KR100857796B1 - 질화물계 발광 소자 - Google Patents
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- 발광 소자에 있어서,제1전도성 반도체층과;상기 제1전도성 반도체층 상에 위치하는 초격자층과;상기 초격자층 상에 위치하는 제2전도성 반도체층과;상기 제2전도성 반도체층 상에 위치하는 활성층과;상기 활성층 상에 위치하는 제3전도성 반도체층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 초격자층은, GaN 물질로 이루어지는 고온성장층과 저온성장층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
- 제 2항에 있어서, 상기 초격자층의 고온성장층은 900 내지 1100℃ 사이의 온도에서 성장되고, 상기 초격자층의 저온성장층은 600 내지 800℃ 사이의 온도에서 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 초격자층은, GaN 물질로 이루어지는 고속성장층과 저속성장층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
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- 제 1항에 있어서, 상기 초격자층은 GaN 물질로 이루어지는 제1층과 제2층이 반복하여 적층되어 구성되며, 상기 제1층 및 제2층 중 적어도 하나의 종류의 층은 상기 제1전도성 반도체층과 동일한 온도 및 성장속도 조건으로 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 초격자층을 이루는 각 층의 두께는 1 내지 2nm인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 제1전도성 반도체층 및 제2전도성 반도체층은, n-형 반도체층인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 제3전도성 반도체층은, p-형 반도체층인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 활성층은, InGaN 양자우물층과 GaN 양자장벽층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 제2전도성 반도체층의 두께는 5 내지 10nm인 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 제2전도성 반도체층은 900 내지 1100℃의 온도에서 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물계 발광 소자.
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KR20060070216A KR100857796B1 (ko) | 2006-07-26 | 2006-07-26 | 질화물계 발광 소자 |
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KR20060070216A KR100857796B1 (ko) | 2006-07-26 | 2006-07-26 | 질화물계 발광 소자 |
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Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040004452A (ko) * | 1997-01-09 | 2004-01-13 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물반도체소자 |
-
2006
- 2006-07-26 KR KR20060070216A patent/KR100857796B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040004452A (ko) * | 1997-01-09 | 2004-01-13 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물반도체소자 |
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