KR100873580B1 - Apparatus for flat x-ray inspection - Google Patents

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Abstract

A flat board X-ray inspection apparatus is provided to directly convert X-ray into an electric signal by using photoconductive effect to inspect a large inspected object within a short time, acquire an image of the object rapidly and obtain high quality images in real time. A flat board X-ray inspection apparatus(200) includes a common electrode(201), a plurality of collecting electrodes opposite to the common electrode, a photoconductive layer interposed between the common electrode and the collecting electrodes to generate signal charges when X-ray is inputted, a blocking layer interposed between the common electrode and the photoconductive layer, a storage capacitor connected to the collecting electrodes to store signal charges, and a transfer transistor connected in parallel with the storage capacitor to the collecting electrodes to output the signal charges.

Description

평판 엑스선 검사 장치{APPARATUS FOR FLAT X-RAY INSPECTION}Flat plate X-ray inspection device {APPARATUS FOR FLAT X-RAY INSPECTION}

도 1은 종래의 엑스선 검사 장치를 나타낸 도면1 is a view showing a conventional X-ray inspection apparatus

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판 엑스선 검사장치를 설명하기 위한 평면도2 is a plan view for explaining a flat panel X-ray inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판 엑스선 검사장치를 설명하기 위한 단면도3 is a cross-sectional view for describing a flat panel X-ray inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 평판 엑스선 검사 장치를 설명하기 위한 평면도4 is a plan view for explaining a flat panel X-ray inspection apparatus according to a second embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 평판 엑스선 검사 장치를 설명하기 위한 단면도5 is a cross-sectional view for describing a flat panel X-ray inspection apparatus according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 픽셀 회로를 나타낸 등가회로도6 is an equivalent circuit diagram illustrating a pixel circuit according to a second embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

201, 401: 공통 전극201, 401: common electrode

202, 402: 픽셀202 and 402 pixels

204, 404: 증폭기204, 404: Amplifier

310, 510: 수집 전극310, 510: collection electrode

312, 512: 차단층312, 512: barrier layer

314, 514: 광도전체층314, 514: photoconductor layer

600: 픽셀 회로600: pixel circuit

본 발명은 엑스선 검사 장치에 관한 것으로서, 더 구체적으로는 평판 엑스선 검사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an X-ray inspection apparatus, and more particularly to a flat plate X-ray inspection apparatus.

엑스선 검사 장치는 피검사 대상물을 검사하기 위하여 의료 분야와 산업 분야에서 보편적으로 사용되고 있다. 예컨대, 인쇄회로기판의 회로 불량이나 층간 배선 접속 불량 및 부품 실장 불량 등은 외관으로 확인하기 어렵기 때문에 엑스선 검사 장치를 사용하여 검사한다.X-ray apparatuses are widely used in the medical field and the industrial field to inspect an object to be inspected. For example, a circuit defect of a printed circuit board, a failure of interlayer wiring connection, a component mounting defect, and the like are difficult to visually check, and thus inspection is performed using an X-ray inspection apparatus.

종래의 엑스선 검사 장치는 엑스선이 조사된 형광판을 이미지 센서를 이용하여 스캔함으로써 피검사 대상물을 검사한다.A conventional X-ray inspection apparatus inspects an object to be inspected by scanning a fluorescent plate irradiated with X-rays using an image sensor.

도 1은 종래의 엑스선 검사 장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a conventional X-ray inspection apparatus.

도 1을 참조하면, 종래의 엑스선 검사 장치는 엑스선 발생기(102), 형광판(106) 및 이미지센서(108)를 구비하고, 이미지 센서(108)의 영상을 수신하는 영상수신부(110)와 제어부(112) 및 출력 장치(114)를 더 구비할 수 있다.Referring to FIG. 1, a conventional X-ray inspection apparatus includes an X-ray generator 102, a fluorescent plate 106, and an image sensor 108, and includes an image receiving unit 110 and a control unit for receiving an image of the image sensor 108. 112 and the output device 114 may be further provided.

엑스선 발생기(102)에서 조사된 엑스선은 피검사물(104)을 투과하여 형광 판(106)에 도달한다. 피검사물(104)을 투과한 엑스선은 형광판(106)에서 가시광선으로 변환되고, 이미지 센서(108)는 형광판(106)을 촬상하여 전기적 신호로 변환하고, 변환된 전기적 신호는 영상수신부(110)에서 디지털 데이터로 변환된다.X-rays radiated from the X-ray generator 102 penetrate the test object 104 to reach the fluorescent plate 106. The X-rays transmitted through the inspected object 104 are converted into visible light by the fluorescent plate 106, and the image sensor 108 captures the fluorescent plate 106 and converts it into an electrical signal, and the converted electrical signal is an image receiving unit 110. Is converted into digital data.

이미지 센서는 소형 소자이므로 한번에 영상을 취득할 수 있는 면적이 작기 때문에 형광판을 스캔하여 이미지를 획득하는데 시간이 많이 걸리고, 정지 영상만을 얻을 수 있는 단점이 있다.Since the image sensor is a small device, a small area for acquiring an image at a time may take a long time to acquire an image by scanning a fluorescent plate, and only a still image may be obtained.

또한, 종래의 엑스선 검사 장치는 간접변환 방식을 취하기 때문에, 형광체를 통하여 엑스선이 변환된 가시광선은 노이즈로 인해 신호대잡음비가 나빠지는 단점이 있다.In addition, since the conventional X-ray inspection apparatus adopts an indirect conversion method, visible light having X-rays converted through phosphors has a disadvantage in that signal-to-noise ratio is degraded due to noise.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 단시간에 피검사 대상물의 영상을 취득하는 엑스선 검사 장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide an X-ray inspection apparatus for acquiring an image of an inspection target in a short time.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 품질이 우수한 영상을 얻을 수 있는 엑스선 검사 장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide an X-ray inspection apparatus capable of obtaining images having excellent quality.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 실시간으로 영상을 얻을 수 있는 엑스선 검사 장치를 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide an X-ray inspection apparatus capable of obtaining an image in real time.

상기 기술적 과제들을 달성하기 위하여 본 발명은 평판 엑스선 검사 장치를 제공한다. 이 검사 장치는 공통 전극과, 상기 공통 전극에 대향하는 복수개의 수집 전극과, 상기 공통 전극과 상기 수집 전극 사이에 개재되어 엑스선이 입사될 때 신 호 전하를 생성하는 광도전체층과, 상기 공통 전극과 상기 광도전체층 사이에 개재된 차단층과, 각 수집 전극에 연결되고 상기 신호 전하를 저장하는 저장 커패시터 및 상기 수집 전극에 상기 저장 커패시터와 병렬로 연결되어 상기 신호 전하를 출력하는 전송 트랜지스터를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a flat panel X-ray inspection apparatus. The inspection apparatus includes a common electrode, a plurality of collection electrodes facing the common electrode, a photoconductor layer interposed between the common electrode and the collection electrode to generate a signal charge when X-rays are incident, and the common electrode. And a blocking layer interposed between the photoconductor layer, a storage capacitor connected to each collection electrode to store the signal charge, and a transfer transistor connected to the collection electrode in parallel with the storage capacitor to output the signal charge. do.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 전송 트랜지스터는 증폭기에 직접 연결되어 상기 신호 전하를 상기 증폭기로 전송할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the transfer transistor may be directly connected to an amplifier to transfer the signal charge to the amplifier.

본 발명의 다른 실시예에서, 상기 전송 트랜지스터는 소스 팔로어 트랜지스터의 게이트 전극에 연결될 수 있다. 상기 소스 팔로어 트랜지스터는 입력 노드와 증폭기 사이에 연결되어 상기 신호 전하에 응답하여 상기 입력 노드의 입력 신호를 상기 증폭기에 전달할 수 있다.In another embodiment of the present invention, the transfer transistor may be connected to the gate electrode of the source follower transistor. The source follower transistor may be connected between an input node and an amplifier to transmit an input signal of the input node to the amplifier in response to the signal charge.

이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 본 발명에 대한 전반적인 이해를 제공하기 위한 것으로, 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이고, 본 발명은 여기서 소개되는 실시예에 한정됨을 의미하는 것은 아니다. 도면에서, 구성요소가 다른 구성 요소 상에 있다고 기재된 경우 이들 사이에 제3의 구성요소가 개재될 수도 있다. 또한, 구성요소와 다른 구성요소가 연결된다고 기재된 경우, 이들 구성요소 사이에 제3의 구성요소가 연결될 수도 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to provide a thorough understanding of the present invention, to provide a thorough and complete disclosure, and to fully convey the spirit of the present invention to those skilled in the art. Is not meant to be limited to the embodiments introduced herein. In the drawings, where components are described as being on other components, a third component may be interposed therebetween. In addition, when a component and another component are described as being connected, a third component may be connected between these components.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판 엑스선 검사장치를 설명하기 위한 평면도이다.2 is a plan view illustrating a flat panel X-ray inspection apparatus according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판 엑스선 검사장치를 설명하기 위한 단면도이다.3 is a cross-sectional view for describing a flat panel X-ray inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 평판 엑스선 검사장치(200)는 공통 전극(201)과 상기 공통 전극(201)에 대향하며 행 방향 및 열 방향으로 배열된 복수개의 픽셀(202)을 포함한다. 상기 픽셀들(202)에 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)이 접속되고, 상기 데이터 라인(DL)은 증폭기(204)에 연결된다.Referring to FIG. 2, the flat panel X-ray inspection apparatus 200 according to the first exemplary embodiment may include a plurality of pixels arranged in a row direction and a column direction opposite to the common electrode 201 and the common electrode 201. 202). A gate line GL and a data line DL are connected to the pixels 202, and the data line DL is connected to an amplifier 204.

상기 게이트 라인(GL)은 행 방향으로 배열된 픽셀(202)과 연결될 수 있고, 상기 데이터 라인(DL)은 열 방향으로 배열된 픽셀(202)에 연결될 수 있다.The gate line GL may be connected to a pixel 202 arranged in a row direction, and the data line DL may be connected to a pixel 202 arranged in a column direction.

도 3을 참조하면, 구체적으로 상기 픽셀(202)은 상기 공통 전극(201)에 대향하는 수집 전극(310)과, 상기 수집 전극(310)에 연결된 저장 커패시터(Cs), 상기 저장 커패시터(Cs)와 병렬로 상기 수집 전극(310)에 연결된 전송 트랜지스터(Tx)를 포함한다. 상기 전송 트랜지스터(Tx)의 게이트 전극은 상기 게이트 라인(GL)에 연결되고, 상기 전송 트랜지스터(Tx)는 상기 증폭기(204)에 연결될 수 있다.Referring to FIG. 3, in detail, the pixel 202 includes a collection electrode 310 facing the common electrode 201, a storage capacitor Cs connected to the collection electrode 310, and the storage capacitor Cs. And a transfer transistor Tx connected to the collection electrode 310 in parallel with the collection electrode 310. The gate electrode of the transfer transistor Tx may be connected to the gate line GL, and the transfer transistor Tx may be connected to the amplifier 204.

따라서, 상기 게이트 라인(GL)은 행 방향으로 배열된 픽셀(202)의 전송 트랜지스터들(Tx)의 게이트 전극에 연결될 수 있고, 상기 데이터 라인(DL)은 열 방향으로 배열된 픽셀(202)의 전송 트랜지스터들의 출력단에 연결될 수 있다.Accordingly, the gate line GL may be connected to the gate electrodes of the transfer transistors Tx of the pixel 202 arranged in the row direction, and the data line DL may be connected to the gate electrode of the pixel 202 arranged in the column direction. It may be connected to the output terminal of the transfer transistors.

본 발명에서, 상기 공통 전극(201)과 상기 수집 전극(310) 사이에는 광도전체층(314)이 개재된다. 상기 광도전체층(314)은 빛에 의하여 전하 밀도가 증가하는 물질로서, 입사광에 의해 전자-정공쌍이 생성되는 물질이다. 예컨대, 상기 광전도전체층(314)은 CdS, PbS, TiPb2, HgI2, PbI2, a-Se, a-Si, p-Si 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있다.In the present invention, a photoconductor layer 314 is interposed between the common electrode 201 and the collection electrode 310. The photoconductor layer 314 is a material whose charge density is increased by light, and is a material in which electron-hole pairs are generated by incident light. For example, the photoconductor layer 314 may be formed of one or more materials of CdS, PbS, TiPb 2 , HgI 2 , PbI 2 , a-Se, a-Si, and p-Si.

상기 수집 전극(310)의 패턴 밀도가 높을수록 해상도가 향상될 수 있고, 상기 수집 전극(310)의 크기 및 상기 저장 커패시터(Cs)의 용량이 클수록 감도가 증가할 수 있다. 따라서, 전송 트랜지스터(Tx) 및 상기 용량 커패시터(Cs)는 상기 수집 전극(310)에 중첩되도록 형성한다. 그 결과, 상기 수집 전극들(310) 사이에 추가 공간이 요구되지 않아, 수집 전극(310)의 크기 및 밀도를 원하는 수준으로 형성할 수 있다.As the pattern density of the collection electrode 310 is higher, the resolution may be improved, and as the size of the collection electrode 310 and the capacity of the storage capacitor Cs are larger, the sensitivity may be increased. Therefore, the transfer transistor Tx and the capacitor Cs are formed to overlap the collection electrode 310. As a result, no additional space is required between the collection electrodes 310, so that the size and density of the collection electrodes 310 can be formed at a desired level.

상기 공통 전극(201)과 상기 광도전체층(314) 사이에 차단층(312)이 더 형성될 수 있다. 상기 차단층(312)은 상기 공통 전극(201)과 상기 광도전체층(314) 사이에서 암전류가 발생되는 것을 막을 수 있는 물질로서, 예컨대 페럴린(Parylene) 유전체로 형성될 수 있다.A blocking layer 312 may be further formed between the common electrode 201 and the photoconductor layer 314. The blocking layer 312 is a material that can prevent dark current from being generated between the common electrode 201 and the photoconductor layer 314. For example, the blocking layer 312 may be formed of a parylene dielectric.

상기 공통 전극(201)에는 도시된 것과 같이 양의 전압이 인가되거나, 혹은 음의 전압이 인가될 수도 있다. 상기 공통 전극(201)에 양의 전압이 인가된 경우 엑스선에 의해 생성된 전자는 양의 전압이 인가된 상기 공통 전극(201) 부근으로 이동하고, 정공은 상기 수집 전극(310)으로 이동하여 상기 저장 커패시터(Cs)에 신호 전하로서 저장될 수 있다.As illustrated, a positive voltage may be applied to the common electrode 201, or a negative voltage may be applied to the common electrode 201. When a positive voltage is applied to the common electrode 201, electrons generated by X-rays move to the vicinity of the common electrode 201 to which a positive voltage is applied, and holes move to the collection electrode 310. It may be stored as a signal charge in the storage capacitor Cs.

피검사체를 통과한 엑스선은 상기 광도전체층(314)에 입사되어 전자-정공 쌍 을 생성하고, 생성된 정공은 신호 전하로서 각 픽셀(202)의 저장 커패시터(Cs)에 저장된다. 상기 공통 전극(201)에 음의 전압이 인가되는 경우, 상기 저장 커패시터(Cs)에는 신호 전하로서 전자가 저장될 수 있다.X-rays passing through the test object are incident on the photoconductor layer 314 to generate electron-hole pairs, and the generated holes are stored in the storage capacitor Cs of each pixel 202 as signal charges. When a negative voltage is applied to the common electrode 201, electrons may be stored as signal charges in the storage capacitor Cs.

상기 전송 트랜지스터(Tx)는 상기 게이트 라인(GL)을 통해 전달되는 전송 신호에 응답하여 턴-온되고, 상기 저장 커패시터(Cs)에 저장된 신호 전하는 상기 전송 트랜지스터(Tx)가 턴온될 때 상기 증폭기(204)로 전달된다. 모든 픽셀(202)의 증폭된 신호 전하는 외부로 출력되어 피검사체의 엑스선 투과 영상을 구성한다.The transfer transistor Tx is turned on in response to a transfer signal transmitted through the gate line GL, and the signal charge stored in the storage capacitor Cs is turned on when the transfer transistor Tx is turned on. 204). The amplified signal charges of all the pixels 202 are output to the outside to form an X-ray transmission image of the object under test.

본 발명의 제 1 실시예에서, 상기 광도전체층(314)에는 리셋 트랜지스터(Rx)가 연결될 수 있다. 상기 리셋 트랜지스터(Rx)는 상기 피검사체의 엑스선 투과 영상이 외부로 출력된 후 상기 광도전체층(314) 내의 전하를 제거하는 역할을 하며, 상기 리셋 트랜지스터(Rx)가 턴온될 때 상기 광도전체층(314) 및 상기 저장 커패시터(Cs)의 전위가 초기화될 수 있다.In the first embodiment of the present invention, a reset transistor Rx may be connected to the photoconductor layer 314. The reset transistor Rx serves to remove charges in the photoconductor layer 314 after the X-ray transmission image of the object under test is output to the outside, and when the reset transistor Rx is turned on, the photoconductor layer 314 and the potential of the storage capacitor Cs may be initialized.

도 4는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 평판 엑스선 검사 장치를 설명하기 위한 평면도이다.4 is a plan view illustrating a flat panel X-ray inspection apparatus according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 평판 엑스선 검사 장치를 설명하기 위한 단면도이다.5 is a cross-sectional view for describing a flat panel X-ray inspection apparatus according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 평판 엑스선 검사 장치는 상술한 제 1 실시예와 마찬가지로, 공통 전극(401)과 상기 공통 전극(401)과 대향하는 복수개의 픽셀들(402)을 포함한다. 상기 픽셀들은 상기 공통 전 극(401)에 대향하는 수집 전극(510)을 포함하고, 상기 공통 전극(401)과 상기 수집 전극(510)들 사이에는 광도전체층(514)이 개재된다.4 and 5, the flat panel X-ray inspection apparatus according to the second exemplary embodiment of the present invention may have a plurality of pixels facing the common electrode 401 and the common electrode 401, similarly to the first exemplary embodiment described above. 402. The pixels include a collection electrode 510 facing the common electrode 401, and a photoconductor layer 514 is interposed between the common electrode 401 and the collection electrodes 510.

상기 공통 전극(401)과 상기 광도전체층(514) 사이에는 차단층(512)이 개재될 수 있다. 상기 차단층(512)은 상기 공통 전극(401)과 상기 광도전체층(514) 사이에서 암전류가 발생하는 것을 막을 수 있는 물질로서, 예컨대 페럴린(Parylene) 유전체로 형성될 수 있다.A blocking layer 512 may be interposed between the common electrode 401 and the photoconductor layer 514. The blocking layer 512 is a material capable of preventing dark current from being generated between the common electrode 401 and the photoconductor layer 514. For example, the blocking layer 512 may be formed of a parylene dielectric.

상기 공통 전극(401)에는 도시된 것과 같이 양의 전압이 인가되거나, 혹은 음의 전압이 인가될 수도 있다. 상기 공통 전극(401)에 양의 전압이 인가된 경우 상기 광도전체층(514)에 엑스선이 입사되어 전자-정공쌍이 생성되면, 상기 공통 전극(401)에 인가된 전압에 의해 전자는 상기 공통 전극(401) 부근으로 이동하고 정공은 상기 수집 전극(510)으로 이동할 수 있다. 상기 공통 전극(401)에 음의 전압이 인가된 경우 상기 수집 전극(510)으로 전자가 이동할 수 있다.As illustrated, a positive voltage may be applied to the common electrode 401, or a negative voltage may be applied to the common electrode 401. When a positive voltage is applied to the common electrode 401, when an X-ray is incident on the photoconductor layer 514 to generate an electron-hole pair, electrons are generated by the voltage applied to the common electrode 401. A hole may move to 401 and holes may move to the collection electrode 510. When a negative voltage is applied to the common electrode 401, electrons may move to the collection electrode 510.

본 발명의 제 2 실시예에서, 상기 픽셀(402)에는 데이터 라인(DL)과 선택 라인(SL)이 접속될 수 있다. 행 방향으로 배열된 픽셀들(402)은 상기 데이터 라인(DL)에 병렬로 연결되고, 열 방향으로 배열된 픽셀들(402)은 상기 선택 라인(SL)에 병렬로 연결된다.In the second embodiment of the present invention, a data line DL and a selection line SL may be connected to the pixel 402. Pixels 402 arranged in a row direction are connected in parallel to the data line DL, and pixels 402 arranged in a column direction are connected in parallel to the selection line SL.

상기 증폭기(404)는 상기 데이터 라인(DL)을 통해 픽셀 회로(600)에 접속될 수 있다. 상기 픽셀 회로(600)는 상기 수집 전극(510)에 연결되고, 상기 픽셀 회로(600)는 증폭기(404)에 연결되어 엑스선 검사 신호가 증폭되어 출력될 수 있다.The amplifier 404 may be connected to the pixel circuit 600 through the data line DL. The pixel circuit 600 may be connected to the collection electrode 510, and the pixel circuit 600 may be connected to an amplifier 404 so that an X-ray inspection signal may be amplified and output.

상기 픽셀 회로(600)는 상기 수집 전극(510)과 중첩되어 형성되는 것이 바람 직하다. 본 발명의 엑스선 검사 장치에서 상기 수집 전극(510)의 패턴 밀도가 높을수록 엑스선 검사의 해상도를 높일 수 있고, 상기 수집 전극(510)의 면적이 넓을수록 감도가 향상될 수 있다. 원하는 영상을 얻기 위하여 상기 수집 전극(510)의 크기 및 밀도를 조절한다. 상기 픽셀 회로(600)가 상기 수집 전극(510)과 중첩되어 형성되면, 상기 수집 전극들(510) 사이의 공간이 최소화되어 상기 수집 전극(510)의 밀도 및 크기를 조절하는 것이 쉬워질 수 있다.The pixel circuit 600 is preferably formed to overlap the collection electrode 510. In the X-ray inspection apparatus of the present invention, as the pattern density of the collection electrode 510 is higher, the resolution of the X-ray inspection may be increased, and the sensitivity may be improved as the area of the collection electrode 510 is wider. The size and density of the collection electrode 510 are adjusted to obtain a desired image. When the pixel circuit 600 is formed to overlap the collection electrode 510, the space between the collection electrodes 510 may be minimized so that it may be easier to control the density and size of the collection electrode 510. .

도시하지는 않았지만, 본 발명에 따른 엑스선 검사 장치는 상기 데이터 라인(DL) 및 상기 선택 라인(SL) 이외에 상기 픽셀 회로(600)를 구성하는 트랜지스터를 동작하기 위한 신호 라인들이 더 포함될 수도 있다.Although not shown, the X-ray inspection apparatus according to the present invention may further include signal lines for operating a transistor constituting the pixel circuit 600 in addition to the data line DL and the selection line SL.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 픽셀 회로를 나타낸 등가회로도이다.6 is an equivalent circuit diagram illustrating a pixel circuit according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 픽셀 회로(600)는 상기 수집 전극(510)에 접속된 전송 트랜지스터(Tx)와 상기 전송 트랜지스터(Tx)와 병렬로 상기 수집 전극(510)에 접속된 저장 커패시터(Cs)를 포함한다. 상기 저장 커패시터(Cs)는 상기 수집 전극(510)으로 포획된 신호 전하들을 충분히 저장하기 위한 저장용량을 갖도록 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6, the pixel circuit 600 according to the second exemplary embodiment of the present invention includes the transfer transistor T510 connected to the collection electrode 510 and the collection electrode 510 in parallel with the transfer transistor Tx. Storage capacitor (Cs) connected thereto. The storage capacitor Cs may be formed to have a storage capacity for sufficiently storing the signal charges captured by the collection electrode 510.

상기 전송 트랜지스터(Tx)는 소스 팔로어 트랜지스터(Sx)의 게이트 전극에 연결된다. 상기 소스 팔로어 트랜지스터(Sx)는 입력 노드(Vss)와 상기 증폭기(404) 사이에 직렬로 연결될 수 있다. 상기 소스 팔로어 트랜지스터(Sx)와 상기 증폭기(404) 사이에는 선택 트랜지스터(Ax)가 더 연결될 수 있다.The transfer transistor Tx is connected to the gate electrode of the source follower transistor Sx. The source follower transistor Sx may be connected in series between an input node Vss and the amplifier 404. A select transistor Ax may be further connected between the source follower transistor Sx and the amplifier 404.

상기 선택 트랜지스터(Ax)는 상기 소스 팔로어 트랜지스터(Sx)와 상기 증폭 기(404) 사이에 연결될 수도 있고, 상기 소스 팔로어 트랜지스터(Sx)와 상기 입력 노드(Vss) 사이에 연결될 수도 있다.The selection transistor Ax may be connected between the source follower transistor Sx and the amplifier 404 or may be connected between the source follower transistor Sx and the input node Vss.

상기 수집 전극(510)에 리셋 트랜지스터(Rx)가 더 연결될 수도 있다. 상기 수집 전극(510) 및 상기 저장 커패시터(Cs)는 상기 리셋 트랜지스터(Rx)에 공통으로 연결될 수 있다.The reset transistor Rx may be further connected to the collection electrode 510. The collection electrode 510 and the storage capacitor Cs may be commonly connected to the reset transistor Rx.

상기 선택 트랜지스터(Ax)의 게이트 전극은 상기 선택 라인(SL)에 연결된다. 상기 리셋 트랜지스터(Rx)의 게이트 전극은 리셋 라인(RL)에 접속되고, 상기 전송 트랜지스터(Tx)의 게이트 전극은 전송 라인(TL)에 접속될 수 있다.The gate electrode of the selection transistor Ax is connected to the selection line SL. The gate electrode of the reset transistor Rx may be connected to the reset line RL, and the gate electrode of the transfer transistor Tx may be connected to the transfer line TL.

피검사체를 검사할 때, 상기 광도전체층(514)에 조사된 엑스선에 의해 전자-정공 쌍이 생성된다. 상기 공통 전극(401)에 양의 전압이 인가된 경우, 상기 생성된 정공은 상기 공통 전극(401)에 인가된 양의 전압에 의해 상기 수집 전극(510)으로 이동하여 신호 전하로서 상기 저장 커패시터(Cs)에 저장된다.When inspecting the inspected object, electron-hole pairs are generated by X-rays irradiated to the photoconductor layer 514. When a positive voltage is applied to the common electrode 401, the generated holes move to the collection electrode 510 by a positive voltage applied to the common electrode 401, and the storage capacitor ( Cs).

상기 수집 전극(510)은 상기 공통 전극(401)에 대향하여 행 방향 열방향으로 배열된다. 상기 피검사체를 투과한 엑스선은 상기 광도전체층(514) 내에서 전자-정공 쌍을 생성하고, 생성된 정공은 상기 공통 전극(401)과 상기 수집 전극(510) 사이의 전계에 의해 상기 수집 전극(510)으로 이동한다. 따라서, 상기 광도전체층(514)에 입사된 엑스선의 세기에 따라 생성된 정공의 수가 달라져 각각의 수집 전극(510)에 전달되는 정공의 수가 달라진다.The collection electrode 510 is arranged in a row direction column opposite to the common electrode 401. X-rays transmitted through the test object generate electron-hole pairs in the photoconductor layer 514, and the generated holes are collected by the electric field between the common electrode 401 and the collection electrode 510. Go to 510. Therefore, the number of holes generated is changed according to the intensity of X-rays incident on the photoconductor layer 514, and thus the number of holes transferred to each collection electrode 510 is changed.

상기 수집 전극(510)에 전달된 정공은 상기 저장 커패시터(Cs)에 저장되어 상기 저장커패시터(Cs)의 전위가 변경된다. 상기 저장 커패시터(Cs)에 저장된 정공 은 상기 피검사체를 투과한 엑스선에 의해 발생된 신호 전하이다.Holes transmitted to the collection electrode 510 are stored in the storage capacitor Cs, and the potential of the storage capacitor Cs is changed. Holes stored in the storage capacitor Cs are signal charges generated by X-rays passing through the test object.

상기 전송 트랜지스터(Tx)는 상기 전송 라인(TL)을 통해 전달되는 전송 신호에 동기되어 온/오프된다. 상기 전송 트랜지스터(Tx)가 온되면 상기 저장 커패시터(Cs)에 저장된 신호 전하는 상기 소오스 팔로어 트랜지스터(Sx)의 게이트 전극의 전위를 변경한다.The transmission transistor Tx is turned on / off in synchronization with a transmission signal transmitted through the transmission line TL. When the transfer transistor Tx is turned on, the signal charge stored in the storage capacitor Cs changes the potential of the gate electrode of the source follower transistor Sx.

상기 소오스 팔로어 트랜지스터(Sx)는 입력 노드(Vcc)에 연결되어 게이트 신호에 응답하여 데이터 신호를 출력한다. 상기 신호 전하에 의해 상기 소오스 팔로어 트랜지스터(Sx)의 게이트 전극의 전위가 변경되면 상기 소오스 팔로어 트랜지스터(Sx)의 데이터 신호도 이에 따라 변경된다.The source follower transistor Sx is connected to an input node Vcc and outputs a data signal in response to a gate signal. When the potential of the gate electrode of the source follower transistor Sx is changed by the signal charge, the data signal of the source follower transistor Sx is also changed accordingly.

상기 변경된 데이터 신호는 상기 선택 라인(SL)을 통해 상기 선택 트랜지스터(Ax)에 전달되는 선택신호에 응답하여 상기 증폭기(404)로 전달될 수 있다. 상기 증폭기(404)는 상기 신호 전하가 상기 소오스 팔로어 트랜지스터(Sx)의 게이트 전극에 전달되기 전의 데이터 신호와 상기 신호 전하에 의해 변경된 데이터 신호를 증폭하여 출력할 수 있다.The changed data signal may be transferred to the amplifier 404 in response to a selection signal transmitted to the selection transistor Ax through the selection line SL. The amplifier 404 may amplify and output a data signal before the signal charge is transferred to the gate electrode of the source follower transistor Sx and a data signal changed by the signal charge.

본 발명의 실시예에서, 상기 선택 라인(SL)을 통해 전달된 선택 신호에 응답하여 상기 선택 트랜지스터(Ax)가 턴온되고, 상기 열방향의 픽셀들(402)에 순차적으로 전송 신호가 인가되어 상기 증폭기(404)로 데이터 신호가 전달될 수 있다. 즉, 상기 선택 신호에 의해 열 방향의 픽셀들이 데이터 출력을 대기하고, 상기 전송 신호에 의해 출력 대기 중인 열 방향의 픽셀들이 순차적으로 데이터를 출력할 수 있다. 이 과정을 모든 열에서 반복하여 영상처리부로 전송함으로써 피검사체의 엑스선 검사 영상을 얻을 수 있다.In an exemplary embodiment of the present invention, the selection transistor Ax is turned on in response to the selection signal transmitted through the selection line SL, and a transmission signal is sequentially applied to the pixels 402 in the column direction. The data signal may be passed to the amplifier 404. That is, the pixels in the column direction wait for data output by the selection signal, and the pixels in the column direction waiting for output by the transmission signal may sequentially output data. This process may be repeated in all columns and transmitted to the image processor, thereby obtaining an X-ray examination image of the subject.

상기 신호 전하가 상기 소오스 팔로어 트랜지스터(Sx)의 게이트 전극에 전달되면, 상기 전송 트랜지스터(Tx)는 오프되어 상기 소오스 팔로어 트랜지스터(Sx)의 게이트 전극을 플로팅시킬 수 있다.When the signal charge is transferred to the gate electrode of the source follower transistor Sx, the transfer transistor Tx may be turned off to float the gate electrode of the source follower transistor Sx.

모든 픽셀들의 신호 전하를 데이터 신호로 출력한 후 상기 리셋 트랜지스터(Rx)를 턴온시켜 상기 광도전체층(514) 및 상기 저장 커패시터(Cs) 내의 전하를 제거하여 초기화할 수 있다. 이 때, 상기 전송 트랜지스터(Tx)도 턴온되어 상기 소오스 팔로어 트랜지스터(Sx)의 게이트 전극의 전위도 초기화될 수 있다.After outputting the signal charges of all the pixels as a data signal, the reset transistor Rx may be turned on to remove and initialize the charges in the photoconductor layer 514 and the storage capacitor Cs. At this time, the transfer transistor Tx may also be turned on to initialize the potential of the gate electrode of the source follower transistor Sx.

예컨대, 상기 신호 전하가 정공인 경우, 상기 소오스 팔로어 트랜지스터(Sx)의 게이트 전극의 전위는 접지 전압으로 초기화될 수 있고, 상기 신호 전하가 전자인 경우, 상기 소오스 팔로어 트랜지스터(Sx)의 게이트 전극의 전위는 입력 전압(Vcc)로 초기화될 수 있다.For example, when the signal charge is a hole, the potential of the gate electrode of the source follower transistor Sx may be initialized to a ground voltage. When the signal charge is the electron, the potential of the gate electrode of the source follower transistor Sx may be initialized. The potential may be initialized to the input voltage Vcc.

본 발명의 실시예들에 따른 엑스선 검사 장치는 신호 전하에 의한 데이터 출력 및 리셋 과정을 반복하여 실시간으로 움직이는 엑스선 검사 영상을 제공할 수도 있다.The X-ray inspection apparatus according to embodiments of the present invention may provide an X-ray inspection image moving in real time by repeating a data output and reset process by a signal charge.

본 발명의 실시예들에 있어서, 상기 리셋 트랜지스터가 상기 광도전체층(514)에 접속되지 않을 수도 있다. 이 경우, 상기 광도전체층(514) 내의 전하는 시간의 경과에 따라 재결합되거나 외부로 누설되어 제거될 수 있다.In example embodiments, the reset transistor may not be connected to the photoconductor layer 514. In this case, the charge in the photoconductor layer 514 may be removed by recombination or leakage to the outside over time.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 광도전효과를 이용하여 엑스선를 전기 신호로 직접 변환함으로써 짧은 시간에 크기가 큰 피검사 대상물을 검사할 수 있고, 실시간으로 피검사 대상물의 내부 구조를 검사할 수 있다.As described above, according to the present invention, by directly converting the X-ray into an electrical signal using the photoconductive effect, a large inspection object can be inspected in a short time, and the internal structure of the inspection object can be inspected in real time. .

또한, 피검사 대상물을 투과한 엑스선를 직접 전기 신호로 변환하기 때문에, 우수한 영상을 얻을 수 있고 검사의 신뢰도가 높은 이점이 있다.In addition, since the X-rays transmitted through the inspection object are directly converted into an electrical signal, an excellent image can be obtained and the reliability of the inspection is high.

Claims (8)

공통 전극;Common electrode; 상기 공통 전극에 대향하는 복수개의 수집 전극;A plurality of collection electrodes facing the common electrode; 상기 공통 전극과 상기 수집 전극 사이에 개재되어 엑스선이 입사될 때 신호 전하를 생성하는 광도전체층;A photoconductor layer interposed between the common electrode and the collection electrode to generate signal charges when X-rays are incident; 상기 공통 전극과 상기 광도전체층 사이에 개재된 차단층;A blocking layer interposed between the common electrode and the photoconductor layer; 각 수집 전극에 연결되고 상기 신호 전하를 저장하는 저장 커패시터; 및A storage capacitor connected to each collection electrode and storing the signal charge; And 상기 수집 전극에 상기 저장 커패시터와 병렬로 연결되어 상기 신호 전하를 출력하는 전송 트랜지스터를 포함하는 평판 엑스선 검사 장치.And a transfer transistor connected to the collection electrode in parallel with the storage capacitor to output the signal charge. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 전송 트랜지스터에 연결되어 출력된 신호 전하를 증폭하는 증폭기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 엑스선 검사 장치.And a amplifier connected to the transfer transistor to amplify the output signal charge. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 광도전체층에 연결된 리셋 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 엑스선 검사 장치.And a reset transistor coupled to the photoconductor layer. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 증폭기; 및amplifier; And 상기 전송 트랜지스터에 연결된 게이트 전극을 포함하며, 입력 노드와 상기 증폭기 사이에 접속되는 소스 팔로어 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 엑스선 검사 장치.And a source follower transistor comprising a gate electrode connected to the transfer transistor, the source follower transistor being connected between an input node and the amplifier. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 전송 트랜지스터와 병렬로 상기 저장 커패시터에 연결된 리셋 트랜지스터; 및A reset transistor coupled to the storage capacitor in parallel with the transfer transistor; And 상기 입력 노드와 상기 증폭기 사이에 연결된 선택 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 엑스선 검사 장치.And a selection transistor coupled between the input node and the amplifier. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 수집 전극은 행 방향 및 열 방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 평판 엑스선 검사 장치.And the collecting electrodes are arranged in a row direction and a column direction. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 차단층은 페럴린 코팅된 유전층인 것을 특징으로 하는 평판 엑스선 검사 장치.And said barrier layer is a perlin-coated dielectric layer. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 공통 전극에 양의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 평판 엑스선 검사 장치.And a positive voltage is applied to the common electrode.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5483071A (en) * 1993-06-30 1996-01-09 Shimadzu Corp. Two-dimensional radiation detector
WO2006138533A1 (en) 2005-06-14 2006-12-28 Micron Technology, Inc. Pixel individual ant-eclipse circuit and its operation manner

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6111685A (en) 1984-06-27 1986-01-20 Fujitsu Ltd Radiation image reading device
US5483071A (en) * 1993-06-30 1996-01-09 Shimadzu Corp. Two-dimensional radiation detector
WO2006138533A1 (en) 2005-06-14 2006-12-28 Micron Technology, Inc. Pixel individual ant-eclipse circuit and its operation manner

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