KR100854861B1 - 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents
비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
이때, 제2 식각 공정으로 인해 항복전압(breakdown voltage) 특성이 열화되는 것을 방지하기 위하여 노출된 소자 분리막(116)의 상부 표면이 제1 전자 저장막(104)의 상부 표면보다 낮고, 반도체 기판(100)의 상부 표면보다 높게 형성되도록 EFH(h')를 제어한다.
이렇게, 후속 형성되는 컨트롤 게이트와 반도체 기판(100)의 활성 영역 상부 간의 거리(d')를 도 1g의 d와 동일하게 유지하면서, 소자 분리막(116)의 중앙 부분을 식각하여 EFH(h')를 낮출 수 있기 때문에 후속 형성되는 컨트롤 게이트를 플로팅 게이트 사이에 깊이 위치시킬 수 있다. 이로 인해 기생 커패시터(Capacitor)를 감소시켜 셀 간의 간섭 효과(Interference Effect)를 개선하여 셀의 문턱 전압(Vth) 분포를 개선할 수 있다.
Claims (18)
- 소자 분리 영역에는 반도체 기판보다 높게 돌출된 소자 분리막이 형성되고, 상기 소자 분리막 사이에는 터널 절연막 및 제1 전자 저장막이 형성된 상기 반도체 기판이 제공되는 단계;상기 제1 전자 저장막의 일부를 식각하여 상기 소자 분리막의 측벽을 노출시키는 단계;상기 노출된 소자 분리막에 제1 식각 공정을 수행하여 상기 소자 분리막의 폭을 좁히는 단계;상기 제1 전자 저장막 상부의 상기 소자 분리막 사이에 제2 전자 저장막을 형성하는 단계; 및상기 제2 전자 저장막 사이의 상기 소자 분리막에 제2 식각 공정을 수행하여 상기 제2 전자 저장막 사이에 형성된 상기 소자 분리막을 제거하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 전자 저장막 및 상기 제2 전자 저장막은 폴리실리콘으로 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 소자 분리막은 산화막으로 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방 법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제1 전자 저장막의 일부를 식각하는 단계는,상기 소자 분리막보다 상기 제1 전자 저장막에 대한 식각 선택비가 높은 식각 레시피를 이용하는 습식 식각 또는 건식 식각으로 실시하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 식각 공정은 습식 식각 또는 등방성 건식 식각으로 실시하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제2 전자 저장막을 형성하는 단계는,상기 제1 전자 저장막 및 상기 소자 분리막 상에 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 및상기 폴리실리콘막을 상기 소자 분리막이 노출되는 시점까지 평탄화하는 단계를 더욱 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 전자 저장막은 상기 제1 식각 공정에 의해서 좁혀진 상기 소자 분리막의 폭만큼 상기 제1 전자 저장막의 폭보다 넓게 형성되는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 식각 공정은 상기 제1 및 제2 전자 저장막보다 상기 소자 분리막에 대한 식각 선택비가 높은 식각 레시피를 이용하여 실시하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 식각 공정은 습식 식각 또는 건식 식각으로 실시하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 식각 공정에 의해 노출된 상기 소자 분리막의 상부 표면이 오목한 형태로 형성되는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 식각 공정에 의해 노출된 상기 소자 분리막의 상부 표면은 상기 제1 전자 저장막의 상부 표면보다 낮고, 상기 반도체 기판의 상부 표면보다 높게 형성하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법.
- 소자 분리 영역에 형성되며 반도체 기판보다 높게 돌출된 소자 분리막;상기 소자 분리막 사이의 활성 영역 상에 형성된 터널 절연막;상기 터널 절연막 상에 형성되며 상기 소자 분리막의 가장자리 표면보다 상부 표면이 높은 제1 전자 저장막;상기 제1 전자 저장막 상에 형성되며 가장자리가 상기 소자 분리막과 중첩되는 제2 전자 저장막;상기 제2 전자 저장막 및 상기 소자 분리막 상에 형성된 유전체막; 및상기 유전체막 상에 형성된 도전막을 포함하는 비휘발성 메모리 소자.
- 삭제
- 제 14 항에 있어서,상기 제1 전자 저장막 사이의 노출된 상기 소자 분리막의 상부 표면이 오목한 형태로 형성되는 비휘발성 메모리 소자.
- 제 14 항에 있어서,상기 제1 전자 저장막 사이의 노출된 상기 소자 분리막의 상부 표면은 상기 제1 전자 저장막의 상부 표면보다 낮고, 상기 반도체 기판의 상부 표면보다 높게 형성되는 비휘발성 메모리 소자.
- 제 14 항에 있어서,상기 제1 전자 저장막 및 상기 제2 전자 저장막은 폴리실리콘으로 형성되는 비휘발성 메모리 소자.
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