KR100863315B1 - 고체 산화물 연료 전지 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 고체 산화물 전해질;상기 고체 산화물 전지(전해질)의 일측 표면에 다수의 나노 와이어 형태로 형성된 양극; 및,상기 고체 산화물 전지(전해질)의 타측 표면에 다수의 나노 와이어 형태로 형성된 음극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 고체 산화물 연료 전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고체 산화물 전해질은 양이온(Y,Sc)이 치환된 지르코니아 세라믹스(ZrO2), 양이온(Gd,Sm)이 치환된 세리아(CeO2) 및 란타늄-스트론튬-가돌리늄(갈륨)-마그네슘(La1-xSrxGa1-yMayO3) 산화물(LSGM)중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고체 산화물 연료 전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 양극의 나노 와이어는 란타늄-스트론튬-망간 산화물(LSM) 및 란타늄-스트론튬-코발트-철 산화물(LSCF)중 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 고체 산화물 연료 전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 양극의 나노 와이어는 Ln1-xAxB1-yCyO3-d (단, Ln은 La, Ce, Pr, Nd, Sm 및 Gd으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소, A는 Sr, Ca 및 Ba으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소, B와 C는 Fe, Co, Ni 및 Mn으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소이고, 0.05 <= x <= 1.0, 0.02 <= y <= 1.0, d<=1 임)의 일반식을 갖는 페로브스카이트형 결정구조를 갖는 복합산화물로 형성된 것을 특징으로 하는 고체산화물 연료전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 음극의 나노 와이어는 산화니켈(NiO) 등 전도성금속및 안정화 지르코니아의 혼합물중 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 고체 산화물 연료 전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 양극 및 음극의 나노 와이어는 직경이 1Å~100nm인 것을 특징으로 하는 고체 산화물 연료 전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 양극 및 음극의 나노 와이어는 길이가 1nm~100μm인 것을 특징으로 하는 고체 산화물 연료 전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 고체 산화물 전해질은 양측 표면에 다공성 금속 필름이 형성되고, 상기 각각의 다공성 금속 필름에 나노 와이어 형태의 양극 및 음극이 형성된 것을 특징으로 하는 고체 산화물 연료 전지.
- 제 1 항에 있어서, 상기 음극 과 양극의 나노 와이어는 템플레이트를 이용한 전착(electrodeposition) 또는 전기영동 증착(electrophoretic deposition)에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 고체 산화물 연료 전지.
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KR1020070058571A KR100863315B1 (ko) | 2007-06-14 | 2007-06-14 | 고체 산화물 연료 전지 |
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KR1020070058571A KR100863315B1 (ko) | 2007-06-14 | 2007-06-14 | 고체 산화물 연료 전지 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11417891B2 (en) * | 2019-08-23 | 2022-08-16 | Nissan North America, Inc. | Cathode including a tandem electrocatalyst and solid oxide fuel cell including the same |
WO2024010294A1 (ko) * | 2022-07-04 | 2024-01-11 | 한국과학기술연구원 | 3 차원 구조의 전극,고체 산화물 연료 전지용 애노드 및 고체 산화물 연료 전지 |
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KR20070071059A (ko) * | 2005-12-29 | 2007-07-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 연료 전지용 막-전극 어셈블리 및 이를 포함하는 연료 전지시스템 |
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2007
- 2007-06-14 KR KR1020070058571A patent/KR100863315B1/ko active IP Right Grant
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