KR100852514B1 - Perpendicular Type Probe for Test of Semiconductor, Probe Card with the Probes and Methods for Manufacturing the Probe Card - Google Patents

Perpendicular Type Probe for Test of Semiconductor, Probe Card with the Probes and Methods for Manufacturing the Probe Card Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 칩의 검사(테스트)를 위한 프로브 및 프로브 카드와 그 제조방법에 관한 것으로서, 차지하는 면적이 적고, 로드가 커 접촉성이 우수할 뿐만 아니라 우수한 탄성력을 가져 큰 오버 드라이브를 갖는 수직형 프로브, 이 프로브를 구비한 프로브 카드 및 그 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.The present invention relates to a probe and a probe card for inspecting (testing) a semiconductor chip and a method of manufacturing the same. The present invention relates to a vertical type having a large overdrive due to a small area, a large load, excellent contactability, and excellent elasticity. The present invention provides a probe, a probe card having the probe, and a method of manufacturing the same.

본 발명은 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부, 및 상기 선단부를 지지하고 또한 상기 선단부에 탄성을 부여하는 지지부를 포함하고, 이 지지부가 고정되어 있고 또한 프로브 카드에 사용되는 적층용 세라믹 기판에 고정되는 고정부를 추가로 포함하고, 그리고 상기 지지부는 1개 이상의 지지편으로 이루어지는 수직형 프로브, 이 프로브를 갖는 프로브 카드 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention includes a front end portion formed to be in contact with a pad of a semiconductor chip during operation, and a support portion that supports the tip portion and imparts elasticity to the tip portion, wherein the support portion is fixed and is used for a probe card. Further comprising a fixing part fixed to the support portion, and the support portion relates to a vertical probe consisting of one or more support pieces, a probe card having the probe and a method of manufacturing the same.

본 발명의 수직형 프로브 및 프로브 카드에 의하면, 반도체 검사 시간과 비용을 절감하여 반도체 생산 단가를 크게 줄일 수 있고, 또한, 본 발명의 수직형 프로브 및 프로브 카드의 제조방법에 의하면, 고 종횡비 MEMS 구조물 제작에 있어 수율과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the vertical probe and probe card of the present invention, the semiconductor inspection time and cost can be reduced, and the semiconductor production cost can be greatly reduced, and according to the manufacturing method of the vertical probe and probe card of the present invention, a high aspect ratio MEMS structure In production, yield and reliability can be improved.

프로브, 반도체 칩, 검사, 에칭, 도금 Probe, semiconductor chip, inspection, etching, plating

Description

반도체 검사용 수직형 프로브 및 이 프로브를 구비한 프로브 카드 및 그 제조방법{Perpendicular Type Probe for Test of Semiconductor, Probe Card with the Probes and Methods for Manufacturing the Probe Card}Perpendicular Type Probe for Test of Semiconductor, Probe Card with the Probes and Methods for Manufacturing the Probe Card

도 1은 2열로 배열된 반도체 칩의 패드를 검사하는 종래의 캔틸레버형 프로브 카드의 부분 개략도1 is a partial schematic view of a conventional cantilever probe card for inspecting pads of semiconductor chips arranged in two rows;

도 2는 고집적 비정규 2차원의 패드 배열을 갖는 반도체 칩을 검사하는 수직형 프로브 카드의 부분 개략도2 is a partial schematic view of a vertical probe card for inspecting a semiconductor chip having a highly irregular irregular two-dimensional pad arrangement;

도 3은 본 발명에 부합되는 수직형 프로브의 바람직한 일례를 나타내는 구성도Figure 3 is a block diagram showing a preferred example of the vertical probe in accordance with the present invention

도 4는 본 발명에 부합되는 수직형 프로브의 다른 바람직한 예를 나타내는 구성도Figure 4 is a block diagram showing another preferred example of a vertical probe in accordance with the present invention

도 5는 본 발명에 부합되는 수직형 프로브의 또 다른 바람직한 예를 나타내는 구성도5 is a configuration diagram showing another preferred example of a vertical probe in accordance with the present invention

도 6은 본 발명에 부합되는 수직형 프로브의 또 다른 바람직한 예를 나타내는 구성도Figure 6 is a block diagram showing another preferred example of a vertical probe in accordance with the present invention

도 7은 본 발명에 따라 수직형 프로브를 제조하는 방법의 바람직한 일례를 나타내는 모식도7 is a schematic view showing a preferred example of a method of manufacturing a vertical probe according to the present invention.

도 8은 본 발명에 따라 수직형 프로브 카드를 제조하는 방법에 있어서 수직형 프로 브를 세라믹 기판에 고정하기 전의 상태를 나타내는 개략도8 is a schematic diagram showing a state before fixing a vertical probe to a ceramic substrate in the method of manufacturing a vertical probe card according to the present invention.

도 9는 본 발명에 따라 수직형 프로브 카드를 제조하는 방법에 있어서 수직형 프로브를 세라믹 기판에 고정한 상태를 나타내는 개략도9 is a schematic diagram showing a state in which a vertical probe is fixed to a ceramic substrate in a method of manufacturing a vertical probe card according to the present invention.

도 10은 본 발명에 따라 제작된 프로브의 SEM 사진으로서, 도 10(a)는 하나의 스프링을 갖는 프로브를 나타내고, 도 10(b)는 다수개의 스프링을 갖는 프로브를 나타냄10 is a SEM photograph of a probe manufactured according to the present invention, in which FIG. 10 (a) shows a probe having one spring and FIG. 10 (b) shows a probe having a plurality of springs.

도 11은 프로브의 압축시험결과를 나타내는 그래프11 is a graph showing the compression test results of the probe

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 . . 반도체 칩 20 . . 패드 10. . Semiconductor chip 20. . pad

30 . . 캔틸레버형 프로브 40, 200, 300, 400, 500 . . 수직형 프로브 30. . Cantilevered probes 40, 200, 300, 400, 500. . Vertical probe

100 . . 베이스 플레이트 101 . . 전극용 전착층 100. . Base plate 101. . Electrodeposition Layer for Electrode

103 . . 도금틀 104 . . 성형틀103. . Plating mold 104. . Molding

210, 310, 410, 510 . . 선단부 220, 320, 420, 520 . . 지지부210, 310, 410, 510. . Tip 220, 320, 420, 520. . Support

211, 311, 411, 511 . . 결합부 212, 312 . . 접촉부211, 311, 411, 511. . Couplings 212, 312. . Contact

2121 . . 경사면 412,512 . . 경사부2121. . Slope 412,512. . Slope

330 . . 고정부 600 . . 세라믹 기판330. . Fixing part 600. . Ceramic substrate

601 . . 격벽601. . septum

본 발명은 반도체 칩의 검사(테스트)를 위한 프로브 및 프로브 카드와 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 칩의 검사를 위한 수직형 프로브 및 프로브 카드와 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a probe and a probe card for inspecting (testing) a semiconductor chip and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a vertical probe and probe card for inspecting a semiconductor chip and a method of manufacturing the same.

반도체 칩의 제작은 여러 공정을 통해서 이루어지는데, 그 중에서 패키지에 가장 많은 비용이 소요된다. Fabrication of semiconductor chips is carried out through a number of processes, the most expensive of which is a package.

따라서, 패키지 공정 이전 단계에서 생산품을 검사하여 불량인 것을 제거함으로써 반도체 칩의 생산 단가를 낮추고 있다.Therefore, the production cost of the semiconductor chip is lowered by inspecting the product at the stage before the package process to remove the defective product.

반도체 칩을 검사하는 장치로는 도 1에 나타난 캔틸레버형 프로브(30)를 갖는 프로브 카드 및 도 2에 나타난 수직형 프로브(40)를 갖는 프로브 카드 등이 알려져 있다.As a device for inspecting a semiconductor chip, a probe card having a cantilever type probe 30 shown in FIG. 1 and a probe card having a vertical probe 40 shown in FIG. 2 are known.

반도체 칩의 검사는 도 1 및 도 2에 나타난 바와 같이 반도체 칩(10)에 배열된 각각의 패드(20)를 프로브(30)(40)가 동시에 접촉하여 전기적 신호를 읽어 이루어진다.The inspection of the semiconductor chip is performed by reading the electrical signals by the probes 30 and 40 simultaneously contacting each pad 20 arranged on the semiconductor chip 10 as shown in FIGS. 1 and 2.

상기 패드(20)는 통상 알루미늄으로 이루어져 있으며, 따라서 공기 중에서 산화알루미늄 막을 생성하기 때문에 전기적 신호를 얻기 위한 접촉을 하기 위해서는 프로브(30)(40)가 산화알루미늄 막을 긁어 제거하거나 뚫고 들어가 알루미늄과 접촉해야 한다. Since the pad 20 is usually made of aluminum, an aluminum oxide film is produced in air, so that the probes 30 and 40 must scrape or remove the aluminum oxide film and make contact with aluminum in order to make an electrical signal. do.

이때 충분한 힘이 필요한데 이것을 통상 로드(load)라고 한다.Sufficient force is required at this time. This is commonly called a load.

각각의 패드(20)와 프로브(30)(40) 사이의 거리는 여러 가지 오차에 의하여 각각 다르다. The distance between each of the pads 20 and the probes 30 and 40 is different due to various errors.

따라서, 프로브(30)(40)가 동시에 모든 패드(20)를 접촉하기 위해서는 프로브(30)(40)가 탄성을 가져서 운동방향으로 수축하여 모든 패드(20)와 프로브(30)(40)가 접촉할 수 있어야 하고, 다시 원상태로 회복하여 다음 반도체 칩(10)을 검사할 수 있어야 한다. Therefore, in order for the probes 30 and 40 to contact all the pads 20 at the same time, the probes 30 and 40 have elasticity and contract in the movement direction, so that all the pads 20 and the probes 30 and 40 are moved. It should be possible to make contact, and to be able to recover back to inspect the next semiconductor chip 10.

이때 프로브(30)(40)가 최대 수축하는 길이를 통상 오버 드라이버(O.D.; over drive)라고 한다. In this case, the length at which the probes 30 and 40 contract the maximum is generally referred to as an over driver (O.D.).

상기 반도체 칩(10)의 패드(20)가 도 1과 같이 2열로 배열된 형태는 구조 설계와 제작이 용이한 종래의 캔틸레버형 프로브(30)를 이용하여 반도체 칩(10)을 검사할 수 있었다. The pad 20 of the semiconductor chip 10 is arranged in two rows as shown in FIG. 1, so that the semiconductor chip 10 may be inspected using a conventional cantilever probe 30 that is easy to design and manufacture. .

이러한 캔틸레버형 프로브(30)는 일반적으로 MEMS(Micro Electro Mechanical System )의 서피스마이크로머신닝 기술로 쉽게 제작될 수 있다.The cantilever-type probe 30 can be easily manufactured by surface micromachined technology of MEMS (Micro Electro Mechanical System) in general.

한편, 패드(20)의 배열 구조가 도 2에서와 같이 복잡해지고, 다양해지고 있으며, 따라서, 보다 집적할 수 있는 형태의 프로브(40)가 필요하다. Meanwhile, as shown in FIG. 2, the arrangement of the pads 20 is complicated and diversified. Accordingly, a probe 40 having a more integrated form is required.

한쪽 방향으로 긴 면적을 차지하기 때문에 발생하는 캔틸레버 모양의 프로브(30)의 단점을 극복하기 위하여 수직형 프로브(40)가 제안되었다.In order to overcome the shortcomings of the cantilever-shaped probe 30 generated because it occupies a long area in one direction, a vertical probe 40 has been proposed.

상기 수직형 프로브(40)을 설계 및 제작하기 위해서는 오버 드라이브와 로드를 캔틸레버 모양의 프로브(30)과 같은 정도 또는 그 이상을 가질 수 있어야 하고, 동시에 패드(20)의 미세 간격에 대응하기 위하여 각각의 프로브(40)가 차지하는 면적은 축소되어야 하는, 즉 프로브의 가로, 세로 폭이 작아져야 하는 설계 과제를 안고 있다. In order to design and manufacture the vertical probe 40, the overdrive and the rod should have the same or more than the cantilever-shaped probe 30, and at the same time to correspond to the fine spacing of the pad 20, respectively. The area occupied by the probe 40 has to be reduced, that is, a design problem that the width and length of the probe should be reduced.

이와 같이, 반도체 칩의 패드의 배열 구조의 복잡성 및 다양성에 적절히 대응할 수 있는 프로브가 요구되고 있으며, 더욱이, 이러한 프로브의 제조는 현재의 일반적인 MEMS 프로브 제작 기술로는 한계가 있으므로, 새로운 제조방법도 요구되고 있는 실정이다.As such, there is a demand for probes capable of adequately responding to the complexity and diversity of pad array structures of semiconductor chips. Furthermore, the manufacture of such probes is limited by current general MEMS probe fabrication techniques, requiring new manufacturing methods. It's happening.

본 발명자들은 상기한 요구 등에 부응하기 위하여 연구 및 실험을 행하고, 그 결과에 근거하여 본 발명을 제안하게 된 것으로서, 본 발명은 차지하는 면적이 적고, 로드가 커 접촉성이 우수할 뿐만 아니라 우수한 탄성력을 가져 큰 오버 드라이브를 갖는 수직형 프로브 및 그 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM The present inventors carried out research and experiment in order to meet the above-mentioned demands, and proposed the present invention based on the results. The present invention has a small area, a large rod, excellent contactability, and excellent elastic force. It is intended to provide a vertical probe having a large overdrive and a method of manufacturing the same.

또한, 본 발명은 본 발명의 수직형 프로브를 구비한 수직형 프로브 카드 및 그 제조방법을 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.In addition, the present invention is to provide a vertical probe card having a vertical probe of the present invention and a manufacturing method thereof, an object thereof.

이하, 본 발명에 대하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated.

본 발명은 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부, 및 상기 선단부를 지지하고 또한 상기 선단부에 탄성을 부여하는 지지부를 포함하고, 그리고 상기 지지부는 1개 이상의 지지편으로 이루어지는 수직형 프로브에 관한 것이다.The present invention includes a front end portion formed to be in contact with a pad of a semiconductor chip during operation, and a support portion that supports the tip portion and imparts elasticity to the tip portion, wherein the support portion comprises a vertical probe comprising one or more support pieces. will be.

또한, 본 발명은 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부, 상기 선단부를 지지하고 또한 상기 선단부에 탄성을 부여하는 지지부, 및 이 지지부가 고정되어 있고 또한 프로브 카드에 사용되는 적층용 세라믹 기판에 고정되는 고정부를 포함하고, 그리고 상기 지지부는 1개 이상의 지지편으로 이루어지는 수직형 프로브에 관한 것이다.In addition, the present invention provides a front end portion formed to be in contact with a pad of a semiconductor chip during operation, a support portion that supports the tip portion and imparts elasticity to the tip portion, and the support portion is fixed to a laminated ceramic substrate used for a probe card. And a fixing portion to be fixed, wherein the support relates to a vertical probe consisting of one or more support pieces.

또한, 본 발명은 상기한 수직형 프로브를 구비한 수직형 프로브 카드에 관한 것이다.The present invention also relates to a vertical probe card having the vertical probe described above.

또한, 본 발명은 베이스 플레이트 위에 전극용 전착층이 형성되어 있는 도금 베이스를 준비하는 단계;In addition, the present invention comprises the steps of preparing a plating base having an electrodeposition layer for the electrode is formed on the base plate;

에칭에 의하여 제거될 수 있는 물질을 상기 도금 베이스의 전극용 전착층 위에 결합하는 단계;Bonding a material that can be removed by etching onto an electrodeposition layer for electrodes of the plating base;

상기 전착층위의 물질을 에칭하여 제조하고자 하는 수직형 프로브와 동일한 형상을 갖고 상기 전극용 전착층과 통해 있는 성형홀을 형성하여 도금틀을 제조하는 단계;Manufacturing a plating mold by forming a molding hole having the same shape as a vertical probe to be manufactured by etching the material on the electrodeposition layer and through the electrodeposition layer for the electrode;

상기 전극용 전착층을 전극으로 하여 상기 성형홀 내에 도금재가 채워질 때까지 도금하여 수직형 프로브를 형성하는 단계; 및Forming a vertical probe by plating the electrodeposition layer for electrodes as an electrode until the plating material is filled in the forming hole; And

상기와 같이 형성된 프로브로부터 도금틀 및 전극을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브의 제조방법에 관한 것이다.It relates to a vertical probe manufacturing method comprising the step of removing the plating mold and the electrode from the probe formed as described above.

또한, 본 발명은 베이스 플레이트 위에 전극용 전착층이 형성되어 있는 도금 베이스를 준비하는 단계;In addition, the present invention comprises the steps of preparing a plating base having an electrodeposition layer for the electrode formed on the base plate;

에칭에 의하여 제거될 수 있는 물질을 상기 도금 베이스의 전극용 전착층 위에 결합하는 단계;Bonding a material that can be removed by etching onto an electrodeposition layer for electrodes of the plating base;

상기 전착층위의 물질을 에칭하여 제조하고자 하는 수직형 프로브와 동일한 형상을 갖고 상기 전극용 전착층과 통해 있는 성형홀을 형성하여 도금틀을 제조하는 단계;Manufacturing a plating mold by forming a molding hole having the same shape as a vertical probe to be manufactured by etching the material on the electrodeposition layer and through the electrodeposition layer for the electrode;

상기 전극용 전착층을 전극으로 하여 상기 성형홀 내에 도금재가 채워질 때까지 도금하여 수직형 프로브를 형성하는 단계; Forming a vertical probe by plating the electrodeposition layer for electrodes as an electrode until the plating material is filled in the forming hole;

상기와 같이 형성된 프로브로부터 도금틀 및 전극을 제거하여 수직형 프로브를 제조하는 단계; 및 Manufacturing a vertical probe by removing a plating mold and an electrode from the probe formed as described above; And

상기와 같이 제조된 수직형 프로브를 프로브 카드에 사용되는 적층용 세라믹 기판에 고정시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브 카드의 제조방법에 관한 것이다.It relates to a method of manufacturing a vertical probe card, characterized in that it comprises the step of fixing the vertical probe manufactured as described above to the laminated ceramic substrate used in the probe card.

이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

제한된 면적 내에서 상기 프로브를 구조 설계하는데 있어서 가장 어려운 점은 오버 드라이브가 큰 구조물이면서, 동시에 충분한 로드도 얻을 수 있어야 한다. The most difficult aspect of structural design of the probe within the limited area is that the overdrive is a large structure and at the same time sufficient load must be obtained.

큰 오버 드라이브를 얻기 위해서는 프로브의 빔의 두께가 얇아야 하고, 로드를 충분히 얻기 위해서는 프로브의 빔의 두께가 두꺼워야 하기 때문에 서로 상충하여 지금까지 나온 기술로는 두 요소를 모두 충족시킬 수 없었다.To achieve a large overdrive, the probe's beam had to be thin, and to get enough load, the probe's beam had to be thick.

본 발명에서는 상기 두 요소를 모두 충족시킬 수 있는 구조를 제시한다. The present invention proposes a structure that can satisfy both of the above elements.

본 발명의 프로브는 반도체 칩의 패드와 접촉하는 부분인 선단부 및 오버 드라이브를 얻기 위한 지지부를 포함하고, 추가로 프로브 카드에 사용되는 적층용 세라믹 기판에 부착되는 고정부를 포함할 수 있다.The probe of the present invention may include a tip portion, which is a portion in contact with a pad of a semiconductor chip, a support portion for obtaining an overdrive, and may further include a fixing portion attached to a laminated ceramic substrate used for a probe card.

상기 지지부는 제한된 면적 내에서 프로브가 받는 응력을 여러 번 분산시켜 보다 많은 오버 드라이브를 얻도록 구성되며, 얇은 두께를 갖는 다수개의 지지편으로 이 루어지고 에스컬레이터 모양의 지그재그 형을 갖도록 하는 것이 바람직하다.The support may be configured to distribute the stress applied by the probe several times within a limited area to obtain more overdrive, and may be composed of a plurality of support pieces having a thin thickness and have an escalator-shaped zigzag shape.

또한, 상기 지지편은 얇은 두께로 인하여 작아진 로드를 보상하기 위해서 긴 폭을 갖도록 하는 것이 바람직하다.In addition, the support piece is preferably to have a long width in order to compensate for the smaller rod due to the thin thickness.

상기 지지편들은 일정한 간격을 두고 독립 분산되어 오버 드라이브를 증가시킴과 동시에 로드를 증가시킬 수 있는 구조로 하는 것이 바람직하다.The support pieces are preferably distributed at regular intervals so as to increase the overdrive and increase the load at the same time.

상기 선단부는 패드와 접촉할 때 산화알루미늄 막을 효과적으로 긁어내어서 알루미늄과 접촉이 용이하도록 하는 모양으로 형성한다.The tip portion is formed in a shape that effectively scrapes off the aluminum oxide film when in contact with the pad to facilitate contact with aluminum.

상기 고정부는 세라믹 기판상에 형성된 격벽에 삽입되어 고정되는 것이 바람직하며, 상기 격벽은 프로브가 알맞은 위치에 쉽게 고정될 수 있도록 해준다.Preferably, the fixing part is inserted into and fixed to a partition formed on a ceramic substrate, and the partition enables the probe to be easily fixed at an appropriate position.

상기와 같이 격벽을 세라믹 기판상에 형성하여 프로브를 고정하는 경우에는 그 고정부의 크기와 모양은 격벽으로 둘러싸여 있는 공간의 크기와 모양에 따라서 결정된다.When the barrier rib is formed on the ceramic substrate to fix the probe as described above, the size and shape of the fixing part are determined according to the size and shape of the space surrounded by the barrier rib.

본 발명의 수직형 프로브의 예가 도 3 및 도 4에 나타나 있다.Examples of vertical probes of the present invention are shown in FIGS. 3 and 4.

도 3에 나타난 바와 같이, 상기 수직형 프로브(200)는 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부(210), 및 상기 선단부(210)를 지지하고 또한, 상기 선단부(210)에 탄성을 부여하는 지지부(220)를 포함한다.As shown in FIG. 3, the vertical probe 200 supports the tip portion 210 and the tip portion 210 formed to contact the pad of the semiconductor chip during operation, and also provides elasticity to the tip portion 210. It includes a support 220.

도 4에 나타난 바와 같이, 본 발명의 수직형 프로브(300)는 선단부(310) 및 지지부(320)에 더하여 지지부(320)가 고정되어 있고 또한 세라믹 기판(도시되어 있지 않음)에 고정되는 고정부(330)를 추가로 포함할 수 있다.As shown in FIG. 4, in the vertical probe 300 of the present invention, in addition to the tip 310 and the support 320, the support 320 is fixed and fixed to a ceramic substrate (not shown). 330 may be further included.

상기 선단부(210)는 상기 지지부(220)와 연결되어 있는 결합부(211)와 이 결합 부(211)와 일체로 형성되어 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되는 접촉부(212)를 포함한다.The tip portion 210 includes a coupling portion 211 connected to the support portion 220 and a contact portion 212 formed integrally with the coupling portion 211 and contacting the pad of the semiconductor chip during operation.

상기 접촉부(212)는 반도체 칩의 패드와 선(line)접촉되도록 구성된다.The contact portion 212 is configured to be in line contact with the pad of the semiconductor chip.

상기 접촉부(212)는 상기 반도체 칩의 패드와의 선 접촉이 결합부(211)에 대하여 경사진 두 개의 경사면(2121)이 만나서 이루어지도록 형성되어 있다.The contact part 212 is formed such that line contact between the pad of the semiconductor chip and the two inclined surfaces 2121 inclined with respect to the coupling part 211 meet.

다른 선단부들을 갖는 수직형 포로브들의 예들이 도 5 및 도 6에 각각 제시되어 있다.Examples of vertical pores with other tips are shown in FIGS. 5 and 6, respectively.

도 5에 나타난 프로브(400)의 선단부(410)는 상기 선접촉이 일정한 간격을 두고 두 개의 부분에서 이루어지도록 구성된다.The tip portion 410 of the probe 400 shown in Figure 5 is configured such that the line contact is made in two parts at regular intervals.

상기 선접촉의 각각은 결합부(411)에 대하여 경사져 있는 각각의 경사부(412)에 의하여 이루어진다.Each of the line contacts is made by each inclined portion 412 inclined with respect to the engaging portion 411.

도 6에 나타난 프로브(500)의 선단부(510)는 상기 선접촉이 결합부(511)에 대하여 경사져 있는 경사부(512)에 의하여 이루어진다.The tip portion 510 of the probe 500 shown in FIG. 6 is formed by an inclined portion 512 in which the line contact is inclined with respect to the coupling portion 511.

상기 지지부(220)(320)(420)(520)는 각각 1개 이상의 지지편(221)으로 이루어진다.The support parts 220, 320, 420, and 520 each include one or more support pieces 221.

상기 지지편(221)(321)(421)(521)의 수는 목적에 따라 적절히 선정될 수 있다.The number of the support pieces 221, 321, 421, and 521 may be appropriately selected according to the purpose.

상기 지지부들은 지그재그 형태를 가지고 있는데, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 목적하는 탄성력을 갖는 형태라면 어느 것이나 가능하다.The support parts have a zigzag shape, but the present invention is not limited thereto, and any type may be provided as long as the support parts have a desired elastic force.

상기 각각의 지지편(221)(321)(421)(521)의 길이, 폭 및 상기 지지편들간의 간격은 목적에 따라 적절히 선택될 수 있다.The length, width and spacing of the support pieces may be appropriately selected according to the purpose of each of the support pieces 221, 321, 421, and 521.

이하, 본 발명의 수직형 프로브 및 수직형 프로브 카드를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method for manufacturing the vertical probe and the vertical probe card of the present invention will be described.

본 발명의 바람직한 수직형 프로브 구조물은 두께가 작고 이에 비하여 높이와 폭이 매우 큰 지그재그 형의 복잡한 모양을 가진 고종횡비 구조물이다. The preferred vertical probe structure of the present invention is a high aspect ratio structure having a zigzag complex shape having a small thickness and a very high height and width.

따라서 현재의 일반적인 MEMS 기술로는 제작이 어렵다. Therefore, it is difficult to manufacture with current general MEMS technology.

이에, 본 발명에서는 수직형 프로브 및 수직형 프로브 카드를 제조하는 방법을 제안하게 이른 것이다.Thus, the present invention has been proposed to propose a method for manufacturing a vertical probe and a vertical probe card.

도 7에는 본 발명에 따라 수직형 프로브를 제조하는 방법의 바람직한 일례를 설명하기 위한 모식도가 도시되어 있다.Figure 7 is a schematic diagram for explaining a preferred example of a method for manufacturing a vertical probe according to the present invention.

본 발명에 따라 수직형 프로브를 제조하기 위해서는 도 7에 나타난 바와 같이 베이스 플레이트(100) 위에 전극용 전착층(101)이 형성되어 있는 도금 베이스를 준비하는 것이 필요하다.In order to manufacture a vertical probe according to the present invention, as shown in FIG. 7, it is necessary to prepare a plating base on which an electrode electrode layer 101 is formed on the base plate 100.

상기 베이스 플레이트(100)는 유리웨이퍼로 형성하는 것이 바람직하다.The base plate 100 is preferably formed of a glass wafer.

상기 전착층(101)은 통전이 잘 되는 금(Au)으로 형성되는 것이 바람직하다.The electrodeposition layer 101 is preferably formed of gold (Au) that is good electricity.

상기 전착층(101)과 베이스 플레이트(100)와의 밀착성을 향상시키기 위하여 중간층(102)을 형성하는 것이 바람직하다.In order to improve the adhesion between the electrodeposition layer 101 and the base plate 100, it is preferable to form the intermediate layer 102.

상기 전착층(101)이 금(Au)이고, 그리고 베이스 플레이트(100)가 유리웨이퍼인 경우에는 그 중간층(102)으로 크롬(Cr)층이 바람직하다When the electrodeposition layer 101 is gold (Au) and the base plate 100 is a glass wafer, a chromium (Cr) layer is preferable as the intermediate layer 102.

상기 도금 베이스의 전극용 전착층(101) 위에 에칭에 의하여 제거될 수 있는 물질을 결합한다.A material that can be removed by etching is bonded onto the electrodeposition layer 101 for the electrode of the plating base.

상기 물질로는 실리콘(Si)웨이퍼가 바람직하다.The material is preferably a silicon (Si) wafer.

상기 물질로서 실리콘(Si)웨이퍼를 사용하는 경우에는 그 두께가 도금될 두께와 동일하게 되도록 웨이퍼를 폴리싱하는 것이 바람직하다.When using a silicon (Si) wafer as the material, it is preferable to polish the wafer so that the thickness thereof is the same as the thickness to be plated.

상기 물질을 에칭하여, 제조하고자 하는 수직형 프로브와 동일한 형상을 갖고 상기 전극용 전착층(101)과 통해 있는 성형홀(104)을 형성하여 도금틀(103)을 형성한다.The material is etched to form a forming hole 104 having the same shape as the vertical probe to be manufactured and passing through the electrodeposition layer 101 for the electrode, thereby forming a plating mold 103.

상기 성형홀(104)은 바람직하게는 프로브 모양으로 포토레지스트 패터닝을 하고 에칭(DRIE)함으로써 형성될 수 있다.The forming hole 104 may be formed by photoresist patterning and etching (DRIE) in the shape of a probe.

상기 성형홀(104)이 전극용 전착층(101)과 통하도록 하는 것은 전극용 전착층(101)위에 도금에 의해 프로브가 형성되도록 하기 위함이다.The forming hole 104 is in contact with the electrode electrodeposition layer 101 in order to form a probe on the electrode electrodeposition layer 101 by plating.

도 7에는 수직형 프로브의 지지부의 지지편중 하나의 지지편의 일부를 형성하기 위한 성형홀(104)이 제시되어 있다.7 shows a forming hole 104 for forming a portion of one of the support pieces of the support of the vertical probe.

상기 전극용 전착층(101)을 전극으로 하여 상기 성형홀(104) 내에 프로브의 재질인 도금재가 채워질 때까지 도금하여 수직형 프로브를 제조한다.Using the electrode electrodeposition layer 101 as an electrode, a vertical probe is manufactured by plating until the plating material, which is a material of the probe, is filled in the forming hole 104.

상기 프로브의 재질은 특별히 한정되는 것은 아니며, 전기적 특성과 기계적 특성을 고려하여 적절히 선정되며, Ni-Co계 합금 등을 들 수 있다.The material of the probe is not particularly limited, and may be appropriately selected in consideration of electrical and mechanical properties, and a Ni-Co-based alloy may be cited.

이 때, 상기 도금은 전기도금법에 의하여 행하는 것이 바람직하다.At this time, it is preferable to perform the said plating by the electroplating method.

다음에, 상기와 같이 형성된 프로브로부터 도금틀 및 전극을 제거함으로써 본 발명의 수직형 프로브가 제조된다.Next, the vertical probe of the present invention is manufactured by removing the plating mold and the electrode from the probe formed as described above.

본 발명의 수직형 프로브 카드를 제조하기 위해서는 상기와 같이 제조된 본 발명의 수직형 프로브를 프로브 카드에 사용되는 적층용 세라믹 기판에 고정시키는 것이 필요하다.In order to manufacture the vertical probe card of the present invention, it is necessary to fix the vertical probe of the present invention manufactured as described above to a multilayer ceramic substrate used for the probe card.

상기 수직형 프로브를 세라믹 기판에 고정시키는 바람직한 방법으로는 두 가지를 들 수 있다.Two preferred methods of fixing the vertical probe to the ceramic substrate are mentioned.

그 첫 번째 방법은 도 8에 나타난 바와 같이 낮은 온도(약 200~300℃ 정도)에 반응하여 녹는 금속을 세라믹 기판(600)에 포토레지스트 패턴닝 후 원하는 부위에 증착하고, 프로브가 부착될 위치를 안내하여 정확한 위치에 프로브가 부착될 수 있도록 하기 위한 격벽(601)을 강도가 높은 포토레지스트로 패터닝 하여 형성한다. The first method is to deposit a metal melted in response to a low temperature (about 200 ~ 300 ℃) on the ceramic substrate 600 after photoresist patterning, as shown in Figure 8, the location where the probe will be attached The barrier rib 601 is formed by patterning the photoresist with high intensity to guide the probe at the correct position.

상기 증착된 금속은 프로브와 세라믹 기판(600)사이의 전기적 소통관계를 유지해 주는 역할을 한다.The deposited metal serves to maintain electrical communication between the probe and the ceramic substrate 600.

이렇게 격벽(601)이 형성된 세라믹 기판(600)을 열판에 올려 세라믹 기판(600) 위에 증착한 금속이 녹는 온도로 가열한 후, 상기 프로브(700)를 격벽(601) 사이에 삽입한 후 냉각시킴으로써 도 9에 나타난 바와 같이 본 발명의 수직형 프로브 카드(1)가 제조된다.The ceramic substrate 600 having the partition wall 601 formed thereon is heated on a hot plate at a temperature at which the metal deposited on the ceramic substrate 600 melts, and then the probe 700 is inserted between the partition walls 601 and cooled. As shown in Fig. 9, the vertical probe card 1 of the present invention is manufactured.

두 번째 방법으로는 세라믹 기판(600)위에 첫 번째와 동일한 방법으로 격벽(601)을 먼저 만든 후 실버 페이스트 같은 전도성이 있는 에폭시 수지를 수직형 프로브의 고정부의 바닥면에 도포하여 격벽에 끼워 넣어 고정함으로써 도 9에 나타난 바와 같이 본 발명의 수직형 프로브 카드가 제조된다.In the second method, the partition wall 601 is first formed on the ceramic substrate 600 in the same manner as the first, and then a conductive epoxy resin such as silver paste is applied to the bottom surface of the fixing part of the vertical probe and inserted into the partition wall. By fixing, the vertical probe card of the present invention is produced as shown in FIG.

상기 실버 페이스트는 프로브와 세라믹 기판(600)사이의 전기적 소통관계를 가능하게 해 주는 역할을 한다.The silver paste serves to enable electrical communication between the probe and the ceramic substrate 600.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.

(실시예)(Example)

상기 프로브의 활용 가능성을 실험적으로 증명하기 위해 도 10에 나타난 바와 같이 프로브를 제작하여 압축시험을 수행하고, 그 결과를 도 11에 나타내었다.In order to experimentally prove the availability of the probe, a probe was manufactured and a compression test was performed as shown in FIG. 10, and the results are shown in FIG. 11.

이 때, 프로브의 지지편의 가로 및 세로 폭이 100㎛ 빔의 꺾인 각이 20°(도)이고, 그리고 하기 표 1에서와 같이 그 두께가 5~10㎛, 병렬로 연결된 스프링의 개수가 1~3개, 빔이 지그재그로 꺾인 횟수가 15~20번이 되도록 하였다.At this time, the horizontal and vertical width of the support piece of the probe is 20 ° (degrees) of the beam angle of 100 μm, and as shown in Table 1 below, the thickness is 5 to 10 μm and the number of springs connected in parallel is 1 to Three and the number of times the beam was zigzag bent 15 to 20 times.

시편 No.Psalm No. 지지편의 두께[㎛]Thickness of Support Piece [㎛] 스프링 수Spring number 꺾인 횟수Number of breaks 1One 55 1One 1515 22 55 1One 2020 33 55 33 1515 44 55 33 2020 55 1010 1One 1515 66 1010 1One 2020 77 1010 33 1515 88 1010 33 2020

도 11에 나타난 바와 같이, 본 발명의 프로브는 최대 약 7~8g의 접촉반력에 약 30~40㎛의 최대변위를 얻을 수 있음을 확인하였다.As shown in Figure 11, the probe of the present invention was confirmed that the maximum displacement of about 30 ~ 40㎛ at a contact reaction of up to about 7 ~ 8g.

상술한 바와 같이, 본 발명의 수직형 프로브 및 프로브 카드에 의하면, 종래의 2열 캔틸레버형 프로브와는 달리 반도체 기술의 발달에 필적하여 고집적화 되어가는 비정규 2차원 패드 배열을 갖는 반도체 칩을 한번에 검사할 수 있으므로, 반도체 검사 시간과 비용을 절감하여 반도체 생산 단가를 크게 줄일 수 있다.As described above, according to the vertical probe and the probe card of the present invention, unlike conventional two-row cantilever probes, semiconductor chips having a non-uniform two-dimensional pad array that is highly integrated comparable to the development of semiconductor technology can be inspected at a time. As a result, semiconductor production time can be greatly reduced by reducing semiconductor inspection time and cost.

또한, 본 발명의 수직형 프로브 및 프로브의 제조방법에 의하면, 고종횡비 MEMS 구 조물 제작에 있어 수율과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.In addition, according to the vertical probe and the method of manufacturing the probe of the present invention, it is possible to improve the yield and reliability in the production of high aspect ratio MEMS structure.

Claims (13)

작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부(210, 310, 410, 510), 및 상기 선단부를 지지하고 또한 상기 선단부에 탄성을 부여하는 지지부(220, 320, 420, 520)를 포함하고, 상기 지지부는 2개 이상의 지지편으로 이루어지고 상기 지지편들은 지그재그 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브(40, 200, 300, 400, 500).A tip portion 210, 310, 410, 510 formed to be in contact with the pad of the semiconductor chip during operation, and support portions 220, 320, 420, 520 that support the tip portion and impart elasticity to the tip portion. A vertical probe (40, 200, 300, 400, 500), characterized in that the support consists of two or more support pieces and the support pieces have a zigzag shape. 제1항에 있어서, 상기 지지부가 고정되어 있고 또한 프로브 카드에 사용되는 적층용 세라믹 기판(600)에 고정되는 고정부(330)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브.The vertical probe according to claim 1, further comprising a fixing part (330) fixed to the supporting ceramic layer (600) for lamination used in the probe card. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 선단부는 상기 지지부와 연결되어 있는 결합부(211, 311, 411, 511)와 이 결합부와 일체로 형성되어 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되는 접촉부(212, 312)를 포함하고, 상기 접촉부는 반도체 칩의 패드(20)와 선접촉되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브.According to claim 1 or 2, wherein the front end portion is coupled to the support portion (211, 311, 411, 511) and the contact portion which is formed integrally with the coupling portion in contact with the pad of the semiconductor chip during operation ( 212, 312, wherein the contact portion is configured to be in line contact with the pad (20) of the semiconductor chip. 제3항에 있어서, 상기 접촉부는 상기 접촉부와 패드와의 선접촉이 결합부에 대하여 경사진 두 개의 경사면이 만나서 이루어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브.4. The vertical probe of claim 3, wherein the contact part is formed such that line contact between the contact part and the pad is in contact with two inclined surfaces inclined with respect to the coupling part. 제3항에 있어서, 상기 접촉부는 상기 접촉부와 패드와의 선접촉이 일정한 간격을 두고 두 개의 부분에서 이루어지고, 그리고 상기 선접촉의 각각은 결합부에 대하여 경사져 있는 각각의 경사부(412, 512)에 의하여 이루어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브.The inclined portion (412, 512) of claim 3, wherein the contact portion is formed at two portions in which line contact between the contact portion and the pad is at regular intervals, and each of the line contacts is inclined with respect to the engaging portion. Vertical probe characterized in that is formed by). 제3항에 있어서, 상기 접촉부는 상기 선접촉이 결합부에 대하여 경사져 있는 경사부에 의하여 이루어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브.The vertical probe of claim 3, wherein the contact part is formed by an inclined part in which the line contact is inclined with respect to the coupling part. 삭제delete 삭제delete 제1항 또는 제2항의 수직형 프로브를 구비한 수직형 프로브 카드.A vertical probe card comprising the vertical probe of claim 1. 베이스 플레이트 위에 전극용 전착층이 형성되어 있는 도금 베이스를 준비하는 단계;Preparing a plating base having an electrodeposition layer for electrodes formed on the base plate; 에칭에 의하여 제거될 수 있는 물질을 상기 도금 베이스의 전극용 전착층 위에 결합하는 단계;Bonding a material that can be removed by etching onto an electrodeposition layer for electrodes of the plating base; 상기 전착층위의 물질을 에칭하여 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부 및 상기 선단부를 지지하고 탄성을 부여하는 지지부를 포함하고, 상기 지지부는 2개 이상의 지지편으로 이루어지고 상기 지지편들은 지그재그 형태를 갖는 수직형 프로브와 동일한 형상을 갖고 상기 전극용 전착층과 통해 있는 성형홀을 형성하여 도금틀을 제조하는 단계;Etching the material on the electrodeposition layer includes a tip portion formed to contact the pad of the semiconductor chip during operation and a support portion for supporting the tip portion and to give elasticity, the support portion is composed of two or more support pieces and the support pieces are zigzag Manufacturing a plating mold by forming a molding hole having the same shape as a vertical probe having a shape and passing through the electrodeposition layer for the electrode; 상기 전극용 전착층을 전극으로 하여 상기 성형홀 내에 도금재가 채워질 때까지 도금하여 수직형 프로브를 형성하는 단계; 및Forming a vertical probe by plating the electrodeposition layer for electrodes as an electrode until the plating material is filled in the forming hole; And 상기와 같이 형성된 프로브로부터 도금틀 및 전극을 제거하는 단계를 포함하는 수직형 프로브의 제조방법.Method of manufacturing a vertical probe comprising the step of removing the plating mold and electrode from the probe formed as described above. 제10항에 있어서, 상기 베이스 플레이트가 유리웨이퍼이고, 전극용 전착층이 금(Au)으로 이루어지고, 그리고 상기 베이스 플레이트와 전극용 전착층과의 사이에는 크롬(Cr)으로 이루어진 중간층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브의 제조방법.11. The method of claim 10 wherein the base plate is a glass wafer, the electrode electrodeposition layer is made of gold (Au), and an intermediate layer made of chromium (Cr) is formed between the base plate and the electrodeposition layer for electrodes Method for producing a vertical probe, characterized in that. 베이스 플레이트 위에 전극용 전착층이 형성되어 있는 도금 베이스를 준비하는 단계;Preparing a plating base having an electrodeposition layer for electrodes formed on the base plate; 에칭에 의하여 제거될 수 있는 물질을 상기 도금 베이스의 전극용 전착층 위에 결합하는 단계;Bonding a material that can be removed by etching onto an electrodeposition layer for electrodes of the plating base; 상기 전착층위의 물질을 에칭하여 작동시 반도체 칩의 패드와 접촉되도록 형성된 선단부 및 상기 선단부를 지지하고 탄성을 부여하는 지지부를 포함하고, 상기 지지부는 2개 이상의 지지편으로 이루어지고 상기 지지편들은 지그재그 형태를 갖는 수직형 프로브와 동일한 형상을 갖고 상기 전극용 전착층과 통해 있는 성형홀을 형성하여 도금틀을 제조하는 단계;Etching the material on the electrodeposition layer includes a tip portion formed to contact the pad of the semiconductor chip during operation and a support portion for supporting the tip portion and to give elasticity, the support portion is composed of two or more support pieces and the support pieces are zigzag Manufacturing a plating mold by forming a molding hole having the same shape as a vertical probe having a shape and passing through the electrodeposition layer for the electrode; 상기 전극용 전착층을 전극으로 하여 상기 성형홀 내에 도금재가 채워질 때까지 도금하여 수직형 프로브를 형성하는 단계; Forming a vertical probe by plating the electrodeposition layer for electrodes as an electrode until the plating material is filled in the forming hole; 상기와 같이 형성된 프로브로부터 도금틀 및 전극을 제거하여 수직형 프로브를 제조하는 단계; 및 Manufacturing a vertical probe by removing a plating mold and an electrode from the probe formed as described above; And 상기와 같이 제조된 수직형 프로브를 프로브 카드에 사용되는 적층용 세라믹 기판에 고정시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브 카드의 제조방법.And fixing the vertical probe manufactured as described above to the multilayer ceramic substrate used in the probe card. 제12항에 있어서, 상기 베이스 플레이트가 유리웨이퍼이고, 전극용 전착층이 금(Au)으로 이루어지고, 그리고 상기 베이스 플레이트와 전극용 전착층과의 사이에는 크롬(Cr)으로 이루어진 중간층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수직형 프로브 카드의 제조방법.13. The method of claim 12, wherein the base plate is a glass wafer, the electrode electrodeposition layer is made of gold (Au), and an intermediate layer made of chromium (Cr) is formed between the base plate and the electrode electrodeposition layer. Method of manufacturing a vertical probe card, characterized in that.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101270960B1 (en) 2012-10-02 2013-06-11 주식회사 프로이천 Vertical film type pin board

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101340500B1 (en) * 2012-06-20 2013-12-11 박상량 Test pin and test socket for extremely fine pitch and high performance
KR102321083B1 (en) * 2021-07-21 2021-11-03 (주)새한마이크로텍 Contact Probe

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000162241A (en) 1998-11-30 2000-06-16 Advantest Corp Manufacture of contact structure
KR20030093307A (en) * 2001-04-13 2003-12-06 스미토모덴키고교가부시키가이샤 Contact probe
KR20060002954A (en) * 2003-04-10 2006-01-09 폼팩터, 인크. Helical microelectronic contact and method for fabricating same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000162241A (en) 1998-11-30 2000-06-16 Advantest Corp Manufacture of contact structure
KR20030093307A (en) * 2001-04-13 2003-12-06 스미토모덴키고교가부시키가이샤 Contact probe
KR20060002954A (en) * 2003-04-10 2006-01-09 폼팩터, 인크. Helical microelectronic contact and method for fabricating same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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