KR100862704B1 - 폐액 처리 장치 및 그 방법 - Google Patents

폐액 처리 장치 및 그 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100862704B1
KR100862704B1 KR1020070020183A KR20070020183A KR100862704B1 KR 100862704 B1 KR100862704 B1 KR 100862704B1 KR 1020070020183 A KR1020070020183 A KR 1020070020183A KR 20070020183 A KR20070020183 A KR 20070020183A KR 100862704 B1 KR100862704 B1 KR 100862704B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
waste liquid
cooling
line
recovery
container
Prior art date
Application number
KR1020070020183A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080079777A (ko
Inventor
박상욱
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070020183A priority Critical patent/KR100862704B1/ko
Publication of KR20080079777A publication Critical patent/KR20080079777A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100862704B1 publication Critical patent/KR100862704B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C02—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F—TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
    • C02F1/00—Treatment of water, waste water, or sewage
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01F—MIXING, e.g. DISSOLVING, EMULSIFYING OR DISPERSING
    • B01F2101/00—Mixing characterised by the nature of the mixed materials or by the application field
    • B01F2101/305—Treatment of water, waste water or sewage

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Water Supply & Treatment (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Hydrology & Water Resources (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 폐액을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판을 처리하는 장치에서 사용된 처리액(폐액)을 기설정된 온도 이하로 냉각하여 메인 배수라인으로 배수시킨다. 특히, 본 발명은 고온의 폐액을 냉각라인이 제공되는 용기에 회수시키되, 상기 냉각라인은 상기 용기 내 액체상태의 폐액을 냉각함과 동시에 폐액으로부터 기화되는 기체상태의 폐액을 냉각시켜 응결시킨다. 본 발명은 폐액 처리시 발생되는 흄에 의해 설비가 오염되는 현상을 방지하고 폐액의 회수율을 향상시킨다.
Figure R1020070020183
반도체, 처리액, 폐액, 회수, 재생, 냉각, 열교환, 배수, 배기

Description

폐액 처리 장치 및 그 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING WASTE LIQUID}
도 1은 본 발명에 따른 폐액 처리 장치의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 플레이트의 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 플레이트의 변형된 예를 보여주는 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 폐액 처리 장치의 구성들을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4에 도시된 플레이트의 사시도이다.
도 6은 도 5에 도시된 플레이트의 변형된 예를 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 5에 도시된 플레이트의 또 다른 변형된 예를 보여주는 사시도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 반도체 제조 설비 200 : 냉각부재
10 : 기판 처리 장치 210 : 냉각라인
20 : 폐액 처리 장치 220 : 보조 열교환부재
100 : 용기 300 : 플레이트
102 : 수용부
104 : 회수부
106 : 배기부
본 발명은 폐액 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 집적회로 칩의 제조용 웨이퍼 및 평판 디스플레이 제조용 글라스와 같은 기판들을 처리하는 과정에서 발생되는 폐액을 처리하는 장치 및 그 방법에 관한 것이다.
일반적인 반도체 및 평판 디스플레이 제조 분야에서는 다양한 처리액을 사용하여 기판을 처리한다. 예컨대, 기판을 세정하는 세정 공정 및 기판 표면의 이물질을 식각하는 식각 공정에서는 다양한 종류의 약액(chemical)들이 사용된다. 이러한 습식으로 기판을 처리하는 공정에서는 공정에 사용된 처리액들(이하, '폐액'이라 함)을 처리하기 위한 폐액 처리 장치가 구비된다. 일반적인 폐액 처리 장치는 기판 처리 장치로부터 폐액을 회수하여 재사용을 위해 폐액을 재생시키거나 배수시킨다.
그러나, 일반적인 폐액 처리 장치는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 일반적인 폐액 처리 장치는 폐액으로부터 발생되는 흄을 효과적으로 처리하지 못했다. 예컨대, 기판 처리 장치가 고온의 약액(chemical)을 사용하는 경우에는 폐액 처리 장치로 회수된 고온의 폐액으로부터 다량의 흄(fume)이 발생된다. 그러나, 일반적인 폐액 처리 장치는 흄의 발생을 효율적으로 줄여주기 위한 수 단이 제공되어 있지 않으므로, 폐액 처리시 발생되는 흄이 기판 처리 장치로 재유입되어 설비를 오염시키는 문제점이 있었다. 특히, 고온의 폐액을 처리하는 과정에서는 다량의 폐액이 기화되어 기체상태로 배출되므로 폐액의 회수율이 저하된다.
둘째, 일반적인 폐액 처리 장치는 복수의 기판 처리 장치들 각각으로부터 폐액을 회수하여 이를 재생하거나 배수시킨다. 이를 위해, 폐액 처리 장치는 각각의 기판 처리 장치들과 연결되는 배수라인으로부터 폐액을 회수한다. 이러한 구조의 폐액 처리 장치는 하나의 기판 처리 장치의 폐액 처리시에도 배수라인이 연결되는 모든 기판 처리 장치들에 영향을 미칠 수 있다. 예컨대, 하나의 기판 처리 장치의 폐액 처리시 발생되는 흄은 배수라인을 통해 다른 기판 처리 장치로 재유입되어 배수라인이 연결되는 모든 기판 처리 장치를 오염시킬 수 있다.
셋째, 일반적인 폐액 처리 장치는 고온의 폐액을 효율적으로 처리하지 못했다. 즉, 일반적인 폐액 처리 장치는 단순히 기판 처리 장치들로부터 폐액을 회수한 후 메인 배수라인으로 배수시켰다. 그러나, 이러한 폐액 처리 장치가 고온의 폐액을 처리하는 경우에는 고온의 폐액의 냉각없이 메인 배수라인으로 직접 배수시키므로, 이러한 고온의 폐액의 처리로 인한 배수라인들의 손상이 발생될 수 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 효율적으로 폐액을 처리하는 폐액 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 폐액 처리시 폐액으로부터 발생되는 흄이 기판 처리 장치로 재유입되는 것을 방지하는 폐액 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한 다.
또한, 본 발명은 폐액 처리시 폐액에 의해 설비가 오염 및 손상되는 것을 방지하는 폐액 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 폐액의 회수율을 향상시키는 폐액 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 폐액 처리 장치는 상기 장치로부터 폐액을 회수하는 회수라인, 상기 회수라인으로부터 회수된 폐액을 수용하는 용기, 그리고 상기 용기로 회수되는 폐액을 냉각하는, 그리고 상기 용기에 회수된 폐액으로부터 기화되는 폐액을 응결시키는 냉각부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 용기에는 상기 회수라인으로부터 회수되는 폐액을 수용하는 수용부, 상기 수용부와 통하도록 상기 수용부의 상부 일측에 제공되고 상기 회수라인으로부터 폐액을 회수받는 회수부가 제공되고, 상기 냉각부재는 내부에 냉각유체가 흐르고 상기 회수부의 내부로 위치되는 제1 냉각라인을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 폐액 처리 장치는 상기 용기와 연결되어 상기 용기 내 공기를 배기시키는 배기라인을 더 포함하고, 상기 용기는 상기 수용부와 통하도록 상기 용기의 상부 타측에 제공되는, 그리고 상기 용기 내 공기를 상기 배기라인으로 배기시키는 배기부가 더 제공되며, 상기 냉각부재는 내부에 냉각유체가 흐르는, 그리고 상기 배기부의 내부에 위치되는 제2 냉각라인을 더 포함한 다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 폐액 처리 장치는 상기 수용부에 연결되어 폐액을 배수시키는 배수라인을 더 포함하되, 상기 배수라인은 상기 회수부에 비해 상기 배기부에 더 인접하도록 위치된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 냉각부재는 내부에 냉각유체가 흐르고 상기 용기의 수용부 상부벽을 따라 설치되는 제3 냉각라인을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 냉각부재는 내부에 냉각유체가 흐르고 상기 수용부 내 폐액을 냉각하도록 상기 수용부의 하부벽을 따라 설치되는 제4 냉각라인을 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 내지 제4 냉각라인은 하나의 라인으로 제공된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 폐액 처리 장치는 상기 회수부로부터 상기 배기부로 이동되는 유체의 유량을 조절하는 플레이트를 더 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플레이트는 상기 용기의 수용부 상부벽으로부터 아래 방향으로 연장되며, 상기 회수부로부터 상기 배기부로 이동되는 상기 용기 내 공기를 통과시키는 적어도 하나의 제1 홀이 형성되는 몸체를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 플레이트는 상기 용기의 수용부 상부벽으로부터 아래 방향으로 연장되며, 상기 회수부로부터 상기 배기부로 이동되는 상기 용기 내 공기를 통과시키는 적어도 하나의 제1 홀이 형성되는 제1 몸체, 그리고 상기 제1 몸체의 하단으로부터 아래 방향으로 연장되며, 상기 회수부로부터 상기 배 기부로 상기 용기 내 폐액을 통과시키는 적어도 하나의 제2 홀이 형성되는 제2 몸체를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제1 몸체 및 상기 제2 몸체는 일체로 제공된다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 폐액 처리 방법은 기판을 처리하는 장치로부터 폐액을 회수하여 배수시키되, 상기 폐액을 회수시키는 용기 내부에 냉각라인을 제공하여 상기 폐액을 냉각한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 용기로 회수된 폐액으로부터 기화되는 기체상태의 폐액은 상기 냉각라인에 의해 냉각되어 응결된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 용기에는 상기 폐액을 회수받는 회수부, 상기 회수부로부터 회수된 폐액을 수용하는 수용부, 그리고 상기 수용부 내 공기를 배기시키는 배기부가 제공되고, 상기 기체상태의 폐액은 상기 회수부 및 상기 수용부, 그리고 상기 배기부에 제공되는 냉각라인에 의해 응결된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 수용부의 상기 기체상태의 폐액 응결은 상기 수용부에 설치되는 냉각라인에 의해 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 수용부 내 액체상태의 폐액은 상기 수용부에 설치되는 냉각라인에 의해 냉각된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용 이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공되는 것이다. 또한, 본 실시예에서는 반도체 기판을 습식으로 세정하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 모든 기판 처리 장치에 적용이 가능하다.
(실시예1)
도 1은 본 발명에 따른 폐액 처리 장치가 구비된 반도체 제조 설비의 구성들을 보여주는 도면이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 제조 설비(substrate treating facility)(1)는 기판 처리 장치(apparatus for treating substrate)(10) 및 폐액 처리 장치(apparatus for treating waste liquid)(20)를 포함한다.
기판 처리 장치(10)는 기판을 처리하는 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(10)는 반도체 집적회로 칩 제조용 웨이퍼를 습식으로 처리하는 장치이다. 예컨대, 기판 처리 장치(10)는 다양한 종류의 약액(chemcial) 및 초순수를 사용하여 기판을 세정하는 습식 세정 장치, 기판 표면에 불필요한 박막과 같은 이물질을 제거하는 식각 공정 장치일 수 있다. 본 실시예에서는 기판 처리 장치(10)가 반도체 집적회로 칩의 제조를 위한 장치인 것을 예로 들어 설명하였으나, 기판 처리 장치(10)는 평판 디스플레이 제조용 유리 기판을 처리하는 장치일 수 있다.
폐액 처리 장치(20)는 기판 처리 장치(10)에서 사용된 처리액(이하, '폐액'이라 함)을 처리한다. 폐액 처리 장치(20)는 회수라인(collect line)(22), 배기라 인(exhaust line)(24), 배수라인(drain line)(26), 메인 배수라인(main drain line)(28), 용기(vessel)(100), 냉각부재(cooling member)(200), 그리고 플레이트(300)를 포함한다.
회수라인(22)은 기판 처리 장치(10)로부터 용기(100)로 폐액을 회수한다. 회수라인(22)은 용기(100)의 상부벽 일측에 제공되는 회수부(104)와 연결된다. 본 실시예에서는 회수라인(22)이 하나의 기판 처리 장치(10)로부터 폐액을 회수하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 회수라인(22)은 복수의 기판 처리 장치(10) 각각으로부터 폐액들을 회수할 수 있다.
배기라인(24)은 용기(100) 내 공기를 배기(exhaust)한다. 배기라인(24)은 용기(100)의 상부벽 타측에 제공되는 배기부(106)와 연결된다. 따라서, 용기(100) 내 공기는 배기라인(24)을 통해 반도체 제조 설비(1) 외부로 배기된다.
배수라인(26)은 용기(100)로부터 메인 배수라인(28)으로 폐액을 배수한다. 이때, 배수라인(26)을 통해 메인 배수라인(28)으로 배수되는 폐액은 냉각부재(200)에 의해 일정온도 이하로 냉각된 폐액이다. 메인 배수라인(28)은 배수라인(26)으로부터 냉각된 폐액을 회수받아 폐수 처리실(미도시됨)으로 이동시킨다.
용기(100)는 수용부(storage member)(102), 회수부(collect member)(104), 그리고 배기부(exhaust member)(106)를 가진다. 수용부(102)는 회수라인(22)으로부터 회수되는 폐액을 저장한다. 회수부(104)는 수용부(102)의 상부 일측에 제공된다. 회수부(104)는 회수라인(22)으로부터 폐액을 회수받는다. 배기부(106)는 수용부(102)의 상부 타측에 제공된다. 배기부(106)는 용기(100) 내 공기를 외부로 배기 시킨다. 여기서, 회수부(104)와 배기부(106)의 배치는 용기(100)의 다양한 위치에 제공될 수 있으나, 회수부(104)와 배기부(106)는 되도록 멀리 떨어지도록 설치되는 것이 바람직하다. 이는 냉각부재(200)가 회수부(104)로부터 배기부(106)로 이동되는 폐액의 이동거리를 증가시켜, 폐액이 냉각부재(200)에 의해 냉각되는 시간을 증가시키기 위함이다.
냉각부재(200)는 용기(100)로 회수된 폐액을 냉각시킨다. 또한, 냉각부재(200)는 용기(100) 내 폐액으로부터 기화된 기체상태의 폐액을 냉각시켜 응결시킨다. 냉각부재(200)는 냉각라인(cooling line)(210) 및 냉각유체 순환라인(cooling fluid circulation line)(220)을 포함한다.
냉각라인(210)은 용기(100)의 내부에 제공된다. 냉각라인(210)의 내부에는 냉각유체가 흐르는 통로가 형성된다. 냉각라인(210)은 제1 내지 제4 냉각라인(212, 214, 216, 218)을 포함한다.
제1 냉각라인(212)은 회수부(104)의 내부에 제공된다. 제1 냉각라인(212)은 회수부(104)로 회수되는 폐액과 접촉하여 폐액을 냉각한다. 제1 냉각라인(212)은 폐액과의 접촉면적을 증가시키기 위해 복수회 감겨지는 형상을 가지는 것이 바람직하다.
제2 냉각라인(214)은 배기부(106)의 내부에 제공된다. 제2 냉각라인(214)은 배기부(106)로 배기되는 공기 중 기화상태의 폐액을 냉각시켜 응결시킨다. 제2 냉각라인(214)은 기체상태의 폐액과의 접촉면적을 증가시키기 위해 복수회 감겨지는 형상을 가지는 것이 바람직하다.
제3 냉각라인(216)은 수용부(102) 내 기화상태의 폐액을 냉각시켜 응결시킨다. 제3 냉각라인(216)은 수용부(102)의 내부에 제공된다. 제3 냉각라인(216)은 수용부(102)의 상부벽(108)을 따라 설치된다. 제3 냉각라인(216)의 일단은 제1 냉각라인(212)과 연결되고, 제3 냉각라인(216)의 타단은 제2 냉각라인(214)과 연결된다. 제3 냉각라인(216)은 상부벽(108) 전반에 걸쳐 배치되도록 동일 높이에서 복수회 감겨지는 형상을 가지는 것이 바람직하다.
제4 냉각라인(218)은 수용부(102)에 수용된 폐액을 냉각한다. 제4 냉각라인(218)은 수용부(102)의 하부벽(109)을 따라 배치된다. 제4 냉각라인(218)은 하부벽(109) 전반에 걸쳐 배치되도록 동일 높이에서 복수회 감겨지는 형상을 가지는 것이 바람직하다. 제4 냉각라인(218)은 수용부(102)에 수용된 폐액을 직접 냉각하여 폐액을 일정온도 이하로 냉각시킨다.
여기서, 상술한 제1 내지 제4 냉각라인(212, 214, 216, 218)은 하나의 라인으로 이루어진다. 따라서, 냉각유체는 제1 냉각라인(212)으로부터 출발하여 제3 냉각라인(216), 제2 냉각라인(214), 그리고 제4 냉각라인(218)으로 순차적으로 이동되면서 용기(100) 내 폐액을 냉각시킨다.
냉각유체 순환라인(220)은 냉각유체 공급관(cooling fluid supply line)(222) 및 냉각유체 회수관(cooling fluid collect line)(224)을 포함한다. 냉각유체 공급관(222)은 냉각유체 공급원(미도시됨)으로부터 제1 냉각라인(212)의 일단으로 냉각유체를 공급하고, 냉각유체 회수관(224)은 제4 냉각라인(218)의 일단으로부터 냉각유체 공급원으로 냉각유체를 회수한다. 여기서, 냉각유체로는 냉각수가 사용된다. 예컨대, 냉각유체로는 일정한 온도로 유지되는 초순수가 사용될 수 있다. 또는, 선택적으로 냉각유체로는 냉각가스가 사용될 수 있다.
본 실시예에서는 제1 내지 제4 냉각라인(212, 214, 216, 218)이 하나의 라인으로 제공되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 제1 내지 제4 냉각라인(212, 214, 216, 218)들 중 적어도 어느 하나는 별도의 라인으로 제공될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 제1 내지 제4 냉각라인(212, 214, 216, 218)이 복수회 감겨지는 형상을 가지는 것을 예로 들어 설명하였으나, 제1 내지 제4 냉각라인(212, 214, 216, 218)의 형상은 다양하게 변경이 가능하다.
플레이트(300)는 회수부(104)로부터 배기부(106)로 이동되는 기체상태의 폐액의 흐름을 조절한다. 플레이트(300)는 판 형상의 몸체(310)를 가진다. 몸체(310)는 수용부(102)의 상부벽(108)으로부터 아래방향으로 연장된다. 이때, 몸체(310)의 하단(314)의 높이는 수용부(102) 내 폐액의 수면보다 높도록 설치된다. 몸체(310)에는 기체상태의 폐액이 통과되는 홀(312)이 형성된다. 홀(312)은 도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 슬릿(slit) 형상을 가진다. 또는, 도 3에 도시된 바와 같이, 홀(312')은 복수개가 원 형상으로 제공될 수 있다. 플레이트(300 또는 300')에 제공되는 홀의 형상 및 개수는 다양하게 변경 및 변형될 수 있다.
이하, 상술한 폐액 처리 장치(20)의 폐액 냉각 과정을 상세히 설명한다. 기판 처리 장치(10)에서 사용된 처리액(폐액)은 회수라인(22)을 통해 용기(100)의 회수부(104)로 회수된다. 회수부(104)로 회수된 폐액은 제1 냉각라인(212)에 의해 일차적으로 냉각된 후 수용부(102)에 수용된다. 수용부(102)로 수용된 폐액은 제4 냉 각라인(218)에 의해 냉각된다. 그리고, 냉각된 폐액은 배수라인(26)을 통해 용기(100)로부터 배출되어 메인 배수라인(28)으로 배수된다.
그리고, 용기(100) 내 폐액으로부터 기화되어 회수부(104)로부터 배기부(106)로 이동되는 기체상태의 폐액은 제3 냉각라인(216)에 의해 응결되어 다시 수용부(102)로 회수된 후 배수라인(26)을 통해 배수된다. 이때, 플레이트(300)는 회수부(104)로부터 배기부(106)로 이동되는 공기의 흐름을 지연시켜, 기체 상태의 폐액이 냉각라인(210)에 의해 냉각되는 시간을 증가시킨다. 따라서, 플레이트(300)는 기체상태 폐액을 효과적을 냉각시켜 응결시킴으로써 폐액의 회수율을 향상시킨다. 그리고, 용기(100) 내 공기는 배기부(106)를 통해 용기(100) 외부로 배출된다. 이때, 제2 냉각라인(214)은 배기부(106)를 통해 배기되는 공기 중 기체상태의 폐액을 냉각시킨다. 따라서, 배기부(106)로 배출되는 공기에는 기체상태의 폐액이 포함되지 않는다.
상술한 폐액 처리 장치(20)는 기판 처리 장치(10)로부터 폐액을 회수하여 효과적으로 냉각시킨 후 배수시킨다. 또한, 폐액 처리 장치(20)는 폐액 처리시 발생되는 흄(기체상태의 폐액)을 효과적으로 응결시켜 폐액의 회수율을 향상시킨다.
(실시예2)
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 폐액 처리 장치(20')를 상세히 설명한다. 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 폐액 처리 장치의 구성들을 보여주는 도면이고, 도 5는 도 4에 도시된 플레이트의 사시도이다. 그리고, 도 6은 도 5에 도시된 플레이트의 변형된 예를 보여주는 사시도이고, 도 7은 도 5에 도시된 플레이트의 또 다른 변형된 예를 보여주는 사시도이다.
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 폐액 처리 장치(20)의 냉각부재(200)는 용기(100)의 내부에 냉각라인(210)을 제공함으로써 용기(100) 내 폐액을 냉각시킨다. 그러나, 냉각라인(210)의 제1 냉각라인(212) 및 제2 냉각라인(214)은 단순히 회수부(104) 및 배기부(106)의 내부에 복수회 감겨지는 형상을 제공되어 폐액을 냉각하도록 제공되므로, 냉각라인(210)의 냉각 효율이 낮을 수 있다. 예컨대, 회수부(104)로 회수되는 폐액은 제1 냉각라인(212)을 지나면서 제1 냉각라인(212) 내부를 따라 흐르는 냉각유체와 열교환되므로, 폐액의 냉각효율을 향상시키기 위해서는 폐액과 제1 냉각라인(212)의 접촉면적 및 접촉시간을 증가시켜야 할 필요가 있다.
또한, 상술한 일 실시예에 따른 플레이트(300)는 회수부(104)로부터 배기부(106)로 이동되는 공기의 흐름만을 조절하도록 제공된다. 그러나, 수용부(102)에 수용된 폐액(특히, 폐액의 수면)은 지속적으로 기화가 진행되므로, 수용부(102)로 회수된 폐액이 충분히 냉각되지 않고 배기부(106)로 이동되면 배기부(106)에 설치되는 제2 냉각라인(214)이 응결시켜야 할 기체상태의 폐액의 양이 증가한다. 따라서, 수용부(102) 내 폐액이 회수부(104) 측으로부터 배기부(106) 측으로 이동되기 전에 냉각라인(210)에 의해 충분히 냉각되도록 그 흐름을 조절할 필요가 있다.
따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 제조 설비(1')의 냉각부재(200')는 플레이트(300a) 및 보조 열교환부재(400)를 더 포함한다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 플레이트(300a)는 용기(100) 내 액체상태의 폐액과 기체상태의 폐액 의 흐름을 함께 조절한다. 또한, 보조 열교환부재(400)는 제1 냉각라인(212) 및 제2 냉각라인(214)과 폐액과의 접촉면적 및 접촉시간을 증가시킨다.
플레이트(300a)는 용기(100)의 수용부(102) 상부벽(108)으로부터 아래 방향으로 연장되는 판 형상의 몸체를 가진다. 용기(100)의 수용부(102) 내부는 플레이트(300a)에 의해 회수부(104)와 인접하는 제1 영역(102a)과 배기부(106)와 인접하는 제2 영역(102b)으로 구획된다. 몸체는 제1 몸체(310a) 및 제2 몸체(320a)를 가진다. 제1 몸체(310a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 플레이트(300)의 몸체(310)와 동일한 구조를 가진다. 제2 몸체(320a)는 제1 몸체(310a)의 하단으로부터 아래방향으로 연장된다. 제2 몸체(320a)에는 제1 몸체(310a)에 형성된 제1 홀(312a)과 동일한 형상의 홀(322a)이 형성된다. 홀(322a)은 제1 영역(102a)으로부터 제2 영역(102b)으로 이동되는 폐액이 통과되도록 제공된다. 이때, 제1 몸체(310a)와 제2 몸체(320a)가 연결되는 부분(c)이 수용부(102)에 수용된 폐액의 수면과 상응하도록 한다.
본 실시예에서는 제1 몸체(310a)와 제2 몸체(320a)에 동일한 형상의 홀이 형성되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 제1 몸체(310a)와 제2 몸체(320a)에 형성되는 홀은 다양하게 변경 및 변형이 가능하다. 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같이, 플레이트(300a')의 제1 몸체(310a')와 제2 몸체(320a')는 복수의 원형 홀들(312a', 322a')이 형성될 수 있다. 또는, 도 7에 도시된 바와 같이, 플레이트(300a'')의 제1 몸체(310a'')에 제공되는 홀(312a'')의 형상과 제2 몸체(320a'')에 제공되는 홀(322a'')의 형상은 서로 상이할 수 있다.
상술한 구조의 플레이트(300a)는 제1 몸체(310a)가 제1 영역(102a)으로부터 제2 영역(102b)으로 이동되는 기체상태의 폐액의 흐름을 지연시키고, 제2 몸체(320a)가 제1 영역(102a)으로부터 제2 영역(102b)으로 이동되는 액체상태의 폐액의 흐름을 지연시킨다. 특히, 제1 몸체(310a)와 제2 몸체(320a)의 연결부분(c)은 제1 영역(102a)으로부터 제2 영역(102b)으로 이동되는 폐액의 수면 부분의 흐름을 차단한다. 따라서, 플레이트(300a)는 용기(100) 내 기체상태의 폐액의 흐름의 조절과 함께 액체상태의 폐액의 흐름을 조절하여, 폐액이 제1 영역(102a)으로부터 제2 영역(102b)으로 이동되기 전에 폐액이 제1 냉각라인(212) 및 제3 냉각라인(216)에 의해 충분히 냉각되도록 하여 배기부(106)의 부담을 줄여준다. 특히, 플레이트(300a)는 폐액의 기화율이 높은 폐액의 수면 부분이 제1 영역(102a)으로부터 제2 영역(102b)으로 이동되는 것을 차단하여 배기부(106)로 기화되는 폐액의 량을 감소시킬 수 있다.
보조 열교환부재(400)는 제1 열교환부재(410) 및 제2 열교환부재(420)를 포함한다. 제1 열교환부재(410)는 회수부(104)의 내부에 설치되고, 제2 열교환부재(420)는 배기부(106)의 내부에 설치된다. 제1 열교환부재(410)와 제2 열교환부재(420)는 대체로 동일한 구성 및 구조, 그리고 기능을 가진다. 따라서, 제1 열교환부재(410)의 구성들에 대해 설명하고 제2 열교환부재(420)에 대한 상세한 설명은 생략한다.
제1 열교환부재(410)는 흐름지연판(412) 및 열교환라인(414)을 가진다. 흐름지연판(412)은 회수부(104)로부터 수용부(102)로 이동되는 폐액의 흐름을 지연시킨다. 흐름지연판(412)은 복수의 격판들로 이루어지며, 각각의 격판들은 주름지도록 형상지어질 수 있다. 공정시 회수라인(22)을 통해 회수부(104)로 회수된 폐액은 흐름지연판(412)에 의해 수용부(102)로 이동되는 흐름이 지연되어, 제1 냉각라인(212)과의 열교환 시간을 증가시킨다. 열교환라인(414)은 흐름지연판(412)의 내부에 제공된다.
열교환라인(414)은 흐름지연판(412)의 내부에서 복수회 감겨지는 형상을 가진다. 또한, 열교환라인(414)은 제1 냉각라인(212)과 인접하게 배치된다. 열교환라인(414)은 금속재질의 관으로 이루어지며, 제1 냉각라인(212)에 의해 냉각된다. 따라서, 열교환라인(414)은 제1 냉각라인(212)에 의해 일정한 온도로 냉각되며, 공정시 회수부(104)를 통과하는 폐액을 냉각시킨다.
본 실시예에서는 복수의 격판들을 가지는 구조의 흐름지연판(412)을 예로 들어 설명하였으나, 흐름지연판(412)은 폐액이 제1 냉각라인(212)과의 열교환 시간을 증가시키기 위해 폐액의 흐름을 지연시키는 것으로, 흐름지연판(412)의 구조는 다양하게 변경 및 변형될 수 있다. 이러한 보조 열교환부재(400)의 구조는 에어컨에 구비되는 제습기의 구조와 대체로 유사하며, 이러한 제습기에 대한 기술은 일반적으로 널리 인지되고 사용되는 기술이므로 구체적인 설명은 생략한다.
상술한 폐액 처리 장치(20')는 플레이트(300a)가 용기(100) 내 액체상태의 폐액과 기체상태의 폐액의 흐름을 함께 조절해줌으로써, 용기(100) 내 폐액이 냉각라인(210)에 의해 냉각되는 시간을 증가시켜 폐액을 효율적으로 냉각한다. 또한, 폐액 처리 장치(20')는 제1 냉각라인(212) 및 제2 냉각라인(214)과 폐액과의 접촉면적 및 접촉시간을 증가시키는 보조 열교환부재(400)를 구비함으로써 용기(100) 내 폐액을 효율적으로 냉각시킨다. 따라서, 폐액 처리 장치(20')는 일 실시예에 따른 폐액 처리 장치(20)에 비해 폐액의 냉각효율을 향상시켜 폐액의 회수율을 증가시킨다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 폐액 처리 장치 및 방법은 폐액을 효율적으로 처리한다. 특히, 본 발명은 고온의 폐액을 효과적으로 냉각시켜 폐액으로부터 발생되는 흄에 의해 설비가 오염 및 손상되는 현상을 방지하고, 폐액의 회수율을 향상시킨다.

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 폐액을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 처리하는 장치로부터 폐액을 회수하는 회수라인과,
    상기 회수라인으로부터 회수된 폐액을 수용하는 용기와,
    상기 용기로 회수되는 폐액을 냉각하는, 그리고 상기 용기에 회수된 폐액으로부터 기화되는 폐액을 응결시키는 냉각부재를 포함하되;
    상기 용기에는,
    상기 회수라인으로부터 회수되는 폐액을 수용하는 수용부와,
    상기 수용부와 통하도록 상기 수용부의 상부 일측에 제공되는, 그리고 상기 회수라인으로부터 폐액을 회수받는 회수부가 제공되고,
    상기 냉각부재는,
    내부에 냉각유체가 흐르는, 그리고 상기 회수부의 내부로 위치되는 제1 냉각라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 폐액 처리 장치는,
    상기 용기와 연결되어 상기 용기 내 공기를 배기시키는 배기라인을 더 포함하고,
    상기 용기는,
    상기 수용부와 통하도록 상기 용기의 상부 타측에 제공되는, 그리고 상기 용기 내 공기를 상기 배기라인으로 배기시키는 배기부가 더 제공되며,
    상기 냉각부재는,
    내부에 냉각유체가 흐르는, 그리고 상기 배기부의 내부에 위치되는 제2 냉각라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 폐액 처리 장치는,
    상기 수용부에 연결되어 폐액을 배수시키는 배수라인을 더 포함하되,
    상기 배수라인은,
    상기 회수부에 비해 상기 배기부에 더 인접하도록 위치되는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 냉각부재는,
    내부에 냉각유체가 흐르는, 그리고 상기 용기의 수용부 상부벽을 따라 설치되는 제3 냉각라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 냉각부재는,
    내부에 냉각유체가 흐르는, 그리고 상기 수용부 내 폐액을 냉각하도록 상기 수용부의 하부벽을 따라 설치되는 제4 냉각라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 냉각라인은,
    하나의 라인으로 제공되는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 장치.
  8. 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폐액 처리 장치는,
    상기 회수부로부터 상기 배기부로 이동되는 유체의 유량을 조절하는 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 플레이트는,
    상기 용기의 수용부 상부벽으로부터 아래 방향으로 연장되며, 상기 회수부로부터 상기 배기부로 이동되는 상기 용기 내 공기를 통과시키는 적어도 하나의 제1 홀이 형성되는 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 플레이트는,
    상기 용기의 수용부 상부벽으로부터 아래 방향으로 연장되며, 상기 회수부로부터 상기 배기부로 이동되는 상기 용기 내 공기를 통과시키는 적어도 하나의 제1 홀이 형성되는 제1 몸체, 그리고
    상기 제1 몸체의 하단으로부터 아래 방향으로 연장되며, 상기 회수부로부터 상기 배기부로 상기 용기 내 폐액을 통과시키는 적어도 하나의 제2 홀이 형성되는 제2 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제1 몸체 및 상기 제2 몸체는,
    일체로 제공되는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 장치.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 기판을 처리하는 장치로부터 폐액을 회수하여 배수시키되, 상기 폐액을 회수시키는 용기 내부에 냉각라인을 제공하여 상기 폐액을 냉각하고, 상기 용기로 회수된 폐액으로부터 기화되는 기체상태의 폐액은, 상기 냉각라인에 의해 냉각되어 응결되되;
    상기 용기에는,
    상기 폐액을 회수받는 회수부와,
    상기 회수부로부터 회수된 폐액을 수용하는 수용부와,
    상기 수용부 내 공기를 배기시키는 배기부가 제공되고,
    상기 기체상태의 폐액은,
    상기 회수부 및 상기 수용부, 그리고 상기 배기부에 제공되는 냉각라인에 의해 응결되는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 수용부의 상기 기체상태의 폐액 응결은,
    상기 수용부에 설치되는 냉각라인에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 방법.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 수용부 내 액체상태의 폐액은,
    상기 수용부에 설치되는 냉각라인에 의해 냉각되는 것을 특징으로 하는 폐액 처리 방법.
KR1020070020183A 2007-02-28 2007-02-28 폐액 처리 장치 및 그 방법 KR100862704B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070020183A KR100862704B1 (ko) 2007-02-28 2007-02-28 폐액 처리 장치 및 그 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070020183A KR100862704B1 (ko) 2007-02-28 2007-02-28 폐액 처리 장치 및 그 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080079777A KR20080079777A (ko) 2008-09-02
KR100862704B1 true KR100862704B1 (ko) 2008-10-10

Family

ID=40020567

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070020183A KR100862704B1 (ko) 2007-02-28 2007-02-28 폐액 처리 장치 및 그 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100862704B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190020221A (ko) * 2017-08-17 2019-02-28 주식회사 디엠에스 미스트 회수장치 및 이를 이용한 기판처리시스템

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353186A (ja) 2001-05-30 2002-12-06 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄装置の薬液リサイクルシステムおよび枚葉式基板洗浄装置
JP2003230880A (ja) 2001-12-06 2003-08-19 Horio Hiroshi ウエハ処理廃液の処理システムと、その再生スラリー利用管理システム
KR20040033146A (ko) * 2002-10-11 2004-04-21 김영준 소프트 에칭 폐액의 재활용을 위한 용해 유산동 회수 방법및 장치
KR20050030041A (ko) * 2003-09-24 2005-03-29 주식회사 디엠에스 기판의 약액 처리장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002353186A (ja) 2001-05-30 2002-12-06 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄装置の薬液リサイクルシステムおよび枚葉式基板洗浄装置
JP2003230880A (ja) 2001-12-06 2003-08-19 Horio Hiroshi ウエハ処理廃液の処理システムと、その再生スラリー利用管理システム
KR20040033146A (ko) * 2002-10-11 2004-04-21 김영준 소프트 에칭 폐액의 재활용을 위한 용해 유산동 회수 방법및 장치
KR20050030041A (ko) * 2003-09-24 2005-03-29 주식회사 디엠에스 기판의 약액 처리장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190020221A (ko) * 2017-08-17 2019-02-28 주식회사 디엠에스 미스트 회수장치 및 이를 이용한 기판처리시스템
KR101980640B1 (ko) * 2017-08-17 2019-05-23 주식회사 디엠에스 미스트 회수장치 및 이를 이용한 기판처리시스템

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080079777A (ko) 2008-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100357316B1 (ko) 기판 건조장치 및 기판 건조방법
EP0782889B1 (en) Method and apparatus for washing or for washing-drying substrates
TW502332B (en) Substrate processing unit
JPH06283496A (ja) 洗浄処理後の基板の乾燥処理装置
JP2014130940A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR100862704B1 (ko) 폐액 처리 장치 및 그 방법
US6918192B2 (en) Substrate drying system
US9892939B2 (en) Substrate treating apparatus and chemical recycling method
US20210118704A1 (en) Substrate processing apparatus and apparatus cleaning method
JP2000055543A (ja) 蒸気処理装置及び蒸気処理方法
JP3782314B2 (ja) 塗布処理装置
KR20080056856A (ko) 배기부재 및 상기 배기부재의 약액 배기 방법, 그리고 상기배기부재를 구비하는 기판 처리 장치
US20050045208A1 (en) Apparatus and method for cleaning semiconductor substrates
JP4025146B2 (ja) 処理液用タンク及び処理装置
JP2014130931A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR0180344B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 건조장치
KR20010068648A (ko) 웨이퍼 세정장치
JP3910182B2 (ja) 蒸気乾燥装置
JP2002261072A (ja) 基板処理装置
KR200148632Y1 (ko) 습식세정장치의 케미컬 베스
KR20090058773A (ko) 기판 처리 장치
JP2007524232A (ja) 回路基板の乾燥方法および装置
KR102134431B1 (ko) 기판 처리 장치
JP3517135B2 (ja) 基板処理装置
KR100545191B1 (ko) 반도체 제조 장비의 습기 제거장치 및 제거방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121004

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131001

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141006

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee