KR100884253B1 - 건식세정장치 및 방법 - Google Patents
건식세정장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100884253B1 KR100884253B1 KR1020070067026A KR20070067026A KR100884253B1 KR 100884253 B1 KR100884253 B1 KR 100884253B1 KR 1020070067026 A KR1020070067026 A KR 1020070067026A KR 20070067026 A KR20070067026 A KR 20070067026A KR 100884253 B1 KR100884253 B1 KR 100884253B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- unit
- flash
- laser
- workpiece
- dry cleaning
- Prior art date
Links
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 70
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 231100001240 inorganic pollutant Toxicity 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0665—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by beam condensation on the workpiece, e.g. for focusing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0042—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by laser
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/03—Observing, e.g. monitoring, the workpiece
- B23K26/032—Observing, e.g. monitoring, the workpiece using optical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/0823—Devices involving rotation of the workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
- B23K26/0853—Devices involving movement of the workpiece in at least in two axial directions, e.g. in a plane
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/906—Cleaning of wafer as interim step
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
작업물 표면의 오염물질을 제거하기 위한 건식세정장치가 개시된다. 개시된 건식세정장치는, 대기 중에 레이저 유기 충격파를 발생시키는 레이저 발생부를 구비하며, 그 발생된 유기 충격파를 이용하여, 상기 작업물 표면의 무기 오염물질을 제거하는데 적합한 레이저 세정유닛과; 펄스파 섬광을 발생시키는 섬광 발생부를 구비하며, 그 발생된 섬광을 이용하여 작업물 표면의 유기 오염물질을 제거하는데 적합한 섬광 세정유닛을 포함한다.
레이저, 섬광, 세정, 반도체, 웨이퍼, 마스크, 충격파, 펄스파
Description
본 발명은 건식세정장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 반도체 웨이퍼 또는 마스크 표면에 존재하는 유기 오염물질과 무기 오염물질을 동시에 제거하는데 특히 적합한 구조의 건식세정장치에 관한 것이다.
기존의 반도체 웨이퍼 또는 마스크 표면의 세정에는 화학적 용매(chemical solvents)를 이용한 습식세정방법(wet cleaning)이 주로 이용되어 왔다. 통상의 습식세정방법에는 용매로서 황산(H2SO4), 염산(HCl), 암모니아(NH4OH), 과산화 수소(H2O2), 불화수소(HF) 등을 물과 혼합하여 사용한다. 또한, 용매와 더불어 초음파(ultrasonic 또는 megasonic)를 습식세정에 함께 이용하는 기술도 공지되어 있다.
그러나, 위와 같은 습식세정방법은 다량의 화학약품 사용에 따른 환경 오염문제, 느린 작업속도, 거대한 세정장비의 필요, 복잡하고 열악한 작업환경 등의 문제에 직면해 있으며, 이에 따라, 위 문제들을 갖는 습식세정방법을 대체하는 건식세정방법에 대한 연구가 당업계에서는 활발히 진행되고 있다.
그와 같은 건식세정방법으로는, 작업물 표면의 오염물질, 특히, 반도체 웨이퍼 또는 마스크 표면에 존재하는 오염물질을 레이저로 제거하는 기술이 공지되어 있다. 그러나, 공지된 레이저를 이용한 건식세정기술은 작업물 표면의 유기 오염물질 및 무기 오염물질을 동시에 제거하는 것이 어려운 문제점이 있다.
이에 대해, 본 발명자는 2종의 레이저빔으로 작업물 표면의 유기 오염물질과 무기 오염물질을 모두 제거하는 건식세정기술을 개발하게 되었으며, 이러한 기술은 국내 특허등록 제463212호, 미국특허공개 US 2002/0170892호에 개시되어 있다. 개시된 종래의 기술은, 2종의 레이저빔을 사용하되, 하나의 레이저빔은 대기상에서 포커스 렌즈를 사용해 레이저 유기 충격파를 발생시키고, 다른 하나의 레이저빔은 단파장의 특성을 가지게 하여 작업물에 직접 조사되어 세정을 수행한다.
이때, 하나의 레이저빔에 의해 만들어진 레이저 유기 충격파는 작업물 표면에 존재하는 입자형의 무기 오염물질의 제거에 효과적이며, 다른 하나의 단파장 레이저빔의 직접 조사는 작업물 표면에 함께 존재하는 입자형의 유기 오염 물질의 제거에 효과적이다. 결과적으로, 종래의 기술은 목적이 다른 2종의 레이저빔을 이용하여 세정대상물에 존재할 수 있는 무기 혹은 유기 오염물질 모두를 세정할 수 있는 이점이 있다.
그러나, 종래의 기술은, 작업물 표면에 존재하는 유기 및 무기 오염물질을 효과적으로 제거하기 위해서는, 목적이 다른 2종의 레이저를 사용해야 하고, 그 2 종의 레이저로서, 고에너지 펄스 레이저를 사용해야 하는데 경제적 비용 손실이 크다는 단점이 있다. 또한, 종래의 기술은 하나의 레이저에서 목적이 다른 2종의 레이저빔을 만들어 내는 방법 또한 제시하였는데, 이는, 목적이 다른 2종의 레이저빔을 동시에 만들 수 없다는 점에서, 레이저빔의 순차적 이용이 불가피하고, 따라서, 세정 공정이 시간적으로 크게 지연되는 문제점을 야기한다.
본 발명은, 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 저렴한 비용으로 작업물 표면, 특히, 반도체 웨이퍼 또는 마스크 표면에 존재하는 무기 및 오염물질을 동시에 제거하는 건식세정장치 및 방법을 제공하는데 기술적 과제가 있다.
본 발명의 일 측면에 따라, 작업물 표면의 오염물질을 제거하기 위한 건식세정장치가 제공된다. 상기 건식세정장치는, 대기 중에 레이저 유기 충격파를 발생시키는 레이저 발생부를 구비하며, 그 발생된 유기 충격파를 이용하여, 상기 작업물 표면의 무기 오염물질을 제거하는데 적합한 레이저 세정유닛과; 펄스파 섬광을 발생시키는 섬광 발생부를 구비하며, 그 발생된 섬광을 이용하여 작업물 표면의 유기 오염물질을 제거하는데 적합한 섬광 세정유닛을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따라, 상기 건식세정장치는, 상기 작업물을 지지하는 작업대를 구비하며, 상기 작업물의 전면 스캐닝을 위해 상기 작업대가 이동되도록 구성된 스캐닝유닛을 더 포함한다. 상기 스캐닝유닛은 상기 작업대를 상하 이동 및 회전시키는 스테이지 구동부를 포함할 수 있다. 대안적으로, 상기 스캐닝유닛은 상기 작업대를 상하 전후 좌우로 이동시키는 스테이지 구동부를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따라, 상기 건식세정장치는 상기 작업물의 표면으로부터 분리된 오염물질을 제거하기 위한 분진제거유닛을 더 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따라, 상기 레이저 세정유닛의 상기 레이저 발생부 또는 상기 섬광 세정유닛의 섬광 발생부에 냉각 유체를 공급하도록 구성된 냉각유닛을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따라, 상기 레이저 세정유닛은, 상기 레이저 발생부에 순간적인 고전압 전력을 공급하도록 연결된 레이저 파워공급부와, 상기 레이저 파워공급부의 고전압 전력 공급에 의해 상기 레이저 발생부로부터 발생된 레이저빔을 대기 중에 집속하는 초점렌즈를 포함한다. 본 발명의 실시예에 따라, 상기 섬광 세정유닛은, 상기 섬광 발생부에 고전압의 전력을 공급하도록 연결된 섬광 파워공급부를 더 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 상기 건식세정장치는, 적어도 상기 레이저 세정유닛, 상기 섬광 세정유닛 및 상기 스캐닝유닛을 통합 제어하도록 구성된 통합 제어유닛을 더 포함할 수 있다. 상기 통합 제어유닛은, 상기 레이저 세정유닛, 상기 섬광 세정유닛 및 상기 스캐닝유닛과 함께, 상기 냉각유닛, 더 나아가서는, 상기 분진제거유닛의 제어를 통합할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따라, 상기 섬광 발생부는, 섬광램프와, 상기 섬광램프를 밀봉적으로 둘러싸면서 펄스파 섬광을 작업물에 조사하도록 구성된 챔버를 포함한다. 상기 챔버는, 상기 작업물에 대면하는 부분이 개방된 중공체로서 그 내부에 상기 섬광램프를 밀봉적으로 수용할 수 있도록 형성된 지지체와, 상기 지지체의 상기 작업물에 대면하는 개방된 부분에 밀봉적으로 설치된 투명창에 의해 형성된다. 상기 섬광 발생부는, 상기 섬광램프에서 생성되는 펄스파 섬광을 상기 작업물로 향하게 하는 광반사판이 설치된다. 상기 챔버에는 핀홀이 형성되고, 상기 핀홀에는 광모니터링기가 연결될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따라, 상기 분진제거유닛은, 상기 작업대의 이동 경로 위쪽에 설치된 채, 상기 작업물 표면으로부터 분리된 오염물질을 흡입 제거하도록 구성된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 상기 레이저 발생부는 기본파장이 1064nm인 Nd:YAG 레이저빔을 이용하며, 상기 작업물은 반도체 웨이퍼 또는 마스크이다.
본 발명의 다른 측면에 따라, 작업물 표면의 오염물질을 제거하기 위한 건식세정방법이 제공된다. 상기 건식세정방법은, 대기 중에 레이저 유기 충격파를 발생시키고, 그 발생된 유기 충격파를 이용하여, 상기 작업물 표면의 무기 오염물질을 제거하는 것과; 상기 무기 오염물질의 제거와 동시에, 펄스파 섬광을 발생시켜, 그 발생된 섬광을 이용하여 작업물 표면의 유기 오염물질을 제거하는 것을 포함한다.
본 발명의 다른 목적 및 이점은 이하 실시예의 설명들로부터 보다 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 기존 2개의 레이저빔을 사용하여 작업물, 특히, 반도체 웨이퍼 또는 마스크 표면의 오염물질을 제거하는 기술과 비교하여, 더욱 저렴한 비용으로, 유기 오염물질 및 무기 오염물질을 동시에 효과적으로 제거할 수 있는 장 치의 구현이 가능하다. 또한, 기존 유기 오염물질 제거에 주로 이용되던 단파장 레이저빔과 비교해, 섬광램프를 이용하면 매우 빠른 시간 안에 작업물 표면에 대한 세정을 완료할 수 있는 이점이 있다. 또한, 본 발명은, 어떠한 화학약품도 사용하지 않는 건식세정방법으로 오폐수의 발생이 없는 친환경적인 기술이며, 소모성 자재 및 후처리 비용이 들지 않아 생산 비용을 크게 절감할 수 있다. 또한, 크기가 작은 건식세정장치의 구현이 가능하며, 이는 모듈화된 건식세정장치의 제작을 가능하게 할 수 있다. 특히, 본 발명의 건식세정장치 및 방법은 기존 반도체 및 디스플레이 생산라인에 쉽게 장착 적용될 수 있어 호환성이 뛰어나고 대량의 반도체 또는 디스플레이 생산공정에서 생산효율을 크게 높이는데 기여할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 건식세정장치를 도시한다. 도시된 것과 같이, 본 실시예에 따른 건식세정장치는, 유기 오염물질 세정을 위한 섬광 세정유닛(100), 무기 오염물질 세정을 위한 레이저 세정유닛(200), 세정될 작업물(W)의 지지 및 전면적 스캐닝을 위한 스캐닝유닛(300), 그리고, 위 유닛(100, 200, 300)들의 통합 제어를 위한 통합제어유닛(500)을 포함한다.
더 나아가, 상기 건식세정장치는, 위 세정유닛들(100, 200)에 의해 작업물(W) 표면으로부터 분리된 유기 또는 무기 오염물질을 제거하기 위한 분진제거유닛(400)과, 섬광 세정유닛(100) 또는 레이저 세정유닛(200)의 고열 발생부분에 냉 각 유체를 도입 또는 순환시켜, 방열 작용을 하는 냉각유닛(600)을 포함할 수 있다. 이때, 상기 냉각유닛(600), 더 나아가서는, 상기 분진제거유닛(400)도 전술한 통합제어유닛(500)에 의해 통합 제어될 수 있다.
상기 섬광 세정유닛(100)은 섬광램프(111)가 장착된 섬광 발생부(110)를 포함한다. 섬광램프(111)는, 섬광 파워공급부(102)로부터 고전압의 전력을 공급받아 강력한 섬광을 발생한다. 섬광 발생부(110)는 발생된 섬광을 작업물 표면, 특히, 반도체 웨이퍼 또는 마스크의 표면에 조사하여, 그 표면 상의 오염물질(P)을 분리 제거하는데 유용하게 이용된다. 특히, 섬광램프(111)로부터 발생된 섬광은 자외선 영역의 파장을 많이 포함하고 있으므로, 유기 오염물질의 제거에 적합하다. 이때, 섬광램프(111)는 유기 오염물질이 제거 효율에 있어서 제논 램프가 이용되는 것이 바람직하다.
섬광 파워공급부(102)는 섬광램프(111)에 순간적인 고전압을 발생시키는 역할을 한다. 500V 이상의 고전압 전력을 순간적으로 섬광램프(111)에 인가하면, 섬광램프(111)는 순간적인 섬광을 발생시켜, 그 발생된 섬광을 작업물(W)에 조사하게 된다. 또한, 순간적 고전압을 발생시키기 위해서, 상기 섬광 파워공급부(102)는 심머보드(simmer board)를 내장하고 있다. 섬광의 강도는 섬광 파워공급부(102)로부터 섬광램프(111)에 인가되는 전력의 전압 크기에 비례하여 커진다.
상기 레이저 세정유닛(200)은 매우 높은 피크 파워의 레이저빔을 발생시키는 레이저빔 발생부(210)를 포함한다. 상기 높은 피크 파워의 레이저빔은, 레이저 파워공급부(202)의 고전압 전력 공급에 의해 레이저빔 발생부(210)로부터 발생되어, 대기 중에 레이저 유기 충격파를 발생시킨다. 보다 구체적으로, 상기 레이저빔은, 기본파장이 1064nm인 Nd:YAG의 레이저빔으로, 대기 중에 존재하는 질소와 산소를 폭발시킴으로써 충격파를 발생하는데, 이를 위해서는, 그 레이저빔은 매우 짧은 펄스폭과 매우 큰 펄스 에너지를 가져야 한다. 이때, 레이저빔의 펄스폭은 100 nanosecond 이하, 펄스 에너지는 500mJ 이상인 것이 바람직하다.
또한, 상기 레이저 세정유닛(200)은 초점렌즈(214)를 포함하는데, 이 초점렌즈(214)는 전술한 레이저빔, 바람직하게는, 펄스폭 100 nanosecond 이하, 펄스 에너지는 500mJ 이상인 레이저빔을 대기 중에 집속하는 역할을 한다. 그 초점렌즈(214)의 도움을 받아, 레이저빔은 상기 초점렌즈(214)의 초점 위치에서 폭발을 일으켜서 강력한 충격파를 발생시킨다. 이때, 발생 충격파, 즉, 레이저 유기 충격파의 힘이 작업물(W) 표면에 붙어있는 입자형 오염물질(P)의 접착력보다 크면 오염물질은 그 작업물(W) 표면으로부터 분리된다. 분리된 오염물질, 특히, 무기 오염물질은 이하 자세히 설명되는 분진제거유닛(400)의 흡입 작용에 의해 완전히 제거될 수 있다.
전술한 레이저 유기 충격파는, 무기 오염물질의 제거에 특히 효과적인 것이며, 충격파의 강도는 그 충격파가 발생하는 초점 위치와 작업물 사이의 거리가 멀어질수록 감소하고, 그 거리가 가까워질수록 증가되므로, 작업물과 초점 위치의 거리의 적절한 조절이 요구되며, 이러한 거리의 조절은 예를 들면 스캐닝유닛(300)에 의해 이루어질 수 있을 것이다.
레이저 파워공급부(202)는 강력한 레이저빔을 발생시키기 위한 순간적인 고 전압을 발생시킨다. 상기 레이저 파워공급부(202)의 구조는 섬광램프(111)를 작동시키는 섬광 파워공급부(102)의 구조와 유사할 수 있다. 상기 레이저 파워공급부(202)는 대략 500V 이상의 고전압을 순간적으로 레이저 발생부(210)에 인가한다. 레이저 에너지는 레이저 파워공급부(202)로부터 발생하는 인가 전압의 크기에 비례하여 증가하며, 이에 따라, 대기 중에서 발생하는 충격파의 강도도 그에 비례하여 증가되며, 결과적으로는, 오염물질, 특히, 무기 오염물질에 대한 세정 성능도 상기 인가 전압의 증가에 따라 크게 향상된다.
상기 스캐닝유닛(300)은 작업물(W), 특히, 반도체 웨이퍼 또는 마스크를 지지하는 역할을 하는 작업대(320)와, 상기 작업대(320)를 스캐닝 이동시키기 위한 스테이지 구동부(310)를 포함한다. 상기 스캐닝유닛(300)은 작업물(W) 표면에 존재하는, 유기 및 무기 오염물질을 포함하는 오염물질들(P)을 작업물(W)의 표면 전면적에 걸쳐 세정할 수 있도록 구성된다. 이를 위해 작업대(320)는 예를 들면, 진공척 방식으로 작업물(W)을 단단히 고정 지지하여 주며, 상기 스테이지 구동부(310)는 작업물(W)의 전면적 세정이 가능하도록 상기 작업대(320)을 이동시킨다.
작업물(W)이 원형의 반도체 웨이퍼인 경우, 상기 스캐닝유닛(300)은 작업대(320)가 회전축 및 X-Z 이동축을 갖춘 채, 상기 스테이지 구동부(310)의 구동에 따라, 상기 축들을 따라 회전하거나 직선 운동하도록 해준다. 이에 의해, 상기 스캐닝유닛(300)은 상기 작업대(320)를 적어도 회전 이동과 상하 직선 이동시킬 수 있다. 한편, 작업물(W)이 사각형의 마스크인 경우, 작업대(320)의 상하 전후 좌우 이동이 가능한 스캐닝유닛이 매우 유리하게 이용될 수 있다.
특히, 상기 스캐닝유닛(300)은, Z축을 따라 상하 높이가 조절되는 구조를 이용하여, 작업물(W) 표면을 상기 섬광 세정유닛(100)의 섬광과 상기 레이저 세정유닛(200)의 충격파에 근접시킬 수 있으며, 이에 의해, 작업물 표면의 세정 효율을 더욱 높일 수 있다. 추가로, 상기 작업대(320)는 평탄한 작업물 안착면을 포함하며, 그 안착면 상에서 작업물(W)이 움직이는 것을 막기 위해, 작업물(W)을 진공척 방식으로 고정하거나 작업물(W)을 외측의 핀으로 단단히 잡아 고정할 수 있다.
앞서 간략히 언급된 바와 같이, 작업물(W) 표면으로부터 분리된 오염물(P)들은 분진제거유닛(400)에 의해 흡입되어 완전히 제거될 수 있다. 본 실시예에서, 상기 분진제거유닛(400)은, 흡입펌프, 더 나아가서는, 분진 저장소를 포함하는 흡입장치부(410)와 상기 흡입장치부(410)와 관로로 연결된 채 상기 작업물(W) 표면에 근접해 있는 분진 흡입구(420)를 포함한다. 바람직하게는, 상기 분진 흡입구(420)가 스캐닝유닛(300)의 작업대(320)의 이동 경로, 즉, 스캐닝 경로 위쪽의 임의의 위치에 고정 배치되되, 상기 작업대(320)가 이동하는 것에 의해, 상기 분진제거유닛(400)은 상기 분진 흡입구(420)를 통해 작업대(320)에 지지된 작업물(W) 위의 오염물질을 흡입 제거할 수 있다.
이에 덧붙여, 본 실시예의 건식세정장치는, 상기 섬광 세정유닛(100)의 섬광 발생부(110) 및/또는 상기 레이저 세정유닛(200)의 레이저 발생부(210) 내로 냉각 유체를 도입 또는 순환시키는 방식으로 섬광 발생부(110) 및/또는 레이저 발생부(210)를 냉각시키는 냉각유닛(600)을 더 포함한다. 상기 냉각유닛(600)은, 상기 섬광 발생부(110)와 상기 레이저 발생부(210) 모두에 대해 냉각유체를 공급하도록 구성되는 하나의 단일 구조로 형성될 수 있으며, 대안적으로, 상기 섬광 발생부(110)와 레이저 세정부(210)에 개별적으로 냉각 유체를 공급하는 2개의 독립된 부분으로 나뉘어질 수도 있다. 또한, 상기 냉각유닛(600)이 상기 섬광 발생부(110)와 상기 레이저 발생부(210) 중 하나만을 냉각시키도록 작용하는 것도 본 발명의 범위 내에 있다.
보다 구체적으로, 상기 냉각유닛(600)은, 고전압의 전력 공급에 의해 섬광램프(111)가 켜질 때 발생하는 열과, 고전압의 전력 공급에 의해 레이저 발생부(210)에서 레이저빔고 함께 발생되는 열을 냉각시킨다. 순간적으로 강력한 에너지를 만들어내는 섬광램프(111)와 레이저 발생부(210)의 특성상 많은 열이 발생될 수 밖에 없다. 발생된 열이 섬광램프(111) 또는 레이저 발생부(210) 주변에 축적되는 경우, 섬광램프(111) 또는 레이저 발생부(210)의 성능 저하, 더 나아가서는, 수명 저하를 초래한다. 상기 냉각유닛(600)의 냉각 유체로는 수냉 순환식 냉각기 구조인 것이 바람직하며, 이 경우, 냉각수를 일반 물로 이용할 경우, 누설 전류 및 오염과 같은 문제를 발생시키므로, 증류수 또는 초순수(Deionized water)를 냉각수로 이용하는 것이 바람직하다. 냉각수의 온도는 20~30℃ 범위 내에서 정해지는 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 실시예에 따라, 상기 냉각유닛(600)은 전술한 바 있는, 통합제어유닛(500)에 의해 제어될 수 있다. 이 경우, 상기 통합제어유닛(500)은, 섬광 세정유닛(100), 레이저 세정유닛(200), 스캐닝 유닛(300) 및 냉각유닛(600) 모두를 통합 제어하게 된다.
상기 통합제어유닛(500)은, 세정 용도 또는 목적에 따라, 섬광과 레이저 유기 충격파 모두를 세정에 이용하거나, 상기 섬광과 상기 레이저 유기 충격파 중 어느 하나만을 세정에 이용하는 제어를 수행할 수 있다. 위와 같은 통합제어유닛(500)으로는 예를 들면, 산업용 컴퓨터 혹은 PLC(Programmable Logic Controller)가 이용될 수 있다.
도 2 및 도 3은 전술한 섬광 세정유닛의 섬광 발생부(110)의 구조를 보다 구체적으로 설명하기 위한 도면들이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 섬광램프(111)는 지지체(113)에 지지되어 있다. 지지체(113)는 작업물(W)에 대면하는 부분이 개방된 중공체로서, 그 내부에 섬광램프(111)를 이격되게 수용할 수 있도록 섬광램프(111)의 형상에 상응한 형상으로 섬광램프(111)의 크기보다 크게 형성되어 있다. 본 실시예에서, 지지체(113)는, 하측이 개방되어 있으며, 섬광램프(111)가 봉 형상인 것에 따라 길이 방향으로 길게 형성되어 있으며, 좌우 양단에 섬광램프(111)를 삽입하여 지지하는 지지 구멍(113a)이 형성된 것으로 예시되어 있다. 지지 구멍(113a)은 섬광램프(111)의 전극부(111a)가 그 내부에 삽입되어 지지되었을 때 섬광램프(111)의 발광부(111b)가 지지체(113)의 내벽에 닿지 않도록 위치설정되어 있다.
섬광램프(111) 주위로 냉각수를 흐르게 하기 위해서는, 섬광램프(111)의 발광부(111b)를 밀봉적으로 둘러싸면서 펄스파 섬광을 작업물(W)에 조사하도록 구성해야 한다. 본 실시예에서는, 섬광램프(111)의 전극부(111a)와 발광부(111b)의 경계 부분과 지지체(113)의 지지 구멍(113a) 사이를 밀봉재(114)로 밀봉하고, 지지 체(113)의 작업물(W)에 대면하는 부분, 즉, 개방된 하측 부분에 투명창(115)을 설치하고 있다. 투명창(115)과 지지체(113) 사이는 밀봉재(118)로 밀봉된다.
밀봉재로서는 오링(O-ring), 테프론 테이프 또는 에폭시 및 실리콘 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
이렇게 밀봉 처리된 지지체(113)와 투명창(115)은 섬광램프(111)의 주위에 밀봉된 챔버를 형성한다. 밀봉 챔버의 내부에는 냉각수가 공급되어 순환되는데, 지지체(113)의 양단부에는 각각 유입구(113b)와 유출구(113c)가 형성되어 있으며, 이 유입구(113b)와 유출구(113c)에는 전술한 냉각유닛(600; 도 1 참조)의 냉각수 순환관이 연결되어 있다.
상기 투명창(115)은 섬광램프(111)에서 발생한 섬광을 효과적으로 작업물(W)에 조사시켜 주어야 하므로 모든 파장에서 투과도가 좋은 석영을 재료로서 사용하는 것이 바람직하다. 상기 투명창(115)은 섬광 발생부(110)의 내부를 오염 분진으로부터 보호하는 역할도 한다. 상기 지지체(113)의 재료로서는 녹이 발생하지 않은 스테인레스 계열의 재료인 것이 바람직하다.
섬광 발생부(110)에는 광반사판(117)이 설치되어 있다. 이 광반사판(117)은 섬광램프(111)에서 생성되는 펄스파 섬광을 작업물(W)로 집중시켜 향하게 한다. 광 반사판(117)의 형태는 반타원형으로 제작되며, 그 타원 곡률은 설치 조건에 맞게 빛을 작업물 방향으로 효과적으로 전달하기 위한 값으로 설정할 수 있다. 본 실시예에서는, 섬광 발생부(110)의 지지체(113)의 중간 내벽을 반타원형으로 형성하고, 반타원형의 광반사판(117)을 지지체(113)의 내벽에 부착한 것으로 예시하고 있다.
광반사판의 재료로서는 모든 파장대에서 반사도가 좋은 금, 은 또는 세라믹이 바람직하다. 다른 한편, 이 광반사판은 반사물질을 섬광 발생부 내부에 코팅함으로써 제작할 수도 있다. 섬광 발생부(110)에서 챔버에는 핀홀(119)이 형성되어 있다. 이 핀홀(119)에는 별도의 구성요소인 광모니터링기(40)가 연결되어 있다. 핀홀(119)은 광반사판(117)과 지지체(113)를 관통하여 형성되어 있다.
광모니터링기(40)는 섬광램프(111)에서 발생하는 빛의 강도를 실시간으로 측정하는 일을 수행한다. 섬광램프(111)는 램프의 특성상 특정 수명을 가지고 있으며 시간이 지남에 따라 서서히 빛의 강도가 저하된다. 세정 성능이 빛의 강도에 비례하기 때문에 빛의 강도를 실시간으로 측정하는 것은 안정적인 세정 작업을 위해 매우 중요한 일이다. 이와 같은 빛의 강도 측정을 위해 광센서를 섬광 발생부 근처에 장착하여 실시간으로 빛의 강도를 측정하고, 시간에 따른 변화량을 제어기에서 수시로 체크한다. 만일, 측정값이 세정이 원활이 이루어지는 기준값 보다 떨어질 경우 제어기는 자동으로 고전압 전력 공급기에서 공급하는 전압의 크기를 높이거나, 작업자에게 신호를 보내 이상을 자동으로 알리는 역할을 수행한다. 광센서로는 포토다이오드를 사용할 수 있으며, 정확한 검출을 위해 광센서 앞에 특정 파장의 빛만을 선택할 수 있는 광필터를 설치할 수도 있다.
도시된 보는 바와 같이, 섬광램프(111)에서 발생하는 빛의 강도를 측정하기 위한 광모니터링기(40)를 섬광 발생부(110)에 부착하고, 섬광 발생부(110)에 핀 홀(119)을 뚫어 핀홀(119)을 통해 나오는 빛을 광모니터링기(40)에서 센싱하는 방법을 사용하면, 섬광램프(111)에서 나오는 빛을 직접 받아 측정하는 것이므로, 외부 환경에 의한 빛의 세기 변화를 최소화할 수 있어서, 정밀하고 신뢰성 있는 광모니터링을 할 수 있는 장점이 있다.
또한, 섬광 발생부(110)의 상부에는 섬광램프(111)에서 발생되는 펄스파 섬광이 작업자에게 노출되는 것을 방지하기 위한 광차폐부를 설치할 수 있다. 그리고, 상기 광차폐부로 상기 섬광 발생부(110)와 함께 전술한 레이저 발생부(210; 도 1 참조)도 함께 차폐할 수 있다. 광차폐부를 이용할 경우, 세정 공정 중 발생하는 강력한 광, 특히, 강력한 섬광의 외부 방출을 최대한 줄일 수 있다. 위와 같이, 섬광을 차폐시켜주는 장치의 설치는 쾌적한 작업 환경 확보를 위해 매우 중요하며, 불투명 금속 재료를 사용하여 케이스 형태로 제작할 수 있으며, 광흡수재를 부착하여 제작될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 레이저 세정유닛과 섬광 세정유닛을 구비한 건식세정장치를 설명하기 위한 도면.
도 2는 도 1에 도시된 섬광 세정유닛의 섬광 발생부의 상세 정단면도.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 섬광 세정유닛의 섬광 발생부의 상세 측단면도.
도 4는 본 발명의 다른 실시에에 따른 건식세정장치를 부분적으로 도시한 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
100: 섬광 세정유닛 110: 섬광 발생부
111: 섬광램프 200: 레이저 세정유닛
210: 레이저 발생부 214: 초점렌즈
300: 스캐닝유닛 310: 스테이지 구동부
320: 작업대 500: 통합제어유닛
Claims (19)
- 작업물 표면의 오염물질을 제거하기 위한 건식세정장치에 있어서,대기 중에 레이저 유기 충격파를 발생시키는 레이저 발생부를 구비하며, 그 발생된 유기 충격파를 이용하여, 상기 작업물 표면의 무기 오염물질을 제거하는데 적합한 레이저 세정유닛과;펄스파 섬광을 발생시키는 섬광 발생부를 구비하며, 그 발생된 섬광을 이용하여, 상기 작업물 표면의 유기 오염물질을 제거하는데 적합한 섬광 세정유닛을;포함하는 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 작업물을 지지하는 작업대를 구비하며, 상기 작업물의 전면 스캐닝을 위해 상기 작업대가 이동되도록 구성된 스캐닝유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 2에 있어서, 상기 스캐닝유닛은 상기 작업대를 상하 이동 및 회전시키는 스테이지 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 2에 있어서, 상기 스캐닝유닛은 상기 작업대를 상하 전후 좌우로 이동시키는 스테이지 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 2에 있어서, 상기 작업물의 표면으로부터 분리된 오염물질을 제거하기 위한 분진제거유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 레이저 세정유닛의 상기 레이저 발생부 또는 상기 섬광 세정유닛의 상기 섬광 발생부에 냉각 유체를 공급하도록 구성된 냉각유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 레이저 세정유닛은, 상기 레이저 발생부에 순간적인 고전압 전력을 공급하도록 연결된 레이저 파워공급부와, 상기 레이저 파워공급부의 고전압 전력 공급에 의해 상기 레이저 발생부로부터 발생된 레이저빔을 대기 중에 집속하는 초점렌즈를 포함하는 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 섬광 세정유닛은, 상기 섬광 발생부에 고전압의 전력을 공급하도록 연결된 섬광 파워공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 2에 있어서, 적어도 상기 레이저 세정유닛, 상기 섬광 세정유닛 및 상기 스캐닝유닛을 통합 제어하도록 구성된 통합 제어유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 섬광 발생부는, 섬광램프와, 상기 섬광램프를 밀봉적으로 둘러싸면서 펄스파 섬광을 작업물에 조사하도록 구성된 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 10에 있어서, 상기 챔버는, 상기 작업물에 대면하는 부분이 개방된 중공체로서 그 내부에 상기 섬광램프를 밀봉적으로 수용할 수 있도록 형성된 지지체와, 상기 지지체의 상기 작업물에 대면하는 개방된 부분에 밀봉적으로 설치된 투명창에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 건식세정장치
- 청구항 10에 있어서, 상기 섬광 발생부는, 상기 섬광램프에서 생성되는 펄스파 섬광을 상기 작업물로 향하게 하는 광반사판이 설치되는 것을 특징으로 하는 건식세정장치
- 청구항 10에 있어서, 상기 챔버에는 핀홀이 형성되고, 상기 핀홀에는 광모니터링기가 연결된 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 5에 있어서, 상기 분진제거유닛은, 상기 작업대의 이동 경로 위쪽에 설치된 채, 상기 작업물 표면으로부터 분리된 오염물질을 흡입 제거하도록 구성된 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 레이저 발생부는 기본파장이 1064nm인 Nd:YAG 레이저빔을 이용하는 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 청구항 1에 있어서, 상기 작업물은 반도체 웨이퍼 또는 마스크인 것을 특징으로 하는 건식세정장치.
- 작업물 표면의 오염물질을 제거하기 위한 건식세정방법에 있어서,대기 중에 레이저 유기 충격파를 발생시키고, 그 발생된 유기 충격파를 이용하여, 상기 작업물 표면의 무기 오염물질을 제거하는 것과;상기 무기 오염물질의 제거와 동시에, 펄스파 섬광을 발생시켜, 그 발생된 섬광을 이용하여 작업물 표면의 유기 오염물질을 제거하는 것을;포함하는 것을 특징으로 하는 건식세정방법.
- 청구항 17에 있어서, 상기 작업물을 지지하는 작업대를 전면 스캐닝되도록 이동시키면서, 상기 작업대에 지지된 상기 작업물에 대한 세정을 행하는 것을 특징으로 하는 건식세정방법.
- 청구항 17에 있어서, 상기 작업물은 반도체 웨이퍼 또는 마스크인 것을 특징으로 하는 건식세정방법.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070067026A KR100884253B1 (ko) | 2007-07-04 | 2007-07-04 | 건식세정장치 및 방법 |
| US12/168,037 US8173934B2 (en) | 2007-07-04 | 2008-07-03 | Dry cleaning apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070067026A KR100884253B1 (ko) | 2007-07-04 | 2007-07-04 | 건식세정장치 및 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090002784A KR20090002784A (ko) | 2009-01-09 |
| KR100884253B1 true KR100884253B1 (ko) | 2009-02-17 |
Family
ID=40220643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070067026A KR100884253B1 (ko) | 2007-07-04 | 2007-07-04 | 건식세정장치 및 방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8173934B2 (ko) |
| KR (1) | KR100884253B1 (ko) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8987632B2 (en) * | 2009-10-09 | 2015-03-24 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Modification of surface energy via direct laser ablative surface patterning |
| AU2011205703B2 (en) * | 2010-01-14 | 2014-08-28 | Infection Prevention Technologies | Systems and methods for emitting radiant energy |
| KR101135499B1 (ko) | 2010-05-28 | 2012-04-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전지용 전극 탭의 레이저 세정 장치 및 이를 이용한 레이저 세정 방법 |
| US9278374B2 (en) | 2012-06-08 | 2016-03-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Modified surface having low adhesion properties to mitigate insect residue adhesion |
| KR101314651B1 (ko) * | 2013-05-31 | 2013-10-14 | 주식회사 케이씨텍 | 수평 이송형 마스크 세정장치 |
| CN105750273B (zh) * | 2016-04-21 | 2018-06-12 | 华中科技大学 | 一种基于曲面全反射镜的管道激光清洗装置 |
| US10552152B2 (en) * | 2016-05-27 | 2020-02-04 | Arm Limited | Method and apparatus for scheduling in a non-uniform compute device |
| KR102009986B1 (ko) * | 2016-09-12 | 2019-08-12 | 주식회사 다원시스 | 마스크의 세정 장치 및 마스크 세정 방법 |
| WO2018048266A1 (ko) * | 2016-09-12 | 2018-03-15 | 주식회사 다원시스 | 마스크의 세정 장치 및 마스크 세정 방법 |
| WO2018236135A1 (ko) * | 2017-06-20 | 2018-12-27 | 주식회사 다원시스 | 마스크의 세정 장치 및 마스크 세정 방법 |
| KR20180138110A (ko) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 주식회사 다원시스 | 마스크의 세정 장치 및 마스크 세정 방법 |
| KR102573280B1 (ko) | 2018-03-21 | 2023-09-01 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
| KR102587626B1 (ko) | 2018-09-10 | 2023-10-11 | 삼성전자주식회사 | 건식 세정 장치 및 건식 세정 방법 |
| CN109226107B (zh) * | 2018-11-08 | 2024-06-21 | 广东交通职业技术学院 | 一种杆件激光清洗***及清洗方法 |
| CN109365418B (zh) * | 2018-12-17 | 2024-01-19 | 南通大学 | 一种台板表面污物检测与在线清洗的方法及其装置 |
| CN111822445A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-10-27 | 济南金威刻科技发展有限公司 | 一种焊丝表面污物激光清洗方法 |
| CN113102387A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-13 | 国网上海市电力公司 | 一种电力产品的激光除污方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04239131A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-27 | Ebara Res Co Ltd | ウエハの清浄方法及び装置 |
| US6028316A (en) | 1996-08-28 | 2000-02-22 | New Star Lasers, Inc. | Method and apparatus for removal of material utilizing near-blackbody radiator means |
| KR20020044347A (ko) * | 2000-12-05 | 2002-06-15 | 최재성 | 건식 표면 클리닝 방법 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3382343A (en) * | 1964-07-23 | 1968-05-07 | Hrand M. Muncheryan | Laser welding machine |
| US3689156A (en) * | 1969-11-12 | 1972-09-05 | Ocean Metrics Inc | Range gated image systems using pulsed illuminators |
| JPS5994039A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-30 | Shimadzu Corp | 液体クロマトグラフの検出器 |
| US4870244A (en) * | 1988-10-07 | 1989-09-26 | Copley John A | Method and device for stand-off laser drilling and cutting |
| AU7682594A (en) * | 1993-09-08 | 1995-03-27 | Uvtech Systems, Inc. | Surface processing |
| US6433303B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus using laser pulses to make an array of microcavity holes |
| DE10055179B4 (de) * | 2000-11-08 | 2006-03-02 | Lisa Laser Products Ohg Fuhrberg & Teichmann | Betrieb einer Laservorrichtung, insbesondere für chirurgische Anwendungen |
| US6818857B1 (en) * | 2000-11-28 | 2004-11-16 | Heung Ki Cho | Method and apparatus for welding |
| KR100463212B1 (ko) | 2001-05-19 | 2004-12-23 | 주식회사 아이엠티 | 건식 표면 클리닝 장치 |
| US6635845B2 (en) | 2001-05-19 | 2003-10-21 | Imt Co., Ltd. | Dry surface cleaning apparatus using a laser |
| KR100348701B1 (ko) * | 2001-12-07 | 2002-08-13 | 주식회사 아이엠티 | 건식 표면 클리닝 장치 |
| US6635844B2 (en) * | 2002-01-03 | 2003-10-21 | United Microelectronics Corp. | Apparatus for on-line cleaning a wafer chuck with laser |
| US6610455B1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-08-26 | Eastman Kodak Company | Making electroluminscent display devices |
| US20050029240A1 (en) * | 2003-08-07 | 2005-02-10 | Translume, Inc. | Dual light source machining method and system |
| US7431807B2 (en) * | 2005-01-07 | 2008-10-07 | Universal Display Corporation | Evaporation method using infrared guiding heater |
-
2007
- 2007-07-04 KR KR1020070067026A patent/KR100884253B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-07-03 US US12/168,037 patent/US8173934B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04239131A (ja) * | 1991-01-11 | 1992-08-27 | Ebara Res Co Ltd | ウエハの清浄方法及び装置 |
| US6028316A (en) | 1996-08-28 | 2000-02-22 | New Star Lasers, Inc. | Method and apparatus for removal of material utilizing near-blackbody radiator means |
| KR20020044347A (ko) * | 2000-12-05 | 2002-06-15 | 최재성 | 건식 표면 클리닝 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090002784A (ko) | 2009-01-09 |
| US8173934B2 (en) | 2012-05-08 |
| US20090008372A1 (en) | 2009-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100884253B1 (ko) | 건식세정장치 및 방법 | |
| KR100463212B1 (ko) | 건식 표면 클리닝 장치 | |
| KR100797787B1 (ko) | 레이저를 이용한 건식세정시스템 | |
| US7629556B2 (en) | Laser nozzle methods and apparatus for surface cleaning | |
| KR100348701B1 (ko) | 건식 표면 클리닝 장치 | |
| US6635844B2 (en) | Apparatus for on-line cleaning a wafer chuck with laser | |
| US8182609B1 (en) | Apparatus and method for direct surface cleaning | |
| TW200924046A (en) | Method and apparatus for cleaning a substrate | |
| JP2006229198A (ja) | 紫外線内設洗浄器具のための方法および装置 | |
| KR20010099947A (ko) | 국부적 벡터 파티클 클리닝 | |
| KR20070066623A (ko) | 반도체 소자의 제조 장치 및 방법 | |
| KR20210143412A (ko) | 레티클 포드의 세정 방법 및 세정 시스템 | |
| WO2017170595A1 (ja) | 洗浄方法および洗浄液、ならびに洗浄装置 | |
| CN204892502U (zh) | 一种高功率半导体激光清洗*** | |
| US20060213615A1 (en) | Laser nozzle cleaning tool | |
| TW201914721A (zh) | 雷射加工裝置 | |
| KR100455059B1 (ko) | 레이저를 이용한 건식 표면 클리닝 장치 | |
| JP7155386B2 (ja) | フォトマスクペリクル接着剤残留物の除去 | |
| JP2003007655A (ja) | レーザーを用いる乾式表面クリーニング装置 | |
| KR100639402B1 (ko) | 레이저를 이용한 이미지센서의 건식 세정방법 및 세정장치 | |
| CN114789168B (zh) | 激光清洗***及清洗方法 | |
| KR100879616B1 (ko) | 세정 장치 | |
| JP2003303800A (ja) | 表面洗浄装置および表面洗浄方法 | |
| KR20020088661A (ko) | 충격파를 이용한 건식 표면 클리닝 장치 | |
| KR19990074698A (ko) | 금형 클리닝 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130208 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140207 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141219 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170109 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190201 Year of fee payment: 11 |