KR100848337B1 - Flat panel display device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 평판 표시 장치에 관한 것으로, 기판상에 형성되는 발광영역과 비발광영역; 상기 비발광영역 상에 형성되는 제1전극층; 상기 제1전극층 상에 형성되며 외부 광에너지를 전기에너지로 변환하는 광전변환층; 및 상기 광전변환층 상에 형성되는 제2전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치를 제공하고, 상기와 같이 기판상의 비발광 영역에서 전극층 사이에 형성되는 광전변환층으로 구성되는 포토센서는 광전자 방출형, 광도전형, 광기전력형으로 구분되어서 기판 외부에 포토센서 구비 시보다 부품 수 및 모듈품의 부피감소를 가능하게 하고, 기판 상에 형성되는포토 트랜지스터에 대비하여도 보다 간단한 구조로 작은 면적에 형성이 가능하며, 다양한 광전변환층의 수광물질을 이용하여 다양한 광파장에 대한 높은 선택성을 갖는 포토센서의 구현이 가능하다.

Figure R1020060130157

포토센서, 조도, 휘도, 광전변환층

The present invention relates to a flat panel display, comprising: a light emitting area and a non-light emitting area formed on a substrate; A first electrode layer formed on the non-light emitting region; A photoelectric conversion layer formed on the first electrode layer and converting external light energy into electric energy; And a second electrode layer formed on the photoelectric conversion layer, wherein the photosensor comprising a photoelectric conversion layer formed between the electrode layers in the non-light emitting region on the substrate as described above is an optoelectronic device. It is divided into emission type, photoconductive type, and photovoltaic type, which enables the reduction of the number of parts and module volume compared to the case where the photo sensor is provided outside the substrate. It is possible to form, and it is possible to implement a photosensor having a high selectivity for various light wavelengths by using the light-receiving material of the various photoelectric conversion layer.

Figure R1020060130157

Photoelectric sensor, illuminance, brightness, photoelectric conversion layer

Description

평판 표시 장치{Flat panel display device} Flat panel display device

도 1a는 발광영역(A)과 비발광 영역(B)을 갖는 유기 전계 발광 표시장치의 단면도이다.1A is a cross-sectional view of an organic light emitting display device having a light emitting area A and a non-light emitting area B. FIG.

도 1b는 도 1a의 비발광 영역(B)의 다른 실시 예를 나타내는 단면도이다.FIG. 1B is a cross-sectional view illustrating another embodiment of the non-light emitting area B of FIG. 1A.

도 1c는 도 1a의 비발광 영역(B)의 또 다른 실시 예를 나타내는 단면도이다.FIG. 1C is a cross-sectional view illustrating still another embodiment of the non-light emitting area B of FIG. 1A.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the symbols for the main parts of the drawings>

21: 반도체층 22, 22a: 게이트 전극21: semiconductor layer 22, 22a: gate electrode

23a: 콘택홀 24, 24a: 소스/드레인 전극23a: contact hole 24, 24a: source / drain electrode

31, 31a: 하부전극층 32: 유기층 31, 31a: lower electrode layer 32: organic layer

33: 상부전극층 40: 광전변환층 33: upper electrode layer 40: photoelectric conversion layer

본 발명은 평판 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 외부조도를 감지 하는 포토 센서(Photo senser)를 기판 상에 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel display, and more particularly, to a flat panel display having a photo sensor on a substrate for sensing external illumination.

평판 표시 장치는 액정 디스플레이 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 전계 방출 디스플레이 장치(Field Emission Display; FED), 플라즈마 디스플레이 장치(Plasma Display Panel; PDP), 유기 전계 발광 디스플레이 장치(Organic Light Emitting Diode display; OELD) 등으로 나누어지며, 구동방법에 따라 능동방식(Active Matrix; AM)과 수동방식(Passive Matrix; PM)으로 구분된다. 상기 능동형 구동방식은 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 구비하며, 상기 박막 트랜지스터와 동일 기판상에 또는 기판 외부에 포토 센서를 형성하여 외부의 광조사를 감지하고, 이 때, 외부 휘도 제어부에서 평판 표시 장치의 휘도를 자동 조절하는 ABC(Auto Brightness Control) 구현을 통해서 외부환경이 어두운 경우에는 평판 표시 장치의 휘도를 낮추고, 밝은 경우에는 평판 표시 장치의 휘도 높여서 가장 적합한 휘도로 조절하여 명암비 개선, 소비 전력개선, 수명 개선 등을 효과를 도모할 수 있다.The flat panel display may be a liquid crystal display (LCD), a field emission display (FED), a plasma display panel (PDP), an organic light emitting diode display (Organic Light Emitting Diode display); OELD) and the like, and are classified into an active matrix (AM) and a passive matrix (PM) according to the driving method. The active driving method includes a thin film transistor (TFT), and a photo sensor is formed on the same substrate as the thin film transistor or outside the substrate to detect external light irradiation, and at this time, the external luminance controller With the implementation of ABC (Auto Brightness Control), which automatically adjusts the brightness of flat panel display devices, the brightness of the flat panel display device is reduced when the external environment is dark, and the brightness of the flat display device is increased by adjusting the brightness to the most suitable brightness. It is possible to improve the power consumption and lifespan.

일반적으로, 포토 센서로는 포토 다이오드(Photo Diode)와 포토 트랜지스터(Photo Transistor) 등을 사용하고 있는데, 상기 포토 다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체의 접합으로 이루어지며 PN접합부에 광을 조사하면 광 에너지에 의해 전자-정공쌍(EHP)이 발생하고 반도체의 공핍층 전계에 의하여 정공은 P형으로, 전자는 N형으로 이동한다. 그 결과로 P형에서는 정공이, N형에서는 전자가 축적되어 광기전력이 발생하고, 이에 따라서, 외부회로에 전류가 흐를 수 있다. 상기 포토 다 이오드는 이와 같은 광기전력을 이용한 포토 센서이고, 특히, 응답속도가 빠르며, 구조가 간단한 장점이 있다.In general, a photo sensor is used as a photo diode and a photo transistor. The photo diode is formed by a junction of a P-type semiconductor and an N-type semiconductor. Electron-hole pairs (EHP) are generated by energy, and holes move to P-type and electrons move to N-type by the depletion layer electric field of the semiconductor. As a result, holes are accumulated in the P-type and electrons are accumulated in the N-type, and photovoltaic power is generated. Accordingly, a current can flow in the external circuit. The photodiode is a photo sensor using such a photovoltaic, in particular, has a fast response speed, and has a simple structure.

포토 트랜지스터는 상기 포토 다이오드와 같은 광기전력 효과를 이용하는데 포토다이오드에 증폭기능을 더한 소자로써 발생된 광전류가 증폭되어 큰 출력을 얻을 수 있어 잡음특성에 강하지만 포토다이오드에 비해 응답속도가 느리며, 구조가 복잡한 단점이 있다. The phototransistor uses the same photovoltaic effect as the photodiode. The photodiode is a device that adds an amplifier capability to the photodiode to obtain a large output by amplifying the photocurrent generated. There are complex drawbacks.

이러한 개념으로 공지된 기술로는 외부조도에 따라 적절한 휘도설정구간을 설정하여 유기 전계 발광 표시장치의 출력 휘도를 조절하는 방법이 개시되어 있고,As a technique known to this concept, a method of adjusting an output luminance of an organic light emitting display device by setting an appropriate luminance setting section according to external illumination is disclosed.

또한, 기판상에 구비된 포토 트랜지스터를 이용하여 유기 전계 발광 표시장치의 출력휘도를 조절할 수 있는 방법도 공지되어 있다.In addition, a method of controlling an output luminance of an organic light emitting display device using a photo transistor provided on a substrate is also known.

그런데, 기판 외부에 포토 센서를 구비시 부품 수 증가 및 모듈부피 증가 등의 문제점이 존재하고, 포토 트랜지스터를 기판 내에 구비 시에는 구조가 복잡해지고, 면적이 증가하며, 광전효과의 기전력 방식으로만 구성될 수 있어서 빛을 감지하는 수광물질인 광전변환층의 선택성이 낮은 단점이 있다.However, when the photo sensor is provided outside the substrate, there are problems such as an increase in the number of components and an increase in module volume. When the photo transistor is provided in the substrate, the structure becomes complicated, the area is increased, and the photoelectric effect is configured only by the electromotive force method. There is a disadvantage that the selectivity of the photoelectric conversion layer that is a light-receiving material that can be light.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로, 평판 표시 장치 기판 내의 전극층 사이에 광전변환층을 형성하여 외부 광에너지의 조사에 따라 광전자 방출형, 광도전형, 광기전력형의 광전효과로 발생한 광전류를 이용하여 외부 휘도 제어부에 의해 평판 표시 장치의 휘도를 조절하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention is to solve the above problems of the prior art, by forming a photoelectric conversion layer between the electrode layer in the flat panel display substrate photoelectric emission type, photoconductive type, photovoltaic type according to the irradiation of external light energy The purpose of the present invention is to adjust the brightness of a flat panel display by an external brightness controller using the photocurrent generated by the photoelectric effect.

본 발명의 상기 목적은 기판상에 형성되는 발광영역과 비발광영역;The object of the present invention is a light emitting area and a non-light emitting area formed on the substrate;

상기 비발광영역 상에 형성되는 제1전극층;A first electrode layer formed on the non-light emitting region;

상기 제1전극층 상에 형성되며 외부 광에너지를 전기에너지로 변환하는 광전변환층; 및 A photoelectric conversion layer formed on the first electrode layer and converting external light energy into electric energy; And

상기 광전변환층 상에 형성되는 제2전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치에 의해 달성된다.It is achieved by a flat panel display device comprising a second electrode layer formed on the photoelectric conversion layer.

본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시 예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해보다 명확하게 이해될 것이다.Details of the above object, technical configuration and effects according to the present invention will be more clearly understood by the following detailed description with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.

<실시 예 1><Example 1>

도 1a는 발광영역(A)과 비발광 영역(B)을 갖는 전면 발광형 유기 전계 발광 표시장치의 단면도이다.1A is a cross-sectional view of a top emission type organic light emitting display device having a light emitting area A and a non-light emitting area B. FIG.

도 1a를 참조하면, 절연 기판(10) 상에 버퍼층(11)이 형성될 수 있고, 상기 버퍼층(11)은 기판에서 발생하는 수분 또는 불순물의 확산을 방지하거나 결정화 시 열의 전달을 조절함으로써 반도체층(21)의 결정화가 잘 이루어질 수 있도록 하는 역할을 한다. Referring to FIG. 1A, a buffer layer 11 may be formed on an insulating substrate 10, and the buffer layer 11 may prevent the diffusion of moisture or impurities generated from the substrate or control heat transfer during crystallization. It serves to make crystallization of (21) work well.

다음으로, 발광 영역(A)에만 상기 버퍼층(11) 상에 비정질 실리콘을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 다결정 실리콘으로 형성한 후, 패터닝하거나, 패터닝 후 결정화하여 일정 패턴의 반도체층(21)을 형성한다. 이 때, 상기 비정질 실리콘층은 화학적 기상 증착법 또는 물리적 기상증착법을 이용할 수 있으며, 상기 비정질 실리콘을 형성할 때 또는 형성한 후 탈수소 처리하여 수소 농도를 낮추는 공정을 진행할 수 있다. Next, amorphous silicon is formed on the buffer layer 11 only in the emission region A, and the amorphous silicon layer is crystallized to form polycrystalline silicon, and then patterned or crystallized after patterning to form a semiconductor layer 21 having a predetermined pattern. ). In this case, the amorphous silicon layer may use a chemical vapor deposition method or a physical vapor deposition method, and when forming or after forming the amorphous silicon may be carried out a process of lowering the hydrogen concentration by dehydrogenation.

다음으로, 상기 발광영역(A) 및 비발광 영역(B)를 포함하는 기판 상부 전면에 게이트 절연막(12)을 형성하고, 상기 발광 영역(A)의 상기 게이트 절연막(12) 상에 MoW, Al/Cu 등으로 일정패턴의 게이트 전극(22)을 형성함과 동시에, 상기 게이트 전극(22)으로 동일층 상의 비발광 영역(B)에 일정 패턴의 제1전극(22a)을 형성한다. 이 때, 발광 영역(A)에서는 상기 게이트 전극(22)을 마스크로 사용하여 불순물 이온을 주입하는 공정을 진행하여 상기 반도체층(21)에 소스/드레인 및 채널 영역(미도시)을 형성한다. Next, a gate insulating film 12 is formed on the entire upper surface of the substrate including the light emitting area A and the non-light emitting area B, and MoW and Al are formed on the gate insulating film 12 of the light emitting area A. The gate electrode 22 having a predetermined pattern is formed of / Cu or the like, and the first electrode 22a of a predetermined pattern is formed in the non-light emitting region B on the same layer using the gate electrode 22. In this case, in the emission region A, impurity ions are implanted using the gate electrode 22 as a mask to form source / drain and channel regions (not shown) in the semiconductor layer 21.

다음으로, 상기 발광영역(A) 및 비발광 영역(B)를 포함하는 기판 상부 전면에 층간 절연막(13)을 형성하는데, 상기 층간 절연막(13)은 하부에 형성된 소자들을 보호하는 역할 또는 전기적인 절연을 목적으로 한다. Next, an interlayer insulating layer 13 is formed on the entire upper surface of the substrate including the light emitting region A and the non-light emitting region B. The interlayer insulating layer 13 serves to protect elements formed under or electrically For insulation purposes.

한편, 상기 버퍼층(11), 게이트 절연막(12) 및 층간 절연막(13)은 SiO2 또는 SiNx와 그의 복수의 층으로 이루어질 수 있다.The buffer layer 11, the gate insulating layer 12, and the interlayer insulating layer 13 may be formed of SiO 2 or SiNx and a plurality of layers thereof.

다음으로, 발광 영역(A)의 층간 절연막(13)과 게이트 절연막(12)을 식각하여 콘택 홀(23a)을 형성하고, 동일층 상의 비발광 영역(B)에서도 층간 절연막(13)을 식각하여 일정패턴의 광전변환층(40)을 형성한다. 이어서, 발광 영역(A)의 상기 콘택 홀(23a)을 통하여 반도체층(21)의 소스/드레인 영역(미도시)과 접하는 일정패턴의 소스/드레인 전극(24)을 형성하고, 동일 층상의 비발광 영역(B)에 소스/드레인(24) 전극으로 일정 패턴의 제2전극(24a)을 형성한다.Next, the interlayer insulating layer 13 and the gate insulating layer 12 of the light emitting region A are etched to form a contact hole 23a, and the interlayer insulating layer 13 is etched even in the non-light emitting region B on the same layer. A photoelectric conversion layer 40 having a predetermined pattern is formed. Subsequently, a source / drain electrode 24 having a predetermined pattern in contact with a source / drain region (not shown) of the semiconductor layer 21 is formed through the contact hole 23a of the emission region A, and the ratio of the same layer The second electrode 24a having a predetermined pattern is formed in the emission region B as the source / drain 24 electrode.

상기 제2전극층(24a)은 광전변환층(40) 보다 좁은 면적으로 형성되어 전면 발광형 유기 전계 발광 표시장치의 외부에서 조사되는 광에너지가 광전변환층(40) 까지 전달될 수 있는 개구부를 형성한다. 또한, 상기 제1전극층(22a)을 광전변환층(40) 보다 좁은 면적으로 형성하여 배면 발광형 유기 전계 발광 표시장치에서도 외부에서 조사되는 광에너지가 광전변환층(40)까지 전달될 수 있는 개구부를 형성할 수도 있다.The second electrode layer 24a is formed to have a narrower area than the photoelectric conversion layer 40 to form an opening through which light energy radiated from the outside of the top emission organic electroluminescent display can be transferred to the photoelectric conversion layer 40. do. In addition, the first electrode layer 22a is formed to have a narrower area than the photoelectric conversion layer 40 so that the light energy emitted from the outside may be transferred to the photoelectric conversion layer 40 even in the bottom emission type organic light emitting display device. May be formed.

다음으로, 상기 발광영역(A) 및 비발광 영역(B)를 포함하는 기판 상부 전면에 보호막(14)을 형성하고, 다시 상기 보호막(14) 상부 전면에 아크릴, 폴리이미드 등의 유기물질로 평탄화막을 형성할 수도 있다. 상기 발광영역(A)에는 상기 보호막(14) 또는 평탄화막을 관통하여 소스/드레인(24) 전극 중 어느 하나를 노출시키는 비아 홀(14a)을 형성하고, 평탄화막 상면에는 하부전극층(31)인 애노드 전극이 형성되어 소스/드레인(24) 전극 중 어느 하나와 접촉한다. 다음으로, 상기 하부전극(31) 상면에는 유기물로 이루어진 일정 개구부를 갖는 화소 정의막(16)이 형성되 고, 상기 개구부에 의해 노출되는 하부전극층(31) 상에 발광층을 포함하는 유기층(32)을 형성하고, 상기 유기층(32)상에 상부전극층(33)인 캐소드 전극을 형성한다.Next, a passivation layer 14 is formed on the entire upper surface of the substrate including the light emitting area A and the non-light emitting area B, and then planarized with organic materials such as acrylic and polyimide on the entire upper surface of the passivation layer 14. A film may also be formed. A via hole 14a is formed in the emission area A to expose one of the source / drain 24 electrodes through the passivation layer 14 and the planarization layer, and an anode, which is a lower electrode layer 31, on the upper surface of the planarization layer. An electrode is formed to contact any one of the source / drain 24 electrodes. Next, a pixel defining layer 16 having a predetermined opening formed of an organic material is formed on an upper surface of the lower electrode 31, and an organic layer 32 including an emission layer is disposed on the lower electrode layer 31 exposed by the opening. And a cathode electrode, which is the upper electrode layer 33, is formed on the organic layer 32.

<실시 예 2><Example 2>

도 1b는 도 1a의 비발광 영역(B)의 다른 실시 예를 나타내는 단면도이다.FIG. 1B is a cross-sectional view illustrating another embodiment of the non-light emitting area B of FIG. 1A.

실시 예 2는 실시 예 1에서 광전변환층의 구성을 제외하고는 실시 예 1의 구성과 동일하므로 발광영역(A)의 구성은 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다. 도 1b를 참조하면, 비발광 영역(B)에 소스/드레인(24) 전극으로 일정 패턴의 제1전극층(24a)을 형성하고, 상기 제1전극층(24a) 상에 일정 패턴의 광전변환층(40)을 형성하고, 상기 광전변환층(40) 상에 하부 전극층(31) 으로 일정패턴의 제2전극층(31a)을 형성한다.Since Embodiment 2 is the same as that of Embodiment 1 except for the configuration of the photoelectric conversion layer in Embodiment 1, the configuration of the light emitting region A is omitted in order to avoid overlapping. Referring to FIG. 1B, the first electrode layer 24a having a predetermined pattern is formed as the source / drain 24 electrode in the non-emission region B, and the photoelectric conversion layer having a predetermined pattern on the first electrode layer 24a ( 40, and a second electrode layer 31a having a predetermined pattern is formed on the photoelectric conversion layer 40 as the lower electrode layer 31.

이 때, 상기 제2전극층(31a)으로 투명 전도성 산화막 물질인 ITO, IZO등을 사용하는 경우에는 전면 발광형 유기 전계 발광 표시장치에서도 제2전극층(31c)의 면적이 제한되는 않는다.In this case, when the transparent conductive oxide material ITO, IZO, or the like is used as the second electrode layer 31a, the area of the second electrode layer 31c is not limited even in the top emission organic electroluminescent display.

<실시 예 3>Example 3

도 1c는 도 1a의 비발광 영역(B)의 또 다른 실시 예를 나타내는 단면도이다.FIG. 1C is a cross-sectional view illustrating still another embodiment of the non-light emitting area B of FIG. 1A.

실시 예 3는 실시 예 1에서 광전변환층의 구성을 제외하고는 실시 예 1의 구성과 동일하므로 발광영역(A)의 구성은 중복을 피하기 위하여 설명을 생략한다. Since Embodiment 3 is the same as that of Embodiment 1 except for the configuration of the photoelectric conversion layer in Embodiment 1, the configuration of the light emitting region A is omitted in order to avoid overlapping.

도 1c를 참조하면, 비발광 영역(B)에 게이트 전극(22)으로 일정 패턴의 제1전극층(22a)을 형성하고, 상기 제1전극층(22a) 상에 일정 패턴의 광전변환층(40)을 형성하고, 상기 광전변환층(40) 상에 하부전극(31)으로 일정 패턴의 제2전극층 (31a)을 형성한다.Referring to FIG. 1C, the first electrode layer 22a having a predetermined pattern is formed as the gate electrode 22 in the non-light emitting region B, and the photoelectric conversion layer 40 having a predetermined pattern is formed on the first electrode layer 22a. And a second electrode layer 31a having a predetermined pattern as the lower electrode 31 on the photoelectric conversion layer 40.

이 때, 상기 제2전극층(31a)으로 투명 전도성 산화막 물질인 ITO, IZO등을 사용하는 경우에는 전면 발광형 유기 전계 발광 표시장치에서도 제2전극층(31c)의 면적이 제한되는 않는다.In this case, when the transparent conductive oxide material ITO, IZO, or the like is used as the second electrode layer 31a, the area of the second electrode layer 31c is not limited even in the top emission organic electroluminescent display.

이상의 실시 예 1 내지 실시 예 3에서 포토 센서의 수광영역인 광전변환층(40)은 광전효과를 이용하여 광에너지를 전기에너지로 변환하는 층으로써, 광전효과는 크게 외부광전효과인 광전자 방출효과와 내부광전효과인 광도전효과, 광기전력 효과로 나누어질 수 있는데,In Examples 1 to 3, the photoelectric conversion layer 40, which is a light receiving region of the photo sensor, is a layer for converting light energy into electrical energy by using a photoelectric effect. It can be divided into internal photoelectric effect and photovoltaic effect.

첫째, 광전자 방출 효과는 물질의 표면에 일정한 광에너지가 조사되면 전자가 표면에서 외부로 방출되는 현상으로써, 광에너지가 상기 반도체의 일함수보다 클때 전자가 외부로 방출되며, 특히, Sb-C, Cs-Te 또는 GaAs 중 어느 하나의 물질로 구현될 수 있다,First, the photoelectron emission effect is a phenomenon in which electrons are emitted from the surface to the outside when a constant light energy is irradiated to the surface of the material, and when the light energy is greater than the work function of the semiconductor, the electrons are emitted to the outside, in particular, Sb-C, It may be implemented with any one material of Cs-Te or GaAs,

둘째, 광도전 효과는 물질에 빛을 조사했을 때 도전율이 증가하는 현상으로써, 물질 내에 광에너지를 받아 자유캐리어인 전자, 전공이 발생되기 때문에 도전율이 증가하게 되고 광전류가 흐른다. 특히, CdS, CdSe 또는 a-Si 중 어느 하나의 물질로 구현될 수 있다.Second, the photoconductive effect is a phenomenon in which the conductivity increases when light is irradiated onto the material. The conductivity increases and the photocurrent flows because electrons and holes, which are free carriers, are generated by receiving light energy in the material. In particular, it may be implemented with any one material of CdS, CdSe or a-Si.

셋째, 광기전력 효과는 접합형 구조로 이루어지며, PN접합의 공핍층에 빛을 조사하면 광전효과 현상에 의해 전자정공쌍(EHP)이 생성되고 전자는 N영역으로 정공은 P영역으로 이동함으로써, 반도체 내부에 광기전력이 야기되어, 결국, 광전류가 흐르게 된다, 특히, Si, a-Si, Ge 또는 GaAs/Ge 중 어느 하나의 물질로 구현될 수 있다. Third, the photovoltaic effect is composed of a junction type structure. When light is irradiated to the depletion layer of the PN junction, electron hole pairs (EHP) are generated by a photoelectric effect phenomenon, and electrons move to the N region and holes move to the P region, Photovoltaic power is generated inside the semiconductor, and thus, a photocurrent flows. In particular, it may be implemented with any one of Si, a-Si, Ge, or GaAs / Ge.

상기 포토 센서는 유기 전계 발광 표시 장치 상에서 발광영역 이외의 비발광영역에 일정형태로 위치될 수 있으며, 외부 광의 변화를 감지하여 외부 휘도 제어부에 의하여 외부환경이 어두운 경우에는 자체발광의 휘도를 낮추고, 밝은 경우에는 자체발광의 휘도 높여서 적합한 휘도로 조절한다.The photo sensor may be positioned in a non-light emitting area other than the light emitting area in a predetermined shape on the organic light emitting display, and detects a change in external light to lower the brightness of self light emission when the external environment is dark by an external brightness controller. If it is bright, increase the brightness of self-luminescence to adjust to the appropriate brightness.

또한, 본 실시 예에서는 탑 게이트 구조로 설명하였지만, 반도체층 하부에 게이트 전극을 배치하는 버텀 게이트 구조에서도 동일하게 구현될 수 있다.In addition, although the present embodiment has been described as a top gate structure, the bottom gate structure in which the gate electrode is disposed under the semiconductor layer may be similarly implemented.

본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.Although the present invention has been shown and described with reference to preferred embodiments as described above, it is not limited to the above-described embodiments and those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Various changes and modifications will be possible.

이상과 같이, 본 발명의 평판 표시 장치는 기판 상의 비발광 영역에 전극층 사이로 위치되는 광전변환층을 형성하여 기판 외부에 포토센서 구비 시보다 부품 수 및 모듈품의 부피감소를 가능하게 하고, 기판 상에 형성되는 포토 트랜지스터에 대비하여도 간단한 구조로 작은 면적에 형성이 가능하며, 다양한 광전변환층의 수광물질을 이용하여 다양한 광파장에 대한 선택성이 높은 포토센서의 구현이 가능하다. As described above, the flat panel display device of the present invention forms a photoelectric conversion layer positioned between the electrode layers in the non-light emitting region on the substrate, thereby enabling a reduction in the number of parts and the volume of the module, compared to when a photo sensor is provided outside the substrate. It can be formed in a small area with a simple structure compared to the photo transistor to be formed, and it is possible to implement a photo sensor having a high selectivity for various light wavelengths by using light-receiving materials of various photoelectric conversion layers.

Claims (11)

기판상에 형성되는 발광영역과 비발광영역;A light emitting area and a non-light emitting area formed on the substrate; 상기 비발광영역 상에 형성되는 제1전극층;A first electrode layer formed on the non-light emitting region; 상기 제1전극층 상에 형성되며 외부 광에너지를 전기에너지로 변환하는 광전변환층; 및A photoelectric conversion layer formed on the first electrode layer and converting external light energy into electric energy; And 상기 광전변환층 상에 형성되는 제2전극층을 포함하며,A second electrode layer formed on the photoelectric conversion layer; 상기 제1전극층은 상기 광전변환층 보다 좁은 면적 또는 상기 제2전극층은 상기 광전변환층 보다 좁은 면적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the second electrode layer has a smaller area than the photoelectric conversion layer, or the second electrode layer has a narrower area than the photoelectric conversion layer. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1전극층은 게이트 전극, 제2전극층은 소스/드레인 전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the first electrode layer comprises a gate electrode, and the second electrode layer comprises a source / drain electrode. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1전극층은 소스/드레인 전극, 제2전극층은 하부전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the first electrode layer is a source / drain electrode, and the second electrode layer is a lower electrode. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1전극층은 게이트 전극, 제2전극층은 하부전극으로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the first electrode layer comprises a gate electrode and the second electrode layer comprises a lower electrode. 제5항 또는 제6항에 있어서, The method according to claim 5 or 6, 상기 제2전극층은 투명 전도성 산화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the second electrode layer is formed of a transparent conductive oxide film. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 광전변환층은 광기전력형, 광도전형, 광전자방출형으로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.And the photoelectric conversion layer is formed of a photovoltaic type, a photoconductive type, and a photoelectron emitting type. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 광전변환층의 광기전력형은 Si, a-Si, Ge 또는 GaAs/Ge 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.The photovoltaic type of the photoelectric conversion layer is a flat panel display, characterized in that any one of Si, a-Si, Ge or GaAs / Ge. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 광전변환층의 광도전형은 CdS, CdSe 또는 a-Si 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.The photoconductive type of the photoelectric conversion layer is a flat panel display, characterized in that any one of CdS, CdSe or a-Si. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 광전변환층의 광전자방출형은 Sb-C, Cs-Te 또는 GaAs 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.The photoelectric emission type of the photoelectric conversion layer is a flat panel display, characterized in that any one of Sb-C, Cs-Te or GaAs.
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