KR100858018B1 - Method for producing interconnection element - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 전자부품의 검사를 위하여 검사기기와 연결되고 그리고 전자부품에 견고하게 결합되고 그리고 피검사부품에 일시적으로 접촉되어 전기적 신호를 전달할 수 있는 접속소자의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 검사기기에 한쪽 끝 부분이 영구적 또는 반영구적으로 결합되고 그리고 다른 한쪽 끝 부분이 피검사대상인 전극 패드에 일시적으로 반복 접촉되면서 피검사대상과 검사기기 사이에 전기 신호를 전달하여 피검사대상의 불량 여부를 검사할 수 있는 접속소자의 제조방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
전자부품의 검사를 위한 마이크로 팁 구조는 공지되어 있다. 실리콘 웨이퍼에 대량으로 제조된 반도체 또는 마이크로프로세서는 각각의 소자로 분리되기 전에 먼저 불량 여부가 검사되어야 한다. 소자의 전기적 불량 여부를 판단하기 위하여 검사기기에 연결된 프로브의 팁을 각각의 소자에 접촉시켜 시험 신호를 각각의 소자에 입력한다. 그리고 검사기기에 전달되는 각각의 소자로부터 발생된 응답 신호에 기초하여 각각 소자의 불량 여부를 판단하게 된다. 마이크로 소자는 대량으로 집적되어 제조되므로 검사를 위한 프로브도 마찬가지로 충분한 집적도를 가지는 것이 검사 능률 향상을 위하여 유리하다. 그러나 일반적으로 프로브가 높은 집적도로 배열되면 오동작 가능성이 높아지고 그리고 프로브 사이의 편차 증가로 인하여 검사신뢰성이 낮아질 수 있다. 검사신뢰성의 저하는 프로브 사이의 전기적 간섭 또는 프로브 자체의 내구성으로 인하여 발생할 수도 있다. 검사기기의 프로브는 전기신호 검사를 위하여 마이크로 소자의 전극패드에 반복적으로 접촉하여야 한다. 이와 같은 반복적인 접촉은 프로브 자체를 변형 또는 손상시킬 수 있다. 또한 검사 과정에서 예를 들어 온도 변화와 같은 검사 조건은 프로브의 편차를 증가시킬 수 있고 이로 인하여 검사신뢰성이 낮아질 수 있다. 이와 같은 문제점을 해결하면서 반도체 다이에 제조된 웨이퍼를 효율적으로 검사하기 위한 다양한 구조의 프로브가 개시되어 있다. Micro tip structures for the inspection of electronic components are known. Semiconductors or microprocessors manufactured in large quantities on silicon wafers must first be inspected for defects before being separated into individual devices. In order to determine the electrical failure of the device, the tip of the probe connected to the inspection equipment is contacted with each device and a test signal is input to each device. And it is determined whether each device is defective based on the response signal generated from each device delivered to the inspection device. Since micro-devices are manufactured by integrating a large amount, it is advantageous for the probe for inspection to have a sufficient degree of integration in order to improve inspection efficiency. However, in general, when probes are arranged at high densities, the possibility of malfunction may increase, and inspection reliability may be lowered due to increased deviation between probes. Poor test reliability may occur due to electrical interference between the probes or the durability of the probe itself. The probe of the inspection instrument shall be repeatedly contacted with the electrode pad of the micro device for the electrical signal inspection. Such repeated contact may deform or damage the probe itself. In addition, inspection conditions such as, for example, temperature changes in the inspection process may increase the deviation of the probe, thereby lowering the inspection reliability. In order to solve such problems, a probe having various structures for efficiently inspecting a wafer manufactured on a semiconductor die is disclosed.
대량으로 집적되어 제조되는 반도체의 시험을 위한 프로브와 관련하여 WO 2004/102207은 2개의 암을 형성하여 탄성 변형의 강도를 향상시킨 프로브에 대하여 개시하고 있다. KR 특허번호 제664443호는 피검사 소자의 전극패드에 대한 접촉 면적을 향상시키기 위하여 프로브 팁의 정렬 형태가 변형된 프로브를 개시하고 있다. 그리고 US 7,287,322는 사진 식각 공정(lithographic techniques)에 의하여 제조되는 스프링 소자 형태의 프로브에 대하여 개시하고 있다. Regarding probes for testing semiconductors fabricated in large quantities, WO 2004/102207 discloses a probe that forms two arms to improve the strength of elastic deformation. KR Patent No. 664443 discloses a probe in which the alignment of the probe tip is modified to improve the contact area of the device under test with the electrode pad. And US 7,287,322 disclose a probe in the form of a spring element produced by photolithographic techniques.
다수 개의 접촉 팁을 가진 프로브는 마이크로 소자의 검사를 위하여 반복적으로 피검사 소자의 전극패드에 일정한 압력으로 접촉되어야 한다. 이와 같은 반복적인 접촉 과정에서 만약 어느 하나의 접촉 팁에 검사와 관련된 장애가 발생하는 경우 프로브 전체가 마이크로 소자의 검사에 적용될 수 없다는 문제점이 발생한다. 검사와 관련된 장애는 프로브 소자 자체의 불량에 기인할 수도 있지만 다른 한편으로 프로브와 프로브 사이의 편차로부터 비롯될 수도 있다. 프로브와 프로브 사이의 편차는 예를 들어 탄성 변형에 따른 접촉 팁의 수평 이동 거리의 차이, 프로브 사이의 접촉 시점의 차이 또는 전극패드에 대한 접촉 압력의 차이가 될 수 있다. 다수 개의 프로브가 하나의 전자 기판에 장착되어 다수 개의 전극패드에 동시에 접촉하는 경우 각각의 프로브의 구조뿐만 아니라 프로브 사이의 균일성 확보가 중요한 기술적 과제가 될 수 있다. 그러나 선행 발명은 이러한 문제점에 대한 해결 방법을 구체적으로 제시하지 않는다. 마이크로 소자의 검사를 위한 프로브는 탄성 변형에 따른 공간, 다수 개의 접촉 팁의 동시 접촉 및 예상되는 반복 접촉 횟수와 관련된 조건을 충족시킬 수 있어야 한다. 관련 조건은 프로브의 구조 및 검사기기에 대한 결합 형태에 의하여 결정될 수 있다. 공지된 프로브는 외팔보 형태의 캔틸레버 구조, 연장 세선 형태의 니들 구조, 기판에 대하여 수직으로 배치된 수직 정렬 구조 및 복합 구조로 나누어질 수 있지만 캔틸레버 구조 또는 복합 구조가 프로브 형성을 위하여 일반적으로 채용되고 있다. 캔틸레버 구조는 식각 공정에 의하여 대량으로 제조될 수 있고 그리고 탄성 변형 폭이 쉽게 확보될 수 있다는 이점을 가진다. 그러나 캔틸레버 구조는 높은 집적도로 배열되기 어렵고 그리고 반복적인 탄성 변형에 의하여 기판과의 결합력이 약해질 수 있다는 단점을 가진다. 프로브는 전자부품의 불량 여부를 판단하기 위하여 전기신호를 전달하는 소자에 해당한다. 이를 위하여 다수 개의 소자가 기판에 밀집하게 배치되어 반복적으로 전자부품의 전극에 접촉한다. 그러므로 프로브는 단순 구조, 높은 전기 전도성, 상하 방향에 대한 탄성 변형 및 복원성, 좌우 방향에 대한 변형 저항성, 고밀도 배치 용이성 및 결합 용이성과 같은 조건을 가져야 한다. 이러한 조건들은 균일하게 제조되는 다수 개의 프로브에 동시에 실현되어야 한다. 하나의 기판에 동시에 설치되는 프로브가 가져야 할 조건은 프로브 구조에 대한 해석을 통하여 기능적으로 구분될 수 있는 적어도 2개의 부분들이 가져야 할 상대적인 관계에 기초하여 결정될 수 있다. A probe having a plurality of contact tips must be repeatedly contacted with a constant pressure on the electrode pad of the device under test for inspection of the micro device. In such a repetitive contact process, if an inspection-related failure occurs in any one of the contact tips, the entire probe cannot be applied to the inspection of the micro device. The failure associated with the test may be due to a failure of the probe element itself but on the other hand may result from a deviation between the probe and the probe. The deviation between the probe and the probe may be, for example, a difference in horizontal movement distance of the contact tip due to elastic deformation, a difference in contact point between the probes, or a difference in contact pressure with respect to the electrode pad. When a plurality of probes are mounted on one electronic substrate to simultaneously contact a plurality of electrode pads, securing the uniformity between the probes as well as the structure of each probe may be an important technical problem. However, the prior invention does not specifically present a solution to this problem. Probes for inspection of microdevices must be able to meet the conditions associated with the space due to elastic deformation, the simultaneous contact of multiple contact tips, and the expected number of repeated contacts. Relevant conditions can be determined by the structure of the probe and the type of coupling to the test instrument. Known probes can be divided into cantilever structures in the form of cantilever, needle structures in the form of extension thin wires, vertical alignment structures vertically arranged with respect to the substrate, and composite structures, but cantilever structures or composite structures are generally employed for forming probes. . The cantilever structure has the advantage that it can be manufactured in large quantities by an etching process and the elastic deformation width can be easily secured. However, the cantilever structure has a disadvantage in that it is difficult to arrange at high density and the bonding force with the substrate may be weakened by repeated elastic deformation. The probe corresponds to an element that transmits an electrical signal to determine whether an electronic component is defective. To this end, a plurality of devices are densely arranged on the substrate to repeatedly contact the electrodes of the electronic component. Therefore, the probe should have conditions such as simple structure, high electrical conductivity, elastic deformation and resilience in the vertical direction, deformation resistance in the left and right directions, high density placement ease, and ease of coupling. These conditions must be simultaneously realized for multiple probes that are manufactured uniformly. The condition that the probe to be installed on one substrate at the same time should be determined based on the relative relationship that should be at least two parts that can be functionally separated through the analysis of the probe structure.
본 발명의 목적은 기능적으로 구분되는 적어도 2개의 부분들 사이의 구조적 관련성으로 인하여 접속소자 사이의 구조적 편차가 감소되어 검사 신뢰성을 향상시킬 수 있는 전자부품의 검사를 위한 접속소자의 제조방법을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a connection element for inspection of an electronic component, which can improve inspection reliability by reducing structural deviations between the connection elements due to structural relationships between at least two functionally separated parts. will be.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 다수 개 접속소자의 제조방법은 제1 전자부품에 형성된 결합패드에 대응되는 고정영역의 결합위치를 결정하는 단계; 고정영역으로부터 전극패드에 이르는 연장영역의 연장길이를 결정하는 단계; 연장길이의 일부분을 비탄성 영역으로 결정하는 단계; 연장길이의 나머지 부분을 탄성영역으로 결정하는 단계; 및 다수 개 접속소자의 제2 전자부품에 대한 접촉압력을 조절하기 위하여 구조인자를 결정하는 단계를 포함한다. According to a preferred embodiment of the present invention, a method of manufacturing a plurality of connection elements comprises the steps of determining the bonding position of the fixed region corresponding to the coupling pad formed on the first electronic component; Determining an extension length of the extension area from the fixed area to the electrode pad; Determining a portion of the extension length as an inelastic region; Determining the remaining portion of the extension length as the elastic region; And determining a structural factor to adjust the contact pressure of the plurality of connection elements with respect to the second electronic component.
본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 구조인자는 연장영역의 연장 방향에 따른 폭, 비탄성 영역의 길이 또는 연장영역의 두께가 된다. According to another suitable embodiment of the present invention, the structural factor is the width along the extension direction of the extension region, the length of the inelastic region or the thickness of the extension region.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 비탄성 영역은 베이스 및 접촉 팁을 포함하고 그리고 비탄성영역을 결정하는 단계는 베이스의 수평연장 길이 또는 수직높이를 결정하는 단계를 더 포함한다. According to another suitable embodiment of the present invention, the inelastic region comprises a base and a contact tip and determining the inelastic region further comprises determining a horizontal extension length or vertical height of the base.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 탄성영역은 연장 방향을 따라 동일한 폭으로 연장되는 제1 탄성영역 및 연장 방향을 따라 서로 다른 폭으로 연장되는 제2 탄성영역으로 구분되는 단계를 더 포함한다. According to another suitable embodiment of the present invention, the elastic region further comprises a first elastic region extending in the same width along the extending direction and a second elastic region extending in different widths along the extending direction. .
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 제2 전자부품에 대한 접촉압력은 제2 탄성영역에 의하여 결정된다. According to another suitable embodiment of the present invention, the contact pressure for the second electronic component is determined by the second elastic region.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 비탄성 영역의 길이는 연장영역의 연장 길이에 따라 상대적으로 결정된다. According to another suitable embodiment of the present invention, the length of the inelastic region is determined relatively according to the extension length of the extension region.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 비탄성 영역의 길이는 서로 동일하다.According to another suitable embodiment of the invention, the lengths of the inelastic regions are the same.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 제2 탄성영역의 연장 방향에 따른 폭은 각각의 접속소자에 대하여 서로 다르다. According to another suitable embodiment of the present invention, the width along the extending direction of the second elastic region is different for each connection element.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 제2 탄성영역의 최대 폭 위치를 결정하는 단계를 더 포함한다.According to another suitable embodiment of the present invention, the method further includes determining a maximum width position of the second elastic region.
본 발명에 따른 접속소자는 구조인자의 조절을 통하여 검사 과정에서 발생할 수 있는 오차를 감소시킬 수 있도록 한다는 이점을 가진다. The connection device according to the present invention has the advantage of reducing the errors that can occur during the inspection process by adjusting the structural factors.
아래에서 본 발명은 실시 예를 기초로 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명된다. 제시된 실시 예는 예시적인 것으로 본 발명의 범위를 제한하기 위한 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings based on embodiments. The examples presented are exemplary and are not intended to limit the scope of the invention.
본 명세서에서 접속소자는 프로브를 포함하여 서로 다른 전자부품 사이에 전기적 신호를 전달할 수 있는 임의의 전기 또는 전자소자를 의미한다. 예를 들어 접속소자는 반도체 웨이퍼의 전기검사를 위하여 사용될 수 있지만 2개의 서로 다른 전자 또는 전기기판을 전기적으로 연결하기 위하여 사용될 수 있다. In the present specification, the connection device refers to any electric or electronic device capable of transmitting an electrical signal between different electronic components including a probe. For example, the connection element may be used for the electrical inspection of the semiconductor wafer but may be used to electrically connect two different electronic or electrical substrates.
본 명세서에서 접속소자는 단일 또는 복수의 의미로 사용될 수 있지만 구분이 요구되는 경우라면 "다수 개" 또는 "적어도"와 같은 표현에 의하여 제한적인 의미로 표현된다. 본 명세서에서 상호접속은 전기적으로 분리된 적어도 2개의 전자부품이 서로 연결되어 전기신호를 전달할 수 있는 상태가 되는 것을 의미한다. 일시적 접촉은 일정한 힘 또는 압력에 의하여 적어도 2개의 소자의 일정 부분이 접촉되어 전기적으로 연결되고 그리고 일정한 힘 또는 압력의 제거에 의하여 적어도 2개의 소자의 일정 부분이 분리되어 전기적으로 연결되지 않는 것을 의미한다. 반영구적 결합은 적어도 2개의 전자소자가 일정한 힘의 작용 또는 가압과 같은 외부 조건에 관계없이 결합 상태를 유지하여 분리를 위하여 특별한 수단이 요구되는 적어도 2개의 전자부품의 결합 상태를 의미한다. 반영구적 결합은 예를 들어 교체를 위한 분리 가능성을 전제로 한다. 접속소자는 한 쪽 끝 부분이 전자부품에 반영구적으로 결합되고 그리고 다른 한 쪽 끝이 다른 전자부품에 일시적으로 접촉될 수 있는 전자 소자의 검사를 위하여 사용되는 전자부품을 포함한다. 접속과 접촉은 모두 적어도 2개의 전자부품이 전기적으로 연결되는 것을 의미하지만 접속은 전기적 연결 상태를 의미하고 그리고 접촉은 물리적 연결 상태를 의미한다. 일반적으로 2개의 전자부품은 접촉에 의하여 상호접속이 된다. In the present specification, the connection element may be used in a single or plural sense, but when a division is required, it is expressed in a limited meaning by an expression such as "a plurality" or "at least". In this specification, interconnection means that at least two electronic components that are electrically separated are connected to each other to be in a state capable of transmitting an electrical signal. Temporary contact means that a certain portion of at least two elements are contacted and electrically connected by a constant force or pressure, and that a portion of the at least two elements are not separated and electrically connected by the removal of a constant force or pressure. . Semi-permanent coupling means a coupling state of at least two electronic components in which at least two electronic elements require a special means for separation by maintaining the coupling state regardless of external force such as a constant force action or pressure. Semi-permanent coupling presupposes the possibility of separation for replacement, for example. The connection element includes an electronic component used for inspection of an electronic component in which one end portion is semi-permanently coupled to the electronic component and the other end can be temporarily contacted with the other electronic component. Connection and contact both mean that at least two electronic components are electrically connected, but connection means electrical connection and contact means physical connection. In general, two electronic components are interconnected by contact.
본 명세서에서 접속소자는 탄성 변형이 가능해야 한다. 탄성 변형은 모든 방향으로 가능하지만 접속소자의 탄성 변형이란 접속소자가 결합되는 전자 기판에 수직이 되는 상하 방향의 탄성 변형을 의미한다. 이와 같은 탄성 변형은 접속소자 소 재 자체의 물성 또는 기능적으로 구분되는 영역들의 결합 구조에 의하여 발생할 수 있다. 일반적으로 탄성 변형은 복원성을 전제로 하고 그리고 본 명세서에서 탄성 변형도 마찬가지로 접속소자가 최초 위치로 복원될 수 있는 것을 전제로 한다. In the present specification, the connecting element should be capable of elastic deformation. The elastic deformation is possible in all directions, but the elastic deformation of the connection element means an elastic deformation in the vertical direction perpendicular to the electronic substrate to which the connection element is coupled. Such elastic deformation may be caused by the coupling structure of the physically or functionally distinct regions of the connection element material itself. In general, elastic deformation presupposes restorability, and in this specification, elastic deformation also presupposes that the connecting element can be restored to the initial position.
도 1a는 세 개의 서로 다른 구조를 가진 접속소자에 대하여 상하 방향의 탄성 변형에 따른 탄성 변위를 각각 도시한 것이다. FIG. 1A illustrates elastic displacements due to elastic deformation in the vertical direction with respect to three elements having different structures.
도 1a를 참조하면, 접속소자는 제1 전자부품(11)에 결합되는 고정영역(F); 탄성 변형이 되는 연장영역(A); 및 제2 전자부품(12)에 형성된 전극패드(121)에 일시적으로 접촉되는 접촉영역(T)으로 나누어질 수 있다. 바람직하게는 고정영역(F) 및 접촉영역(T)은 비탄성 소재로 제조되거나 또는 비탄성 구조를 가질 수 있다. 제2 전자부품(12)이 제1 전자부품(11) 방향으로 접근하면 접속소자는 제2 전자부품(12)의 전극패드(121)에 접촉하게 된다. 접속소자에 힘이 작용하는 순간 제1 전자부품(11)과 제2 전자부품(12) 사이에 형성된 간격은 L0이 된다. 그리고 제2 전자부품(12)이 위쪽으로 이동하게 되면 접속소자의 연장영역(A)은 탄성 변형이 되기 시작하고 그리고 탄성 변위는 접속소자의 형태에 따라 각각 L1, L2 및 L3이 된다. 접속소자의 실제 탄성 변위(L)는 소재 자체의 탄성 계수 또는 구조적 요인으로 인하여 최대 탄성 변위(LN, N = 1,2 또는 3)보다 작아진다. Referring to FIG. 1A, the connection element may include a fixed region F coupled to the first
L값은 접속소자 구조에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 도 1a의 좌측에 도시된 접속소자의 경우 L값은 고정영역(F)의 높이 또는 접촉영역(T)의 수직 방향의 길이에 의하여 제한될 수 있다. 도 1a의 중간 부분에 도시된 접속소자가 탄성 변형 되는 경우 연장영역(A)은 겹쳐지게 되므로 실제로 L값은 겹쳐진 부분의 두께만큼 감해질 수 있다. 그리고 도 1a의 우측에 도시된 접속소자의 경우 제1 전자부품(11)에 형성된 결합영역(111) 및 제2 전자부품(12)에 형성된 전극패드(121) 사이의 수평 이격 거리에 의하여 L값이 제한될 수 있다. 본 명세서에서 수직정렬 구조 또는 연장정렬 구조는 제1 전자부품(11)의 결합영역(111) 및 제2 전자부품(12)의 전극패드(121)의 상대적인 위치에 따라 분류된다. 2개의 전자부품(11, 12)의 평면에 대한 다수 개의 수직선을 가정할 때, 만약 결합영역(111)과 전극패드(121)가 동일 수직선에 있거나 또는 동일 수직선에 있다고 볼 수 있는 경우 수직정렬 구조를 가진 접속소자로 분류된다. 이와 달리 결합영역(111)과 전극패드(121)가 각각 서로 다른 수직선과 만나거나 또는 서로 다른 수직선에 위치한다고 볼 수 있는 경우 연장정렬 구조를 가진 접속소자로 분류된다. 도 1a의 좌측 및 우측에 도시된 접속소자의 경우 연장정렬 구조를 가진 접속소자가 되고 그리고 중간에 도시된 접속소자의 경우 수직정렬 구조를 가진 접속소자로 분류될 수 있다.The L value may vary depending on the connection device structure. For example, in the connection element shown on the left side of FIG. 1A, the L value may be limited by the height of the fixed region F or the length of the contact region T in the vertical direction. When the connecting element shown in the middle portion of FIG. 1A is elastically deformed, since the extension region A overlaps, the L value may actually be reduced by the thickness of the overlapping portion. In the connection device shown on the right side of FIG. 1A, the L value is determined by the horizontal separation distance between the
접속소자의 연장영역(A)이 탄성 변형되면 접촉영역(T)이 상하 방향으로 이동하면서 동시에 좌우 방향으로 이동하게 된다. 상하 방향은 제1 전자부품(11) 또는 제2 전자부품(12)의 표면에 대하여 수직이 되는 방향을 의미하고 그리고 좌우 방향이란 제1 전자부품(11) 또는 제2 전자부품(12)의 표면과 평행한 방향을 의미한다. 연장영역(A)의 탄성 변형은 고정영역(F)에 대한 연장영역(A)의 상대적인 길이 및 탄성변형 기준점에 의하여 결정된다. 본 명세서에서 탄성변형 기준점은 반드시 기하학적으로 점 형태를 의미하는 것이 아니라 일정한 크기의 면적 또는 부피가 될 수 있다. 그리고 탄성변형 기준점은 반드시 정확하게 정해진 하나의 점, 면적 또는 부피가 될 필요는 없다. 탄성변형 기준점은 수직 방향의 압력 또는 힘이 가하여지는 경우 상하 방향으로 변위되는 부분과 변위가 되지 않는 부분의 경계 위치를 말한다. 이와 같은 탄성변형 기준점은 소재의 성질, 가해지는 힘 또는 압력의 위치, 또는 구성 요소들의 상대적인 결합 관계 또는 구조에 의하여 결정될 수 있다.When the extension region A of the connecting element is elastically deformed, the contact region T moves in the vertical direction and simultaneously moves in the left and right directions. The vertical direction refers to the direction perpendicular to the surface of the first
본 명세서에서 탄성변형 기준점은 2가지 요소에 의하여 결정될 수 있다. 먼저 탄성변형 기준점은 접촉영역(T)의 수평 이동 및 수직 이동을 산출하는 기준 위치가 된다. 그리고 탄성변형 기준점은 접촉영역(T)이 전극패드에 가하는 압력 또는 제2 전자부품(12)의 수직 이동에 의하여 전극패드(121)에 가해지는 압력을 산출하는 기준위치가 된다. 수평 이동 및 수직 이동의 산출은 연장영역(A)과 접촉영역(T)의 구조적 결합에 의하여 결정될 수 있고 그리고 전극패드(121)에 가해지는 압력은 연장영역(A)의 폭 또는 소재의 탄성계수와 같은 연장영역(A) 및 접촉영역(T)의 물리적 성질에 의하여 결정될 수 있다. In this specification, the elastic deformation reference point may be determined by two factors. First, the elastic deformation reference point becomes a reference position for calculating the horizontal movement and the vertical movement of the contact area T. The elastic deformation reference point is a reference position for calculating the pressure applied to the
도 1b는 탄성변형 기준점이 서로 다른 접속소자의 실시 예를 도시한 것이다. 1B illustrates an embodiment of a connection element having different elastic strain reference points.
도 1b의 (A)를 참조하면, 접속소자의 연장영역(A)은 고정영역(F)에 가까운 부분에서 폭이 넓은 구조로 연장되고 그리고 접촉영역(T)에 인접하는 부분에서 폭이 좁은 구조로 연장된다. 연장영역(A)의 두께가 동일하다고 가정하면 접촉영역(T)에 힘이 가해지면 연장영역(A)의 탄성 변형 정도는 주로 탄성영역(LE)에 의하여 결정된다. 실제로 비탄성영역(LNE)도 탄성 변형이 되지만 탄성영역(LE)의 탄성 변형 정도에 비하면 무시될 수 있다. 그러므로 접촉영역(T)의 수평 및 수직 이동 거리는 탄성영역(LN)의 변형만을 고려하여 산출할 수 있다. 그러므로 탄성변형 기준점(B1)은 비탄성영역(LNE)과 탄성영역(LE)의 경계점으로 설정될 수 있다. 도 1b의 (B) 및 (C)에 도시된 접속소자의 실시 예에 대하여 도 1b의 (A)와 관련된 동일한 논리가 적용될 수 있다. Referring to FIG. 1B (A), the extension region A of the connecting element extends in a wide structure at a portion close to the fixed region F and has a narrow structure at a portion adjacent to the contact region T. Extends. Assuming that the thickness of the extended area A is the same, when a force is applied to the contact area T, the degree of elastic deformation of the extended area A is mainly determined by the elastic area L E. Indeed, the inelastic region (L NE ) is also elastic deformation, but can be ignored compared to the degree of elastic deformation of the elastic region (L E ). Therefore, the horizontal and vertical moving distances of the contact region T may be calculated by considering only the deformation of the elastic region L N. Therefore, the elastic deformation reference point B 1 may be set as a boundary point between the inelastic region L NE and the elastic region L E. The same logic as that of FIG. 1B (A) may be applied to the embodiment of the connection element shown in FIGS. 1B (B) and (C).
한편 전극패드에 작용하는 접촉압력을 고려할 필요가 있다면 마찬가지로 탄성영역(LE)의 탄성변형에 따른 탄성력에 기초하여 접촉압력이 산출될 수 있다. 이와 같이 탄성변형 기준점(B1, B2, B3)은 접촉영역(T)의 이동거리 및 접촉압력을 계산하는 기준 위치가 된다. Meanwhile, if it is necessary to consider the contact pressure acting on the electrode pad, the contact pressure may be calculated based on the elastic force according to the elastic deformation of the elastic region L E. As such, the elastic deformation reference points B 1 , B 2 , and B 3 serve as reference positions for calculating the moving distance and the contact pressure of the contact region T. FIG.
다시 도 1a를 참조하면, 제2 전자부품(12)이 제1 전자부품(11)에 접근하면 접속소자는 제2 전자부품(12)에 형성된 전극패드(121)에 접촉하게 된다. 이상적인 접속소자 구조라면 제1 전자부품(11)에 결합된 다수 개의 접속소자가 동시에 대응되는 다수 개의 전극패드(121)에 접할 수 있어야 한다. 그러나 일반적으로 제조공정 과정에서 발생하는 공정 오차 또는 제1 전자부품(11) 및 제2 전자부품(12)의 표면에 형성된 평면 오차로 인하여 다수 개의 접속소자가 동시에 대응되는 다수 개의 전극패드(121)에 접하기 어렵다. 본 명세서에서 이와 같이 다수 개 접속소자 각각의 전극패드(121)에 대한 접촉 시점의 차이를 접속소자의 수직 오차라고 한다. 접속소자가 전극패드(121)에 접촉하고 그리고 계속적으로 제2 전자부품(12)이 제1 전자부품(11)의 방향으로 이동하면 접촉영역(T)의 팁 영역(CP)은 전극패드(121)에서 수직 및 수평 방향으로 이동하게 된다. 그리고 전극패드(121)에 도포된 산화 막 위에 긁힘(scrub)을 형성하게 된다. 접속소자가 전극패드(121)에 접촉하여 산화 막을 긁고 그리고 접촉 상태를 유지하면, 접속소자를 통하여 제2 전자부품(12)으로 전기신호가 전달될 수 있다. 이와 같은 긁힘(scrub)의 형성 및 접촉 상태의 유지로 인하여 제2 전자부품(12)의 전기 검사가 가능하게 된다. 전극패드(121)에서 접촉 및 긁힘이 발생하는 위치 및 면적은 접촉영역(T)의 탄성 변위에 의하여 결정된다. 그리고 탄성 변위의 크기는 접속소자의 구조에 의하여 결정된다. 그러므로 접속소자 구조는 전극패드(121)에서 접촉 및 긁힘이 발생하는 위치 및 면적에 기초하여 결정되어야 한다. Referring back to FIG. 1A, when the second
긁힘을 발생시키기 위한 다른 인자는 접촉영역(T)에 의하여 전극패드(121)의 표면에 가해지는 압력이 된다. 엄밀하게는 탄성변형 기준점 또는 고정영역(F)을 축으로 하는 토크(torque)가 발생한다. 전극패드(121)에 가해지는 압력은 연장영역(A)에 의한 상하방향의 탄성력에 의하여 결정되고 그리고 탄성력은 제2 전자부품(12)의 이동 정도에 따라 각각의 접속소자의 구조에 의하여 결정될 수 있다. 접촉영역(T)에 수직 압력이 가해지는 경우 팁 영역(CP)은 수직 및 수평 방향으로 이동하게 되므로 팁 영역(CP)의 형상도 긁힘에 영향을 미치게 된다.Another factor for generating the scratch is the pressure applied to the surface of the
위에서 살펴본 것처럼 접속소자의 구조를 결정하기 위하여 고려되어야 할 인자는 접촉영역(T)의 탄성 변위, 전극패드에 가해지는 접촉 압력 및 팁 영역(CP)의 형상을 포함한다. 전극패드(121)는 피검사 소자의 집적도에 의하여 배열 형태 및 면적이 결정된다. 접속소자는 미리 결정된 전극패드(121) 배열에 대하여 각각의 전 극패드(121)에 동일 또는 유사한 형태를 가지는 긁힘을 발생시킬 수 있는 구조를 가져야 한다. 또한 접속소자는 전극패드(121)에 적절한 압력을 가하여 전극패드(121)를 손상시키지 않고 긁힘을 발생시키면서 그리고 필요에 따라 접촉 저항이 조절될 수 있는 구조를 가져야 한다. 이와 같이 접속소자가 전극패드(121)에 접촉하여 형성하는 긁힘의 위치, 형태 및 접촉압력에 기초하여 접속소자 구조가 결정될 수 있다. 본 명세서에서 이와 같이 접속소자의 구조를 결정하기 위하여 고려되어야 할 인자는 접속소자 구조 결정 인자(이하 "구조인자"라고 한다)로 언급된다. 구조인자는 서로 독립되거나 또는 상호 관련성을 가질 수 있다.As discussed above, factors to be considered for determining the structure of the connection element include the elastic displacement of the contact region T, the contact pressure applied to the electrode pad, and the shape of the tip region CP. The arrangement and area of the
아래에서 구조인자의 하나에 해당하는 접촉영역(T)의 탄성 변형에 대하여 설명한다.Hereinafter, the elastic deformation of the contact region T corresponding to one of the structural factors will be described.
도 1c는 연장영역(A)의 탄성 변형에 따른 접촉영역(T)의 탄성 변위를 도시한 것이다. 도 1c의 (A)를 참조하면, 팁 영역(CP)이 전극패드(121)에 최초로 접촉하고 그리고 계속하여 제2 전자부품(12)이 제1 전자부품(11)을 향하여 이동하면 연장영역(A)은 탄성 변형된다. 이에 따라 팁 영역(CP)은 전극패드(121)에서 수평 및 수직 방향으로 이동하게 된다. 연장영역(A)의 탄성 변형에 따른 팁 영역(CP)의 변위가 도 1c의 (B)에 도시되어 있다. FIG. 1C illustrates the elastic displacement of the contact region T according to the elastic deformation of the extension region A. As shown in FIG. Referring to FIG. 1C (A), when the tip region CP first contacts the
도 1c의 (B)를 참조하면, 연장영역(A)이 θ만큼 탄성변형이 되는 경우 팁 영역(CP)은 전극패드(121)에서 최초 위치(CPI)로부터 최종 위치(CPE)로 이동한다. 연장영역(A)의 탄성변형 각(θ)이 충분히 작다면 연장영역(A)은 직선으로 근사될 수 있다. 연장영역(A)과 접촉영역(T)을 모두 직선으로 근사시키면 연장영역(A)은 탄성변형 각(θ)만큼 회전 이동한 것으로 볼 수 있고 그리고 팁 영역(CP)의 수평 이동거리(LH) 및 수직 이동거리(LV)는 연장영역(A)의 탄성 연장길이(L) 및 팁 영역(CP)을 포함하는 접촉영역(T)의 수직높이(H)로 표시될 수 있다. Referring to (B) of FIG. 1C, when the extension region A is elastically deformed by θ, the tip region CP moves from the initial position CP I to the final position CP E on the
연장영역(A)은 탄성 변형이 되고 그리고 탄성 연장길이(L)는 연장영역(A)의 탄성 변형이 되는 부분의 길이를 의미한다. 이에 비하여 접촉영역(T)은 연장영역(A)에 비하여 상대적으로 탄성변형이 되지 않으므로 비탄성 영역에 해당한다. 엄밀하게 연장영역(A)의 탄성연장길이(L)는 탄성변형 기준점으로부터 연장영역(A)과 접촉영역(T)의 경계점 사이에 이르는 거리가 된다. 접촉영역(T)의 수직높이(H)는 팁 영역(CP)의 높이를 포함할 수 있다. 실제로 팁 영역(CP)은 연장영역(A)과 접촉영역(T)의 경계점에 위치하지 않을 수 있지만 아래 식에서 경계점에 위치하는 것으로 가정한다. 정확한 계산을 위하여 접촉영역(T)과 팁 영역(CP)의 상대적인 위치가 고려될 수도 있다. The extension area A is elastically deformed, and the elastic extension length L is the length of the portion that is elastically deformed in the extension area A. FIG. On the other hand, the contact area T corresponds to the inelastic area because it is relatively inelastic deformation compared to the extension area A. FIG. Strictly, the elastic extension length L of the extension region A is the distance from the elastic deformation reference point to the boundary point of the extension region A and the contact region T. The vertical height H of the contact area T may include the height of the tip area CP. In fact, the tip area CP may not be located at the boundary point between the extension area A and the contact area T, but it is assumed that the tip area CP is located at the boundary point in the following equation. The relative position of the contact area T and the tip area CP may be taken into account for accurate calculation.
전극패드(121)에서 팁 영역(CP)의 수평 이동거리(LH) 및 수직 이동거리(LV)는 연장영역(A)이 탄성 변형 각(θ)만큼 회전 이동하고 그리고 연장영역(A)과 접촉영역(T)이 모두 직선이 된다고 가정하면 아래와 같이 표시될 수 있다: In the
팁 영역(CP)의 수평 이동거리(LH): L(cosθ-1) + HsinθHorizontal travel distance L H of the tip region CP: L (cosθ-1) + Hsinθ
팁 영역(CP)의 수직 이동거리(LV): H(1-cosθ) + Lsinθ, 상기에서 L과 H는 탄성변형 기준점(B)으로부터 접촉영역(T)에 이르는 탄성연장길이 및 팁 영역(CP)을 포함하는 접촉영역(T)의 수직높이를 나타낸다. 그리고 탄성연장길이(L)는 실질적으로 탄성변형 기준점(B)으로부터 팁 영역(CP)의 연장영역(A)에 대한 수직선까지 이르는 거리를 의미한다. Vertical movement distance L V of the tip region CP: H (1-cosθ) + Lsinθ, where L and H are the elastic extension length and the tip region (from the elastic deformation reference point B to the contact region T) The vertical height of the contact area T including CP) is shown. In addition, the elastic extension length L substantially means a distance from the elastic deformation reference point B to the vertical line with respect to the extension region A of the tip region CP.
식에서 나타난 것처럼 수평 이동거리(LH) 및 수직 이동거리(LV)는 모두 연장영역(A)의 탄성연장길이(L), 접촉영역(T)의 수직높이(H) 및 탄성 변형 각(θ)의 크기에 의하여 결정된다. 제2 전자부품(12)이 제1 전자부품(11)의 방향으로 이동하면서 전극패드(121)에 접촉하게 된다. 다수 개의 전극패드(121)에 대응되는 다수 개의 접속소자가 동일한 높이를 가지고 그리고 이로 인하여 동일한 시점에 전극패드(121)에 접한다면 접속소자 자체의 구조적 차이에 의하여 전극패드(121)에 가해지는 압력 및 수평 이동거리 편차가 발생하게 된다. 그러나 각각의 접속소자의 높이 차로 인하여 서로 다른 시점에 전극패드(121)에 접한다면, 각각의 전극패드(121)에 형성되는 긁힘의 형상, 각각의 접속소자의 수직 이동거리 및 전극패드(121)에 가해지는 압력이 모두 서로 차이를 가지게 된다. 사진식각 공정이 적용되는 접속소자의 대량생산 과정에서 문제가 되는 것은 프로브 카드의 조립 과정에서 발생하는 수직 높이 오차 및 검사 과정에서 발생하는 수평 및 수직 높이 오차가 된다. 그리고 이와 같은 오차 중 일정범위의 오차는 항상 발생하게 되므로 설계 과정에서 미리 고려될 수 있다. 그러나 설계 과정에서 오차가 고려되는 경우라고 할지라도 적용 과정에서 오차가 발생할 수 있으므로 가능한 오차의 범위를 감소시킬 수 있는 접속소자의 구조가 고려되어야 한다. 구조인자의 조정은 다수 개의 접속소 자 사이의 오차 범위를 감소시키는 것을 의미한다. As shown in the equation, the horizontal movement distance L H and the vertical movement distance L V are both the elastic extension length L of the extension region A, the vertical height H of the contact region T and the angle of elastic deformation θ. ) Is determined by the size. The second
아래에서 구조인자에 따라 결정되는 접속소자의 구조에 대한 실시 예에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, an embodiment of a structure of a connection element determined according to a structure factor will be described in detail.
도 2a는 높이 차를 가지는 접속소자의 실시 예를 도시한 것이다. 2A illustrates an embodiment of a connection element having a height difference.
도 2a를 참조하면, 제2 전자부품(12)에 대한 접속소자 사이의 높이 차는 고정영역(F)의 높이 차, 제1 전자부품(11) 표면 또는 제2 전자부품(12) 표면의 불균일성과 같은 다양한 원인으로부터 발생할 수 있다. 그러나 이러한 다양한 원인으로부터 발생하는 접속소자 사이의 높이 차는 고정영역(F)의 높이 차로 환산될 수 있다. 그러므로 설명의 편의를 위하여 제1 전자부품(11) 및 제2 전자부품(12)은 각각 균일한 평면을 가지고 그리고 고정영역(F)의 높이가 서로 다른 것으로 가정한다. 제2 전자부품(12)이 제1 전자부품(11)에 접근함에 따라 고정영역(F)이 가장 높게 형성된 우측 접속소자가 제2 전자부품(12)의 표면에 형성된 전극패드(121)에 가장 먼저 도달하게 된다. 그리고 차례대로 중간 및 좌측에 도시된 전극패드(121)가 각각의 대응되는 접속소자에 접촉하게 된다. 제2 전자부품(12)이 미리 결정된 거리에 도달하게 되면 각각의 접속소자의 탄성 변형 각이 서로 다르게 된다. Referring to FIG. 2A, the height difference between the connecting elements for the second
도 2b는 제2 전자부품이 미리 결정된 거리에 도달한 경우 높이 차를 가지는 접속소자의 탄성 변형 형태를 각각 도시한 것이다. FIG. 2B illustrates elastic deformation forms of connection elements having a height difference when the second electronic component reaches a predetermined distance.
도 2b에 도시된 것처럼 각각의 접속소자의 연장영역(A)은 중간, 좌측 및 우측에 도시된 접속소자에 대하여 각각 θ0, θ1 및 θ2만큼 탄성 변형이 된다. 본 명 세서에서 접속소자의 탄성영역은 위에서 이미 설명을 한 것처럼 탄성변성기준점으로부터 연장영역(A)과 접촉영역(T)의 경계점(이하 "경계점"이라고 함)에 이르는 영역이 된다. 탄성영역이 탄성변형이 되는 경우 탄성변형의 정도는 탄성영역의 길이에 따라 다르게 된다. 본 명세서에서 탄성 변형 각은 탄성변형기준점으로부터 경계점에 이르는 직선이 제1 전자부품(11) 또는 제2 전자부품의 표면(12)과 이루는 각을 의미한다. 서로 다른 높이를 가지는 접속소자의 탄성 변형 각 사이에 θ1 <θ0 <θ2의 관계가 성립한다. 접속소자 사이의 높이 차는 팁 영역(CP)의 수직 이동거리(LV)와 관련되고 그리고 팁 영역의 수직 이동거리(LV)는 위에서 이미 설명을 한 것처럼 아래와 같은 식으로 표시될 수 있다. As shown in Fig. 2B, the extension region A of each connection element is elastically deformed by θ 0 , θ 1 and θ 2 with respect to the connection elements shown in the middle, left and right, respectively. In the present specification, as described above, the elastic region of the connecting element is a region from the elastic modification reference point to the boundary point between the extension region A and the contact region T (hereinafter referred to as "boundary point"). When the elastic region is elastic deformation, the degree of elastic deformation depends on the length of the elastic region. In the present specification, the elastic deformation angle means an angle formed by a straight line from the elastic deformation reference point to the boundary point with the
팁 영역(CP)의 수직 방향의 변위: H(1-cosθN) + LsinθN (N=0,1,2), L은 연장영역(A)의 탄성 연장길이 그리고 H는 접촉영역(T)의 수직높이를 각각 나타낸다. 접속소자 사이의 수직 오차를 보정하기 위하여 동일한 수직 높이 변화에 대하여 탄성변형 각이 작아지는 것이 유리하다. 또는 일정한 탄성 변형각의 차이에 대하여 수직 이동거리가 최대가 되는 것이 유리하다. 실질적으로 모든 전극패드(121)가 서로 다른 높이를 가지는 접속소자에 접촉이 되면 제2 전자부품(12)의 수직 방향의 이동 거리에 의하여 각각의 접속소자의 팁 영역(CP)의 수직 이동거리가 결정된다. 그러므로 수직 이동거리는 동일하다. 그러나 최초 접촉시점의 차이로 인하여 탄성변형 각의 변화량은 서로 달라질 수 있다. 만약 θ1, θ0 및 θ2를 각각의 접속소자 에서 최대 탄성 변형 각이라고 가정하면, 접속소자 사이의 수직 높이 오차를 감소시키기 위하여 각각의 탄성 변형 각에 따른 팁 영역(CP)의 수직 이동거리가 최대가 되는 것이 유리하다. 팁 영역(CP)이 전극패드(121)에 접촉하여 연장영역(A)이 탄성변형이 되면, 전극패드(121)에 일정한 압력이 가해지게 된다. 서로 다른 높이 차를 가진 접속소자가 서로 다른 전극패드(121)에 가하는 압력 차는 작은 것이 유리하다. 압력 차는 탄성 변형 각에 의하여 결정된다. 예를 들어 탄성 변형 각의 차이가 크면 클수록 전극패드(121)에 가해지는 압력 차가 커지게 된다. 그러므로 서로 다른 높이를 가진 접속소자가 서로 다른 전극패드(121)에 가하는 압력 차를 최소로 하기 위하여 일정한 탄성 변형 각의 차이에 대하여 수직 높이의 변화량이 최대로 되는 것이 유리하다. Displacement in the vertical direction of the tip area CP: H (1-cosθ N ) + Lsinθ N (N = 0,1,2), L is the elastic extension length of the extension area A and H is the contact area T Indicates the vertical height of. In order to correct the vertical error between the connecting elements, it is advantageous that the elastic deformation angle becomes small with respect to the same vertical height change. Alternatively, it is advantageous to maximize the vertical movement distance with respect to the difference in the constant elastic deformation angle. When substantially all the
접속소자의 탄성변형 각은 설계 과정에서 미리 결정될 수 있다. 예를 들어 전자부품의 생산 과정에서 전극패드(121)에 자연적으로 형성되는 산화 막을 제거하기 위하여 요구되는 힘 또는 압력이 산출될 수 있다. 그리고 접속소자의 탄성 변위 각을 일정 범위로 결정하고 그에 따라 연장영역(A)의 탄성 연장길이(L) 및 접촉영역(T)의 수직높이(H)를 결정할 수 있다. 그리고 적절한 접촉압력을 가지도록 소재, 연장영역의 길이, 두께 및 폭을 결정할 수 있다. 접촉영역의 수직높이(H)에 대한 탄성영역 길이는 위에서 설명을 한 것처럼 탄성 영역의 탄성 변형 각에 의하여 결정될 수 있다. 접속소자의 설계 과정에서 탄성 영역의 소재 및 길이가 결정되면 그에 따라 탄성 계수 또는 굽힘 강도가 결정된다. 탄성 변형 각은 탄성 변형 기준점과 탄성 영역의 끝점을 연결한 직선이 제1 전자부품(11) 또는 제2 전자부품(12)의 표면과 이루는 각을 의미한다. 그러나 엄밀한 의미에서 탄성 영역은 곡선 형태로 변형이 되고 그리고 접촉영역은 비탄성 영역에 해당하므로 탄성 변형 각은 아래와 같은 방법으로 결정될 수 있다.The elastic deformation angle of the connection element may be predetermined in the design process. For example, a force or pressure required to remove an oxide film naturally formed on the
도 2c는 탄성 변형 각을 결정하는 다른 실시 예를 도시한 것이다. Figure 2c shows another embodiment of determining the elastic deformation angle.
탄성영역은 탄성변형 기준점(B)으로부터 접촉영역(T)을 연결하는 부분이 되고 그리고 탄성 영역의 끝점에서 접선 또는 접면(엄밀하게는 접평면이 되지만 아래에서 이해의 편의를 위하여 "접선"으로 설명한다)은 비탄성 영역에 해당하는 접촉영역(T)의 상단을 연장한 직선이 된다. 직선은 탄성 변형 전의 탄성 영역과 만나 교차점(M)을 형성한다. 교차점(M)과 최초 탄성 영역과 이루는 각은 탄성변형 각을 θ라고 할 때 2θ가 된다. 그리고 교차점(M)에서 접촉영역(T)에 이르는 거리는 탄성영역의 길이(L)의 1/2가 된다. 팁 영역(CP)의 수직 이동거리는 접선이 이루는 각과 관련되므로 도 2c에서 제시된 값이 정확한 값이라고 볼 수 있지만 실제로 차이는 크지 않다. 실제로 탄성 영역은 직선 형태가 아니라 곡선 형태가 되므로 이에 대한 보정이 이루어져야 한다. 그러나 탄성 변형 각(θ)이 충분히 작은 경우라면 오차가 무시할 수 있는 범위가 된다. 그러므로 직선으로 근사되어 탄성 영역의 길이에 대한 접촉영역의 길이가 계산될 수 있다. 위와 같은 경우 팁 영역(CP)의 수평 이동거리(LH) 및 수직 이동거리(LV)는 아래와 같이 보정되어야 한다. The elastic region becomes a portion connecting the contact region T from the elastic deformation reference point B and is tangent or a tangent (strictly a tangent plane) at the end point of the elastic region, but will be described as "tangential" below for convenience of understanding. ) Is a straight line extending the upper end of the contact region T corresponding to the inelastic region. The straight line meets the elastic region before elastic deformation and forms the intersection point M. FIG. The angle formed between the intersection point M and the initial elastic region is 2θ when the elastic deformation angle is θ. The distance from the intersection point M to the contact region T is 1/2 of the length L of the elastic region. Since the vertical movement distance of the tip area CP is related to the angle formed by the tangent line, it can be seen that the value shown in FIG. 2C is an accurate value, but the difference is not large. In practice, the elastic region is curved rather than linear, and correction must be made. However, if the elastic deformation angle θ is sufficiently small, the error becomes a negligible range. Therefore, the length of the contact area with respect to the length of the elastic area can be calculated by approximating with a straight line. In the above case, the horizontal moving distance L H and the vertical moving distance L V of the tip area CP should be corrected as follows.
팁 영역(CP)의 수평 이동거리(LH): (1/2)L{cos(2θ)-1} + Hsin(2θ)Horizontal travel distance L H of tip region CP: (1/2) L {cos (2θ) -1} + Hsin (2θ)
팁 영역(CP)의 수직 이동거리(LV): H{1-cos(2θ)} + (1/2)Lsin(2θ), 상기에 서 L과 H는 탄성변형 기준점(B)으로부터 접촉영역(T)에 이르는 탄성연장길이 및 팁 영역(CP)을 포함하는 접촉영역(T)의 수직높이를 나타낸다. Vertical travel distance L V of the tip region CP: H {1-cos (2θ)} + (1/2) Lsin (2θ), where L and H are the contact areas from the elastic deformation reference point B The vertical height of the contact region T including the elastic extension length up to (T) and the tip region CP is shown.
팁 영역(CP)은 정해진 크기를 가질 수 있다. 정해진 크기를 가지는 팁 영역(CP)은 접촉영역(T)과 결합된다. 접촉영역(T)의 크기는 설계와 제조 공정 그리고 구조적 안정성을 고려하여 결정되어야 할 것이다. 위에서 이미 설명을 한 것처럼 접촉영역(T)의 수직높이(H)는 탄성 영역의 연장길이와 관련을 가지지만 접촉영역(T)의 연장길이는 탄성영역의 길이와 관련을 가지지 않는다. 접촉영역(T)의 연장길이는 구조 안전성과 관련하여 결정될 수 있다.The tip area CP may have a predetermined size. The tip region CP having a predetermined size is combined with the contact region T. The size of the contact area T should be determined in consideration of the design, manufacturing process and structural stability. As described above, the vertical height H of the contact region T is related to the extension length of the elastic region, but the extension length of the contact region T is not related to the length of the elastic region. The extension length of the contact area T can be determined in terms of structural safety.
아래에서 설명의 편의를 위하여 고정영역, 연장영역, 접촉영역 또는 다른 구성요소는 위의 설명에서 사용된 것과 다른 부호가 사용될 것이다. 예를 들어 고정영역(F)은 고정영역(31)으로 표시된다. 본 명세서에서 비록 서로 다른 도면부호가 사용될지라도 유사한 기능의 동일 또는 유사한 명칭은 동일 또는 유사한 구성요소를 의미한다. For convenience of description below, the fixed area, extension area, contact area or other components will be used with a different code than that used in the above description. For example, the fixed area F is represented by the fixed
도 3a는 서로 다른 접촉영역(33)의 연장길이를 가지는 접속소자의 실시 예를 도시한 것이다. 아래에서 접촉영역(33)은 베이스(332)와 접촉 팁(331)을 포함하는 것으로 설명이 되고 그리고 접촉 팁(331)은 위에서 팁 영역(도 2a 참조)과 유사하다. 3A illustrates an embodiment of a connection element having an extension length of
도 3a를 참조하면, 두 개의 접속소자는 동일한 연장길이(L0)를 가지지만 접촉영역(33)의 연장길이(BH1, BH2)는 서로 다르다. 접촉영역(33)의 접촉 팁(331)이 전 극패드(P)에 접하여 산화 막을 파괴하기 위하여 전극패드(P)는 위쪽 방향으로 이동하여야 하고 이로 인하여 탄성영역(32)이 탄성 변형된다. 아래에서 탄성영역(32)은 탄성변형기준점에서 접촉영역(33)이 시작되는 지점에 이르는 부분을 의미한다. Referring to FIG. 3A, the two connection elements have the same extension length L 0 , but the extension lengths B H1 and B H2 of the
탄성영역(32)의 탄성 변형으로 인하여 접촉 팁(331)이 전극패드(P)에 작용하는 힘과 탄성 영역(32)의 변형 사이에 아래와 같은 관계식이 성립한다: Due to the elastic deformation of the
Y = (PL3)/(3EI), 상기에서 Y는 탄성영역(32)의 끝 부분의 변형 정도, L은 탄성영역(32)의 길이, E는 탄성 계수 그리고 I는 관성 모멘트를 나타낸다. Y = (PL 3 ) / (3EI), where Y is the degree of deformation of the end of the
제2 전자부품(E2)이 제1 전자부품(E1)에 접근함에 따라 탄성영역(32)은 일정한 크기로 변형된다. 만약 접속소자의 연장길이(L0)가 동일하다면 접촉영역(33)의 연장길이((BH1, BH2)가 길어질수록 탄성영역(32)의 길이가 감소된다. 그러므로 동일한 높이 변화에 대하여 접촉 팁(331)에 작용하는 힘이 달라진다. 이에 따라 접촉 팁(331)이 전극패드(P)에 작용하는 압력이 다르게 된다. 한편 접촉 팁(331)의 수직 방향의 변위는 수직 방향의 변위: H(1-conθ) + Lsinθ(L은 탄성영역(32)의 수평연장 길이 그리고 H는 접촉영역(33)의 높이)로 표시된다. 그러나 실제로 좌측의 접촉 팁(331)의 수직 이동 거리는 접촉 팁(331)과 접촉영역(33)의 상대적인 결합 위치에 의하여 보정되어야 하지만 차이는 무시할 수 있는 크기에 해당한다. 접속소자 연장길이(L0)가 동일하고 접촉영역(33)의 연장길이가 서로 다른 경우 접촉 팁(331)이 전극패드(P)에 작용하는 압력이 아래에서 설명된다.As the second electronic component E2 approaches the first electronic component E1, the
도 3b는 동일한 접속소자 연장 길이(L0)에 대하여 서로 다른 길이를 가지는 접촉영역(33)에 의하여 발생하는 압력 차이를 설명하기 위한 개념도를 도시한 것이다. FIG. 3B shows a conceptual diagram for explaining the pressure difference generated by the
접속소자의 연장 길이는 L0이 되고 그리고 접촉영역(33)의 길이는 BH가 된다고 가정한다. 도 3b의 (A)에 도시된 것처럼 만약 접촉 팁(331)이 단면적이 매우 작은 다각형 형태로 수직으로 연장되는 경우 접촉 팁(331)은 접속소자의 종점에 위치한다고 볼 수 있고 그리고 탄성영역(32)은 근사적으로 L0의 길이를 가진다고 볼 수 있다. 이에 비하여 도 3b의 (B)에 도시된 것처럼 접촉영역(33)이 BH만큼 연장되는 경우 탄성영역(32)의 길이는 L0-BH가 된다고 볼 수 있고 그리고 접촉 팁(331)은 L0-(1/2)BH에 위치한다고 가정할 수 있다. It is assumed that the extension length of the connecting element is L 0 and the length of the
각각의 접속소자가 동일한 높이를 가진다면 동일 시점에 전극패드(P)에 접촉하고 그리고 제2 전자기판(E2)의 이동에 의하여 동일하게 수직 방향으로 ΔY만큼 접촉 팁(331)이 변위되었다고 볼 수 있다. 이 경우 접촉 팁(331)에 작용하는 힘은 각각 아래와 같이 표시될 수 있다. If each connection element has the same height, it can be said that the
P0 = (3EI0ΔY)/(L0 3) P 0 = (3EI 0 ΔY) / (L 0 3 )
P1 = (3EI1ΔY)/(kL1 3)P 1 = (3EI 1 ΔY) / (kL 1 3 )
위의 식에서 k는 힘의 작용점이 변함에 따른 보정 계수가 되고 그리고 L1 =L0 - BH가 된다. 힘의 작용점에 변함에 따른 보정 계수는 이 분야에서 공지되어 있고 근사적으로 아래와 같은 식으로 표시될 수 있다. In the above equation, k becomes the correction factor for changing the point of action of the force and L 1 = L 0 -B H. Correction coefficients as they change at the point of action of the force are known in the art and can be approximately represented by the following equation.
k = 1 + (3BH)/{2(L0-BH)}k = 1 + (3B H ) / {2 (L 0 -B H )}
위의 식에서 L0>L1이 되므로 BH가 L0에 비하여 충분히 작고 그리고 I0 = I1이라면 접촉 팁(331)에 작용하는 힘은 P1>P0의 관계가 성립한다고 볼 수 있다. 접촉 팁(331)이 전극패드(P)에 접촉하여 전기신호를 전달하기 위하여 접촉 팁(331)은 전극패드(P)에 형성된 산화 막을 제거할 수 있을 만큼 충분한 압력을 가하여야 한다. 만약 접촉 팁(331)의 압력이 충분하지 않다면 접촉 팁(331)의 접촉 압력을 증가시켜야 한다. 접촉 팁(331)의 접촉 압력을 증가시키기 위한 방법으로 제1 전자부품(E1)과 제2 전자부품(E2) 사이의 간격을 좁히는 것에 의하여 탄성영역(32)의 탄성 변형을 증가시킬 수 있다. 그러나 간격을 좁히는 경우 서로 다른 전자부품 사이에 발생할 수 있는 여러 가지 간섭 현상을 제어하기 어렵다는 문제점이 있다. 접촉 압력을 증가시키기 위하여 탄성영역(32)의 두께를 증가시킬 수 있다. 그러나 탄성 영역(32)의 두께 증가는 전기-도금 방식에 의하여 대량으로 제조되는 경우 공정 시간의 증가 및 제조비용의 증가라는 다른 문제를 가져온다. 그리고 접촉 압력을 증가시키는 다른 방법은 위에서 제시된 것처럼 접촉영역(33)의 연장길이(BH)를 증가시키는 것이다. 접촉영역(33)의 연장 길이(BH) 증가는 접속소자 전체의 두께가 아닌 일정 부분만의 두께를 증가시킨다는 점에서 유리하다. 아울러 접촉 압력의 조절이 용이하다는 이점이 있다. 도 3b를 참조하면 탄성영역(32)의 길이가 L1이 되는 경우 접속소자의 면적이 감소되므로 관성 모멘트 I1은 I0보다 작게 된다. 관성 모멘트는 일반적으로 아래와 같은 식으로 주어진다. In the above equation, since L 0 > L 1 , B H is sufficiently small compared to L 0 and if I 0 = I 1 , the force acting on the
I = Σmiri 2, 주어진 식에서 mi와 ri는 각각 회전 중심으로부터 질량 및 거리를 나타낸다. 그러므로 접촉영역(33)이 일정 길이만큼 연장되는 경우 접속소자 전체의 면적이 감소되므로 I1>I0의 관계가 성립한다. I = Σm i r i 2 , where m i and r i represent the mass and distance from the center of rotation, respectively. Therefore, when the
탄성영역(32)의 길이를 감소시키는 것에 의하여 접촉 팁(331)의 전극패드(P)에 대한 압력은 증가하고 그리고 관성 모멘트의 감소로 인하여 전극패드(P)에 대한 압력은 감소한다. 만약 접촉영역(33)의 길이를 유지하면서 전극패드(P)에 대한 접촉 압력을 감소시킬 필요가 있다면 탄성영역(32)의 두께를 감소시킨다. 두께의 감소는 관성 모멘트 및 탄성 계수를 감소시키므로 전극패드(P)에 대한 압력을 감소시킬 수 있다. 아울러 두께의 감소는 제조비용 및 제조시간의 감소라는 이점을 가져온다. By reducing the length of the
탄성영역(32)을 일정한 두께로 유지하고 그리고 접촉영역(33)의 연장길이(BH)를 조절하는 것이 접촉압력의 조절과 공정 효율성의 관점에서 유리하다. 접촉영역(33)의 연장 길이(BH) 조절은 베이스(332)를 형성하여 비탄성 영역의 두께와 길이를 조절하는 것을 의미한다. Maintaining the
도 4a는 본 발명에 따른 베이스를 형성하여 접촉 팁의 압력을 조절하는 실시 예의 하나를 도시한 것이다. Figure 4a illustrates one embodiment of adjusting the pressure of the contact tip to form a base according to the present invention.
도 4a는 소자 연장 길이(LC)가 서로 다른 3개의 접속소자를 도시한 것이다. 본 명세서에서 소자 연장길이(LC)는 제1 또는 제2 전자부품의 평면을 따라 연장된 접속소자의 실제 수평 연장 길이를 의미한다. 도 4a에서 소자 연장길이(LC)가 직선 형태로 도시되어 있지만 접속소자가 경사 형태를 가지거나 또는 곡선 형태로 연장된다면 경사 또는 곡선에 따라 실제 연장되는 거리를 나타낸다. 소자 연장길이(LC)는 다수 개의 전극패드 각각에 접속되어야 하는 다수 개의 접속소자를 제1 전자부품의 정해진 영역에 형성시킬 필요가 있는 경우 서로 다른 소자 연장길이(LC)를 가진 접속소자가 설계된다. 도 4a에서 제1 접속소자(C1)의 소자 연장길이< 제2 접속소자(C2)의 소자 연장길이<제3 접속소자(C3)의 연장 길이의 관계가 성립한다. 만약 3개의 접속소자(C1,C2,C3)에서 고정영역과 결합되는 고정 결합길이(LF)가 동일하고 그리고 접촉 팁이 각각의 접속소자(C1,C2,C3)의 끝 부분에 형성되어 있다면, 소자 연장길이(LC)에서 고정 결합길이(LF)를 제외한 탄성영역의 길이가 서로 달라지고 이로 인하여 각각의 접속소자(C1,C2,C3)가 전극패드에 가하는 압력이 서로 다르게 된다. 이러한 경우 서로 다른 길이를 가진 베이스를 형성하여 접촉 압력을 조절할 필요가 있다. 작용하는 힘은 위에서 제시한 것처럼 P0 = (3EI0ΔY)/(L0 3)로 주어지므로 접속소자(C1, C2, C3) 사이에 베이스 길이(LB)는 제1 접속소자(C1) 베이스의 길이<제2 접속소자(C2) 베이스의 길이 <제3 접속소자(C3) 베이스의 길이가 되도록 한다. 도 4a에서 각각의 접속소자(C1,C2,C3)에서 베이스의 길이(LB)는 점선으로 표시되어 있다. 베이스를 형성하는 방법은 각각의 접속소자(C1,C2,C3)에서 일정 길이만큼 접촉 연장길이(LT)를 형성하고 그리고 접촉 연장길이(LT)의 일부에 베이스를 결합시킨다. 그러므로 아래와 같은 관계식이 성립한다. FIG. 4A shows three connection elements having different element extension lengths L C. In the present specification, the element extension length L C means the actual horizontal extension length of the connection element extending along the plane of the first or second electronic component. Although the element extension length L C is shown in a straight line in FIG. 4A, if the connecting element has an inclined form or extends in a curved form, the distance extending according to the inclined or curved line is shown. The element extension length L C is a connection element having a different element extension length L C when it is necessary to form a plurality of connection elements to be connected to each of the plurality of electrode pads in a predetermined region of the first electronic component. Is designed. In FIG. 4A, the relationship between the element extension length of the first connection element C 1 <the element extension length of the second connection element C 2 <the extension length of the third connection element C 3 is established. If the three coupling elements C1, C2 and C3 have the same fixed coupling length L F coupled to the fixed area, and the contact tips are formed at the ends of the respective connection elements C1, C2 and C3. In addition, the lengths of the elastic regions excluding the fixed coupling length L F are different from each other in the element extension length L C , and thus the pressures applied to the electrode pads by the respective connection elements C1, C2, and C3 are different from each other. In this case, it is necessary to form a base having a different length to adjust the contact pressure. The acting force is given by P 0 = (3EI 0 ΔY) / (L 0 3 ), so that the base length L B between the connecting elements C 1 , C 2 , C 3 is the first connecting element. (C 1 ) Base length <second connection element (C 2 ) Base length <third connection element (C 3 ) The length of the base. In FIG. 4A, the length L B of the base at each connection element C 1 , C 2 , C 3 is indicated by a dotted line. The method of forming the base forms a contact extension length L T by a predetermined length in each connection element C 1 , C 2 , C 3 and couples the base to a part of the contact extension length L T. Therefore, the following relation holds.
Lc1 < Lc2 < Lc3 L c1 <L c2 <L c3
LT1 = LT2 =LT3 L T1 = L T2 = L T3
LB1<LB2<LB3, 식에서 1, 2 및 3은 각각 해당 접속소자를 나타내고 각각의 접속소자에서 두께 및 폭은 동일한 것으로 가정한다. L B1 <B2 L <L B3, formula 1, 2 and 3 each represents the connection element thickness and width in each of the contact elements is assumed to be the same.
3개의 접속소자(C1,C2,C3)가 위의 관계식을 만족하는 경우 소자 연장길이(LC)에서 베이스 연장 길이(LB)를 제외한 값을 탄성 연장길이(LE)라고 하면, LE1 = LE2 = LE3이 된다. When three connection elements (C 1 , C 2 , C 3 ) satisfy the above relation, a value excluding the base extension length (L B ) from the element extension length (L C ) is called the elastic extension length (L E ). , L E1 = L E2 = L E3 .
서로 다른 베이스를 형성하는 경우 관성 모멘트(I)가 서로 달라질 수 있다. 만약 위의 식을 만족하는 접속소자(C1, C2, C3)를 배치하는 경우 형성된 베이스로 인한 관성 모멘트(I)는 제3 접속소자(C3)가 가장 크게 된다. 그러므로 관성 모멘 트(I)만을 고려하면 탄성 연장길이(LE)는 LE1 > LE2 >LE3이 되어야 한다. When forming different bases, the moment of inertia I may be different. If the connecting elements (C 1 , C 2 , C 3 ) satisfying the above equation are arranged, the moment of inertia (I) due to the formed base is the largest of the third connecting elements (C 3 ). Therefore, considering only the inertia moment (I), the elastic extension length (L E ) should be L E1 > L E2 > L E3 .
서로 다른 위치에 결합되는 접속소자(C1,C2,C3)가 각각의 대응하는 전극패드에 근사적으로 동일한 압력이 작용하도록 하기 위하여 동일한 폭으로 연장되는 일정길이의 접촉 연장길이(LT)를 먼저 결정한다. 그리고 각각의 접속소자에서 접촉 연장길이(LT)가 동일할 필요는 없지만 탄성 연장길이의 조정을 위하여 바람직하게 접촉 연장길이(LT)를 동일하도록 설정하는 것이 유리하다. 접촉 연장길이(LT)가 결정되면 각각의 접속소자(C1,C2,C3)의 탄성 변형 기준점을 설정한다. 탄성 변형기준점은 위에서 이미 설명을 한 것처럼 결합구조, 폭 또는 두께에 의하여 결정될 수 있다. 도 4a에 제시된 실시 예의 경우 고정 결합길이(LF)가 동일한 크기를 가지므로 탄성변형 기준점은 동일하게 고정영역과 탄성영역의 경계점으로 설정될 수 있다. 각각의 접속소자(C1,C2,C3)가 전극패드에 가하는 접촉 압력을 조절하기 위하여 베이스의 연장길이(LB)가 결정되어야 한다. 베이스의 연장길이(LB)는 위에서 설명한 방법에 따라 결정될 수 있다. Each connection element is coupled to another position (C 1, C 2, C 3) each of which is the same pressure as approximated to a corresponding electrode pad, which extends in the same width to so as to act a predetermined length in contact extension length (L T Is determined first. And although the contact extension length L T does not have to be the same in each connection element, it is advantageous to set the contact extension length L T to be the same for adjustment of the elastic extension length. When the contact extension length L T is determined, the elastic deformation reference point of each connection element C 1 , C 2 , C 3 is set. The elastic strain reference point can be determined by the coupling structure, width or thickness as already described above. In the case of the embodiment illustrated in FIG. 4A, since the fixed coupling length L F has the same size, the elastic deformation reference point may be set as the boundary point between the fixed area and the elastic area. The extension length L B of the base must be determined in order to adjust the contact pressure applied to each electrode C 1 , C 2 , C 3 to the electrode pad. The extension length L B of the base can be determined according to the method described above.
접촉 연장길이(LT)는 임의의 크기를 가질 수 있다. 접촉 연장길이(LT)가 커지면 고정영역의 배치 공간 활용성이 높아지지만 이에 비하여 접촉 압력의 감소라는 단점이 발생한다. 접촉 압력의 감소는 비탄성 영역을 형성하는 것에 의하여 보완된다. The contact extension length L T may have any size. Increasing the contact extension length L T increases the usability of the layout space of the fixed area, but has a disadvantage in that the contact pressure is reduced. The reduction in contact pressure is compensated for by forming inelastic regions.
도 4b는 구조인자에 따라 결정되는 본 발명에 따른 다른 접속소자의 다른 실시 예를 도시한 것이다. Figure 4b shows another embodiment of another connection element according to the present invention determined in accordance with the structural factors.
도 4b의 (A) 및 (B)를 참조하면, 2개의 접속소자(C1, C2)는 서로 다른 소자 연장길이(L1,L2)를 가진다. 탄성영역(32)의 두께가 동일하고 그리고 동일한 폭을 가진다면, 제1 접속소자(C1)가 전극패드에 가하는 압력이 제2 접속소자(C2)가 전극패드에 가하는 압력보다 커지게 된다. 서로 다른 길이의 접속소자(C1, C2)가 가지는 또 다른 문제는 접촉 팁(331)의 수평 이동거리가 서로 달라질 수 있다는 점이다. 두 개의 접속소자(C1, C2)가 동일한 접촉영역(33)의 수직높이를 가진다면 수직이동거리는 동일하지만 탄성 변형 각이 서로 다르게 된다. 서로 다른 소자 연장길이(L1,L2)를 가지는 2개의 접속소자(C1, C2)의 수평이동거리, 탄성 변형 각 및 전극패드에 대한 접촉압력을 동일하도록 만드는 가장 간단한 방법은 탄성변형 기준점으로부터 접촉 팁(331)에 이르는 거리 또는 탄성영역(32)의 길이를 동일하게 하는 것이다. 그러나 고정영역(31)의 결합 위치로 인하여 탄성영역(32)의 길이를 동일하게 할 수 없는 경우가 있다. 이러한 경우 접촉 팁(331)의 수평 이동거리 및 접촉 압력을 동일하게 하도록 하기 위하여 탄성영역(32)의 폭 또는 두께를 조절할 수 있다. 2개의 접속소자(C1, C2)가 서로 다른 두께를 가지도록 제조하는 것은 공정 효율성을 감소시킨다. 그러므로 2개의 접속소자(C1, C2)의 폭을 조절하는 것이 유리하다. Referring to FIGS. 4B (A) and (B), the two connection elements C 1 and C 2 have different element extension lengths L 1 and L 2 . Equal to the thickness of the
2개의 접속소자(C1, C2)는 동일한 베이스 폭(WB) 및 베이스 길이(LB)를 가지도록 설정된다. 베이스(332)를 포함하는 접촉영역(33)이 비탄성 영역이 되도록 하기 위하여 베이스 길이(LB)는 베이스 높이(HB)에 비하여 0.5 내지 2배가 되도록 결정하고 그리고 베이스 높이(HB)는 탄성영역(32)의 두께에 비하여 1.5 내지 5배가 되도록 한다. 탄성계수는 두께의 3제곱에 비례하므로 베이스 길이(LB) 및 베이스 높이(HB)가 위와 같이 설정되는 경우 베이스(332)를 포함하는 접촉영역(33)은 비탄성 영역으로 근사될 수 있다. 탄성영역(32)의 일부는 베이스 폭(WB)과 동일하거나 근사한 폭을 가지도록 연장된다. 이와 같이 베이스 폭(WB)과 동일하거나 근사한 폭으로 연장되는 탄성영역(32) 부분을 제1 탄성영역(LE1, LE2)이라 한다. 두 개의 접속소자(C1, C2)의 제1 탄성영역(LE1, LE2)은 근사적으로 서로 동일한 폭을 가지고 그리고 베이스 폭(WB)과 근사적으로 동일한 크기를 가질 수 있다. 각각의 접속소자(C1, C2)는 제1 탄성영역(LE1, LE2)으로부터 고정영역(31)을 향하여 연장되는 제2 탄성영역(LEW1, LEW2)을 가진다. 제2 탄성영역(LEW1, LEW2)은 제1탄성 영역(LE1, LE2)과 동일한 폭을 가지거나 또는 다른 폭을 가질 수 있다. 두 개의 접속소자(C1, C2)는 전극패드에 동일한 접촉압력을 가지는 것이 유리하다. 본 발명에 따르면, 동일한 접촉압력을 가지도록 하기 위하여 두 개의 접속소자(C1, C2)는 서로 동일한 폭을 가진 제1 탄성영역(LE1, LE2) 및 서로 다른 폭을 가진 제2 탄성영역(LEW1, LEW2)을 가질 수 있다. 일반적으로 두께가 동일한 경우 접촉압력은 근사적으로 길이의 3제곱에 반비례하고 그리고 폭에 비례한다. 도 4b에 도시된 것처럼 제1 접속소자(C1)의 소자 연장길이(L1)가 제2 접속소자(C2)의 소자 연장길이(L2)보다 짧다면 동일 폭으로 연장되는 경우 제1 접속소자(C1)에 의한 접촉압력이 제2 접속소자(C2)에 의한 접촉압력보다 크게 된다. 이와 같은 경우 제2 접촉소자(C2)의 폭을 조절하는 것에 의하여 2개의 접속소자(C1,C2)의 접촉압력을 동일하게 하거나 또는 접촉 압력의 차가 작아지도록 할 수 있다. 서로 동일한 폭으로 연장되는 제1 탄성영역(LE1, LE2)을 형성하고 그리고 서로 다른 폭으로 연장되는 제2 탄성영역(LEW1, LEW2)을 형성하는 것은 접촉압력의 조절이 용이하도록 한다. 제2 탄성영역((LEW1, LEW2)은 제1 탄성영역((LE1, LE2)에 비하여 동일하거나 또는 넓은 폭을 가질 수 있다. 예를 들어 제1 접속소자(C1)의 경우 제2 탄성영역(LEW1)은 제1 탄성영역(LE1)과 동일한 폭으로 연장될 수 있지만 바람직하게는 접촉압력의 조절을 위하여 넓은 폭을 가질 수 있다. 이에 비하여 제2 접속소자(C2)의 경우 제2 탄성영역(LEW2)은 제1 탄성영역(LE2)에 비하여 넓은 폭을 가진다. The two connection elements C 1 , C 2 are set to have the same base width W B and base length L B. Base length (L B) to the contact region (33) including a base (332) is such that the non-elastic region has a base height compared to the (H B) is determined to twice the range of 0.5 to 2 and a base height (H B) is elastically 1.5 to 5 times the thickness of the
제2 접속소자(C2)의 제2 탄성영역(LEW2)이 제1 접속소자(C1)의 제2 탄성영 역(LEW1)보다 큰 폭을 가진다면 고정영역(31)과 연결되는 끝 부분 폭(WF1, WF2)이 접속소자(C1, C2)에 따라 서로 달라질 수 있다. 일반적으로 고정영역(31)은 동일한 형태를 가지는 것이 유리하다. A second connection element (C 2) of if it has a second width larger than the second elastic region (L EW1) of the second elastic region (L EW2) the first connection element (C 1) connected to the fixed
도 5a 및 5b는 고정영역의 배치에 따라 구조인자가 조절된 접속소자의 실시 예를 도시한 것이다. 5A and 5B show an embodiment of a connection element whose structure factor is adjusted according to the arrangement of the fixed region.
도 5a를 참조하면, 세 개의 접속소자(C1, C2, C3)는 서로 동일한 폭으로 연장되는 베이스를 포함하는 접촉영역(33A, 33B, 33C), 적어도 일부가 서로 다른 폭으로 연장되는 연장영역(32A, 32B, 33C) 및 서로 다른 폭을 가진 고정영역(31A, 31B, 31C)을 포함한다. 세 개의 접속소자(C1, C2, C3)가 근사적으로 동일한 접촉압력을 전극패드(도시되지 않음)에 가한다고 가정하면 제2 접속소자(C2)의 고정영역 폭<제1 접속소자(C1)의 고정영역 폭<제3 접속소자(C3)의 고정영역 폭의 관계가 성립할 것이다. 그러나 고정영역(31A, 31B, 31C)의 폭이 서로 달라지고 이로 인하여 고정영역(31A,31B,31C)의 형상이 달라지면 대량 제조에 불리하다. 도 5b는 고정영역(31A, 31B, 31C)의 형상이 서로 동일하도록 구조인자를 조절한 실시 예를 도시한 것이다. Referring to FIG. 5A, three connection elements C 1 , C 2 , and C 3 may include
도 5b를 참조하면, 접촉영역(33A, 33B, 33C)은 동일한 폭 및 동일한 길이로 연장되어 비탄성 영역을 형성한다. 위에서 이미 설명을 한 것처럼 접촉영역(33A,33B,33C)은 베이스를 포함할 수 있다. 접촉영역(33A, 33A, 33C)과 동일한 폭으로 연장되는 제1 탄성영역(LE1, LE2, LE3)은 서로 동일한 폭을 가질 수 있지만 서로 다른 길이만큼 연장될 수 있다. 도 5a에 제시된 것처럼 바람직하게 LE2>LE1>LE3의 관계를 가질 수 있지만 도 5b에 도시된 것과 같은 형태가 될 수도 있다. 세 개의 접속소자(C1, C2, C3)의 고정영역(31A, 31B, 31C)은 동일한 형상을 가진다. 동일한 형상이란 예를 들어 높이, 단면 또는 직경이 동일한 것을 의미한다. 고정영역(31A,31B, 31C)이 동일한 형태를 가진다면 제2 탄성영역(LEW1, LEW2, LEW3)은 서로 다른 폭을 가져야 하고 바람직하게 LEW2의 평균 너비< LEW1의 평균 너비<LEW3의 평균 너비가 될 수 있다. 평균 너비란 주어진 길이에 대하여 동일한 면적을 가지도록 길이 전체에 대하여 일정 너비를 가정하는 경우 일정 너비를 의미한다. 고정영역(31A,31B,31C)이 동일한 형상을 가지고 제1 탄성영역(LE1, LE2, LE3)이 직선 형태로 연장되는 경우 고정영역(31A,31B,31C) 및 제1 탄성영역(LE1, LE2, LE3)을 연결하는 제2 탄성영역(LEW1, LEW2, LEW3)은 전체적으로 곡선 형상을 가지는 것이 유리하다. 곡선 형상은 특정위치의 응력 집중을 방지할 수 있도록 한다. 5B,
각 접속소자(C1,C2,C3)의 길이에 따라 제2 탄성영역(LEW1, LEW2, LEW3)의 폭을 서로 달리하거나 또는 도 4a와 관련하여 설명을 한 것처럼 접촉영역(33A, 33B, 33C)의 연장길이를 서로 달리 하는 것에 의하여 접촉 팁의 접촉압력을 조절하는 것이 가능하다. 그러나 각 접속소자(C1,C2,C3)의 길이가 서로 달라지면 위에서 설명을 한 것처럼 접촉 팁의 수평이동거리가 달라질 수 있다. 각 접속소자(C1,C2,C3)의 수직이동거리는 동일하다. 그러나 접속소자(C1,C2,C3)에 따라 탄성 변형 각이 서로 달라질 수 있고 이에 따라 전극패드에 대한 접촉 압력이 달라질 수 있다. 그러나 위에서 이미 설명을 한 것처럼 접촉압력은 접촉영역(33A, 33B, 33C)의 연장길이 또는 제2 탄성영역(LEW1, LEW2, LEW3)의 폭에 의하여 조절될 수 있다. 접촉영역(33A, 33B, 33C)의 연장길이에 의하여 연장영역(32A,32B,32C)의 길이가 달라지면 접촉 팁의 수평이동거리가 조절될 수 있다. 그러나 접촉영역(33A, 33B, 33C)의 연장길이가 동일하다면 수평이동거리는 다른 방법으로 조절될 수 있다. According to the length of each connection element C 1 , C 2 , C 3 , the widths of the second elastic regions L EW1 , L EW2 , L EW3 are different from each other or as described with reference to FIG. 4A. It is possible to adjust the contact pressure of the contact tip by varying the extension lengths of 33A, 33B, 33C). However, when the lengths of the connection elements C 1 , C 2 , and C 3 are different from each other, the horizontal movement distance of the contact tip may be different as described above. The vertical movement distances of the connection elements C 1 , C 2 and C 3 are the same. However, the elastic deformation angles may be different from each other according to the connection elements C 1 , C 2 , and C 3 , and thus the contact pressure with respect to the electrode pad may vary. However, as described above, the contact pressure may be adjusted by the extension length of the
도 5b와 관련하여 설명을 한 것처럼 고정영역(31A,31B,31C)은 동일하게 형성된다. 그러므로 고정영역(31A, 31B, 31C)으로부터 연장된 일정거리만큼 각각의 접속소자는 동일한 폭을 가질 수 있다. 그리고 접속소자(C1,C2,C3)의 연장길이에 따라 폭이 서로 다르게 된다. 서로 다른 폭을 가진 제2 탄성영역(LEW1, LEW2, LEW3)은 일정위치에서 최대 폭(WM1, WM3)을 가지게 된다. 서로 다른 길이가 가진 접속소자 사이에 수평이동거리의 조절을 위하여 최대 폭(WM1, WM3)의 위치는 접속소자의 길이가 길어질수록 접촉영역(33A, 33B, 33C)에 가깝게 위치하는 것이 유리하다. 이와 같은 최대 폭(WM1, WM3)이 되는 지점의 위치설정은 두 가지 관점에서 유리하다. 첫째 고정영역(31A, 31B, 31C)에 작용하는 응력의 크기를 감소시킬 수 있다. 이로 인하여 고정영역(31A, 31B, 31C)의 결합력 약화를 방지한다. 둘째로 서로 다른 길이를 가진 접 속소자(C1,C2,C3) 사이에 접촉 팁의 수평이동거리의 차를 감소시킬 수 있다는 이점을 가진다. As described with reference to FIG. 5B, the fixed
접촉압력을 조절하기 위한 다른 방법은 위에서 이미 언급한 것처럼 각각의 접속소자(C1,C2,C3)의 두께를 서로 달리 하는 것이다. 두께를 서로 다르게 하는 방법은 먼저 하나의 접속소자에 대하여 길이방향으로 두께를 서로 달리하는 것이다. 예를 들어 제1탄성영역(LE1, LE2, LE3)과 제2 탄성영역(LEW1, LEW2, LEW3)의 두께를 서로 달리하는 것이다. 그리고 접속소자(C1,C2,C3)의 길이가 달라지면 그에 따라 제1탄성영역(LE1, LE2, LE3) 또는 제2 탄성영역(LEW1, LEW2, LEW3)의 두께를 조절하는 것을 고려할 수 있다. 그러나 이러한 방법은 접속소자(C1,C2,C3)의 제조공정을 복잡하게 만든다는 단점을 가진다. 다른 하나의 방법은 접촉영역(33A,33B,33C)의 수직높이를 균일하게 형성하고 그리고 접속소자(C1,C2,C3)의 길이에 따라 연장영역(32A,32B,33C)의 두께를 서로 달리하는 것이다. 예를 들어 길이가 긴 접속소자(C3)는 길이가 짧은 접속소자(C1)의 연장영역(32A)에 비하여 두꺼운 연장영역(32C)을 가질 수 있다. Another method for adjusting the contact pressure is to vary the thickness of each connection element C 1 , C 2 , C 3 as already mentioned above. The method of varying the thickness is to first vary the thickness in the longitudinal direction with respect to one connection element. For example, the thicknesses of the first elastic regions L E1 , L E2 , L E3 and the second elastic regions L EW1 , L EW2 , L EW3 are different from each other. When the lengths of the connection elements C 1 , C 2 , and C 3 vary, the thickness of the first elastic region L E1 , L E2 , L E3 or the second elastic region L EW1 , L EW2 , L EW3 is accordingly changed . You may consider adjusting However, this method has the disadvantage of complicating the manufacturing process of the connection elements (C 1 , C 2 , C 3 ). Another method is to uniformly form the vertical heights of the
위에서 설명을 한 것처럼 본 발명에 따른 접속소자는 접촉영역 연장길이, 연장영역 폭, 연장영역 두께 또는 연장영역 최대 폭의 위치와 같은 구조인자를 조절하여 형성되는 것을 특징으로 한다. 예를 들어 본 발명에 따른 접속소자는 접속소자가 전극패드에 가하는 압력을 조절하기 위하여 일정한 길이로 연장되는 접촉영역 을 형성하여 비탄성 영역을 설정한다. 그리고 접촉영역으로부터 접촉영역과 동일한 너비로 일정한 길이만큼 연장되는 제1 탄성영역 및 적어도 일부가 접촉영역보다 큰 너비를 가지는 제2 탄성영역을 형성한다. 그리고 제2 탄성 영역의 길이 및 폭은 서로 다른 접속소자의 관계를 고려하여 결정될 수 있다. As described above, the connection element according to the present invention is characterized by being formed by adjusting a structural factor such as the location of the contact area extension length, the extension area width, the extension area thickness or the extension area maximum width. For example, the connecting element according to the present invention sets a non-elastic region by forming a contact region extending to a constant length in order to adjust the pressure applied by the connecting element to the electrode pad. And a first elastic region extending from the contact region by the same length as the contact region and a second elastic region having a width at least partially larger than the contact region. In addition, the length and width of the second elastic region may be determined in consideration of the relationship between different connection elements.
도 6은 본 발명에 따른 접속소자의 실시 예를 도시한 것이다. 6 illustrates an embodiment of a connection device according to the present invention.
도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 접속소자는 제1 전자기판(E1)에 결합되는 고정영역(31); 탄성 변형되는 연장영역(32); 베이스를 형성하여 비탄성 영역이 되는 접촉영역(33)을 포함한다. 접촉 팁(331)이 전극패드(P)에 가하는 압력은 탄성영역에 해당하는 연장영역의 탄성 계수 및 접촉 팁(331)의 관성 모멘트에 의하여 조절될 수 있다. 추가로 베이스(332)의 수평 연장 길이를 조절하여 탄성변형 영역의 길이를 제한할 수 있다. 접촉영역(33)의 높이는 연장영역(32)의 길이에 의하여 제한될 수 있다. 위에서 이미 설명을 한 것처럼 접촉영역(33)의 높이는 서로 다른 접속소자 사이의 높이 차를 보정할 수 있도록 결정될 수 있다. 서로 다른 접속소자 사이의 접촉 압력을 근사적으로 동일하도록 하기 위하여 연장영역(32)은 접촉영역(33)과 동일한 폭으로 연장되는 제1 탄성영역(LE1)과 적어도 일부가 접촉영역(33)과 동일한 폭으로 연장되는 제2 탄성영역(LE2)을 포함한다. 제2 탄성영역(LE2)의 길이 및 너비는 다른 접속소자와 배치 관계에 의하여 결정될 수 있다. 제2 탄성영역(LE2)의 한쪽 끝은 고정영역(31)에 결합된다. 고정영역(31)은 비탄성 영역을 형성한다. 서로 다른 접속소자 사이에 접촉압력을 조절하는 경우 접촉 팁(331)의 수평 이동거리가 서로 달라지거나 또는 차이가 서로 커질 수 있다. 이와 같은 수평이동거리의 차이는 2가지 방법으로 조절될 수 있다. 먼저 수평이동거리의 차이는 탄성 변형 각을 조절하는 것에 의하여 감소시킬 수 있다. 다른 방법은 접촉 팁(331)의 위치를 전극패드(P)의 중앙에 위치시키는 것에 의하여 수평이동거리의 차이를 감소시킬 수 있다. 탄성 변형 각의 조절은 수평 이동거리가 L(cosθ-1) + Hsinθ로 주어지므로 주어진 L 및 H 값에 대하여 L(cosθ-1) + Hsinθ가 최소가 되는 θ를 선택하는 것을 말한다. 그리고 접촉 팁(331)을 전극패드(P)의 중앙에 위치시키는 것은 일반적으로 최대 탄성 변형 위치에서 접촉 팁(331)이 전극패드(P)의 중앙에 위치하도록 접촉 팁(331)을 배열하는 것을 의미한다. 이와 같인 최대 탄성 변형 위치에서 접촉 팁(331)의 전극패드(P)의 중앙에 위치하면 서로 다른 접속소자 사이의 수평이동거리의 차가 감소될 수 있다. 이러한 경우 수평 이동거리의 차는 다른 구성요소의 열 변형에 의하여 발생하고 이와 같은 열 변형에 따른 오차는 다른 방법으로 보정되어야 하기 때문에 접속소자 자체의 구조적인 차이로 인한 수평이동거리 오차는 무시될 수 있기 때문이다. 추가로 본 발명에 따른 접속소자는 접속소자의 길이를 따라 연장영역(32)의 두께가 서로 다르게 될 수 있다. Referring to FIG. 6, the connection device according to the present invention includes a fixed
본 발명이 실시 예를 이용하여 상세하게 설명이 되었지만 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 실시 예에 대한 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이러한 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 않는다. Although the present invention has been described in detail with reference to the embodiments, those skilled in the art may make various modifications and modifications to the embodiments without departing from the spirit of the invention. The invention is not limited by these variations and modifications.
도 1a는 세 개의 서로 다른 형태를 가진 접속소자에 대한 상하 방향의 탄성 변형에 따른 탄성 변위를 도시한 것이다. FIG. 1A illustrates elastic displacement due to elastic deformation in up and down directions with respect to three different types of connection elements.
도 1b는 탄성변형 기준점이 서로 다른 접속소자의 실시 예를 도시한 것이다. 1B illustrates an embodiment of a connection element having different elastic strain reference points.
도 1c는 연장영역의 탄성 변형에 따른 접촉영역의 탄성 변위를 도시한 것이다.Figure 1c shows the elastic displacement of the contact area according to the elastic deformation of the extension area.
도 2a는 높이 차를 가지는 접속소자의 실시 예를 도시한 것이다. 2A illustrates an embodiment of a connection element having a height difference.
도 2b는 제2 전자 부품이 미리 결정된 거리에 도달한 경우 높이 차를 가지는 접속 소자의 탄성 변형 형태를 각각 도시한 것이다. FIG. 2B illustrates the elastic deformation form of the connection element having the height difference when the second electronic component reaches the predetermined distance, respectively.
도 2c는 탄성 변형 각을 결정을 결정하는 다른 실시 예를 도시한 것이다. 2C illustrates another embodiment of determining the elastic deformation angle.
도 3a는 서로 다른 접촉영역의 연장길이를 가지는 접속 소자의 실시 예를 도시한 것이다. 3A illustrates an embodiment of a connection element having extension lengths of different contact regions.
도 3b는 동일한 접속소자 연장 길이에 대하여 서로 다른 길이를 가지는 접촉영역에 의하여 발생하는 압력 차이를 설명하기 위한 개념도를 도시한 것이다. 3B is a conceptual diagram illustrating a pressure difference generated by contact regions having different lengths with respect to the same connection element extension length.
도 4a는 본 발명에 따른 베이스를 형성하여 접촉 팁의 압력을 조절하는 실시 예의 하나를 도시한 것이다. Figure 4a illustrates one embodiment of adjusting the pressure of the contact tip to form a base according to the present invention.
도 4b는 구조인자에 따라 결정되는 본 발명에 따른 다른 접속소자의 다른 실시 예를 도시한 것이다. Figure 4b shows another embodiment of another connection element according to the present invention determined in accordance with the structural factors.
도 5a 및 5b는 고정 영역의 배치에 따라 구조인자가 조절된 접속소자의 실시 예를 도시한 것이다. 5A and 5B show an embodiment of a connection element whose structure factor is adjusted according to the arrangement of the fixed region.
도 6은 본 발명에 따른 접속소자의 실시 예를 도시한 것이다.6 illustrates an embodiment of a connection device according to the present invention.
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