KR100905877B1

KR100905877B1 - 질화물 반도체 소자

Info

Publication number: KR100905877B1
Application number: KR1020070117676A
Authority: KR
Inventors: 이성숙; 이수민; 한재웅; 박희석
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2007-11-19
Filing date: 2007-11-19
Publication date: 2009-07-03
Also published as: KR20090051333A

Abstract

질화물 반도체 소자는, p형 및 n형 질화물 반도체층과 그 사이에 복수의 양자우물층과 복수의 양자장벽층이 교대로 적층되어 이루어진 다중양자우물구조의 활성층을 포함하며, 상기 복수의 양자장벽층 중 적어도 하나가 p형 불순물로 도프된 영역을 갖는다. 상기 적어도 하나의 p형 불순물로 도핑된 양자장벽층은 상기 양자우물층과 접하는 계면에 상기 양자장벽층의 도핑된 다른 내부영역의 농도보다 낮은 p형 불순물 농도를 갖는 확산방지막을 구비할 수 있다.

질화물 반도체 소자(nitride semiconductor device), 다중양자우물(muti quantum well), p형 불순물(p-type dopant)

Description

질화물 반도체 소자{NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전체 양자우물구조에서의 재결합효율이 향상되도록 정공의 주입효율을 개선한 질화물 반도체 소자에 관한 것이다.

일반적으로, 질화물 반도체는 풀컬러 디스플레이, 이미지 스캐너, 각종 신호시스템 및 광통신기기에 광원으로 제공되는 녹색 또는 청색 발광 다이오드(light emitting diode:LED) 또는 레이저 다이오드(laser diode: LD)에 널리 사용되고 있다. 이러한 질화물 반도체 소자는 전자와 정공의 재결합원리를 이용하는 활성층에서 빛을 생성하여 방출시킨다.

상기 활성층은 하나의 양자우물층을 갖는 단일양자우물(single quantum well: SQW)구조와 약 100Å보다 작은 복수개의 양자우물층을 갖는 다중양자우물(muti quantum well: MQW)구조가 있다. 이 중에서, 특히 다중양자우물구조의 활성층은 단일양자우물구조에 비해 전류대비 광효율이 우수하고 높은 발광출력을 가지므로 적극적으로 활용되고 있다.

이러한 질화물 반도체 소자의 광효율은 원천적으로 활성층 내에서의 전자와 정공의 재결합확률, 즉 내부양자효율에 의해 결정된다. 이러한 내부양자효율의 개선방안은 주로 활성층 자체의 구조를 개선하거나 캐리어의 유효량(effective mass)을 증가시키는 방향으로 연구되고 있다.

하지만, 정공의 이동도와 주입길이는 전자의 이동도와 주입길이에 비해 훨씬 작으므로, 대부분의 재결합은 p형 질화물 반도체층에 인접한 양자우물에서만 제한적으로 발생된다. 이러한 문제는, 최근에 활발히 연구되고 있는 다색 활성층(청색-녹색 활성층)을 갖는 발광소자에 보다 심각한 문제로 대두된다. 즉, 다색 활성층을 갖는 발광소자의 경우에, 원하는 청색 스펙트럼과 녹색 스펙트럼을 유사한 출력으로 생성하는 것이 중요하지만, p형 질화물 반도체층에 인접한 영역에서만 제한적으로 발광이 일어나며 결국 특정영역의 광만의 출력이 강해져 원하는 혼색효과를 얻기 어려운 문제가 있다.

본 발명은 상술된 종래 기술의 문제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 p형 질화물 반도체층으로부터 주입되는 정공이 전체 양자우물영역으로 원활하게 주입될 수 있는 다중 양자우물구조를 갖는 질화물 반도체 소자를 제공하는데 있다.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위해서, 본 발명은,

p형 및 n형 질화물 반도체층과 그 사이에 복수의 양자우물층과 복수의 양자장벽층이 교대로 적층되어 이루어진 다중양자우물구조의 활성층을 포함하며, 상기 복수의 양자장벽층 중 적어도 하나가 p형 불순물로 도프된 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자를 제공한다.

구체적으로, 상기 p형 불순물은 Mg, Zn, Cd, Be, Ca 및 Ba로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소일 수 있다.

바람직하게, 상기 적어도 하나의 p형 불순물로 도핑된 양자장벽층은 상기 양자우물층과 접하는 계면에 상기 양자장벽층의 도핑된 다른 내부영역의 농도보다 낮은 p형 불순물 농도를 갖는 확산방지막을 구비한다.

이 경우에, 상기 양자장벽층의 내부도핑영역의 p형 불순물 농도는 5×10¹⁵ ∼ 1×10¹⁷ /㎤일 수 있다.

바람직하게, 상기 확산방지막의 p형 불순물농도는 상기 양자우물층과 접하는 계면에 상기 양자장벽층의 다른 내부도핑영역의 p형 불순물농도보다 0.1배 이하일 수 있다. 보다 바람직하게는, 상기 확산방지막은 고의적으로 도프되지 않은 영역일 수 있다.

상기 적어도 하나의 양자장벽층의 n형 불순물 확산방지막의 두께는 그 양자장벽층의 두께의 1/10 내지 3/10인 것이 바람직하다.

구체적으로, 상기 적어도 하나의 양자장벽층의 두께는 약 10㎚ ∼ 약 30㎚이며, 상기 n형 불순물 확산방지막의 두께는 약 1㎚ ∼ 약 9㎚일 수 있다.

바람직한 실시형태에서, 상기 p형 불순물로 도프된 양자장벽층은 상기 p형 질화물 반도체층에 가까운 양자장벽층일 수 있다.

또한, 상기 p형 불순물로 도핑된 양자장벽층은 복수개인 경우에, 상기 p형 불순물로 도핑된 양자장벽층 중 적어도 하나의 양자장벽층은 다른 양자장벽층과 다른 p형 불순물 농도를 가질 수 있으며, 이 경우에, 바람직하게는 상기 p형 불순물로 도핑된 복수개의 양자장벽층은, 상기 p형 질화물 반도체층에 접한 양자장벽층의 p형 불순물농도가 가장 높으며, 상기 n형 질화물 반도체층측에 가까울수록 그 불순 물농도가 낮아지도록 배치될 수 있다.

본 발명의 특정 응용예에서, 상기 활성층의 방출파장과 다른 파장을 방출하기 위한 복수의 양자우물층과 복수의 양자장벽층을 갖는 추가적인 활성층을 가지며, 상기 추가적인 활성층은 n형 질화물 반도체층에 인접하여 배치될 수 있다.

본 발명에 따르면, 본 발명은, 양자장벽층을 선택적으로 또는 전체적으로 적정량 p형 불순물로 도프함으로써 상대적으로 열악한 정공주입효율을 향상시킬 수 있다. 전체 양자우물층에서 균일한 발광이 가능하여 재결합효율, 즉 발광효율을 크게 높일 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 보다 상세히 설명하기로 한다.

도1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 질화물 반도체 소자를 나타내는 측단면도이다.

도1에 도시된 바와 같이, 질화물 반도체 소자(20)는 기판(21) 상에 순차적으로 n형 질화물 반도체층(23), 다중양자우물구조인 활성층(25) 및 p형 질화물 반도 체층(27)을 포함한다. 상기 활성층(25)은 복수의 양자장벽층(25a)과 복수의 양자우물층(25b)을 갖는 다중양자우물구조로 제공된다.

n측 전극(29a)은 메사에칭되어 노출된 n형 질화물 반도체층(27) 상면 영역에 형성되며, 상기 p형 질화물 반도체층(23) 상면에는 투명전극층(28)과 p측 전극(29b)이 차례로 형성된다.

상기 양자장벽층(25a)은 Al_x1In_y1Ga_1-x1-y1N(x₁+y₁=1, 0≤x₁≤1, 0≤y₁≤1)에서 적절히 선택하여 사용할 수 있으며, 상기 양자우물층(25b)은 상기 양자장벽층(25a)보다 작으면서 원하는 방출 파장에 해당하는 에너지 밴드갭을 갖는 Al_x2In_y2Ga_1-x2-y2N(x₂+y₂=1, 0≤x₂≤1, 0≤y₂≤1)에서 적절히 선택하여 사용할 수 있다.

특히, 본 실시형태에서 채용된 다중 양자 우물구조의 활성층(25)에서, 양자우물층(25b)은 InGaN과 같은 언도프된 질화물층으로 이루어지는데 반하여, 양자장벽층(25a)은 GaN과 같은 p형 불순물이 도프된 질화물층으로 이루어진다.

이와 같이, 상기 p형 불순물로 도프된 양자장벽층(25a)은 활성층(25) 내에서 정공의 주입효율을 증가시킬 수 있다. 즉, 앞서 설명한 바와 같이, 정공은 전자에 비해 그 주입길이나 이동도가 수십배 내지 수백배 작으므로, 이에 따라 특정 영역에서 정공의 양이 급격히 감소하여 재결합효율이 낮아지게 된다. 본 발명에서 채용하는 양자장벽층(25a)은 활성화된 p형 불순물을 통해서 이러한 정공의 급격한 감소를 완화시킬 수 있으며, 결과적으로 재결합효율을 향상시킬 수 있다.

상기 양자장벽층(25)의 활성화된 p형 불순물을 통해서 상기한 재결합 효율을 향상시키기 위해서는, 양자장벽층의 p형 불순물 농도는 5×10¹⁵ ∼ 1×10¹⁷ /㎤ 범위로 하는 것이 바람직하다.

이러한 p형 불순물로는 Mg, Zn, Cd, Be, Ca 및 Ba로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소가 사용될 수 있다. 예를 들어, MOCVD공정에서 Mg 원소를 불순물로 선택할 경우에, 양자장벽층 형성시에 Cp₂Mg 가스를 주입하여 용이하게 실시할 수 있다.

도2는 본 발명의 실시형태에 따라 개선된 활성층의 구조를 나타내는 개략적인 에너지밴드다이어그램이다. 도1의 활성층과 그 주위 부분으로 이해할 수 있다.

여기서, 세로축은 에너지밴드갭의 절대크기(eV)를 말하며, 가로축은 n형 질화물 반도체층부터 p형 질화물 반도체층으로 수직방향의 거리를 의미한다.

도2을 참조하면, n형 질화물 반도체층(23)과 p형 질화물 반도체층(27) 사이에 4개의 양자우물층(25b)과 그 양자우물층(25b)보다 큰 밴드갭을 갖는 3개의 양자장벽층(25a)으로 구성된 활성층(25)에 대한 에너지밴드갭 다이어그램이 도시되어 있다.

본 다이어그램에서는, 보다 구체적으로 n형 질화물 반도체층(23)은 n형 GaN 이며, p형 질화물 반도체층(27)은 언도프 GaN 스페이서층(27a)과, p형 AlGaN 전자장벽층(27b)과, p형 GaN층(27c)으로 이루어진 형태로 예시되어 있다.

이와 같이, 상기 양자장벽층(25a)은 활성화된 p형 불순물을 통해서 정공의 급격한 감소를 완화시킬 수 있다. 따라서, n형 질화물 반도체층에 가까운 양자우물층까지 도달할 수 있는 정공의 양을 증가시킬 수 있으며, 이로써 발광효율을 향상시킬 수 있다.

본 실시형태에서는 모든 양자장벽층(25a)에 p형 불순물로 도프한 것으로 예시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 즉, 양자장벽층에 대한 p형 불순물 도핑은 특정 양자장벽층에 선택적으로 수행될 수 있으며, 서로 다른 불순물 농도를 갖도록 구현될 수 있다.

바람직하게는, p형 질화물 반도체층(27)측에 인접한 양자장벽층을 중심으로 선택하여 도핑시킴으로써 활성화된 p형 불순물에 의한 정공의 상대적인 양의 증가와 함께 제한적으로 p형 불순물을 도프함으로써 불순물 도핑에 의해 결정성에 미칠 수 있는 영향을 저감시킬 수 있다. 이러한 유형의 활성층은 도3에 도시된 에너지밴드 다이어그램을 참조하여 설명할 수 있다.

도3을 참조하면, n형 GaN 반도체층(33)과 p형 질화물 반도체층(37) 사이에 4개의 양자우물층(35b)과 그 양자우물층(35b)보다 큰 밴드갭을 갖는 3개의 양자장벽층(35a)으로 구성된 활성층(35)이 도시되어 있다.

3개의 양자장벽층(35a) 중 상대적으로 p형 질화물 반도체층(37)에 가까운 2 개의 양자장벽층(35a')만이 p형 불순물이 도프된다. 특히, 상기 p형 불순물이 도프된 2개의 양자장벽층(35a')은 p형 질화물 반도체층에 인접할수록 높은 불순물농도를 갖도록 배치된다. 이는 앞서 설명한 바와 같이 p형 AlGaN 반도체층(37)에 인접한 양자장벽층에서 활성화된 p형 불순물에 의한 정공주입효율 개선효과가 크기 때문이다.

이와 같이, 일부 양자장벽층(35')에만 선택적으로 p형 불순물로 도프함으로써 불순물 도핑에 따른 결정성에 대한 부정적인 영향을 완화시킬 수 있다. 도시된 형태에서는 2개의 양자장벽층(35')에 한하여 p형 불순물이 도프된 형태로 도시하였으나, 1개의 양자장벽층에 한하여 p형 불순물이 도프된 형태도 포함되며, 그 위치도 p형 질화물 반도체층에 인접하도록 배치하는 것이 바람직할 것이다.

도4는 본 발명의 다른 실시형태에 따른 질화물 반도체 소자를 나타내는 측단면도이다.

도4를 참조하면, 질화물 반도체 소자(110)는 도1에 도시된 소자와 유사하게 기판(111) 상에 순차적으로 n형 질화물 반도체층(113), 다중양자우물구조인 활성층(115) 및 p형 질화물 반도체층(117)을 포함한다. 상기 활성층(115)은 복수의 양자장벽층(115a)과 복수의 양자우물층(115b)을 갖는 다중양자우물구조로 제공된다.

n측 전극(119a)은 메사에칭되어 노출된 n형 질화물 반도체층(117) 상면 영역에 형성되며, 상기 p형 질화물 반도체층(113) 상면에는 투명전극층(118)과 p측 전극(119b)이 차례로 형성된다.

상기 다중 양자 우물구조의 활성층(115)에서, 양자장벽층(115a)은 도1에 도시된 형태와 달리 내부영역(115a')에 한하여 p형 도프되며, 양자우물층(115b)과의 계면에는 언도프된 영역으로 된 확산방지막(115a")을 포함하는 구조를 갖는다.

본 실시형태에 채용된 양자장벽층(115a)에서, 정공을 보충하기 위한 p형 불순물로 도핑된 내부영역(115a')은 보다 양질의 결정성을 유지하기 위해서, 상기 p형 질화물 반도체층(117)의 불순물농도보다 작은 농도를 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로, 상기 양자장벽층의 내부영역(115a")은 5×10¹⁵ ∼ 1×10¹⁷ /㎤의 불순물 농도를 가질 수 있다.

본 실시형태에서는, 도시된 바와 같이 상기 양자장벽층(115a)은 상기 양자우물층(115b)과 접하는 계면에는 고의적으로 도프되지 않은 확산방지막(115a")을 구비한다. 이러한 확산방지막(115a")은 내부영역(115a')으로부터 양자우물층(115b)으로의 원하지 않는 불순물의 확산을 방지하기 위한 구조이다.

본 실시형태에서 채용되는 확산방지막(115a")은 고의적으로 도프되지 않은 영역으로 예시되어 있으나, 도핑된 양자장벽층(115a)의 내부영역(115a')의 농도보다 낮은 불순물 농도 바람직하게는, 그 0.1배 이하의 p형 불순물농도를 갖도록 도프되더라도, 양자우물층(115b)으로 확산가능한 불순물의 양을 획기적으로 저감시킬 수 있다.

나아가, 상기 확산방지막(115a")을 본 실시형태와 같이 언도프영역으로 형성하거나, 다른 내부영역 농도의 10% 이하에서 일정한 불순물 농도를 갖도록 구성하는 경우에는, 그 양자장벽층(115a) 상에 양자우물층(115b)을 성장할 때에 공정조건 및 표면 모폴로지가 변화하는 것을 방지할 수 있다는 추가적인 잇점을 얻을 수 있다.

이러한 확산방지막(115a")의 두께(t_a)는 양자장벽층의 전체 두께(t)의 1/10 내지 3/10의 크기로 형성하는 것이 바람직하다. 확산방지막(115a")의 두께(t_a)가 양자장벽층 전체 두께(t)의 0.1배보다 작은 경우에는 양자우물층(115b)으로의 불순물확산을 방지하는 기능이 미약하며, 0.3배보다 큰 경우에는 불순물이 도핑된 양자장벽층(115a)의 내부영역(115a")이 너무 작아져 순방향전압을 낮추는 역할이 효과적으로 수행하기 어렵다. 보다 구체적인 예에서, 양자장벽층(115a)의 두께(t)가 약 10㎚ ∼ 약 30㎚일 때에, 상기 확산방지막(115a")의 두께(t_a)는 약 1㎚ ∼ 약 9㎚일 수 있다.

이와 같이, 상기 p형 불순물로 도프된 내부영역(115a")을 갖는 양자장벽층(115a)은 활성층(115) 내에서 정공의 주입효율을 증가시킬 수 있다. 결과적으로 재결합효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 확산방지막(115a")은 p형 불순물이 양자우물층(115b)으로 확산되는 것을 방지하여 양자우물층의 신뢰성을 보장할 수 있 다.

도5는 도4에 도시된 질화물 반도체 소자에 채용된 활성층에 대한 개략적인 에너지밴드 다이어그램이다.

도5를 참조하면, n형 GaN 반도체층(113)과 p형 질화물 반도체층(117) 사이에 4개의 양자우물층(115b)과 그 양자우물층(115b)보다 큰 밴드갭을 갖는 3개의 양자장벽층(115a)으로 구성된 활성층(115)에 대한 에너지밴드 다이어그램이 도시되어 있다. 앞선 형태와 유사하게, 보다 구체적으로 n형 질화물 반도체층(113)은 n형 GaN이며, p형 질화물 반도체층(117)은 언도프 GaN 스페이서층(117a)과, p형 AlGaN 전자장벽층(117b)과, p형 GaN층(117c)으로 이루어진 형태로 예시되어 있다.

상기 양자장벽층(115a)은 상기 양자우물층(115b)의 전자와 정공의 재결합확률을 높이기 위해서 p형 불순물로 도프된 내부영역(115a')과 양자우물층과 접하는 양계면에 형성된 확산방지막(115a")으로 이루어진다. 상기 확산방지막(115a")은 다른 영역, 즉 내부영역(115a')보다 낮은 p형 불순물농도를 가지며, 바람직하게는 그 불순물농도의 0.1배 이하인 불순물농도를 갖는 영역, 보다 바람직하게는 언도프된 영역으로 형성될 수 있다.

따라서, 양자장벽층의 내부영역(115a')에서 활성화된 p형 불순물을 통해서 정공의 증대효과를 기대할 수 있는 동시에, 낮게 도핑되거나 언도프된 확산방지 막(115a")에 의해 양자우물층(115b)으로 진입하는 불순물의 확산을 저감시키거나 방지할 수 있다.

본 실시형태에서도, 도3에 설명된 형태와 유사하게 상기 p형 불순물로 도프된 복수개의 양자장벽층이 서로 다른 p형 불순물 농도를 갖거나, 일부의 양자장벽층에만 n형 불순물이 도핑된 구조에도 적용될 수 있으며, 도3에 관련된 구조는 확산방지막을 채용한 본 실시형태와 결합하여 구현될 수 있다.

특히, 활성층에서의 정공주입효율 문제를 개선한 본 발명에 따른 구조는 서로 다른 파장을 갖는 다색 활성층을 갖는 발광소자에서도 매우 유용하게 적용될 수 있을 것이다. 다색 활성층을 구현하기 위해서 층 수의 증가가 불가피하므로, 상대적으로 정공주입효율의 문제가 보다 심각할 수 있다. 이 경우에도, 일부 또는 전체 활성층의 양자장벽층을 상술된 구조를 갖도록 p형 도프함으로써 원하는 효과를 얻을 수 있다. 이 경우에도, p형 불순물이 도프된 양자장벽층을 갖는 특정 파장의 활성층은 p형 질화물 반도체층에 인접하여 배치하는 것이 바람직할 것이다.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부 된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.

도2는 도1에 도시된 질화물 반도체 소자에 채용된 활성층에 대한 개략적인 에너지밴드 다이어그램이다.

도3은 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자에 채용가능한 다른 예의 활성층에 대한 에너지밴드 다이어그램이다.

Claims

p형 및 n형 질화물 반도체층과 그 사이에 복수의 양자우물층과 복수의 양자장벽층이 교대로 적층되어 이루어진 다중양자우물구조의 활성층을 포함하며,

상기 복수의 양자장벽층 중 적어도 하나가 p형 불순물로 도프된 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
제1항에 있어서,

상기 적어도 하나의 p형 불순물로 도핑된 양자장벽층은 상기 양자우물층과 접하는 계면에 상기 양자장벽층의 도핑된 다른 내부영역의 농도보다 낮은 p형 불순물 농도를 갖는 확산방지막을 구비한 질화물 반도체 소자.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 p형 불순물은 Mg, Zn, Cd, Be, Ca 및 Ba로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
제2항에 있어서,

상기 양자장벽층의 내부도핑영역의 p형 불순물 농도는 5×10¹⁵ ∼ 1×10¹⁷ /㎤인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
제2항에 있어서,

상기 확산방지막의 p형 불순물농도는 상기 양자우물층과 접하는 계면에 상기 양자장벽층의 다른 내부도핑영역의 p형 불순물농도보다 0.1배 이하인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
제1항에 있어서,

상기 적어도 하나의 p형 불순물로 도핑된 양자장벽층은 상기 양자우물층과 접하는 계면에 p형 불순물이 도프되지 않은 확산방지막을 구비한 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
제2항에 있어서,

상기 확산방지막의 두께는 해당 양자장벽층 두께의 1/10 내지 3/10인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
제7항에 있어서,

상기 적어도 하나의 양자장벽층의 두께는 10㎚ ∼ 30㎚인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
제1항에 있어서,

상기 p형 불순물로 도프된 양자장벽층은 상기 p형 질화물 반도체층에 인접한 양자장벽층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
제1항에 있어서,

상기 p형 불순물로 도핑된 양자장벽층은 복수개이며,

상기 p형 불순물로 도핑된 양자장벽층 중 적어도 하나의 양자장벽층은 다른 양자장벽층과 다른 p형 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
제10항에 있어서,

상기 p형 불순물로 도핑된 복수개의 양자장벽층은, 상기 p형 질화물 반도체층에 접한 양자장벽층의 p형 불순물농도가 가장 높으며, 상기 n형 질화물 반도체층측에 가까울수록 그 불순물농도가 낮아지도록 배치된 것을 특징으로 질화물 반도체 소자.
제1항에 있어서,

상기 활성층의 방출파장과 다른 파장을 방출하기 위한 복수의 양자우물층과 복수의 양자장벽층을 갖는 추가적인 활성층을 가지며,

상기 추가적인 활성층은 n형 질화물 반도체층에 인접하여 배치된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.