KR100897001B1 - Insulator align plate , method of manufacturing the insulator align plate - Google Patents

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주식회사 엠아이티
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Abstract

본 발명은 기판(Substrate) 상면에 관통홀을 마이크로 블라스트(Micro Blast)으로 가공하는 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 주정열판과 서브정열판으로 사용되는 기판을 더트단위 또는 블록단위로 크기로 절단하고 관통홀을 가공하여 관통홀에 통전핀 프러그를 삽입고정하는 것이다.The present invention relates to a method of processing a through hole in a micro blast (Micro Blast) on the substrate (Substrate), specifically, the substrate used as the main alignment plate and the sub-alignment plate cut in size in units of dirt or block unit The through-hole is machined to insert and fix the energizing pin plug into the through-hole.

상기 주정열판 제조는 선정된 부도체 기판 상면에 1차 드라이 필름 포토레지스트(Dry film photoresist)으로 라미네이트(Laminate)하는 단계; 관통홀 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 주정열판 상면에 노광과 현상하여 희망하는 관통홀 형상을 패터닝하는 단계; 주정열판 상면에서 관통홀을 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시하는 단계; 주정열판 상면에 잔류한 1차 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 단계; 관통홀이 가공된 주정열판 상면에 2차 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 단계; 통전핀 지지부 크기와 두께의 슬릿홈 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트이 부착된 주정열판 상면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀 지지부 크기와 두께의 슬릿홈 형상을 패터닝하는 단계; 주정열판 상면에서 통전핀 지지부 크기와 두께의 일부깊이 슬릿홈을 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시하는 단계; 주정열판 상면에 잔류한 2차 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 단계; 주정열판 하면에 3차 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 단계; 관통홀 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 주정열판 하면에 노광과 현상하여 희망하는 관통홀 형상을 패터닝하는 단계; 주정열판 하면에서 관통홀을 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시하는 단계; 주정열판 하면에 잔류한 1차 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 단계; 주정열판에 형성된 관통홀과 통전핀 지지부 크기와 두께의 슬릿홈이 가공된 주정열판 전면을 세정하는 단계; 주정열판에 형성된 관통홀에 통전핀 프러그을 삽입하는 단계; 가공된 주정열판을 더트 단위 또는 블록 단위로 다이싱(Dicing)하는 단계로 제조되며, 상기 서브정열판 제조는 선정된 기판을 서브정열판으로 하여 상면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 단계; 통전핀단위 관통개구 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트이 부착된 서브정열판 상면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀단위 관통개구 형상을 패터닝하는 단계; 서브정열판 상면에서 통전핀단위 관통개구을 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시하는 단계; 서브정열판 상면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 단계; 서브정열판으로 하면에 드라이 필름 포토레지스트를 라미네이트하는 단계; 통전핀단위 관통개구 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 서브정열판 하면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀단위 관통개구 형상을 패터닝하는 단계; 서브정열판 하면에서 관통개구을 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시하는 단계; 서브정열판 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 단계; 서브정열판에 형성된 통전핀단위 관통개구와 노출된 서브정열판 전면을 세정하는 단계; 서브정열판의 통전핀단위 관통개구벽에 폴리머을 증착하는 단계; 가공된 서브정열판을 더트 단위크기 또는 블록 단위크기로 다이싱하는 단계로 가공되며, 상기 주정열판과 서브정열판을 서로 접합하여 통전핀 헤드 조립체로 되는 것이다.The manufacturing of the ordered heat plate may include: laminating a first dry film photoresist on an upper surface of a selected non-conductive substrate; Patterning a desired through hole shape by exposing and developing the upper surface of the alignment plate to which the dry film photoresist is attached with a photo mask having a through hole pattern formed thereon; Performing micro-machining of the through-holes on the upper surface of the columnar heating plate by a micro blasting method; Removing the first dry film photoresist remaining on the upper surface of the main heat order plate; Laminating a secondary dry film photoresist on the upper surface of the columnar heat processing plate processing the through-holes; Patterning a slit groove shape having a desired size and thickness of the conductive pin support by exposing and developing the upper surface of the main heat exchanger plate to which the dry film photoresist is attached with a photomask having a slit groove pattern having a size and thickness of the conductive pin support; Performing micro-machining of the slit grooves of a part of the size and thickness of the current-carrying pin support part on the upper surface of the heat exchanger plate by the micro blasting method; Removing the secondary dry film photoresist remaining on the upper surface of the main heat order plate; Laminating with a tertiary dry film photoresist on the bottom of the ordered heat plate; Patterning a desired through hole shape by exposing and developing the bottom surface of the columnar heat treatment plate to which the dry film photoresist is attached with a photo mask having a through hole pattern formed thereon; Performing micro-machining of the through-holes on the bottom of the main heat sink plate by a micro blasting method; Removing the first dry film photoresist remaining on the lower surface of the main heat order plate; Cleaning the front surface of the main alignment plate in which the slit grooves having the size and thickness of the through-hole and the conduction pin support formed in the alignment plate are processed; Inserting a conductive pin plug into the through hole formed in the main heat exchanger plate; Dicing the processed main order plate in the unit of dirt or block (Dicing), the sub-order plate manufacturing step is the step of laminating a dry film photoresist on the upper surface using the selected substrate as a sub-alignment plate; Patterning a desired through pin unit through opening pattern by exposing and developing the upper surface of the sub-alignment plate to which the dry film photoresist is attached using a photo mask having the through pin unit through opening pattern formed thereon; Processing the through-hole pin opening through the micro blasting method on the upper surface of the sub-alignment plate; Removing the dry film photoresist remaining on the upper surface of the sub-alignment plate; Laminating a dry film photoresist on the bottom surface of the sub-alignment plate; Patterning a desired through pin unit through-opening shape by exposing and developing the bottom surface of the sub-alignment plate to which the dry film photoresist is attached using a photo mask having a through pin unit through-opening pattern formed thereon; Processing the through opening at the bottom of the sub-alignment plate by a micro blasting method; Removing the dry film photoresist remaining on the bottom surface of the sub-alignment plate; Cleaning through the conductive pin unit through opening formed in the sub-alignment plate and the entire surface of the exposed sub-alignment plate; Depositing a polymer on the through-hole wall of the conduction pin unit of the sub-alignment plate; Dicing the processed sub-arrangement plate in a dirt unit size or a block unit size, the main alignment plate and the sub-alignment plate is bonded to each other to become a current supply pin head assembly.

주정열판, 서브정열판, 관통개구, 관통홀, 요홈, 슬릿홈 Sorting plate, sub sorting plate, through opening, through hole, groove, slit groove

Description

부도체 정열판 및 그의 기판 제조방법{Insulator Align Plate , method of manufacturing the Insulator Align Plate}Insulator Align Plate and its substrate manufacturing method

본 발명은 반도체칩 검사용 통전핀을 조립하는 통전핀헤드 조립체의 정열판 제조방법에 관한 것으로서, 제조된 정열판의 지정된 위치에 통전핀을 정밀하게 정열하여 프로브카드로 조립하여 웨이퍼에 패턴된 반도체 칩을 전기적특성 검사를 거쳐 양품과 불량품으로 선별하는 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a heat exchanger plate of a power supply pin head assembly for assembling a power supply pin for semiconductor chip inspection. Chips are screened for good and defective products through electrical characteristics inspection.

통전핀헤드 조립체의 정열판은 반도체인 실리콘판을 건식에칭으로 관통개구를 가공하여 통전핀헤드 조립체로 사용하였으나 실리콘판의 저항치에 의해 관통개구와 실리콘판 전면에 절연막으로 증착하였으나 관통개구는 에칭의 정밀성에 따라 절연막이 균일하게 증착이 않되거나 관통개구벽에 절연막이 정밀하게 증착이 않되여 절연막이 떨어지는 문제가 발생되어 통전핀을 관통개구에 조립시 누설전류가 발생된다.The heat exchanger plate of the current-carrying pin head assembly was used as a current-carrying pin head assembly by processing the silicon plate, which is a semiconductor, by dry etching, but deposited through the opening and the insulating film on the entire surface of the silicon plate by the resistance of the silicon plate. Depending on the precision, the insulating film is not uniformly deposited or the insulating film is not deposited precisely on the through-opening wall, resulting in a problem that the insulating film falls, and a leakage current is generated when assembling the conductive pin to the through-opening opening.

상기 관통개구벽 누설전류 문제로 통전핀헤드 조립체의 정열판을 절연체인 유리판 또는 세라믹판에 통전핀 삽입을 위한 관통개구을 가공한 주정열판 관통개구에 통전핀을 조립하여 통전핀헤드 조립체로 사용된다.Due to the leakage current of the through-opening wall, the conduction plate of the conduction pin head assembly is used as the conduction pin head assembly by assembling the conduction pin to the through-opening opening of the main heat exchanger plate through which the through opening for inserting the conduction pin into the glass plate or ceramic plate is insulated.

상기 통전핀 헤드 조립체인 주정열판과 서브정열판은 고정밀도 미세입자을 사용하여 미세가공인 마이크로 블라스트(Micro Blast) 공법을 이용하여 미세하고 균일하고 정밀하게 가공 하는 것이다.The main heat dissipation plate and the sub heat dissipation plate, which are the head fin assembly, are processed finely, uniformly, and precisely by using a micro blasting method (Micro Blast) which is a micro process using high precision microparticles.

본 발명의 해결과제는 실리콘기판에 관통개구 에칭으로 가공되는 정열판은 실리콘기판이 500um 이상으로 에칭시 관통개구 에칭정밀도, 각 관통개구 에칭크기 균일성, 공정시 사용된 포토레지스트 잔재물 등에 의거 절연막이 균일하게 증착 않되는 문제.The problem of the present invention is that the alignment plate processed by the through-opening etching on the silicon substrate has an insulating film based on the through-opening etching precision, the uniformity of each through-opening etching size, the photoresist residue used in the process, etc. Problems not depositing uniformly.

본 발명의 다른 해결과제은 상기 정열판에 균일하게 증착이 않된 절연막은 통전핀을 관통개구에 삽입시 관통개구벽에 통전핀이 절연막을 손상시켜 누설전류가 발생된다. 또한 실리콘기판을 Wet Etching, Laser가공, Drill 가공, 초음파가공시에 발생되는 관통개구벽의 거칠기와 가공시 발생되는 잔재물과 실리콘기판의 관통개구벽과 블록단위의 외측 측벽에 누설전류가 발생되는 문제.Another problem of the present invention is that when the insulating film is not uniformly deposited on the heat exchanger plate, when the current supply pin is inserted into the through opening, the current leakage pin is generated by the current through the wall of the through opening wall. In addition, the roughness of the through-opening wall generated during wet etching, laser processing, drill processing, and ultrasonic processing of the silicon substrate, and the residues generated during the processing, and the leakage current is generated in the through-opening wall of the silicon substrate and the outer side wall of the block unit. .

본 발명의 또다른 해결과제은 통전핀의 버디부 길이가 긴 것(미도시)은 통전핀 교체가 용이하지않는 문제.Another problem of the present invention is that the length of the buddy portion of the conduction pin is long (not shown) is not easy to replace the conduction pin.

본 발명의 또다른 해결과제는 주정열판의 통전핀단위 관통개구와 더트단위 관통개구 그리고 서브정열판의 통전핀단위 관통개구와 더트단위 관통개구에서 통전핀이 동작시 통전핀이 관통개구벽에서 마찰로 인한 통전핀 파손(미도시)문제.Another problem of the present invention is that the conduction pin unit through the wall through the wall through the conduction pin unit through the opening and the dirt unit through opening of the main heat exchanger plate and the conduction pin unit through the opening through the dirt unit through Power pin breakage (not shown)

통전핀헤드 조립체로 사용되는 정열판은 실리콘기판으로 상면에서 일정깊이로 에칭하고 뒤집어서 하면에서 일정깊이 에칭하여 관통개구을 양방향으로 에칭 함으로서 에칭시 관통개구벽에는 거칠기가 발생되는 문제와 누설전류를 해소하기위해 통전판 헤드인 정열판과 서브정열판을 절연체(부도체)인 유리판, 석영유리판, 파이렉스판, 세라믹판으로 제조하여 사용되는 정열판을 고정밀도 미세가공을 실현하는 마이크로 블라스트 공법에 의해 미세입자를 압축 공기에 의해 관통개구가공, 관통홀가공, 요홈가공, 슬릿홈가공을 미세가공하여 관통개구벽의 거칠기 없이 고정밀도로 가공하는 것이다.
주정열판의 관통홀에 통전핀 프러그를 삽입하여 통전핀 버디부를 축소하여 통전핀을 프러그에 접합 고정 하는 것이다.The heat exchanger plate used as the energizing pin head assembly is a silicon substrate, which is etched to a certain depth on the upper surface, flipped and etched to a certain depth on the lower surface to etch through openings in both directions. In order to produce fine particles by micro blasting process, the heat transfer plate head and sub heat transfer plate are made of insulator (non-conductor) glass plate, quartz glass plate, pyrex plate, and ceramic plate. Through compressed air, through hole processing, through hole processing, groove processing, and slit groove processing are finely processed without high roughness of the through opening wall.
By inserting the energizing pin plug into the through hole of the main heat exchanger plate, reducing the energizing pin buddy part to fix the energizing pin to the plug.

본 발명은 통전핀 헤드인 정열판을 실리콘판으로 사용시 실리콘판의 절연 정도와 통전핀에 발생되는 누설전류 문제인 관통개구벽의 거칠기를 해소하고 관통홀을 미세가공 함으로서 부도체인 유리판, 석영유리판, 파이렉스판, 세라믹판으로 제조하여 정열판에 발생되는 누설전류가 없는 것이다.The present invention solves the insulator degree of the silicon plate and the roughness of the through-opening wall, which is a leakage current problem in the conduction pin when using the heat exchanger plate, which is a current-carrying pin head, as a silicon plate, and finely processes the through-hole, thereby insulating glass plates, quartz glass plates, and pyrexes. It is made of plate and ceramic plate so that there is no leakage current generated in the alignment plate.

또한 주정열판의 통전핀단위 관통개구와 더트단위 관통개구 그리고 서브정열판의 통전핀단위 관통개구와 더트단위 관통개구에서 통전핀이 동작시 통전핀이 관통개구벽에 폴리머 증착으로 마찰로 인한 파손을 방지하는 것이다.In addition, when the conduction pin is operated at the conduction pin unit through opening and the dirt unit through opening of the main heat exchanger plate, and through the conduction pin unit through the opening and the unit through the dirt unit of the sub-arrangement plate, the conduction pin is damaged by friction by polymer deposition on the through opening wall. To prevent.

그리고 주정열판 관통홀에 삽입한 통전핀 프러그에 통전핀을 접합함으로써 통전핀의 버디부을 축소하여 통전핀을 신속하고 용이하게 교체수리가 가능한 것이다.And by joining the conduction pin to the conduction pin plug inserted into the main heat exchanger plate through-hole, it is possible to quickly and easily replace and repair the conduction pin by reducing the buddy part of the conduction pin.

본 발명의 주정열판(10,30,50)과 서브정열판(20,40,60)은 마이크로 블라스트 제조방법 으로부터 얻게 되는 특유의 효과 등에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 하기와 같다.The main alignment plates 10, 30, 50 and the sub alignment plates 20, 40, and 60 of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings for specific effects obtained from the microblast manufacturing method.

상기 마이크로 블라스트 공법은 압축 공기에 의해 미세입자를 사용한 분사가공으로 유리판, 석영유리판, 파이렉스판, 세라믹판중에서 어느 하나를 선정하여 주정열판(10,30,50)과 서브정열판(20,40,60)으로 가공하는 것이다.In the micro blasting method, any one of glass plate, quartz glass plate, pyrex plate, and ceramic plate is selected by injection processing using fine particles by compressed air, and the main alignment plate (10, 30, 50) and the sub alignment plate (20, 40, 60).

상기 마이크로 블라스트 공법에 사용되는 미세입자는 그린카바이트, 슬러리, 나노분말, 미세모래을 연마제로 사용되는 것이다.The fine particles used in the micro blasting method are green carbide, slurry, nano powder, fine sand is used as an abrasive.

상기 서브정열판(20,40,60)은 주정열판(10,30,50)에 접합하여 주정열판(10,30,50)의 지지강도를 높이고 주정열판(10,30,50)과 서브정열판(20,40,60)에 삽입되는 프로브핀의 위치 정열을 정밀하게 하는 것이다.The sub-arrangement plates 20, 40, and 60 are bonded to the columnar plates 10, 30, and 50 to increase the supporting strength of the columnar plates 10, 30, and 50, and the columnar plates 10, 30, 50, and the sub-arrangement. It is to precisely align the position of the probe pin inserted into the plate (20, 40, 60).

상기 주정열판(10,30,50)과 서브정열판(20,40,60)의 접합방법은 유기접착제을 사용하여 UV조사접합, 에노딕접합, 열압착접합과 초음파압접, 적외선접합으로 접합하는 것이다.Bonding method of the main alignment plate (10,30,50) and the sub-alignment plate (20,40,60) is to bond by UV irradiation bonding, enodic bonding, thermocompression bonding, ultrasonic pressure bonding, infrared bonding using an organic adhesive. .

상기 주정열판(10)은 관통홀(11)을 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공 하는 것이다.The columnar heat plate 10 is to finely process the through-hole 11 by a micro blast method.

상기 주정열판(30,50)은 마이크로 블라스트 공법가공으로 통전핀단위 관통개구(13), 슬릿홈(18)을 미세가공 하는 것이다.The columnar heat plates 30 and 50 are micro-blasted to micro-process the current-carrying pin unit through opening 13 and the slit groove 18.

상기 주정열판(10,30,50)은 표면반사을 없애기 위해 주정열판(10,30,50) 표면에 마이크로 블라스트 공법으로 엠보싱형상을 미세가공 하는 것이다.The columnar heat plate 10, 30, 50 is to finely process the embossed shape on the surface of the columnar heat plates (10, 30, 50) by a micro blasting method.

상기 주정열판(30,50)의 통전핀단위 관통개구(13)와 더트단위 관통개구(23) 그리고 서브정열판(20,40)의 통전핀단위 관통개구(13)와 더트단위 관통개구(23)에서 통전핀이 동작시(미도시) 통전핀이 관통개구벽에서 마찰로 인한 통전핀 파손을 방지하기 위해 주정열판(30)의 노출된 전면과 통전핀단위 관통개구(13)벽과 주정열판(50) 더트단위 관통개구(23)벽은 폴리머인 패릴린(13a,23a)을 증착하고, 서브정열판(20)의 통전핀단위 관통개구(13)벽과 서브정열판(40)의 더트단위 관통개구(23)벽과 서브정열판(60)의 블록단위 관통개구(33)벽은 폴리머인 패릴린(13a,23a,33a)을 증착하는 것이다.The through-hole pin through opening 13 and the through-hole opening 23 of the main heat alignment plates 30 and 50 and the through-hole through-hole unit 13 and the through-hole opening 23 of the sub alignment plates 20 and 40. In order to prevent the breakdown of the breakdown pin through friction in the through-opening wall when the through-flow pin is in operation, the exposed front surface of the heat exchanger plate 30 and the through-hole through-hole (13) wall and the heat exchanger plate. (50) The dirt unit through-opening (23) wall deposits polymer parylene (13a, 23a), and the dirt of the current-carrying pin unit through-opening (13) of the sub-alignment plate (20) and the sub-alignment plate (40). The wall of the unit through-openings 23 and the wall of the block unit through-openings 33 of the sub-alignment plate 60 deposit the parylene 13a, 23a, and 33a which are polymers.

도 1a와 같이 상기 주정열판(10)은 상면에 관통홀(11)은 사선으로 단차지게와 지그재그로 배설 가공하는 것이며 관통홀 좌, 우에 동일길이 방향으로 일단길이 슬릿홈(18) 다수개을 마이크로 블라스트 공법으로 가공하는 것이다.As shown in FIG. 1A, the circumferential heat plate 10 has a through hole 11 disposed on an upper surface in a stepwise and zigzag manner, and a plurality of end length slit grooves 18 in the same length direction on the left and right sides of the through hole are micro blasted. It is processed by the method.

상기 주정열판(11)의 관통홀(11)에 통전핀 프러그(11a)가 삽입되어 통전핀을 프러그에 고정되는 것이다. 상기 통전핀 프러그(11a)는 프러그(11a) 중앙부에 삽입홈(11b)이 형성되어 있어 통전핀을 프러그 삽입홈(11b)에 삽입하여 통전되는 것이다.The energizing pin plug 11a is inserted into the through hole 11 of the main heat exchanger plate 11 to fix the energizing pin to the plug. The energizing pin plug 11a has an insertion groove 11b formed at the center of the plug 11a so that the energizing pin is inserted into the plug insertion groove 11b to be energized.

또 다른 통전핀 프라그(11c)는 통전핀이 프라그 중앙부 표면에 통전핀을 접합하는 것이다. 상기 통전핀 프라그(11a,11c)는 역삼각원통형 으로 형성되는 것이다.Another conduction pin plaque 11c is a conduction pin joining a conduction pin to the center surface of the plag. The conductive pin plaques 11a and 11c are formed in an inverted triangular cylindrical shape.

상기 통전핀 프러그(11a,11c)는 전도성이 우수한 금속도체를 별도 제조하여 관통홀(11)에 고정하는 것이다.The conductive pin plugs 11a and 11c separately manufacture a metal conductor having excellent conductivity and fix it to the through hole 11.

상기 주정열판(10)의 관통홀(11) 수량은 하나의 반도체 칩의 검사 통전핀수 개별로 가공하여 형성하고 하나의 반도체 칩은 1더트(70)라고 하는 것이다.The number of through holes 11 of the columnar heat plate 10 is formed by processing the number of inspection current-carrying pins of one semiconductor chip individually, and one semiconductor chip is referred to as one dirt 70.

상기 서브정열판(20)의 관통개구 크기와 수량은 통전핀단위 관통개구(13)로 다수개 가공되는 것이다.The through opening size and quantity of the sub-arrangement plate 20 are processed into a plurality of through-hole openings 13 through the conduction pin unit.

도 1b와같이 상기 주정열판(30)은 상면에 동일길이 방향으로 일열로 통전핀단위 관통개구(13)와 통전핀단위 관통개구(13) 좌, 우 일단에 통전핀 지지부 크기와 두께의 일부깊이의 슬릿홈(18)이 마이크로 블라스트 공법으로 가공되는 것이다.As shown in FIG. 1B, the columnar heat sink 30 has a portion of the size and thickness of the support pin at the left and right ends of the through pin unit through opening 13 and the through pin unit through opening 13 in a row in the same length direction on the upper surface. Slit groove 18 is to be processed by a micro blasting method.

상기 주정열판(30)의 통전핀단위 관통개구(13) 길이와 통전핀단위 관통개구(13)의 좌, 우 일단의 슬릿홈(18)의 길이는 통전핀지지부(미도시) 길이 크기와 같은 것이다.The length of the conducting pin unit through opening 13 of the main heat exchanger plate 30 and the length of the slit grooves 18 at the left and right ends of the conducting pin unit through opening 13 are the same as the length of the conducting pin support unit (not shown). will be.

상기 주정열판(30)의 통전핀단위 관통개구(13)와 일단길이 슬릿홈(18) 수량은 검사하는 반도체소자 칩의 검사 패드피치에 따라 다수개을 더트(70) 단위에 마이크로 블라스트 공법으로 가공하는 것이다. 그리고 주정열판(30)의 노출된 전면과 통전핀단위 관통개구(13)벽에는 폴리머인 패릴린이 증착되는 것이다.The number of through pins 13 and the end length slit grooves 18 of the columnar heat sink 30 are processed in a microblasting process in a unit of the dirt 70 according to the inspection pad pitch of the semiconductor device chip to be inspected. will be. And the polymer of parylene is deposited on the exposed front surface of the columnar heat sink 30 and the wall through the opening pin unit through the opening (13).

상기 서브정열판(40)의 더트단위 관통개구(23) 크기는 하나의 반도체 칩의 1더트(70) 단위로 형성되는 것이다.The dirt unit through opening 23 of the sub-arrangement plate 40 is formed in units of one dirt 70 of one semiconductor chip.

상기 서브정열판(60)은 마이크로 블라스트 공법으로 블록단위 관통개구(33)을 가공 하는 것이다.The sub-alignment plate 60 is to process the through-hole 33 in the block unit by the micro blast method.

도 1c와 같이 상기 주정열판(50)의 더트단위 관통개구(23)은 하나의 반도체 칩의 1더트(70) 단위 전체로 형성되는 것이며 하나의 반도체 칩의 더트(70) 단위는 개별 더트(70)의 통전핀수로 더트단위 관통개구(23) 양단에 1더트의 통전핀 두께와 수량의 일부깊이 슬릿홈(28)을 더트단위 관통개구(23) 양단 전체에 검사하는 반도체 칩패드 통전핀 수량을 구루빙(Grooving)으로 가공하고 더트단위 관통개구(23)는 마이크로 블라스트 공법으로 더트단위 관통개구(23)을 가공하는 것이다.As shown in FIG. 1C, the dirt unit through opening 23 of the alignment plate 50 is formed by one whole unit 70 of one semiconductor chip, and the unit 70 of one semiconductor chip is an individual dirt 70. The number of through-holes 23 of the dirt unit through the number of through-holes 23 of the dirt unit and the depth of the number of through-holes through the through-holes 23 of the semiconductor chip pads are examined. Processing by grooving and the dirt unit through opening 23 is to process the dirt unit through opening 23 by a micro blast method.

상기 서브정열판(60)은 마이크로 블라스트 공법으로 블록단위 관통개구(33)을 가공 하는 것이다.The sub-alignment plate 60 is to process the through-hole 33 in the block unit by the micro blast method.

상기 서브정열판(60)의 블록단위 관통개구(33) 크기는 다수개의 반도체 칩 더트을 블록(80) 단위로 형성되는 것이다.The block unit through opening 33 of the sub alignment plate 60 has a plurality of semiconductor chip dusts formed in blocks 80.

상기 주정열판(10,30,50)과 서브정열판(20,40,60)의 크기와 조합은 더트(70)/블록(80), 블록(80)/블록(80) 중에서 하나 선정 할수 있는 것이다. 블록(80)단위 크기는 다수개의 더트(70)로 형성되는 것이다.Sizes and combinations of the main alignment plates 10, 30, 50 and the sub alignment plates 20, 40, and 60 may be selected from one of the dirt 70 / block 80 and the block 80 / block 80. will be. The unit size of the block 80 is formed of a plurality of dirts 70.

상기 주정열판(10,30,50)과 서브정열판(20,40,60)의 블록(80) 단위은 일열로된 반도체 칩의 더트(70) 다수개 단위로 되거나 블록(80)에 이열로된 반도체 칩의 더트(70) 다수개 단위로 될수있는 것이다.The block 80 units of the main alignment plates 10, 30, 50 and the sub alignment plates 20, 40, and 60 may be a plurality of units of the dirt 70 of the semiconductor chip in a row, or may be divided into two rows in the block 80. The dirt 70 of the semiconductor chip can be a plurality of units.

상기 주정열판(10,30,50)의 블록(80)단위와 블록(80) 단위는 맞대기이음(63)으로 되는 것이다. 또한 더트(70)단위와 더트(70)단위는 맞대기이음(63)으로 되는 것이다.The block 80 units and the block 80 units of the columnar plates 10, 30, and 50 are butt joints 63. Also, the dirt 70 unit and the dirt 70 unit are to be butt joints 63.

상기 주정열판(10,30,50)과 서브정열판(20,40,60) 접합은 상, 하로 맞대기접합(65)과 중첩접합(68)중에서 하나 선정하여 접합하는 것이며, 주정열판(10,30,50) 의 더트(70) 단위와 더트(70) 단위 또는 블록(80) 단위와 블록(80) 단위의 이음은 좌, 우 맞대기 이음(63)으로 되는 것이다.The main alignment plate 10, 30, 50 and the sub-alignment plate (20, 40, 60) joining is selected by joining one of the butt joint 65 and the superposition joint 68 up and down, the main alignment plate (10, The joints of the dirt 70 unit and the dirt 70 unit or the block 80 unit and the block 80 unit of the 30 and 50 units are left and right butt joints 63.

다음의 미세가공 실시예1, 2, 3은 상술의 구체적인 실시 내용의 주정열판(10,30,50)과 서브정열판(20,40,60)의 구성방법, 조립방법은 동일하다.The following microfabrication examples 1, 2, and 3 have the same construction method and assembling method for the main alignment plates 10, 30, 50 and the sub alignment plates 20, 40, 60 according to the above-described specific embodiments.

미세가공 실시예1Micro Machining Example 1

도 2의 a단계 내지 o단계은 주정열판(10) 제조공정과 도 3a 내지 도 3k은 서브정열판(20) 제조공정을 실시예로 자세히 설명하는 순서도이다.Steps a to o of FIG. 2 are flowcharts illustrating the manufacturing process of the main alignment plate 10 and FIGS. 3a to 3k illustrate the manufacturing process of the sub alignment plate 20 in detail.

상기 주정열판(10)은 유리판, 석영유리판, 파이렉스유리판 세라믹판중 어느 하나를 선정하여 제조하는 것이다.The columnar heat plate 10 is to be produced by selecting any one of a glass plate, quartz glass plate, Pyrex glass plate ceramic plate.

a단계와 같이 주정열판(10) 제조는 선정된 기판 상면에 1차 드라이 필름 포토레지스트(Dry film photoresist)으로 라미네이트(Laminate)한다.As described in step a, the manufacturing of the main alignment plate 10 is performed by laminating a first dry film photoresist on the selected upper surface of the substrate.

b단계와 같이 관통홀(11) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 주정열판(10) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 관통홀(11) 형상과 크기을 패터닝한다.As in step b, the photomask having the through-hole 11 pattern is formed by exposure and development on the upper surface of the ordered heat plate 10 to which the dry film photoresist is attached, thereby patterning the desired through-hole 11 shape and size.

c단계와 같이 주정열판(10) 상면에서 관통홀(11)를 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시한다.As described in step c, the through hole 11 is micro-processed on the upper surface of the heat alignment plate 10 by a micro blasting method.

d단계와 같이 주정열판(10) 상면에 잔류한 1차 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step d, the primary dry film photoresist remaining on the upper surface of the main heat alignment plate 10 is removed.

e단계와 같이 관통홀이 가공된 주정열판(10) 상면에 2차 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As in step e is laminated to the upper surface of the columnar heat processing plate 10 is processed with a secondary dry film photoresist.

f단계와 같이 슬릿홈(18) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 주정열판(10) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 슬릿홈(18) 형상을 패터닝한다.As in step f, a photomask having a slit groove 18 pattern is formed on the upper surface of the alignment plate 10 to which the dry film photoresist is attached, followed by exposure and development to pattern the desired slit groove 18 shape.

g단계와 같이 주정열판(10) 상면에 슬릿홈(18)을 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시한다.As in step g, the slit groove 18 is finely processed on the upper surface of the columnar heat plate 10 by a micro blasting method.

h단계와 같이 주정열판(10) 상면에 잔류한 2차 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step h, the secondary dry film photoresist remaining on the upper surface of the main heat alignment plate 10 is removed.

i단계와 같이 주정열판 하면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As in step i, the laminate is laminated with a dry film photoresist on the lower surface of the heat alignment plate.

j단계와 같이 관통홀(11) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 주정열판 하면에 노광과 현상하여 희망하는 관통홀(11) 형상을 패터닝한다.As described in step j, the photomask having the through hole 11 pattern is exposed and developed on the lower surface of the main heat transfer plate to which the dry film photoresist is attached to pattern the desired through hole 11.

k단계와 같이 주정열판(10) 하면에서 관통홀(11)을 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시한다.As in step k, the through hole 11 is micro-processed in the bottom surface of the heat alignment plate 10 by a micro blasting method.

l단계와 같이 주정열판(10) 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step 1, the dry film photoresist remaining on the bottom surface of the main heat alignment plate 10 is removed.

m단계와 같이 주정열판(10)에 형성된 관통홀(11)과 슬릿홈(18)이 가공된 주정열판(10) 전면을 세정한다.As in step m, the through hole 11 and the slit groove 18 formed in the alignment plate 10 are cleaned on the entire surface of the alignment plate 10.

n단계와 같이 주정열판(10) 관통홀(11)에 통전핀 프러그(11a)를 삽입한다.Insert the energizing pin plug (11a) into the through-hole 11 of the heat alignment plate 10 as in step n.

o단계와 같이 가공된 주정열판(10)을 더트(70)단위 또는 블록(80)단위 크기로 다이싱(Dicing)한다.Dicing the columnar heat treatment plate 10 processed as in step o in units of dirt 70 units or blocks 80 units.

다음으로 도 3의 a단계 내지 k단계로 서브정열판(20) 가공공정을 수행한다.Next, the sub alignment plate 20 is processed in steps a to k of FIG. 3.

상기 서브정열판(20)은 유리판, 석영유리판, 파이렉스유리판, 세라믹판 중 어느 하나를 선정하여 제조하는 것이다.The sub-alignment plate 20 is to select and manufacture any one of a glass plate, quartz glass plate, Pyrex glass plate, ceramic plate.

a단계와 같이 서브정열판(20) 제조는 선정된 기판 상면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As in step a, the sub-alignment plate 20 is manufactured by laminating a dry film photoresist on the selected upper surface of the substrate.

b단계와 같이 통전핀단위 관통개구(13) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 도포된 서브정열판(20) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀단위 관통개구(13) 형상을 패터닝한다.As shown in step b, the pattern is formed by exposing and developing on the upper surface of the sub-arrangement plate 20 to which the dry film photoresist is applied using a photomask having a pattern of the through pin unit through opening 13 formed thereon. do.

c단계와 같이 서브정열판(20) 상면에서 통전핀단위 관통개구(13)를 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시한다.As in step c, the through-hole opening 13 is formed by the micro blasting method on the upper surface of the sub-alignment plate 20.

d단계와 같이 서브정열판(20) 상면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step d, the dry film photoresist remaining on the upper surface of the sub-alignment plate 20 is removed.

e단계와 같이 서브정열판(20) 하면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As in step e is laminated on the lower surface of the sub-alignment plate 20 with a dry film photoresist.

f단계와 같이 통전핀단위 관통개구(13) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트이 부착된 서브정열판(20) 하면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀단위 관통개구(13) 형상을 패터닝한다.As shown in step f, a photomask having a conductive pin unit through opening 13 pattern is exposed and developed on the bottom surface of the sub-alignment plate 20 to which the dry film photoresist is attached, thereby patterning a desired shape of the through pin unit through opening 13 to be desired. .

g단계와 같이 서브정열판(20) 하면에서 통전핀단위 관통개구(13)을 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시한다.As in step g, the through-hole opening unit 13 through the micro-blasting process is performed on the bottom surface of the sub-alignment plate 20.

h단계와 같이 서브정열판(20) 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step h, the dry film photoresist remaining on the lower surface of the sub-alignment plate 20 is removed.

i단계와 같이 서브정열판(20)에 형성된 통전핀단위 관통개구(13)와 노출된 서브정열판(20) 전면을 세정하는 한다.As described in step i, the conduction pin unit through-opening 13 formed in the sub-alignment plate 20 and the exposed sub-alignment plate 20 are cleaned.

j단계와 같이 서브정열판(20)의 통전핀단위 관통개구벽에 폴리머(13a)을 증착한다.As described in step j, the polymer 13a is deposited on the through pin wall of the conduction pin unit of the sub-alignment plate 20.

상기 서브정열판(20)의 통전핀단위 관통개구벽에 증착된 폴리머(13a)는 통전핀 삽입시나 통전핀이 통전핀단위 관통개구(13)에서 동작시 관통개구벽과 통전핀을 보호하여 손상을 방지하는 것이다.The polymer 13a deposited on the through pin wall through opening of the sub-arrangement plate 20 protects the through opening wall and the through pin when the pin is inserted or when the pin is operated at the through pin unit through opening 13. To prevent.

k단계와 같이 가공된 서브정열판(20)을 더트(70)단위 크기나 블록(80)단위 크기로 다이싱한다.The sub-alignment plate 20 processed as in step k is diced into a size of a dirt 70 unit or a block 80 unit.

상기 주정열판(10)과 서브정열판(20)을 서로 접합하여 통전핀 헤드 조립체로 되는 것이다.The main alignment plate 10 and the sub-alignment plate 20 are bonded to each other to form a current supply pin head assembly.

미세가공 실시단계예2Micro Machining Example 2

도4의 a단계 내지 o단계은 주정열판(30) 제조공정과 도 5의 a단계 내지 k단계은 서브정열판(40) 제조공정을 실시예로 자세히 설명하는 순서도이다.Steps a to o of FIG. 4 are flowcharts illustrating the manufacturing process of the main alignment plate 30 and steps a to k of FIG. 5 as detailed examples of the manufacturing process of the sub alignment plate 40.

주정열판(30) 제조는Manufacturing of the heat alignment plate 30

a단계와 같이 주정열판(30) 제조는 선정된 기판 상면에 1차 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As described in step a, the manufacturing of the order heat plate 30 is performed by laminating a primary dry film photoresist on the selected upper surface of the substrate.

b단계와 같이 통전핀단위 관통개구(13)와 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 주정열판(30) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀단위 관통개구(13)와 형상을 패터닝한다.As shown in step b, the conductive pin unit through-opening 13 and the pattern are formed on the upper surface of the columnar alignment plate 30 to which the dry film photoresist is attached using a photomask. Pattern.

c단계와 같이 주정열판(30) 상면에서 통전핀단위 관통개구(13)를 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시한다.As described in step c, micro-blasting is performed on the through-hole opening unit 13 through the micro-blasting method on the upper surface of the heat alignment plate 30.

d단계와 같이 주정열판(30) 상면에 잔류한 1차 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step d, the primary dry film photoresist remaining on the upper surface of the main heat alignment plate 30 is removed.

e단계와 같이 통전핀단위 관통개구(13)가 가공된 주정열판(30) 상면에 2차 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As in step e, the conductive fin unit through-opening 13 is laminated with a secondary dry film photoresist on the upper surface of the main heat exchanger plate 30 processed.

f단계와 같이 통전핀 지지부 크기의 슬릿홈(18) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 주정열판(30) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀 지지부 크기의 슬릿홈(18) 형상을 패터닝한다.A slit groove 18 having a desired size of the current-carrying pin support by exposing and developing on the upper surface of the columnar heat sink 30 to which the dry film photoresist is attached with a photomask in which the slit groove 18 of the size of the current-carrying pin support is formed as in step f. Pattern the shape.

g단계와 같이 주정열판(30) 상면에서 통전핀 지지부 크기와 두께로 일부깊이 슬릿홈(18)과 요홈을 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시한다.As shown in step g, the slit groove 18 and the groove are partially processed by the micro blasting method in the depth and size of the current-carrying pin support on the upper surface of the heat exchanger plate 30.

상기 주정열판(30) 상면의 통전핀 지지부 크기와 두께의 슬릿홈(18)은 통전핀단위 관통개구(13) 좌, 우측 동일선상 일단에 일부깊이로 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시하는 것이다.The slit groove 18 of the size and thickness of the current-carrying pin support portion of the upper portion of the heat exchanger plate 30 is processed by the micro blasting method at a part depth to one end on the same line on the left and right sides of the current-carrying pin unit through opening 13.

h단계와 같이 주정열판(30) 상면에 잔류한 2차 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step h, the secondary dry film photoresist remaining on the upper surface of the main heat alignment plate 30 is removed.

i단계와 같이 주정열판(30) 하면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As in step i it is laminated on the lower surface of the order heat plate 30 with a dry film photoresist.

j단계와 같이 통전핀단위 관통개구(13) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트이 부착된 주정열판(30) 하면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀단위 관통개구(13) 형상을 패터닝한다.As shown in step j, a photomask having a current-carrying pin-through opening 13 pattern is exposed and developed on the lower surface of the order heat plate 30 to which the dry film photoresist is attached, thereby patterning a desired shape of the current-carrying pin-through opening 13.

k단계와 같이 주정열판(30) 하면에서 통전핀단위 관통개구(13)을 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시한다.As in step k, through the opening pin unit through opening 13 in the bottom of the main heat transfer plate 30 is processed by a micro blasting method.

l단계와 같이 주정열판(30) 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step 1, the dry film photoresist remaining on the lower surface of the main heat alignment plate 30 is removed.

m단계와 같이 주정열판(30)에 형성된 통전핀단위 관통개구(13)와 노출된 주정열판(30) 전면을 세정한다.As in step m, the conductive pin unit through-opening 13 formed in the columnar heating plate 30 and the exposed columnar heating plate 30 are cleaned.

n단계와 같이 주정열판(30)의 노출된 전면과 통전핀단위 관통개구벽에 폴리머(13a)을 증착한다. 상기 주정열판(30)의 노출된 전면과 통전핀단위 관통개구벽에 증착된 폴리머(13a)는 통전핀 삽입시나 통전핀이 통전핀단위 관통개구(13)에서 동작시 관통개구벽과 통전핀을 보호하여 손상을 방지하는 것이다.As in step n, the polymer 13a is deposited on the exposed front surface of the heat alignment plate 30 and the through-hole opening unit wall. The polymer 13a deposited on the exposed front surface of the main heat exchanger plate 30 and the through pin unit through-opening wall has a through opening wall and a through pin when the pin is inserted or when the pin is operated at the through pin unit through-opening 13. To protect against damage.

o단계와 같이 가공된 주정열판(30)을 더트(70)단위 크기나 블록(80)단위 크기로 다이싱한다.Dicing the columnar processing plate 30 processed as in step o to the size of the dirt 70 unit or block 80 unit size.

다음으로 도 5의 a단계 내지 k단계로 서브정열판(40) 가공공정을 수행한다.Next, the sub alignment plate 40 is processed in steps a to k of FIG. 5.

a단계와 같이 서브정열판(40) 제조는 선정된 기판 상면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As in step a, the sub-alignment plate 40 is manufactured by laminating a dry film photoresist on the selected upper surface of the substrate.

b단계와 같이 더트단위 관통개구(23) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 도포된 서브정열판(40) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 더트단위 관통개구(23) 형상을 패터닝한다.As shown in step b, a photomask having a dirt unit through opening 23 pattern is exposed and developed on the upper surface of the sub alignment plate 40 to which the dry film photoresist is applied to pattern the desired dirt unit through opening 23.

c단계와 같이 서브정열판(40) 상면에서 더트단위 관통개구(23)를 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시한다.As in step c, the dirt unit through opening 23 is processed on the upper surface of the sub-alignment plate 40 by a micro blasting method.

d단계와 같이 서브정열판(40) 상면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step d, the dry film photoresist remaining on the upper surface of the sub-alignment plate 40 is removed.

e단계와 같이 서브정열판(40) 하면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As in step e is laminated on the lower surface of the sub-alignment plate 40 with a dry film photoresist.

f단계와 같이 더트단위 관통개구(23) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트이 부착된 서브정열판(40) 하면에 노광과 현상하여 희망하는 더트단위 관통개구(23) 형상을 패터닝한다.As in step f, a photomask having a dirt unit through opening 23 pattern is exposed and developed on the lower surface of the sub-alignment plate 40 to which the dry film photoresist is attached, thereby patterning the desired dirt unit through opening 23.

g단계와 같이 서브정열판(40) 하면에서 더트단위 관통개구(23)을 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시한다.As in step g, the dirt unit through opening 23 is processed on the bottom surface of the sub-alignment plate 40 by a micro blasting method.

h단계와 같이 서브정열판(40) 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step h, the dry film photoresist remaining on the lower surface of the sub-alignment plate 40 is removed.

i단계와 같이 서브정열판(40)에 형성된 더트단위 관통개구(23)와 노출된 서브정열판(40) 전면을 세정하는 한다.As in step i, the dirt unit through opening 23 formed in the sub alignment plate 40 and the entire surface of the exposed sub alignment plate 40 are cleaned.

j단계와 같이 서브정열판(40)의 더트단위 관통개구벽(23)에 폴리머(23a)을 증착한다.As in step j, the polymer 23a is deposited on the dirt unit through opening wall 23 of the sub-alignment plate 40.

k단계와 같이 가공된 서브정열판(40)을 더트(70)단위 크기나 블록(80)단위 크기로 다이싱한다.The sub-alignment plate 40 processed as in step k is diced into a size of a dirt 70 unit or a block 80 unit.

상기 주정열판(30)과 서브정열판(40)을 서로 접합하여 통전핀 헤드 조립체로 되는 것이다.The main alignment plate 30 and the sub-alignment plate 40 are bonded to each other to form an energizing pin head assembly.

미세가공 실시단계예3Micro Machining Example 3

도 6의 a단계 내지 l단계은 주정열판(50) 제조공정과 도 7의 a단계 내지 k단계은 서브정열판(60) 제조공정을 실시예로 자세히 설명하는 순서도이다.Steps a to l of FIG. 6 are flowcharts illustrating the manufacturing process of the main alignment plate 50 and steps a to k of FIG. 7 are detailed examples of the sub alignment plate 60 manufacturing process.

주정열판(50) 제조방법은The fermentation plate 50 manufacturing method

a단계와 같이 주정열판(50) 제조는 선정된 기판 상면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As described in step a, the manufacturing of the heat alignment plate 50 is performed by laminating a dry film photoresist on the selected upper surface of the substrate.

b단계와 같이 더트단위 관통개구(23) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 도포된 주정열판(50) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 더트단위 관통개구(23) 형상을 패터닝한다.As shown in step b, the dust mask penetrating opening 23 is exposed and developed on the upper surface of the columnar heating plate 50 to which the dry film photoresist is applied.

c단계와 같이 주정열판(50) 상면에서 더트단위 관통개구(23)를 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시한다.As in step c, the micro-blasting method of the micro-blasting method is performed on the dirt unit through opening 23 on the upper surface of the columnar heat plate 50.

d단계와 같이 주정열판(50) 상면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step d, the dry film photoresist remaining on the upper surface of the heat alignment plate 50 is removed.

e단계와 같이 더트단위 관통개구(23)가 가공된 주정열판(50) 상면의 더트단위 관통개구(23) 좌, 우측 에 일부깊이 반도체칩 검사패드 피치간격으로 통전핀 슬릿홈(28)을 구루빙(Grooving)으로 가공을 실시한다.As shown in step e, the conduction pin slit groove 28 is grooved at some depths of the semiconductor chip inspection pad pitch intervals on the left and right sides of the dirt unit through opening 23 on the upper surface of the columnar heating plate 50 on which the dirt unit through opening 23 is processed. Processing is done by Grooving.

상기 주정열판(50)의 상면의 통전핀 슬릿홈(28)은 검사하는 반도체소자 칩의 검사패드피치에 따라 다수개을 더트단위 관통개구(23)의 좌, 우측 전체 길이로 동일선상에 반도체소자 검사패드 통전핀수의 슬릿홈(28)을 구루빙 가공하는 것이다.The conduction pin slit grooves 28 on the upper surface of the columnar heating plate 50 have a plurality of left and right full lengths of the dirt unit through opening 23 according to the test pad pitch of the semiconductor device chip to be inspected. The slit groove 28 of the pad energizing pin number is grooved.

f단계와 같이 주정열판(50) 하면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As in step f, it is laminated with a dry film photoresist on the lower surface of the heat alignment plate 50.

g단계와 같이 더트단위 관통개구(23) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트이 부착된 주정열판(50) 하면에 노광과 현상하여 희망하는 더트단위 관통개구(23) 형상을 패터닝한다.As in step g, the exposed through-holes 23 are formed on the bottom surface of the main heat exchanger plate 50 to which the dry film photoresist is attached, and the desired through-holes 23 are patterned.

h단계와 같이 주정열판(50) 하면에서 더트단위 관통개구(23)을 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시한다.As in step h, the dirt unit through opening 23 is processed in the micro blasting method on the lower surface of the heat alignment plate 50.

i단계와 같이 주정열판(50) 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step i, the dry film photoresist remaining on the lower surface of the main heat alignment plate 50 is removed.

j단계와 같이 주정열판(50)에 형성된 더트단위 관통개구(23)와 일부깊이 슬릿홈(28)이 가공된 주정열판(50) 전면을 세정한다.As described in step j, the entire unit of the distillation unit through-hole 23 formed in the distillation column 50 and the slit groove 28 partially processed are cleaned.

k단계와 같이 주정열판(50)의 더트단위 관통개구벽(23)에 폴리머(23a)을 증착한다.As in step k, the polymer 23a is deposited on the dirt unit through-opening wall 23 of the main heat alignment plate 50.

l단계와 같이 가공된 주정열판(50)을 블록(80) 단위크기 다이싱한다.Dicing the size of the main heat treatment plate 50 processed in step l block 80 unit size.

다음으로 도 7의 a단계 내지 k단계로 서브정열판(60) 가공공정을 수행한다.Next, the sub alignment plate 60 is processed in steps a to k of FIG. 7.

a단계와 같이 서브정열판(60) 제조는 선정된 기판 상면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As in step a, manufacturing of the sub-alignment plate 60 is performed by laminating a dry film photoresist on the selected upper surface of the substrate.

b단계와 같이 블록단위 관통개구(33) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 도포된 서브정열판(60) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 블록단위 관통개구(33) 형상을 패터닝한다.As shown in step b, the block unit through-opening 33 is patterned by exposing and developing on the upper surface of the sub-alignment plate 60 to which the dry film photoresist is applied.

c단계와 같이 서브정열판(60) 상면에서 블록단위 관통개구(33)를 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시한다.As in step c, the block unit through-opening 33 is processed on the upper surface of the sub-alignment plate 60 by the micro blasting method.

d단계와 같이 서브정열판(60) 상면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step d, the dry film photoresist remaining on the upper surface of the sub-alignment plate 60 is removed.

e단계와 같이 서브정열판(60) 하면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트한다.As in step e is laminated on the lower surface of the sub-alignment plate 60 with a dry film photoresist.

f단계와 같이 블록단위 관통개구(33) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트이 부착된 서브정열판(40) 하면에 노광과 현상하여 희망하는 블록단위 관통개구(33) 형상을 패터닝한다.As shown in step f, the block unit through-opening 33 is patterned by exposing and developing the bottom surface of the sub-alignment plate 40 to which the dry film photoresist is attached.

g단계와 같이 서브정열판(60) 하면에서 블록단위 관통개구(33)을 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시한다.As in step g, the block unit through-opening 33 is processed by the micro blasting method on the lower surface of the sub-alignment plate 60.

h단계와 같이 서브정열판(60) 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거한다.As in step h, the dry film photoresist remaining on the bottom surface of the sub-alignment plate 60 is removed.

i단계와 같이 서브정열판(60)에 형성된 블록단위 관통개구(33)와 노출된 서브정열판(60) 전면을 세정하는 한다.As in step i, the block unit through-opening 33 formed in the sub-alignment plate 60 and the entire surface of the exposed sub-alignment plate 60 are cleaned.

j단계와 같이 서브정열판(60)의 블록단위 관통개구벽(33)에 폴리머(33a)을 증착한다.As in step j, the polymer 33a is deposited on the block unit through-opening wall 33 of the sub-alignment plate 60.

k단계와 같이 가공된 서브정열판(60)을 블록(80)단위 크기로 다이싱한다.The sub-alignment plate 60 processed as in step k is diced into block 80 unit sizes.

상기 주정열판(50)과 서브정열판(60)을 서로 접합하여 통전핀 헤드 조립체로 되는 것이다.The main alignment plate 50 and the sub-alignment plate 60 are bonded to each other to form a current supply pin head assembly.

본 발명은 상술한 주정열판과 서브정열판의 미세가공은 상기 실시예들에 한정하는 것이 아니며 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 공지의 이음방법과 접합방법이 사용 가능하며 또한 폴리머종류는 패릴린에 한정하는 것이 않이고 정열판의 마찰방지, 절연등에 사용되는 폴리머는 모두사용이 가능하며, 변형된 정열판과 통전판의 실시의 제조방법은 동일하다.The present invention is not limited to the above-described micro-processing of the main heat transfer plate and the sub-alignment plate is not limited to the above embodiments, and known jointing methods and joining methods can be used within the spirit and scope of the present invention, and the polymer type is parylene Without limiting to this, all polymers used for friction prevention, insulation, etc. of the heat transfer plate can be used, and the manufacturing method of carrying out the modified heat transfer plate and the energization plate is the same.

도 1a은 본발명의 주정열판에 관통홀과 슬릿홈이 가공된것과 서브정열판에 통전핀단위 관통개구가 가공된 상태를 보여주는 사시도이다.1A is a perspective view illustrating a state in which a through hole and a slit groove are processed in a columnar heating plate of the present invention and a through pin unit through opening is processed in a sub-arranged plate.

도 1b은 본발명의 주정열판에 통전핀단위 관통개구와 슬릿홈이 가공된것과 서브정열판에 더트단위 관통개구가 가공된 상태를 보여주는 사시도이다.1B is a perspective view illustrating a state in which a through pin unit through opening and a slit groove are processed in a main alignment plate of the present invention and a dirt unit through opening in a sub alignment plate is processed.

도 1c은 본발명의 주정열판에 더트단위 관통개구와 슬릿홈이 가공된것과 서브정열판에 블록단위 관통개구가 가공된 상태를 보여주는 사시도이다.1C is a perspective view illustrating a state in which a dirt unit through opening and a slit groove are processed in a main alignment plate of the present invention and a block unit through opening is processed in a sub alignment plate.

도 2의 a단계 내지 o단계은 본 발명의 주정열판 제조방법을 예시한 공정 순서도이다.Steps a to o of Figure 2 is a process flow diagram illustrating a manufacturing method of the columnar heat plate of the present invention.

도 3의 a단계 내지 k단계은 본 발명의 서브정열판 제조방법을 예시한 공정 순서도이다.Steps a to k of Figure 3 is a process flow diagram illustrating a method of manufacturing a sub alignment plate of the present invention.

도 4의 a단계 내지 o단계은 본 발명의 다른 주정열판 제조방법을 예시한 공정 순서도이다.Steps a to o of Figure 4 is a process flow diagram illustrating another manufacturing method of the columnar heating plate of the present invention.

도 5의 a단계 내지 k단계은 본 발명의 다른 서브정열판 제조방법을 예시한 공정 순서도이다.Steps a to k of Figure 5 is a process flow diagram illustrating another sub-arrangement plate manufacturing method of the present invention.

도 6의 a단계 내지 l단계은 본 발명의 또다른 주정열판 제조방법을 예시한 공정 순서도이다.Steps a to l of Figure 6 is a process flow diagram illustrating another manufacturing method of the alcohol display plate of the present invention.

도 7의 a단계 내지 k단계은 본 발명의 또다른 서브정열판 제조방법을 예시한 공정 순서도이다.Steps a to k of Figure 7 is a process flow diagram illustrating another method of manufacturing a sub-alignment plate of the present invention.

＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞<Description of the code | symbol about the principal part of drawing>

10,30,50…주정열판 11…관통홀 11a…통전핀 프러그10,30,50... . Through-hole 11a... Power pin plug

13…통전핀단위 관통개구 13a23a,33a…폴리머 18…일단 슬릿홈13... Through pins for conducting pins 13a23a, 33a... Polymer 18... First slit groove

20,40,60…서브정열판 23…더트단위 관통개구 28…전체길이 슬릿홈20,40,60... Sub-arrangement plate 23... Dirt unit through opening 28... Full Length Slit Groove

33…블록단위 관통개구 70…더트 80…블록 100…통전핀헤드33... Block unit through opening 70... Dirt 80... Block 100... Power pin head

Claims (13)

기판으로 제조되는 통전핀헤드(100)의 조립체에 있어서,In the assembly of the conductive pin head 100 made of a substrate, 상단 주정열판(10,30,50)과 하단 서브정열판(20,40,60)을 서로 접합하여 구성되는 통전핀헤드(100)와;An energizing pin head 100 formed by joining the upper columnar alignment plates 10, 30, and 50 and the lower columnar alignment plates 20, 40, and 60 to each other; 상기 주정열판(10)에 형성된 관통홀(11) 양측에 통전핀 지지부 두께와 크기로 일단길이 슬릿홈(18)이 형성되는 것과,One end length slit groove 18 is formed at both sides of the through-hole 11 formed in the main heat exchanger plate 10 with the thickness and size of the support pin. 상기 주정열판(10)은 관통홀(11)가공, 슬릿홈(18)가공, 엠보싱형상가공을 미세입자을 사용하여 압축 공기에 의해 마이크로 블라스트 가공으로 형성되는 것과,The columnar heat plate 10 is a through-hole 11 processing, slit groove 18 processing, embossed shape processing is formed by micro blast processing by compressed air using fine particles, 상기 주정열판(10)에 형성된 관통홀(11)에는 통전핀 프러그(11a)가 삽입되는 것과;A conduction pin plug (11a) is inserted into the through hole (11) formed in the alignment plate (10); 상기 주정열판(30)은 통전핀단위 관통개구(13)가공, 슬릿홈(18)가공, 엠보싱형상가공을 미세입자을 사용하여 압축 공기에 의해 마이크로 블라스트 가공으로 형성되는 것과;The main heat exchanger plate 30 is formed by microblasting by compressed air using microparticles in the through-hole opening unit 13, the slit groove 18, and the embossed shape machining; 상기 주정열판(50)은 더트단위 관통개구(23)가공, 슬릿홈(28)가공, 엠보싱형상가공을 미세입자을 사용하여 압축 공기에 의해 마이크로 블라스트 가공으로 형성되는 것과;The main heat exchanger plate 50 is formed by micro blasting by compressed air using microparticles in the through-hole opening 23 processing, the slit groove 28 processing, and the embossing shape processing; 상기 서브정열판(20)은 통전핀단위 관통개구(13)을 미세입자을 사용하여 압축 공기에 의해 마이크로 블라스트 가공으로 형성되는 것과;The sub-alignment plate 20 is formed by the microblast processing by the compressed air using the fine particles of the through pin unit through opening 13; 상기 서브정열판(40)은 더트단위 관통개구(23)을 미세입자을 사용하여 압축 공기에 의해 마이크로 블라스트 가공으로 형성되는 것과;The sub-alignment plate 40 is formed by the micro blast processing by compressed air using the fine particle through the dirt unit through opening 23; 상기 서브정열판(60)은 블록단위 관통개구(33)을 미세입자을 사용하여 압축 공기에 의해 마이크로 블라스트 가공으로 형성되는 것을 특징으로 하는 통전핀헤드.The sub-arrangement plate (60) is a pin through the through-hole unit 33, characterized in that the conductive pin head, characterized in that formed by micro blast processing by compressed air using fine particles. 제1항에 있어서, 상기 주정열판(10)에 형성된 관통홀(11)에 삽입되는 통전핀 프러그(11a)는 통전핀을 통전핀프라그 중앙홈삽입형(11b)과 통전핀을 통전핀프라그 표면접합형(11c) 중에서 어느 하나로 고정되는 것을 특징으로 하는 통전핀헤드.According to claim 1, wherein the conduction pin plug (11a) is inserted into the through-hole (11) formed in the columnar heat plate 10, the conduction pin is connected to the surface of the center pin insertion groove (11b) and the current supply pin An energizing pin head, characterized in that fixed to any one of the mold (11c). 주정열판(10) 제조방법은The manufacturing method of the column 10 heat a)단계: 주정열판(10) 제조는 선정된 기판 상면에 1차 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 것;a) step: manufacturing of the ordered heat plate 10 is to laminate with a primary dry film photoresist on the selected substrate upper surface; b)단계: 관통홀(11) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 주정열판(10) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 관통홀(11) 형상과 크기을 패터닝하는 것;b) step: patterning the shape and size of the desired through-hole 11 by exposing and developing the upper surface of the main heat-transfer plate 10 to which the dry film photoresist is attached using a photomask on which the through-hole 11 pattern is formed; c)단계: 주정열판(10) 상면에서 관통홀(11)을 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시하는 것;c) step: micro-processing the through-hole 11 in the upper surface of the columnar heat plate 10 by a micro blasting method; d)단계: 주정열판(10) 상면에 잔류한 1차 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;d) step: removing the primary dry film photoresist remaining on the upper surface of the columnar heat plate 10; e)단계: 관통홀(11)이 가공된 주정열판(10) 상면에 2차 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 것;e) step: laminating the secondary dry film photoresist on the upper surface of the columnar heat treatment plate 10 in which the through holes 11 are processed; f)단계: 슬릿홈(18) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 주정열판(10) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 슬릿홈(18) 형상을 패터닝하는 것.f) step: patterning the desired shape of the slit groove 18 by exposing and developing the upper surface of the columnar heat plate 10 to which the dry film photoresist is attached with a photomask on which the slit groove 18 pattern is formed. g)단계: 주정열판(10) 상면에 슬릿홈(18)을 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시하는 것;g) step: subjecting the slit groove 18 to the top surface of the heat alignment plate 10 by micro blasting; h)단계: 주정열판(10) 상면에 잔류한 2차 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;h) step: removing the secondary dry film photoresist remaining on the upper surface of the columnar heat plate 10; i)단계: 주정열판(10) 하면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 것;i) step: laminating a dry film photoresist on the bottom surface of the heat order plate 10; j)단계: 관통홀(11) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 주정열판(10) 하면에 노광과 현상하여 희망하는 관통홀(11) 형상을 패터닝하는 것;j) step: patterning the desired through-hole 11 by exposing and developing the bottom surface of the main heat-transfer plate 10 to which the dry film photoresist is attached with a photomask having the through-hole 11 pattern formed thereon; k)단계: 주정열판(10) 하면에서 관통홀(11)을 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시하는 것;k) step: micro-processing the through-holes 11 in the bottom surface of the columnar heat plate 10 by a micro blasting method; l)단계: 주정열판(10) 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;l) step: removing the dry film photoresist remaining on the bottom surface of the heat alignment plate 10; m)단계: 주정열판(10)에 형성된 관통홀(11)과 슬릿홈(18)이 가공된 주정열판(10) 전면을 세정하는 것;m) step: cleaning the entire surface of the columnar plate 10 in which the through-hole 11 and the slit groove 18 formed in the columnar plate 10 are processed; n)단계: 주정열판(10) 관통홀(11)에 통전핀 프러그(11a)를 삽입하는 것;n) step: inserting the energizing pin plug 11a into the through-hole 11 of the columnar heat plate 10; o)단계: 가공된 주정열판(10)을 더트(70)단위 크기 또는 블록(80)단위 크기로 다이싱하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로하는 주정열판의 제조방법.o) step: dicing the processed spirit heating plate 10 in the size of the dirt unit 70 or block 80 unit unit manufacturing method of a spirit column. 서브정열판(20)의 제조방법은The manufacturing method of the sub alignment plate 20 a)단계: 서브정열판(20) 제조는 선정된 기판 상면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 것;a) step: manufacturing the sub-alignment plate 20 by laminating a dry film photoresist on a selected top surface of the substrate; b)단계: 통전핀단위 관통개구(13) 패턴이 형성된 포토마스크로 포토레지스트가 도포된 서브정열판(20) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀단위 관통개구(13) 형상을 패터닝하는 것;b) step: patterning the desired through pin unit through opening 13 by exposing and developing the upper surface of the sub-alignment plate 20 to which the photoresist is applied with a photo mask having a through pin unit through opening 13 formed thereon. ; c)단계: 서브정열판(20) 상면에서 통전핀단위 관통개구(13)를 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시하는 것;c) step: processing the through-hole opening unit 13 through the micro blasting method on the upper surface of the sub-alignment plate 20; d)단계: 서브정열판(20) 상면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;d) step: removing the dry film photoresist remaining on the upper surface of the sub-alignment plate 20; e)단계: 서브정열판(20) 하면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트 하는 것;e) step: laminating a dry film photoresist on the bottom surface of the sub-alignment plate 20; f)단계: 통전핀단위 관통개구(13) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트이 부착된 서브정열판(20) 하면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀단위 관통개구(13) 형상을 패터닝하는 것;f) step: patterning the shape of the desired through pin unit through opening 13 by exposing and developing the bottom surface of the sub-alignment plate 20 to which the dry film photoresist is attached with a photo mask having the through pin unit through opening 13 pattern formed thereon that; g)단계: 서브정열판(20) 하면에서 통전핀단위 관통개구(13)을 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시하는 것;g) step: subjecting the conduction pin unit through opening 13 to the bottom of the sub-alignment plate 20 by a microblast method; h)단계: 서브정열판(20) 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;h) step: removing the dry film photoresist remaining on the lower surface of the sub-alignment plate 20; i)단계: 서브정열판(20)에 형성된 통전핀단위 관통개구(13)와 노출된 서브정열판(20) 전면을 세정하는 하는 것;i) step: cleaning the conductive pin unit through opening 13 formed on the sub-alignment plate 20 and the entire surface of the exposed sub-alignment plate 20; j)단계: 서브정열판(20)의 통전핀단위 관통개구(13)벽에 폴리머(13a)을 증착하는 것;j) step: depositing the polymer 13a on the wall of the conduction pin unit through opening 13 of the sub-alignment plate 20; k)단계: 가공된 서브정열판(20)을 더트(70)단위 크기 또는 블록(80)단위 크기로 다이싱하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 서브정열판 제조방법.k) step: dicing the processed sub-alignment plate 20 into a size of a dirt 70 unit or a block 80 unit. 주정열판(30) 제조방법은The manufacturing method of the columnar heat plate 30 a)단계: 주정열판(30) 제조는 선정된 기판 상면에 1차 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 것;a) step: manufacturing the ordered heat plate 30 is laminating with a primary dry film photoresist on a selected top surface of the substrate; b)단계: 통전핀단위 관통개구(13)와 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 주정열판(30) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀단위 관통개구(13)와 형상을 패터닝하는 것;b) step: exposing and developing the conductive pin unit through-opening 13 and the pattern on which the dry film photoresist is attached to the upper surface of the columnar heating plate 30 to which the dry film photoresist is applied. Patterning; c)단계: 주정열판(30) 상면에서 통전핀단위 관통개구(13)를 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시하는 것;c) step: performing micro-machining of the through-hole opening unit 13 through the micro blasting method on the upper surface of the columnar heat plate 30; d)단계: 주정열판(30) 상면에 잔류한 1차 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;d) step: removing the primary dry film photoresist remaining on the upper surface of the columnar heat plate 30; e)단계: 통전핀단위 관통개구(13)가 가공된 주정열판(30) 상면에 2차 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 것;e) step: laminating the secondary dry film photoresist on the upper surface of the main heat exchanger plate 30 on which the through pin unit through opening 13 is processed; f)단계: 통전핀 지지부 크기의 슬릿홈(18) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 부착된 주정열판(30) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀 지지부 크기의 슬릿홈(18) 형상을 패터닝하는 것;f) step: a slit groove 18 having a desired size of the current-carrying pin support by exposing and developing the upper surface of the alignment plate 30 to which the dry film photoresist is attached with a photomask on which a slit groove 18 of the size of the current-carrying pin support is formed. Patterning the shape; g단계와 같이 주정열판(30) 상면에서 통전핀 지지부 크기와 두께로 일부깊이 슬릿홈(18)을 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시하는 것;Performing a micro-processing of the slit groove 18 in the depth portion of the slit groove 18 in the size and thickness of the current support pin 30 on the upper surface of the main heat transfer plate 30 as in step g; h)단계: 주정열판(30) 상면에 잔류한 2차 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;h) step: removing the secondary dry film photoresist remaining on the upper surface of the order plate (30); i)단계: 주정열판(30) 하면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트 하는 것;i) step: laminating a dry film photoresist on the bottom surface of the heat ordering plate 30; j)단계: 통전핀단위 관통개구(13) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트이 부착된 주정열판(30) 하면에 노광과 현상하여 희망하는 통전핀단위 관통개구(13) 형상을 패터닝하는 것;j) step: patterning the desired through pin unit through opening 13 by exposing and developing on the bottom surface of the order heat plate 30 to which the dry film photoresist is attached with a photo mask having a through pin unit through opening 13 pattern formed thereon ; k)단계: 주정열판(30) 하면에서 통전핀단위 관통개구(13)을 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시하는 것;k) step: performing the micro-blasting method of the through-hole opening unit 13 through the bottom of the main heat transfer plate 30; l)단계: 주정열판(30) 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;l) step: removing the dry film photoresist remaining on the bottom surface of the heat alignment plate 30; m)단계: 주정열판(30)에 형성된 통전핀단위 관통개구(13)와 노출된 주정열판(30) 전면을 세정하는 것;m) step: cleaning the entire opening of the conduction pin unit through the opening 13 formed in the columnar heat sink 30 and the exposed columnar heat sink 30; n)단계: 주정열판(30)의 통전핀단위 관통개구(13) 벽(13a)과 노출된 전면에 폴리머을 증착하는 것;n) step: depositing a polymer on the exposed front surface of the conductive fin unit through opening 13 of the columnar heat sink 30 and the front surface 13a; o)단계: 가공된 주정열판(30)을 더트(70)단위 크기나 블록(80)단위 크기로 다이싱하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 주정열판 제조방법.o) step: distilling the processed spirit plate 30 in the size of the dirt unit 70 or block 80 unit distillation plate manufacturing method characterized in that it comprises. 제1항에 있어서, 상기 주정열판(30)은 통전핀단위 관통개구(13)의 개구 좌측상면과 개구 우측상면에는 통전핀 지지부 두께로 동일선상 일단부에 만 슬릿홈(18)을 마이크로 블라스트 가공으로 형성되는 것을 특징으로 하는 통전핀헤드.According to claim 1, wherein the columnar heat plate 30 is microblast blasting the slit groove 18 only at one end in the same line with the thickness of the current supply pin support portion on the upper left side of the opening and the upper right side of the opening of the through pin unit through opening 13 Conduction pin head, characterized in that formed in. 서브정열판(40) 제조방법은Sub alignment plate 40 manufacturing method a)단계: 서브정열판(40) 제조는 선정된 기판 상면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 것;a) step: manufacturing the sub-alignment plate 40 by laminating a dry film photoresist on a selected top surface of the substrate; b)단계: 더트단위 관통개구(23) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름포토레지스트가 도포된 서브정열판(40) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 더트단위 관통개구(23) 형상을 패터닝하는 것;b) step: patterning the desired dirt unit through-opening 23 by exposure and development on the upper surface of the sub-alignment plate 40 to which the dry film photoresist is applied using a photomask having a pattern of the through-unit through-opening 23. ; c)단계: 서브정열판(40) 상면에서 더트단위 관통개구(23)를 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시하는 것;c) step: processing the dirt unit through opening 23 on the upper surface of the sub-alignment plate 40 by a micro blasting method; d)단계: 서브정열판(40) 상면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;d) step: removing the dry film photoresist remaining on the upper surface of the sub-alignment plate 40; e)단계: 서브정열판(40) 하면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트 하는 것;e) step: laminating the lower alignment plate 40 with a dry film photoresist; f)단계: 더트단위 관통개구(23) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트이 부착된 서브정열판(40) 하면에 노광과 현상하여 희망하는 더트단위 관통개구(23) 형상을 패터닝하는 것;f) step: patterning a desired dirt unit through opening 23 by exposing and developing the bottom surface of the sub-alignment plate 40 to which the dry film photoresist is attached using a photo mask in which the unit through opening 23 is formed; g)단계: 서브정열판(40) 하면에서 더트단위 관통개구(23)을 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시하는 것;g) step: processing the dirt unit through opening 23 on the bottom surface of the sub-alignment plate 40 by a micro blasting method; h)단계: 서브정열판(40) 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;h) step: removing the dry film photoresist remaining on the lower surface of the sub-alignment plate 40; i)단계: 서브정열판(40)에 형성된 더트단위 관통개구(23)와 노출된 서브정열판(40) 전면을 세정하는 하는 것;i) step: cleaning the dirt unit through opening 23 formed in the sub alignment plate 40 and the entire surface of the exposed sub alignment plate 40; j)단계: 서브정열판(40)의 더트단위 관통개구벽(23)에 폴리머(23a)을 증착하는것;j) step: depositing the polymer 23a on the dirt unit through opening wall 23 of the sub-alignment plate 40; k)단계: 가공된 서브정열판(40)을 더트(70)단위 크기나 블록(80)단위 크기로 다이싱하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 서브정열판 제조방법.k) step: subdividing the processed sub-alignment plate 40 into a size of a dirt 70 unit or a block 80 unit. 주정열판(50) 제조방법은The fermentation plate 50 manufacturing method a)단계: 주정열판(50) 제조는 선정된 기판 상면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 것;a) step: manufacturing the alignment plate 50 by laminating a dry film photoresist on the selected substrate; b)단계: 더트단위 관통개구(23) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트가 도포된 주정열판(50) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 더트단위 관통개구(23) 형상을 패터닝하는 것;b) step: patterning the desired dirt unit through opening 23 by exposing and developing the upper surface of the columnar heating plate 50 to which the dry film photoresist is applied with a photo mask having the pattern of the dirt unit through opening 23; c)단계: 주정열판(50) 상면에서 더트단위 관통개구(23)를 마이크로 블라스트 공법으로 미세가공을 실시하는 것;c) step: performing micro-processing of the dirt unit through opening 23 on the upper surface of the columnar heat plate 50 by a micro blasting method; d)단계: 주정열판(50) 상면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;d) step: removing the dry film photoresist remaining on the upper surface of the columnar heat plate 50; e)단계: 더트단위 관통개구(23)가 가공된 주정열판(50) 상면의 더트단위 관통개구(23) 좌, 우측에 일부깊이 반도체칩 검사패드 피치간격으로 통전핀 슬릿홈(28)을 구루빙으로 가공을 실시하는 것;e) Step: The conduction pin slit groove 28 is grooved at a depth of the semiconductor chip inspection pad pitch intervals on the left and right sides of the dirt unit through opening 23 on the upper surface of the columnar heating plate 50 on which the dirt unit through opening 23 is processed. Performing ice processing; f단계와 같이 주정열판(50) 하면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트 하는 것;laminating with a dry film photoresist on the lower surface of the order heat plate 50 as in step f; g)단계: 더트단위 관통개구(23) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트이 부착된 주정열판(50) 하면에 노광과 현상하여 희망하는 더트단위 관통개구(23) 형상을 패터닝하는 것;g) step: patterning the desired dirt unit through opening 23 by exposing and developing on the lower surface of the main heat exchanger plate 50 to which the dry film photoresist is attached with a photo mask having a pattern of the dirt through opening 23 formed thereon; h)단계: 주정열판(50) 하면에서 더트단위 관통개구(23)을 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시하는 것;h) step: processing the dirt unit through opening 23 at the bottom of the main heat transfer plate 50 by a micro blast method; i)단계: 주정열판(50) 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;i) step: removing the dry film photoresist remaining on the bottom surface of the heat alignment plate 50; j)단계: 주정열판(50)에 형성된 더트단위 관통개구(23)와 일부깊이 슬릿홈(28)이 가공된 주정열판(50) 전면을 세정하는 것;j) step: cleaning the entire surface of the spirit heating plate 50 in which the dirt unit through opening 23 formed in the spirit heating plate 50 and the partial depth slit groove 28 are processed; k)단계: 주정열판(50)의 더트단위 관통개구벽(23)에 폴리머(23a)을 증착하는 것;k) step: depositing the polymer 23a on the dirt unit through opening wall 23 of the columnar heat plate 50; l)단계: 가공된 주정열판(50)을 블록(80) 단위크기 다이싱하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로하는 주정열판 제조방법.l) step: distillation of the processed spirit heating plate 50, block 80 unit size distillation manufacturing process characterized in that it comprises a. 제1항에 있어서, 상기 주정열판(50)의 더트단위 관통개구(23)은 개구 좌측상면과 개구 우측상면에는 통전핀 지지부 두께로 동일선상 전체 길이에 반도체소자 칩의 검사패드피치 간격으로 슬릿홈(28) 다수개을 구루빙 가공으로 형성되는 것을 특징으로 하는 통전핀헤드.According to claim 1, wherein the dirt unit through the opening 23 of the columnar heat plate 50 is the slit groove at the interval of the test pad pitch of the semiconductor device chip in the same length of the entire line in the same length of the conductive pin support portion on the upper left side of the opening and the upper right side of the opening (28) An energizing pin head, characterized in that formed by a plurality of grooving process. 서브정열판(60) 제조방법은Sub alignment plate 60 manufacturing method a)단계: 서브정열판(60) 제조는 선정된 기판 상면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 것;a) step: manufacturing the sub-alignment plate 60 by laminating a dry film photoresist on a selected top surface of the substrate; b)단계: 블록단위 관통개구(33) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름포토레지스트가 도포된 서브정열판(60) 상면에 노광과 현상하여 희망하는 블록단위 관통개구(33) 형상을 패터닝하는 것;b) step: patterning the desired block unit through-opening 33 by exposure and development on the upper surface of the sub-alignment plate 60 to which the dry film photoresist is applied using a photomask having a pattern of the unit through-opening 33 ; c)단계: 서브정열판(60) 상면에서 블록단위 관통개구(33)를 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시하는 것;c) step: processing the block unit through opening 33 on the upper surface of the sub-alignment plate 60 by a micro blasting method; d)단계: 서브정열판(60) 상면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;d) step: removing the dry film photoresist remaining on the upper surface of the sub-alignment plate 60; e)단계: 서브정열판(60) 하면에 드라이 필름 포토레지스트으로 라미네이트하는 것;e) step: laminating a dry film photoresist on the bottom surface of the sub-alignment plate 60; f)단계: 블록단위 관통개구(33) 패턴이 형성된 포토마스크로 드라이 필름 포토레지스트이 부착된 서브정열판(40) 하면에 노광과 현상하여 희망하는 블록단위 관통개구(33) 형상을 패터닝하는 것;f) step: patterning a desired block unit through-opening 33 by exposing and developing on the lower surface of the sub-alignment plate 40 to which the dry film photoresist is attached using a photomask in which the block unit through-opening 33 is formed; g)단계: 서브정열판(60) 하면에서 블록단위 관통개구(33)을 마이크로 블라스트 공법으로 가공을 실시하는 것;g) step: processing the block unit through opening 33 at the bottom surface of the sub-alignment plate 60 by a micro blasting method; h)단계: 서브정열판(60) 하면에 잔류한 드라이 필름 포토레지스트을 제거하는 것;h) step: removing the dry film photoresist remaining on the bottom surface of the sub-alignment plate 60; i)단계: 서브정열판(60)에 형성된 블록단위 관통개구(33)와 노출된 서브정열판(60) 전면을 세정하는 것;i) step: cleaning the entire surface of the sub-alignment plate 60 and the exposed through-hole 33 formed in the sub-alignment plate 60; j)단계: 서브정열판(60)의 블록단위 관통개구벽(33)에 폴리머(33a)을 증착하는것;j) step: depositing the polymer 33a on the block unit through-opening wall 33 of the sub-alignment plate 60; k)단계: 가공된 서브정열판(60)을 블록(80)단위 크기로 다이싱하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로하는 서브정열판 제조방법.k) step: subdividing the processed sub-alignment plate 60 into a block 80 unit size. 삭제delete 제11항에 있어서, 상기 주정열판(10,30,50)과 서브정열판(20,40,60)의 접합방법은 UV조사접합, 에노딕접합, 열압착접합과 초음파압접, 적외선접합 중에서 어느 하나를 선정하여 접합되는 것을 특징으로 하는 통전핀헤드.The method of claim 11, wherein the main alignment plate (10, 30, 50) and the sub-alignment plate (20, 40, 60) of the bonding method is any one of UV irradiation bonding, enodic bonding, thermocompression bonding and ultrasonic pressure bonding, infrared bonding. An electrification pin head, characterized in that the joining by selecting one. 제1항에 있어서, 상기 주정열판(30,50)에 형성된 관통개구벽과 노출된 전면은 폴리머인 패릴린이 증착되는 것을 특징으로 하는 통전핀헤드.The conduction pin head of claim 1, wherein the through opening wall and the exposed front surface formed in the columnar heat plate (30,50) are deposited with parylene as a polymer.
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KR20050028067A (en) 2003-09-17 2005-03-22 박현미 Probe guide assembly
JP2006096002A (en) * 2004-09-30 2006-04-13 Mitsuboshi Belting Ltd Manufacturing method for needle-shaped body
KR20060100815A (en) 2005-03-18 2006-09-21 박인재 Probe unit for test

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