KR100872805B1 - Method for wax-mounting of wafer - Google Patents

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Abstract

The wax mounting method is provided to improve the planarization of the wafer by coating the thick wax on the central part than the peripheral region of the wafer or the block for grinding. The wax mounting method comprises as follows. The wax is supplied in the upper part of the block for grinding(S210). The block for grinding is rotated and the wax is sprayed on the block for grinding(S220). The wax has the viscosity of 30~45cP in the temperature of 25‹C. The wax is more thickly coated on the central part by the rotation of the block more than the peripheral part of the block for grinding. The block for grinding and the wafer are attached on the block for grinding with the coated wax.

Description

왁스 마운팅 방법{Method for wax-mounting of wafer}Wax mounting method {Method for wax-mounting of wafer}

본 발명은 웨이퍼의 연마 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 표면의 평탄도를 향상시킬 수 있는 웨이퍼의 연마 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for polishing a wafer, and more particularly, to a method for polishing a wafer that can improve the flatness of the wafer surface.

반도체 제조 공정에서 웨이퍼의 형상이나 두께, 평탄도 등과 같은 기하학적 모양은 소자의 집적도가 증가함에 따라 생산성에 중대한 영향을 미치므로, 더욱 중요하게 되었다. 웨이퍼는 잉곳(ingot)을 슬라이싱하고 래핑(lapping)한 다음, 이를 연마(polishing)하고 세정하여 제조하게 된다. 웨이퍼의 연마 공정은 웨이퍼의 크기가 커짐에 따라 그 중요성이 증가하게 되는데, 특히 웨이퍼의 대형화에 따른 웨이퍼의 평탄도가 문제된다.In the semiconductor manufacturing process, geometric shapes such as wafer shape, thickness, flatness, etc. have become more important as the integration of devices has a significant effect on productivity. Wafers are manufactured by slicing and lapping ingots, then polishing and cleaning them. The importance of the wafer polishing process increases as the size of the wafer increases. In particular, the flatness of the wafer due to the increase in size of the wafer is a problem.

웨이퍼를 연마할 때에는 왁스를 이용하게 되는데 이러한 왁스를 이용한 웨이퍼를 연마하는 공정은 크게 연마용 블록에 가공할 웨이퍼를 왁스를 이용해 부착시키는 공정(이하 왁스 마운팅 공정)과 연마용 블록 상에 부착된 웨이퍼를 연마하는 공정(이하 연마 공정)으로 구분된다. 왁스 마운팅 공정은 연마용 블록에 왁스를 도포한 후 연마용 블록에 도포된 왁스를 통해 웨이퍼를 부착하는 방법과 웨이퍼에 왁스를 도포한 후 웨이퍼에 도포된 왁스를 통해 연마용 블록을 부착하는 방법이 있 다. 연마 공정은 왁스 마운팅 공정을 통해 연마용 블록에 부착된 웨이퍼 상에 연마제(slurry)를 공급하고 연마 패드를 이용하여 경면 연마(mirror polishing)하는 공정이다.Wafers are used to polish wafers. The process of polishing a wafer using wax is a process of attaching a wafer to be processed to a polishing block with wax (hereinafter referred to as a wax mounting process) and a wafer attached to the polishing block. It is divided into the process of grinding | polishing (henceforth polishing process). Wax mounting process is a method of applying a wax to the polishing block and then attaching the wafer through the wax applied to the polishing block and a method of attaching the polishing block to the wafer after applying wax to the wafer. have. The polishing process is a process of supplying a slurry on a wafer attached to a polishing block through a wax mounting process and mirror polishing using a polishing pad.

왁스 마운팅 공정과 연마 공정 모두가 웨이퍼의 특성에 영향을 미치지만, 종래에는 주로 연마 압력, 연마 속도, 연마제 온도, 연마제 공급 유량, 연마 패드의 형상 및 물성, 연마기 정반의 형상, 연마시 웨이퍼 상의 압력 분포 등과 같은 연마 공정에서의 관리 인자들을 통해 웨이퍼의 특성을 제어하였다. 그러나 웨이퍼 평판도 향상을 위한 왁스 마운팅 공정과 그에 맞는 관리인자가 도출되지 않고 있다.Both the wax mounting process and the polishing process affect the characteristics of the wafer, but conventionally, the polishing pressure, polishing speed, abrasive temperature, abrasive supply flow rate, polishing pad shape and physical properties, polishing platen shape, pressure on the wafer during polishing The characteristics of the wafers were controlled through control factors in the polishing process such as distribution. However, no wax-mounting process and management factors are needed to improve wafer flatness.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는, 웨이퍼의 평탄도를 향상시킬 수 있는 왁스 마운팅 방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a wax mounting method capable of improving flatness of a wafer.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 왁스 마운팅 방법은 연마용 블록 상부에 왁스를 공급하는 단계; 상기 연마용 블록을 회전시켜 상기 왁스를 상기 연마용 블록 전체에 도포시키는 단계; 및 상기 연마용 블록 상에 도포된 왁스를 통해 상기 연마용 블록과 웨이퍼를 부착시키는 단계;를 포함하고, 상기 왁스가 상기 연마용 블록 상의 주변부보다 중앙부에 더 두껍게 도포되도록 한다.In order to solve the above technical problem, the wax mounting method according to the present invention comprises the steps of supplying a wax on the polishing block; Rotating the polishing block to apply the wax to the entire polishing block; And attaching the polishing block and the wafer through the wax applied on the polishing block, wherein the wax is applied to the center portion thicker than the periphery on the polishing block.

상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 다른 왁스 마운팅 방법은 웨이퍼의 일측면 상에 왁스를 공급하는 단계; 상기 웨이퍼를 회전시켜 상기 왁스를 상기 웨이퍼 일측면 전체에 도포시키는 단계; 및 상기 웨이퍼 일측면 상에 도포된 왁스를 통해 상기 웨이퍼와 연마용 블록을 부착시키는 단계;를 포함하고, 상기 왁스가 상기 웨이퍼의 일측면 상의 주변부보다 중앙부에 더 두껍게 도포되도록 한다.In order to solve the above technical problem, another wax mounting method according to the present invention comprises the steps of supplying wax on one side of the wafer; Rotating the wafer to apply the wax to one side of the wafer; And attaching the wafer and the polishing block through the wax applied on one side of the wafer, wherein the wax is applied to the center portion thicker than the peripheral portion on the one side of the wafer.

본 발명에 따른 왁스 마운팅 방법에 의하면, 연마용 블록 또는 웨이퍼의 상의 주변부보다 중앙부에 왁스가 두껍게 도포되도록 함으로써 웨이퍼의 평탄도를 향상시킬 수 있다.According to the wax mounting method according to the present invention, the flatness of the wafer can be improved by applying a thicker wax to the center portion than the peripheral portion of the polishing block or wafer.

이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 왁스 마운팅 방법의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the wax mounting method according to the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you.

도 1은 본 발명에 따른 왁스 마운팅 방법에 이용되는 왁스 도포 장치에 대한 바람직한 일 실시예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a preferred embodiment of the wax coating apparatus used in the wax mounting method according to the present invention.

도 1을 참조하면, 왁스 도포 장치(100)는 왁스 공급라인(110), 세정액 공급라인(120), 연마용 블록(140) 및 연마용 블록 지지부(150)를 구비한다.Referring to FIG. 1, the wax coating device 100 includes a wax supply line 110, a cleaning solution supply line 120, a polishing block 140, and a polishing block support 150.

연마용 블록(140)은 원판의 형상으로 왁스 도포 장치(100) 내부에 위치하며, 후술할 연마용 블록 지지부(150)의 위에 분리 가능하게 배치된다. 그리고 연마용 블록 지지부(150)의 회전에 의해 연마용 블록(140)도 회전되어 연마용 블록(140) 상으로 공급되는 왁스가 연마용 블록(140) 전면에 도포되게 한다.The polishing block 140 is positioned inside the wax coating apparatus 100 in the shape of a disc, and is detachably disposed on the polishing block support 150 to be described later. In addition, the polishing block 140 is also rotated by the rotation of the polishing block supporter 150 so that the wax supplied onto the polishing block 140 is applied to the entire surface of the polishing block 140.

연마용 블록 지지부(150)는 연마용 블록(140) 아래에 배치되어 연마용 블록(140)을 회전시킬 수 있도록 한다. 이를 위해 연마용 블록 지지부(150)는 모터, 기어 조립체 등의 회전 구동 수단을 구비한다. 그리고, 연마용 블록(140)을 연마용 블록 지지부(150)에 진공으로 고정시켜, 연마용 블록(140)에 왁스를 도포할 때에는 연마용 블록 지지부(150) 회전에 따라 연마용 블록(140)을 같이 회전시킨다. 그리고 왁스가 도포된 후에는 연마용 블록(140)을 연마용 블록 지지부(150)와 분리시킨 다.The polishing block support 150 is disposed below the polishing block 140 to rotate the polishing block 140. To this end, the polishing block support unit 150 includes a rotation driving means such as a motor, a gear assembly, and the like. In addition, when the polishing block 140 is fixed to the polishing block support unit 150 in a vacuum and wax is applied to the polishing block 140, the polishing block 140 is rotated in accordance with the rotation of the polishing block support unit 150. Rotate together. After the wax is applied, the polishing block 140 is separated from the polishing block support 150.

왁스 공급라인(110)은 연마용 블록(140)의 상부에 위치하여 왁스를 연마용 블록(140) 상에 공급한다. 그리고 세정액 공급라인(120) 또한 연마용 블록(140)의 상방에 위치하여, 세정액을 연마용 블록(140) 상에 공급한다.The wax supply line 110 is positioned above the polishing block 140 to supply wax to the polishing block 140. The cleaning solution supply line 120 is also positioned above the polishing block 140 to supply the cleaning solution onto the polishing block 140.

이상에서 연마용 블록(140)에 왁스를 도포하는 장치에 대해 도시하고 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고 웨이퍼 상에 왁스를 도포하는 장치도 이와 유사하다. 다만 연마용 블록(140)이 위치할 곳에 웨이퍼가 위치하게 된다.Although the apparatus for applying wax to the polishing block 140 has been described and described above, the apparatus for applying wax on the wafer is not limited thereto, and the like. However, the wafer is positioned where the polishing block 140 is to be located.

도 2는 본 발명에 따른 왁스 마운팅 방법에 대한 바람직한 일 실시예의 수행과정을 나타내는 흐름도이다.Figure 2 is a flow chart showing the implementation of a preferred embodiment of the wax mounting method according to the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 우선, 연마용 블록(140)의 상부에 왁스 공급라인(110)을 통해 왁스를 공급한다(S210). 이때 연마용 블록(140)을 회전시키면서 왁스를 공급할 수 있다. 연마용 블록(140)에 왁스를 공급하기 전에 세정액 공급라인(120)을 통해 세정액을 공급하여 연마용 블록(140)의 상부를 세정할 수 있다. 세정액으로는 NH4OH, H2O2 및 H2O의 혼합용액인 SC1(standard cleaning 1) 용액을 이용할 수 있다.1 and 2, first, the wax is supplied to the upper portion of the polishing block 140 through the wax supply line 110 (S210). At this time, the wax may be supplied while rotating the polishing block 140. Before supplying wax to the polishing block 140, the cleaning liquid may be supplied through the cleaning solution supply line 120 to clean the upper portion of the polishing block 140. As the cleaning solution, SC1 (standard cleaning 1) solution, which is a mixed solution of NH 4 OH, H 2 O 2, and H 2 O, may be used.

다음으로, 연마용 블록(140)을 회전시켜 왁스를 연마용 블록(140) 전체에 도포시킨다(S220). 이때의 회전속도는 S210 단계의 회전속도보다 클 수 있다. 연마용 블록(140)의 중앙부에 공급된 왁스는 연마용 블록(140)이 회전됨으로써 연마용 블록(140)의 중앙부에서 주변부로 퍼지면서 연마용 블록(140) 전체에 도포된다. 도포 된 왁스의 두께 및 형상은 왁스 마운팅 공정 후에 이어지는 연마 공정에 영향을 미쳐 웨이퍼의 평탄도에 중요 요소가 된다. 도포된 왁스의 두께가 증가하게 되면, 연마 공정에서 웨이퍼 유동성이 증가하게 되어 웨이퍼 평탄도가 악화된다. 그리고 도포된 왁스의 형상이 평탄해지면, 연마 공정에서 웨이퍼의 주변부에 압력이 증가하고 연마제와의 접촉이 증가하여 웨이퍼의 평탄도가 악화된다. 따라서 웨이퍼의 평탄도가 향상되려면, 얇은 두께를 가지면서 연마용 블록(140)의 주변부보다 중앙부가 더 두껍게 되도록 왁스가 도포되어야 한다.Next, the polishing block 140 is rotated to apply wax to the entire polishing block 140 (S220). At this time, the rotation speed may be greater than the rotation speed of step S210. The wax supplied to the center portion of the polishing block 140 is applied to the entire polishing block 140 while the polishing block 140 is rotated to spread from the center portion of the polishing block 140 to the periphery. The thickness and shape of the wax applied affects the polishing process following the wax mounting process, which is an important factor in the flatness of the wafer. Increasing the thickness of the applied wax results in increased wafer fluidity in the polishing process, resulting in poor wafer flatness. When the shape of the applied wax becomes flat, the pressure increases in the peripheral portion of the wafer and the contact with the abrasive increases in the polishing process, thereby deteriorating the flatness of the wafer. Therefore, in order to improve the flatness of the wafer, wax must be applied so that the center portion is thicker than the peripheral portion of the polishing block 140 while having a thin thickness.

연마용 블록(140) 상에 도포된 왁스의 두께 및 형상을 측정하기 위하여, 왁스 마운팅 공정의 관리인자로 본 발명자들이 선정한 왁스 공급시간, 왁스 공급시 연마용 블록(140)의 회전속도, 왁스 도포시간, 왁스 도포시 연마용 블록(140)의 회전속도, 왁스 공급유량 및 공급된 왁스의 점도(viscosity) 등을 조절할 수 있다. 이와 같이 조절된 왁스 마운팅 공정의 관리인자의 공정조건을 표 1에 나타내었다.In order to measure the thickness and shape of the wax applied on the polishing block 140, the wax supply time selected by the inventors as a control factor of the wax mounting process, the rotational speed of the polishing block 140 during wax supply, wax application When the wax is applied, the rotational speed of the polishing block 140, the wax supply flow rate and the viscosity of the supplied wax may be adjusted. Table 1 shows the process conditions of the control factors of the wax mounting process thus adjusted.

왁스 마운팅 공정의 관리인자 Control Factors for Wax Mounting Process 공 정 조 건Process condition 낮은 수준Low level 보통 수준Normal level 높은 수준High level 왁스 공급시간(초) Wax Delivery Time (sec) 44 77 1414 왁스 공급시 연마용 블록의 회전속도(rpm) Rotational speed (rpm) of polishing block when wax is supplied 200, 250200, 250 350350 450450 왁스 도포시간(초) Wax coating time (seconds) 1010 2020 3030 왁스 도포시 연마용 블록의 회전속도(rpm) Rotational speed of polishing block (rpm) during wax application 600600 700700 800800 왁스 공급유량(mL/분) Wax feed flow rate (mL / min) 9797 106106 -- 공급되는 왁스의 점도(cP, 25℃) Viscosity of supplied wax (cP, 25 ° C) 26.926.9 38.038.0 47.147.1

표 1에 나타낸 관리인자에 따른 특성을 살펴보기 위하여 보통수준의 공정조건을 기준으로 하여 각 관리인자의 공정조건을 변화시켜 도포된 왁스의 두께 및 형상을 측정하였다. 예컨대, 관리인자 중 왁스 공급시간의 특성의 파악을 위해서는 왁스 공급시간 외의 조건은 모두 보통수준의 공정조건으로 하고 왁스 공급시간만을 4, 7, 14초로 변경하였다.In order to examine the characteristics according to the control factors shown in Table 1, the thickness and shape of the coated wax were measured by changing the process conditions of each control factor based on the normal process conditions. For example, in order to grasp the characteristics of the wax supply time among the management factors, all conditions other than the wax supply time were changed to normal process conditions, and only the wax supply time was changed to 4, 7, 14 seconds.

그 결과, 왁스 점도, 왁스 공급시간 및 왁스 공급시 연마용 블록(140)의 회전속도에 해당하는 관리인자에 의해 도포된 왁스의 두께 및 형상이 변화함을 알 수 있었다. 그 결과를 도 3a 내지 도 3c에 나타내었다.As a result, it was found that the thickness and shape of the wax applied by the management factor corresponding to the wax viscosity, the wax supply time, and the rotational speed of the polishing block 140 during the wax supply were changed. The results are shown in Figures 3a to 3c.

도 3a는 공급되는 왁스 점도에 따른 도포된 왁스의 두께 및 형상을 나타낸 도면이고, 도 3b는 왁스 공급시간에 따른 도포된 왁스의 두께 및 형상을 나타낸 도면이고, 도 3c는 왁스 공급시 연마용 블록의 회전속도에 따른 도포된 왁스의 두께 및 형상을 나타낸 도면이다.Figure 3a is a view showing the thickness and shape of the applied wax according to the wax viscosity supplied, Figure 3b is a view showing the thickness and shape of the applied wax according to the wax supply time, Figure 3c is a polishing block for wax supply The figure shows the thickness and shape of the applied wax according to the rotational speed of.

도 3a를 참조하면, x축은 연마용 블록(140)의 위치를 나타낸 것으로 연마용 블록(140)의 중앙부가 0이고 주변부가 100mm에 해당한다. 참조번호 300으로 표현된 그래프(-◆-)는 공급되는 왁스의 점도가 38.0(cP(mPa·s), 25℃)일 때, 연마용 블록(140)의 위치에 따른 도포된 왁스 두께의 변화를 나타낸 것이다. 참조번호 310으로 표현된 그래프(-■-)는 공급되는 왁스의 점도가 26.9(cP, 25℃)일 때, 연마용 블록(140)의 위치에 따른 도포된 왁스 두께의 변화를 나타낸 것이고, 참조번호 320으로 표현된 그래프(-▲-)는 공급되는 왁스의 점도가 47.1(cP, 25℃)일 때, 연마용 블록(140)의 위치에 따른 도포된 왁스 두께의 변화를 나타낸 것이다. Referring to FIG. 3A, the x-axis shows the position of the polishing block 140. The center portion of the polishing block 140 corresponds to 0 and the peripheral portion corresponds to 100 mm. The graph (-◆-) represented by reference numeral 300 shows the change of the applied wax thickness according to the position of the polishing block 140 when the viscosity of the supplied wax is 38.0 (cP (mPa · s), 25 ° C). It is shown. The graph (-■-) represented by reference numeral 310 shows the change of the applied wax thickness according to the position of the polishing block 140 when the viscosity of the supplied wax is 26.9 (cP, 25 ° C). The graph (-▲-) represented by the number 320 shows the change of the applied wax thickness according to the position of the polishing block 140 when the viscosity of the supplied wax is 47.1 (cP, 25 ° C).

도 3a에 도시된 바와 같이, 공급되는 왁스의 점도가 증가할수록(310→300→320) 도포되는 왁스의 평균 두께는 증가하고 공급되는 왁스의 점도가 감소할수록(320→300→310) 도포되는 왁스는 평탄해진다. 도포되는 왁스의 평탄 정도는 도포된 왁스의 평균 두께에 대한 가장 큰 차이, 즉 편차와의 비를 백분율로써 나타내었다. 그리고 각각의 경우에 연마 공정을 진행하여 웨이퍼의 평탄도를 측정하였다. 이는 SBIR(site backside ideal range) 분석을 이용하였다. SBIR 값이 작을수록 웨이퍼가 평탄한 것에 해당한다. 이러한 결과를 표 2에 나타내었다.As shown in FIG. 3A, as the viscosity of the supplied wax increases (310 → 300 → 320), the average thickness of the applied wax increases, and as the viscosity of the supplied wax decreases (320 → 300 → 310), the applied wax Becomes flat. The degree of flatness of the wax applied is expressed as a percentage of the largest difference to the average thickness of the wax applied, ie, the deviation. In each case, the polishing process was performed to measure the flatness of the wafer. It used site backside ideal range (SBIR) analysis. Smaller SBIR values correspond to flat wafers. These results are shown in Table 2.

공급되는 왁스의 점도(cP, 25℃)Viscosity of supplied wax (cP, 25 ° C) 도포된 왁스의 평균 두께(nm)Average thickness of the applied wax (nm) 도포된 왁스의 평균 두께에 대한 편차와의 비(%)% Of deviation from average thickness of applied wax 웨이퍼의 평탄도(SBIR)Wafer Flatness (SBIR) 38.038.0 1003810038 1.4231.423 0.423860.42386 26.926.9 79637963 0.3320.332 0.667500.66750 47.147.1 1122311223 1.9541.954 0.581430.58143

표 2에 나타낸 바와 같이, 상술한 바와 같이 도포된 왁스의 두께가 증가하거나(320) 도포된 왁스의 형상이 평탄해지면(310) 웨이퍼의 평탄도가 악화된다. 따라서 웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위해서는 공급되는 왁스의 점도는 25℃에서 30 내지 45 cP의 점도를 가지는 것을 이용하는 것이 바람직하다. 왁스의 점도가 25℃에서 30 cP보다 작게 되면, 도포된 왁스의 형상이 평탄하게 되어 웨이퍼의 평탄도가 악화되고, 왁스의 점도가 25℃에서 45 cP보다 크게 되면, 도포된 왁스의 두께가 두꺼워져서 웨이퍼의 평탄도가 악화된다.As shown in Table 2, as described above, if the thickness of the applied wax increases (320) or the shape of the applied wax becomes flat (310), the flatness of the wafer deteriorates. Therefore, in order to improve the flatness of the wafer, it is preferable to use a wax having a viscosity of 30 to 45 cP at 25 ° C. If the viscosity of the wax is less than 30 cP at 25 ° C., the shape of the applied wax becomes flat and the flatness of the wafer deteriorates. If the viscosity of the wax is greater than 45 cP at 25 ° C., the thickness of the applied wax is thick. It lowers the flatness of the wafer.

도 3b를 참조하면, 도 3a와 마찬가지로 x축은 연마용 블록(140)의 위치를 나타낸 것으로 연마용 블록(140)의 중앙부가 0이고 주변부가 100mm에 해당한다. 참조번호 330으로 표현된 그래프(-◆-)는 왁스 공급시간이 7초일 때, 연마용 블록(140)의 위치에 따른 도포된 왁스 두께의 변화를 나타낸 것이다. 참조번호 340으로 표현된 그래프(-■-)는 왁스 공급시간이 4초일 때, 연마용 블록(140)의 위치에 따른 도포된 왁스 두께의 변화를 나타낸 것이고, 참조번호 350으로 표현된 그래프(-▲-)는 왁스 공급시간이 14초일 때, 연마용 블록(140)의 위치에 따른 도포된 왁스 두께의 변화를 나타낸 것이다. Referring to FIG. 3B, similar to FIG. 3A, the x-axis shows the position of the polishing block 140. The center portion of the polishing block 140 corresponds to 0 and the peripheral portion corresponds to 100 mm. The graph (-◆-) represented by reference numeral 330 shows a change in the applied wax thickness according to the position of the polishing block 140 when the wax supply time is 7 seconds. The graph (-■-) represented by the reference numeral 340 shows the change of the applied wax thickness according to the position of the polishing block 140 when the wax supply time is 4 seconds, and the graph represented by the reference numeral 350 (- ▲-) shows the change of the applied wax thickness according to the position of the polishing block 140 when the wax supply time is 14 seconds.

도 3b에 도시된 바와 같이, 왁스의 공급시간에 따른 평균 두께의 변화는 크지 않으나, 왁스의 공급시간이 증가할수록(340→330→350) 도포되는 왁스는 평탄해진다. 이러한 결과를 표 3에 나타내었다.As shown in FIG. 3B, the change in the average thickness according to the supply time of the wax is not large, but as the supply time of the wax increases (340 → 330 → 350), the applied wax becomes flat. These results are shown in Table 3.

왁스의 공급시간(초)Wax Supply Time (sec) 도포된 왁스의 평균 두께(nm)Average thickness of the applied wax (nm) 도포된 왁스의 평균 두께에 대한 편차와의 비(%)% Of deviation from average thickness of applied wax 웨이퍼의 평탄도(SBIR)Wafer Flatness (SBIR) 77 1003810038 1.4231.423 0.440240.44024 44 99179917 4.7654.765 0.334500.33450 1414 1016010160 1.0021.002 0.615450.61545

표 3에 나타낸 바와 같이, 상술한 바와 같이 도포된 왁스의 형상이 평탄한 경우(350)에는 웨이퍼의 평탄도가 악화되고, 도포된 왁스의 형상이 연마용 블록(140)의 중앙부가 주변부보다 두껍게 볼록한 형상인 경우(340)에는 웨이퍼의 평탄도가 향상된다. 따라서 웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위해서는 왁스를 1 내지 6초의 범위에서 공급하는 것이 바람직하다.As shown in Table 3, when the shape of the wax applied is flat as described above (350), the flatness of the wafer is deteriorated, and the shape of the applied wax is thicker than the periphery of the center of the polishing block 140. In the case of the shape (340), the flatness of the wafer is improved. Therefore, in order to improve the flatness of the wafer, it is preferable to supply wax in the range of 1 to 6 seconds.

도 3c를 참조하면, 도 3a와 마찬가지로 x축은 연마용 블록(140)의 위치를 나타낸 것으로 연마용 블록(140)의 중앙부가 0이고 주변부가 100mm에 해당한다. 참조번호 360으로 표현된 그래프(-◆-)는 왁스 공급시 연마용 블록(140)의 회전속도가 350rpm일 때, 연마용 블록(140)의 위치에 따른 도포된 왁스 두께의 변화를 나타낸 것이고, 참조번호 370으로 표현된 그래프(-■-)는 왁스 공급시 연마용 블록(140)의 회전속도가 450rpm일 때, 연마용 블록(140)의 위치에 따른 도포된 왁스 두께의 변화를 나타낸 것이다. 그리고 참조번호 380으로 표현된 그래프(-▲-)는 왁스 공급시 연마용 블록(140)의 회전속도가 250rpm일 때, 연마용 블록(140)의 위치에 따른 도포된 왁스 두께의 변화를 나타낸 것이고, 참조번호 390으로 표현된 그래프(-●-)는 왁스 공급시 연마용 블록(140)의 회전속도가 200rpm일 때, 연마용 블록(140)의 위치에 따른 도포된 왁스 두께의 변화를 나타낸 것이다. Referring to FIG. 3C, similar to FIG. 3A, the x-axis shows the position of the polishing block 140. The center portion of the polishing block 140 corresponds to 0 and the peripheral portion corresponds to 100 mm. Graph (-◆-) represented by reference numeral 360 shows a change in the applied wax thickness according to the position of the polishing block 140 when the rotational speed of the polishing block 140 at the time of wax supply, 350rpm, The graph (-■-) represented by reference numeral 370 shows a change in the applied wax thickness according to the position of the polishing block 140 when the rotational speed of the polishing block 140 is 450 rpm when wax is supplied. And the graph (-▲-) represented by the reference number 380 shows the change in the applied wax thickness according to the position of the polishing block 140 when the rotational speed of the polishing block 140 at the time of wax supply 250rpm The graph (-●-) represented by reference numeral 390 shows the change of the applied wax thickness according to the position of the polishing block 140 when the rotational speed of the polishing block 140 is 200 rpm during wax supply. .

도 3c에 도시된 바와 같이, 왁스 공급시 연마용 블록(140)의 회전속도에 따른 평균 두께의 변화는 크지 않고, 왁스 공급시 연마용 블록(140)의 회전속도가 증가할수록 (360, 370) 도포되는 왁스는 평탄해진다. 이러한 결과를 표 4에 나타내었다.As shown in Figure 3c, the change in the average thickness according to the rotational speed of the polishing block 140 at the wax supply is not large, and as the rotational speed of the polishing block 140 at the wax supply increases (360, 370) The wax applied is flattened. These results are shown in Table 4.

왁스 공급시 연마용 블록의 회전속도(rpm)Rotational speed (rpm) of polishing block when wax is supplied 도포된 왁스의 평균 두께(nm)Average thickness of the applied wax (nm) 도포된 왁스의 평균 두께에 대한 편차와의 비(%)% Of deviation from average thickness of applied wax 웨이퍼의 평탄도(SBIR)Wafer Flatness (SBIR) 350350 1003810038 1.4231.423 0.434580.43458 450450 1003110031 1.2411.241 -- 250250 1006910069 3.3673.367 0.441670.44167 200200 1000110001 3.4973.497 0.454580.45458

표 4에 나타낸 바와 같이, 왁스 공급시 연마용 블록(140)의 회전속도가 감소할 수록 도포된 왁스의 형상이 연마용 블록(140)의 중앙부가 주변부보다 두껍게 볼록한 형상(380, 390)으로 되었으나, 그 차이가 크지 않아 웨이퍼의 평탄도에는 큰 영향을 미치지 않는다.As shown in Table 4, as the rotational speed of the polishing block 140 decreases during wax supply, the applied wax has a shape in which the center portion of the polishing block 140 is convex thicker than the periphery, 380 and 390. However, the difference is not so great that the wafer flatness is not significantly affected.

도 3a 내지 도 3c 및 표 2 내지 표 4를 살펴볼 때, 결국 웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위해서는 얇은 두께를 가지면서 연마용 블록(140)의 주변부보다 중앙부가 더 두껍게 되도록 왁스가 도포되어야 한다. 그리고 이를 위해서, 왁스의 점도는 25℃에서 30 내지 45 cP의 점도를 가지는 왁스를 1 내지 6초의 범위에서 공급하는 것이 바람직하다.Referring to FIGS. 3A to 3C and Tables 2 to 4, waxes should be applied so that the center portion is thicker than the peripheral portion of the polishing block 140 in order to improve the flatness of the wafer. And for this purpose, the viscosity of the wax is preferably supplied to the wax having a viscosity of 30 to 45 cP at 25 ℃ in the range of 1 to 6 seconds.

다시 도 2로 돌아가서, 연마용 블록(140) 상부에 왁스가 도포된 후, 왁스 내 유기 용제의 증발을 위해 연마용 블록(140)을 가열한다(S230). 이때 가열 온도는 90 내지 100℃ 정도로 할 수 있다.2, after wax is applied on the polishing block 140, the polishing block 140 is heated to evaporate the organic solvent in the wax (S230). At this time, heating temperature may be about 90-100 degreeC.

다음으로, 연마용 블록(140) 상에 도포된 왁스를 통해 연마용 블록(140)과 웨이퍼를 부착시킨다(S240). 이를 위해 진공 챔버에 먼저 부착시킬 웨이퍼를 배치하고, 이 웨이퍼 위에 가열된 연마용 블록(140)을 위치시킨다. 그리고 진공 챔버 상부에 위치한 공압 실린더에 의해 웨이퍼와 연마용 블록(140)을 부착시킨다. 이를 위해 공압 실린더는 수 초 정도, 바람직하게는 3초 동안 압력을 가한다. 그리고 동시에 수십 초 정도, 바람직하게는 30초 동안 진공 상태를 유지하면서 웨이퍼와 연마용 블록(140)을 부착시킨다.Next, the polishing block 140 and the wafer are attached to each other through the wax applied on the polishing block 140 (S240). To this end, a wafer to be attached first is placed in a vacuum chamber, and a heated polishing block 140 is placed on the wafer. The wafer and the polishing block 140 are attached by a pneumatic cylinder located above the vacuum chamber. For this purpose the pneumatic cylinder is pressurized for several seconds, preferably for three seconds. At the same time, the wafer and the polishing block 140 are attached while maintaining a vacuum state for several tens of seconds, preferably 30 seconds.

이상에서 연마용 블록(140)에 왁스를 도포하고 연마용 블록(140)과 웨이퍼를 부착시키는 왁스 마운팅 방법에 대해 도시하고 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고 웨이퍼 상에 왁스를 도포하고 웨이퍼와 연마용 블록(140)을 부착시키는 왁스 마운팅 방법도 이와 유사하다.The wax mounting method for applying wax to the polishing block 140 and attaching the polishing block 140 to the wafer is illustrated and described above, but the present invention is not limited thereto. The wax mounting method of attaching the block 140 is similar.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been shown and described above, the present invention is not limited to the specific preferred embodiments described above, and the present invention belongs to the present invention without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and such changes are within the scope of the claims.

그리고 본 발명은 왁스 외에도 일정 수준 이상의 점성을 가진 유동 물질을 평면위에 도포할 때 도포된 두께 및 형상 변화의 제어에도 적용될 수 있다.In addition to the wax, the present invention can also be applied to the control of the thickness and shape change applied when a fluid substance having a certain level or more of viscosity is applied on a plane.

도 1은 본 발명에 따른 왁스 마운팅 방법에 이용되는 왁스 도포 장치에 대한 바람직한 일 실시예를 나타내는 도면,1 is a view showing a preferred embodiment of the wax coating apparatus used in the wax mounting method according to the present invention,

도 2는 본 발명에 따른 왁스 마운팅 방법에 대한 바람직한 일 실시예의 수행과정을 나타내는 흐름도,Figure 2 is a flow chart showing the implementation of a preferred embodiment of the wax mounting method according to the present invention,

도 3a는 왁스 점도에 따른 도포된 왁스의 두께 및 형상을 나타낸 도면, Figure 3a is a view showing the thickness and shape of the wax applied according to the wax viscosity,

도 3b는 왁스 공급시간에 따른 도포된 왁스의 두께 및 형상을 나타낸 도면, 그리고, Figure 3b is a view showing the thickness and shape of the wax applied according to the wax supply time, and,

도 3c는 왁스 공급시 연마용 블록의 회전속도에 따른 도포된 왁스의 두께 및 형상을 나타낸 도면이다.Figure 3c is a view showing the thickness and shape of the wax applied according to the rotational speed of the polishing block during wax supply.

Claims (4)

연마용 블록 상부에 왁스를 공급하고 상기 연마용 블록을 회전시켜 상기 왁스를 상기 연마용 블록 전체에 도포시키되, 상기 왁스는 25℃에서 30 내지 45cP의 점도를 가지는 것을 이용함으로써, 상기 도포된 왁스의 제거 없이 상기 왁스의 공급과 상기 연마용 블록의 회전만으로 상기 왁스가 상기 연마용 블록 상의 주변부보다 중앙부에 더 두껍게 도포되도록 하는 단계; 및The wax is applied to the top of the polishing block and the polishing block is rotated to apply the wax to the entire polishing block, wherein the wax has a viscosity of 30 to 45 cP at 25 ° C. Allowing the wax to be applied thicker in the center than the periphery on the polishing block by only supplying the wax and rotating the polishing block without removal; And 상기 연마용 블록 상에 도포된 왁스를 통해 상기 연마용 블록과 웨이퍼를 부착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 왁스 마운팅 방법.Attaching the polishing block and the wafer through the wax applied on the polishing block. 웨이퍼의 일측면 상에 왁스를 공급하고 상기 웨이퍼를 회전시켜 상기 왁스를 상기 웨이퍼 일측면 전체에 도포시키되, 상기 왁스는 25℃에서 30 내지 45cP의 점도를 가지는 것을 이용함으로써, 상기 도포된 왁스의 제거 없이 상기 왁스의 공급과 상기 웨이퍼의 회전만으로 상기 왁스가 상기 웨이퍼 일측면 상의 주변부보다 중앙부에 더 두껍게 도포되도록 하는 단계; 및Supply the wax on one side of the wafer and rotate the wafer to apply the wax to the entire side of the wafer, wherein the wax has a viscosity of 30 to 45 cP at 25 ℃ to remove the applied wax Only the supply of the wax and the rotation of the wafer so that the wax is applied thicker in the center than the periphery on one side of the wafer; And 상기 웨이퍼 일측면 상에 도포된 왁스를 통해 상기 웨이퍼와 연마용 블록을 부착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 왁스 마운팅 방법.And attaching the wafer and the polishing block through the wax applied on one side of the wafer. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 왁스는 1 내지 6초의 시간 범위에서 공급하는 것을 특징으로 하는 왁스 마운팅 방법.Wax mounting method characterized in that the wax is supplied in a time range of 1 to 6 seconds. 삭제delete
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