KR100855879B1 - Jig for sealing member and method for inserting the sealing member - Google Patents

Jig for sealing member and method for inserting the sealing member Download PDF

Info

Publication number
KR100855879B1
KR100855879B1 KR1020070034929A KR20070034929A KR100855879B1 KR 100855879 B1 KR100855879 B1 KR 100855879B1 KR 1020070034929 A KR1020070034929 A KR 1020070034929A KR 20070034929 A KR20070034929 A KR 20070034929A KR 100855879 B1 KR100855879 B1 KR 100855879B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sealing member
sealing
insertion hole
pressing
chamber
Prior art date
Application number
KR1020070034929A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정순빈
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070034929A priority Critical patent/KR100855879B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100855879B1 publication Critical patent/KR100855879B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

A jig for sealing member and a method for inserting a sealing member are provided to prevent the generation of leakage by preventing distortion or a breakdown of the sealing member. A jig for sealing member is used for inserting a sealing member into a sealing groove. A holder(720) is positioned at an entrance of the sealing groove in order to hold the sealing member. A pressing member(740) is positioned at a place opposite to the sealing groove on the basis of the holder. The pressing member includes a pressing surface to apply pressure to the sealing member. The holder includes an insertion hole(726) into which the sealing member is inserted. The insertion hole corresponds to the sealing groove.

Description

실링부재용 지그 및 실링부재를 삽입하는 방법{jig for sealing member and method for inserting the sealing member}Jig for sealing member and method for inserting the sealing member}

도 1a 및 1b는 금속라인들 사이에 형성된 갭을 채우는 모습을 나타내는 웨이퍼의 단면도이다.1A and 1B are cross-sectional views of a wafer showing a gap formed between metal lines.

도 2는 기판처리장치를 포함하는 반도체 제조설비를 개략적으로 나타내는 도면이다.2 is a schematic view showing a semiconductor manufacturing equipment including a substrate processing apparatus.

도 3은 도 2의 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.3 is a diagram schematically illustrating the substrate processing apparatus of FIG. 2.

도 4는 도 3의 하부챔버를 개략적으로 나타내는 도면이다.4 is a view schematically illustrating the lower chamber of FIG. 3.

도 5는 도 3의 실링부재를 개략적으로 나타내는 도면이다.5 is a view schematically illustrating the sealing member of FIG. 3.

도 6은 본 발명에 따른 실링부재용 지그를 개략적으로 나타내는 도면이다.6 is a view schematically showing a jig for a sealing member according to the present invention.

도 7 및 도 8은 도 6의 실링부재용 지그를 이용하여 실링부재를 삽입하는 모습을 나타내는 도면이다.7 and 8 are views illustrating a state in which the sealing member is inserted using the sealing member jig of FIG. 6.

도 9는 도 3의 제1 가스공급부재를 개략적으로 나타내는 도면이다.9 is a view schematically showing the first gas supply member of FIG. 3.

도 10은 도 3의 노즐을 개략적으로 나타내는 도면이다.10 is a view schematically illustrating the nozzle of FIG. 3.

도 11은 도 3의 기판처리장치를 이용한 기판처리방법을 나타내는 흐름도이다.11 is a flowchart illustrating a substrate processing method using the substrate processing apparatus of FIG. 3.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

1 : 반도체 제조설비 10 : 기판처리장치(공정챔버)1: semiconductor manufacturing equipment 10: substrate processing apparatus (process chamber)

100 : 본체 130 : 도어100: body 130: door

200 : 지지부재 220 : 지지플레이트200: support member 220: support plate

300 : 제1 가스공급부재 400 : 커버300: first gas supply member 400: cover

500 : 플라스마 생성부재 600 : 제2 가스공급부재500: plasma generating member 600: second gas supply member

700 : 실링부재용 지그700: jig for sealing member

본 발명은 실링부재용 지그 및 실링부재를 삽입하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 챔버의 실링홈 내에 실링부재를 삽입하는 실링부재용 지그 및 실링부재를 삽입하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for inserting a sealing member jig and a sealing member, and more particularly to a method for inserting a sealing member jig and a sealing member for inserting the sealing member into the sealing groove of the chamber.

반도체 장치는 실리콘 기판 상에 많은 층들(layers)을 가지고 있으며, 이와 같은 층들은 증착공정을 통하여 기판 상에 증착된다. 이와 같은 증착공정은 몇가지 중요한 이슈들을 가지고 있으며, 이와 같은 이슈들은 증착된 막들을 평가하고 증착방법을 선택하는 데 있어서 중요하다.The semiconductor device has many layers on a silicon substrate, and these layers are deposited on the substrate through a deposition process. This deposition process has several important issues, which are important in evaluating the deposited films and selecting the deposition method.

증착과 관련된 이슈 중 한가지는 공간을 채우는 것(filling space)이다. 이는 금속라인들 사이를 산화막을 포함하는 절연막으로 채우는 갭 필링(gap filling)을 포함한다. 갭은 금속라인들을 물리적 및 전기적으로 절연시키기 위하여 제공된다.One of the issues with deposition is filling space. This includes gap filling between the metal lines with an insulating film including an oxide film. The gap is provided to physically and electrically insulate the metal lines.

도 1a 및 1b는 금속라인들(a) 사이에 형성된 갭을 채우는 모습을 나타내는 웨이퍼의 단면도이다. 도 1a 및 도 1b는 불완전한(incomplete) 갭 필링 과정을 보여주고 있다. 금속라인들(a) 사이의 갭은 절연막(b)으로 채워진다. 이때, 갭 내에 절연막(b)이 채워짐과 동시에, 갭 내의 상부에는 오버행들(overhang)(h)이 빵덩어리(breadloafing) 형태로 성장하며, 오버행(h)의 성장속도는 갭 내에 채워지는 절연막(b)의 성장속도보다 빠르다. 결국, 오버행(h)들은 서로 만나 갭의 상부를 폐쇄하여 갭 내에 보이드(void)를 형성하며, 절연막(b)이 갭 내에 증착되는 것을 방해한다. 형성된 보이드는 높은 접촉저항(contact resistance) 및 높은 면저항(sheet resistance)을 가져오며, 파손을 일으키기도 한다. 또한, 보이드는 처리액 또는 수분을 함유하여, 안정성 문제를 일으키기도 한다.1A and 1B are cross-sectional views of a wafer showing a gap formed between metal lines a. 1A and 1B show an incomplete gap filling process. The gap between the metal lines a is filled with the insulating film b. At this time, while the insulating film b is filled in the gap, an overhang h grows in the form of breadloafing in the upper portion of the gap, and the growth rate of the overhang h is an insulating film filled in the gap. It is faster than the growth rate of b). As a result, the overhangs h meet with each other to close the top of the gap to form voids in the gap, preventing the insulating film b from being deposited in the gap. The formed voids result in high contact resistance and high sheet resistance, and also cause breakage. In addition, the voids may contain a treatment liquid or water, causing stability problems.

고밀도 플라스마 화학기상증착(High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition:HDPCVD) 방법은 플라스마를 이용하여 갭 내에 막을 증착하고, 막의 증착시 성장한 오버행을 에칭하며, 이후 다시 막을 증착하는 증착/에칭/증착 방법을 사용하여 보이드가 형성되는 것을 방지한다. 즉, 부분적으로 채워진 갭을 재형상화하여 갭을 개방시키고, 갭 내에 보이드가 형성되기 이전에 갭 내에 막을 증착시킨다. 이와 같은 방법은 큰 종횡비(Aspect Ratio:AR)를 가지는 갭 내에 보이드 없이 막을 증착시킬 수 있다.The High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition (HDPCVD) method uses a deposition / etching / deposition method that deposits a film in a gap using plasma, etches overhang grown during deposition of the film, and then deposits the film again. To prevent the formation of voids. That is, the partially filled gap is reshaped to open the gap, and a film is deposited in the gap before voids are formed in the gap. This method can deposit a film without voids in a gap having a large Aspect Ratio (AR).

이와 같은 플라스마 화학기상증착장치는 증착공정이 이루어지는 챔버를 구비한다. 웨이퍼는 챔버의 내부에 설치된 지지플레이트 상에 로딩되며, 웨이퍼의 상부에는 공정가스가 공급된다. 공정가스가 공급된 상태에서 챔버 내에 전자기장을 형 성하면 전자기장에 의하여 공정가스로부터 플라스마가 생성된다. 챔버 외부에는 고주파 전원이 연결된 코일이 제공되며, 고주파 전원이 인가되면 코일은 챔버 내에 전자기장을 형성한다.Such plasma chemical vapor deposition apparatus includes a chamber in which a deposition process is performed. The wafer is loaded on a support plate installed inside the chamber, and a process gas is supplied to the top of the wafer. When the electromagnetic field is formed in the chamber while the process gas is supplied, plasma is generated from the process gas by the electromagnetic field. Outside the chamber is provided a coil to which a high frequency power is connected, and when a high frequency power is applied, the coil creates an electromagnetic field in the chamber.

챔버는 상부가 개방된 형상의 하부챔버와, 하부챔버의 상부에 설치되어 하부챔버의 개방된 상부를 폐쇄하는 상부챔버를 구비한다. 상부챔버와 하부챔버 사이에는 실링부재가 설치되며, 실링부재는 상부챔버 및 하부챔버에 밀착되어 챔버 내부를 밀폐하는 역할을 한다. 상부챔버와 접촉하는 하부챔버 상에는 실링홈이 형성되며, 실링부재는 실링홈을 따라 삽입된다. 종래에는 작업자가 손수 실링홈을 따라 실링부재를 삽입하였다. 그러나, 실링부재 삽입시 실링부재가 뒤틀리거나 파손되는 문제가 발생하였으며, 실링홈을 따라 실링부재가 균일한 장력을 가지도록 실링부재를 설치하기가 곤란하였다. 또한, 실링부재 삽입시 많은 시간과 노력이 소요되는 문제가 있었다.The chamber has a lower chamber having an upper open shape, and an upper chamber installed at an upper portion of the lower chamber to close an open upper portion of the lower chamber. A sealing member is installed between the upper chamber and the lower chamber, and the sealing member is in close contact with the upper chamber and the lower chamber to seal the inside of the chamber. A sealing groove is formed on the lower chamber in contact with the upper chamber, and the sealing member is inserted along the sealing groove. In the related art, an operator inserts a sealing member along a handmade sealing groove. However, when the sealing member is inserted, there is a problem that the sealing member is twisted or broken, and it is difficult to install the sealing member so that the sealing member has a uniform tension along the sealing groove. In addition, there was a problem that takes a lot of time and effort when inserting the sealing member.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 실링홈 내에 실링부재를 쉽게 삽입할 수 있는 실링부재용 지그 및 실링부재를 삽입하는 방법을 제공하는 데 있다.The present invention is to solve the above-described problems, an object of the present invention to provide a sealing member jig and a method for inserting the sealing member that can easily insert the sealing member in the sealing groove.

본 발명의 다른 목적은 실링부재의 뒤틀림 및 파손을 방지할 수 있는 실링부재용 지그 및 실링부재를 삽입하는 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a sealing member jig and a method for inserting a sealing member that can prevent twisting and damage of the sealing member.

본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.Still other objects of the present invention will become more apparent from the following detailed description and the accompanying drawings.

본 발명에 의하면, 실링홈에 실링부재를 삽입하는데 사용되는 실링부재용 지그는 상기 실링부재의 삽입시 상기 실링홈의 입구에 위치하며 상기 실링부재를 홀딩하는 홀더, 상기 홀더를 기준으로 상기 실링홈의 반대편에 위치하며 상기 홀더에 홀딩된 상기 실링부재에 대하여 압력을 가하는 가압면을 가지는 가압부재를 포함한다.According to the present invention, the sealing member jig used to insert the sealing member into the sealing groove is located at the inlet of the sealing groove when the sealing member is inserted, the holder for holding the sealing member, the sealing groove on the basis of the holder And a pressurizing member positioned on the opposite side of the pressurizing member and having a pressurizing surface for applying pressure to the sealing member held in the holder.

상기 홀더는 상기 실링부재가 삽입되는 삽입홀을 가질 수 있다. 또한, 상기 삽입홀은 상기 실링홈과 대응될 수 있다.The holder may have an insertion hole into which the sealing member is inserted. In addition, the insertion hole may correspond to the sealing groove.

상기 홀더는 내측링 및 상기 내측링의 외측에 상기 내측링으로부터 이격되도록 배치되는 외측링을 포함하되, 상기 내측링과 외측링의 사이에 상기 삽입홀이 형성될 수 있다.The holder includes an inner ring and an outer ring disposed to be spaced apart from the inner ring on an outer side of the inner ring, and the insertion hole may be formed between the inner ring and the outer ring.

상기 가압부재는 상기 삽입홀에 삽입가능하며 상기 삽입홀과 대응되는 형상을 가지는 상기 가압면을 구비하는 가압부, 상기 가압부에 연결되며 상기 가압부에 압력을 제공하는 베이스부를 포함할 수 있다. 또한, 상기 실링부재는 오링(O-ring)일 수 있다.The pressing member may include a pressing portion insertable into the insertion hole and having a pressing surface having a shape corresponding to the insertion hole, and a base portion connected to the pressing portion and providing pressure to the pressing portion. In addition, the sealing member may be an O-ring.

본 발명에 의하면, 실링홈에 실링부재를 삽입하는 방법은 상기 실링홈과 대응되는 삽입홀을 가지는 홀더를 제공하고 상기 삽입홀 내에 상기 실링부재를 삽입한 후, 상기 삽입홀과 상기 실링홈이 대응되도록 상기 홀더를 설치한 후, 상기 실링부재가 상기 삽입홀에 삽입되도록 가압부재를 이용하여 상기 실링부재에 압력을 가하는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, a method of inserting a sealing member into a sealing groove provides a holder having an insertion hole corresponding to the sealing groove, and after inserting the sealing member into the insertion hole, the insertion hole and the sealing groove correspond to each other. After installing the holder so as to, the sealing member is characterized in that to apply a pressure to the sealing member by using a pressing member to be inserted into the insertion hole.

상기 가압부재는 상기 실링부재와 접하는 가압면을 가지는 가압부 및 상기 가압부에 연결된 베이스부를 포함하며, 상기 베이스부에 충격을 가하여 상기 실링부재에 압력을 가할 수 있다.The pressing member may include a pressing portion having a pressing surface in contact with the sealing member and a base portion connected to the pressing portion, and may apply pressure to the sealing member by applying an impact to the base portion.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도 2 내지 도 11을 참고하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 2 to 11. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention should not be construed as limited to the embodiments described below. This embodiment is provided to explain in detail the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of each element shown in the drawings may be exaggerated to emphasize a more clear description.

이하에서는 기판의 일례로 웨이퍼(W)를 들어 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또한, 이하에서는 증착 공정을 수행하는 기판처리장치(또는 공정챔버)(10)를 가지는 반도체 제조설비(1)를 예로 들어 설명한다. 그러나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않으며, 본 발명은 애싱 공정, 에칭 공정, 또는 세정 공정에 응용될 수 있다.Hereinafter, the wafer W will be described as an example of the substrate, but the present invention is not limited thereto. In addition, hereinafter, a semiconductor manufacturing apparatus 1 having a substrate processing apparatus (or process chamber) 10 performing a deposition process will be described as an example. However, the spirit and scope of the present invention is not limited thereto, and the present invention may be applied to an ashing process, an etching process, or a cleaning process.

도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치(10)를 포함하는 반도체 제조설비(1)를 개략적으로 나타내는 도면이다.2 is a diagram schematically showing a semiconductor manufacturing facility 1 including a substrate processing apparatus 10 according to the present invention.

도 2를 살펴보면, 반도체 제조설비(1)는 공정설비(2), 설비 전방 단부 모듈(Equipment Front End Module:EFEM)(3), 그리고 경계벽(interface wall)(4)을 포 함한다. 설비 전방 단부 모듈(3)은 공정설비(2)의 전방에 장착되어, 웨이퍼들(W)이 수용된 용기(도시안됨)와 공정설비(2) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다. 설비 전방 단부 모듈(3)은 복수의 로드포트들(loadports)(60)과 프레임(frame)(50)을 가진다. 프레임(50)은 로드포트(60)와 공정 설비(2) 사이에 위치한다. 웨이퍼(W)를 수용하는 용기는 오버헤드 트랜스퍼(overhead transfer), 오버헤드 컨베이어(overhead conveyor), 또는 자동 안내 차량(automatic guided vehicle)과 같은 이송 수단(도시안됨)에 의해 로드포트(60) 상에 놓여진다. 용기는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 프레임(50) 내에는 로드포트(60)에 놓여진 용기와 공정설비(2) 간에 웨이퍼(W)를 이송하는 프레임 로봇(70)이 설치된다. 프레임(50) 내에는 용기의 도어를 자동으로 개폐하는 도어 오프너(도시안됨)가 설치될 수 있다. 또한, 프레임(50)에는 청정 공기가 프레임(50) 내 상부에서 하부로 흐르도록 청정 공기를 프레임(50) 내로 공급하는 팬필터 유닛(Fan Filter Unit:FFU)(도시안됨)이 제공될 수 있다.Referring to FIG. 2, the semiconductor manufacturing equipment 1 includes a process equipment 2, an equipment front end module (EFEM) 3, and an interface wall 4. The plant front end module 3 is mounted in front of the process plant 2 to transfer the wafer W between the vessel (not shown) in which the wafers W are housed and the process plant 2. The facility front end module 3 has a plurality of loadports 60 and a frame 50. The frame 50 is located between the load port 60 and the process equipment 2. The container containing the wafer W is placed on the load port 60 by a transfer means (not shown), such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle. Is put on. The container may be a closed container such as a front open unified pod (FOUP). In the frame 50, a frame robot 70 for transferring the wafer W is installed between the vessel placed in the load port 60 and the process facility 2. In the frame 50, a door opener (not shown) for automatically opening and closing the door of the container may be installed. In addition, the frame 50 may be provided with a fan filter unit (FFU) (not shown) for supplying clean air into the frame 50 so that clean air flows from the top to the bottom in the frame 50. .

웨이퍼(W)는 공정설비(2) 내에서 소정의 공정이 수행된다. 공정설비(2)는 로드록 챔버(loadlock chamber)(20), 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)(30), 그리고 공정챔버(process chamber)(10)를 가진다. 트랜스퍼 챔버(30)는 상부에서 바라볼 때 대체로 다각의 형상을 가진다. 트랜스퍼 챔버(30)의 측면에는 로드록 챔버(20) 또는 공정챔버(10)가 위치된다. 로드록 챔버(20)는 트랜스퍼 챔버(30)의 측부들 중 설비 전방 단부 모듈(3)과 인접한 측부에 위치되고, 공정챔버(10)는 다른 측부에 위치된다. 로드록 챔버(20)는 공정 진행을 위해 공정설비(2)로 유입되는 웨이퍼 들(W)이 일시적으로 머무르는 로딩 챔버(20a)와 공정이 완료되어 공정설비(2)로부터 유출되는 웨이퍼들(W)이 일시적으로 머무르는 언로딩 챔버(20b)를 가진다. 트랜스퍼 챔버(30) 및 공정챔버(10) 내부는 진공으로 유지되고, 로드록 챔버(20) 내부는 진공 및 대기압으로 전환된다. 로드록 챔버(20)는 외부 오염물질이 트랜스퍼 챔버(30) 및 공정챔버(10)로 유입되는 것을 방지한다. 로드록 챔버(20)와 트랜스퍼 챔버(30) 사이, 그리고 로드록 챔버(20)와 설비 전방 단부 모듈(3) 사이에는 게이트 밸브(도시안됨)가 설치된다. 설비 전방 단부 모듈(3)과 로드록 챔버(20) 간에 웨이퍼(W)가 이동하는 경우, 로드록 챔버(20)와 트랜스퍼 챔버(30) 사이에 제공된 게이트 밸브가 닫히고, 로드록 챔버(20)와 트랜스퍼 챔버(30) 간에 웨이퍼(W)가 이동되는 경우, 로드록 챔버(20)와 설비 전방 단부 모듈(3) 사이에 제공되는 게이트 밸브가 닫힌다.The wafer W is subjected to a predetermined process in the process facility 2. The process facility 2 has a loadlock chamber 20, a transfer chamber 30, and a process chamber 10. The transfer chamber 30 has a generally polygonal shape when viewed from the top. The load lock chamber 20 or the process chamber 10 is located at the side of the transfer chamber 30. The loadlock chamber 20 is located on the side adjacent to the facility front end module 3 of the sides of the transfer chamber 30, and the process chamber 10 is located on the other side. The load lock chamber 20 includes a loading chamber 20a in which the wafers W flowing into the process facility 2 temporarily stay in order to proceed with the process, and wafers W exiting the process facility 2 after the process is completed. ) Has an unloading chamber 20b that temporarily stays. The interior of the transfer chamber 30 and the process chamber 10 is maintained at a vacuum, and the interior of the load lock chamber 20 is converted to a vacuum and atmospheric pressure. The load lock chamber 20 prevents foreign contaminants from entering the transfer chamber 30 and the process chamber 10. A gate valve (not shown) is installed between the load lock chamber 20 and the transfer chamber 30 and between the load lock chamber 20 and the facility front end module 3. When the wafer W moves between the facility front end module 3 and the load lock chamber 20, the gate valve provided between the load lock chamber 20 and the transfer chamber 30 is closed and the load lock chamber 20 is closed. When the wafer W is moved between the transfer chamber 30 and the transfer chamber 30, the gate valve provided between the load lock chamber 20 and the facility front end module 3 is closed.

트랜스퍼 챔버(30) 내에는 이송 로봇(40)이 장착된다. 이송 로봇(40)은 공정챔버(10)로 웨이퍼(W)를 로딩하거나 공정챔버(10)로부터 웨이퍼(W)를 언로딩한다. 또한, 이송 로봇(40)은 공정챔버(10)와 로드록 챔버(20) 간에 웨이퍼(W)를 이송한다.The transfer robot 40 is mounted in the transfer chamber 30. The transfer robot 40 loads the wafer W into the process chamber 10 or unloads the wafer W from the process chamber 10. In addition, the transfer robot 40 transfers the wafer W between the process chamber 10 and the load lock chamber 20.

공정챔버(10)는 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 공정, 예컨대 증착, 에칭과 같은 공정을 수행하며, 이하에서는 공정챔버(10)를 기판처리장치(10)로 부르기로 한다. 기판처리장치(10)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.The process chamber 10 performs a process such as deposition or etching on the wafer W. Hereinafter, the process chamber 10 will be referred to as a substrate processing apparatus 10. Detailed description of the substrate processing apparatus 10 will be described later.

도 3은 본 발명에 따른 기판처리장치(10)를 개략적으로 나타내는 정면도이 다.3 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus 10 according to the present invention.

도 3에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)에 대한 공정을 수행하기 위한 기판처리장치(10)는 상부가 개방된 원통형의 본체와 본체의 개방된 상부를 덮는 커버(400)를 포함하며, 본체는 원통형의 하부챔버(100), 하부챔버(100)의 상단에 연결되는 제1 가스공급부재(300)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the substrate processing apparatus 10 for performing a process on the wafer W includes a cylindrical body having an open top and a cover 400 covering an open top of the body. The cylindrical lower chamber 100 includes a first gas supply member 300 connected to the upper end of the lower chamber 100.

본 실시예에서 기판처리장치(10)를 이용하여 수행하는 공정은 증착 공정이며, 이하에서는 고밀도 플라스마 화학 기상 증착(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition:HDPCVD) 공정을 예로 들어 설명한다. 앞서 본 바와 같이, 고밀도 플라스마 화학 기상 증착 공정은 높은 밀도의 플라스마를 형성하여 금속배선들 사이에 형성된 갭 내에 막을 증착시키는 증착(deposition) 공정과, 갭 상부의 오버행들(overhang)을 에칭하는 에칭(etching) 공정을 포함한다. 갭의 상부에서 성장한 오버행들은 갭의 입구를 폐쇄하여 갭 내에 보이드(void)를 형성한다. 따라서, 에칭 공정을 통하여 오버행들을 제거함으로써, 갭 내에 보이드가 형성되는 것을 방지한다.In the present embodiment, the process performed using the substrate processing apparatus 10 is a deposition process, and hereinafter, a high density plasma chemical vapor deposition (HDPCVD) process will be described as an example. As previously seen, the high density plasma chemical vapor deposition process involves the deposition process of depositing a film in a gap formed between metal lines by forming a plasma of high density, and etching etching overhangs on the gap. etching) process. Overhangs growing at the top of the gap close the inlet of the gap to form voids in the gap. Thus, by removing overhangs through the etching process, voids are prevented from forming in the gap.

하부챔버(100)의 내부공간에는 웨이퍼(W)를 지지하기 위한 지지부재(200)가 설치된다. 지지부재(200)는 정전기력을 이용하여 웨이퍼(W)를 고정할 수 있는 정전척(ESC)이 사용될 수 있으며, 선택적으로 기계적인 구조를 통하여 클램핑이 가능한 기계척 또는 진공으로 웨이퍼(W)를 흡착하는 진공척이 사용될 수 있다. 한편, 지지부재(200)에는 플라즈마 상태의 소스가스를 웨이퍼(W)로 유도할 수 있도록 바이어 스 전원이 인가될 수 있다.A support member 200 for supporting the wafer W is installed in the inner space of the lower chamber 100. The support member 200 may use an electrostatic chuck (ESC) that can fix the wafer (W) using electrostatic force, and selectively absorb the wafer (W) by a mechanical chuck or a vacuum that can be clamped through a mechanical structure. A vacuum chuck can be used. On the other hand, a bias power may be applied to the support member 200 to guide the source gas in the plasma state to the wafer (W).

지지부재(200)는 지지플레이트(220), 구동축(240), 그리고 구동기(260)를 포함한다. 웨이퍼(W)는 지지플레이트(220)의 상부에 지지플레이트(220)와 나란하게 놓여진다. 지지플레이트(220)는 알루미늄 재질이며, 이로 인하여 웨이퍼(W) 상에 형성된 패턴은 지지플레이트(220)와 반응할 가능성이 있다. 따라서, 세라믹 재질의 보호층(도시안됨)을 지지플레이트(220)의 상부면에 형성할 수 있으며, 세라믹 재질은 산화알루미늄(aluminium oxide:Al2O3)를 포함한다. 지지플레이트(220)의 하부에는 구동축(240)의 일단이 연결되며, 구동축(240)의 타단은 구동기(260)에 연결된다.The support member 200 includes a support plate 220, a drive shaft 240, and a driver 260. The wafer W is placed side by side with the support plate 220 on the support plate 220. The support plate 220 is made of aluminum, so that the pattern formed on the wafer W may react with the support plate 220. Therefore, a protective layer (not shown) of a ceramic material may be formed on the upper surface of the support plate 220, and the ceramic material includes aluminum oxide (Al 2 O 3 ). One end of the drive shaft 240 is connected to the lower portion of the support plate 220, and the other end of the drive shaft 240 is connected to the driver 260.

다음으로, 하부챔버(100)의 측벽에는 웨이퍼(W)가 드나들 수 있는 통로(122) 및 통로(122)와 연통되어 웨이퍼(W)가 하부챔버(100)의 내부로 진입하는 입구(124)가 형성된다. 입구(124)의 단면적은 통로(122)의 단면적보다 크다. 웨이퍼(W)는 입구(124) 및 통로(122)를 통하여 하부챔버(100)의 내부로 진입하거나 하부챔버(100)의 외부로 빠져나간다.Next, a sidewall of the lower chamber 100 communicates with a passage 122 through which the wafer W may enter and a passage 122 so that the wafer W enters into the lower chamber 100. ) Is formed. The cross sectional area of the inlet 124 is larger than the cross sectional area of the passage 122. The wafer W enters or exits the lower chamber 100 through the inlet 124 and the passage 122.

입구(124) 상에는 입구(124)와 연결되는 통로(122)의 일단을 개폐하는 도어(130)가 설치된다. 도어(130)는 구동기(132)에 연결되며, 구동기(132)의 작동에 의하여 통로(122)의 길이방향과 대체로 수직한 방향으로 이동하면서 통로(122)의 일단을 개폐한다.The door 130 opening and closing one end of the passage 122 connected to the inlet 124 is installed on the inlet 124. The door 130 is connected to the driver 132 and opens and closes one end of the passage 122 while moving in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the passage 122 by the operation of the driver 132.

하부챔버(100)의 바닥벽에는 복수의 배기홀들(102)이 형성되며, 배기홀들(102)에는 각각 배기라인들(104)이 연결된다. 배기라인(104) 상에는 펌프(도시안됨)가 설치될 수 있다. 배기라인들(104)은 하부챔버(100) 내부의 가스를 외부로 배출하기 위한 통로가 된다. 하부챔버(100)의 내부에서 발생된 반응가스 및 미반응가스, 그리고 반응부산물 등은 배기라인들(104)을 통하여 하부챔버(100)의 외부로 배출되며, 하부챔버(100) 내부의 압력을 진공 상태로 유지하기 위하여 배기라인들(104)을 통하여 하부챔버(100) 내부의 가스를 외부로 배출할 수 있다.A plurality of exhaust holes 102 are formed in the bottom wall of the lower chamber 100, and exhaust lines 104 are connected to the exhaust holes 102, respectively. A pump (not shown) may be installed on the exhaust line 104. The exhaust lines 104 serve as a passage for discharging the gas inside the lower chamber 100 to the outside. The reaction gas, the unreacted gas, and the reaction by-product generated in the lower chamber 100 are discharged to the outside of the lower chamber 100 through the exhaust lines 104, and the pressure inside the lower chamber 100 is reduced. In order to maintain the vacuum state, the gas inside the lower chamber 100 may be discharged to the outside through the exhaust lines 104.

도 3에 도시한 바와 같이, 하부챔버(100)의 상부에는 결합부재(150)가 설치된다. 결합부재(150)는 후술하는 가스분배링(320)과 대응되는 크기의 링 형상이며, 가스분배링(320)의 하단 및 하부챔버(100)의 상단에 결합된다.As shown in FIG. 3, the coupling member 150 is installed on the upper portion of the lower chamber 100. Coupling member 150 has a ring shape having a size corresponding to the gas distribution ring 320 to be described later, is coupled to the lower end of the gas distribution ring 320 and the upper end of the lower chamber 100.

하부챔버(100)의 상부면에는 실링홈(108)이 형성되며, 실링홈(108) 내에는 실링부재(120)가 삽입된다. 도 4는 도 3의 하부챔버(100)를 개략적으로 나타내는 도면이며, 도 5는 도 3의 실링부재(120)를 개략적으로 나타내는 도면이다.The sealing groove 108 is formed on the upper surface of the lower chamber 100, and the sealing member 120 is inserted into the sealing groove 108. 4 is a view schematically showing the lower chamber 100 of FIG. 3, and FIG. 5 is a view schematically showing the sealing member 120 of FIG. 3.

실링홈(108)은 하부챔버(100)의 상부면을 따라 환형(ring-shaped)으로 형성된다. 앞서 살펴본 바와 같이, 실링홈(108) 내에는 실링부재(120)가 삽입된다. 실링부재(120)는 오링(O-ring)을 포함하며, 실링홈(108) 내에 삽입되어 하부챔버(100)와 결합부재(150)가 이격되어 누설(leakage)이 발생하는 것을 방지한다.The sealing groove 108 is formed in a ring-shaped shape along the upper surface of the lower chamber 100. As described above, the sealing member 120 is inserted into the sealing groove 108. The sealing member 120 includes an O-ring and is inserted into the sealing groove 108 to prevent the lower chamber 100 and the coupling member 150 from being spaced apart from each other.

도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 실링홈(108)의 내측직경은 R이며, 실링부재(120)의 내측직경은 r(r<R)이다. 따라서, 실링부재(120)는 내측직경(r)이 실링 홈(108)의 내측직경(R)에 상응하도록 늘어나야 하며, 작업자는 실링부재(120)의 내측직경(r)을 늘리면서 실링홈(108)에 삽입하여야 한다.4 and 5, the inner diameter of the sealing groove 108 is R, the inner diameter of the sealing member 120 is r (r <R). Therefore, the sealing member 120 should be increased so that the inner diameter r corresponds to the inner diameter R of the sealing groove 108, and the worker increases the inner diameter r of the sealing member 120 while the sealing groove 108 is increased. Should be inserted).

또한, 실링홈(108)의 두께는 T이며, 실링부재(120)의 두께는 t(t>T)이다. 이는 실링부재(120)와 실링홈(108) 사이에 틈이 생기는 것을 방지함으로써 누설이 발생하는 것을 방지하기 위함이다. 따라서, 실링부재(120)를 실링홈(108)에 삽입하기 위해서는 실링부재(120)에 대하여 적당한 압력을 가해야 한다.In addition, the thickness of the sealing groove 108 is T, the thickness of the sealing member 120 is t (t> T). This is to prevent the occurrence of leakage by preventing a gap between the sealing member 120 and the sealing groove 108. Therefore, in order to insert the sealing member 120 into the sealing groove 108, an appropriate pressure should be applied to the sealing member 120.

도 6은 본 발명에 따른 실링부재용 지그(700)를 개략적으로 나타내는 도면이다. 앞서 설명한 바와 같이, 실링부재(120)를 실링홈(108)에 삽입하기 위해서는 실링부재(120)의 내측직경(r)을 늘려야 하며, 실링부재(120)에 대하여 적당한 압력을 가해야 한다. 또한, 실링부재(120)를 실링홈(108)에 삽입하는 과정에서 실링부재(120)가 뒤틀리거나 파손될 수 있다. 실링부재용 지그(700)는 이와 같은 점들을 고려하여 실링부재(120)가 실링홈(108)에 용이하고 정확하게 삽입될 수 있도록 돕는다.6 is a view schematically showing a jig 700 for a sealing member according to the present invention. As described above, in order to insert the sealing member 120 into the sealing groove 108, the inner diameter r of the sealing member 120 should be increased, and an appropriate pressure should be applied to the sealing member 120. In addition, the sealing member 120 may be distorted or damaged in the process of inserting the sealing member 120 into the sealing groove 108. The sealing member jig 700 helps the sealing member 120 to be easily and accurately inserted into the sealing groove 108 in consideration of such points.

실링부재용 지그(700)는 홀더(720)와 가압부재(740)를 포함한다. 홀더(720)는 실링부재(120)를 홀딩하며, 가압부재(740)는 실링부재(120)에 대해 압력을 가한다.The sealing member jig 700 includes a holder 720 and a pressing member 740. The holder 720 holds the sealing member 120, and the pressing member 740 exerts pressure on the sealing member 120.

홀더(720)를 구체적으로 설명하면, 홀더(720)는 내측링(722) 및 외측링(724)을 포함하며, 내측링(722)과 외측링(724) 사이에는 삽입홀(726)이 형성된다. 내측링(722) 및 외측링(724)은 링 형상이며, 외측링(724)은 내측링(722)의 바깥쪽에 내 측링(722)으로부터 이격되도록 배치된다. 내측링(722)과 외측링(724)은 복수의 연결다리들(723)에 의해 연결되며, 연결다리들(723)은 내측링(722)과 외측링(724)의 상부를 연결한다.In detail, the holder 720 includes an inner ring 722 and an outer ring 724, and an insertion hole 726 is formed between the inner ring 722 and the outer ring 724. do. The inner ring 722 and the outer ring 724 are ring shaped, and the outer ring 724 is disposed to be spaced apart from the inner ring 722 on the outside of the inner ring 722. The inner ring 722 and the outer ring 724 are connected by a plurality of connecting legs 723, and the connecting legs 723 connect the top of the inner ring 722 and the outer ring 724.

실링부재(120)는 삽입홀(726)에 삽입되어 고정된다. 삽입홀(726)의 상부에는 연결다리들(723)이 제공되므로, 실링부재(120)는 삽입홀(726)의 하부를 통해 삽입홀(726)에 삽입된다. 삽입홀(726)은 하부챔버(100)에 형성된 실링홈(108)과 동일한 형상을 가진다. 즉, 실링홈(108)과 동일한 내측직경(R) 및 동일한 두께(T)를 가진다. 따라서, 삽입홀(726)에 삽입된 실링부재(120)는 실링홈(108)과 동일한 형상을 유지한다.The sealing member 120 is inserted into and fixed to the insertion hole 726. Since the connecting legs 723 are provided at the upper portion of the insertion hole 726, the sealing member 120 is inserted into the insertion hole 726 through the lower portion of the insertion hole 726. The insertion hole 726 has the same shape as the sealing groove 108 formed in the lower chamber 100. That is, it has the same inner diameter R and the same thickness T as the sealing groove 108. Therefore, the sealing member 120 inserted into the insertion hole 726 maintains the same shape as the sealing groove 108.

가압부재(740)를 구체적으로 설명하면, 가압부재(740)는 링 형상이며, 가압부(742) 및 베이스부(744)를 포함한다. 가압부(742)는 삽입홀(726)과 대응되는 형상을 가지며, 삽입홀(726)에 삽입될 수 있다. 가압부(742)는 바닥면에 가압면(742a)을 가지며, 가압면(742a)은 삽입홀(726)의 상부로부터 하부로 이동하면서 삽입홀(726)에 삽입된 실링부재(120)에 대하여 압력을 가한다. 한편, 가압부(742)의 가압면(742a) 중 연결다리들(723)에 상응하는 부분에는 각각 홈(743)이 형성된다. 가압부(742)가 삽입홀(726)의 상부로부터 하부로 이동할 때 삽입홀(726)의 상부에 제공된 연결다리들(723)은 홈(743)에 삽입되며, 연결다리들(723)로 인하여 가압부(742)의 이동이 방해받는 것을 방지할 수 있다.Specifically, the pressing member 740 will be described. The pressing member 740 has a ring shape and includes a pressing portion 742 and a base portion 744. The pressing unit 742 has a shape corresponding to that of the insertion hole 726 and may be inserted into the insertion hole 726. The pressing portion 742 has a pressing surface 742a on the bottom surface, and the pressing surface 742a moves from the top of the insertion hole 726 to the bottom with respect to the sealing member 120 inserted into the insertion hole 726. Apply pressure. Meanwhile, grooves 743 are formed in portions corresponding to the connection legs 723 of the pressing surface 742a of the pressing unit 742, respectively. When the pressing part 742 moves from the top to the bottom of the insertion hole 726, the connection legs 723 provided at the top of the insertion hole 726 is inserted into the groove 743, due to the connection legs 723 The movement of the pressing unit 742 may be prevented from being disturbed.

가압부(742)의 상부에는 베이스부(744)가 연결된다. 베이스부(744)는 가압 부(742)보다 넓은 폭을 가지며, 상부면에 베이스면(744a)을 가진다. 따라서, 가압부재(740)의 단면은 'T'자 형상이다.The base portion 744 is connected to the upper portion of the pressing portion 742. The base portion 744 has a wider width than the pressing portion 742 and has a base surface 744a on the upper surface. Therefore, the cross section of the pressing member 740 has a 'T' shape.

도 7 및 도 8은 도 6의 실링부재용 지그(700)를 이용하여 실링부재(720)를 삽입하는 모습을 나타내는 도면이다. 이하, 도 7 및 도 8을 참고하여 실링부재(720)를 삽입하는 방법을 설명하기로 한다.7 and 8 are views illustrating a state in which the sealing member 720 is inserted using the sealing member jig 700 of FIG. 6. Hereinafter, a method of inserting the sealing member 720 will be described with reference to FIGS. 7 and 8.

홀더(720)의 삽입홀(726)에 실링부재(120)를 삽입한다. 앞서 살펴본 바와 같이, 실링부재(120)의 내측직경(r) 및 두께(t)는 삽입홀(726)의 내측직경(R) 및 두께(T)와 다르므로, 실링부재(120)를 삽입홀(726)에 삽입하기 위해서는 실링부재(120)를 늘려야 하며, 실링부재(120)에 대하여 압력을 가해야 한다. 이때, 삽입홀(726)의 상부에는 연결다리들(723)이 제공되므로, 실링부재(120)는 삽입홀(726)의 하부를 통하여 삽입되어야 한다. 실링부재(120)를 삽입홀(726)에 삽입하는 과정은 실링부재(120)를 실링홈(108)에 삽입하는 과정과 동일한 과정이 요구된다고 할 수 있으나, 홀더(720)는 하부챔버(100)에 비하여 가벼울 뿐만 아니라 부피가 작으므로, 작업자는 홀더(720)의 위치를 바꾸어 가면서 실링부재(120)를 삽입홀(726)에 삽입할 수 있으며, 따라서 실링부재(120)를 실링홈(108)에 삽입하는 것보다 실링부재(120)를 삽입홀(726)에 삽입하는 것이 훨씬 수월하다.The sealing member 120 is inserted into the insertion hole 726 of the holder 720. As described above, since the inner diameter r and the thickness t of the sealing member 120 are different from the inner diameter R and the thickness T of the insertion hole 726, the sealing member 120 is inserted into the hole. In order to insert into the 726, the sealing member 120 should be increased, and pressure should be applied to the sealing member 120. At this time, since the connecting legs 723 are provided at the upper portion of the insertion hole 726, the sealing member 120 should be inserted through the lower portion of the insertion hole 726. The process of inserting the sealing member 120 into the insertion hole 726 may be the same process as the process of inserting the sealing member 120 into the sealing groove 108, but the holder 720 is the lower chamber 100 In addition to being lighter and smaller in volume, the operator can insert the sealing member 120 into the insertion hole 726 while changing the position of the holder 720, and thus the sealing member 120 to the sealing groove 108 It is much easier to insert the sealing member 120 into the insertion hole 726 than to insert it into).

다음, 홀더(720)의 삽입홀(726)이 하부챔버(100)의 실링홈(108)에 일치되도록 홀더(720)를 하부챔버(100)의 상부에 배치한 후, 삽입홀(726)의 상부에 가압부재(740)의 가압면(742a)을 올려놓으며, 가압면(742a)은 실링부재(120)와 접촉한다. 다음, 고무망치(도시안됨)와 같은 도구를 이용하여 베이스면(744a)에 대하여 충격을 가하면, 베이스면(744a)에 가해진 충격은 가압면(742a)에 전달되며, 가압면(742a)은 실링부재(120)에 압력을 가한다. 홀더(720)의 삽입홀(726)에 의하여 실링홈(108)과 대체로 동일한 형상을 가지는 실링부재(120)는 압력에 의하여 삽입홀(726)로부터 이탈하며, 실링홈(108)에 삽입된다.Next, the holder 720 is disposed on the upper portion of the lower chamber 100 so that the insertion hole 726 of the holder 720 is aligned with the sealing groove 108 of the lower chamber 100. The pressing surface 742a of the pressing member 740 is placed on the upper side, and the pressing surface 742a is in contact with the sealing member 120. Next, when impacting the base surface 744a using a tool such as a rubber hammer (not shown), the impact applied to the base surface 744a is transmitted to the pressing surface 742a, and the pressing surface 742a is sealed. Pressure is applied to the member 120. The sealing member 120 having the same shape as the sealing groove 108 by the insertion hole 726 of the holder 720 is separated from the insertion hole 726 by the pressure, and is inserted into the sealing groove 108.

상술한 내용을 종합하면, 실링부재(120)를 홀더(720)의 삽입홀(726)에 삽입하여 실링홈(108)과 동일한 형상 및 크기로 늘린 다음, 가압부재(740)를 이용하여 실링부재(120)를 실링홈(108)에 전체적으로 삽입한다. 따라서, 실링부재(120)의 일부분부터 순차적으로 실링홈(108)에 삽입되면서 실링부재(120)가 뒤틀리거나 파손되는 현상을 방지할 수 있으며, 실링홈(108) 전체에 대하여 실링부재(120)가 균일한 장력을 유지할 수 있다. 또한, 실링부재(120)를 실링홈(108)에 삽입하는 것보다 삽입홀(726)에 삽입하는 것이 용이하므로, 실링부재(120)를 삽입하는데 소요되는 시간 및 노력을 줄일 수 있다.In summary, the sealing member 120 is inserted into the insertion hole 726 of the holder 720 to increase to the same shape and size as the sealing groove 108 and then the sealing member using the pressing member 740. The 120 is inserted into the sealing groove 108 as a whole. Therefore, the sealing member 120 can be prevented from being twisted or damaged while being inserted into the sealing groove 108 sequentially from a portion of the sealing member 120, and the sealing member 120 with respect to the entire sealing groove 108 Can maintain a uniform tension. In addition, since it is easier to insert the sealing member 120 into the insertion hole 726 than to insert the sealing member 108, the time and effort required to insert the sealing member 120 can be reduced.

하부챔버(100)의 상단에는 증착 또는 식각공정을 수행할 수 있도록 하부챔버(100)의 내부에 소스가스를 공급하는 제1 가스공급부재(300)가 제공된다. 제1 가스공급부재(300)는 가스분배링(320) 및 가스분배링(320)에 체결된 복수의 인젝터(340)를 구비한다.The upper end of the lower chamber 100 is provided with a first gas supply member 300 for supplying a source gas into the lower chamber 100 to perform the deposition or etching process. The first gas supply member 300 includes a gas distribution ring 320 and a plurality of injectors 340 fastened to the gas distribution ring 320.

도 9는 도 3의 제1 가스공급부재(300)를 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 9 is a view schematically showing the first gas supply member 300 of FIG. 3.

도 9에 도시한 바와 같이, 가스분배링(320)은 링 형상이며, 가스분배링(320) 상에는 안쪽에 배치된 제1 유로(322) 및 제1 유로(322)의 바깥쪽에 배치된 제2 유로(324)가 형성된다. 제1 소스가스가 흐르는 제1 소스가스라인(382)은 제1 유로(322)에 연결되며, 제1 소스가스라인(382)은 밸브(382a)에 의하여 개폐된다. 제2 소스가스가 흐르는 제2 소스가스라인(384)은 제2 유로(324)에 연결되며, 제2 소스가스라인(384)은 밸브(384a)에 의하여 개폐된다. 따라서, 제1 유로(322)에는 제1 소스가스가 흐르며, 제2 유로(324)에는 제2 소스가스가 흐른다. 제1 소스가스는 실란(silane)(SiH4)을 포함하는 실리콘-함유(silicon-containing) 가스이며, 제2 소스가스는 산소(O2)를 포함하는 산소-포함(oxygen-containing) 가스이다.As shown in FIG. 9, the gas distribution ring 320 has a ring shape, and on the gas distribution ring 320, the first flow passage 322 disposed inward and the second flow passage disposed outside the first flow passage 322. The flow path 324 is formed. The first source gas line 382, through which the first source gas flows, is connected to the first flow path 322, and the first source gas line 382 is opened and closed by a valve 382a. The second source gas line 384 through which the second source gas flows is connected to the second flow path 324, and the second source gas line 384 is opened and closed by the valve 384a. Accordingly, the first source gas flows through the first flow path 322, and the second source gas flows through the second flow path 324. The first source gas is a silicon-containing gas containing silane (SiH 4 ) and the second source gas is an oxygen-containing gas containing oxygen (O 2 ). .

가스분배링(320) 상에는 복수의 인젝터들(340)이 등간격으로 설치되며, 인젝터들(340)은 가스분배링(320)의 내측으로부터 가스분배링(320)의 중심을 향하여 돌출된다. 인젝터들(340)은 제1 내지 제3 인젝터(342, 344, 346)가 한 조를 이루며, 한 조를 이룬 제1 내지 제3 인젝터(342, 344, 346)가 복수개 제공된다. 제2 인젝터(344)는 제1 및 제3 인젝터(342, 346)의 사이에 배치되며, 제1 및 제3 인젝터(342, 346)는 제2 인젝터(344)를 기준으로 대칭되도록 배치된다. 제1 및 제3 인젝터(342, 346)는 제1 및 제3 라인(362, 366)을 통하여 각각 제1 유로(322)에 연결되며, 제2 인젝터(344)는 제2 라인(364)을 통하여 제2 유로(324)에 연결된다. 따라서, 제1 및 제3 인젝터(342, 346)는 제1 유로(322)를 흐르는 제1 소스가스를 공급하며, 제2 인젝터(344)는 제2 유로(324)를 흐르는 제2 소스가스를 공급한다.The plurality of injectors 340 are installed at equal intervals on the gas distribution ring 320, and the injectors 340 protrude from the inside of the gas distribution ring 320 toward the center of the gas distribution ring 320. The injectors 340 include a pair of first to third injectors 342, 344 and 346, and a plurality of first to third injectors 342, 344 and 346 forming a pair are provided. The second injector 344 is disposed between the first and third injectors 342 and 346, and the first and third injectors 342 and 346 are disposed to be symmetric with respect to the second injector 344. The first and third injectors 342 and 346 are connected to the first flow path 322 through the first and third lines 362 and 366, respectively, and the second injector 344 connects the second line 364. It is connected to the second flow path 324 through. Accordingly, the first and third injectors 342 and 346 supply the first source gas flowing through the first flow path 322, and the second injector 344 supplies the second source gas flowing through the second flow path 324. Supply.

도 3에 도시한 바와 같이, 결합부재(150)는 가스분배링(320)과 대응되는 크기의 링 형상이고, 가스분배링(320)의 하단에 결합되어 제1 및 제2 유로(322, 324)를 외부로부터 폐쇄하며, 제1 및 제2 유로(322, 324) 내의 제1 및 제2 소스가스가 외부로 누설되는 것을 방지한다. 이를 위하여, 가스분배링(320)과 결합부재(150)의 사이에 오링(도시안됨)이 제공될 수 있다.As shown in FIG. 3, the coupling member 150 has a ring shape having a size corresponding to that of the gas distribution ring 320, and is coupled to a lower end of the gas distribution ring 320 so that the first and second flow paths 322 and 324 are provided. ) Is closed from the outside, and the first and second source gases in the first and second flow paths 322 and 324 are prevented from leaking to the outside. To this end, an O-ring (not shown) may be provided between the gas distribution ring 320 and the coupling member 150.

커버(400)는 제1 가스공급부재(300)의 상부에 결합되며, 하부챔버(100)의 개방된 상부를 폐쇄한다. 커버(400)의 상부에는 하부챔버(100) 내부로 공급되는 소스가스를 플라스마 상태로 만들기 위한 플라스마 생성부재(500)가 설치된다. 플라스마 생성부재(500)는 커버(400)의 상부에 제공되어 전자기장을 형성하는 코일(540) 및 코일(540)을 고정하는 고정체(520)를 가지며, 코일(540)에는 고주파전원(도시안됨)이 연결된다. 한편 커버(400)는 고주파 에너지가 전달되는 절연체 재료, 바람직하게는 산화 알루미늄과 세라믹 재질로 만들어진다.The cover 400 is coupled to the upper portion of the first gas supply member 300 and closes the open upper portion of the lower chamber 100. The upper portion of the cover 400 is provided with a plasma generating member 500 for making the source gas supplied into the lower chamber 100 into a plasma state. The plasma generating member 500 has a coil 540 provided on the cover 400 to form an electromagnetic field and a fixture 520 for fixing the coil 540. The coil 540 has a high frequency power source (not shown). ) Is connected. The cover 400 is made of an insulator material, preferably aluminum oxide and ceramic material, to which high frequency energy is transmitted.

본 실시예에서는 코일(540)이 커버(400)의 상부에 제공되는 것으로 설명하고 있다. 그러나, 코일(540)의 위치는 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 하부챔버(100)의 측면 또는 가스분배링(320)의 측면에 제공될 수 있다.In this embodiment, the coil 540 is described as being provided above the cover 400. However, the position of the coil 540 may be variously modified. For example, it may be provided on the side of the lower chamber 100 or the side of the gas distribution ring 320.

도 3에 도시한 바와 같이, 커버(400)의 중앙에는 제2 가스공급부재(600)가 설치된다. 제2 가스공급부재(600)는 하부챔버(100)의 내부에 소스가스 및 세정가스를 공급한다. 제2 가스공급부재(600)는 제1 가스공급관(620) 및 제2 가스공급 관(640)을 구비한다. 제1 가스공급관(620)은 커버(400)의 중앙에 연결되며, 제1 공급라인(622)을 통하여 공급된 세정가스를 하부챔버(100)의 내부로 공급한다. 제1 공급라인(622)은 밸브(622a)를 이용하여 개폐한다. 제2 가스공급관(640)은 제1 가스공급관(620)의 내부에 설치되며, 제2 공급라인(642)을 통하여 공급된 소스가스를 하부챔버(100)의 내부로 공급한다. 제2 공급라인(642)은 밸브(642a)를 이용하여 개폐한다. 제2 가스공급관(640)의 끝단에는 노즐(660)이 연결된다.As shown in FIG. 3, the second gas supply member 600 is installed at the center of the cover 400. The second gas supply member 600 supplies a source gas and a cleaning gas into the lower chamber 100. The second gas supply member 600 includes a first gas supply pipe 620 and a second gas supply pipe 640. The first gas supply pipe 620 is connected to the center of the cover 400, and supplies the cleaning gas supplied through the first supply line 622 into the lower chamber 100. The first supply line 622 is opened and closed using the valve 622a. The second gas supply pipe 640 is installed inside the first gas supply pipe 620 and supplies the source gas supplied through the second supply line 642 to the inside of the lower chamber 100. The second supply line 642 is opened and closed using the valve 642a. The nozzle 660 is connected to the end of the second gas supply pipe 640.

도 10은 도 3의 노즐(660)을 개략적으로 나타내는 도면이다.FIG. 10 is a diagram schematically illustrating the nozzle 660 of FIG. 3.

도 10에 도시한 바와 같이, 노즐(660)은 삽입관(662), 확산부재(664), 가이드판(666), 그리고 분사기(668)를 포함한다. 삽입관(662)은 속이 빈 원통 형상이며, 삽입관(662)의 상단은 제2 가스공급관(640)의 내부에 삽입연결되고, 삽입관(662)의 하단은 확산부재(664)에 연결된다. 확산부재(664)는 삽입관(662)의 하단으로부터 하부를 향하여 연장되며, 하부로 갈수록 횡단면의 단면적이 점차로 증가한다. 도 10에 도시한 바와 같이, 확산부재(664)의 외면은 원호(arc) 형상을 가진다. 확산부재(664)의 하단에는 가이드판(666)이 연결된다. 가이드판(666)은 확산부재(664)의 하단 면적보다 큰 면적을 가지는 원판 형상이다. 가이드판(666)의 하단 중앙에는 첨단 형상의 분사기(668)가 연결된다.As shown in FIG. 10, the nozzle 660 includes an insertion tube 662, a diffusion member 664, a guide plate 666, and an injector 668. Insertion tube 662 is a hollow cylindrical shape, the upper end of the insertion tube 662 is inserted into the second gas supply pipe 640, the lower end of the insertion tube 662 is connected to the diffusion member 664. . The diffusion member 664 extends downward from the lower end of the insertion tube 662, and gradually increases in cross-sectional area of the cross section toward the lower side. As shown in FIG. 10, the outer surface of the diffusion member 664 has an arc shape. The guide plate 666 is connected to the lower end of the diffusion member 664. The guide plate 666 has a disc shape having an area larger than the bottom area of the diffusion member 664. The injector 668 of the tip shape is connected to the center of the lower end of the guide plate 666.

한편, 삽입관(662) 및 확산부재(664)의 중심에는 분사통로(663)가 형성된다. 분사통로(663)는 제2 가스공급관(640)과 대체로 나란하게 제공되며, 분사통로(663)의 내부에는 소스가스가 흐른다. 가이드판(666)의 중심에는 분사통로(663)와 연통되는 관통홀(665)이 형성되며, 관통홀(665)은 분사기(668)에 형성된 제1 및 제2 분 사구(667a, 667b)와 연통한다. 따라서, 분사통로(663)를 통하여 유입된 소스가스는 관통홀(665)과 제1 및 제2 분사구(667a, 667b)을 통하여 지지부재(200)의 상부에 공급된다. 소스가스는 실란(silane)(SiH4)을 포함하는 실리콘-함유 가스이다.On the other hand, the injection passage 663 is formed in the center of the insertion tube 662 and the diffusion member 664. The injection passage 663 is generally provided in parallel with the second gas supply pipe 640, and a source gas flows inside the injection passage 663. A through hole 665 is formed at the center of the guide plate 666 to communicate with the injection passage 663, and the through hole 665 includes first and second injection holes 667a and 667b formed in the injector 668. Communicate. Therefore, the source gas introduced through the injection passage 663 is supplied to the upper portion of the support member 200 through the through hole 665 and the first and second injection holes 667a and 667b. The source gas is a silicon-containing gas containing silane (SiH 4 ).

또한, 제1 가스공급관(620)의 내부를 흐르는 세정가스는 노즐(660)의 확산부재(664) 및 가이드판(666)의 표면을 따라 흐르며, 지지부재(200)의 상부로 확산된다. 세정가스는 삼불화질소(NF3) 및 아르곤(Ar)을 포함한다. 세정가스는 공정완료 후 하부챔버(100)의 내부를 세정하기 위하여 제공된다.In addition, the cleaning gas flowing inside the first gas supply pipe 620 flows along the surfaces of the diffusion member 664 and the guide plate 666 of the nozzle 660 and is diffused to the upper portion of the support member 200. The cleaning gas includes nitrogen trifluoride (NF 3 ) and argon (Ar). The cleaning gas is provided to clean the inside of the lower chamber 100 after the process is completed.

본 실시예에서는 인젝터(340)를 이용하여 하부챔버(100) 내부의 가장자리 영역에 소스가스를 공급하며, 노즐(660)을 이용하여 하부챔버(100) 내부의 중앙 영역에 소스가스를 공급하는 것으로 설명하고 있으며, 이는 웨이퍼(W)의 상부에 소스가스를 균일하게 공급하므로써 웨이퍼(W)의 전면(全面)에 대하여 공정이 균일하게 이루어지도록 하기 위함이다. 그러나, 이와 달리 소스가스를 인젝터(340)와 노즐(660) 중 어느 하나를 이용하여 공급할 수도 있다.In this embodiment, the source gas is supplied to the edge region inside the lower chamber 100 using the injector 340, and the source gas is supplied to the central region inside the lower chamber 100 using the nozzle 660. This is because the process is uniformly performed on the entire surface of the wafer W by uniformly supplying the source gas to the upper portion of the wafer W. Alternatively, the source gas may be supplied using any one of the injector 340 and the nozzle 660.

도 11은 본 발명에 따른 기판처리방법을 나타내는 흐름도이다. 이하, 도 11을 참고하여 본 발명에 따른 기판처리방법을 설명하기로 한다.11 is a flowchart showing a substrate processing method according to the present invention. Hereinafter, a substrate treating method according to the present invention will be described with reference to FIG. 11.

먼저, 웨이퍼(W)를 공정챔버(100) 내의 지지부재(200) 상에 로딩한다(S10). 구동기(132)에 의하여 도어(130)가 개방되면, 웨이퍼(W)는 통로(122)를 통하여 공정챔버(100)의 내부로 유입되며, 지지플레이트(220) 상에 놓여진다. 앞서 설명한 바와 같이, 웨이퍼(W)는 정전기력에 의하여 지지플레이트(220) 상에 고정될 수 있다.First, the wafer W is loaded on the support member 200 in the process chamber 100 (S10). When the door 130 is opened by the driver 132, the wafer W is introduced into the process chamber 100 through the passage 122 and placed on the support plate 220. As described above, the wafer W may be fixed on the support plate 220 by an electrostatic force.

다음, 공정챔버(100) 내에 플라스마를 생성한다(S20). 플라스마를 생성하는 구체적인 방법은 다음과 같다. 먼저, 제1 가스공급부재(300) 및 제2 가스공급부재(600)를 이용하여 웨이퍼(W)의 상부에 소스가스를 공급한다. 제1 가스공급부재(300)의 제1 및 제3 인젝터(342, 346)는 실란을 포함하는 실리콘-함유 가스를 공급하며, 제2 인젝터(344)는 산소를 포함하는 산소-함유 가스를 공급한다. 또한, 제2 가스공급부재(600)의 노즐(660)은 실란을 포함하는 실리콘-함유 가스를 공급한다. 다음, 웨이퍼(W)의 상부에 전자기장을 형성한다. 코일(540)에 연결된 고주파전원을 작동시키면, 코일(540)에서 고주파 에너지가 발생되며, 발생된 에너지는 커버(400)를 통하여 웨이퍼(W)의 상부로 전달되어 웨이퍼(W)의 상부에 전자기장을 형성한다. 이때, 형성된 전자기장은 웨이퍼(W)의 상부에 공급된 실리콘-함유 가스 및 산소-함유 가스로부터 플라스마를 생성한다.Next, plasma is generated in the process chamber 100 (S20). Specific methods for generating plasma are as follows. First, the source gas is supplied to the upper portion of the wafer W by using the first gas supply member 300 and the second gas supply member 600. The first and third injectors 342 and 346 of the first gas supply member 300 supply a silicon-containing gas including silane, and the second injector 344 supplies an oxygen-containing gas including oxygen. do. In addition, the nozzle 660 of the second gas supply member 600 supplies a silicon-containing gas including silane. Next, an electromagnetic field is formed on the wafer W. When the high frequency power source connected to the coil 540 is operated, high frequency energy is generated in the coil 540, and the generated energy is transferred to the upper portion of the wafer W through the cover 400 to generate an electromagnetic field on the upper portion of the wafer W. To form. At this time, the formed electromagnetic field generates a plasma from the silicon-containing gas and the oxygen-containing gas supplied to the top of the wafer W.

다음, 생성된 플라스마를 이용하여 웨이퍼(W)의 갭 내에 막을 증착한다(S30). 생성된 플라스마는 웨이퍼(W) 상에 공급되며, 웨이퍼(W)의 갭 내에는 막이 증착된다. 이후, 앞서 설명한 바와 같이, 갭 상부에서 성장한 오버행을 제거하기 위한 에칭이 이루어지며, 에칭이 완료되면 동일한 방법으로 증착과정이 반복된다. 이와 같은 방법을 통하여 웨이퍼(W)의 갭은 채워진다.Next, a film is deposited in the gap of the wafer W using the generated plasma (S30). The resulting plasma is supplied onto the wafer W, and a film is deposited in the gap of the wafer W. Thereafter, as described above, etching is performed to remove the overhang grown on the gap, and when the etching is completed, the deposition process is repeated in the same manner. Through this method, the gap of the wafer W is filled.

본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.Although the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, other forms of embodiments are possible. Therefore, the spirit and scope of the claims set forth below are not limited to the preferred embodiments.

본 발명에 의하면 실링부재가 뒤틀리거나 파손되는 것을 방지할 수 있으며, 실링부재의 손상으로 인하여 누설이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 실링부재를 쉽게 설치할 수 있다.According to the present invention, the sealing member can be prevented from being twisted or broken, and leakage can be prevented due to damage of the sealing member. In addition, the sealing member can be easily installed.

Claims (9)

실링홈에 실링부재를 삽입하는데 사용되는 실링부재용 지그에 있어서,In the jig for sealing member used to insert the sealing member into the sealing groove, 상기 실링부재의 삽입시 상기 실링홈의 입구에 위치하며, 상기 실링부재를 홀딩하는 홀더; 및A holder positioned at the inlet of the sealing groove when the sealing member is inserted and holding the sealing member; And 상기 홀더를 기준으로 상기 실링홈의 반대편에 위치하며, 상기 홀더에 홀딩된 상기 실링부재에 대하여 압력을 가하는 가압면을 가지는 가압부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 실링부재용 지그.And a pressing member positioned opposite to the sealing groove with respect to the holder, the pressing member having a pressing surface for applying pressure to the sealing member held in the holder. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 홀더는 상기 실링부재가 삽입되는 삽입홀을 가지는 것을 특징으로 하는 실링부재용 지그.The holder jig for a sealing member, characterized in that it has an insertion hole into which the sealing member is inserted. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 삽입홀은 상기 실링홈과 대응되는 것을 특징으로 하는 실링부재용 지그.Jig for the sealing member, characterized in that the insertion hole corresponds to the sealing groove. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 홀더는,The holder, 내측링; 및Inner ring; And 상기 내측링의 외측에 상기 내측링으로부터 이격되도록 배치되는 외측링을 포함하되,Including an outer ring disposed on the outer side of the inner ring to be spaced apart from the inner ring, 상기 내측링과 외측링의 사이에 상기 삽입홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 실링부재용 지그.Jig for a sealing member, characterized in that the insertion hole is formed between the inner ring and the outer ring. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 4, 상기 가압부재는,The pressing member, 상기 삽입홀에 삽입가능하며, 상기 삽입홀과 대응되는 형상을 가지는 상기 가압면을 구비하는 가압부; 및A pressing unit insertable into the insertion hole and having the pressing surface having a shape corresponding to the insertion hole; And 상기 가압부에 연결되며, 상기 가압부에 압력을 제공하는 베이스부를 포함하는 것을 특징으로 하는 실링부재용 지그.Jig for sealing member characterized in that it comprises a base portion connected to the pressing portion, the pressure portion for providing the pressing portion. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 실링부재는 오링(O-ring)인 것을 특징으로 하는 실링부재용 지그.Jig for a sealing member, characterized in that the sealing member is an O-ring. 실링홈에 실링부재를 삽입하는 방법에 있어서,In the method of inserting the sealing member into the sealing groove, 상기 실링홈과 대응되는 삽입홀을 가지는 홀더를 제공하고 상기 삽입홀 내에 상기 실링부재를 삽입한 후, 상기 삽입홀과 상기 실링홈이 대응되도록 상기 홀더를 설치한 후, 상기 실링부재가 상기 삽입홀에 삽입되도록 가압부재를 이용하여 상기 실링부재에 압력을 가하는 것을 특징으로 하는 실링부재를 삽입하는 방법.After providing a holder having an insertion hole corresponding to the sealing groove and inserting the sealing member into the insertion hole, after installing the holder to correspond to the insertion hole and the sealing groove, the sealing member is the insertion hole Method for inserting a sealing member, characterized in that to apply pressure to the sealing member using a pressing member to be inserted into. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 가압부재는 상기 실링부재와 접하는 가압면을 가지는 가압부 및 상기 가압부에 연결된 베이스부를 포함하며,The pressing member includes a pressing portion having a pressing surface in contact with the sealing member and a base portion connected to the pressing portion, 상기 베이스부에 충격을 가하여 상기 실링부재에 압력을 가하는 것을 특징으로 하는 실링부재를 삽입하는 방법.And applying pressure to the sealing member by applying an impact to the base part. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 실링부재는 오링(O-ring)인 것을 특징으로 하는 실링부재를 삽입하는 방법.The sealing member is a method for inserting a sealing member, characterized in that the O-ring (O-ring).
KR1020070034929A 2007-04-10 2007-04-10 Jig for sealing member and method for inserting the sealing member KR100855879B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070034929A KR100855879B1 (en) 2007-04-10 2007-04-10 Jig for sealing member and method for inserting the sealing member

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070034929A KR100855879B1 (en) 2007-04-10 2007-04-10 Jig for sealing member and method for inserting the sealing member

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100855879B1 true KR100855879B1 (en) 2008-09-03

Family

ID=40022245

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070034929A KR100855879B1 (en) 2007-04-10 2007-04-10 Jig for sealing member and method for inserting the sealing member

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100855879B1 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140007611A (en) * 2012-07-09 2014-01-20 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR20220000487U (en) 2020-08-20 2022-03-02 (주)파버나인 Jig for inserting o-ring
KR102499346B1 (en) 2022-01-24 2023-02-14 (주)제이비 바이오 Natural complex fermented liquid and solid fermented ultrafine powder using it to increase active ingredients and improve absorption in the body
WO2023163741A1 (en) * 2022-02-25 2023-08-31 Applied Materials, Inc. O-ring mounting template and method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020015439A (en) * 2000-08-22 2002-02-28 이중구 Selaing material and sealing-device utilizing the same
KR20050033341A (en) * 2003-10-06 2005-04-12 삼성전자주식회사 Apparatus for manufacturing semiconductor devices and sealing member used in the apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020015439A (en) * 2000-08-22 2002-02-28 이중구 Selaing material and sealing-device utilizing the same
KR20050033341A (en) * 2003-10-06 2005-04-12 삼성전자주식회사 Apparatus for manufacturing semiconductor devices and sealing member used in the apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140007611A (en) * 2012-07-09 2014-01-20 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR102010266B1 (en) 2012-07-09 2019-08-13 세메스 주식회사 Apparatus for treating substrate
KR20220000487U (en) 2020-08-20 2022-03-02 (주)파버나인 Jig for inserting o-ring
KR102499346B1 (en) 2022-01-24 2023-02-14 (주)제이비 바이오 Natural complex fermented liquid and solid fermented ultrafine powder using it to increase active ingredients and improve absorption in the body
WO2023163741A1 (en) * 2022-02-25 2023-08-31 Applied Materials, Inc. O-ring mounting template and method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101893360B1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer-readable recording medium
US10006146B2 (en) Cluster apparatus for treating substrate
KR100839190B1 (en) Apparatus and method for processing substrate
KR100855879B1 (en) Jig for sealing member and method for inserting the sealing member
US8052887B2 (en) Substrate processing apparatus
KR20100062392A (en) Equipment for manufacturing semiconductor devices and manufacturing method at the same
KR100829925B1 (en) Apparatus and method for processing substrate
KR100905899B1 (en) Substrate lifting unit, appratus and method for treating substrate using the same
KR20000035303A (en) Surface treatment method and surface treatment apparatus
KR100873150B1 (en) apparatus and method for processing substrate
KR100888651B1 (en) Method and apparatus for treating the substrate
KR100857232B1 (en) Substrate processing apparatus and method for opening and closing the passage formed in process chamber of the substrate processing apparatus, method for processing substrate
KR100819159B1 (en) Substrate treating apparatus and method for supplying process chamber of the substrate treating apparatus with processing gas
KR20080062211A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101232904B1 (en) a chemical vapor deposition apparatus and cleaning method of chemical vapor deposition
KR20080062339A (en) Apparatus for treating substrate and method for manufaturing the apparatus
KR100978131B1 (en) Apparatus for treating a substrate
KR100860588B1 (en) Nozzle assembly and substrate processing apparatus including the nozzle, assembly and method for processing the substrate
KR20080062338A (en) Semiconductor manufacturing apparatus including multiple processing chambers and method for cleaning the multiple processing chambers
KR100857231B1 (en) apparatus and method for treating substrate
KR20080062340A (en) Apparatus for treating substrate
KR20080091904A (en) Measuring apparautus and measuring method
KR20080062210A (en) Adapter and apparatus for treating substrate including the same, and connecting method using the adapter
KR20080062078A (en) Method of deposition
KR100839188B1 (en) Method and apparatus for processing substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee