KR100852290B1 - 기판처리장치 - Google Patents
기판처리장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100852290B1 KR100852290B1 KR1020070062403A KR20070062403A KR100852290B1 KR 100852290 B1 KR100852290 B1 KR 100852290B1 KR 1020070062403 A KR1020070062403 A KR 1020070062403A KR 20070062403 A KR20070062403 A KR 20070062403A KR 100852290 B1 KR100852290 B1 KR 100852290B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- pressure
- tank
- substrate
- processing
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 16
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 16
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 15
- 230000029058 respiratory gaseous exchange Effects 0.000 claims description 10
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
Claims (20)
- 기판을 처리액 중으로부터 용제분위기 중으로 이동시키는 것에 의해 기판을 건조시키는 기판처리장치로서,처리액을 저류하는 처리조;상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버;기판을 지지하고, 상기 처리조 내의 처리위치와 상기 챔버 내이며 상기 처리조 상부에 해당하는 건조위치에 걸쳐서 승강가능한 지지기구;상기 챔버 내에 용제의 증기를 공급하는 공급수단;상기 처리조로부터 배출되는 처리액을 상기 챔버 외부로 회수하는 버퍼탱크;상기 챔버 내를 감압하는 제 1의 감압수단;상기 버퍼탱크 내를 감압하는 제 2의 감압수단;상기 공급수단에 의해 상기 챔버 내를 용제분위기로 만들어, 상기 지지기구에 의해 기판을 처리위치로부터 건조위치로 이동시키고, 상기 제 1의 감압수단에 의해 상기 챔버 내를 제 1의 압력까지 감압하는 동시에, 상기 처리조 내의 처리액을 상기 버퍼탱크로 배출시킬 때까지, 상기 제 2의 감압수단을 조작하여, 상기 버퍼탱크 내의 압력을 상기 제 1의 압력 이하의 제 2의 압력으로 조정하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 기판을 처리액 중으로부터 용제분위기 중으로 이동시키는 것에 의해 기판을 건조시키는 기판처리장치로서,처리액을 저류하는 처리조;상기 처리조의 주위를 둘러싸는 챔버;기판을 지지하고, 상기 처리조 내의 처리위치와 상기 챔버 내로서 상기 처리조 상부에 해당하는 건조위치에 걸쳐 승강가능한 지지기구;상기 챔버 내에 용제의 증기를 공급하는 공급수단;상기 처리조로부터 상기 챔버 내로 배출된 처리액을 상기 챔버 외부로 회수하는 버퍼탱크;상기 챔버 내를 감압하는 제 1의 감압수단;상기 버퍼탱크 내를 감압하는 제 2의 감압수단;상기 공급수단에 의해 상기 챔버 내를 용제분위기로 하여, 상기 지지기구에 의해 기판을 처리위치로부터 건조위치로 이동시키고, 상기 제 1의 감압수단에 의해 상기 챔버 내를 제 1의 압력까지 감압하는 동시에, 상기 챔버 내로 배출된 처리액을 상기 버퍼탱크로 배출시킬 때까지, 상기 제 2의 감압수단을 조작하여, 상기 버퍼탱크 내의 압력을 상기 제 1의 압력 이하의 제 2의 압력으로 조정하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제어수단은, 상기 챔버 내를 제 1의 압력으로 감압시킬 때까지, 상기 버퍼탱크 내의 압력을 미리 제 2의 압력으로 조정해 두는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 제어수단은, 상기 챔버 내를 제 1의 압력으로 감압할 때까지, 상기 버퍼탱크 내의 압력을 미리 제 2의 압력으로 조정해 두는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 처리조는, 처리액을 주입하기 위한 주입관을 구비하고, 상기 제 1의 감압수단은, 상기 주입관으로부터도 감압을 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 처리조는, 처리액을 주입하기 위한 주입관을 구비하고, 상기 제 1의 감압수단은, 상기 주입관으로부터도 감압을 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 3항에 있어서,상기 처리조는, 처리액을 주입하기 위한 주입관을 구비하고, 상기 제 1의 감압수단은, 상기 주입관으로부터도 감압을 하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제4항에 있어서,상기 처리조는, 처리액을 주입하기 위한 주입관을 구비하고, 상기 제 1의 감압수단은, 상기 주입관으로부터도 감압을 하는 것을 특징으로 하는기판처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 3항에 있어서,상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제4항에 있어서,상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제5항에 있어서,상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제6항에 있어서,상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제7항에 있어서,상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제8항에 있어서,상기 챔버의 상부에는, 불활성가스를 공급하는 불활성가스 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 챔버는, 감압을 해소하기 위한 호흡밸브를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 2항에 있어서,상기 챔버는, 감압을 해소하기 위한 호흡밸브를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제 3항에 있어서,상기 챔버는, 감압을 해소하기 위한 호흡밸브를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
- 제4항에 있어서,상기 챔버는, 감압을 해소하기 위한 호흡밸브를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006175331A JP4688741B2 (ja) | 2006-06-26 | 2006-06-26 | 基板処理装置 |
JPJP-P-2006-00175331 | 2006-06-26 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070122403A KR20070122403A (ko) | 2007-12-31 |
KR100852290B1 true KR100852290B1 (ko) | 2008-08-18 |
Family
ID=38872477
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070062403A KR100852290B1 (ko) | 2006-06-26 | 2007-06-25 | 기판처리장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7506457B2 (ko) |
JP (1) | JP4688741B2 (ko) |
KR (1) | KR100852290B1 (ko) |
CN (1) | CN100536067C (ko) |
TW (1) | TWI336909B (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080155852A1 (en) * | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Olgado Donald J K | Multiple substrate vapor drying systems and methods |
JP4982320B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2012-07-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US20120102778A1 (en) * | 2010-04-22 | 2012-05-03 | Ismail Kashkoush | Method of priming and drying substrates |
JP6228800B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-11-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
DE102015215728A1 (de) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | Dürr Ecoclean GmbH | Anlage für das Behandeln eines Werkstücks mit einem Prozessfluid |
JP7169777B2 (ja) * | 2017-09-11 | 2022-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
JP7040849B2 (ja) * | 2017-09-15 | 2022-03-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理装置の制御方法 |
KR102346529B1 (ko) | 2019-06-24 | 2021-12-31 | 세메스 주식회사 | 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 |
CN113496927B (zh) * | 2021-05-30 | 2022-06-24 | 山东华楷微电子装备有限公司 | 一种半导体硅片表面液体清理设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980081324A (ko) * | 1997-04-14 | 1998-11-25 | 이시다아키라 | 기판 건조장치 및 기판 처리장치 |
KR20030003235A (ko) * | 2001-03-14 | 2003-01-09 | 스미토모 세이미츠 고교 가부시키가이샤 | 기판처리장치 |
KR20060049744A (ko) * | 2004-07-01 | 2006-05-19 | 가부시키가이샤 퓨쳐비전 | 기판처리장치 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06163508A (ja) * | 1992-11-27 | 1994-06-10 | Fuji Electric Co Ltd | 基板の乾燥方法および装置 |
JP3361187B2 (ja) * | 1994-06-08 | 2003-01-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP3552190B2 (ja) | 1997-09-10 | 2004-08-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置ならびに基板乾燥方法 |
JP3837016B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2006-10-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP3681329B2 (ja) | 2000-10-20 | 2005-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板表面処理方法及び基板表面処理装置 |
JP2002350049A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-12-04 | Rohm Co Ltd | 減圧乾燥装置および減圧乾燥方法 |
JP4018917B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2007-12-05 | 株式会社ケミカルアートテクノロジー | 処理方法及び処理システム |
JP2006156648A (ja) | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2006
- 2006-06-26 JP JP2006175331A patent/JP4688741B2/ja active Active
-
2007
- 2007-06-15 TW TW096121887A patent/TWI336909B/zh active
- 2007-06-22 US US11/767,379 patent/US7506457B2/en active Active
- 2007-06-25 CN CNB2007101095371A patent/CN100536067C/zh active Active
- 2007-06-25 KR KR1020070062403A patent/KR100852290B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980081324A (ko) * | 1997-04-14 | 1998-11-25 | 이시다아키라 | 기판 건조장치 및 기판 처리장치 |
KR20030003235A (ko) * | 2001-03-14 | 2003-01-09 | 스미토모 세이미츠 고교 가부시키가이샤 | 기판처리장치 |
KR20060049744A (ko) * | 2004-07-01 | 2006-05-19 | 가부시키가이샤 퓨쳐비전 | 기판처리장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7506457B2 (en) | 2009-03-24 |
JP4688741B2 (ja) | 2011-05-25 |
CN100536067C (zh) | 2009-09-02 |
TW200807542A (en) | 2008-02-01 |
CN101097841A (zh) | 2008-01-02 |
US20070295375A1 (en) | 2007-12-27 |
TWI336909B (en) | 2011-02-01 |
KR20070122403A (ko) | 2007-12-31 |
JP2008004874A (ja) | 2008-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100852290B1 (ko) | 기판처리장치 | |
JP3939178B2 (ja) | 高圧乾燥装置、高圧乾燥方法および基板処理装置 | |
JP5626611B2 (ja) | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 | |
KR20110002419A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR102376957B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP4749173B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102328464B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
US20090084405A1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR102254186B1 (ko) | 기판 건조 장치 | |
KR102586053B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2003243351A (ja) | ウェーハ乾燥装置 | |
TWI714876B (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及基板處理裝置之控制方法 | |
KR102262250B1 (ko) | 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법 | |
JP6228800B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102449625B1 (ko) | 기판 처리 방법 | |
KR102254187B1 (ko) | 기판 건조 장치 | |
JP5917121B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2006278466A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5222499B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008028323A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2009027078A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2013149666A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR101078536B1 (ko) | 기판 건조 장치 | |
WO2024095760A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR102387280B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120724 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130719 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140722 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150716 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160720 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170720 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180719 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190722 Year of fee payment: 12 |