기 내측통과공과 상기 외측통과공을 상호 연통시키는 오리피스부를 포함하며,An orifice portion provided between the inner through hole and the outer through hole to communicate the inner through hole with the outer through hole; 상기 하부 가스분배판에 형성되는 상기 복수 개의 가스통과공은,The plurality of gas passing holes formed in the lower gas distribution plate, 상기 하부 가스분배판의 상단으로부터 두께방향으로의 일 구간까지는 동일한 직경을 갖도록 관통 형성된 내측통과공;An inner through hole formed to have the same diameter from an upper end of the lower gas distribution plate to one section in a thickness direction; 상기 내측통과공과 연통되며, 상기 하부 가스분배판의 하단으로부터 두께방향으로 갈수록 직경이 점진적으로 감소하도록 관통 형성된 외측통과공; 및An outer through hole communicating with the inner through hole and formed to gradually decrease in diameter from a lower end of the lower gas distribution plate in a thickness direction; And 상기 내측통과공과 상기 외측통과공 사이에 마련되어 상기 내측통과공과 상기 외측통과공을 상호 연통시키는 오리피스부를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치.And an orifice portion provided between the inner passage hole and the outer passage hole to communicate the inner passage hole and the outer passage hole with each other.
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