KR100867347B1 - 진공배관에 영구자석이 장착된 반도체제조장치 - Google Patents
진공배관에 영구자석이 장착된 반도체제조장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100867347B1 KR100867347B1 KR1020070116035A KR20070116035A KR100867347B1 KR 100867347 B1 KR100867347 B1 KR 100867347B1 KR 1020070116035 A KR1020070116035 A KR 1020070116035A KR 20070116035 A KR20070116035 A KR 20070116035A KR 100867347 B1 KR100867347 B1 KR 100867347B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- vacuum pipe
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- pipe line
- chamber
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F7/00—Magnets
- H01F7/02—Permanent magnets [PM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 장치의 제조 공정에 따른 반응가스가 흐르는 통로역할을 하는 진공배관에 관한 것으로, 그 외주면에 동일극성끼리 반발하는 영구자석을 장착하여 진공배관 내부에 불순물이 발생하는 것을 방지토록 한 것이다. 본 발명은 진공배관 외주면에 서로 대칭되도록 영구자석을 배치 장착하여 동일 극성간의 반발력이 진공배관 내부 중앙부분에 최대 영향을 미치도록 함으로써 챔버로부터 배출되는 가스가 배관의 대체로 중앙부분을 따라 흐르도록 하여 불순물의 배관내벽에 대한 점착을 방지토록 한다.
진공배관, 영구자석, 반도체
Description
본 발명은 반도체제조장치의 반도체 제조공정에 따른 반응가스의 배기 통로역할을 하는 진공배관의 외주면에 동일극성이 서로 대칭되도록 영구자석을 배치 장착한 것으로, 동일극성에 의한 반발력이 진공배관 내부에 영향을 미침으로써 챔버로부터 배출되는 가스의 진공배관 내부의 대체로 중앙부분으로의 흐름을 유도하여 진공배관 내주면에 대한 불순물 점착을 방지토록 한 것이다.
현재 사용되고 있는 반도체장치의 제조공정은 원하는 재료를 기판 위에 증착시키는 박막증착(thin film deposition) 공정이며, 이 공정은 반도체 IC의 제조에 필요한 여러 특성의 재료들 즉, 부도체, 반도체 및 도체 박막을 증착시키는데 사용되며, 물리적 증착(physical vapor deposition; PVD)공정과 화학기상증착(chemical vapor deposition; CVD)공정으로 크게 분류된다.
이러한 공정들은 부도체, 반도체 및 도체 박막을 증착시키는데 사용되며, 반 응가스를 이용해 표면을 증착시키는 기술이다.
이와 같은 반도체 공정에서 있어서, 챔버내에서 반응가스를 유입하여 화학반응을 일으킨 후, 반응 후 남은 가스를 진공배관을 통해 배기시키게 된다.
이때, 도 3에 도시한 바와 같이 진공배관(10)의 온도가 낮아 진공배관(10)을 통과하는 반응가스들이 파우더 형태의 잔해물(불순물)(11)로 진공배관(10) 내주면에 쌓이게 되어 진공배관(10)을 오염시키거나 또는 진공배관(10) 내부를 막아 내구성에 악영향을 끼침은 물론, 주기적으로 세정을 요함으로써 많은 비용이 소요된다는 단점이 있었다.
이러한 종래의 문제점들을 해결하기 위해 반도체 제조공정을 마친 진공배관을 통해 배기되는 반응가스가 진공배관 내주면에 쌓이는 것을 방지하는 기술이 요구되고 있는 실정이다.
이 같은 진공배관 내주면에 대한 불순물 점착 방지를 위한 기술로서 히터를 진공배관 외주면에 밀착 장착시키는 기술이 알려져 있으나, 이러한 기술은 히터로부터 발생되는 열의 진공배관에 대한 영향을 필수적으로 고려해야 함은 물론, 히터 구동을 위한 전력이 별도로 필요하고, 히터 고장시 교체해야 하는 등 문제점이 많았다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래 반도체 제조장치의 진공배관에 대한 불 순물 점착에 관련된 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 진공배관 외주면에 동일극성이 대칭되도록 영구자석을 장착하여 그로 인한 반발력이 진공배관 내부에 영향을 미치도록 함으로써 진공배관 내주면에 대한 불순물 점착을 방지토록 하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 진공배관에 영구자석이 장착된 반도체 제조장치는, 반도체 제조공정에 필요한 반응가스가 유입되어 반도체를 제조하는 챔버; 상기 챔버에서의 반도체 제조공정 종료 후 배출되는 가스가 흐르는 진공배관; 및 상기 챔버로부터 배출되는 가스가 상기 진공배관을 통해 외부로 배출되도록 펌핑하는 펌프를 포함하여 구성되며, 상기 진공배관은 그 외주면에 진공배관 내부 중앙부분에 대한 자기력이 최대가 되도록 세팅된 복수 개의 영구자석이 힌지식 케이스에 수납되어 동일극성으로 대칭되어 서로 엇갈리게 배치 장착된 것을 특징으로 한다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
본 발명의 진공배관에 영구자석이 장착된 반도체 제조장치는 다음과 같은 여러 가지 뛰어난 잇점이 있다.
첫째, 진공배관 외주면에 동일극성이 대칭되도록 영구자석을 장착하여 반발력이 발생토록 함으로써 진공배관 내부를 흐르는 반응가스의 내부 중앙부분을 따른 흐름을 유도하여 진공배관 내주면에 대한 불순물 점착을 방지할 수 있다.
둘째, 진공배관에 간단하게 영구자석을 장착 고정시키면 되므로 제조가 간단하고 고장없이 영구 사용이 가능하므로 원가가 절감된다.
셋째, 영구자석 케이스를 힌지식으로 제조하여 분리 및 결합이 용이하다.
이하, 본 발명에 의한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 반도체 제조장치에 구성되는 진공배관의 개략적인 도면, 도 2는 본 발명의 진공배관이 구성된 반도체 제조장치의 개략적인 구성도, 도 3은 반도체 제조장치에 구성된 진공배관 내부에서의 반응가스 흐름도, 도 4는 본 발명의 반도체 제조장치에 구성된 진공배관 내부에서의 반응가스 흐름도이다.
본 발명의 반도체 제조장치는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 제조공정에 필요한 반응가스가 유입되어 반도체를 제조하는 챔버(1); 상기 챔버(1)에서의 반도체 제조공정 종료 후 배출되는 가스가 흐르는 진공배관(2); 및 상기 챔 버(1)로부터 배출되는 가스가 상기 진공배관(2)을 통해 외부로 배출되도록 펌핑하는 펌프(3)를 포함하여 구성되며, 상기 진공배관(2)은 도 1에 도시한 바와 같이 그 외주면에 동일극성이 대칭되도록 영구자석(4)을 배치 장착한다. 즉 영구자석(4)은 N극과 S극으로 구성되어 있으므로 이 같은 영구자석(4)을 서로 마주보도록 배치하여 반발력이 발생토록 하는 것이다.
본 발명에 예시된 진공배관(2)의 형상은 예시된 것일 뿐이며, 어떠한 형상의 배관이더라도 본 발명의 영구자석 사용에 제한이 없다.
또한 영구자석(4)이 진공배관(2)의 외주면상에 장착된 것으로 예를 들었으나, 그 장착범위에도 제한이 없다.
또한 상기 영구자석(4)은 외부로의 노출을 방지하도록 일정하게 케이스화(도시 생략)되어 진공배관(2)에 고정 장착하면 될 것이다.
또한 상기 영구자석(4)은 진공배관(2) 내부 중앙 부근에서 자기력이 최대가 되는 상태로 유지되도록 미리 세팅된 자석을 사용한다.
이 같이 구성된 본 발명의 영구자석이 장착된 반도체 제조장치는 먼저 챔버(1)에 유입되어 반도체 제조공정을 종료한 반응가스가 배출되도록 펌프(3)가 작동되면 가스가 진공배관(2) 내부를 흐르게 된다.
즉 종래에는 도 3에서와 같이 가스가 진공배관(2) 내부에 퍼진 상태에서 흐르게 되나, 본 발명에서는 도 4에서와 같이 가스가 진공배관(2)의 내주면으로부터 일정거리 떨어지되, 중앙부분쪽에 몰리면서 흐르게 된다.
이 같은 흐름현상은 영구자석(4)에 의해 가능한 바 진공배관(2) 외주면에 밀 착 장착된 영구자석(4)에 의한 자기력, 즉 서로 마주보도록 장착된 영구자석(4)의 N극과 N극, 그리고 S극과 S극이 서로 반발되면서 그 반발력이 진공배관(2) 내부에 대해서도 영향을 미치는 것이다. 이 같은 반발력에 따라 진공배관(2) 내부를 흐르는 가스가 내부 중앙쪽으로 몰리면서 흘러 진공배관(2) 내주면에 대한 불순물 점착이 방지되는 것이다.
도 5는 본 발명의 반도체 제조장치에 구성된 다른 실시예에 따라 자석이 진공배관에 부착된 배열을 나타낸 도면, 도 6은 도 5의 배열에 따라 진공배관에 부착되는 자석 케이스 도면, 도 7은 도 6의 자석 케이스의 상세 도면이다.
도 5에 도시한 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 진공배관(2)에 대한 자석(4) 장착 배열은 원통형상의 진공배관(2)에 N극과 S극을 갖는 영구자석(4)을 서로 엇갈리게 두 개씩 배열하여 동일극성간 반발력에 의해 진공배관(2) 내부를 흐르는 가스의 불순물(G)들이 배관 내부 정중앙 부근을 통과할 수 있도록 한 것이 제1실시예와 다른 가장 큰 특징이다.
도 5에 도시한 바와 같은 영구자석(4) 배열은 도 6에 도시한 바와 같은 케이스(10)에 의해 가능하다.
도 6에 도시한 바와 같이 영구자석(4)이 수납되는 케이스(10)는 각각의 영구자석(4)이 수납되어 흔들림없이 진공배관(2)에 대한 장착상태를 유지하도록 영구자석(4)의 크기에 꼭 맞는 내부공간을 갖도록 설계한다.
또한 도 7에 도시한 바와 같이 케이스(10)를 삽입홈에 긴 나사를 꼽아 회전가능하도록 하는 힌지(H) 방식으로 제작하여 영구자석(4)의 교체 혹은 필요에 따른 분리 혹은 결합이 매우 용이해지도록 한다.
본 발명은 특정한 실시예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 기술적사상의 범주내에서는 수정 및 변형 실기가 가능함은 물론이다.
도 1은 본 발명의 반도체 제조장치에 구성되는 자석 부착 진공배관의 개략적인 도면.
도 2는 본 발명의 진공배관이 구성된 자석 부착 반도체 제조장치의 개략적인 구성도.
도 3은 반도체 제조장치에 구성된 자석 부착된 진공배관 내부에서의 반응가스 흐름도.
도 4는 본 발명의 반도체 제조장치에 구성된 자석 부착된 진공배관 내부에서의 반응가스 흐름도.
도 5는 본 발명의 반도체 제조장치에 구성된 다른 실시예에 따라 자석이 진공배관에 부착된 배열을 나타낸 도면.
도 6은 도 5의 배열에 따라 진공배관에 부착되는 자석 케이스 도면.
도 7은 도 6의 자석 케이스의 상세 도면.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 챔버 2 : 진공배관
3 : 펌프 4 : 영구자석
10 : 케이스
Claims (6)
- 반도체 제조공정에 필요한 반응가스가 유입되어 반도체를 제조하는 챔버(1);상기 챔버(1)에서의 반도체 제조공정 종료 후 배출되는 가스가 흐르는 진공배관(2); 및상기 챔버(1)로부터 배출되는 가스가 상기 진공배관(2)을 통해 외부로 배출되도록 펌핑하는 펌프(3)를 포함하여 구성되며,상기 진공배관(2)은 그 외주면에 진공배관(2) 내부 중앙부분에 대한 반발 자기력이 최대가 되도록 세팅된 복수 개의 영구자석(4)이 힌지식 케이스(10)에 수납되어 동일극성이 대칭으로 서로 엇갈리게 배치 장착된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070116035A KR100867347B1 (ko) | 2007-11-14 | 2007-11-14 | 진공배관에 영구자석이 장착된 반도체제조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070116035A KR100867347B1 (ko) | 2007-11-14 | 2007-11-14 | 진공배관에 영구자석이 장착된 반도체제조장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100867347B1 true KR100867347B1 (ko) | 2008-11-06 |
Family
ID=40283746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070116035A KR100867347B1 (ko) | 2007-11-14 | 2007-11-14 | 진공배관에 영구자석이 장착된 반도체제조장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100867347B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102250066B1 (ko) | 2020-02-17 | 2021-05-10 | 김홍석 | 반도체 및 에프피디의 공정챔버 배기관 내벽에 생성되는 불순물 감소 장치 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990007733A (ko) * | 1998-10-28 | 1999-01-25 | 송명엽 | 영구자석을 이용한 내연기관의 연소효율 증가장치 |
JP2006202945A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
-
2007
- 2007-11-14 KR KR1020070116035A patent/KR100867347B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990007733A (ko) * | 1998-10-28 | 1999-01-25 | 송명엽 | 영구자석을 이용한 내연기관의 연소효율 증가장치 |
JP2006202945A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Seiko Epson Corp | 半導体製造装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102250066B1 (ko) | 2020-02-17 | 2021-05-10 | 김홍석 | 반도체 및 에프피디의 공정챔버 배기관 내벽에 생성되는 불순물 감소 장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108140550B (zh) | 具有减少的背侧等离子体点火的喷淋头 | |
US10023954B2 (en) | Slit valve apparatus, systems, and methods | |
JP2016536801A (ja) | PECVD微結晶シリコンゲルマニウム(SiGe) | |
US11232966B2 (en) | Electrostatic chucking pedestal with substrate backside purging and thermal sinking | |
CN101286469A (zh) | 用于防止空隙形成的结构以及等离子体处理设备 | |
US11427912B2 (en) | High temperature rotation module for a processing chamber | |
TWI797339B (zh) | 用於在電漿增強化學氣相沉積腔室中抑制寄生電漿的設備 | |
US20180226237A1 (en) | High Throughput Vacuum Deposition Sources and System | |
US9425029B2 (en) | Processing apparatus having a first shield and a second shield arranged to sandwich a substrate | |
KR100867347B1 (ko) | 진공배관에 영구자석이 장착된 반도체제조장치 | |
TWI358783B (en) | High-performance electrostatic clamp comprising a | |
US10889894B2 (en) | Faceplate with embedded heater | |
WO2021071777A1 (en) | Methods and apparatuses for forming interconnection structures | |
KR102195789B1 (ko) | 정적 반응성 스퍼터 프로세스들을 위한 프로세스 가스 세그먼트화 | |
CN110382732A (zh) | 高吞吐量真空沉积源及*** | |
KR101470610B1 (ko) | 증착원 이동형 증착 장치 | |
CN210296330U (zh) | 用于处理基板的工艺腔室和静电吸盘 | |
TWI703665B (zh) | 具有用於將碳污染物與表面氧化物自半導體基板去除的處理腔室之真空平臺 | |
TWI780369B (zh) | 操作空間沉積工具的方法 | |
WO2015026057A1 (ko) | 플라즈마 반응장치 | |
KR100253563B1 (ko) | 라미너 플로우 실현을 위한 쳄버구조를 가진 반도체 화학기상증착 장치 | |
JP5747647B2 (ja) | バレル型気相成長装置 | |
TW202129046A (zh) | 用以清洗一真空腔室之方法、用以清洗一真空系統之方法、用於一基板之真空處理之方法、及用於一基板之真空處理的設備 | |
KR101891825B1 (ko) | 증착공정용 개폐장치 | |
CN215517743U (zh) | 用于外延炉外延层厚度均匀性生长的控制装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
A302 | Request for accelerated examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
J204 | Invalidation trial for patent | ||
J501 | Disposition of invalidation of trial | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |