KR100862782B1

KR100862782B1 - 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로하는 항반사 도포층

Info

Publication number: KR100862782B1
Application number: KR1020070035663A
Authority: KR
Inventors: 쳉 치에 창
Original assignee: 이노베이션 앤드 인피니티 글로벌 코포레이션
Priority date: 2007-04-11
Filing date: 2007-04-11
Publication date: 2008-10-13

Abstract

본 발명은 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층을 제공한다.

상기 항반사 도포층은 표층의 물질이 투과 가능의 표면 도전층이고, 투과 가능한 표면 도전층의 광반사율이 0.5％ 미만이며, 상기 항반사 도포층의 평방마다의 저항이 0.5Ω 내지 0.7Ω의 범위 내에 있고, 그 투과율이 55％ 내지 70％의 범위 내에 있다.

Description

저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층{ANTI-REFLECTING COVER LAYER HAVING TRANSMITTABLE CONDUCTING LAYER WITH LOW RESISTANCE FUNCTION AS THE MOST OUTER LAYER}

도 1은 본 발명의 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층의 개념도.

도 2는 본 발명의 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층의 파장에 대한 반사율의 곡선도.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1 : 제1층 2 : 제2층

3 : 제3층 4 : 제4층

5 : 제5층 6 : 제6층

7 : 제7층 8 : 제8층

9 : 제9층 10 : 제10층

11 : 제11층 12 : 제12층

13 : 제13층 14 : 제14층

15 : 제15층 16 : 한쪽 면

17 : 기판 18 : 관찰의 방향

본 발명은, 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층에 관한 것으로, 특히, 고항반사 특성을 가지는 도포층 구조에 관한 것이다.

일반적으로, 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이의 플라스틱 기판(plastic　substrate)이나 글래스 기판(glass　substrate) 혹은 플라스틱 스크린판(plastic　web)의 위에 항반사의 도포층 구조가 형성되고, 그 때문에 많은 도포층 구조가 제안되고 있다.

미국 특허 U.S.4,921,760은 산화 세륨과 합성 수지에 대해서, 좋은 점착력을 가지는 다층 항반사의 도포층이 게시되고, 상기 다층 시스템은 CeO₂와 Al₂O₃, ZrO₂, SiO2, TiO₂ 및 Ta₂O₅가 함유되며, 상기 다층 시스템의 모든 필름층은 모두 산화물이고, 상기 다층 시스템은 3 내지 5층의 박층을 가지고, 실시예에 있어서 상기 5층 구조의 합계 두께가 약 3580옹스트롬이며, 상기 다층 시스템의 표층의 물질은 SiO₂이고, 저굴절율을 가지고 파장이 550㎚인 경우 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 U.S.5,105,310은, 반응식 스퍼터에 의해 동일 축 도포 기기에 배치되는 다층 항반사의 도포층이 게시되고, 상기 다층 시스템은 TiO₂와 SiO₂, ZnO, ZrO₂ 및 Ta₂O₅가 함유되며, 상기 다층 시스템의 모든 필름층은 모두 산화물이고, 상기 다층 시스템은 4 내지 6층의 박층을 가지고, 실시예에 있어서 상기 6층 구조의 합계 두께가 약 4700옹스트롬이며, 상기 다층 시스템의 표층의 물질은 SiO₂이고, 저굴절률을 가지며 파장이 550㎚인 경우 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 U.S.5,091,244와 U.S.5,407,733은 도전성을 가지고, 광 감쇠와 항반사의 새로운 형태의 도포층이 게시되고, 주로 소정의 천이 금속 질화물로 이루어짐으로써 도전성을 가지고, 또한 광 감쇠와 항반사가 얻어지는 표면을 형성하고, 상기 다층 시스템은 TiN와 NbN, SnO₂, SiO₂, Al₂O₃ 및 Nb₂O₅가 함유되고, 상기 다층 시스템의 모든 필름층은 모두 질화물과 산화물로 이루어지고, 상기 다층 시스템은 3 내지 4층의 박층을 가지고, 실시예에 있어서 상기 4층 구조의 합계 두께가 약 1610옹스트롬이며, 상기 4층 시스템은 가시광의 투과율이 50％ 미만이고, 상기 다층 시스템의 표층의 물질은 SiO₂이고, 저굴절률을 가지고 파장이 550㎚인 경우 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 U.S.5,147,125는 산화 아연으로 이루어지고, 파장이 380㎚ 이하인 자외선을 차단할 수 있는 다층 항반사의 도포층이 게시되고, 상기 다층 시스템은 TiO₂와 SiO₂, ZnO 및 MgF₂가 함유되며, 상기 다층 시스템의 모든 필름층은 모두 산화물과 불화물로 이루어지고, 상기 다층 시스템은 4 내지 6층의 박층을 가지고, 실시예에 있어서 상기 5층 구조의 합계 두께가 약 7350옹스트롬이며, 상기 다층 시스 템의 표층의 물질은 MgF₂이고, 저굴절률을 가지고 파장이 550㎚인 경우 굴절률이 1.38이다.

미국 특허 U.S.5,170,291은 광학 효과나 고항반사 효과가 얻어지는 4층 시스템이 게시되고, 상기 다층 시스템은 고온 분해나 플라즈마 지지 화학 증기 배치, 스터퍼 혹은 화학 배치 등의 방식에 의해 형성되며, 상기 다층 시스템은 SiO₂와 TiO₂, Al₂O₃, ZnS, MgO 및 Bi₂O₃가 함유되고, 실시예에 있어서 상기 4층 구조의 합계 두께가 약 2480옹스트롬이며, 상기 다층 시스템은 표층의 물질이 SiO₂이고, 저굴절률을 가지고 파장이 550㎚인 경우 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 U.S.5,216,542는 고항반사 효과가 얻어지는 5층의 도포층이 게시되고, 상기 다층 시스템은 층 두께가 1㎚이며, Ni나 Cr 혹은 NiCr로 구성되는 점막층과, SnO₂와 ZrO₂, ZnO, Ta₂O₅, NiO, CrO₂, TiO₂, Sb₂O₃, In₂O₃, Al₂O₃, SiO₂, TiN 및 ZrNn로 구성되는 4층으로 이루어지고, 실시예에 있어서 상기 5층 구조의 합계 두께가 약 2337옹스트롬이며, 상기 5층 시스템은 가시광의 투과율이 30％ 이하이며, 상기 다층 시스템은 표층의 물질이 SiO₂이고, 저굴절률을 가지며 파장이 550㎚인 경우 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 U.S.5,541,770은 도전층을 가지는 광 감쇠와 항반사의 도포층이 게시되고, 4 내지 5층의 다층 시스템이며, 광흡수와 고굴절률의 금속을 가지고, 예를 들어 Cr나 Mo 및 W 등이며, 상기 다층 시스템의 광효과 필름으로서 이용되고, 또한, 다른 3 내지 4층은 TiO₂나 ITO, Al₂O₃, SiO₂ 및 TiN이며, 상기 다층 시스템의 광효과 필름으로서 이용되는 금속층 외에 상기 다층 시스템의 주된 물질은 산화물과 질화물이며, 실시예에 있어서 상기 5층 구조의 합계 두께가 약 1495옹스트롬이며, 상기 다층 시스템은 가시광의 투과율이 60％ 이하이며, 표층의 물질이 SiO₂이며, 저굴절률을 가지고 파장이 550㎚인 경우 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 U.S.5,362,552는, 3층 도전 금속 산화물을 가지는 6층 항반사의 도포층이 게시되고, 상기 다층 시스템은 SiO₂와 ITO, Nb₂O₅ 및 Ta₂O₅가 함유되고, 상기 도포층은 합계 두께가 가시광의 파장에 이르는 도전 금속 산화물을 가지고, 실시예에 있어서 상기 6층 구조는 두 개의 주요층의 물질과 두께가 각각, SiO₂와 854옹스트롬, 그리고, ITO와 1975옹스트롬이며, 상기 다층 시스템은 표층의 물질이 SiO₂이며, 저굴절률을 가지고 파장이 550㎚인 경우 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 U.S.5,579,162는, 온도에 대한 감도가 높은 기판(예를 들어, 플라스틱)의 4층의 항반사의 도포층이 게시되고, 그 한 층이 직류 반응 스퍼터에 의한 금속 산화물이며, 쾌속적으로 기판 상에 배치되고 또한, 대량의 열량이 상기 기판에 전달되지 않고, 상기 다층 시스템은 SnO₂와 SiO₂ 및 ITO가 함유되며, 실시예에 있어서 상기 4층 구조의 두 개의 주요층은 물질과 두께가 각각, SnO₂와 763옹스트롬, 그리고, SiO₂와 940옹스트롬이며, 상기 다층 시스템은 표층의 물질이 SiO₂이며, 저굴절률을 가지고 파장이 550㎚인 경우 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 U.S.5,728,456과 U.S.5,783,049는, 항반사의 도포층을 플라스틱 필름 상에 배치하는 개량 방법이 게시되고, 상기 다층 필름은 스퍼터 공정으로 롤러 도포층을 도포하고, 상기 다층 시스템은 ITO와 SiO₂ 및 얇은 윤활층이 함유되어 용해 가능한 불소 폴리머이며, 실시예에 있어서 상기 6층 구조는 합계 두께가 약 2630옹스트롬이며, 상기 다층 시스템은 표층의 물질이 SiO₂이고, 저굴절률을 가지고 파장이 550㎚인 경우 굴절률이 1.46이다.

이상의 게시된 광학 다층 시스템의 표면 박층의 물질은, SiO₂나 MgF₂이며, 저굴절률을 가지고, 파장이 550㎚인 경우, 굴절률이 각각 1.46이나 1.38이다.

종래의 항반사 광학 도포층의 다층 시스템은 모두 상기 광학 도포층의 표층의 물질이 저굴절률을 가지는 통칙이 이용되고, 예를 들어 굴절률이 1.46인 SiO₂나 굴절률이 1.38인 MgF₂이다. 그러나, 상기 항반사 도포층이 디스플레이에 적용될 때, 예를 들아, 항정전 효과를 갖는 컴퓨터 스크린이나 액정 디스플레이 혹은 플라즈마 디스플레이의 저반사 글래스에 적용될 때, 대량 생산의 과정에 있어서 여러 가지의 장벽이 존재하고, 그것은 상기 광학 도포층 구조의 도전층은 절연층(예를 들어, SiO₂나 MgF₂)으로 이루어지기 때문이다.

항반사 도포층의 기본 설계 규칙은, 기판 표면에 배치되는 제1층이 고굴절률을 가지는 물질로 구성되고(H로 표시함), 그리고, 저굴절률을 가지는 물질로 구성되는(L로 표시함) 제2층을 접착하며, 그 때문에, 종래의 항반사 도포층의 다층 구 조의 규칙은 HLHL나 HLHLHL이고, 고굴절률(H)의 물질의 예로서 ITO, 저굴절률(L)의 물질의 예로서 SiO₂를 들면, 상기 4층 구조는 각각, Glass／ITO／SiO₂／ITO／SiO₂이다. ITO가 투명의 도전 물질이기 때문에, 상기 다층 구조의 도포층의 각 평방의 도전성이 100Ω 이하이며, 또, 상기 도전 도포층이 그랜드 접속될 때, 전자 간섭(EMI) 장해나 정전 방전이 얻어진다. 그러나, 상기 종래의 광학 다층 구조는 표면 물질이 SiO₂이고, 그 두께가 1000Å이며, 상기 SiO₂의 물질 특성은 고밀도이기 때문에 타성을 가지고, 또한 좋은 전절연층이며, 종래의 항반사 도포층이 디스플레이에 적용되는 과정에 있어서, 외부의 SiO₂층에 의해 격리된 상기 소성에 의해 형성된 ITO층에 전기 접촉하기 어렵고, 금속으로 상기 ITO층에 접촉하는 접지 과정에 있어서 초음파 용접 공정을 이용하여 상기 SiO₂층을 타파하는 것이 필요하고, 이것에 의해 땜납 볼과 상기 ITO층이 잘 접촉할 수 있으며, 이 공정은 대량으로 항반사 도포층을 생산할 때의 장벽이 된다.

한편, 액체 주석과 초음파의 피폭 에너지이기 때문에, 상기 초음파 용접 공정에 있어서 미세한 오염물이 생성되고, 또한 상기 초음파 용접 공정에 의해 각 버스 라인에 비영구성의 접촉 저항을 생성하고, 초음파 용접 공정에 의해 균일하게 동일한 깊이로 상기 절연층을 타파하여 균일 접촉 저항을 얻는 것을 보증할 수 없다.

상기의 결점에 의해, 종래의 항전자 간섭과 항반사 도포층의 공정의 산출 높이와 신뢰도가 저감된다.

본 발명의 주된 목적은, 8개의 산화물층이 함유되고 상기 도포층의 표층의 물질이 투과 가능한 도전층이며 1.9 내지 2.2의 고굴절률을 갖는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층을 제공한다.

본 발명의 다른 목적은, 대량으로 상기 산화물 필름을 생산하는 공정이, 신뢰 가능하고, 또한 상기 저저항 광 감쇠 항반사의 도포층이 반도체나 광학 헤드, 액정 디스플레이, 음극선관, 건축 글래스, 터치식 센서, 스크린 필터 및 플라스틱 스크린판 도포층 등에 적용할 수 있는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층을 제공한다.

본 발명의 또 다른 목적은, 상기 항반사 도포층의 다층 구조가 HL(HL)₆H이고, 8개의 산화물층이 함유되며, 상기 도포층의 표층의 물질은 투과 가능한 도전층이고, 1.9 내지 2.2까지의 고굴절률을 가지며, 상기 항반사 도포층의 표층의 물질이 투과 가능한 표면 도전층인 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층을 제공한다.

본 발명의 또 다른 목적은, 상기 항반사 도포층의 표층의 물질이 투과 가능한 표면 도전층이며, 상기 투과 가능한 표면 도전층의 광반사율이 0.5％ 이하이고, 상기 항반사 도포층의 각 평방의 저항이 0.5Ω 내지 0.7Ω까지의 범위 내에 있고, 그 투과율이 55％ 내지 70％까지의 범위 내에 있는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층을 제공한다.

상기 표층에 좋은 도전 특성을 가짐으로써, 상기 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층에 의하면, 접지 공정에 필요로 하는 작업 부하를 저감 가능할 뿐만 아니라, 대량으로 생산할 때의 산출 높이와 신뢰도가 향상되고 또한, 액정 디스플레이나 플라즈마 디스플레이의 글래스 기판 혹은 플라스틱 기판에 적용할 수 있다.

실시예에 있어서, 상기 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층은, 제1층, 제2층, 제3층,..., 제15층의 순서로 15층이 기판에 배열되고, 각층의 물리 두께나 광학 두께는 광학 두께가 층 두께와 굴절률의 산술 곱이면서 설계 파장의 분수이고, 본 발명에 있어서 상기 설계 파장이 520㎚이다.

제1층은 표면층이라고도 칭해지고, 투과 가능한 도전 산화 물질로 구성되며, 상기 산화물이 SnO：Sb이고 약간의 가시광을 흡수하는 것만이 가능하고, 파장이 520㎚일 때 상기 표면층의 굴절률이 1.9 내지 2.2까지의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 20㎚ 내지 40㎚의 범위 내에 있다.

제2층은 얇은 금속층이며, 상기 금속층이 은으로 구성되고, 약간의 가시광만을 흡수할 수 있으며, 파장이 520㎚일 때 그 굴절률이 0.1 내지 0.5 범위 내에 있으며, 또한 물리 두께가 8㎚ 내지 12㎚의 범위 내에 있다.

제3층은 산화물로 구성되고 상기 산화물이 SnO：Sb이며, 약간의 가시광만을 흡수할 수 있으며, 파장이 520㎚일 때 상기 층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내 에 있고, 또한 물리 두께가 30㎚내지 80㎚의 범위 내에 있다.

제4층은 얇은 금속층이며, 상기 금속층이 은으로 구성되고 약간의 가시광만을 흡수할 수 있으며, 파장이 520㎚일 때 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 8㎚ 내지 12㎚의 범위 내에 있다.

제5층은 산화물로 구성되고, 상기 산화물이 SnO：Sb이며, 약간의 가시광만을 흡수할 수 있으며, 파장이 520㎚일 때 상기 층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 30㎚ 내지 80㎚의 범위 내에 있다.

제6층은 얇은 금속층이며, 상기 금속층이 은으로 구성되고 약간의 가시광만을 흡수할 수 있으며, 파장이 520㎚일 때 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있으며, 또한 물리 두께가 8㎚ 내지 12㎚의 범위 내에 있다.

제7층은 산화물로 구성되고, 상기 산화물이 SnO：Sb이며, 약간의 가시광만을 흡수할 수 있으며, 파장이 520㎚일 때 상기 층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 30㎚ 내지 80㎚의 범위 내에 있다.

제8층은 얇은 금속층이며, 상기 금속층이 은으로 구성되고, 약간의 가시광만을 흡수할 수 있으며, 파장이 520㎚일 때 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 8㎚내지 12㎚의 범위 내에 있다.

제9층은 산화물로 구성되고, 상기 산화물이 SnO：Sb이며, 약간의 가시광만을 흡수할 수 있으며, 파장이 520㎚일 때 상기 층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있고 또한 물리 두께가 30㎚ 내지 80㎚의 범위 내에 있다.

제10층은 얇은 금속층이며, 상기 금속층이 은으로 구성되고, 약간의 가시광 만을 흡수할 수 있으며 ,파장이 520㎚일 때 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 8㎚내지 12㎚의 범위 내에 있다.

제11층은 산화물로 구성되고, 상기 산화물이 SnO：Sb이며, 약간의 가시광만을 흡수할 수 있으며, 파장이 520㎚일 때 상기 층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 30㎚내지 80㎚의 범위 내에 있다.

제12층은 얇은 금속층이며, 상기 금속층이 은으로 구성되고 약간의 가시광만을 흡수할 수 있으며, 파장이 520㎚일 때 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 8㎚ 내지 12㎚의 범위 내에 있다.

제13층은 산화물로 구성되고, 상기 산화물이 SnO：Sb이며, 약간의 가시광만을 흡수할 수 있으며, 파장이 520㎚일 때 상기 층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 30㎚ 내지 80㎚의 범위 내에 있다.

제14층은 얇은 금속층이며, 상기 금속층이 은으로 구성되고 약간의 가시광만을 흡수할 수 있으며, 파장이 520㎚일 때 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 8㎚내지 12㎚의 범위 내에 있다.

제15층은 최내층이라고도 칭해지고, 산화물로 구성되고 상기 산화물이 TiO₂이며, 가시광을 흡수하지 않고, 파장이 520㎚일 때 상기 층의 굴절률이 2.2 내지 2.4의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 20㎚ 내지 40㎚의 범위 내에 있다.

이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 특징이나 기술 내용에 대해서, 자세하게 설명하지만, 본 발명은 그것에 의해 제한되지 않는다.

본 발명은 산화물을 기본으로 하는 15층의 항반사 도포층이며, 각층은 ㎚를 단위로 하는 물리 두께나 광학 두께에 의해서 논술되고 설계 상, 가시광의 파장이 520㎚이다.

도 1과 같이, 기판(17)은 글래스나 플라스틱 혹은 다른 투과 가능한 물질로 구성되고, 상기 기판(17)의 한쪽 면(16)이 상기 기판(17)의 관찰자에 면하는 일면이며, 관찰의 방향은 마크(18)에 의해서 표시되고, 제15층(15)은 상기 기판(17)의 한쪽 면(16)에 접촉하고, 제14층(14)이 제15층(15) 상에 설치되고 그리고, 제13층(13), 제12층(12), 제11층(11), 제10층(10), 제9층(9), 제8층(8), 제7층(7), 제6층(6), 제5층(5), 제4층(4), 제3층(3), 제2층(2) 및 제1층(1)이 퇴적된다. 또한, 제1층(1)은 표면층이나 최외층이라고도 칭해지고, 이것에 의해 본 발명의 15층을 가지는 도포층 구조가 구성된다.

제1층(1)은 표면층이라고도 칭해지는 SnO：Sb층이며, 약간의 가시광만을 흡수할 수 있고 파장이 520㎚일 때, 상기 표면층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 20㎚ 내지 40㎚의 범위 내에 있다. 제2층(2)은 은 층이며, 약간의 가시광만을 흡수할 수 있고, 파장이 520㎚일 때 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 8㎚ 내지 12㎚의 범위 내에 있다. 제3층(3)은 SnO：Sb층이며, 파장이 520㎚일 때, 상기 층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 30㎚ 내지 80㎚의 범위 내에 있다. 제4층(4)은 은 층이며, 파장이 520㎚일 때 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 8㎚ 내지 12㎚의 범위 내에 있다. 제5층(5)은 SnO：Sb층이며, 파장이 520㎚일 때 상기 층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 30㎚ 내지 80㎚의 범위 내에 있다. 제6층(6)은 은 층이며, 파장이 520㎚일 때, 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 8㎚ 내지 12㎚의 범위 내에 있다. 제7층(7)은 SnO：Sb층이며, 파장이 520㎚일 때, 상기 층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 30㎚ 내지 80㎚의 범위 내에 있다. 제8층(8)은 은 층이며, 파장이 520㎚일 때 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 8㎚ 내지 12㎚의 범위 내에 있다. 제9층(9)은 SnO：Sb층이며, 파장이 520㎚일 때 상기 층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 30㎚ 내지 80㎚의 범위 내에 있다. 제10층(10)은 은 층이며, 파장이 520㎚일 때 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 8㎚ 내지 12㎚의 범위 내에 있다. 제11층(11)은 SnO：Sb층이며, 파장이 520㎚일 때, 상기 층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 30㎚ 내지 80㎚의 범위 내에 있다. 제12층(12)은 은 층이며, 파장이 520㎚일 때, 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 8㎚ 내지 12㎚의 범위 내에 있다. 제13층(13)은 SnO：Sb층이며, 파장이 520㎚일 때, 상기 층의 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 30㎚ 내지 80㎚의 범위 내에 있다. 제14층(14)은 얇은 금속층이며, 상기 금속층이 은으로 구성되고 약간의 가시광만을 흡수할 수 있고, 파장이 520㎚일 때 그 굴절률이 0.1 내지 0.5의 범위 내에 있으며, 또한 물리 두께가 8㎚ 내지 12㎚의 범위 내에 있다. 제15층(15)은 TiO₂층 이며, 가시광을 흡수하지 않고, 파장이 520㎚일 때 상기 층의 굴절률이 2.2 내지 2.4의 범위 내에 있고, 또한 물리 두께가 20㎚ 내지 40㎚의 범위 내에 있다.

보다 좋은 실시예에 의하면, 상기 제1층(1)의 두께가 35㎚이며, 제2층(2)의 두께가 10㎚이며, 제3층(3)의 두께가 75㎚이며, 제4층(4)의 두께가 10㎚이고, 제5층(5)의 두께가 55㎚이며, 제6층(6)의 두께가 10㎚이고, 제7층(7)의 두께가 55㎚이며, 제8층(8)의 두께가 10㎚이고, 제9층(9)의 두께가 55㎚이며, 제10층(10)의 두께가 10㎚이고, 제11층(11)의 두께가 70㎚이며, 제12층(12)의 두께가 10㎚이고, 제13층(13)의 두께가 70㎚이며, 제14층(14)의 두께가 10㎚이며, 제15층(15)의 두께가 33㎚이다.

총 압력이 3m Torr(m=mini=0.001)일 때, 스퍼터 기체 Ar와 소분압수의 분위기 하, 직류나 펄스 직류 마그네트론 스퍼터법에 의해 SnO：Sb를 배치하여 제1과 3, 5, 7, 9, 11 및 13층이 형성된다. 또한, 총 압력이 4m　Torr일 때, 스퍼터 기체 Ar의 분위기 하, 직류나 펄스 직류 마그네트론 스퍼터법에 의해 은을 배치하고, 제2와 4, 6, 8, 10, 12 및 14층이 형성된다. 또한, 총 압력이 2 m　Torr일 때, Ar와 H₂O가 혼합된 스퍼터 기체의 분위기 하, 교류 반응식 스퍼터법에 의해 Ti를 배치하고, 제15층(15)의 TiO₂가 형성된다. 상기 마그네트론의 캐소드와 기판과의 거리가 15센티미터이며, 또한 가열 장치에 의해 상기 기판의 온도를 섭씨 100도 내지 300도의 범위 내로 제어한다.

본 발명에 따른 도포층 구조는 15층에 제한되지 않고, HL(HL)_nH의 설계 원리 에 의거한다면 유사한 효과가 얻어진다.

도 2는, 본 발명에 따른 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층의 파장에 대한 반사율의 곡선도로서, 상기 반사율은 백분율로 표시하면, 가시광 파장이 400㎚ 내지 700㎚인 주파수 스펙트럼이 표시되고, 도면에서 알 수 있듯이, 파장이 460㎚ 내지 600㎚의 범위 내에 있는 반사율이 0.5％보다 낮고, 원래의 HLHL에 의거한 설계 원리에 의한 도포층 구조에 의해 뛰어났다.

ITO 도포층에 의해, 상기 도전 표면층의 각 평방의 저항, 0.5Ω 내지 0.7Ω의 범위 내에 있고, 글래스 필름이나 플라스틱 필름에 있어서 가시광 파장이 400㎚ 내지 700㎚의 범위일 때, 그 반사 주파수 스펙트럼이 평평하고 또한 넓은 대역이 되고, 그 때문에 좋은 표면 도전성을 가지는 고도전성을 갖고, 광 감쇠와 항반사의 도포층이 얻어진다. 또한, 롤러 대 롤러 진공 배치법에 의해, 본 발명의 도포층 구조를 배치하면, 생산 코스트가 낮은, 대량 생산에 적합한 이점이 얻어진다.

한편, 본 발명의 도포층 구조는 고도전성의 특성을 가지기 때문에, 플라즈마 디스플레이의 제조에 적용될 때, 전자 간섭 차단이나 광학 시각 저반사, 고표면 경도 내상성 및 적당한 광 감쇠 효과 등의 이점이 얻어진다. 예를 들어, 본 발명의 도포층 구조의 각 평방의 표면 저항이 0.5Ω 내지 0.7Ω의 범위 내에 있고, 또한 충분한 경도를 가지고 군사 표준 MIL－C－48497의 내상 테스트에 만족할 수 있다.

본 발명에 의하면, 다음의 효과가 얻어지고, 종래의 도포층 시스템에 있어서 투과 가능한 도전층이 절연인 이산화 실리콘층에 의해서 격리되는 문제가 해소된 다. 본 발명에 의하면, 표면 물질이 SnO：Sb이고, 15층을 갖는 도포층 구조가 제공되며, 그 굴절률이 1.9 내지 2.2의 범위 내에 있다.

상기 항반사 도포층의 표면층은 도전성을 가지기 때문에, 몇 개의 간단한 방법으로 본 발명의 도포층과 좋은 전기 접촉이 얻어지고, 본 발명에 따른 도포층은 플라즈마 디스플레이의 스크린 필터에 적용할 수 있다.

스크린 필터에 적용되면, 종래의 초음파 용접 공정에 의해 미세한 땜납 오염물의 접지 제조 방법을 교환할 수 있고, 또한 항반사 도포층을 스크린 필터에 조립하는 마지막 공정이 간소화되고, 도전 ITO층과 땜납 사이에 형성된 불균일의 전기 접촉의 문제가 해소되며, 그리고, 접지 공정의 산출 높이가 향상된다. 또한, 상기 도포층 구조는 플라즈마 디스플레이와 액정 디스플레이의 기본 도포층으로서도 이용된다.

본 발명에 따른 15층을 갖는 도포층 구조는, 도전 물질로 구성되는 표면층이 있기 때문에, 간단하게 또한 경제적으로 저저항 기능이 부여된의 글래스나 플라스틱 필름 기판에 적용된다.

이상은, 단순히 본 발명의 보다 좋은 실시예이며, 본 발명은 그에 따라 제한되지 않고, 본 발명에 따른 특허청구의 범위나 명세서의 내용에 의거하여 행한 등가의 변경이나 수정은 모두 본 발명의 특허 청구의 범위 내에 포함된다.

본 발명에 의하면, 8개의 산화물층이 함유되고 상기 도포층의 표층의 물질이 투과 가능한 도전층이며 1.9 내지 2.2의 고굴절률을 갖는 저저항 기능이 부여된 투 과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층을 제공할 수 있다.

Claims

기판과,

상기 기판의 한쪽 면에 설치되고, 산화물로 구성되며 물리적인 두께가 20㎚ 내지 40㎚까지의 범위 내에 있는 제15층과,

상기 제15층 상에 설치되고, 금속 물질로 구성되며 물리적인 두께가 8㎚ 내지 12㎚까지의 범위 내에 있는 제14층과,

상기 제14층 상에 설치되고, 산화물로 구성되며 물리적인 두께가 30㎚ 내지 80㎚까지의 범위 내에 있는 제13층과,

상기 제13층 상에 설치되고, 금속 물질로 구성되며 물리적인 두께가 8㎚ 내지 12㎚까지의 범위 내에 있는 제12층과,

상기 제12층 상에 설치되고, 산화물로 구성되며 물리적인 두께가 30㎚ 내지 80㎚까지의 범위 내에 있는 제11층과,

상기 제11층 상에 설치되고, 금속 물질로 구성되며 물리적인 두께가 8㎚ 내지 12㎚까지의 범위 내에 있는 제10층과,

상기 제10층 상에 설치되고, 산화물로 구성되며 물리적인 두께가 30㎚ 내지 80㎚까지의 범위 내에 있는 제9층과,

상기 제9층 상에 설치되고, 금속 물질로 구성되며 물리적인 두께가 8㎚ 내지 12㎚까지의 범위 내에 있는 제8층과,

상기 제8층 상에 설치되고, 산화물로 구성되며 물리적인 두께가 30㎚ 내지 80㎚까지의 범위 내에 있는 제7층과,

상기 제7층 상에 설치되고, 금속 물질로 구성되며 물리적인 두께가 8㎚ 내지 12㎚까지의 범위 내에 있는 제6층과,

상기 제6층 상에 설치되고, 산화물로 구성되며 물리적인 두께가 30㎚ 내지 80㎚까지의 범위 내에 있는 제5층과,

상기 제5층 상에 설치되고, 금속 물질로 구성되며 물리적인 두께가 8㎚ 내지 12㎚까지의 범위 내에 있는 제4층과,

상기 제4층 상에 설치되고, 산화물로 구성되며 물리적인 두께가 30㎚ 내지 80㎚까지의 범위 내에 있는 제3층과,

상기 제3층 상에 설치되고, 금속 물질로 구성되며 물리적인 두께가 8㎚ 내지 12㎚까지의 범위 내에 있는 제2층과,

상기 제2층 상에 설치되고, 산화물로 구성되며 물리적인 두께가 20㎚ 내지 40㎚까지의 범위 내에 있는 제1층이 함유되고,

또한, 상기 제1층과 제3층, 제5층, 제7층, 제9층, 제11층 및 제13층이 SnO：Sb로 구성되고, 상기 제2층과 제4층, 제6층, 제8층, 제10층, 제12층 및 제14층이 은으로 구성되며, 상기 제15층이 TiO₂로 구성되고,

상기 산화물의 굴절률은 상기 금속 물질의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 필름인 것을 특징으로 하는 저저 항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 글래스인 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 제1층과 제3층, 제5층, 제7층, 제9층, 제11층 및 제13층의 산화물의 굴절률은 1.9 내지 2.2까지의 범위 내에 있고, 상기 제2층과 제4층, 제6층, 제8층, 제10층, 제12층 및 제14층의 금속 물질의 굴절률은 0.1 내지 0.5까지의 범위 내에 있으며, 상기 제15층의 산화물의 굴절률 2.2 내지 2.4까지의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 제1층과 제3층, 제5층, 제7층, 제9층, 제11층 및 제13층의 산화물은 직류나 펄스 직류 스퍼터법에 의해 형성되고, 상기 제2층과 제4층, 제6층, 제8층, 제10층, 제12층 및 제14층의 금속 물질은 직류나 펄스 직류 스퍼터법에 의해 형성되며, 상기 제15층의 산화물은 교류 스퍼터법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 제1층 내지 제15층은 동일 축이나 롤러 대 롤러 진 공 시스템의 증착이나 스퍼터 공정에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 도포층은 플라즈마 디스플레이나 액정 디스플레이의 기본 도포층인 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
기판과,

산화물로 구성되고 상기 기판 위에 설치되는 제5층과,

금속 물질로 구성되는 복수의 제4층과,

산화물로 구성되는 복수의 제3층과,

금속 물질로 구성되는 제2층과,

산화물로 구성되는 제1층이 함유되고,

상기 복수의 제4층과 상기 복수의 제3층이 교차하도록 퇴적되고, 상기 제5층 위에 설치되며 그리고, 순서대로 상기 제2층과 상기 제1층이 퇴적되고, 상기 제1층과 상기 복수의 제3층이 SnO：Sb로 구성되고, 상기 제2층과 상기 복수의 제4층이 은으로 구성되며, 상기 제5층이 TiO₂로 구성되고,

상기 산화물의 굴절률은 상기 금속 물질의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 8에 있어서,

상기 제5층의 물리적인 두께가 20㎚ 내지 40㎚까지의 범위 내에 있고, 상기 제4층의 물리적인 두께가 8㎚ 내지 12㎚까지의 범위 내에 있으며, 상기 제3층의 물리적인 두께가 30㎚ 내지 80㎚까지의 범위 내에 있고, 상기 제2층의 물리적인 두께가 8㎚ 내지 12㎚까지의 범위 내에 있으며, 상기 제1층의 물리적인 두께가 20㎚ 내지 40㎚까지의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 8에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 필름인 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 8에 있어서, 상기 기판은 글래스인 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 8에 있어서, 상기 제1층과 상기 복수의 제3층의 산화물의 굴절률은 1.9 내지 2.2까지의 범위 내에 있고, 상기 제2층과 상기 복수의 제4층의 금속 물질의 굴절률은 0.1 내지 0.5까지의 범위 내에 있으며, 상기 제5층의 산화물의 굴절률은 2.2 내지 2.4까지의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 8에 있어서, 상기 제1층과 상기 복수의 제3층의 산화물은 직류나 펄 스 직류 스퍼터법에 의해 형성되고, 상기 제2층과 상기 복수의 제4층의 금속 물질은 직류나 펄스 직류 스퍼터법에 의해 형성되며, 상기 제5층의 산화물은 교류 스퍼터법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 8에 있어서, 상기 제1층 내지 제5층은 동일 축이나 롤러 대 롤러 진공 시스템의 증착이나 스퍼터 공정에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.
청구항 8에 있어서, 상기 도포층은 플라즈마 디스플레이나 액정 디스플레이의 기본 도포층인 것을 특징으로 하는 저저항 기능이 부여된 투과 가능한 도전층을 최외층으로 하는 항반사 도포층.