KR100875388B1 - 티에프티-엘씨디, 반도체 및 오엘이디 제조설비용핫플레이트의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 TFT-LCD, 반도체 및 OLED 제조설비용 핫플레이트의 제조방법에 관한 것으로, 특히 본 발명은 TFT-LCD, 반도체 등의 제조설비라인 중진공을 요하는 진공 챔버 내부에 가설하여 TFT-LCD의 유리 기판이나 반도체의 실리콘 웨이퍼 등을 안착시켜 가열하는 알루미늄 핫플레이트(hot plate)에 있어서, 알루미늄 또는 알루미늄 합금재의 핫플레이트(이하 핫플레이트라 약칭함)에 매입 장착되는 쉬즈히터와 온도감지센서(T/C)의 외부를 알루미늄 핫플레이트와 동일 계열의 금속인 알루미늄재질로 구성하여 알루미늄 쉬즈히터와 알루미늄 T/C를 핫플레이트의 매입홈에 안착하고 T/C 및 히터라인을 핫플레이트 샤프트를 통해 외부 인출시 알루미늄 핫플레이트 본체와 알루미늄 샤프트 사이에 개입되는 알루미늄 체결 블록의 인출공으로 인출한 후, 인출공을 통해 외부로 인출된 알루미늄 히터와 알루미늄 T/C 인출부위 주변을 용접, 밀봉하여 준 다음, 알루미늄 체결 블록과 알루미늄 샤프트를 용접하여 줌으로서, 알루미늄체결 블록에서 최소한의 용접으로 핫플레이트 샤프트에서 진공챔버와 외부의 공기를 차단함을 특징으로 하는 TFT-LCD, 반도체 및 OLED 제조설비용 핫플레이트의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 구성요소 중 알루미늄 핫플레이트 본체와 알루미늄 체결 블록의 체결방법으로는 볼트식 체결방법 또는 용접방법을 사용할 수 있으며, 알루미늄 핫플레이트와 알루미늄 체결 블록의 체결방법에 선택된 용접에 의한 체결방법은 진공누설과는 무관하다.
또한, 본 발명에 있어 쉬즈히터 및 T/C의 외부를 알루미늄관으로 피복하여 구성하는 개념은 기존의 쉬즈히터와 T/C를 용접 밀봉하는 밀봉캡을 대체하는 개념으로서 기존의 알루미늄 밀봉캡을 이용한 쉬즈히터와 T/C의 밀봉은 밀봉캡의 전 라인에 걸쳐 대면적 용접하여 밀봉하는 복잡한 용접방식을 탈피하여 동일 재질인 알루미늄 체결 블록과 쉬즈히터 및 T/C의 인출부만을 용접 밀봉하여 현저하게 용접면적을 줄임으로써 제품의 제조비용을 현저히 줄이고 진공누설 문제를 해소할 수 있으며, 쉬즈히터 및 T/C라인의 열전도 및 밀착력을 개선하기 위하여 알루미늄 핫플레이트의 삽입홈에 안치되는 쉬즈히터 및 T/C라인을 밀봉캡으로 복개하고, 밀봉캡을 핫플레이트에 볼트체결방식으로 조립하는 조립식 또는 간헐적 스폿용접에 의한 용접식 중 어느 방식을 채택하여 체결하여 쉬즈히터 및 T/C라인의 열전도 및 밀착력을 개선할 수 있으며, 이러한 체결방식은 진공누설과는 무관하다.
또한, 본 발명은 문제발생시 보수(repair)작업에서도 알루미늄 핫플레이트와 히터캡 등의 요소가 간헐적인 스폿용접 또는 볼트체결방식이므로 알루미늄 핫플레이트로부터 히터캡, 쉬즈히터 및 체결 블록 등의 구성요소의 해체 및 조립이 용이하여 유지보수를 경제적으로 수행할 수 있다.
상기와 같은 본 발명에서 알루미늄 핫플레이트 본체와 핫플레이트 체결 블록의 체결은 진공누설과 전혀 무관하기 때문에 용접이 아닌 볼트 조립식으로 할 경우에는 체결 블록, 샤프트, 히터, T/C의 외관의 재질을 스테인리스스틸(SUS) 재질로 대체하고, 이들을 통상의 아르곤용접 등과 같은 스테인리스스틸 용접방법을 사용하여 결합하는 방법 또한 사용 가능하다.
또한, 체결블록을 길게 연장하여 구성할 경우 체결 블록 자체가 샤프트 기능을 공유하므로 체결 블록에 샤프트를 결합하지 않아도 되며, 이때 체결 블록의 인출공과 히터 등의 인출선 주변을 용접하여 밀봉하여도 좋고, 용접 대신 체결 블록의 인출공과 히터 등의 인출선 주변을 오-링(O-ring)으로 대체, 밀봉하여 진공누설을 방지할 수도 있다.
또한, 본 발명은 알루미늄 핫플레이트에 쉬즈히터 및 T/C추가적으로 쿨링관 및 가스관 등의 구성요소가 매설 또는 설치되는 경우, 쿨링관은 쉬즈히터의 구성과 동일한 방법으로 구성하여 외부에 알루미늄관을 피복하여 처리하고, 이들을 핫플레이트에 매설한 후, 알루미늄 체결 블록 외부로 인출되는 부위만을 용접하여 밀봉하고, 가스관의 경우에는 가스관 자체를 알루미늄관으로 하고, 알루미늄 핫플레이트와 알루미늄관을 용접하여 체결한 다음, 가스관의 인출부를 체결 블록에서 용접, 밀봉하여 진공누설을 차단하는 구성도 특징으로 한다.
핫플레이트, 액정표시장치, 투명 유리 기판의 증착, 투명 유리 기판, 용접. 히터
Description
도 1은 본 발명의 알루미늄 핫플레이트를 구성하기 위한 구성요소의 전체 분해 사시도이고,
도 2 내지 도 4는 본 발명의 조립상태를 나타내는 공정별 단면도이며,
도 5는 본 발명에 있어서의 알루미늄 핫플레이트 저면의 밀봉상태를 보인 평면도이고,
도 6은 도 4의 A-A선 단면도로서, 본 발명에서 체결 블록과 쉬즈히터 및 T/C의 용접 밀봉상태를 보인 단면도이며,
도 7도의 (가),(나)는 본 발명에 적용된 알루미늄 쉬즈히터의 구성 예시도이며,
도 8의 (가),(나),(다)는 본 발명에 적용된 알루미늄 T/C의 구성 예시도,
도 9의 (가),(나),(다)는 본 발명의 쉬즈히터를 밀봉캡으로 결합하는 실시예를 보인 단면도로서,
(가)는 볼트결합상태의 예시도,
(나)는 스폿 용접 결합상태를 보인 예시도
(다)도는 알루미늄 쉬즈히터를 직접 핫플레이트의 삽치홈에 스폿 용접하여 결합한 상태를 보인 예시도이며,
도 10은 본 발명의 타실시예의 예시도이며,
도 11은 종래 핫플레이트의 용접상태를 보인 예시도이며,
도 12는 동 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10: 핫플레이트부 11: 사이드쉬즈히터매입홈
12,13: 내측쉬즈히터 매입홈 14: 센터T/C매입홈
15,16: 사이드T/C매입홈 20: 쉬즈히터부
21: 사이드쉬즈히터 22,23: 내측쉬즈히터
31,32: 사이드T/C 33: 센터T/C
30: T/C부 40: 밀봉캡부
41: 누드볼트 50: 체결 블록부 51: 인출공
52: 안내용접면 53: 체결후렌지 60: 샤프트부
100: 핫플레이트 101: 쉬즈히터 102: 매입홈
103: 밀봉캡 104: T/C 105,106: 라인용접
본 발명은 TFT-LCD, 반도체 및 OLED 제조설비용 핫플레이트의 제조방법에 관한 것으로, 특히 본 발명은 TFT-LCD, 반도체 등의 제조설비라인 중진공을 요하는 진공 챔버 내부에 가설하여 TFT-LCD의 유리 기판이나 반도체의 실리콘 웨이퍼 등을 안착시켜 가열하는 알루미늄 핫플레이트(hot plate)에 있어서, 알루미늄 또는 알루미늄 합금재의 핫플레이트(이하 핫플레이트라 약칭함)에 매입 장착되는 쉬즈히터와 온도감지센서(T/C)의 외부를 알루미늄 핫플레이트와 동일 계열의 금속인 알루미늄재질로 구성하여 알루미늄 쉬즈히터와 알루미늄 T/C를 핫플레이트의 매입홈에 안착하고 T/C 및 히터라인을 핫플레이트 샤프트를 통해 외부 인출 시 알루미늄 핫플레이트 본체와 알루미늄 샤프트 사이에 개입되는 알루미늄 체결 블록의 인출공으로 인출한 후, 인출공을 통해 외부로 인출된 알루미늄 히터와 알루미늄 T/C 인출부위 주변을 용접, 밀봉하여 준 다음, 알루미늄 체결 블록과 알루미늄 샤프트를 용접하여 줌으로서, 알루미늄체결 블록에서 최소한의 용접으로 핫플레이트 샤프트에서 진공챔버와 외부의 공기를 차단함을 특징으로 하는 TFT-LCD, 반도체 및 OLED 제조설비용 핫플레이트의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 구성요소 중 알루미늄 핫플레이트 본체와 알루미늄 체결 블록의 체결방법으로는 볼트식 체결방법 또는 용접방법을 사용할 수 있으며, 알루미늄 핫플레이트와 알루미늄 체결 블록의 체결방법에 선택된 용접에 의한 체결방법은 진공누설과는 무관하다.
또한, 본 발명에 있어 쉬즈히터 및 T/C의 외부를 알루미늄관으로 피복하여 구성하는 개념은 기존의 쉬즈히터와 T/C를 용접 밀봉하는 밀봉캡을 대체하는 개념으로서 기존의 알루미늄 밀봉캡을 이용한 쉬즈히터와 T/C의 밀봉은 밀봉캡의 전 라인에 걸쳐 대면적 용접하여 밀봉하는 복잡한 용접방식을 탈피하여 동일 재질인 알 루미늄 체결 블록과 쉬즈히터 및 T/C의 인출부만을 용접 밀봉하여 현저하게 용접면적을 줄임으로써 제품의 제조비용을 현저히 줄이고 진공누설 문제를 해소할 수 있으며, 쉬즈히터 및 T/C라인의 열전도 및 밀착력을 개선하기 위하여 알루미늄 핫플레이트의 삽입홈에 안치되는 쉬즈히터 및 T/C라인을 밀봉캡으로 복개하고, 밀봉캡을 핫플레이트에 볼트체결방식으로 조립하는 조립식 또는 간헐적 스폿용접에 의한 용접식 중 어느 방식을 채택하여 체결하여 쉬즈히터 및 T/C라인의 열전도 및 밀착력을 개선할 수 있으며, 이러한 체결방식은 진공누설과는 무관하다.
또한, 본 발명은 문제발생시 보수(repair)작업에서도 알루미늄 핫플레이트와 히터캡 등의 요소가 간헐적인 스폿용접 또는 볼트체결방식이므로 알루미늄 핫플레이트로부터 히터캡, 쉬즈히터 및 체결 블록 등의 구성요소의 해체 및 조립이 용이하여 유지보수를 경제적으로 수행할 수 있다.
상기와 같은 본 발명에서 알루미늄 핫플레이트 본체와 핫플레이트 체결 블록의 체결은 진공누설과 전혀 무관하기 때문에 용접이 아닌 볼트 조립식으로 할 경우에는 체결 블록, 샤프트, 히터, T/C의 외관의 재질을 스테인리스스틸(SUS) 재질로 대체하고, 이들을 통상의 아르곤용접 등과 같은 스테인리스스틸 용접방법을 사용하여 결합하는 방법 또한 사용 가능하다.
또한, 체결블록을 진공챔버 외부로 길게 연장하여 구성할 경우, 체결 블록 자체가 샤프트 기능을 동시에 발휘하므로 체결 블록에 샤프트를 결합하지 않아도 되며, 이때 체결 블록의 인출공과 히터 등의 인출선 주변을 용접하여 밀봉하여도 좋고, 용접 대신 체결 블록의 인출공과 히터 등의 인출선 주변을 오-링(O-ring)으 로 체결하여 밀봉하여 진공누설을 방지할 수도 있다.
또한, 본 발명은 알루미늄 핫플레이트에 쉬즈히터 및 T/C추가적으로 쿨링관 및 가스관 등의 구성요소가 매설 또는 설치되는 경우, 쿨링관은 쉬즈히터의 구성과 동일한 방법으로 구성하여 외부에 알루미늄관을 피복하여 처리하고, 이들을 핫플레이트에 매설한 후, 알루미늄 체결 블록 외부로 인출되는 부위만을 용접하여 밀봉하고, 가스관의 경우에는 가스관 자체를 알루미늄관으로 하고, 알루미늄 핫플레이트와 알루미늄관을 용접하여 체결한 다음, 가스관의 인출부를 체결 블록에서 용접, 밀봉하여 진공누설을 차단하는 구성도 특징으로 한다.
일반적으로 TFT-LCD 및 반도체 제조설비에 사용되는 진공증착 설비의 진공 챔버에는 TFT-LCD를 제조하기 위한 투명 유리기판상이나 반도체를 제조하기 위한 실리콘 웨이퍼를 안착시켜 진공상태에서 가열하거나 냉각하면서 진공처리작업하기 위한 핫 또는 쿨링 플레이트(이하 편의상 핫플레이트로 칭함)를 사용하고 있음은 통상적이다.
또한, 상기와 같은 진공 챔버에는 진공증착 작업시 챔버 내부가 진공된 상태에서 소스물질이 가스상으로 유입되어 진공증착 공정을 수행하게 되며, 이러한 진공 챔버 내부에는 진공하에서 가스분위기상태로 TFT-LCD제조용 투명 유리 기판이나 반도체 제조용 실리콘 웨이퍼를 진공 증착하게 됨으로써 핫플레이트의 재질은 통상 아노다이징 처리한 알루미늄 또는 알루미늄 합금재로 제작되며 진공증착에 필요한 적절한 온도로 가열시킬 수 있도록 핫플레이트는 히터가 내부에 매설되는 구성방법으로 제작된다.
그러나 이러한 핫플레이트는 대체로 아노다이징 처리된 알루미늄 또는 알루미늄 합금재로 구성되고, 이에 매입되는 히터 및 온도센서(T/C)는 알루미늄과 다른 스테인리스스틸관(인코넬관) 등으로 되는 쉬즈히터(sheath heater)됨이 일반적이다.
이러한 TFT-LCD 또는 반도체 웨이퍼를 제조하기 위한 핫플레이트는 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 핫플레이트(100)의 저면부에 쉬즈히터(101)를 매입하기 위한 매입홈(102)을 다양한 패턴의 지선(支線)상으로 요설하고, 이에 매입홈(102)과 동일한 패턴으로 절곡된 스테인리스스틸관을 피복한 쉬즈히터(101)와 T/C(104)를 매입하여 안착시킨 후, 매입홈(102), 쉬즈히터(101)와 동일한 패턴의 알루미늄 소재로 되는 밀봉캡(103)을 순차 삽치하여 쉬즈히터(101)를 안착시킨 후, 핫플레이트(100)의 매입홈(102)의 상층부와 밀봉캡(103)의 양측 접설부위(la),(lb)를 전 라인을 따라 전부 라인용접(line welding)(105),(106)하여 쉬즈히터(101)를 밀봉하고 같은 방법으로 T/C(104)를 밀봉시켜 진공 누설(vacuum leak)을 방지하게 하는 방식을 채택하고 있다.
이러한 라인용접방식의 쉬즈히터(101)와 T/C(104)의 밀봉작업은 쉬즈히터(101) 및 T/C(104)가 대부분 핫플레이트(100)의 알루미늄과 다른 스테인리스스틸(SUS)이나 인코넬관으로 되어 있는데 따라서 기인하는 것으로서, 진공 누설의 염려가 상당하여 TFT-LCD 및 반도체 제조시 작업불량 현상을 야기할 위험 부담이 있고, 핫플레이트의 제작에 많은 용접 과정을 필요로 하여 핫플레이트의 제작에 고비용이 요구되는 한편, 쉬즈히터(101)의 교체 등과 같은 핫플레이트(100) 보수(repair)작업시 일일이 핫플레이트(100)와 밀봉캡(103)의 라인용접(105),(106) 부위 모두를 갈아내어 제거한 후 보수작업을 수행하고 다시 밀봉작업을 수행하는 복잡한 과정을 거치게 됨으로써 핫플레이트의 보수에도 많은 노고와 비용이 요구되는 단점도 나타내고 있었다.
더욱이 이러한 설비, 특히 TFT-LCD를 제조하는 설비의 알루미늄 핫플레이트에 있어서는 TFT-LCD의 세대(G: generation)가 증가할수록 가공되는 유리 기판이 커지게 되고, 이에 따라 알루미늄 핫플레이트의 크기도 상대적으로 확장되며 이에 따라 배치되는 쉬즈히터의 패턴도 다양하고 복잡하여 짐으로써 쉬즈히터의 밀봉이나 진공 누설을 억제하기 위한 수단이나 용접과정이 복잡하여지고 이에 따라 용접라인의 길이나 위치 또한 상대적으로 길어지고 복잡하여지는 현상이 나타나 알루미늄 핫플레이트의 제작은 물론 보수작업도 까다롭고 복잡하여 제조, 가공비는 물론 수선비 등도 상승하게 되는 비경제적인 요인을 나타내고 있다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위하여 창출한 것으로, 본 발명은 핫플레이트와 내부에 매입되는 쉬즈히터와 T/C, 밀봉캡, 체결 블록 및 샤프트 모두를 동일한 금속재인 알루미늄 또는 알루미늄 합금재로 구성하여 핫플레이트와 쉬즈히터 및 T/C를 핫플레이트 또는 체결 블록에 집중하여 직접 용접하여 누설 부위를 밀봉하여 줌으로서 핫플레이트의 용접이나 브레이징 작업 등의 용접작업공수를 최소화하여 핫플레이트의 제조비용을 절감하면서도 진공 누설을 완벽하게 방지할 수 있는 핫플레이트와 핫플레이트의 쉬즈히터를 제공함에 그 목적이 있는 것이다.
또한, 본 발명은 알루미늄 핫플레이트 제조방법에서 알루미늄 핫플레이트 본체와 핫플레이트 체결 블록의 체결을 용접이 아닌 볼트 조립식으로 할 경우 체결 블록, 샤프트, 히터, T/C의 외관의 재질을 스테인리스스틸(SUS) 재질로 바꾸어 스테인리스스틸 용접(SUS용접)을 사용하여 핫플레이트의 제조방법을 제공함에 다른 목적이 있는 것이다.
또한, 본 발명은 핫플레이트 내부에 쉬즈히터를 매입하여 밀봉하되, 쉬즈히터 전 라인에 대한 복잡한 라인용접방식을 탈피하여 볼트로 밀봉캡을 결착하여 밀봉하거나 부분적인 국부 스폿용접만으로 밀봉하여 줌으로서 핫플레이트의 제작은 물론 재사용을 위한 보수 작업시 알루미늄 핫플레이트와 쉬즈히터 등의 요소의 해체를 용이하고 능률적으로 수행하게 하여, 핫플레이트의 제작이나 보수비용을 크게 저감시켜 경제적으로 제조 및 보수를 수행할 수 있는 핫플레이트를 제공함에 다른 목적이 있는 것이다.
또한, 본 발명은 핫플레이트와 쉬즈히터, 밀봉캡, 볼트 등 모든 요소를 동일소재인 알루미늄 또는 알루미늄 합금재로 구성함으로써 열전도가 양호하고 핫플레이트 전반에 걸쳐 열분포도 균등하고 우수하여 핫플레이트의 작업처리기능을 향상시켜 줄 수 있는 핫플레이트를 제공함에 또 다른 목적이 있는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 알루미늄 핫플레이트의 매입홈 내부에 매입되는 알루미늄 쉬즈히터부 및 알루미늄 T/C부와; 알루미늄 쉬즈히터부 및 알루미늄 T/C부를 안착시키기 위한 알루미늄 밀봉캡부와; 알루미늄 쉬즈히터부 및 알루미늄 T/C부의 인출단을 인출공으로 인출하고 인출공 주변과 알루미늄 쉬즈히터부 및 알루미늄 T/C부의 인출부 주변만을 용접하여 밀봉 매입하는 알루미늄 체결 블록부와; 알루미늄 쉬즈히터부 및 T/C부의 밀봉캡부를 볼트 체결방식이나 국부적인 스폿용접방식으로 핫플레이트부의 매입홈에 체결하여 밀봉시켜서 됨을 특징으로 하는 것으로 이를 첨부한 도면 및 바람직한 실시예에 따라 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 알루미늄 핫플레이트를 구성하기 위한 구성요소의 전체 분해 사시도로서, 핫플레이트의 저면에 요설되는 매입홈과 이에 매입되는 쉬즈히터, T/C 및 밀봉캡을 패턴에 따라 열분포에 유효하게 지선상으로 배시한 상태를 보인 일례도이고, 도 2 내지 도 4는 본 발명의 조립상태를 나타내는 공정별 단면도이며, 도 5는 본 발명에 있어서의 알루미늄 핫플레이트 저면의 밀봉상태를 보인 평면도이고, 도 6은 도 4의 A-A선 단면도로서, 본 발명에서 체결 블록과 쉬즈히터 및 T/C의 용접 밀봉상태를 보인 단면도이며, 도 7의 (가),(나)는 본 발명에 적용된 알루미늄 쉬즈히터의 구성 예시도이며, 도 8의 (가),(나),(다)는 본 발명에 적용된 알루미늄 T/C의 구성 예시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명은 저면에 요구되는 다양한 패턴으로 요설되는 사이드쉬즈히터 매입홈(11), 내측쉬즈히터 매입홈(12),(13)및 센터T/C매입 홈(14)과 사이드T/C매입홈(15),(16)가 구비한 알루미늄 핫플레이트부(10)와;
상기한 알루미늄 핫플레이트부(10)에 요설된 사이드쉬즈히터매입홈(11), 내측쉬즈히터매입홈(12),(13)와 일치하는 패턴으로 형성되어 삽치되는 알루미늄 사이드쉬즈히터(21)와 알루미늄 내측쉬즈히터(22),(23)로 구성되는 알루미늄 쉬즈히터부(20)와;
상기한 알루미늄 핫플레이트부(10)의 센터T/C매입홈(14)과 사이드T/C매입홈(15),(16)에 각각 매입되는 알루미늄 사이드T/C(31),(32)과 알루미늄 센터T/C(33)를 구비하는 알루미늄 T/C부(30)와;
상기한 알루미늄 쉬즈히터부(20)의 알루미늄 사이드쉬즈히터(21)와 알루미늄 내측쉬즈히터(22),(23) 및 알루미늄 T/C부(30)의 알루미늄 사이드T/C(31),(32)과 알루미늄 센터T/C(33)를 사이드쉬즈히터 매입홈(11), 내측쉬즈히터 매입홈(12),(13)및 센터T/C매입홈(14)과 사이드T/C매입홈(15),(16)에 안정되게 안착시켜 고정하기 위한 동일 패턴의 알루미늄 밀봉캡부(40)와;
상기한 알루미늄 쉬즈히터부(20)의 알루미늄 사이드쉬즈히터(21)와 알루미늄 내측쉬즈히터(22),(23) 및 알루미늄 T/C부(30)의 알루미늄 사이드T/C(31), (32)과 알루미늄 센터T/C(33) 각각의 인출단을 외부로 인출하기 위한 복수의 인출공(51)을 형성한 안내용접면(52)을 일측에 구비하고, 타측에 체결후렌지(53)를 구비한 원통형 모자형상의 알루미늄 체결 블록부(50)와;
상기한 알루미늄 체결 블록부(50)의 안내용접면(52)과 연설되는 원통형 알루미늄 샤프트부(60)로 구성되어 진다.
본 발명에 적용하는 상기한 알루미늄 쉬즈히터부(20)의 알루미늄 사이드쉬즈히터(21),(22)과 내측쉬즈히터(23)는 도 7의 (가),(나)에 도시된 바와 같이, 니크롬선(20b) 및 MgO분말(20c)로 되는 히터요소의 외피를 알루미늄관(20a)으로 미리 피복하여 구성하여도 좋고, 외피가 스테인리스스틸로 된 통상의 니크롬선(20b), MgO분말(20c) 및 스테인리스관(20d)으로 된 통상의 쉬즈히터 외주에 알루미늄관(20a)을 피복하고 그 사이에 MgO분말(20c)을 충전시켜 구성하여도 무방하고, 본 발명은 쉬즈히터부(20)의 모든 쉬즈히터의 외피가 알루미늄관(20a)으로 되거나 피복되어 형성되는 것이 주요한 요지중 하나이며, 알루미늄관(20a) 내부에 어떠한 히터의 구성이 개입되더라도 본 발명의 쉬즈히터 구성의 본질과 목적을 벗어나지 않음이 명백하다.
또한, 본 발명에 적용된 온도센서인 T/C부(30)에 있어서도 첨부도면 도 8의 (가),(나),(다)에 도시된 바와 같이, 스테인리스스틸 또는 동관으로 피복된 기존의 T/C(30b)의 외주에 알루미늄관(30a)을 피복하고 내부에 MgO분말(30c)을 충전한 후 알루미늄관(30a)의 선단부를 압착한 후 용접(30w)하여 내부를 밀폐하여도 좋고, 선단부에 알루미늄캡(30d)을 결합하고 용접(30w)하여 내부를 밀봉하여도 좋으며, 신규로 알루미늄 외피의 T/C부(30)로 형성하여도 좋으며, 본 발명은 T/C부(30)의 외피가 알루미늄관(30a)으로 피복된 것이 주요지로 하고 있고, T/C부(30)의 외피를 구성하는 알루미늄관(30a) 내부에 어떠한 T/C의 구성이 개입되더라도 본 발명의 본질과 목적을 벗어나지 않음은 물론이다.
또한, 알루미늄 쉬즈히터부(20) 및 알루미늄 T/C부(30)를 알루미늄 핫플레이 트부(10)의 사이드쉬즈히터 매입홈(11), 내측 쉬즈히터매입홈(12),(13) 및 사이드 T/C매입홈(15),(16)에 안치시켜 알루미늄 쉬즈히터부(20) 및 알루미늄 T/C부(30)를 고정하기 위한 밀봉캡부(40)도 역시 핫플레이트(10), 쉬즈히터부(20) 및 T/C부(30)와 동일한 계열의 금속인 알루미늄 또는 알루미늄 합금재로 구성하여 전체 매입홈의 패턴에 따라 삽입되어 쉬즈히터부(20)의 모든 히터(21),(22),(23)를 고정시켜 주는데, 이러한 밀봉캡부(40)는 패턴과 동일한 형태로 일체로 형성하여서 삽치하여도 좋고, 제작 편의에 따라 굴절되는 곡률에 맞추어 임의 길이로 절단된 상태로 분할하여 형성하고 이를 도 9의 (가)에 도시된 바와 같이 누드볼트(41)를 사용하여 임의 적소의 간헐적으로 알루미늄 핫플레이트부(10)에 나사 결합하여 고정시켜도 좋고, 도 9의 (나)에 도시된 바와 같이 간헐적으로 스폿용접(w)하여 고정시켜도 좋으며, 도 9도의 (다)와 같이 밀봉캡부(40)를 사용하지 않고 알루미늄 쉬즈히터부(20)를 매입홈(11),(12),(13)에 안치하고 그대로 용접(w)하여도 좋으며, 이 경우 핫플레이트부(10)와 쉬즈히터부(20)는 모두 동일한 알루미늄 또는 알루미늄 합금재로 됨으로써 직접적인 용접작업을 간편하게 수행할 수 있게 되는 것이다.
또한, 알루미늄으로 되는 본 발명의 모든 구성-즉 핫플레이트부(10), 쉬즈히터부(20), T/C부(30), 밀봉캡부(40) 및 체결 블록부(50), 샤프트(60) 등의 구성 요소를 모두 동일한 소재인 알루미늄 또는 알루미늄 합금재로 구성하고 있음으로써 상호 용접이 용이하고 아노다이징하여 산화 피막을 형성하여 줌으로서 진공챔버내의 가스에 의한 부식 등을 방지하여 주며, 이러한 아노다이징은 결합 전 각 요소를 개별적으로 행하여 조립하여도 좋고, 결합 후에 시행하여 진공 챔버내의 가스에 의 한 부식을 방지하여도 좋다.
이와 같은 본 발명의 조립과정을 도 2 내지 도 4에 의거 상술하면 다음과 같다.
먼저, 알루미늄 핫플레이트부(10)의 센터T/C배입홈(14)에 알루미늄 센터T/C(33)를 나사결합으로 결합하고 알루미늄 핫플레이트부(10)의 센터T/C매입홈(14)과 알루미늄 센터T/C(33)의 외측 접설부를 알루미늄 센터T/C(33)의 외주를 따라 환상으로 용접(w1)하여 밀봉한 다음, 알루미늄 핫플레이트부(10)의 각각의 사이드쉬즈히터 매입홈(11), 내측쉬즈히터 매입홈(12),(13)및 센터T/C매입홈(14)과 사이드T/C매입홈(15),(16)에 서로 일치하는 패턴으로 형성된 알루미늄 사이드쉬즈히터(21)와 알루미늄 내측쉬즈히터(22),(23) 및 알루미늄 사이드T/C(31),(32)을 외부인출단이 중앙에 위치하게 인출하여 삽입하고, 이들의 외측을 밀봉캡부(40)로 복개하고 스폿용접이나 누드볼트로 결합하여 알루미늄 핫플레이트부(10)에 고정시켜 밀봉한다.(도 2 참조)
이와 같이 알루미늄 사이드쉬즈히터(21)와 알루미늄 내측쉬즈히터(22),(23) 및 알루미늄 사이드T/C(31),(32)을 고정한 후, 알루미늄 사이드쉬즈히터(21)와 알루미늄 내측쉬즈히터(22),(23) 및 알루미늄 사이드T/C(31),(32), 센터T/C(33)의 인출단을 체결 블록부(50)의 안내용접면(52)에 인출단과 대응하는 개수의 복수의 인출공(51)에 관통시켜 외부로 인출한 다음, 체결 블록부(50)의 체결후렌지(53)를 알루미늄 핫플레이트부(10)의 저면에 밀착시킨 다음, 볼트(54)로 체결하여 고정하고, 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이 인출공(51) 외부로 인출된 인출공(51) 주변과 알루미늄 쉬즈히터부(20) 및 알루미늄 T/C부(30)의 인출부의 접설부위를 환형상으로 용접(w)하여 밀봉한다.(도 3참조)
이와 같이 한 후 알루미늄 체결 블록부(50)의 안내용접면(52)의 인출공(51)에 관통하여 인출되어 용접 밀폐된 알루미늄 사이드쉬즈히터(21), 알루미늄 내측쉬즈히터(22),(23) 및 알루미늄 사이드T/C(31),(32)과 센터T/C(33)의 인출단을 중공상태의 원통형 알루미늄 샤프트부(60) 내부로 안내하여 수납하고 알루미늄 샤프트부(60)를 알루미늄 체결 블록부(50)의 안내용접면(52)에 용접하면 조립 완성되는 것이다.(도 4참조)
따라서 알루미늄 밀봉캡부에 의하여 알루미늄 쉬즈히터부는 매입홈에 안정되게 알루미늄 핫플레이트와 밀착된 상태로 안치되어 열전달효율이 안정되고, 알루미늄 핫플레이트의 저면으로의 열손실을 방지하게 되며, 쉬즈히터 및 T/C와 체결 블록이 모두 동일한 알루미늄재로 구성되어 있음으로써 쉬즈히터 및 T/C의 인출부위를 체결 블록의 인출공 주변에서 간편히 용접하여 완벽하게 밀폐시킬 수 있게 됨으로써 진공 누설현상을 사전에 방지하게 되는 것이다.
상기와 같은 본 발명은 핫플레이트부(10), 쉬즈히터부(20), T/C부(30), 밀봉캡(40) 및 체결 블록부(50) 등의 모든 요소가 동일재질의 알루미늄 또는 알루미늄 합금재로 구성됨으로써 용접작업을 간편하게 수행할 수 있게 되며, 또한 진공 누설을 방지하기 위한 수단으로 쉬즈히터부(20), T/C부(30)의 인출단을 체결 블록부(50)의 인출공(51) 주변만을 용접(W)하여 밀봉하는 극히 간편한 작업공정으로 진공누설을 방지함으로써 핫플레이트의 제조작업은 물론 재사용을 위한 보수작업시 핫플레이트와 쉬즈히터간의 해체를 간편하고 용이하게 수행하여 핫플레이트의 제조비용이나 보수비용을 크게 절감할 수 있는 효과를 발휘하게 되며, 이러한 구성방법에 의한 본 발명은 상기와 같은 복잡한 패턴의 높은 세대(5~9세대)의 TFT-LCD를 제조하기 위한 핫플레이트는 물론 도 9에 도시된 것과 같은 저세대(1~4세대)의 단순패턴의 핫플레이트에도 적용하여 광범위하게 효과적으로 적용할 수 있는 것이다.
또한, 상기에서는 본 발명을 액정표시장치 제조용 핫플레이트로 한정하여 설명하였으나, 핫플레이트에 정전흡착 또는 진공흡착수단을 구비하면 반도체 제조용 핫플레이트로도 전용하여 사용할 수 있음은 당업자간에 당연히 실시할 수 있는 동일 기술범주에 속함은 당연한 것이다.
또한, 본 발명은 알루미늄 또는 알루미늄 합금재로 핫플레이트, 쉬즈히터, T/C, 체결 블록 및 샤프트 등 모든 구성요소를 예로 하여 설명하였으나, 이에 국한되는 것은 아니고, TFT-LCD, 반도체 제조설비에 있어서 사용되는 모든 진공프로세서의 기계적인 구성 요소의 외부를 알루미늄관으로 피복하거나 직접 구성하여 사용하여 진공누설을 방지하기 위한 목적을 달성하는 것은 본 발명으로부터 용이하게 추고하여 실시할 수 있음은 물론이며, 이러한 변형은 본 발명의 근본 개념을 벋어날 수 없음도 자명하다.
상기의 설명에서는 알루미늄 핫플레이트와 이에 결합하는 쉬즈히터, T/C, 체결 블록 및 샤프트 등 모든 구성요소와 별개로 쿨링관 및 가스관 등의 구성요소가 추가 매설 또는 설치되는 경우, 쿨링관은 쉬즈히터의 구성과 동일한 방법으로 구성하여 외부에 알루미늄관을 피복하여 처리하고, 이들을 핫플레이트에 매설한 후, 알 루미늄 체결 블록 외부로 인출되는 부위만을 용접하여 밀봉하고, 가스관의 경우에는 가스관 자체를 알루미늄관으로 하고, 알루미늄 핫플레이트와 알루미늄관을 용접하여 체결한 다음, 가스관의 인출부를 체결 블록에서 용접, 밀봉하여 진공누설을 차단하는 구성도 본 발명의 기술 범주에 속함은 너무나 자명하다.
이와 같은 본 발명은 핫플레이트와 내부에 매입되는 쉬즈히터 및 밀봉캡을 동일한 알루미늄 또는 알루미늄 합금재로 구성하여 줌으로서 가스의 누설현상이 전혀 발생하지 않으며, 핫플레이트 내부에 히터를 매입하여 밀봉하되, 히터 전 라인에 대한 복잡한 라인용접방식을 탈피하여 볼트로 밀봉캡을 결착하여 밀봉하는 방식을 이용함으로써 핫플레이트의 제작은 물론 재사용을 위한 보수작업을 간편하고 능률적으로 수행할 수 있게 하여 핫플레이트의 제조비나 보수비용을 크게 저감시켜 경제적으로 제조 및 보수를 수행할 수 있고, 핫플레이트와 쉬즈히터, 밀봉캡, 체결 블록, 샤프트 및 볼트 등 모든 요소의 자체나 외피를 동일소재인 알루미늄, 알루미늄 합금재 또는 스테인리스스틸재 등과 같은 동일계열의 금속재로 동일하게 구성함으로써 용접이나 제작을 용이하게 하고 동일 재질에 의한 열전도가 양호하고 핫플레이트 전반에 걸쳐 열분포도 균등하고 우수하여 핫플레이트의 작업처리기능을 향상시켜 줄 수 있는 등의 여러 가지 특징을 지닌 것이다.
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- TFT-LCD, 반도체 및 OLED 제조용 설비의 진공 챔버에서 사용되는 알루미늄 핫플레이트 제조에 있어서, 핫플레이트 본체 저면에 매설되는 쉬즈히터 및 T/C의 최종 외관을 용접 가능한 금속재관을 사용하여 제조하고 이를 요구되는 모양으로 처리하여 핫플레이트 본체에 매설한 후, 핫플레이트 본체에 매설되어 외부로 인출되는 히터 및 T/C 라인을 외부인출 입구인 샤프트와 핫플레이트 본체 사이에 체결 블록을 삽입하여 체결 블록의 인출공을 통과하는 알루미늄 히터와 T/C의 인출부위를 인출공 주변에서 용접, 밀봉하여 외부와 진공챔버 내부를 격리시켜 진공누설을 차단함을 특징으로 하는 진공 챔버용 알루미늄 핫플레이트에 있어서, 알루미늄 핫플레이트 본체와 체결 블록을 용접이 아닌 볼트로 체결하여 구성시 체결 블록, 샤프트, 쉬즈히터, T/C외관을 모두 스테인리스스틸 재질로 대체 구성하여 스테인리스스틸 용접방식으로 체결하여 결합하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD, 반도체 및 OLED 제조설비용 핫플레이트의 제조방법.
- 제 6에 있어서,통상적인 T/C에 알루미늄관을 피복하고 알루미늄관의 선단을 압착하거나, 선단에 밀봉캡을 결합하고 이를 용접 밀봉하여서 되는 알루미늄 T/C를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD, 반도체 및 OLED 제조설비용 핫플레이트의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,스테인리스 또는 인코넬 쉬즈히터로 되는 일반열선에 알루미늄 또는 알루미늄 합금재로 된 관을 피복하여서 되는 알루미늄 쉬즈히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD, 반도체 및 OLED 제조설비용 핫플레이트의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,알루미늄 핫플레이트 본체에 히터와 별개로 매설 또는 연결되는 쿨링관도 쉬즈히터와 동일방법으로 알루미늄관으로 피복한 후 알루미늄 체결 블록에서 쉬즈히터와 동일한 방법으로 용접하여 진공누설을 차단함을 특징으로 하는 TFT-LCD, 반도체 및 OLED 제조설비용 핫플레이트의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,알루미늄 핫플레이트 본체에 히터와 별개로 매설 또는 연결되는 가스관은 알루미늄 핫플레이트에 용접한 후, 쉬즈히터와 동일한 방법으로 용접하여 진공누설을 차단함을 특징으로 하는 TFT-LCD, 반도체 및 OLED 제조설비용 핫플레이트의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,체결 블록은 하단부에 알루미늄 히터와 T/C의 인출부를 관통시켜 용접 밀봉하기 위한 관통공을 구비한 원통형인 것을 특징으로 하는 TFT-LCD, 반도체 및 OLED 제조설비용 핫플레이트의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,원통형 체결블록의 단부를 길이방향으로 길게 확장하여 체결 블록 자체가 샤프트 기능을 발휘하게 하고, 체결 블록의 인출공 부분과 알루미늄 히터와 T/C의 인출부 사이를 용접하거나 또는 오링(O-ring)으로 밀봉하여 진공누설을 차단하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 TFT-LCD, 반도체 및 OLED 제조설비용 핫플레이트의 제조방법.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (2)
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-
2006
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102903651A (zh) * | 2011-07-25 | 2013-01-30 | 东京毅力科创株式会社 | 温度控制单元和***、基板载置台、处理装置和处理方法 |
| TWI550753B (zh) * | 2011-07-25 | 2016-09-21 | Tokyo Electron Ltd | A temperature control unit, a substrate stage, a substrate processing device, a temperature control system, and a substrate processing method |
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