KR100859084B1 - Organic Light Emitting Diode And Method For Preparing Thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은, (a) 하부전극 상에 하부절연층을 형성하는 단계; (b) 상기 하부절연층 상에 상기 하부절연층 보다 식각속도가 늦은 상부절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 상부절연층과 상기 하부절연층을 식각하여, 상기 상부절연층에서 상기 하부절연층을 거쳐 상기 하부전극에 이르는 개구부를 형성하는 단계로서, 상기 개구부 중 상기 상부절연층에 형성된 상부개구부의 둘레 보다 상기 하부절연층에 형성된 하부개구부의 둘레가 큰 오버행(overhang) 구조가 형성되도록 하는 단계; (d) 상기 개구부 내부의 상기 하부전극 상부면과 상기 상부절연층에 전도층을 형성하는 단계; (e) 상기 개구부 내부에서 상기 하부전극 상부에 형성된 전도층 위에 유기물층을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 상부절연층 상부에 형성된 전도층 상부와 상기 유기물층 상부에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 유기발광소자를 제공한다.The present invention comprises the steps of (a) forming a lower insulating layer on the lower electrode; (b) forming an upper insulating layer on the lower insulating layer, the upper insulating layer having a lower etching speed than the lower insulating layer; (c) forming an opening from the upper insulating layer to the lower electrode through the lower insulating layer by etching the upper insulating layer and the lower insulating layer, wherein an upper opening formed in the upper insulating layer among the openings Forming an overhang structure having a larger circumference of a lower opening formed in the lower insulating layer than a circumference of the lower insulating layer; (d) forming a conductive layer on the upper surface of the lower electrode and the upper insulating layer in the opening; (e) forming an organic material layer on the conductive layer formed on the lower electrode in the opening; And (f) forming an upper electrode on the conductive layer formed on the upper insulating layer and on the organic material layer, and the organic light emitting device manufactured by the method.

유기발광소자, 절연층, 오버행 구조 Organic light emitting device, insulating layer, overhang structure

Description

유기발광소자 및 그의 제조방법{Organic Light Emitting Diode And Method For Preparing Thereof}Organic Light Emitting Diode And Method For Preparing Thereof}

도 1은 종래 유기발광소자의 단면도, 1 is a cross-sectional view of a conventional organic light emitting diode,

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광소자의 단면도, 2 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention;

도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 일실시예에 따른 유기발광소자의 제조공정도,3a to 3g is a manufacturing process of the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention,

도 4는 도 3c에 대응하여 도 3c와 건식식각영역을 달리한 예를 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a diagram illustrating an example in which the dry etching region is different from that of FIG. 3C, corresponding to FIG. 3C.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

20 : 하부전극 30 : 하부절연층20: lower electrode 30: lower insulating layer

31 : 오버행 구조 32a : 하부개구부31: overhang structure 32a: lower opening

32b : 상부개구부 40 : 상부절연층32b: upper opening 40: upper insulating layer

50a : 제1전도층 50b : 제2전도층50a: first conductive layer 50b: second conductive layer

60 : 유기물층 70 : 상부전극60: organic material layer 70: upper electrode

본 발명은, 상부절연층에서 하부절연층을 거쳐 하부전극에 이르는 개구부 중 상부절연층에 형성된 상부개구부의 둘레 보다 상기 하부절연층에 형성된 하부개구부의 둘레가 큰 오버행(overhang) 구조를 갖는 유기발광소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 유기발광소자에 관한 것이다.The present invention provides an organic light emitting diode having an overhang structure in which the periphery of the lower opening formed in the lower insulating layer is larger than the periphery of the upper opening formed in the upper insulating layer among the openings extending from the upper insulating layer to the lower electrode through the lower insulating layer. A method of manufacturing a device and an organic light emitting device manufactured thereby.

유기발광현상을 이용하는 유기발광소자는 저전압으로 고휘도의 실현이 가능하다는 장점 때문에 각종 조명장치에 그 적용이 활발하고, 또한 저전압구동, 경량박형, 광시야각 그리고 고속응답 등의 장점으로 인해 디스플레이장치에 그 적용이 활발하다.The organic light emitting device using the organic light emitting phenomenon is applied to various lighting devices due to the advantage that high brightness can be realized at low voltage, and also due to the advantages of low voltage driving, light weight, wide viewing angle and high speed response, Application is active.

유기발광현상이란 유기물질을 이용하여 전기 에너지를 빛에너지로 전환시켜 주는 현상을 말한다. 즉, 양극과 음극 사이에 유기물층을 위치시켰을 때, 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 된다. 이 주입된 정공과 전자가 만났을 때 여기자(exciton)가 형성되고 이 여기자가 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 되는 것이다.Organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon that converts electrical energy into light energy using organic materials. That is, when the organic material layer is positioned between the anode and the cathode, when a voltage is applied between the two electrodes, holes are injected into the organic material and electrons are injected into the cathode. When the injected holes and electrons meet, an exciton is formed, and when the exciton falls back to the ground state, it glows.

종래 유기발광소자는 도 1에 도시된 바와 같이, 기판(미도시); 기판(미도시) 위에 형성된 하부전극(200); 하부전극(200) 위에 형성되며, 실질적인 발광 면적인 개구부(301)가 형성된 절연층(300); 개구부(301) 내부에서 하부전극(200)의 상부면과 절연층(300)의 전영역에 걸쳐 형성된 전도층(500); 개구부(301) 내부에 위치한 전도층(500)의 상부면에 형성된 유기물층(미도시) 및 절연층(300)의 상부면에 형성된 전도층(500)의 상부면과 유기물층(미도시)의 상부면에 형성된 상부전극(미도시)을 포함한다.Conventional organic light emitting device as shown in Figure 1, a substrate (not shown); A lower electrode 200 formed on a substrate (not shown); An insulating layer 300 formed on the lower electrode 200 and having an opening 301 having a substantially light emitting area; A conductive layer 500 formed in the opening 301 over the upper surface of the lower electrode 200 and the entire region of the insulating layer 300; The organic layer (not shown) formed on the upper surface of the conductive layer 500 located inside the opening 301 and the upper surface of the conductive layer 500 formed on the upper surface of the insulating layer 300 and the upper surface of the organic layer (not shown). It includes an upper electrode (not shown) formed in.

여기서, 개구부(301) 하나가 하나의 발광 픽셀을 형성하게 되며, 하부전극 (200) 위에는 동일한 형태로 여러 개의 발광 픽셀이 형성되어 있다.Here, one opening 301 forms one light emitting pixel, and a plurality of light emitting pixels are formed on the lower electrode 200 in the same shape.

그러나 종래 유기발광소자의 경우, 유기발광소자의 구동을 위해 전원을 인가하면 도 1에 도시된 바와 같이, 화살표 방향으로 누설전류가 흐르게 된다. 즉, 전도층(500)의 표면방향을 따라 누설전류가 흐르게 되고, 이 누설전류는 이웃한 다른 발광 픽셀로 유입되어 임의로 다른 발광 픽셀을 점등시키게 된다는 문제점이 있다.However, in the conventional organic light emitting device, when a power is applied to drive the organic light emitting device, a leakage current flows in the direction of the arrow as shown in FIG. 1. That is, there is a problem that a leakage current flows along the surface direction of the conductive layer 500, and the leakage current flows into another neighboring light emitting pixel to randomly light another light emitting pixel.

따라서, 본 발명의 목적은, 상부절연층에서 하부절연층을 거쳐 하부전극에 이르는 개구부 중 상부절연층에 형성된 상부개구부의 둘레 보다 상기 하부절연층에 형성된 하부개구부의 둘레가 큰 오버행(overhang) 구조를 갖는 유기발광소자의 제조방법 및 이에 의해 제조된 유기발광소자를 제공하는 것이다.Accordingly, an object of the present invention is to provide an overhang structure in which the periphery of the lower opening formed in the lower insulating layer is larger than the periphery of the upper opening formed in the upper insulating layer among the openings extending from the upper insulating layer to the lower electrode through the lower insulating layer. It is to provide a method of manufacturing an organic light emitting device having an organic light emitting device manufactured thereby.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 하나의 실시 상태는 (a) 하부전극 상에 하부절연층을 형성하는 단계; (b) 상기 하부절연층 상에 상기 하부절연층 보다 식각속도가 늦은 상부절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 상부절연층과 상기 하부절연층을 식각하여, 상기 상부절연층에서 상기 하부절연층을 거쳐 상기 하부전극에 이르는 개구부를 형성하는 단계로서, 상기 개구부 중 상기 상부절연층에 형성된 상부개구부의 둘레 보다 상기 하부절연층에 형성된 하부개구부의 둘레가 큰 오버행(overhang) 구조가 형성되도록 하는 단계; (d) 상기 개구부 내부의 상기 하부전극 상부면과 상기 상부절연층에 전도층을 형성하는 단계; (e) 상기 개구부 내부에서 상기 하부전극 상부에 형성된 전도층 위에 유기물층을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 상부절연층 상부에 형성된 전도층 상부와 상기 유기물층 상부에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법을 제공한다.In order to achieve the above object, one embodiment of the present invention comprises the steps of (a) forming a lower insulating layer on the lower electrode; (b) forming an upper insulating layer on the lower insulating layer, the upper insulating layer having a lower etching speed than the lower insulating layer; (c) forming an opening from the upper insulating layer to the lower electrode through the lower insulating layer by etching the upper insulating layer and the lower insulating layer, wherein an upper opening formed in the upper insulating layer among the openings Forming an overhang structure having a larger circumference of a lower opening formed in the lower insulating layer than a circumference of the lower insulating layer; (d) forming a conductive layer on the upper surface of the lower electrode and the upper insulating layer in the opening; (e) forming an organic material layer on the conductive layer formed on the lower electrode in the opening; And (f) forming an upper electrode on the conductive layer formed on the upper insulating layer and on the organic material layer.

본 발명의 다른 하나의 실시 상태는 하부전극; 상기 하부전극 위에 형성되며, 하부개구부가 형성된 하부절연층; 상기 하부절연층 위에 형성되며, 상기 하부개구부와 연통되고 상기 하부개구부의 둘레 보다 작은 둘레를 갖는 상부개구부를 가지고 상기 하부절연층과 함께 오버행(overhang) 구조를 형성하는 상부절연층; 상기 하부개구부 내부의 상기 하부전극 상부면과 상기 상부절연층에 형성된 전도층; 상기 하부개구부 내부에서 상기 하부전극 상부에 형성된 전도층 위에 형성된 유기물층; 및 상기 상부절연층 상부에 형성된 전도층 상부와 상기 유기물층 상부에 형성된 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.Another embodiment of the present invention is a lower electrode; A lower insulating layer formed on the lower electrode and having a lower opening; An upper insulating layer formed on the lower insulating layer, the upper insulating layer communicating with the lower opening and having an upper opening having a smaller perimeter than the lower opening and forming an overhang structure together with the lower insulating layer; A conductive layer formed on an upper surface of the lower electrode and the upper insulating layer in the lower opening; An organic material layer formed on the conductive layer formed on the lower electrode in the lower opening; And an upper electrode formed on an upper portion of the conductive layer formed on the upper insulating layer and an upper portion of the organic material layer.

본 발명의 또 다른 하나의 실시 상태는 상기 유기발광소자를 포함하는 전자장치를 제공한다.Another embodiment of the present invention provides an electronic device including the organic light emitting device.

이하에서 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명에 따른 유기발광소자의 제조방법은 (a) 하부전극 상에 하부절연층을 형성하는 단계; (b) 상기 하부절연층 상에 상기 하부절연층 보다 식각속도가 늦은 상부절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 상부절연층과 상기 하부절연층을 식각하여, 상기 상부절연층에서 상기 하부절연층을 거쳐 상기 하부전극에 이르는 개구부를 형성하는 단계로서, 상기 개구부 중 상기 상부절연층에 형성된 상부개구부의 둘레 보다 상기 하부절연층에 형성된 하부개구부의 둘레가 큰 오버행(overhang) 구조가 형성되도록 하는 단계; (d) 상기 개구부 내부의 상기 하부전극 상부면과 상기 상부절 연층에 전도층을 형성하는 단계; (e) 상기 개구부 내부에서 상기 하부전극 상부에 형성된 전도층 위에 유기물층을 형성하는 단계; 및 (f) 상기 상부절연층 상부에 형성된 전도층 상부와 상기 유기물층 상부에 상부전극을 형성하는 단계를 포함한다.Method of manufacturing an organic light emitting device according to the present invention comprises the steps of (a) forming a lower insulating layer on the lower electrode; (b) forming an upper insulating layer on the lower insulating layer, the upper insulating layer having a lower etching speed than the lower insulating layer; (c) forming an opening from the upper insulating layer to the lower electrode through the lower insulating layer by etching the upper insulating layer and the lower insulating layer, wherein an upper opening formed in the upper insulating layer among the openings Forming an overhang structure having a larger circumference of a lower opening formed in the lower insulating layer than a circumference of the lower insulating layer; (d) forming a conductive layer on an upper surface of the lower electrode and the upper insulating layer in the opening; (e) forming an organic material layer on the conductive layer formed on the lower electrode in the opening; And (f) forming an upper electrode on the conductive layer formed on the upper insulating layer and on the organic material layer.

여기서, 상기 (a) 단계 전에, 기판 상에 하부전극을 형성하는 단계를 더 포함한다.Here, before the step (a), further comprising the step of forming a lower electrode on the substrate.

상기 기판 상에 상기 하부전극을 형성하는 단계는 당 기술 분야에 알려진 방법으로 수행될 수 있다.The forming of the lower electrode on the substrate may be performed by a method known in the art.

예컨대 (ⅰ) 기판 위에 하부전극을 위한 박막을 증착하는 단계; 및 (ⅱ) 상기 박막을 패터닝하여 상기 기판 위에 하부전극을 형성하는 단계와 같이 수행될 수 있다.(I) depositing a thin film for the lower electrode on the substrate; And (ii) patterning the thin film to form a lower electrode on the substrate.

상기 (ⅰ) 단계에서는 기판 위에 하부전극 형성을 위한 박막을 형성할 수 있다.In the step (iii), a thin film for forming a lower electrode may be formed on the substrate.

기판은 투명한 플라스틱으로 형성될 수도 있고, 금,은 및 알루미늄과 이들의 합금과 같은 금속으로 형성될 수도 있다.The substrate may be formed of a transparent plastic, or may be formed of a metal such as gold, silver, and aluminum and alloys thereof.

하부전극으로 패터닝되는 박막은 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수도 있고, 인듐주석산화물(ITO:Indium Tin Oxide), 인듐아연산화물 (IZO: Indium Zinc Oxide) 및 아연 산화물 (ZnO) 등과 같은 투명 전도성 산화물 (Transparent Conducting Oxide)로 형성될 수도 있다. 본 발명이 인버티드(inverted) 구조의 유기발광소자에 적용되는 경우, 하부전극은 전술한 금속으로 형 성된다.The thin film patterned as the lower electrode may be formed of a metal such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or an alloy thereof, or an indium tin oxide (ITO) It may also be formed of a transparent conducting oxide (Indium Tin Oxide), indium zinc oxide (IZO: Indium Zinc Oxide) and zinc oxide (ZnO). When the present invention is applied to an organic light emitting device having an inverted structure, the lower electrode is formed of the above-described metal.

스퍼터링법, 열증착(thermal evaporation)법, 원자층 증착(Atomic layer deposition)법, 화학 증착(Chemical vapor deposition)법 및 이-빔 증착(e-beam evaporation)법 등 당 기술 분야에 알려진 전극 형성 방법을 사용할 수 있다.Electrode formation methods known in the art such as sputtering method, thermal evaporation method, atomic layer deposition method, chemical vapor deposition method and e-beam evaporation method Can be used.

상기 (ⅱ) 단계에서는 상기 박막을 레지스트패턴을 마스크로 하여 습식식각 또는 건식식각하여 패터닝함으로써, 하부전극을 형성할 수 있다.In the step (ii), the lower electrode may be formed by wet etching or dry etching the thin film using a resist pattern as a mask.

여기서, 사용되는 레지스트패턴은 리소그래피(lithography)법에 의해 형성될 수 있다.Here, the resist pattern used may be formed by lithography.

상기 (a) 단계에서는 하부전극 상에 하부절연층을 형성한다.In the step (a), a lower insulating layer is formed on the lower electrode.

하부전극의 전자주입을 용이하게 하기 위해 금속 또는 전도성을 갖는 유기물을 사용하여 상기 (d) 단계에서 전도층을 형성할 때, 하부절연층은 전도층의 표면방향을 따라 흐르는 누설전류를 차단 시키는 역할을 한다.When forming the conductive layer in the step (d) using a metal or an organic material having conductivity to facilitate electron injection of the lower electrode, the lower insulating layer serves to block leakage current flowing along the surface direction of the conductive layer. Do it.

하부절연층은 상부절연층 보다 식각용액에 의해 식각되는 식각속도가 빠른 산화실리콘(SiO2)으로 형성하는 것이 바람직하다. 이외에도 SiON, 비정질 Al2O3을 사용하여 하부절연층을 형성할 수 있다.The lower insulating layer is preferably formed of silicon oxide (SiO 2 ) having a faster etching rate than that of the upper insulating layer. In addition, a lower insulating layer may be formed by using SiON and amorphous Al 2 O 3 .

여기서, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 열증착(thermal evaporation)법, 원자층 증착(Atomic layer deposition)법, 화학 증착(Chemical vapor deposition)법 및 이-빔 증착(e-beam evaporation)법 등 당 기술 분야에 알려진 방법을 사용하여 상기 하부절연층을 형성할 수 있다.Here, PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), thermal evaporation (thermal evaporation) method, atomic layer deposition (Chemical vapor deposition), chemical vapor deposition (Chemical vapor deposition) and e-beam evaporation (e-beam evaporation) method, etc. The lower insulating layer may be formed using a method known in the art.

상기 (b) 단계에서는 상기 하부절연층 상에 상부절연층을 형성한다.In the step (b), an upper insulating layer is formed on the lower insulating layer.

전술한 하부절연층 및 상부절연층은 발광 픽셀(RGB)이 각각 개별 동작할 수 있도록 발광 픽셀(RGB) 각각을 전기적으로 단절시키는 역할을 한다.The lower insulating layer and the upper insulating layer described above serve to electrically disconnect each of the light emitting pixels RGB so that the light emitting pixels RGB can operate individually.

상부절연층은 하부절연층 보다 식각용액에 의해 식각되는 식각속도가 떨어지는 Si3N4으로 형성되는 것이 바람직하다.It is preferable that the upper insulating layer is formed of Si 3 N 4 in which the etching rate of etching by the etching solution is lower than that of the lower insulating layer.

여기서, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), 열증착(thermal evaporation)법, 원자층 증착(Atomic layer deposition)법, 화학 증착(Chemical vapor deposition)법 및 이-빔 증착(e-beam evaporation)법 등 당 기술 분야에 알려진 방법을 사용하여 상기 상부절연층을 형성할 수 있다.Here, PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), thermal evaporation (thermal evaporation) method, atomic layer deposition (Chemical vapor deposition), chemical vapor deposition (Chemical vapor deposition) and e-beam evaporation (e-beam evaporation) method, etc. The upper insulating layer may be formed using a method known in the art.

상기 (c) 단계에서는 상기 상부절연층과 상기 하부절연층을 식각하여, 상기 상부절연층에서 상기 하부절연층을 거쳐 상기 하부전극에 이르는 개구부를 형성한다.In the step (c), the upper insulating layer and the lower insulating layer are etched to form an opening from the upper insulating layer to the lower electrode through the lower insulating layer.

상기 (c) 단계에서는 식각을 통해 상기 상부절연층에서 상기 하부절연층을 거쳐 상기 하부전극에 이르는 개구부(발광면적)를 형성하게 되는데, 이때 상기 개구부 중 상기 상부절연층에 형성된 상부개구부의 둘레 보다 상기 하부절연층에 형성된 하부개구부의 둘레가 큰 오버행(overhang) 구조가 형성되어 전도층의 표면방향으로 누설전류가 흐르는 것을 방지한다.In the step (c), an opening (light emitting area) from the upper insulating layer to the lower electrode through the lower insulating layer is formed through etching, and at this time, an opening portion (light emitting area) from the upper insulating layer is formed. An overhang structure with a large circumference of a lower opening formed in the lower insulating layer is formed to prevent leakage current from flowing in the surface direction of the conductive layer.

구체적으로 설명하면, 상기 상부절연층을 먼저 건식식각한 후, 상기 상부절연층과 상기 하부절연층이 식각용액에 의해 식각되는 식각속도가 서로 다른 것을 이용하여 상기 하부절연층을 습식식각하게 된다.In detail, the upper insulating layer is first dry-etched, and then the lower insulating layer is wet-etched by using different etching rates at which the upper insulating layer and the lower insulating layer are etched by the etching solution.

또는 상기 상부절연층과 상기 하부절연층을 먼저 건식식각한 후, 상기 상부절연층과 상기 하부절연층이 식각용액에 의해 식각되는 식각속도가 서로 다른 것을 이용하여 상기 하부절연층을 습식식각할 수도 있다.Alternatively, the upper insulating layer and the lower insulating layer may be first dry-etched, and then the lower insulating layer may be wet-etched by using different etching rates at which the upper insulating layer and the lower insulating layer are etched by an etching solution. have.

전술한 건식식각은 등방성 식각방법으로서, 상부절연층을 에칭가스로 식각할 수 있다.The dry etching described above is an isotropic etching method, and the upper insulating layer may be etched with an etching gas.

예컨대, 상부절연층 위에 리소그래피(lithography)법에 의해 형성된 레지스트패턴을 마스크로 하여 CF4에 O2를 혼합한 에칭가스로 식각할 수 있다.For example, by using a resist pattern formed by lithography on the upper insulating layer as a mask, the etching gas may be etched by mixing O 2 with CF 4 .

여기서, 건식식각 조건으로 압력 5mTorr, ICP power 400W, bias power 100W, CF4의 유량 45sccm(standard cubic centimeter per minutes), O2의 유량 5 sccm인 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the dry etching conditions include a pressure of 5 mTorr, ICP power 400 W, a bias power of 100 W, a flow rate of 45 sccm (standard cubic centimeter per minutes) of CF 4 , and a flow rate of 5 sccm of O 2 .

그리고, 에칭가스로는 CF4 이외에 CHF3 가스, C2F6 가스, C3F8 가스, SF6 가스, NF3 가스, CHF3, O2, CF4이 혼합된 혼합가스(CHF3+O2+CF4), 및 O2 , H2 , He 중 선택된 하나 이상과 CF4의 혼합가스로 이루어진 군에서 선택하여 사용할 수 있다. 예컨대 혼합가스로는 CF4+H2, 및 CF4+He 등을 사용할 수도 있다.In addition, as an etching gas, CF 4 In addition to CHF 3 gas, C 2 F 6 gas, C 3 F 8 gas, SF 6 gas, NF 3 gas, CHF 3 , O 2 , CF 4 mixed gas (CHF 3 + O 2 + CF 4 ), and O 2 , H 2 , He may be selected from the group consisting of at least one selected from the mixture gas and CF 4 gas. For example, CF 4 + H 2 , CF 4 + He, or the like may be used as the mixed gas.

전술한 습식식각 방법은 이방성 식각방법으로서, 상기 하부절연층이 상기 상부절연층 보다 식각용액에 의해 식각되는 식각속도가 빠른 것을 이용하여, 식각용액으로 식각하게 되면, 상기 상부절연층에 형성된 상부개구부의 둘레 보다 상기 하 부절연층에 형성된 하부개구부의 둘레가 큰 오버행(overhang) 구조가 형성된다.The above-described wet etching method is an anisotropic etching method. When the lower insulating layer is etched with an etching solution using a higher etching rate than that of the upper insulating layer, the upper opening is formed on the upper insulating layer. An overhang structure is formed in which the periphery of the lower opening formed in the lower insulating layer is larger than the perimeter of.

여기서, 식각용액으로는 불산(HF), BOE(buffered oxide etchant), 및BHF(Buffered HF solution) 등을 사용할 수 있다.Here, as an etching solution, hydrofluoric acid (HF), buffered oxide etchant (BOE), and buffered HF solution (BHF) may be used.

이렇게 형성된 오버행 구조는 상기 하부절연층의 식각된 면의 형태로서 만곡면을 포함하는 것이 바람직하다.The formed overhang structure preferably includes a curved surface in the form of an etched surface of the lower insulating layer.

이때, 하부절연층의 높이는 20~50nm인 것이 바람직하고, 만곡면의 양 꼭지점을 직선으로 연결한 길이를 오버행 구조의 깊이라 하였을 때 오버행 구조의 깊이는 20~50nm인 것이 바람직하다. 그리고, 오버행 구조의 만곡면은 기판의 상부면에 대해 30 내지 45도의 경사 각도를 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.In this case, the height of the lower insulating layer is preferably 20 to 50 nm, and when the length connecting the two vertices of the curved surface in a straight line is referred to as the depth of the overhang structure, the depth of the overhang structure is preferably 20 to 50 nm. The curved surface of the overhang structure is preferably formed to have an inclination angle of 30 to 45 degrees with respect to the upper surface of the substrate.

한편, 전술한 바와 같이, 오버행 구조를 형성하기 위해 건식식각한 후 습식식각을 할 수도 있으나, 두 번 모두 습식식각을 할 수도 있다. 예컨대, 상부절연층은 인산(H3PO4)으로 습식식각하고 하부절연층은 불산(HF)으로 습식식각할 수 있다.Meanwhile, as described above, the wet etching may be performed after the dry etching to form the overhang structure, but the wet etching may be performed both times. For example, the upper insulating layer may be wet etched with phosphoric acid (H 3 PO 4 ) and the lower insulating layer may be wet etched with hydrofluoric acid (HF).

상기 (d) 단계에서는 상기 개구부 내부의 상기 하부전극 상부면과 상기 상부절연층에 전도층을 형성한다.In the step (d), a conductive layer is formed on the upper surface of the lower electrode and the upper insulating layer in the opening.

전도층은 하부전극의 표면에 산화막이 형성되어 전자의 이동이 저해되는 것을 방지하고자 전도성 물질을 증착하여 형성한다.The conductive layer is formed by depositing a conductive material to prevent an oxide film from being formed on the surface of the lower electrode to prevent the movement of electrons.

여기서, 전도성 물질로는 금속 또는 전도성이 우수한 유기물을 사용하는 것이 바람직하다.Here, it is preferable to use a metal or an organic material having excellent conductivity as the conductive material.

예컨대, 하부전극이 알루미늄일 경우 하부 및 상부절연층 식각 후 또는 대기 중 노출에 의해 자연산화막이 형성되므로 전자주입이 방해 받아 동작전압이 상승하고 발광 효율이 급격히 떨어지는 현상이 발생할 수 있다. 이 문제를 개선하기 위해 금속 또는 전도성이 좋은 유기물을 하부전극 위를 포함하여 상부절연층 위까지 전영역에 걸쳐 증착한다.For example, when the lower electrode is aluminum, a natural oxide film is formed after the lower and upper insulating layers are etched or exposed to the atmosphere, so that the electron injection is disturbed, thereby increasing the operating voltage and rapidly decreasing the luminous efficiency. In order to improve this problem, a metal or a highly conductive organic material is deposited over the entire area up to the upper insulating layer including the lower electrode.

증착 가능한 금속은 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금을 예로 들 수 있다.Examples of metals that can be deposited include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof.

전도성이 우수한 유기물로는 통상적으로 전자주입층(EIL), 정공주입층(HIL)을 형성하기 위해 사용되는 물질이 사용될 수 있으며, 전자수송층(ETL)과 전자주입층 또는 정공수송층(HTL)과 정공주입층과의 복합물을 사용할 수도 있다.As an organic material having excellent conductivity, a material generally used to form an electron injection layer (EIL) or a hole injection layer (HIL) may be used, and an electron transport layer (ETL) and an electron injection layer or a hole transport layer (HTL) and holes may be used. Composites with injection layers can also be used.

역구조의 유기발광체 제작 시 전자주입층으로 사용되는 알카리 금속, 알카리 토금속 또는 이들의 혼합물로 전도층을 형성할 수도 있고, 정구조 제작시 정공주입층으로 사용되는 하기 화학식1 (한국 특허 출원 제10-2002-3025)의 화합물(헥사니트릴헥사아자트리페닐렌, HAT)로 전도층을 형성할 수도 있다.The conductive layer may be formed of an alkali metal, an alkaline earth metal, or a mixture thereof, which is used as an electron injection layer when fabricating an organic light emitting body having an inverted structure, and is used as a hole injection layer when preparing a regular structure. It is also possible to form a conductive layer with a compound of (2002-3025) (hexanitrile hexaazatriphenylene, HAT).

화학식 1Formula 1

Figure 112006053460356-pat00001
Figure 112006053460356-pat00001

또한, 전자주입층으로 사용되는 LiF, CsF, CaF2, MgF2 등의 알카리금속, 토금속 플로라이드류 및 금속으로 전도층을 형성할 수 있고, 정공주입층으로 사용되는 CuPc (Copper phthalocyanine)으로 전도층을 형성할 수도 있다.In addition, LiF, CsF, CaF 2 , MgF 2 used as the electron injection layer The conductive layer may be formed of alkali metals, earth metal fluorides, and metals, and the like, and the conductive layer may be formed of copper phthalocyanine (CuPc) used as the hole injection layer.

상기 (e) 단계에서는 상기 개구부 내부에서 상기 하부전극 상부에 형성된 전도층 위에 유기물층을 형성한다.In the step (e), the organic material layer is formed on the conductive layer formed on the lower electrode in the opening.

예컨대, 증착마스크를 사용하여 진공증착법으로 상기 개구부의 내부에 유기물층을 형성할 수도 있고, 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 또는 열 전사법 등을 사용할 수도 있다.For example, an organic layer may be formed inside the opening by vacuum deposition using a deposition mask, and spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer may be used.

이러한, 유기물층은 정공주입층, 정공전달층, 발광층 및 전자전달층으로 구성될 수 있다.The organic material layer may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer.

상기 (f) 단계에서는 상기 상부절연층 상부에 형성된 전도층 상부와 상기 유기물층 상부에 상부전극을 형성한다.In the step (f), an upper electrode is formed on the conductive layer formed on the upper insulating layer and on the organic material layer.

예컨대, 스퍼터링법, 열증착(thermal evaporation)법, 원자층 증착(Atomic layer deposition)법, 화학 증착(Chemical vapor deposition)법 및 이-빔 증착(e-beam evaporation)법 등 당 기술 분야에 알려진 방법을 사용하여 상기 상부전극을 형성할 수 있다.For example, methods known in the art, such as sputtering, thermal evaporation, atomic layer deposition, chemical vapor deposition, and e-beam evaporation The upper electrode may be formed using the same.

여기서, 상부전극은 인듐주석산화물(ITO:Indium Tin Oxide), 인듐아연산화물 (IZO: Indium Zinc Oxide) 및 아연 산화물 (ZnO) 등과 같은 투명 전도성 산화물 (Transparent Conducting Oxide)로 형성될 수 있고, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼 륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수도 있다. 본 발명이 인버티드(inverted) 구조의 유기발광소자에 적용되는 경우, 상부전극은 투명한 인듐주석산화물(ITO:Indium Tin Oxide)으로 형성된다.Here, the upper electrode may be formed of a transparent conductive oxide such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) and zinc oxide (ZnO), magnesium, It may be formed of metals such as calcium, sodium, calcium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead or alloys thereof. When the present invention is applied to an organic light emitting device having an inverted structure, the upper electrode is formed of transparent indium tin oxide (ITO).

이와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 제조방법에 따르면, 상부 및 하부절연층에서 하부전극에 이르는 개구부 중 상부절연층에 형성된 상부개구부의 둘레 보다 상기 하부절연층에 형성된 하부개구부의 둘레가 큰 오버행(overhang) 구조가 형성됨에 따라, 전도층의 표면방향을 따라 흐르는 누설전류의 이동 경로(도 1의 화살표 참조)를 단절시킬 수 있어, 누설전류가 이웃한 다른 발광 픽셀로 유입되어 임의로 다른 발광 픽셀을 점등시키는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, according to the manufacturing method according to the embodiment of the present invention, the periphery of the lower opening formed in the lower insulating layer is larger than the circumference of the upper opening formed in the upper insulating layer among the openings from the upper and lower insulating layers to the lower electrode. As the overhang structure is formed, it is possible to break the movement path of the leakage current flowing along the surface direction of the conductive layer (see the arrow in FIG. 1), so that the leakage current flows into another neighboring light emitting pixel and randomly emits light. It is possible to prevent the pixel from turning on.

본 발명의 일실시예에 따른 유기발광소자는 하부전극; 상기 하부전극 위에 형성되며, 하부개구부가 형성된 하부절연층; 상기 하부절연층 위에 형성되며, 상기 하부개구부와 연통되고 상기 하부개구부의 둘레 보다 작은 둘레를 갖는 상부개구부를 가지고 상기 하부절연층과 함께 오버행(overhang) 구조를 형성하는 상부절연층; 상기 하부개구부 내부의 상기 하부전극 상부면과 상기 상부절연층에 형성된 전도층; 상기 하부개구부 내부에서 상기 하부전극 상부에 형성된 전도층 위에 형성된 유기물층; 및 상기 상부절연층 상부에 형성된 전도층 상부와 상기 유기물층 상부에 형성된 상부전극을 포함한다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention is a lower electrode; A lower insulating layer formed on the lower electrode and having a lower opening; An upper insulating layer formed on the lower insulating layer, the upper insulating layer communicating with the lower opening and having an upper opening having a smaller perimeter than the lower opening and forming an overhang structure together with the lower insulating layer; A conductive layer formed on an upper surface of the lower electrode and the upper insulating layer in the lower opening; An organic material layer formed on the conductive layer formed on the lower electrode in the lower opening; And an upper electrode formed on the conductive layer and an organic layer formed on the upper insulating layer.

여기서, 오버행 구조에 의해 전도층의 표면방향으로 흐르는 종래 누설전류의 이동 경로(도 1의 화살표 참조)가 단절되므로, 누설전류가 전도층의 표면방향을 따 라 이웃한 다른 발광 픽셀(미도시)로 유입되어 임의로 다른 발광 픽셀을 점등시키는 것을 방지할 수 있게 된다.Here, since the conventional leakage current flow path (see arrow in FIG. 1) flowing in the surface direction of the conductive layer is cut off by the overhang structure, another light emitting pixel (not shown) in which the leakage current is adjacent along the surface direction of the conductive layer. It is possible to prevent the light from flowing into any other light emitting pixel.

이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 일실시예에 따른 유기발광소자는 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(미도시); 기판(미도시) 위에 형성된 하부전극(20); 하부전극(20)위에 형성되며, 하부개구부(32a)가 형성된 하부절연층(30); 하부절연층(30) 위에 형성되며, 하부개구부(32a)와 연통되고 하부개구부(32a)의 둘레 보다 작은 둘레를 갖는 상부개구부(32b)를 가지고 하부절연층(30)과 함께 오버행(overhang) 구조(31)를 형성하는 상부절연층(40); 하부개구부(32a) 내부의 하부전극(20) 상부면과 상부절연층(40)에 형성된 전도층(50a,50b); 하부개구부(32a) 내부에서 하부전극(20) 상부에 형성된 전도층(50a) 위에 형성된 유기물층(60); 및 상부절연층(40) 상부에 형성된 전도층(50b)의 상부와 유기물층(60) 상부에 형성된 상부전극(70)을 포함한다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, as shown in Figure 2, the substrate (not shown); A lower electrode 20 formed on a substrate (not shown); A lower insulating layer 30 formed on the lower electrode 20 and having a lower opening 32a formed thereon; An overhang structure formed on the lower insulating layer 30 and having an upper opening 32b communicating with the lower opening 32a and having a smaller perimeter than the lower opening 32a. An upper insulating layer 40 forming a 31; Conductive layers 50a and 50b formed on the upper surface of the lower electrode 20 and the upper insulating layer 40 in the lower opening 32a; An organic layer 60 formed on the conductive layer 50a formed on the lower electrode 20 in the lower opening 32a; And an upper electrode 70 formed on the conductive layer 50b formed on the upper insulating layer 40 and on the organic layer 60.

기판은 투명한 플라스틱을 형성될 수도 있고, 금,은 및 알루미늄과 이들의 합금과 같은 금속으로 형성될 수도 있다.The substrate may be formed of a transparent plastic, or may be formed of a metal such as gold, silver, and aluminum and alloys thereof.

하부전극(20)은 금속으로 형성된 음극이고, 상부전극(70)은 투명한 인듐주석산화물(ITO:Indium Tin Oxide)으로 형성된 양극이다.The lower electrode 20 is a cathode formed of metal, and the upper electrode 70 is an anode formed of transparent indium tin oxide (ITO).

전도층(50)은 개구부(32a,32b)의 내부에서 하부전극(20) 위에 형성된 제1전도층(50a) 및 상부 절연층(40)의 상부면과 상부절연층(40)의 상부개구부(32b) 둘레면 상에 형성된 제2전도층(50b)을 포함한다.The conductive layer 50 is formed on the lower electrode 20 in the openings 32a and 32b, and the upper opening of the upper insulating layer 40 and the upper surface of the upper insulating layer 40 and the first conductive layer 50a and the upper insulating layer 40. 32b) a second conductive layer 50b formed on the circumferential surface.

여기서, 전도층은 금속 재질 또는 전도성이 우수한 유기물을 사용하여 형성 하는 것이 바람직하다.Here, the conductive layer is preferably formed using a metal material or an excellent organic material.

유기물층(60)은 개구부(32a,32b) 내에서 제1전도층(50a) 위에 형성되어 있으며, 도 2에 구체적으로 도시되어 있지 않으나, 정공주입층, 정공전달층, 발광층 및 전자전달층으로 구성될 수 있다.The organic layer 60 is formed on the first conductive layer 50a in the openings 32a and 32b, and is not specifically illustrated in FIG. 2, but includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. Can be.

절연층(30,40)은 하부전극(20) 상에 형성된 하부절연층(30); 하부절연층 (30) 위에 형성된 상부절연층(40); 및 상부절연층(40)에서 하부절연층(30)을 거쳐 하부전극(20)에 이르는 개구부(32a,32b)를 갖는다.The insulating layers 30 and 40 may include a lower insulating layer 30 formed on the lower electrode 20; An upper insulating layer 40 formed on the lower insulating layer 30; And openings 32a and 32b extending from the upper insulating layer 40 to the lower electrode 20 via the lower insulating layer 30.

하부절연층(30)은 상부절연층(40)이 식각용액에 의해 식각되는 식각속도 보다 빠른 식각속도를 갖는 산화실리콘(SiO2)으로 형성되고, 상부절연층(40)은 하부절연층(30) 보다 식각속도가 떨어지는 질화실리콘(Si3N4)으로 형성된다.The lower insulating layer 30 is formed of silicon oxide (SiO 2 ) having an etching rate faster than that of the upper insulating layer 40 being etched by the etching solution, and the upper insulating layer 40 is formed of the lower insulating layer 30. It is formed of silicon nitride (Si 3 N 4 ), which has a lower etching speed than).

개구부(32a,32b)는 하부절연층(30)에 형성된 하부개구부(32a)와, 하부개구부(32a) 보다 작은 둘레를 가지고 상부절연층(40)에 형성된 상부개구부(32b)를 포함한다.The openings 32a and 32b include a lower opening 32a formed in the lower insulating layer 30, and an upper opening 32b formed in the upper insulating layer 40 with a smaller circumference than the lower opening 32a.

그리고, 개구부(32a,32b) 중 상부절연층(40)에 형성된 상부개구부(32b)의 둘레 보다 하부절연층(30)에 형성된 하부개구부(32a)의 둘레가 큰 오버행 구조(31)가 형성되어있다. 오버행 구조(31)에 있어서 하부개구부(32a)의 둘레가 상부개구부(32b)의 둘레 보다 크도록 개구부(32a,32b)의 중심에서 하부절연층(30)의 내측으로 식각된 면은 만곡면 형태이다.An overhang structure 31 having a larger circumference of the lower opening 32a formed in the lower insulating layer 30 than the circumference of the upper opening 32b formed in the upper insulating layer 40 among the openings 32a and 32b is formed. have. In the overhang structure 31, the surface etched from the center of the openings 32a and 32b to the inside of the lower insulating layer 30 so that the periphery of the lower opening 32a is larger than the periphery of the upper opening 32b is a curved surface. to be.

이하에서는 도 3a 내지 도 3g 및 도 4를 참조하여, 본 발명에 따른 유기발광 소자의 제조방법에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of manufacturing an organic light emitting device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 3A to 3G and 4.

본 발명에 따른 유기발광소자의 제조방법은, (a) 하부전극(20) 상에 하부절연층(30)을 형성하는 단계; (b) 하부절연층(30) 상에 하부절연층(30) 보다 식각속도가 늦은 상부절연층(40)을 형성하는 단계; (c) 상부절연층(40)과 하부절연층(30)을 식각하여, 상부절연층(40)에서 하부절연층(30)을 관통하여 하부전극(20)에 이르는 개구부(32a,32b)를 형성하는 단계; (d) 개구부(32a,32b)의 하부전극(20) 상부면과 상부절연층(40)에 전도층(50a,50b)을 형성하는 단계; (e) 개구부(32a,32b) 내부에서 하부전극(20) 상부에 형성된 전도층(50a) 위에 유기물층(60)을 형성하는 단계; (f) 상부절연층(40) 상부에 형성된 전도층(50b) 상부와 유기물(60)층 상부에 상부전극(70)을 형성하는 단계를 포함한다.Method for manufacturing an organic light emitting device according to the present invention, (a) forming a lower insulating layer 30 on the lower electrode 20; (b) forming an upper insulating layer 40 on the lower insulating layer 30 having a lower etching speed than the lower insulating layer 30; (c) The upper insulating layer 40 and the lower insulating layer 30 are etched to form openings 32a and 32b which penetrate the lower insulating layer 30 through the lower insulating layer 30 and reach the lower electrode 20. Forming; (d) forming conductive layers 50a and 50b on the upper surface of the lower electrode 20 and the upper insulating layer 40 of the openings 32a and 32b; (e) forming an organic material layer 60 on the conductive layer 50a formed on the lower electrode 20 in the openings 32a and 32b; (f) forming the upper electrode 70 on the conductive layer 50b formed on the upper insulating layer 40 and on the organic material 60 layer.

기판 위에 하부전극(20)을 위한 박막을 증착하고, 박막을 패터닝하여 기판 위에 하부전극(20)을 형성하는 과정은 도면에서 생략하였다.A process of depositing a thin film for the lower electrode 20 on the substrate and patterning the thin film to form the lower electrode 20 on the substrate is omitted in the drawing.

도 3a에 도시된 바와 같이, (a) 단계에서는 하부전극(20) 위에 산화실리콘(SiO2)으로 하부절연층(30)을 형성한다.As shown in FIG. 3A, in the step (a), the lower insulating layer 30 is formed of silicon oxide (SiO 2 ) on the lower electrode 20.

도 3b에 도시된 바와 같이, (b) 단계에서는 하부절연층(30) 위에 하부절연층(30) 보다 식각속도가 떨어지는 질화실리콘(Si3N4)으로 상부절연층(40)을 형성한다.As shown in FIG. 3B, in the step (b), the upper insulating layer 40 is formed of silicon nitride (Si 3 N 4 ) having an etching rate lower than that of the lower insulating layer 30 on the lower insulating layer 30.

(c) 단계에서는 상부절연층(40)과 하부절연층(30)을 식각하여, 상부절연층(40)에서 하부절연층(30)을 거쳐 하부전극(20)에 이르는 개구부(32a,32b)를 형성한다.In the step (c), the upper insulating layer 40 and the lower insulating layer 30 are etched to open the openings 32a and 32b from the upper insulating layer 40 to the lower electrode 20 through the lower insulating layer 30. To form.

구체적으로 설명하면, 상부절연층(40) 위에 형성된 레지스트패턴(미도시)을 마스크로 하여 CF4에 O2를 혼합한 에칭가스로 도 3c에 도시된 바와 같이, 상부절연층(40)과 하부절연층(30)을 먼저 건식식각한다.Specifically, as an etching gas in which O 2 is mixed with CF 4 by using a resist pattern (not shown) formed on the upper insulating layer 40 as a mask, as shown in FIG. 3C, the upper insulating layer 40 and the lower part are shown. The insulating layer 30 is first dry etched.

그리고, 상부절연층(40)과 하부절연층(30)이 식각용액에 의해 식각되는 식각속도가 서로 다른 것을 이용하여 하부절연층(30)을 습식식각하게 되면, 도 3d에 도시된 바와 같이 개구부(32a,32b) 중 상부절연층(40)에 형성된 상부개구부(32b)의 둘레 보다 하부절연층(30)에 형성된 하부개구부(32a)의 둘레가 큰 오버행 구조가 형성된다.In addition, when the upper insulating layer 40 and the lower insulating layer 30 are wet etched from the lower insulating layer 30 by using different etching rates from the etching solution, as shown in FIG. 3D. An overhang structure in which the perimeter of the lower opening 32a formed in the lower insulating layer 30 is formed larger than the periphery of the upper opening 32b formed in the upper insulating layer 40 among the 32a and 32b.

또는 도 4에 도시된 바와 같이, 상부절연층(40)을 먼저 건식식각한 후, 상부절연층(40)과 하부절연층(30)이 식각용액에 의해 식각되는 식각속도가 서로 다른 것을 이용하여 하부절연층(30)을 습식식각하여, 오버행(overhang) 구조를 형성할 수 도 있다.Alternatively, as shown in FIG. 4, after first etching the upper insulating layer 40, the etching rates at which the upper insulating layer 40 and the lower insulating layer 30 are etched by the etching solution are different from each other. The lower insulating layer 30 may be wet etched to form an overhang structure.

상기 (d) 단계에서는 도 3d에 도시된 상태로 상부에서 금속재질 또는 전도성을 갖는 유기물질을 증착하게 되면, 도 3e에 도시된 바와 같이, 개구부(32a,32b) 내부에서 하부전극(20) 상부면과, 상부절연층(40)의 상부면, 상부 절연층(40) 중 상부개구부(32b)의 둘레면에만 전도층(50a,50b)이 형성된다.In the step (d), when the organic material having a metallic material or conductivity is deposited from the top in the state shown in FIG. 3D, as shown in FIG. 3E, the upper portion of the lower electrode 20 is formed in the openings 32a and 32b. The conductive layers 50a and 50b are formed only on the surface, the upper surface of the upper insulating layer 40, and the circumferential surface of the upper opening 32b of the upper insulating layer 40.

오버행 구조(31)이 형성되어 있음에 따라, 개구부(32a,32b) 내부에서 하부전극(20) 상부면에 형성된 제1전도층(50a)과 상부 개구부(32b)의 둘레면을 포함한 상부절연층(40)의 상부면에 형성된 제2전도층(50b)이 단절되게 형성된다.As the overhang structure 31 is formed, the upper insulating layer including the periphery of the first conductive layer 50a and the upper opening 32b formed on the upper surface of the lower electrode 20 in the openings 32a and 32b. The second conductive layer 50b formed on the upper surface of the 40 is cut off.

상기 (e) 단계에서는, 도 3f에 도시된 바와 같이, 개구부(32a,32b) 내부에서 하부전극(20) 상부에 형성된 제1전도층 (50a)위에 유기물층(60)을 형성한다.In the step (e), as shown in FIG. 3F, the organic material layer 60 is formed on the first conductive layer 50a formed on the lower electrode 20 in the openings 32a and 32b.

상기 (f) 단계에서는, 도 3g에 도시된 바와 같이, 제2전도층(50b) 상부와 유기물층(60) 상부에 상부전극(70)을 형성한다.In the step (f), as shown in FIG. 3g, the upper electrode 70 is formed on the second conductive layer 50b and on the organic material layer 60.

이와 같이, 전술한 제조방법에 따르면, 개구부(32a,32b) 중 상부절연층(40)에 형성된 상부개구부(32b)의 둘레 보다 하부절연층(30)에 형성된 하부개구부(32a)의 둘레가 큰 오버행(31)가 형성됨에 따라, 종래에 전도층(500)의 표면방향으로 흐르는 누설전류의 이동 경로(도 1의 화살표 참조)를 단절시킬 수 있음에 따라, 누설전류가 전도층(50a,50b)의 표면방향을 따라 이웃한 다른 발광 픽셀로 유입되어 임의로 다른 발광 픽셀을 점등시키는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, according to the above-described manufacturing method, the perimeter of the lower opening 32a formed in the lower insulating layer 30 is larger than the perimeter of the upper opening 32b formed in the upper insulating layer 40 among the openings 32a and 32b. As the overhang 31 is formed, it is possible to disconnect the movement path of the leakage current (see the arrow in FIG. 1) which flows in the surface direction of the conductive layer 500 conventionally, so that the leakage current is conducted in the conductive layers 50a and 50b. It is possible to prevent other light emitting pixels from randomly illuminating other light emitting pixels along the surface direction of the?

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 종래에 전도층 표면방향으로 흐르는 누설전류의 이동 경로를 단절시킬 수 있음에 따라, 누설전류가 전도층 표면방향을 따라 이웃한 다른 발광 픽셀로 유입되어 임의로 다른 발광 픽셀을 점등시키는 것을 방지할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, as the conventional path of leakage current flowing in the conductive layer surface direction can be interrupted, the leakage current flows into another light emitting pixel neighboring along the conductive layer surface direction and is arbitrarily different. It is possible to prevent the light emitting pixels from turning on.

Claims (22)

(a)하부전극 상에 하부절연층을 형성하는 단계;(a) forming a lower insulating layer on the lower electrode; (b) 상기 하부절연층 상에 상기 하부절연층 보다 식각속도가 늦은 상부절연층을 형성하는 단계;(b) forming an upper insulating layer on the lower insulating layer, the upper insulating layer having a lower etching speed than the lower insulating layer; (c) 상기 상부절연층과 상기 하부절연층을 식각하여, 상기 상부절연층에서 상기 하부절연층을 거쳐 상기 하부전극에 이르는 개구부를 형성하는 단계로서, 상기 개구부 중 상기 상부절연층에 형성된 상부개구부의 둘레 보다 상기 하부절연층에 형성된 하부개구부의 둘레가 큰 오버행(overhang) 구조가 형성되도록 하는 단계;(c) forming an opening from the upper insulating layer to the lower electrode through the lower insulating layer by etching the upper insulating layer and the lower insulating layer, wherein an upper opening formed in the upper insulating layer among the openings Forming an overhang structure having a larger circumference of a lower opening formed in the lower insulating layer than a circumference of the lower insulating layer; (d) 상기 개구부 내부의 상기 하부전극 상부면, 상기 개구부 내부의 상기 상부절연층 측벽, 및 상기 상부절연층의 상부면에 전도층을 형성하는 단계로서, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납 및 이들의 합금으로 이루어진 금속 그룹으로부터 선택된 하나 이상 또는 전도성을 갖는 유기물질로 상기 전도층을 형성하는 단계;(d) forming a conductive layer on an upper surface of the lower electrode in the opening, a sidewall of the upper insulating layer in the opening, and an upper surface of the upper insulating layer, wherein magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, Forming the conductive layer with one or more conductive organic materials selected from the group of metals consisting of indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead and alloys thereof; (e) 상기 개구부 내부에서 상기 하부전극 상부에 형성된 전도층 위에 유기물층을 형성하는 단계; 및(e) forming an organic material layer on the conductive layer formed on the lower electrode in the opening; And (f) 상기 상부절연층 상부에 형성된 전도층 상부와 상기 유기물층 상부에 상부전극을 형성하는 단계(f) forming an upper electrode on the conductive layer formed on the upper insulating layer and on the organic material layer; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.Method of manufacturing an organic light emitting device comprising a. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 (a) 단계에서 상기 하부절연층은 SiON, 비정질 Al2O3 및 SiO2 중 선택된 어느 한 물질로 형성하고,In the step (a), the lower insulating layer is SiON, amorphous Al 2 O 3 And SiO 2 , 상기 (b) 단계에서 상기 상부절연층은 Si3N4으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.The manufacturing method of the organic light emitting device, characterized in that in the step (b) the upper insulating layer is formed of Si 3 N 4 . 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 (c)단계에서는 상기 상부절연층을 건식식각하여 상기 상부개구부를 형성한 후, 상기 상부절연층과 상기 하부절연층이 식각용액에 의해 식각되는 식각속도가 서로 다른 것을 이용하여 상기 하부절연층을 습식식각함에 따라 상기 상부개구부의 둘레보다 상기 하부개구부의 둘레가 큰 상기 오버행 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.In the step (c), after forming the upper opening by dry etching the upper insulating layer, the lower insulating layer is formed by using different etching rates at which the upper insulating layer and the lower insulating layer are etched by an etching solution. The wet manufacturing method of the organic light emitting device, characterized in that to form the overhang structure is larger than the periphery of the lower opening than the periphery of the upper opening. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 (c)단계에서는 상기 상부절연층과 상기 하부절연층을 건식식각한 후, 상기 상부절연층과 상기 하부절연층이 식각용액에 의해 식각되는 식각속도가 서로 다른 것을 이용하여 상기 하부절연층을 습식식각함에 따라 상기 상부개구부의 둘레보다 상기 하부개구부의 둘레가 큰 상기 오버행 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.In the step (c), the upper insulating layer and the lower insulating layer are dry etched, and then the lower insulating layer is formed by using different etching rates at which the upper insulating layer and the lower insulating layer are etched by an etching solution. The wet light etching method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that for forming the overhang structure is larger than the periphery of the lower opening than the periphery of the upper opening. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 상기 (c) 단계에서 건식식각 시 에칭가스는 CF4 가스, CHF3 가스, C2F6 가스, C3F8 가스, SF6 가스, NF3 가스, CHF3, O2, CF4이 혼합된 혼합가스, 및 O2 , H2 , He 중 선택된 하나 이상과 CF4의 혼합가스로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.In the step (c), the etching gas during dry etching is CF 4 Selected from gas , CHF 3 gas, C 2 F 6 gas, C 3 F 8 gas, SF 6 gas, NF 3 gas, CHF 3 , O 2 , CF 4 mixed gas, and O 2 , H 2 , He Method for producing an organic light emitting device, characterized in that selected from the group consisting of at least one and a mixed gas of CF 4 . 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,The method according to claim 3 or 4, 상기 식각용액은 불산(HF), BOE(buffered oxide etchant), 및 BHF(Buffered HF solution) 중 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.The etching solution is a method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that at least one selected from hydrofluoric acid (HF), buffered oxide etchant (BOE), and buffered HF solution (BHF). 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 (c)단계에서는 상기 상부절연층과 상기 하부절연층이 식각용액에 의해 식각되는 식각속도가 서로 다른 것을 이용하여 상기 상부절연층과 상기 하부절연층을 모두 습식식각함에 따라 상기 상부개구부의 둘레보다 상기 하부개구부의 둘레가 큰 상기 오버행 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.In the step (c), as the upper insulating layer and the lower insulating layer are etched by the etching solution with different etching rates, both the upper insulating layer and the lower insulating layer are wet etched, and thus the circumference of the upper opening is The method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that to form the overhang structure with a larger periphery of the lower opening. 청구항 7에 있어서,The method according to claim 7, 상기 상부절연층은 인산(H3PO4)으로 습식식각하고, 상기 하부절연층은 불산 (HF)으로 습식식각하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.And the upper insulating layer is wet etched with phosphoric acid (H 3 PO 4 ), and the lower insulating layer is wet etched with hydrofluoric acid (HF). 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 오버행 구조는 상기 하부개구부의 중심에서 상기 하부절연층의 내측을 향해 함몰된 만곡면을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.The overhang structure includes a curved surface recessed toward the inside of the lower insulating layer at the center of the lower opening. 삭제delete 하부전극;Lower electrode; 상기 하부전극 위에 형성되며, 하부개구부가 형성된 하부절연층;A lower insulating layer formed on the lower electrode and having a lower opening; 상기 하부절연층 위에 형성되며, 상기 하부개구부와 연통되고 상기 하부개구부의 둘레 보다 작은 둘레를 갖는 상부개구부를 가지고 상기 하부절연층과 함께 오버행(overhang) 구조를 형성하는 상부절연층;An upper insulating layer formed on the lower insulating layer, the upper insulating layer communicating with the lower opening and having an upper opening having a smaller perimeter than the lower opening and forming an overhang structure together with the lower insulating layer; 상기 하부개구부 내부의 상기 하부전극 상부면, 상기 상부개구부 내부의 상기 상부절연층 측벽, 및 상기 상부절연층의 상부면에 형성된 전도층으로서, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납 및 이들의 합금으로 이루어진 금속 그룹으로부터 선택된 하나 이상 또는 전도성을 갖는 유기물질로 형성된 전도층;As a conductive layer formed on the upper surface of the lower electrode inside the lower opening, the sidewall of the upper insulating layer inside the upper opening, and the upper surface of the upper insulating layer, magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, A conductive layer formed of one or more conductive organic materials selected from the group of metals consisting of lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead and alloys thereof; 상기 하부개구부 내부에서 상기 하부전극 상부에 형성된 전도층 위에 형성된 유기물층; 및An organic material layer formed on the conductive layer formed on the lower electrode in the lower opening; And 상기 상부절연층 상부에 형성된 전도층 상부와 상기 유기물층 상부에 형성된 상부전극An upper electrode formed on the conductive layer formed on the upper insulating layer and on the organic material layer 을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.An organic light emitting device comprising a. 청구항 11에 있어서,The method according to claim 11, 상기 하부절연층은 SiON, 비정질 Al2O3 및 SiO2 중 선택된 어느 한 물질로형성된 것이고, 상기 상부절연층은 Si3N4로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The lower insulating layer is SiON, amorphous Al 2 O 3 And SiO 2 , and the upper insulating layer is formed of Si 3 N 4 . 청구항 11에 있어서,The method according to claim 11, 상기 오버행 구조는 상기 하부개구부의 중심에서 상기 하부절연층의 내측을 향해 함몰된 만곡면을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The overhang structure includes an curved surface recessed toward the inside of the lower insulating layer at the center of the lower opening. 삭제delete 청구항 11에 있어서,The method according to claim 11, 상기 하부절연층과 상기 상부절연층은 식각용액에 의해 식각되는 식각속도가서로 다르며,The lower insulating layer and the upper insulating layer are different from each other in the etching rate is etched by the etching solution, 상기 하부절연층은 상기 상부절연층 보다 식각속도가 빠른 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The lower insulating layer is an organic light emitting device, characterized in that the etching rate is faster than the upper insulating layer. 청구항 11에 있어서,The method according to claim 11, 상기 오버행 구조는 상기 상부절연층과 상기 하부절연층을 모두 습식식각하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The overhang structure is formed by wet etching both the upper insulating layer and the lower insulating layer. 청구항 16에 있어서,The method according to claim 16, 상기 상부절연층의 습식식각에 사용된 식각용액은 인산(H3PO4)이고, 상기 하부절연층의 습식식각에 사용된 식각용액은 불산(HF)인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The etching solution used for the wet etching of the upper insulating layer is phosphoric acid (H 3 PO 4 ), the etching solution used for the wet etching of the lower insulating layer is an organic light emitting device, characterized in that the hydrofluoric acid (HF). 청구항 11에 있어서,The method according to claim 11, 상기 오버행 구조는 상기 상부절연층을 건식식각한 후, 상기 하부절연층을 식각용액으로 습식식각하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The overhang structure is formed by dry etching the upper insulating layer and then wet etching the lower insulating layer with an etching solution. 청구항 11에 있어서,The method according to claim 11, 상기 오버행 구조는 상기 상부절연층과 상기 하부절연층을 건식식각한 후, 상기 하부절연층을 식각용액으로 습식식각하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The overhang structure is formed by dry etching the upper insulating layer and the lower insulating layer, and then wet etching the lower insulating layer with an etching solution. 청구항 18 또는 청구항 19에 있어서,The method according to claim 18 or 19, 상기 건식식각에 사용되는 에칭가스는 CF4 가스, CHF3 가스, C2F6 가스, C3F8 가스, SF6 가스, NF3 가스, CHF3, O2, CF4이 혼합된 혼합가스, 및 O2 , H2 , He 중 선택된 하나 이상과 CF4의 혼합가스로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The etching gas used for the dry etching is CF 4 Selected from gas , CHF 3 gas, C 2 F 6 gas, C 3 F 8 gas, SF 6 gas, NF 3 gas, CHF 3 , O 2 , CF 4 mixed gas, and O 2 , H 2 , He Organic light emitting device, characterized in that selected from the group consisting of at least one and a mixed gas of CF 4 . 청구항 18 또는 청구항 19에 있어서,The method according to claim 18 or 19, 상기 식각용액은 불산(HF), BOE(buffered oxide etchant), 및 BHF(Buffered HF solution) 중 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.The etching solution is an organic light emitting device, characterized in that at least one selected from hydrofluoric acid (HF), buffered oxide etchant (BOE), and buffered HF solution (BHF). 청구항 11 내지 청구항 13 및 청구항 15 내지 청구항 19 중 어느 한 항에 따른 유기발광소자를 포함하는 전자장치.An electronic device comprising the organic light emitting device according to any one of claims 11 to 13 and 15 to 19.
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