KR100856112B1 - 마이크로일렉트로닉스의 박리 및 세정 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 마이크로일렉트로닉스 기판, 특히 FPD마이크로일렉트로닉스 기판의 세정을 위한 염기 함유 세정 조성물과 그 사용방법에 관한 것이며, 본 발명의 조성물은 기본적으로 상기 기판을 완전히 세정할 수 있고 기본적으로 상기 기판의 금속 요소의 금속 부식을 발생시키지 않는다. 본 발명의 염기 함유 세정용 비수용성 조성물은 (a) 친핵성 아민, (b) 수용액에서 해리 상수 "pKa"가 1.2 ~ 8 의 범위인 약산, (c) 지방성 알콜, 디올, 폴리올, 또는 지방성 글리콜 에테르에서 선택된 화합물과, (d) 바람직하게 용해 계수가 8 ~ 15 의 범위인 유기 공동 용제를 함유한다. 본 발명의 세정 조성물은 아민그룹에 대한 산성 그룹의 등가 몰 비율이 0.75 보다 크고 1.6 보다 작은 범위를 갖도록 약산의 양을 함유한다. 본 발명의 염기 함유 세정 조성물의 pH는 4.5 ~ 9.5 의 범위이다.
Description
본 발명은 마이크로일렉트로닉스 기판의 알카리 함유 포토레지스트의 박리 및 세정에 관한 것으로, 특별히 평판 디스플레이 (FPD) 시장에 쓰이는 금속 전극 스택에 호환되고 또 이에 유용한 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 상기의 마이크로일렉트로닉스 기판이 수용액에 세척될 때, 부식 방지와 같은 금속의 향상된 보호기능을 제공한다.
마이크로일렉트로닉스 분야에서 많은 포토레지스트 박리제와 잔여물 제거제들이 제조 라인 세정제의 하류 공정 또는 마지막 단계로서 쓰이도록 제시되고 있다. 제조 공정에서 포토레지스트 박막이 기판 물질에 입혀진 후 회로 디자인이 박막에 전상된다. 베이킹 후 노출된 레지스트는 포토레지스트 현상제로 제거된다. 남겨진 상은 플라즈마 에칭 기체 또는 화학 에칭 용액을 통하여, 일반적으로 유전체 또는 금속인, 기초 물질에 전사된다. 플라즈마 에칭 기체 또는 화학 에칭 용액은 기판의 포토레지스트로 덥히지 않은 영역에 선택적으로 작용을 한다. 플라즈마 에 칭 공정의 결과로 포토레지스트와 에칭 물질의 부산물이 기판과 포토레지스트 위에 에칭된 부위 주변 또는 경계면에 잔여물로 남겨진다.
부가적으로, 다음 공정을 원활히 하기 위하여, 에칭과정을 마친 후 보호된 기판으로 부터 레지스트의 흔적을 제거 하여야 한다. 이것을 위하여 적합한 플라즈마 애싱(ashing) 기체 또는 습식 화학 박리제를 사용한 플라즈마 애싱 과정을 이용한다. 이러한 레지스트 흔적 물질을 금속 회로의 부식, 에칭 또는 흐려짐과 같은 역효과가 없이 제거하는 적합한 세정 조성물을 찾는 것이 또한 문제점으로 밝혀지고 있다.
마이크로일렉트로닉스의 제작 집적도가 증가하고 고안된 마이크로일렉트로닉스 장치의 용적이 감소함에 따라 다른 해로운 효과가 없이 적합한 박리 및 세정 작용이 있는 적합한 박리 및 세정 조성물을 준비하는 것이 점점 더 어려워 지고 있다. 특히, 평판 디스플레이 (FPD) 응용 분야에서, 선택된 금속이나 합금의 사용에 있어서 포토레지스트의 박리 및 물 세척 과정에 수반되는 금속의 부식 문제는 심각한 결점이다.
대량 생산에서 전기적 성능 및 신뢰도에 관한 문제점 때문에, FPD 기술에 있어서 게이트 라인을 형성하는데 여러 금속 사용된다. 현재 FPD 제조 기술에서 Mo/AlNd/Mo와 같은 다중막 금속과, 특별히 Mo/AlNd, AlNd/Ti, 그리고 AlNd/Cr과 같은 이중막이 게이트 라인 금속 스택으로 흔히 사용된다. 하지만, 다른 금속 밑에 위치한 AlNd 합금이 놓인 스택에서 세척 과정 중의 알루미늄이 부식되어 전기적 성능에 치명적인 문제가 될 수 있다. 이런 부식은 흔히 오버행(overhang)으로 잘 알 려져 있으며 금속 구조를 약화시키는 공간들을 만들 수 있다. 화학적 세정 또는 물 세척 과정 중의 부식에 의한 알루미늄의 손실은 FPD 기술의 가장 흔한 결점인, 금속 선의 노칭(notching)을 발생시킨다. 세정 용액의 조성 및 이의 물에서의 작용이 부식 발생의 중요한 역할을 한다. FPD 응용의 전형적 포토레지스터 제거제는 유기 아민과 다른 용해제와 섞인 극성 유기 용제를 함유할 수도 있다. 아민은 혼합 용제에서 포토레지스트의 제거 효율을 증가시키는 것으로 알려져 있다. 하지만 이런 류의 제거제를 사용한 후 물 세척을 할 경우 강염기 수용액을 발생시켜 패턴화된 선들로부터 금속이 상당량 제거될 수 있다. 따라서 세정/박리 과정과 수용액 세척 중간에 즉각적인 세척이 필수적이다. 일반적으로 이소프로필 알콜을 사용한 이러한 즉각적 세척으로 인하여 부가적 시간, 안전 문제, 환경 파괴 문제, 그리고 제조공정의 비용 등의 바람직 하지 않은 문제점이 발생하게 된다.
이에 따라, 포토레지스트를 완전히 제거하고 마이크로일렉트로닉스 기판으로 부터 잔여물을 에치 또는 애시하면서 일련의 수용액 세척과정 동안, 특히 FPD 마이크로일렉트로닉스 요소들에 대해, 심각한 금속의 부식을 야기시키지 않는 염기를 함유한 포토레지스크의 박리 및 세정 조성물에 대한 필요성이 있다.
본 발명은 마이크로일렉트로닉스 기판, 특별히 FPD 마이크로일렉트로닉스 기판의 세정을 위한 염기 함유 세정 조성물들을 제공하며, 이 조성물들은 근본적으로 상기의 기판들의 금속 요소의 부식이 없이 상기의 기판들을 근본적으로 완전히 세정할 수 있다. 본 발명은 또한 마이크로일렉트로닉스 기판의 금속 요소들의 심각한 금속 부식이 없이 마이크로일렉트로닉스 기판, 특별히 FPD 마이크로일렉트로닉스 기판을 세정하기 위한 염기 함유 세정 조성물들을 사용하는 방법을 제공한다.
본 발명의 염기 함유 세정용 비수용성 조성물들은 (a) 친핵성 아민; (b) 해리상수, pKa가 수용액에서 1.2 ~ 8, 바람직하게는 1.3 ~ 6, 더 바람직하게는 2.0 ~ 6, 가장 바람직하게는 2 ~ 5 의 범위에 있는 약산(a moderate to weak acid); (c) 지방성 알콜, 디올, 폴리올 또는 지방성 글리콜 에테르에서 선택된 화합물 ; 그리고, (d)유기 공동용제, 바람직하게는 세 개의 Hansen 계수 (분산, 극성 그리고 수소결합)의 제곱근으로 부터 얻어지는 용해 계수가 8 ~ 15 의 범위인 유기 공동용제로 이루어져 있다. 본 발명의 세정 혼합물은 아민그룹에 대한 산성 그룹 (즉, 산성 그룹/아민 그룹)의 등가 몰 비율이 0.75보다 크도록, 그리고 비율이 1.02 나 이보다 큰 값을 갖는 것과 같이, 이 비율이 1에 가깝거나 더 클 수 있도록 약산의 양을 함유한다. 본 발명의 염기를 함유한 세정제의 pH는 4.5 ~ 9.5, 바람직하게는 pH 6.5 ~ 9.5, 가장 바람직하게는 pH 8.5 ~ 9.5 의 범위이다.
본 발명의 염기 함유 세정용 비수용성 조성물들은 (a) 친핵성 아민; (b) 해리상수, pKa가 수용액에서 1.2 ~ 8, 바람직하게는 1.3 ~ 6, 더 바람직하게는 2.0 ~ 6, 가장 바람직하게는 2 ~ 5 의 범위에 있는 약산(a moderate to weak acid); (c) 지방성 알콜, 디올, 폴리올 또는 지방성 글리콜 에테르에서 선택된 화합물 ; 그리고, (d)유기 공동용제, 바람직하게는 세 개의 Hansen 계수 (분산, 극성 그리고 수소결합)의 제곱근으로 부터 얻어지는 용해 계수가 8 ~ 15 의 범위인 유기 공동용제로 이루어져 있다. 본 발명의 세정 혼합물은 아민그룹에 대한 산성 그룹 (즉, 산성 그룹/아민 그룹)의 등가 몰 비율이 0.75보다 크도록, 그리고 비율이 1.02 나 이보다 큰 값을 갖는 것과 같이, 이 비율이 1에 가깝거나 더 클 수 있도록 약산의 양을 함유한다. 본 발명의 염기를 함유한 세정제의 pH는 4.5 ~ 9.5, 바람직하게는 pH 6.5 ~ 9.5, 가장 바람직하게는 pH 8.5 ~ 9.5 의 범위이다.
본 발명의 세정 조성물은 모든 적합한 마이크로일렉트로닉스 기판을 세정하는데 쓰일 수 있고, 특히 모든 적합한 마이크로일렉트로닉스 기판 요소를 세정하는데 쓰일 수 있으며, 마이크로일렉트로닉스 기판의 수용액을 이용한 세정 과정중에 어떠한 심각한 금속 부식도 야기되지 않도록 한다. 본 발명의 세정 조성물은, 마이크로일렉트로닉스 기판의 수용액을 이용한 세정 과정중에 어떠한 심각한 금속 부식도 야기하지 않고, 알루미늄을 함유한, 특별히 알루미늄/네오디뮴을 함유한, FPD 마이크로일렉트로닉스 기판을 세정하는데 특히 적합하다.
본 발명의 염기함유 세정용 비수용성 조성물은 친핵성 아민을 함유한다. 적합한 친핵성 아민은 1-아미노-2-프로판올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 및 유사 화합물을 포함한다. 아민 성분의 친핵성은 높아야 한다. 본 발명의 세정제에 함유된 친핵성 아민 성분의 양은 세정 조성물의 총 중량에 대해서 일반적으로 1% ~ 50% 의 범위, 바람직하게는 10% ~ 45%, 그리고 특히 12% ~ 25% 의 범위이다.
본 발명의 염기함유 세정 조성물은 지방성 알콜, 디올,폴리올, 또는 지방성 글리콜 에테르 성분을 함유한다. 지방성 성분은 2개에서 20개의 탄소 원자를 포함한 알킬 또는 알킬렌 군이고, 바람직하게는 2개에서 10개의 탄소 원자를 포함하며, 가장 바람직하게는 2개에서 6개의 탄소 원자를 포함한다. 그러한 적합한 화합물의 예로는 이소프로판올, 부탄올, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 1,3-프로판디올, 2-메틸-1,3,-프로판디올, 부탄디올과 2-부텐-1,4-디올과 같은 부텐디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올과 같은 펜탄디올, 헥산디올, 글리세롤, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르와 그 유사 화합물을 포함한다. 특별히 바람직한 것들은 2개에서 6개의 탄소 원자를 함유한 알칸 디올 및, 특히, 에틸렌 글리콜과 프로필렌 글리콜이다.
본 발명의 세정 조성물의 지방성 알콜, 디올, 폴리올 또는 친핵 글리콜 에테르 성분의 양은 일반적으로 세정 조성물의 총 중량에 대해 10% ~ 80% 의 범위, 바람직하게는 20% ~ 60%, 특히 25% ~ 40% 의 범위이다.
본 발명의 세정 조성물의 지방성 알콜, 디올, 폴리올 또는 친핵 글리콜 에테르 성분의 양은 일반적으로 세정 조성물의 총 중량에 대해 10% ~ 80% 의 범위, 바람직하게는 20% ~ 60%, 특히 25% ~ 40% 의 범위이다.
본 발명의 염기함유 세정용 비수용성 조성물은 모든 적합한 유기 공동 용제를 포함하고 있다. 상기의 유기 공동 용제는 바람직하게는 용해 계수가 8 ~ 15 의 범위를 갖는다. 상기의 유기 공동 용제는 한가지 또는 그 이상의 적합한 공동 용제들일 수 있다. 그러한 적합한 공동 용제는 2-피롤리디논, 1-메틸-2-피롤리디논, 1-에틸-2-피롤리디논, 1-프로필-2-피롤리디논, 1-히드록시에틸-2-피롤리디논과, 디알킬 술폰, 디메틸 술폭사이드와 같은 술폭시화물, 술포란, 메틸 술포란, 에틸 술포란, 디메틸아세타민과 같은 테트라히드로티오펜-1-,1-디옥사이드 화합물 및 디메틸포름아미드 또는 그 유사 화합물을 포함한다.
본 발명의 세정 조성물의 공동 용제의 양은 일반적으로 세정 조성물의 총 중량에 대해 20% ~ 80% 의 범위, 바람직하게는 25% ~ 70%, 특히 30% ~ 45% 의 범위이다.
본 발명의 세정 조성물의 공동 용제의 양은 일반적으로 세정 조성물의 총 중량에 대해 20% ~ 80% 의 범위, 바람직하게는 25% ~ 70%, 특히 30% ~ 45% 의 범위이다.
본 발명의 염기함유 세정용 비수용성 조성물은 그 산성의 세기가 수용액에서 해리상수인 pKa 로 표현되고 그 값이 1.2 ~ 8 의 범위, 바람직하게는 1.3 ~ 6, 더 바람직하게는 2.0 ~ 5 의 범위인 약산을 포함하고 있다. 그러한 약산들은 유기 또는 무기 산 일수 있다. 그러한 적합한 약산의 예로는 아세트산, 프로판산, 말론산, 프탈산, 페녹시아세트산, 머캅토벤조익산, 2-머캅토에탄올 및 그 유사체와 같은 카르복실산과, 카보닉산, 플루오르화수소산, 하이포아인산 및 그 유사체와 같은 무기산을 포함한다.
본 발명의 세정 조성물의 약산의 양은 아민그룹에 대한 산성 그룹 (산성 그룹/아민 그룹)의 등가 몰 비율이 0.75 보다 크도록, 바람직하게는 0.75 ~ 1.6 의 범위, 가장 바람직하게는 0.76 ~ 1.0 의 범위를 갖도록 한다. 상기한 양이 존재할 때, 산 성분의 양은 일반적으로 조성물의 총 중량에 대해 1% ~ 50% 의 범위, 바람직하게는 10% ~ 35%, 가장 바람직하게는 12% ~ 25% 의 범위이다.
본 발명의 세정 조성물의 약산의 양은 아민그룹에 대한 산성 그룹 (산성 그룹/아민 그룹)의 등가 몰 비율이 0.75 보다 크도록, 바람직하게는 0.75 ~ 1.6 의 범위, 가장 바람직하게는 0.76 ~ 1.0 의 범위를 갖도록 한다. 상기한 양이 존재할 때, 산 성분의 양은 일반적으로 조성물의 총 중량에 대해 1% ~ 50% 의 범위, 바람직하게는 10% ~ 35%, 가장 바람직하게는 12% ~ 25% 의 범위이다.
본 발명의 염기함유 세정용 비수용성 조성물은 염기 함유 마이크로일렉트로닉스 세정 조성물에 쓰이는 부식 방지제, 무부식성 계면활성제와 유사한 무부식성 성분을 포함하지만 이에 제한 된 것은 아니다.
본 발명의 조성물과 이를 이용한 마이크로일렉트로닉스 기판, 특히 FPD 마이크로일렉트로닉스 기판의 세정 및 그들의 금속 무부식 성질은 다음의 실시예에 기술되어 있지만 이에 제한 된 것은 아니다.
다음의 시험 과정은 하기의 실시예에 사용되었다. 시험 시료는 유리 기판과 알루미늄/네오디뮴(Al/Nd)(-97%Al) 막위의 몰리브데늄 막으로 조성된 금속 전극으로 이루어져 있다. 두 막 모두 스퍼터링으로 입혀졌으며 다음과 같은 과정으로 포토리소그래피에 의해 고안되었다.: 1) 1.5㎛의 양성 포토레지스트는 스핀 코팅으로 입혀졌다. 2) 코팅된 레지스트는 약 80℃에서 소프트 베이킹 처리를 하였다. 3) 패터닝을 위하여 포토레지스트가 코팅된 기판을 노출 시킨다. 4) 노출되고 패터닝이 된 기판은 60 초 동안 현상시키고 5) 3분 동안 140℃에서 하드 베이킹을 하였다. 그 후, 금속은 몰리브데늄 막의 오버행잉이 없도록 다중 과정 공정에서 에칭된다.
유리 기판 쉬트를 약 1-2cm2의 조각으로 쪼개어 시료를 준비하여 작은 교반 비이커에서 후술되는 조건하에 시험 용액의 현탁액으로 세정하였다. 세정 효과 시험에서는 시료를 탈이온수에서 1 분 동안 세척하였다. 세척수에서의 부식을 더 효과적으로 모사하기 위하여 70℃에서 3분 동안 세정된 시료를 30℃의 탈이온수에 함유된 같은 세정 물질의 조성의 5% 용액에 바로 담근 후 5분 동안 방치 하였다. 시험한 조성물에서는 몰리브데늄 막의 부식이 없었으며, 단지 Al/Nd의 부식이 나타났다. 세정 조성물의 5% 농도 용액으로 부터 물 세척 pH가 측정되었다. 각각의 세척 과정 후 즉시 N2로 건조하였다. 주사 전자 미세 현미경으로 시료의 세정도와 부식을 결정하였다.
아래의 실시예에서 다음의 용어들이 사용되었다.
세정: "세정"은 모든 레지스트의 제거를 의미하며 "불완전"은 금속으로 부터 제거되지 않은 다량의 레지스트가 존재함을 의미한다.
부식: "무"는 Al/Nd 선 물질의 손실이 없음을 나타내고, "미세"는 기판 계면의 Al/Nd 선의 말끔한 가장자리가 손실되었음을 나타내며, "약간"은 다량의 Al/Nd 선의 부식을 표시한다.
"분자량비"는 아민 성분에 대한 산의 분자량의 비에 아민 성분에 있는 아민 그룹의 수에 대한 산 성분의 산 그룹의 수의 비를 곱한 값을 의미한다.
실시예
실시예 1: N-메틸피롤리디논 (44%), 에틸렌 글리콜 (33%), 및 2-아미노에탄올 (23%)로 이루어진 초기용액을 준비한다. 이 용액에 빙초산을 가하여 아래에 표시된 시험 용액을 만든다.
| 혼합물 (산의 양) | 등가 몰비 산/아민 | pH 5% 용액 | 세정 (3 분,70℃) | Al/Nd 부식 (5% 용액,30℃) |
| 14.3% 초산 | 0.765 | 9.4 | 세정 | 무 |
| 15.1% 초산 | 0.82 | 9.29 | 세정 | 무 |
| 16.1% 초산 | 0.88 | 9.06 | 세정 | 무 |
| 17.1% 초산 | 0.94 | 8.65 | 세정 | 무 |
| 17.9% 초산 | 1 | 6.63 | 세정 | 무 |
| 18.1% 초산 | 1.02 | 6.34 | 세정 | 무 |
실시예 2: N-메틸피롤리디논 (44%), 에틸렌 글리콜 (33%), 및 2-아미노에탄올 (23%)로 이루어진 초기용액을 준비한다. 이 용액에 아래의 산을 가하여 아래에 표시된 시험 용액을 만든다.
| 혼합물 (부가된 산) | 등가 몰비 산/아민 | pH 5% 용액 | 세정 (3 분, 70℃) | Al/Nd 부식 (5% 용액, 30℃) |
| 13.8% 하이포아인산 | 0.8 | 9.21 | 세정 | 무 |
| 22.5% 말론산 | 0.8 | 4.77 | 세정 | 약간 |
실시예 3: N-메틸피롤리디논 (37%), 2-아미노에탄올 (19%), 빙초산 (15%), 및 잔여 성분 (29%)로 이루어진 용액을 아래와 같이 준비한다.
| 부가된 산 | 등가 몰비 산/아민 | pH 5% 용액 | 세정 (3 분,70℃) | Al/Nd 부식 (5% 용액,30℃) |
| 프로필렌 글리콜 | 0.8 | 9.39 | 세정 | 약간 |
| 2-메틸-2,4-펜탄디올 | 0.8 | 9.37 | 세정 | 무 |
| 글리세롤 | 0.8 | 9.38 | 세정 | 무 |
| 2-부틴-1,4-디올 | 0.8 | 9.37 | 세정 | 미세 |
| 이소프로판올 | 0.8 | 6.9 | 세정 | 무 |
| 2-(2-부톡시에톡시)-에탄올 | 0.8 | 9.12 | 세정 | 무 |
실시예 4: 2-아미노에탄올 (19%), 빙초산 (14.3%), 및 N-메틸피롤리디논(NMP)와 에틸렌 글리콜(EG)(NMP와 EG의 합 66.7%)로 이루어진 잔여 성분으로 조성된 용액을 아래와 같이 준비한다.
| 혼합물 (%NMP/%EG) | 등가 몰비 산/아민 | pH 5% 용액 | 세정 (3 분, 70℃) | 세정 (3 분, 70℃) | Al/Nd 부식 (5% 용액, 30℃) |
| 100%/0% | 0.765 | 9.24 | 세정 | 재침전 | 무 |
| 57%/43% | 0.765 | 9.4 | 세정 | 세정 | 무 |
| 43%/53% | 0.765 | 9.41 | 세정 | 세정 | 미세 |
| 0%/100% | 0.765 | 9.43 | 세정 | 재침전 | 약간 |
비교 실시예 A: N-메틸피롤리디논 (47%), 에틸렌 글리콜 (35.3%), 및 빙초산 (17.7%)로 이루어진 용액을 준비한다.
| 혼합물 (부가된 산) | 등가 몰비 산/아민 | pH 5% 용액 | 세정 (3 분,70℃) | Al/Nd 부식 (5% 용액,30℃) |
| 아민 없음 | 해당 없음 | 2.48 | 불완전 | 무 |
비교 실시예 B: 본 실시예는 용액을 N-메틸피롤리디논 (30g),모노에탄올아민 (10g), 및 2-(2-부톡시에톡시)에탄올 (17g)로 조성하여 준비된 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방법으로 수행되었다.
노출 온도 70℃, 노출 시간 3분의 조건 하에서 완벽한 세정이 이루어 졌다. 5분, 5% 용액 세척을 통하여 몰리브네늄 상층막의 아래 부분이 상당히 잘려 나가도록 가시 Al/Nd막의 완벽한 부식을 관찰하였다.
본 발명에 대하여 상세한 구체화를 참조하여 본문에 기술이 되어 있지만 변화, 수정 및 변동이 여기에 기술된 발명의 개념에 대한 의도와 범위로부터 벗어나 지 않는 범위에서 이루어 질 수 있음을 인지하여야 한다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구항의 의도와 범위에 부합하는 변화, 수정 및 변위를 모두 포함하고자 한다.
Claims (26)
- 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 조성물에 있어서,a). 조성물의 성분이 아래와 같이ⅰ). 친핵성 아민과;ⅱ). 산성도의 세기가 수용액 중에서 해리상수인 kPa = 1.2 ~ 8 의 범위 를 가진 약산과;ⅲ). 지방성 알콜, 디올, 폴리올, 및 글리콜에테르를 포함한 그룹 중에 서 선택된 화합물과;ⅳ). 유기 공동 용제; 를 포함하여 구성되어 있고,b). 이때, 상기 ⅱ)의 약산은 산성 그룹/아민 그룹의 등가 몰비율이 0.75 ~ 1.6 의 범위에 있는 혼합물 중에 존재하고, 상기의 혼합물에서 그의 pH = 4.5 ~ 9.5 의 범위에 있는 것을 특징으로 하는,마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 ⅰ). 친핵성 아민 성분은 10 ~ 25 중량%;상기 ⅱ). 약산은 10 ~ 25 중량%;상기 ⅲ). 화합물은 20 ~ 40 중량%; 그리고,상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 10 ~ 60 중량%; 으로 구성된 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 ⅰ) 친핵성 아민 성분은 1-아미노-2-프로판올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 아민인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 ⅲ). 화합물은 이소프로판올, 부탄올, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 1,3-프로판디올, 2-메틸-1,3,-프로판디올, 2-부틴-1,4-디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 헥산디올, 글리세롤, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 및 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 용해계수가 8 ~ 15 의 범위인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
- 제 5 항에 있어서,상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 2-피롤리디논, 1-메틸-2-피롤리디논, 1-에틸-2-피롤리디논, 1-프로필-2-피롤리디논, 1-히드록시에틸-2-피롤리디논과, 디알킬 술폰, 디메틸 술폭사이드, 술포란, 메틸 술포란, 에틸 술포란, 테트라히드로티오펜-1-,1-디옥사이드, 디메틸아세트아미드 및 디메틸포름아미드로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
- 제 6 항에 있어서,상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 술포란과 1-메틸-2-피롤리디논으로 이루어진 그룹 중에서 선택되고,ⅰ) 친핵성 아민은 2-아미노에탄올과 1-아미노-2-프로판올으로 이루어진 그룹 중에서 선택되며,ⅱ) 약산은 그의 세기가 수용액 중에서 해리상수인 kPa = 1.2 ~ 8 의 범위를 가지고 있으며;ⅲ) 화합물은 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 글리세롤, 2-부틴-1,디올, 이소프로판올로 이루어진 그룹 중에서 선택된 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기의 ⅱ) 약산은 적어도 하나의 산의 pKa 값이 2 ~ 5 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
- 제 7 항에 있어서,상기의 ⅱ) 약산은 적어도 하나의 산의 pKa 값이 2 ~ 5 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기의 ⅱ) 약산은 아세트산, 프로판산, 말론산, 페닐아세트산, 및 하이포아인산으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
- 제 7 항에 있어서,상기의 ⅱ) 약산은 아세트산, 프로판산, 말론산, 페닐아세트산, 및 하이포아인산으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 ⅰ). 친핵성 아민 성분은 2-아미노에탄올이고;상기 ⅱ). 약산은 아세트산이고;상기 ⅲ). 화합물은 에틸렌 글리콜이며; 그리고,상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 1-메틸-2-피롤리디논인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스 기판 세정용 비수용성 조성물.
- 마이크로일렉트로닉스 기판에 어떠한 심각한 금속 부식도 발생시키지 않고 금속과 포토레지스트 고분자 물질을 함유하여 기판을 세정하는 방법에 있어서,상기 기판을 세정하는데 충분한 시간동안 세정화합물로 이루어진 세정용 비수용성 조성물을 상기 기판과 접촉시키는 공정을 포함한 것으로서,상기의 공정에서 사용되는 세정용 비수용성 조성물은a). 아래와 같이ⅰ). 친핵성 아민과;ⅱ). 산성도의 세기가 수용액 중에서 해리상수인 kPa = 1.2 ~ 8 의 범위 를 가진 약산과;ⅲ). 지방성 알콜, 디올, 폴리올, 및 글리콜에테르를 포함한 그룹 중에서 선택된 화합물과; 그리고,ⅳ). 유기 공동 용제; 를 포함하여 구성되어 있고,b). 이때, 상기 ⅱ)의 약산은 산성 그룹/아민 그룹의 등가 몰비율이 0.75 ~ 1.6의 범위에 있는 혼합물 중에 존재하고, 상기의 혼합물에서 그의 pH = 4.5 ~ 9.5 의 범위에 있는 것을 특징으로 하는,마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 ⅰ). 친핵성 아민 성분은 10 ~ 25 중량%;상기 ⅱ). 약산은 10 ~ 25 중량%;상기 ⅲ). 화합물은 20 ~ 40 중량%; 그리고,상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 10 ~ 60 중량%; 으로 구성된 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 ⅰ) 친핵성 아민 성분은 1-아미노-2-프로판올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 아민인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 ⅲ). 화합물은 이소프로판올, 부탄올, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 폴리에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디프로필렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 1,3-프로판디올, 2-메틸-1,3,-프로판디올, 2-부틴-1,4-디올, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 헥산디올, 글리세롤, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 및 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 용해계수가 8 ~ 15 의 범위인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 2-피롤리디논, 1-메틸-2-피롤리디논, 1-에틸-2-피롤리디논, 1-프로필-2-피롤리디논, 1-히드록시에틸-2-피롤리디논과, 디알킬 술폰, 디메틸 술폭사이드, 술포란, 메틸 술포란, 에틸 술포란, 테트라히드로티오펜-1-,1-디옥사이드, 디메틸아세트아미드 및 디메틸포름아미드로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 술포란과 1-메틸-2-피롤리디논으로 이루어진 그룹 중에서 선택되고,ⅰ) 친핵성 아민은 2-아미노에탄올과 1-아미노-2-프로판올으로 이루어진 그룹 중에서 선택되며,ⅱ) 약산은 그의 세기가 수용액 중에서 해리상수인 kPa = 1.2 ~ 8 의 범위를 가지고 있으며;ⅲ) 화합물은 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 2-메틸-2,4-펜탄디올, 글리세롤, 2-부틴-1,디올, 이소프로판올로 이루어진 그룹 중에서 선택된 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기의 ⅱ) 약산은 적어도 하나의 산의 pKa 값이 2 ~ 5 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기의 ⅱ) 약산은 적어도 하나의 산의 pKa 값이 2 ~ 5 의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기의 ⅱ) 약산은 아세트산, 프로판산, 말론산, 페닐아세트산, 및 하이포아인산으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기의 ⅱ) 약산은 아세트산, 프로판산, 말론산, 페닐아세트산, 및 하이포아인산으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 ⅰ). 친핵성 아민 성분은 2-아미노에탄올이고;상기 ⅱ). 약산은 아세트산이고;상기 ⅲ). 화합물은 에틸렌 글리콜이며; 그리고,상기 ⅳ). 유기 공동 용제는 1-메틸-2-피롤리디논인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 마이크로일렉트로닉스 기판은 평판 디스플레이를 위한 기판인 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
- 제 25 항에 있어서,상기 기판은 알루미늄/네오디늄 막을 형성하고 있는 것을 특징으로 하는, 마이크로일렉트로닉스의 기판을 세정하는 방법.
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