KR100897767B1 - 데이터 유지 시간을 늘릴 수 있는 마이크로 컨트롤러 유닛및 방법 - Google Patents

데이터 유지 시간을 늘릴 수 있는 마이크로 컨트롤러 유닛및 방법 Download PDF

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Abstract

마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 방법이 개시된다. 상기 마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 방법은 정지 모드 동작 수행 중 외부로부터 입력된 제1 인터럽트 신호에 응답하여 검출된 배터리 전압 레벨이 미리 결정된 저전압 레벨 범위인 때 상기 정지 모드 동작 수행을 유지하는 단계, 및 외부로부터 입력된 제2 인터럽트 신호에 응답하여 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 미리 결정된 저전압 레벨 범위의 최상위 전압 레벨보다 클 때 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 정상 동작을 수행하는 단계를 구비한다.
MCU(Micro Controller Unit)

Description

데이터 유지 시간을 늘릴 수 있는 마이크로 컨트롤러 유닛 및 방법{Method and MCU capable of further preserving and holding data}
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1은 공급된 배터리 전압 레벨에 따른 MCU의 동작 상태를 나타내는 그래프이다
도 2는 공급된 배터리 전압 레벨에 따른 종래의 MCU의 동작 방법을 나타내는 플로챠트이다.
도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 방법을 나타내는 플로챠트이다.
도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 MCU의 구성도이다.
도 5는 도 4에 도시된 MCU를 포함하는 전자 장치의 구성도이다.
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 데이터 유지 시간을 늘릴 수 있는 마이크로 컨트롤 유닛에 관한 것이다.
일반적으로 배터리를 사용하는 전자 장치, 예컨대, 휴대폰, 노트북 컴퓨터, PDA(personal digital assistant), 또는 리모콘(Remocon) 등은 내부에 비휘발성 메모리 장치 또는 휘발성 메모리 장치와 같은 메모리 장치, 및 마이크로 컨트롤러 유닛(Micro Controller Unit, MCU) 등을 내장하고 있다.
상기 배터리를 사용하는 전자 장치의 MCU는 공급되는 배터리의 전압 레벨에 따라 동작 가능 여부가 결정될 수 있다. 즉 상기 배터리에서 공급되는 전압 레벨이 미리 결정된 레벨 전압 이하로 떨어지면 상기 MCU는 정상 동작할 수 없게 된다. 따라서 상기 배터리를 사용하는 전자 장치에 포함된 MCU는 상기 배터리에서 공급되는 전압 레벨이 상기 미리 결정된 레벨 전압을 벗어날 때 오동작할 확률이 매우 높다.
그러므로 상기 배터리를 사용하는 전자 장치에 포함된 MCU에 공급되는 배터리 전압 레벨 변화에 따른 오동작 방지는 매우 중요하다. 이러한 오동작을 방지하기 위하여 상기 MCU는 공급된 배터리 전압 레벨이 미리 결정된 기준 전압 레벨보다 낮아지는지를 모니터링한다.
상기 MCU에 공급된 배터리 전압 레벨이 상기 미리 결정된 기준 전압보다 낮아지고 배터리 교체나 충전을 통하여 상기 미리 결정된 기준 전압 레벨보다 다시 높아진 때, 상기 MCU는 정상 동작 수행 전에 오동작 방지를 위하여 리셋 동작을 수행할 수 있다. 상기 배터리를 사용하는 전자 장치는 상기 공급된 배터리의 전압 레벨을 검출할 수 있는 LVD(Low Voltage Detector)를 구비한다.
도 1은 배터리 전압 레벨에 따른 MCU의 동작 상태를 나타내는 그래프이고, 도 2는 공급되는 배터리 전압 레벨에 따른 종래의 MCU의 동작 방법을 나타내는 플 로챠트이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 제1 기준 전압 레벨(VLVD)은 상기 MCU가 정상적으로 동작 가능한 최소 전압 레벨을 나타낸다. 상기 제2 기준 전압 레벨(VPOR)은 상기 MCU에 포함된 데이터 레지스터(미도시)나 메모리(미도시)에 데이터를 저장할 수 있는 최소 전압 레벨이다.
따라서 도 1에 도시한 바에 따르면 상기 MCU로 공급되는 전압 레벨(Vb)이 상기 제1 기준 전압 레벨(VLVD)이상인 영역에서 상기 MCU는 정상 동작한다(A동작 상태).
상기 MCU로 공급되는 전압 레벨(Vb)이 상기 제1 기준 전압 레벨(VLVD)보다 작고, 상기 제2 기준 전압 레벨(VPOR)보다 큰 영역에서 상기 MCU는 정상 동작을 보장할 수 없다(B동작 상태).
상기 MCU로 공급되는 전압 레벨(Vb)이 상기 제2 기준 전압 레벨(VPOR)보다 작은 영역에서 상기 MCU는 정상 동작이 불가능하다(C동작 상태).
상기 MCU에 최초로 배터리를 연결하거나 충전 동작을 하게 되면 상기 MCU는 리셋 동작을 시작한다(S105). 상기 MCU는 상기 데이터 레지스터를 초기화하고, 정상 동작할 수 있는 상태를 준비한다(S110).
상기 MCU는 정상 동작을 수행한 후(S115), CPU로부터 입력된 정지 명령(stop command)에 응답하여 정지 모드(Stop mode)로 진입한다(S120 및 S125).
상기 정지 모드에서는 상기 CPU에 의하여 상기 MCU를 동작시키기 위한 클럭이 정지되며, 상기 LVD도 턴 오프된다.
상기 정지 모드의 상기 MCU로 인가되는 외부 인터럽트(External interrupt)가 없으면 상기 MCU는 상기 정지 모드를 계속 유지한다(S130).
반면에 상기 정지 모드의 상기 MCU로 상기 외부 인터럽트가 인가되면 상기 LVD는 턴 온된다(S130 및 S135). 상기 LVD는 상기 배터리의 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압 레벨보다 높은가를 체크한다.
체크된 배터리 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압 레벨보다 높을 때 상기 MCU는 정상 동작을 수행하고, 정상 동작 수행 완료 후 상기 정지 명령에 응답하여 정지 모드로 진입한다(S140 및 S115).
상기 정지 모드의 상기 MCU로 상기 외부 인터럽트가 인가되고, 상기 LVD에 의해 체크된 배터리 전압 레벨(Vb)이 상기 제1 기준 전압 레벨(VLVD)보다 낮을 때 상기 MCU는 정상동작할 수 없으므로 동작 오류가 발생될 수 있다. 이를 홀트 상태(HALT Status)라 한다. 상기 홀트 상태에서 상기 LVD는 턴 온 상태를 유지하며 상기 배터리로부터 공급되는 전압 레벨(Vb)을 체크한다(S150).
체크된 상기 배터리 전압 레벨(Vb)이 상기 제1 기준 전압 레벨(VLVD)보다 낮을 때 상기 MCU는 상기 홀트 상태를 유지한다(S150 및 S145).
배터리의 교체나 충전을 통하여 상기 체크된 배터리의 전압 레벨(Vb)이 상기 제1 기준 전압 레벨(VLVD)보다 높아질 때, 상기 MCU는 오류 없는 정상 동작을 수행하기 위하여 정상 동작 수행 전에 리셋 동작을 수행한다(S150 및 S105).
상기 MCU로 공급되는 배터리의 전압 레벨(Vb)이 상기 제2기준 전압 레벨(VPOR)보다 낮아질 때는 상기 MCU에 포함된 데이터 레지스터나 메모리 장치에 데 이터를 저장할 수 없기 때문에 상기 MCU의 동작은 더 이상 보증될 수 없다.
따라서 상기 배터리의 전압 레벨(Vb)이 배터리의 교체나 충전을 통하여 상기 정상 동작을 할 수 있는 전압 레벨(VLVD)이 되면 상기 MCU는 정상 동작 수행 전에 상기 리셋 동작을 수행하여 초기화된다.
데이터 유지는 가능하나 정상 동작을 할 수 없는 상태(B 동작 상태), 즉 상기 MCU로 공급되는 배터리 전압 레벨(Vb)이 상기 제1 기준 전압 레벨(VLVD)과 상기 제2 기준 전압 레벨(VPOR) 사이 일 때, 상기 MCU는 정상 동작을 수행하기 전에 상기 리셋 동작을 수행한다.
종래의 B 동작 상태에 있는 MCU는 데이터 유지가 가능함에도 불구하고, 정상 동작을 수행하기 위하여 리셋 동작을 수행하여 초기화되었다. 이것은 상기 초기화를 수행하기 위하여 배터리가 소모되며, 상기 MCU의 데이터 유지 시간이 줄어들 수 있는 문제점이 있다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 배터리를 사용하는 전자 장치의 MCU에 의한 전력 소모를 줄이고, 데이터 유지 시간을 늘릴 수 있는 마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 방법 및 마이크로 컨트롤러 유닛을 제공하기 위함이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 방법은 정지 모드 동작 수행을 유지하는 단계 및 정상 동작을 수행하는 단계를 구비한다.
상기 정지 모드 동작 수행을 유지하는 단계는 정지 모드 동작 수행 중 외부로부터 입력된 제1 인터럽트 신호에 응답하여 검출된 배터리 전압 레벨이 미리 결정된 저전압 레벨 범위일 때, 상기 마이크로 컨트롤러 유닛은 상기 정지 모드 동작 수행을 유지한다.
상기 정상 동작을 수행하는 단계는 외부로부터 입력된 제2 인터럽트 신호에 응답하여 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 미리 결정된 저전압 레벨 범위의 최상위 전압 레벨보다 높을 때, 리셋 동작을 수행하지 않고 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 정상 동작을 수행한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 방법은 검출 단계, 정지 모드 수행 단계, 재검출 단계, 및 정상 동작 수행 단계를 구비한다.
상기 검출 단계는 마이크로 컨트롤러 유닛이 외부로부터 입력된 제1 인터럽트 신호에 응답하여, 외부로부터 공급된 배터리 전압 레벨을 검출한다.
상기 정지 모드 수행 단계는 검출된 상기 배터리 전압 레벨이 미리 결정된 전압 레벨 범위인 때, 상기 마이크로 컨트롤러 유닛에 대한 정지 모드를 수행한다.
상기 재검출 단계는 상기 정지 모드 수행 중 외부로부터 입력된 제2 인터럽트 신호에 응답하여 상기 외부로부터 공급된 배터리 전압 레벨을 재검출한다.
상기 정상 동작 수행 단계는 재검출된 배터리 전압 레벨이 상기 미리 결정된 전압 레벨 범위의 최상위 전압 레벨보다 클 때, 리셋 동작을 수행하지 않고 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 정상 동작을 수행한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 마이크로 컨트롤러 유닛은 저전압 검출 블록, 및 리셋 신호 발생부를 구비한다.
상기 저전압 검출 블록은 인터럽트 신호에 응답하여 외부로부터 공급된 배터리 전압 레벨을 검출하고, 검출된 배터리 전압 레벨에 기초하여 동작 모드 제어 신호를 출력한다.
상기 저전압 검출 블록은 제1 인터럽트 신호에 응답하여 검출된 배터리 전압 레벨이 제1 기준 전압 레벨보다 작고 제2 기준 전압 레벨보다 클 때, 상기 리셋 신호 발생부를 디스에이블(disable)시키기 위한 상기 동작 모드 제어 신호를 발생시켜 마이크로 컨트롤러 유닛의 정지 모드 동작을 수행하고, 상기 마이크로 컨트롤러 유닛의 정지 모드 동작 수행 중에, 제2 인터럽트 신호에 응답하여 외부로부터 공급된 배터리 전압 레벨을 검출하고, 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압 레벨보다 높을 때, 리셋 동작 없이 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 상기 마이크로 컨트롤러 유닛의 정상 동작을 수행한다.
상기 리셋 신호 발생부는 상기 동작 모드 제어 신호에 기초하여, 시스템 리셋 신호를 발생시킨다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 전자 장치는 배터리 전압을 공급하기 위한 배터리 전원부 및 상기 배터리 전원부로부터 공급된 배터리 전압을 이용하여 동작하는 MCU(Micro Controller Unit)를 구비한다. 상기 MCU는 상술한 마이크로 컨트롤러 유닛일 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. 이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 MCU(Micro Controller Unit)의 동작 방 법을 나타내는 플로챠트이다. 도 1 및 도 3을 참조하면, 전자 장치의 배터리가 교체되거나 충전되어 상기 전자 장치에 포함된 MCU에 배터리 전압이 공급될 때, 상기 MCU는 리셋 동작을 수행한다(S305). 상기 리셋 동작을 통하여 상기 MCU의 데이터 레지스터(미도시) 및 컨트롤 레지스터(미도시)의 초기화가 수행된다(S310). 상기 초기화가 완료된 후 상기 MCU는 정상 동작을 수행할 수 있다(S315).
상기 MCU에 포함된 CPU로부터 입력된 정지 명령(stop command)에 응답하여 상기 MCU는 정지 모드로 진입한다(S320 및 S325).
구체적으로 상기 CPU는 상기 MCU가 정상 동작 수행을 완료하면, 제1 제어신호를 출력한다. 상기 제1 제어 신호에 응답하여 상기 MCU를 동작시키기 위한 클럭 신호를 발생시키기 위한 클럭 발생기 및 LVD(low level detector) 회로는 디스에이블된다.
따라서 상기 클럭 신호에 응답하여 동작하는 상기 MCU 내부의 CPU, 및 주변 회로가 비동작 상태로 전환된다.
상기 정지 모드의 상기 MCU는 외부로부터 인터럽트 신호가 수신되지 않는 한 상기 정지 모드를 유지한다.
상기 정지 모드의 상기 MCU가 외부로부터 입력된 제1 인터럽트 신호에 응답하여 상기 LVD 회로는 인에이블된다. 상기 LVD 회로는 배터리 전압 레벨을 검출한다(S340).
상기 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압 레벨보다 높을 때, 상기 MCU는 상기 제1 인터럽트 신호에 상응하는 정상 동작을 수행한다.
상기 검출된 배터리 전압 레벨이 미리 결정된 저전압 레벨 범위 일 때 상기 MCU는 상기 정지 모드 상태를 계속 유지한다(S345).
예컨대, 상기 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압 레벨(예컨대, 도 1에 도시된 VLVD)보다 낮고, 제2기준 전압 레벨(예컨대, 도 1에 도시된 VPOR)보다 높을 때 상기 MCU는 상기 정지 모드 상태를 계속 유지한다. 이때 상기 인에이블된 LVD 회로는 디스에이블된다.
외부로부터 입력된 제2 인터럽트 신호에 응답하여, 상기 LVD 회로는 인에이블된다(S350 및 S355). 인에이블된 상기 LVD 회로는 외부로부터 공급되는 배터리 전압 레벨을 검출하고, 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 미리 결정된 전압 레벨 범위인 때 정지 상태 동작을 계속 유지한다(S360 및 S345).
반면에 배터리 교체 또는 충전을 통하여 상기 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 미리 결정된 전압 레벨 범위의 최상위 전압 레벨(예컨대, 제1 기준 전압 레벨(VLVD))보다 높을 때, 상기 MCU는 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 정상 동작을 수행한다(S360 및 S315).
상기 MCU는 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 상기 정상 동작을 수행하기 전에 리셋 동작을 수행하기 않는다.
도 2에 도시된 종래의 경우에는 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 상기 정상 동작을 수행하기 전에 리셋 동작을 수행하여 상기 MCU를 초기화하였다. 그러나 본 발명에 따른 MCU의 동작방법에서는 상기 리셋 동작 없이 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 정상 동작을 수행하므로 리셋 동작에 따른 상기 MCU의 전력 소모가 없어지고, 상기 MCU의 데이터 유지 시간이 종래에 비하여 늘어난다.
도 3에는 도시하지 않았지만, 배터리가 더 방전되어 상기 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 미리 결정된 전압 레벨 범위의 최하위 전압 레벨(예컨대, 제2 기준 전압 레벨(VPOR))보다 낮을 때, 상기 MCU는 정상 동작 수행 전에 리셋 동작을 수행하여야 한다. 이는 상기 MCU의 오동작을 방지하기 위함이다.
도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 MCU(400)의 구성도이다. 도 4를 참조하면, 상기 MCU(400)는 인터럽트 제어부(410), 저전압 검출 블록(420), 리셋 신호 발생부(430), 및 CPU(440)를 구비한다.
상기 인터럽트 제어부(410)는 외부 인터럽트 신호(EXT)를 수신하고, 수신된 외부 인터럽트 신호(EXT)에 응답하여 인터럽트 신호(INT)를 출력한다.
상기 저전압 검출 블록(420)은 POR 회로(421), LVD 회로(423 및 425), 검출 제어부(427)를 포함한다. 상기 POR 회로(421)는 외부로부터 공급된 배터리 전압(VDD)을 모니터링한다. 상기 POR 회로(421)는 상기 공급된 배터리 전압(VDD)이 제2 기준 전압 레벨(V2, 예컨대 도 1에 도시된 VPOR)보다 낮을 때 리셋 신호(RESET)를 발생시키기 위한 제1 리셋 인에이블 신호(R1)를 출력한다.
상기 제2 기준 전압 레벨(V2)은 상기 MCU에 포함된 메모리 장치(미도시, 예컨대, RAM)에 저장된 데이터의 리텐션(retention)을 보장하기 위한 최소 전압일 수 있다.
상기 LVD 회로(423 및 425)는 LVD 제어부(423), 및 LVD(Low Voltage Dector, 425)를 포함한다. 상기 LVD 제어부(423)는 상기 인터럽트 신호(INT)를 수신하고, 수신된 인터럽트 신호(INT)에 응답하여 상기 LVD(425)를 인에이블하기 위한 LVD 인에이블 신호(Le)를 출력한다.
상기 LVD(425)는 상기 LVD 인에이블 신호(Le)에 응답하여 인에이블된다. 상기 LVD(425)는 외부로부터 공급된 배터리 전압(VDD) 레벨을 제1 기준 전압(V1, 예컨대, 도 1에 도시된 VLVD) 레벨과 비교하고, 비교 결과에 기초하여 비교 신호(Cs)를 출력한다. 상기 제1 기준 전압 레벨(V1)은 상기 MCU(400)가 정상 동작을 수행할 수 있는 최소 전압 레벨일 수 있다.
상기 검출 제어부(427)는 상기 인터럽트 신호(INT)에 응답하여 인에이블되고, 인에이블된 상기 검출 제어부(427)는 상기 비교 신호(Cs)에 기초하여 상기 리셋 신호 발생부(430)를 인에이블하기 위한 제2 리셋 인에이블 신호(R2)를 출력한다.
상기 리셋 신호 발생부(430)는 상기 제1 리셋 인에이블 신호(R1) 또는 상기 제2 리셋 인에이블 신호(R2)에 기초하여 상기 MCU(400)를 리셋하기 위한 리셋 신호(RESET)를 출력한다. 예컨대, 상기 리셋 신호 발생부(430)는 노아 게이트(NOR Gate)로 구현될 수 있다.
예컨대, 상기 공급된 배터리 전압(VDD) 레벨이 상기 제1 기준 전압(V1, 예컨대, 도 1에 도시된 VLVD) 레벨보다 낮을 때 상기 비교 신호(Cs)는 로우 로직 레벨일 수 있으며, 상기 제2 리셋 인에이블 신호(R2)는 로우 로직 레벨 일 수 있다.
상기 공급된 배터리 전압(VDD) 레벨이 상기 제2 기준 전압 레벨(V2)보다 높을 때, 상기 제1 인에이블 신호(R1)는 하이 로직 레벨일 수 있다. 이 때 상기 노아 게이트로 구현된 상기 리셋 신호 발생부(430)는 로우 로직 레벨의 리셋 신호(RESET)를 발생한다.
반면에 상기 공급된 배터리 전압(VDD) 레벨이 상기 제2 기준 전압 레벨(V2)보다 낮을 때, 상기 제1 인에이블 신호(R1)는 로우 로직 레벨일 수 있으며,상기 노아 게이트로 구현된 상기 리셋 신호 발생부(430)는 하이 로직 레벨의 리셋 신호(RESET)를 발생한다.
상기 MCU(400)는 하이 로직 레벨의 리셋 신호(RESET)에 응답하여 리셋될 수 있다. 상기 리셋 신호(RESET)는 상기 MCU(400)를 포함하는 전자 장치를 리셋하기 위한 시스템 리셋 신호일 수 있다.
상기 CPU(440)는 상기 MCU(400)가 정지 모드에 진입할 때, 클럭 신호를 발생하는 클럭 발생기(미도시), 상기 인터럽트 제어부(410), 상기 LVD 제어부(423), 또는 상기 검출 제어부(427) 중에서 적어도 하나를 디스에이블하기 위한 정지 신호(ST)를 출력한다.
따라서 상기 클럭 신호에 동기되어 동작하는 상기 MCU(400)의 주변회로들(미도시) 및 상기 CPU(440)도 비동작 상태로 전환된다.
상기 CPU(440)는 상기 인터럽트 신호(INT)에 응답하여 인에이블될 수 있다.
도 5는 도 4에 도시된 MCU를 포함하는 전자 장치(500)의 구성도이다. 도 5를 참조하면 상기 전자 장치(500)는 배터리부(510) 및 MCU(400)를 구비한다. 상기 전자 장치(500)는 리모콘, 휴대폰, PDA, 및 PMP 등이 될 수 있다.
상기 배터리부(510)는 상기 전자 장치(500)의 전원 공급원으로서, 상기 MCU(400)에 배터리 전압(VDD)을 공급한다.
상기 MCU(400)는 상기 배터리부(510)로부터 공급된 배터리 전압(VDD)을 이용하여 동작한다. 상기 MCU(400)는 상기 공급된 배터리 전압(VDD) 레벨을 모니터링 한다.
모니터링된 배터리 전압 레벨에 따라 상기 MCU(400)는 정상 동작 수행 전에 리셋 동작 여부를 결정한다. 상기 MCU(400)는 도 4에서 상술한 바와 같이 구현될 수 있다.
이 때 상기 리셋 신호 발생부(430)에서 발생되는 리셋 신호(RESET)는 상기 전자 장치(500)를 리셋하기 위한 시스템 리셋 신호(System RESET)일 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 배터리를 사용하는 전자 장치의 MCU 구동 방법은 상기 MCU의 데이터 유지 시간을 늘릴 수 있는 효과가 있다.

Claims (14)

  1. 마이크로 컨트롤러 유닛이 정지 모드 동작 수행 중 외부로부터 입력된 제1 인터럽트 신호에 응답하여 검출된 배터리 전압 레벨이 미리 결정된 저전압 레벨 범위일 때, 상기 정지 모드 동작 수행을 유지하는 단계; 및
    상기 마이크로 컨트롤러 유닛이 외부로부터 입력된 제2 인터럽트 신호에 응답하여 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 미리 결정된 저전압 레벨 범위의 최상위 전압 레벨보다 높을 때, 리셋 동작을 수행하지 않고 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 정상 동작을 수행하는 단계를 구비하는 마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 방법은,
    상기 마이크로 컨트롤러 유닛이 상기 제2 인터럽트 신호에 응답하여 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 미리 결정된 저전압 레벨 범위인 때, 상기 정지 모드 동작을 계속 유지하는 단계를 더 구비하는 마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정지 모드 동작 수행을 유지하는 단계는,
    외부로부터 상기 제1 인터럽트 신호를 수신하는 단계;
    수신된 상기 제1 인터럽트 신호에 응답하여 LVD(Low Voltage Detector)가 턴온되며, 턴온된 LVD에 의해 외부로부터 공급된 상기 배터리 전압 레벨을 검출하는 단계; 및
    상기 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 미리 결정된 저전압 레벨 범위인 때 상기 턴온된 LVD를 턴 오프하고, 상기 정지 모드 동작 수행을 유지하는 단계를 포함하는 마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 정상 동작을 수행하는 단계는,
    상기 제2 인터럽트 신호를 수신하는 단계;
    수신된 상기 제2 인터럽트 신호에 응답하여 LVD가 턴온되며, 턴온된 LVD에 의해 외부로부터 공급된 상기 배터리 전압 레벨을 검출하는 단계; 및
    검출된 상기 배터리 전압 레벨이 상기 미리 결정된 저전압 레벨 범위의 최상위 전압 레벨보다 클 때 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 정상 동작을 수행하는 단계를 포함하는 마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 방법.
  5. 마이크로 컨트롤러 유닛이 외부로부터 입력된 제1 인터럽트 신호에 응답하여, 외부로부터 공급된 배터리 전압 레벨을 검출하는 단계;
    검출된 배터리 전압 레벨이 미리 결정된 전압 레벨 범위인 때, 상기 마이크로 컨트롤러 유닛에 대한 정지 동작을 수행하는 단계;
    상기 정지 동작 수행 중 외부로부터 입력된 제2 인터럽트 신호에 응답하여 상기 외부로부터 공급된 배터리 전압 레벨을 재검출하는 단계; 및
    재검출된 배터리 전압 레벨이 상기 미리 결정된 전압 레벨 범위의 최상위 전압 레벨보다 클 때, 리셋 동작을 수행하지 않고 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 정상 동작을 수행하는 단계를 구비하는 마이크로 컨트롤러 유닛의 동작 방법.
  6. 삭제
  7. 마이크로 컨트롤러 유닛에 있어서, 상기 마이크로 컨트롤러 유닛은,
    동작 모드 제어 신호에 기초하여, 시스템 리셋 신호를 발생시키는 리셋 신호 발생부; 및
    제1 인터럽트 신호에 응답하여 외부로부터 공급된 배터리 전압 레벨을 검출하고, 검출된 배터리 전압 레벨이 제1 기준 전압 레벨보다 낮고 제2 기준 전압 레벨보다 높을 때, 상기 리셋 신호 발생부를 디스에이블(disable)시키기 위한 상기 동작 모드 제어 신호를 발생시켜 상기 마이크로 컨트롤러 유닛의 정지 모드 동작을 수행하는 저전압 검출 블록을 포함하고,
    상기 저전압 검출 블록은, 상기 마이크로 컨트롤러 유닛의 정지 모드 동작 수행 중에, 제2 인터럽트 신호에 응답하여 외부로부터 공급된 배터리 전압 레벨을 검출하고, 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압 레벨보다 높을 때, 리셋 동작 없이 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 상기 마이크로 컨트롤러 유닛의 정상 동작을 수행하는 마이크로 컨트롤러 유닛.
  8. 제7항에 있어서, 상기 저전압 검출 블록은,
    CPU로부터 출력된 정지 명령에 응답하여 디스에이블되는 마이크로 컨트롤러 유닛.
  9. 제7항에 있어서, 상기 마이크로 컨트롤러 유닛은,
    외부 인터럽트 신호에 응답하여 인에이블되고, 상기 인터럽트 신호를 발생하는 인터럽트 제어부를 더 구비하는 마이크로 컨트롤러 유닛.
  10. 제7항에 있어서, 상기 저전압 검출 블록은,
    상기 인터럽트 신호에 응답하여 인에이블되고, 상기 외부로부터 공급된 배터리 전압 레벨과 제1 기준 전압 레벨을 비교하고, 비교한 결과에 기초하여 제1 비교 신호를 출력하는 제1 저전압 검출 회로; 및
    상기 인터럽트 신호에 응답하여 인에이블되고, 상기 제1 비교 신호에 기초하여 상기 동작 모드 제어 신호를 출력하는 검출 제어부를 구비하는 마이크로 컨트롤러 유닛.
  11. 제10항에 있어서, 상기 저전압 검출 블록은,
    상기 외부로부터 공급된 배터리 전압과 제2 기준 전압을 비교하고, 비교결과에 기초하여 제2 비교 신호를 출력하는 제2 저전압 검출 회로를 더 구비하며,
    상기 검출 제어부는,
    상기 제1 비교 신호 및 상기 제2 비교 신호에 기초하여, 상기 리셋 신호 발생부를 디스에이블(disable)시키기 위한 상기 동작 모드 제어 신호를 발생시키는 마이크로 컨트롤러 유닛.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제1 저전압 검출 회로는,
    상기 인터럽트 신호에 응답하여 턴 온되고, LVD 인에이블 신호를 발생시키는 LVD 제어부; 및
    상기 LVD 인에이블 신호에 응답하여 턴 온되고, 상기 외부로부터 공급된 배터리 전압 레벨과 제1 기준 전압 레벨을 비교하고, 비교한 결과에 기초하여 제1 비교 신호를 출력하는 LVD(Low Voltage Detector)를 구비하는 마이크로 컨트롤러 유닛
  13. 배터리 전압을 공급하기 위한 배터리 전원부; 및
    상기 배터리 전원부로부터 공급된 배터리 전압을 이용하여 동작하는 MCU(Micro Controller Unit)를 구비하며,
    상기 MCU는,
    동작 모드 제어 신호에 기초하여, 시스템 리셋 신호를 발생시키는 리셋 신호 발생부; 및
    제1 인터럽트 신호에 응답하여 외부로부터 공급된 배터리 전압 레벨을 검출하고, 검출된 배터리 전압 레벨이 제1 기준 전압 레벨보다 낮고 제2 기준 전압 레벨보다 높을 때, 상기 리셋 신호 발생부를 디스에이블(disable)시키기 위한 상기 동작 모드 제어 신호를 발생시켜 상기 MCU의 정지 모드 동작을 수행하는 저전압 검출 블록을 포함하고,
    상기 저전압 검출 블록은, 상기 MCU의 정지 모드 동작 수행 중에, 제2 인터럽트 신호에 응답하여 외부로부터 공급된 배터리 전압 레벨을 검출하고, 검출된 배터리 전압 레벨이 상기 제1 기준 전압 레벨보다 높을 때, 리셋 동작 없이 상기 제2 인터럽트 신호에 상응하는 상기 MCU의 정상 동작을 수행하는 전자 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 전자 장치는,
    리모콘인 전자 장치.
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